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TWI382468B - 切割粘晶膠帶 - Google Patents

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TWI382468B
TWI382468B TW093102456A TW93102456A TWI382468B TW I382468 B TWI382468 B TW I382468B TW 093102456 A TW093102456 A TW 093102456A TW 93102456 A TW93102456 A TW 93102456A TW I382468 B TWI382468 B TW I382468B
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喜多賢二
石渡伸一
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古河電氣工業股份有限公司
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Description

切割粘晶膠帶
本發明係關於一種在基材膜片之一側形成有可剝除粘著劑層之膠帶。
例如IC等半導體裝置之組裝程序包含下列步驟：在圖案形成後，將半導體晶圓等切斷分離(切割)成各別的晶片；將晶片固定在基板上；使用樹脂等加以封裝。
在切割步驟中，半導體晶圓係事先用膠帶粘貼固定，然後沿晶片形狀切割。在固定步驟中，晶片則從膠帶剝離(拾取)，然後用粘著劑予以粘貼固定在基板上。
使用於上述目的之膠帶包括一般的感壓型膠帶，以及經紫外線(UV)、電子線等放射線照射硬化後粘力會降低的膠帶。這兩種膠帶均需具有足夠的粘力，俾於切割後膠帶不會從晶圓剝離，而且要從晶圓拾取晶片時，膠帶要能夠很容易從晶圓剝離。
而且，在固定步驟中，晶片與基板間要有充分的粘著力。
以往曾有兼具上述製程切割膠帶功能及基板粘著膠帶功能之各種粘著劑或膠帶之提案，此等膠帶在粘著劑之塗布作業性上有所改善，使得整體製程得以簡化。
此等膠帶可以在切割步驟後，於可剝除粘著劑層粘著在晶片背面的狀態下，將晶片拾取，在固定於基板後，利用加熱達成硬化粘貼，亦即所謂的直接晶粒接合(direct die bonding)。經由使用此等膠帶，粘著劑之塗布程序即可省略。
然而，用於此等膠帶之可剝除貼合劑或粘著劑係低粘度之塗布液狀，對於膠帶基材呈低潤濕性。因此，有產率低劣的問題。而且，相較於既有晶粒接合用粘著劑或接合劑，上述貼合劑或粘著劑之粘結強度甚低，故甚難由上述貼合劑或粘著劑獲致可靠性。
在獲致貼合可靠性及提供切割性能之手段上，曾有人提議使用一種晶粒接合用粘著劑層與切割帶之積層體。然而，積層體型之膠帶含有粘著劑與切割帶間之剝離能力難以控制的問題。具有高度貼合可靠性之晶粒接合用粘著劑通常需在暫時固定於晶圓之後，實施加熱貼合，但是積層型膠帶會因此種加熱貼合而使切割帶與晶粒接合接著劑層間的剝離力增加的問題，從而導致切割後晶粒拾取失敗率之上升。
再者，亦有人提議將晶粒接合膠片事先加熱貼合於晶圓，然後在使用前將切割帶積層於已貼合於晶圓之晶粒接合粘著劑層上。同樣的，這種方式中，在晶圓沒有貼合晶粒接合膠片或切割帶之一面通常粘有研磨支持用表面保護膠帶。為了要將該表面保護帶之粘著力降低，以利該表面保護膠帶從晶圓剝離，通常需施以熱處理，其加熱溫度一般約40℃或更高，例如約60℃。與上述同樣的，此舉也會 使晶粒接合粘著劑層與切割帶間之剝離力提升。
