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TWI382399B - 發聲裝置 - Google Patents

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TWI382399B
TWI382399B TW97151837A TW97151837A TWI382399B TW I382399 B TWI382399 B TW I382399B TW 97151837 A TW97151837 A TW 97151837A TW 97151837 A TW97151837 A TW 97151837A TW I382399 B TWI382399 B TW I382399B
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TW97151837A
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Liang Liu
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Beijing Funate Innovation Tech
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  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)

Description

發聲裝置
本發明涉及一種發聲裝置,尤其涉及一種基於奈米碳管之發聲裝置。
發聲裝置一般由訊號輸入裝置和發聲元件組成,通過訊號輸入裝置輸入訊號到該發聲元件,進而發出聲音。熱致發聲裝置為發聲裝置中之一種,其為基於熱聲效應之一種發聲裝置。
H.D.Arnold和I.B.Crandall於文獻“The thermophone as a precision source of sound”,Phys.Rev.10,p22-38(1917)中介紹了一種簡單之熱致發聲裝置,其採用一鉑片作發聲元件。由於發聲元件之發聲頻率與其單位面積熱容密切相關,單位面積熱容大,則發聲頻率範圍窄,聲波強度低;反之,單位面積熱容小,則發聲頻率範圍寬,聲波強度高。因此,欲獲得具有較寬之發聲頻率範圍及較高之聲波強度,則要求發聲元件之單位面積熱容愈小愈好。而具有較小熱容之金屬鉑片,受材料本身之限制,其厚度最小只能達0.7微米,且採用該鉑片作發聲元件之發聲裝置,其所產生之發聲頻率最高僅可達4千赫茲。
另,范守善等人公開了一種應用奈米碳管之發聲裝置,請參見文獻“Flexible,Stretchable,Transparent Carbon Nanotube Thin Film Loudspeakers”,范守善et al.,Nano Letters ,Vol.8(12),p4539-4545(2008)。請參見圖1,該發聲裝置10包括一基底12、一奈米碳管膜14、及兩個電極16。該奈米碳管膜14設置於該基底12上,該兩個電極16分別與該奈米碳管膜14電連接。由於該發聲裝置10採用奈米碳管膜14作為發聲元件,該奈米碳管膜14具有極大之比表面積及極小之單位面積熱容,故該發聲裝置10可發出人耳能夠聽到之聲音之強度,且具有極薄之厚度及較寬之發聲頻率範圍(100Hz~100kHz)。
然,由於該奈米碳管膜14與該基底12直接貼合,減小了奈米碳管膜14與週圍介質之接觸面積,且由奈米碳管膜14所產生而用以發聲之熱量大部分被基底12所吸收,降低了發聲裝置10之發聲效果;同時,由於該奈米碳管膜14係通過自有之黏性直接與該兩個電極16接觸,因此該奈米碳管膜14與該兩個電極16之電連接效果有待改善,進而用以提高整個發聲裝置10之發聲效果。
有鑒於此,實為必要提供一種有效提高發聲效果之奈米碳管發聲裝置。
一種發聲裝置,其包括:一基底;一第一電極和一第二電極,該第一電極和第二電極間隔設置於該基底;一發聲元件,該發聲元件為一奈米碳管結構,該奈米碳管結構與該第一電極及該第二電極電連接;其中,該發聲裝置進一步包括一導電黏結層,該導電黏結層設置於該第一電極和第二電極之表面,該發聲元件固定於該導電黏結層,且該導電黏結層滲入該發聲元件,該發聲元件相 對該基底懸空設置,且該發聲元件與該基底之間具有一距離。
與習知技術相比較,該發聲裝置通過將發聲元件固定於該導電黏結層中,從而可保證發聲元件與該第一電極和第二電極具有良好之電連接性;另,由於發聲元件與基底懸空設置,使其之間具有一距離,因此該發聲元件與週圍介質具有充分之熱交換,可將其內部產生用以發聲之熱量迅速傳導給週圍介質,故有效提升了該發聲裝置之發聲效果。