本發明係關於一種在基材之一表面具有放射線硬化型可剝除粘著劑層之切割粘晶膠帶，其中，該放射線硬化型可剝除粘著劑層主要係由丙烯酸系共聚物所構成，該丙烯酸系共聚物在主鏈上分別具有至少放射線硬化型含碳-碳雙鍵之基、羥基及含羧基之基，且具有60%或更高之膠質百分比。
再者，本發明復關於一種在基材之一表面依序具有放射線硬化型可剝除粘著劑層及一晶粒接合粘著劑層之切割粘晶膠帶，其中，該放射線硬化型可剝除粘著劑層係以在主鏈上分別具有至少放射線硬化型含碳-碳雙鍵之基、羥基及含羧基之基，且具有60%或更高之膠質百分比。
至於本發明之其他更進一步特徵與優點將可由下文之陳述而更為清晰而完整。
(本發明之最佳實施型態)
根據本發明，可提供下列製品。
(1)一種切割粘晶膠帶，係在基材之一表面具有放射線硬化型可剝除粘著劑層之切割粘晶膠帶，其中，該放射線硬化型可剝除粘著劑層主要係由丙烯酸系共聚物所構成，該丙烯酸系共聚物在主鏈上分別具有至少放射線硬化型含碳-碳雙鍵之基、羥基及含羧基之基，且具有60%或更高之膠質百分比。
(2)一種切割粘晶膠帶，係在基材之一表面依序具有放射線硬化型可剝除粘著劑層及一晶粒接合粘著劑層之切割粘晶膠帶，其中，該放射線硬化型可剝除粘著劑層係以在主鏈上至少分別具有放射線硬化型含碳-碳雙鍵之基、羥基及含羧基之基，且具有60%或更高之膠質百分比。
(3)依據上述(1)或(2)項之切割粘晶膠帶，其中，放射線硬化型可剝除粘著劑層所含之碳-碳雙鍵之比例為0.5至2.0meq/g(毫當量/克)。
本文中，所謂「主要由構成」係指放射線硬化型可剝除粘著劑層中之可剝除粘著劑的主要成分，該粘著劑層包含可剝除貼著劑成分、硬化劑及聚合起始劑，且為分別具有含碳-碳雙鍵之基、羥基及含羧基之基的丙烯酸系共聚物。再者，本發明之膠帶中，質量60%或更高的放射線硬化型粘著劑層通常係由分別具有含碳-碳雙鍵之基、羥基及含羧基之基所構成。
再者，本文中，所謂「可剝除粘著劑」係指可供粘接且在例如硬化處理後予以去除之劑材，而所謂「粘著劑」係指僅可供粘貼之劑材。例如，「放射線硬化型可剝除粘著劑」係指在將該可剝除粘著劑施於晶圓後，經由以諸如紫外線等放射線照射使之硬化時，可予以去除或剝除之粘著劑。
以下詳細說明本發明
本案發明人為解決習知粘著劑或膠帶之上述問題而銳意研究之結果，發現，經由使用包含下述粘著劑或貼合 劑組成物之膠帶，即可維持充分的貼合可靠性，上述晶粒拾取之缺失不會發生，該粘著劑或貼合劑組成物主要係由在主鏈上至少分別具有放射線硬化型含碳-碳雙鍵之基、羥基及含羧基之基，且具有60%或更高之膠質百分比。此外，亦可依需要將晶粒接合粘著劑層與上述膠帶積層。本發明係基於此種發現而達成者。
本發明之切割粘晶膠帶，可經由在基材表面形成放射線硬化型可剝除粘著劑層而製得，其中，可剝除粘著劑層主要係由在主鏈上至少分別具有放射線硬化型含碳-碳雙鍵之基、羥基且含羧基之基的丙烯酸系共聚物所構成，且該粘著劑層具有60%或更高之膠質百分比。再者，除了放射線硬化型可剝除粘著劑層之外，基材表面亦可形成晶粒接合粘著劑層，且最好該放射線硬化型可剝除粘著劑層與晶粒接合粘著劑層係依序形成於基材表面。
丙烯酸系共聚物(下文中稱為「丙烯酸共聚物(A)」)在主鏈上至少分別具有放射線硬化型含碳-碳雙鍵之基、羥基及含羧基之基，本發明中可使用之共聚物為由任何方式製得之任何型態化合物。例如，使包括(甲基)丙烯酸酯、含羥基之不飽合化合物、含羧基之不飽合化合物等之丙烯酸共聚物(A1)與可對共聚物(A1)所具有之官能基產生附加反應之官能基及含碳-碳雙鍵之化合物(A2)產生附加反應而製得，其中，係以共聚物(A1)之碳鏈為主鏈。