以下將結合附圖詳細說明本發明實施例提供之發聲裝置。
請參閱圖2,本發明第一實施例提供一種發聲裝置20,該發聲裝置20包括一基底21、一第一電極22、一第二電極23、一導電黏結層24、及一發聲元件25。
該第一電極22和第二電極23間隔設置於該基底21。該導電黏結層24設置於該第一電極22和該第二電極23之表面,該發聲元件25固定於該第一電極22之導電黏結層24和第二電極23之導電黏結層24,該導電黏結層24滲入該發聲元件25,且該發聲元件25通過該導電黏結層24與該第一電極22和第二電極23電連接。該發聲元件25相對該基底21懸空設置,且該發聲元件25與第一電極22、第二電極23、導電黏結層24、基底21共同形成一空間P,使該發聲元件25與基底21之間具有一距離,優選為,該距離小於等於10毫米,本實施例中,該距離為0.25毫米。
該基底21主要起承載該第一電極22與該第二電極23之作用,同時對該發聲元件25具有一定之保護作用。該基底21之形狀與大小不限,材料為絕緣材料或導電性差之材料,如玻璃、樹脂或陶瓷等。優選地,該基底21之材料應具有較好之絕熱性能,從而防止該發聲元件25產生之熱量過多被該基底21吸收,而導致無法加熱週圍介質達到發聲之目的。本實施例中,該基底21為一正方形之玻璃板,其邊長為17釐米,厚度為1毫米。
該第一電極22與第二電極23平行且間隔一定距離設置,該發聲裝置20通過該第一電極22和第二電極23與一外部電路電連接。該第一電極22與第二電極23可通過螺栓連接或黏結劑黏結等方式固定於基底21。另,該發聲裝置20進一步可包括至少兩個定位元件(圖未示)設置於基底21,用以限制該第一電極22與該第二電極23於基底21之一特定位置。該兩個定位元件可分別為形成於基底21之一凹槽,該第一電極22與該第二電極23則部分容置其中而達到定位之目的。
該第一電極22與第二電極23可為絲狀、層狀、棒狀、條狀、塊狀或其他形狀,其橫截面之形狀可為圓形、方形、梯形、三角形、多邊形或其他不規則形狀。該第一電極22與第二電極23材料可選擇為金屬、合金或銦錫氧化物(ITO)等,優選為金屬絲。本實施例中,該第一電極22與該第二電極23為不銹鋼絲,該不銹鋼絲之直徑為0.25毫米。
該第一電極22與第二電極23之高度會影響到該發聲元件 25與基底21之間之距離,該第一電極22與第二電極23之高度越大,則該發聲元件25與第一電極22、第二電極23、導電黏結層24及基底21所形成之空間P越大,使得該發聲元件25與空氣或其他外界介質具有充分之熱交換,進而可於一定程度上改善該發聲裝置20之發聲效果。同時,發聲元件25與基底21保持一定距離更有利於加快發聲元件25自身熱量之散發,另,也防止發聲元件25之熱量被基底21過多吸收,造成基底21損壞及影響發聲元件25之發聲效果。
該導電黏結層24之材料為導電漿料或導電膠,該導電漿料或導電膠之主要成份均包括金屬顆粒、黏結劑和溶劑等,該金屬顆粒可為金顆粒、銀顆粒或鋁顆粒等。本實施例中,該導電黏結層24之材料優選為銀導電漿料,即該導電漿料中之金屬顆粒為銀顆粒。該導電黏結層24係通過將該導電漿料塗覆於該第一電極22與第二電極23形成的。
該發聲元件25包括一奈米碳管結構,該奈米碳管結構包括至少一奈米碳管膜、複數奈米碳管線或一奈米碳管膜與奈米碳管線之複合結構。該奈米碳管結構之厚度(線狀結構時即為線狀結構之直徑)為0.5奈米~1毫米。該奈米碳管結構之單位面積熱容可小於2×10-4焦耳每平方釐米開爾文。優選地,該奈米碳管結構之單位面積熱容小於1.7×10-6焦耳每平方釐米開爾文。該奈米碳管結構中之奈米碳管包括單壁奈米碳管、雙壁奈米碳管及多壁奈米碳管中之一種或多種。該單壁奈米碳管之直徑為0.5奈 米~50奈米,該雙壁奈米碳管之直徑為1.0奈米~50奈米,該多壁奈米碳管之直徑為1.5奈米~50奈米。
另,還可進一步地使用有機溶劑對該鋪設於導電黏結劑層24之奈米碳管結構進行處理。具體地,該有機溶劑為揮發性有機溶劑,可選用乙醇、甲醇、丙酮、二氯乙烷或氯仿等,優選為乙醇。該使用有機溶劑處理之步驟可通過試管將有機溶劑滴落於奈米碳管結構,或將整個奈米碳管結構浸入盛有有機溶劑之容器中。經過處理後之奈米碳管結構無黏性,且具有良好之機械強度及韌性。
該奈米碳管膜通過拉取一奈米碳管陣列直接獲得,該奈米碳管膜包括複數沿同一方向擇優取向排列之奈米碳管,且該奈米碳管之間通過凡德瓦爾力首尾相連。
該奈米碳管結構除了由單個奈米碳管膜構成外,也可包括複數重疊設置之奈米碳管膜。由複數重疊設置之奈米碳管膜組成之奈米碳管結構相對由單個奈米碳管膜組成之奈米碳管結構具有更高之強度,因此,可確保該奈米碳管結構不被破壞或改變。由於單個奈米碳管膜之透光性佳,於本實施例中,為保持奈米碳管結構具有較好之透光性,該奈米碳管結構中之奈米碳管膜之個數小於等於4個。