至於(甲基)丙烯酸酯則包括例如分別具有6至12碳原子之丙烯酸已酯、丙烯酸正-辛酯、丙烯酸異辛酯、丙 烯酸2-乙基已酯、丙烯酸十二烷酯、丙烯酸癸酯、或具有5或5以下碳原子之單體，例如丙烯酸戊酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸乙酯及丙烯酸甲酯或甲基丙烯酸酯等。在此情形中，單體之碳原子數增加時，玻璃轉移溫度會降低，故可製得具有所期望之轉移溫度之單體。而且，除了玻璃轉移溫度外，為了提高相溶性及各種性能，亦可在5質量%以下的範圍內摻和例如乙酸乙烯酯、苯乙烯及丙烯腈等具有碳-碳雙鍵之低分子化合物。
含羥基之不飽合化合物包括例如丙烯酸2-羥基乙酯、甲基丙烯酸2-羥基乙酯、丙烯酸2-羥基丙酯、甲基丙烯酸2-羥基丙酯等等。
含羥基之不飽合化合物包括丙烯酸、甲基丙烯酸等。
具有附加反應官能基及碳-碳雙鍵之上述化合物(A2)之官能基，若共聚物(A1)之官能基為羧基或環酸酐基時，則包括羥基、環氧基、異氰酸基等；若該共聚物(A1)之官能基為羥基，則包括環酸酐基、異氰酸基等；若共聚物(A1)之官能基為胺基，則包括異氰酸基等。化合物(A2)之具體例包括丙烯酸、甲基丙烯酸、肉桂酸、衣康酸、反丁烯二酸、嚣酸、丙烯酸2-羥基烷酯、甲基丙烯酸2-羥基烷酯、單丙烯酸乙二酯、單甲基丙烯酸乙二酯、N-羥甲基丙醯胺、N-羥甲基甲基丙烯醯胺、稀丙酸、丙烯酸N-烷胺基乙酯、甲基丙烯酸N-烷胺基乙酯、丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺、順丁烯二酸酐、衣康酸酐、反丁稀二酸酐、嚣酸酐、丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、烯丙基縮水 甘油基醚及使用具有羧基或羥基與可光聚合型碳-碳雙鍵之單體，將其異氰酸基等施以部分尿烷基化之聚異氰酯化合物。
丙烯酸系共聚物(A)之合成中，以溶液聚合(solution polymerization)施行共聚時，可使用酮系、酯系、醇系或芳香族系溶劑作為有機溶劑。其中，較佳之溶劑係為一般的丙烯酸系聚合物用優良溶劑，且沸點在60至120℃者。該較佳之溶劑包括例如甲苯、乙酸乙酯、異丙醇、苯乙二醇單甲醚、乙二醇乙醚、丙酮、甲基乙基酮等。聚合起始劑則通常使用諸如α、α’-偶氮雙異丁腈等偶氮雙基系及諸如醯過氧化物等有機過氧化物系之自由基產生劑。此時，可視需要添加催化劑及聚合抑制劑，經由控制聚合溫度及聚合時間，然後對官能基實施附加反應，即可獲致具有所期望分子量之丙烯酸系共聚物(A)。至於分子量之控制，以使用硫醇系或四氯化氮系溶劑較佳。此外，該聚合作用並不限定於溶液聚合，亦可使用塊狀聚合、懸浮聚合等其他方法。
以上述方法，即可獲致丙烯酸系共聚物(A)。本發明中，丙烯酸系共聚物(A)之質量平均分子量以約300,000至約1,000,000為佳。如果，分子量太小，放射線照射所生之內聚力變少，在晶圓切割時容易發生元件(晶片)之偏移，且圖像難以辨識。為了盡量減少此種元件偏移，分子量以400,000以上為佳。如果分子量過大，則在合成及塗布時，有可能發生凝膠化作用。此外，在共聚物之特性 方向，由於玻璃轉移溫度甚低，即使分子量很大，可剝除粘著劑在作整體式放射線照射，而不是圖案狀照射時，照射後將粘著劑流動性不夠充分，故擴伸後之元件間隙亦不充分。此種情形，雖然不致於在晶片拾取時發生圖像辨識困難的問題，但分子量仍以900,000以下為佳。本文中，本發明所稱之分子量係指換算成聚苯乙烯之質量平均分子量。
其次，本發明中，丙烯酸系共聚物中之光聚合性碳-碳雙鍵之導入量以0.5~2.0meq/g為佳，更佳為0.8至1.5meq/g。雙鍵量太少時，放射線照射後之粘力減低效果變少，雙鍵量太多時，放射線照射後之粘著劑流動性不足，擴伸後之元件間隙不充分，在晶片拾取時可能會發生各元件圖像辨識困難的問題。而且，丙烯酸系共聚物(A)本身在穩定性上亦可能不足，且難以製造。