另,當單個奈米碳管膜之寬度不能滿足實際應用之要求時,可將複數奈米碳管膜無間隙共面設置,形成一具有更大寬度之奈米碳管膜,以便於實際應用。
本實施例中,該作為發聲元件25之奈米碳管結構包括四 個重疊設置之奈米碳管膜,其中,相鄰兩個奈米碳管膜中奈米碳管之排列方向為垂直交叉設置,且其中至少一個奈米碳管膜中奈米碳管之排列方向垂直於第一電極22與第二電極23之排列方向。該奈米碳管結構之長度和寬度為15釐米,厚度為100奈米。由四個奈米碳管膜構成之奈米碳管結構可保持該發聲元件25具有較好之透光性。
該發聲元件25之工作介質不限,只需滿足其電阻率大於該發聲元件25之電阻率即可。該介質包括氣態介質或液態介質。該氣態介質可為空氣。該液態介質包括非電解質溶液、水及有機溶劑等中之一種或多種。該液態介質之電阻率大於0.01歐姆.米,優選地,該液態介質為純淨水。純淨水之電導率可達到1.5×107歐姆.米,且其比熱容也較大,可傳導出發聲元件25產生之熱量,從而可對發聲元件25進行散熱。
為使該發聲元件25部分嵌入到該導電黏結層24,當該導電黏結層24之材料如銀導電漿料塗覆於該第一電極22和該第二電極23且未發生固化時,將該發聲元件25鋪設於該銀導電漿料中。由於此時該銀導電漿料呈液態,且包括奈米碳管結構之發聲元件25中之複數奈米碳管之間存在間隙,因此該銀導電漿料浸入到該奈米碳管結構之間隙中,通過之後之固化過程,該銀導電漿料形成導電黏結層24,而發聲元件25之部分則嵌入到該導電黏結層24中。
該方法為保證該發聲元件25之部分浸入該導電黏結層24中,可進一步包括對已鋪設於銀導電漿料之奈米碳管結 構施加一壓力,如利用一吹風裝置對該奈米碳管結構吹風,產生之風壓使銀導電漿料充分浸入到該奈米碳管結構中,然後固化該銀導電漿料形成導電黏結層24,使該發聲元件25嵌入到該導電黏結層24。
該發聲裝置20之發聲元件25包括奈米碳管結構,該奈米碳管結構由均勻分佈之奈米碳管組成,該奈米碳管具有較大之比表面積,且該奈米碳管結構為層狀或線狀,因此,該奈米碳管結構具有較大之比表面積、較小之單位面積熱容和較大之散熱面積。於輸入訊號後,發聲元件25可迅速升降溫,產生週期性之溫度變化,並和週圍介質快速進行熱交換,使週圍介質之密度週期性地發生改變,進而發出聲音。故本實施例中,該發聲元件25之發聲原理為“電-熱-聲”之轉換。由於奈米碳管結構具有一定之透光性,故,該發聲裝置20為一透明發聲裝置。
本實施例提供之發聲裝置20之聲壓級大於每瓦50分貝,發聲頻率範圍為1赫茲至10萬赫茲(1Hz-100kHz)。該發聲裝置20於500赫茲至4萬赫茲頻率範圍內之失真度可小於3%。另,本實施例中之奈米碳管結構具有較好之韌性和機械強度,故奈米碳管結構可方便地製成各種形狀和尺寸之發聲裝置20,該發聲裝置20可方便地應用於各種可發聲之器件中,如音響、手機、MP3、MP4、電視、電腦等可發聲之器件中。
請參閱圖3及圖4,本發明第二實施例提供一種發聲裝置30。該發聲裝置30包括一基底31、複數第一電極32、複數第二電極33、一導電黏結層34、一發聲元件35、一第 一導電元件37及一第二導電元件38。
本實施例中,該基底31為一正方形之玻璃板,其邊長為17釐米,厚度為1毫米。
於本實施例中,該發聲裝置30包括四個第一電極32和四個第二電極33,該四個第一電極32與第二電極33相互平行且等間距交替設置於該基底31。該第一電極32與第二電極33為不銹鋼絲,該不銹鋼絲通過黏結劑設置於基底31。每個第一電極32與第二電極33之長度均為16釐米,直徑為0.25毫米。
該第一電極32與第二電極33之數量不限於本實施例。該第一電極32與第二電極33之數量及距離與該基底31之大小有關。該各個相鄰之第一電極32與第二電極33之間之距離可相等也可不相等。優選地,各個相鄰之第一電極32與第二電極33之間之距離相等。該距離優選為10微米~3釐米。於本實施例中,相鄰之第一電極32與第二電極33之間之距離為2釐米。
該導電黏結層34設置於該第一電極32和該第二電極33之至少一表面,本實施例中,該導電黏結層34為銀導電漿料。
該發聲元件35鋪設於該第一電極32之導電黏結層34和第二電極33之導電黏結層34。該發聲元件35相對該基底31懸空設置,並且該發聲元件35與第一電極32、第二電極33、導電黏結層34、基底31共同形成複數空間P′,該複數空間P′有利於發聲元件35發聲。