於本發明中，放射線硬化型可剝除粘著劑層之膠質百分比可藉由丙烯酸系共聚物(A)之平均分子量及硬化劑之摻合量來控制。該膠質百分比以60%以上為佳、80%以上更佳。如果膠質百分比太低，則粘著劑成分在接觸介面會略為移動，而使剝離力難以獲得經時穩定性。
而且，該丙烯酸系共聚物(A)在主鏈上具有未反應之羥基及含羧基之基。丙烯酸共聚物(A)以具有羥基值5~100之羥基較佳，羥基值20~70更加，因為可藉由放射線照射後之粘力減少，而進一步降低拾取錯誤之危險性。再者，丙烯酸系共聚物(A)以酸值0.5~30之羧基為佳， 因為可改善膠帶之復元性，而容易因應膠帶用畢即予收藏之機構，該酸值以1~10更佳。同時，如果丙烯酸系共聚物(A)之羥基值太低，則放射線照射後之粘力無法充分降低，若該羥基值太高，則可剝除粘著劑在放射線照射後之流動性會受損。而且，若酸值太低，則膠帶之復元性無法充分提高，如酸值太高，則可剝除粘著劑之流動性會受損。
再者，本發明所用之放射線硬化型可剝除粘著劑層在利用紫外線照射使其硬化時，可視需要使用光聚合起始劑作為添加成分，例如異丙基安息香醚、異丁基安息香醚、二苯甲酮、米契勒酮(4,4’-雙-(二甲基胺基)-二苯甲酮)、氯噻噸酮、十二烷基噻噸酮、二甲基噻噸酮、二乙基噻噸酮、基二甲基縮酮、α-羥基環已基苯基酮、2-羥基甲基苯基丙烷等。該聚合起始劑相對於100質量部丙烯酸系聚合物之摻入量以0.01至5質量部為佳。
再者，如有必要，該放射線硬化型可剝除粘著劑層可包含另一種添加成分，例如聚異氰酸化合物等硬化劑。該硬化劑之摻入量，以對100質量部作為主成分之丙烯酸系聚合物而言，其摻入0.5至10質量部為佳。
該放射線硬化型可剝除粘著劑層之厚度以5~50μm為佳。
本發明所用之基材可為任一種具放射線穿透性之材料所製成之膜片，該膜片之例子包括α-酚醛之均聚物或共聚物所製得者。
本發明所用之基材可為具有放射線穿透性之任一種 材料製膜片。該膜片例包括諸如聚乙烯、聚丙烯、乙烯/丙烯共聚物、聚丁稀、乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、乙烯/丙烯酸酯共聚物或離子鍵聚合物等之均聚物或共聚物；例如：聚乙烯苯二甲酸酯、聚羧酸酯，或聚(甲基丙烯酸甲酯)等工程塑膠；例如聚氨酯、苯乙烯/乙烯/丁稀，或戊烯系共聚物等熱塑性合成樹脂。亦可代之以選自上述各組群之兩種或兩種以上材料之混合基材。
該基材膜片之使用厚度以50~200μm為佳。
將依上述方式獲致之膠帶與晶粒接合粘著劑予以積層時，即可製得具有更高性能之晶圓粘貼膠帶。至於晶粒接合粘著劑，可以使用丙烯酸/環氧系晶粒接合粘著劑等製品。藉由將切割粘晶膠帶加熱貼合於半導體晶圓，即可獲致在切割時，晶圓晶粒接合粘著劑層，放射線硬化型可剝除粘著劑層及基材膜片不會互相剝離或移除的充足粘力。另一方面，在拾取晶粒時，可以經由放射線硬化而使可剝除粘著劑層從附著於晶粒接合粘著劑層之晶片上輕易剝離。
再者，本發明之膠帶在以附著於晶粒接合粘著劑膜之方式貼合於晶圓之晶粒接合粘著劑層側時，亦可呈現雷同的效果。
晶粒接合粘著劑層與放射線硬化型可剝除粘著劑層在切割時之剝離力以0.5至10N/25mm為佳，附著於晶粒接合粘著劑層之晶片與附著於可移除粘著劑層之膠帶在放射線照射後之剝離力以0.5至0.05N/25mm為佳。
於本發明之一較佳實施例中，放射線硬化型可剝除粘著劑層與晶粒接合粘著劑層係依序形成於基材之表面。本發明之晶粒接合粘著劑層，可使用例如主要由環氧樹脂構成之膜片狀貼合粘著劑等一般用於晶粒接合用之粘著劑。晶粒接合粘著劑層之厚度以5至50μm為宜。