該發聲元件35之部分嵌入該導電黏結層34,且該發聲元件35通過該導電黏結層34與該第一電極32和第二電極33電連接,該發聲元件35與基底31之間之距離為0.25毫米,且不限於0.25毫米,也可大於0.25毫米或小於0.25毫米。該發聲元件35包括一奈米碳管結構,該奈米碳管結構包括四個重疊設置之奈米碳管膜,其中,相鄰兩個奈米碳管膜中奈米碳管之排列方向為垂直交叉設置,且其中至少一個奈米碳管膜中奈米碳管之排列方向垂直於第一電極32與第二電極33之排列方向。該奈米碳管結構之長度和寬度為15釐米,厚度為100奈米。
該第一導電元件37與該發聲裝置30之四個第一電極32連接,使四個第一電極32與該第一導電元件37電連接,該第二導電元件38與該發聲裝置30之四個第二電極33連接,使四個第二電極33與該第二導電元件38電連接。發聲裝置30通過該第一導電元件37和第二導電元件38與外部電路電連接。
請參閱圖5及圖6,本發明第三實施例提供一種發聲裝置40,該發聲裝置40包括一基底41、複數間隔體46、複數第一電極42、複數第二電極43、一導電黏結層44、一發聲元件45、一第一導電元件47及一第二導電元件48。
該間隔體46相互平行且間隔設置於該基底41,且該間隔體46於基底41之位置與該第一電極42和第二電極43之位置相對。該間隔體46分別通過黏結劑黏結或螺栓連接等方式固定於該基底41和該第一電極42及第二電極43之間。
該複數第一電極42和複數第二電極43通過該間隔體46設置於該基底41,該複數第一電極42和複數第二電極43相互平行且等間距交替設置於該基底41。
該導電黏結層44分別設置於該第一電極42和該第二電極43之至少一表面,該發聲元件45鋪設於該第一電極42之導電黏結層44和第二電極43之導電黏結層44。該發聲元件45相對該基底41懸空設置,並且該發聲元件45與第一電極42、第二電極43、導電黏結層44、基底41共同形成複數空間P′′,該發聲元件45之部分嵌入該導電黏結層44,且該發聲元件45通過該導電黏結層44與該第一電極42和第二電極43電連接。該發聲元件45與基底41之間之距離等於0.25毫米,且不限於0.25毫米,也可大於0.25毫米或小於0.25毫米。
本實施例中,該基底41、第一電極42、第二電極43、發聲元件45及導電黏結層44之材料、形狀及數量均與第三實施例相同。
該間隔體46之數量與第一電極42和第二電極43之總數相同,該間隔體46可為任意結構,該間隔體46與第一電極42和第二電極43之結構可相同,也可不同。該間隔體46之材料可為導電材料也可為絕緣材料,導電材料包括金屬、合金、導電漿料、導電膠或銦錫氧化物等,絕緣材料包括玻璃、樹脂或陶瓷等。本實施例中,該間隔體46之材料為玻璃。該間隔體46之高度不限,若該第一電極42和第二電極43之高度較小,設置該具有一定高度之間隔體46可進一步將該第一電極42和第二電極43墊高,從 而使該發聲元件45與基底41之間之距離變大,以確保該發聲元件45與基底41之間具有足夠之空間P′′,從而使發聲元件45與空氣或其他外界介質具有充分之熱交換,進而可於一定程度上改善該發聲裝置40之發聲效果。
與先前技術相比較,該發聲裝置通過將發聲元件固定於該導電黏結層中,從而可保證發聲元件與該第一電極和第二電極具有良好之電連接性;另,由於發聲元件與基底懸空設置,使其之間具有一距離,因此該發聲元件與週圍介質具有充分之熱交換,可將其內部產生用以發聲之熱量迅速傳導給週圍介質,故有效提升了該發聲裝置之發聲效果。
綜上所述,本發明確已符合發明專利之要件,遂依法提出專利申請。惟,以上所述者僅為本發明之較佳實施方式,自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化,皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。
20、30、40‧‧‧發聲裝置
21、31、41‧‧‧基底
22、32、42‧‧‧第一電極
23、33、43‧‧‧第二電極
24、34、44‧‧‧導電黏結層
25、35、45‧‧‧發聲元件
37、47‧‧‧第一導電元件
38、48‧‧‧第二導電元件
46‧‧‧間隔體
P、P’、P”‧‧‧空間
圖1係習知技術中一種發聲裝置之剖面圖。
圖2係本發明第一實施例提供之發聲裝置之剖面圖。
圖3係本發明第二實施例提供之發聲裝置之剖面圖。
圖4係本發明第二實施例提供之發聲裝置之俯視圖。
圖5係本發明第三實施例提供之發聲裝置之剖面圖。
圖6係本發明第三實施例提供之發聲裝置之俯視圖。
32‧‧‧第一電極
30‧‧‧發聲裝置
31‧‧‧基底
33‧‧‧第二電極
34‧‧‧導電黏結層
35‧‧‧發聲元件
p’‧‧‧空間

Claims (20)

  1. 一種發聲裝置,其包括:一基底;一第一電極和一第二電極,該第一電極和第二電極間隔設置於所述基底;一發聲元件,該發聲元件為一奈米碳管結構,該奈米碳管結構與所述第一電極及所述第二電極電連接;其改良在於,該發聲裝置進一步包括一導電黏結層,該導電黏結層設置於所述第一電極和所述第二電極之表面,所述發聲元件固定於該導電黏結層,且該導電黏結層滲入該發聲元件,該發聲元件相對該基底懸空設置,且該發聲元件與該基底之間具有一距離。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發聲裝置,其中,所述發聲元件與所述基底之間之距離小於等於10毫米。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發聲裝置,其中,所述發聲裝置包括複數第一電極及複數第二電極,該複數第一電極與該複數第二電極交替間隔設置。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之發聲裝置,其中,該發聲裝置進一步包括一第一導電元件及一第二導電元件,該第一導電元件與該複數第一電極電連接,該第二導電元件與該複數第二電極電連接。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之發聲裝置,其中,該複數第一電極及複數第二電極相互平行。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之發聲裝置,其中,所述每個相鄰之第一電極和第二電極之間之距離相等。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之發聲裝置,其中,該相鄰之第一電極和第二電極之間之距離為10微米至3釐米。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之發聲裝置,其中,所述第一電極和所述第二電極之形狀分別為絲狀、層狀、棒狀、條狀或塊狀。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之發聲裝置,其中,所述第一電極與所述第二電極橫截面之形狀分別為圓型、方型、梯形、三角形、多邊形或不規則形狀。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之發聲裝置,其中,該第一電極與第二電極之材料分別為金屬、合金或銦錫氧化物。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之發聲裝置,其中,該第一電極與第二電極分別為金屬絲。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之發聲裝置,其中,該金屬絲之直徑小於等於10毫米。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之發聲裝置,其中,該導電黏結層滲入該奈米碳管結構之兩側。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之發聲裝置,其中,該導電黏結層之材料為導電漿料或導電膠。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之發聲裝置,其中,該導電漿料或導電膠之成份包括金屬顆粒、黏結劑和溶劑。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之發聲裝置,其中,該奈米碳管結構包括至少一奈米碳管膜、複數奈米碳管線或一奈米碳管膜與奈米碳管線之複合結構。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之發聲裝置,其中,該發聲裝置進一步包括至少兩個間隔體,該至少兩個間隔體與該第一電極及該第二電極一一對應且設置於該基底與該第一電 極及第二電極之間。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之發聲裝置,其中,該間隔體之材料為絕緣材料。
  19. 如申請專利範圍第1項所述之發聲裝置,其中,該發聲裝置進一步包括至少兩個定位元件,該至少兩個定位元件設置於該基底,分別限制該第一電極與該第二電極於該基底之位置。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之發聲裝置,其中,所述至少兩個定位元件為形成於所述基底之凹槽。
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