本發明之切割粘晶膠帶具有充足的粘力，在晶圓切割時，放射線硬化型可剝除粘著膠層不會從晶粒接合粘著劑層及晶圓剝離；在晶粒拾取時，又可經由照射與硬化而使可剝除粘著劑層與附著於晶粒接合粘著劑層之晶片輕易分開；在固定晶片時，晶片與基板間具有充分的粘力，因而對所謂的「直接晶粒接合」極有助益。
而且，本發明之晶圓粘接用膠帶在晶圓切割時可用作切割帶，亦可在晶粒固定時輕易剝離，將接著劑層剝離使用，使得晶粒直接接合更為容易施行，而且晶圓粘貼膠帶在儲存穩定性方面極優異。再者，於晶粒接合片事先加熱貼合於晶圓，且切割帶在使用前，積層於已貼合在晶圓之晶粒接合粘著劑層時，本發明之切割粘晶膠帶很適於用作上述切割帶。此外，根據本發明之切割粘晶膠帶，元件間在擴伸後可以獲致充分的間隙，且可在照射硬化後獲得降低粘力之功效。
以下依實施例詳細說明本發明，但本發明並不受限於該等實施例。
【實施例】 實施例1至4
(丙烯酸系共聚物A之合成)
以丙烯酸丁酯65質量部，丙烯酸2-羥基已酯25質量部及丙烯酸10質量部作為原料實施溶液自由基聚合反應而製得共聚物。在該共聚物中滴入甲基丙烯酸2-異氰酸乙酯，使之反應，而獲得共聚物A。甲基丙烯酸2-異氰酸乙酯之滴入量及溶液自由基聚合作用之反應間係經適度調整，而分別製得共聚物A1至A5，其中，碳-碳雙鍵之量及分子量各不相同。
(切割粘晶膠帶之製備)
在上述共聚物A1至A5中加入聚異氰酸化合物(商標名：Coronet L，日本Polyurethane公司製品)作為硬化劑，加入α-hydroxy cyclohexyl phenyl ketone作為光聚合起始劑，並按表1所示比例混合，而分別獲得放射線硬化型可剝除粘著劑。
將各可剝除粘著劑塗布於高密度聚乙烯樹脂膜片(100μm)，使得乾燥後之可移除粘著劑厚度達10μm，而分別製得膠帶。將各該膠帶與主要由環氧樹脂構成，且厚度達25μm之膜片狀粘著劑(晶粒接合用)在室溫下積層，而分別製得如表1所示之實施例1至4及比較例1之各種切割粘晶膠帶。
(特性測試)
將以上述方式製成之切割粘晶膠帶，依下述方式測試其下列特性1至6，其結果亦揭示於表1。
1.膠質百分比
量稱取得大約0.05g的可剝除粘著劑層，在120℃溫度下，浸漬於50ml的xylene 24小時，然後將所得之xylene用200篩目的不銹鋼金屬網過濾，留於金屬網上之不溶解成分則在110℃溫度下施以乾燥120分鐘，然後，將已乾燥之不溶解成分量稱其質量，並利用下式估算其膠質百分比。
膠質百分比(%)=(不溶解成分之質量/所稱得之可剝除粘著劑層之質量)＊100
2.可剝除粘著劑之雙鍵量
利用真空暗處之加溴反應增加重量法，對經加熱乾燥之粘著劑約10g中所含之碳-碳雙鍵量，實施定量測定。
3.擴伸力(元件間隔)
將上述方法製得之切割粘晶膠帶在80℃溫度下，加熱貼合於晶圓10秒鐘，然後將直徑5吋之矽晶圓完全切割成3mm＊3mm大小，對該切割晶圓實施紫外線照射硬化(不作圖案照射，但作全面照射)。然後將所得晶圓置於晶圓擴伸機(空氣壓2.0kg/cm2)中實施擴伸，並在擴張後量測其縱向與橫向之元件間隔長度，而取得平均值。元件間隔長度包括切割時之切割刀厚度40μm。
根據元件間隔之大小(q)，以下述方式計算擴伸度
“○”：q≧100μm：元件之圖像辨識令人滿意
“△”：100μm≧q>0μm：元件之圖像辨識困難執行
“X”：q<80μm：元件之圖像辨識無法施行
4.拾取成功率
將以上述方法所得之晶圓粘貼膠帶在80℃溫度下加熱貼合10秒鐘，然後分割成10mm＊10mm，繼之，利用空冷型高壓水銀燈(80W/cm，照射距離10cm)對可剝除粘著劑層照射200mJ/cm2的紫外線，再用晶粒接合機(NEC機械公司製品，商標名：CPS-100FM)實施拾取測試，求得100片拾取晶片之拾取成功率。
5.剝離能力(剝離力)
根據JISZ0237(紫外線照射量：1000mJ/cm2)測量紫外線照射前與照射後之剝離力。將切割粘晶膠帶加熱貼合於已加熱至80℃溫度之矽晶圓之鏡面，以測定晶粒接合粘著劑層與膠帶間之剝離力。此項測定係在剝離角度90°及剝離速度50mm/min之條件下實施者。
6.儲存穩定性
將上述製得之切割粘晶膠帶在80℃溫度下加熱貼合於晶圓10秒鐘，然後切成10mm＊10mm。繼之，利用空冷型高壓水銀燈(80W/cm，照射距離：10cm)對可移除粘著劑層照射200mJ/cm2的紫外線。再將如此照射後之切割粘晶膠帶在室溫條件(25℃，60%RH)下放置兩星期，並以拾取成功率(%)評估及顯示儲存穩定性。
由表1可知，本發明實施例1至3在拾取成功率及儲存穩定性均為100%，擴伸度亦佳。再者，實施例4則顯示在擴伸時之元件間隔略差，但拾取成功率及儲存穩定性則均為100%。相對地，比較例1顯示出儲存穩定性顯著降低。
由上述結果可知，本發明切割粘晶膠帶在切割時可用作切割膠帶，在晶粒固定時，其粘著劑層很容易剝離使用，故可實現直接晶粒接合，而且，本發明晶圓粘貼膠帶之儲存穩定性極佳。
另一方面，依實施例1所示相同方式製備並測試一切割粘晶膠帶樣品，該樣品膠帶之放射線硬化型可剝除粘著劑層中所含之碳-碳雙鍵比例太低，約為0.3meq/g。結果，在此例中之拾取成功率僅25%，此時，紫外線照射前與照射後之剝離力分別為1.42N/25mm及0.4N/25mm。
實施例5
將相同於實施例1之可剝除粘著劑塗布於高密度聚乙烯樹脂膜片(厚度：100μm)上，使乾燥後之粘著劑厚度達10μm，而製得膠帶。另外，準備5吋直徑之矽晶圓，該晶圓上貼附有研磨用表面保護膠帶。對該晶圓之研磨表面，亦即未貼付保護膠帶之表面，在80℃溫度下將厚度25μm之膜狀粘著劑(晶粒接合用)加熱貼合10秒鐘。再將上述製得之膠帶貼附於已粘合於晶圓之(晶粒接合用)粘著劑層，然後，將如此製得之貼有膠帶之矽晶圓以60℃實施熱處理100秒鐘，俾從晶圓上剝除表面保護膠帶。
然後，該矽晶圓依相同於實施例1之方式完全切成3mm＊3mm大小，並照射紫外線使之硬化，且加以擴伸，再施以拾取測試。結果，顯示出和實施例1相同的優異擴伸性及拾取特性，而且發現膠帶之儲存穩定性亦佳。
由上述可知，當晶粒接合片預先加熱貼合於晶圓，然後將本發明之膠帶積層貼合於附在晶圓上之晶粒接合粘著劑層時，本發明之膠帶可以使用得很理想。
產業利用性
本發明之切割粘晶膠帶甚適用於例如矽晶圓等半導 體裝置製程中用於固定，切割晶圓及與基板或半導體晶片積層粘貼程序用之半導體粘貼膠帶。
本發明已依實施例說明如上，但並非意謂著本發明須受上述陳述細節之限制，本發明須按照附後申請專利範圍所述之技術精神及範圍作廣義的解釋。

Claims (2)

  1. 一種切割粘晶膠帶，其係於製造半導體裝置時用以將晶圓加以固定，然後進行切割而製造附有晶粒接合粘著劑層之半導體晶片，該切割粘晶膠帶係在基材之一表面依序具有放射線硬化型可剝除粘著劑層及晶粒接合粘著劑層，該放射線硬化型可剝除粘著劑層係以在主鏈上至少分別具有放射線硬化型含碳-碳雙鍵之基、羥基及含羧基之基之丙烯酸系共聚物為主成分，且具有60%或更高之膠質百分比，該晶粒接合粘著劑層藉由放射線照射而剝離該粘著劑層。
  2. 如申請專利範圍第1項之切割粘晶膠帶，其中，放射線硬化型可剝除粘著劑層所含之碳-碳雙鍵之比例為0.5至2.0meq/g。
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