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TWI382250B - Optical film and image display device - Google Patents

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TWI382250B
TWI382250B TW97112819A TW97112819A TWI382250B TW I382250 B TWI382250 B TW I382250B TW 97112819 A TW97112819 A TW 97112819A TW 97112819 A TW97112819 A TW 97112819A TW I382250 B TWI382250 B TW I382250B
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film
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TW97112819A
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飯田敏行
大森裕
黑木美由紀
Original Assignee
日東電工股份有限公司
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Description

光學薄膜及圖像顯示裝置 發明領域
本發明係關於一種相位差值顯示越到短波長側越小的波長色散之光學薄膜，以及具備該光學薄膜之圖像顯示裝置。
 發明背景
相位差板是為了實現例如，液晶顯示裝置之廣視角化時所利用的光學薄膜。相位差板之相位差值取決於波長，該相位差值之波長色散大致可區分成以下的3個種類。第1種是，相位差值顯示越到短波長側越大的波長色散(以下稱為「正分散」)之相位差板；第2種是，相位差值顯示從短波長測到長波長側的範圍都不會改變的波長色散(以下稱「平坦色散」)之相位差板；第3種是，相位差值顯示越到短波長側越小的波長色散(以下稱「逆色散」)之相位差板。
在上述3個種類當中，以顯示逆色散的相位差板為佳。這是因為顯示逆色散的相位差板在廣波長帶域中具有預定的相位差之故。
然而，通常由樹脂薄膜形成之相位差板大多顯示正色散。
由具有茀(Fluorene)骨架之聚碳酸酯的延伸薄膜所形成之相位差板是習知的(專利文獻1)。
該相位差板係透過延伸處理而展現相位差。然而，因 為上述具有茀骨架之聚碳酸酯有非常高的玻璃轉移點，所以必須將延伸溫度設定在極高的溫度。
另一方面，含有聚醯亞胺的相位差板已知可以藉由將含有聚醯亞胺的溶液塗布在基板上的方式來形成，並顯示預定的相位差值(專利文獻2)。如果利用塗布方式來形成就可以獲得比較薄的相位差板。然而，含有聚醯亞胺的相位差板通常會顯示正色散(亦即，不會變成逆色散)。
【專利文獻1】日本專利申請公開2002-221622號公報
【專利文獻2】日本專利申請公表2000-511296號公報
 發明概要
本發明之目的在於提供一種波長色散顯示逆色散，而且，也可以做得比較薄之光學薄膜，以及應用該光學薄膜的圖像顯示裝置。
本發明提供一種含有以下述一般式(I)表示之聚醯亞胺系聚合物的光學薄膜。
惟，式(I)中，m為40莫耳%以上100莫耳%以下(m+n≦100莫耳%)。A、A'、B及B'各自代表取代基，a及a'表示對應於A及A'之取代數(0到4的整數)，b及b'表示對應於B及B'之取代數(0到3的整數)。A、A'、B及B'各自獨立，表示鹵 素或碳數1~4的烷基，複數的情形是各自相同或互異。R1 及R2 各自獨立，表示具有碳-碳雙鍵或三鍵的取代基。X及Y各自獨立，表示共價鍵或，選自於由CH2 基、C(CH3 )2 基、C(CZ3 )2 基(Z為鹵素)、CO基、O原子、S原子、SO2 基、Si(CH2 CH3 )2 基、及N(CH3 )基所組成之群的原子或基團。E為取代基，e表示其取代數(0到3的整數)。E表示選自於由鹵素、碳數1~3的烷基、碳數1~3的鹵化烷基、苯基、及取代苯基所組成之群之原子或基圍，複數的情形是各自相同或互異。G及H為取代基，g表示G的取代數(0到4的整數)，h表示H的取代數(0到4的整數)。G及H各自獨立，表示選自於由鹵素、烷基、取代烷基、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、芳基、取代芳基、烷基酯基、及取代烷基酯基所組成之群之原子或基團，複數的情形是各自相同或互異。q1表示0~3的整數，q2表示1~3的整數。
以上述式(I)表示的聚醯亞胺聚合物，其二乙炔茀(diethynylfluorene)骨架的共軛系統會因為具有鍵結在其乙炔基上之碳-碳雙鍵或三鍵的取代基(R1 及R2 )而擴大範圍。此外，該聚醯亞胺系聚合物含有40莫耳%以上之具有二乙炔茀骨架的重複單位。含有該聚醯亞胺系聚合物的光學薄膜顯示逆色散。
該逆色散的光學薄膜在例如，廣波長帶中具有所需的相位差(λ/2和λ/4等)。因此，本發明之光學薄膜在各波長的偏光形態大致相同，適合於應用做為例如，圖像顯示裝置之相位差板。
此外，上述聚醯亞胺系聚合物可以做成溶液狀並利用塗布方式製膜，因此也可以形成比較薄的光學薄膜。
上述以R1 及R2 表示之具有碳-碳雙鍵或三鍵的取代基可以舉例如，取代或無取代之芳基，取代或無取代之乙烯基，或者取代或無取代之乙炔基。
另外，本發明提供一種含有以下述一般式(I')表示之聚醯亞胺系聚合物的光學薄膜。
惟，式(I')中，m為70莫耳%以上100莫耳%以下(m+n≦100莫耳%)。式(I')中，R3 及R4 各自獨立，表示碳數1~10的烷基，或CR6 R7 (OH)(R6 及R7 分別為碳數1~4的烷基)。式(I')中，Aa、A'a'、Bb、B'b'、X、Y、Gg、Hh、q1、q2及Ee和上述式(I)相同。
以上述式(I')表示之聚醯亞胺系聚合物，鍵結在二乙炔茀骨架的乙炔基上之R3 及R4 並不是共軛系取代基。因此，和上述式(I)的聚醯亞胺系聚合物相比，在側鏈的共軛系擴張的範圍小。但是，以式(I')表示的聚醯亞胺系聚合物含有較多之具有二乙炔茀骨架的重複單位(m在70莫耳%以上)。因此，含有以式(I')表示之聚醯亞胺系聚合物的光學薄膜會顯示逆色散。
以該式(I')表示之聚醯亞胺系聚合物也同樣可以做成 溶液狀並利用塗布方式來製膜，故亦可形成比較薄的光學薄膜。
本發明之合適的光學薄膜顯示Rth(450)/Rth(550)≦0.98。
本發明之合適的光學薄膜顯示Rth(650)/Rth(550)≧1.02。
本發明之合適的光學薄膜係由將上述聚醯亞胺系聚合物塗布在基材上而獲得之塗覆膜所構成。
本發明之合適的光學薄膜厚度在20μm以下。
本發明之合適的光學薄膜係滿足折射率橢圓球(Index Ellipsoid)為nx≒ny>nz的關係。
本發明之合適的光學薄膜係滿足折射率橢圓球nx>ny>nz的關係。
此外，本發明提供一種具有上述光學薄膜的圖像顯示裝置，合適者為具有上述光學薄膜之液晶顯示裝置。
本發明之具有光學薄膜的圖像顯示裝置視角特性優良，而且，既薄型又輕量。
圖式簡單說明
【第1圖】實施例1~2及比較例1的波長色散示意圖。
【第2圖】實施例3~4及比較例2之波長色散示意圖。
 用以實施發明之最佳態樣
本說明書主要的用語，意義如下。
「nx」表示在薄膜面內折射率最大的方向(X軸方向)的 折射率，「ny」表示在同面內對X軸方向形成直交的方向(Y軸方向)的折射率，「nz」表示和X軸及Y軸方向形成直交的方向(厚度方向)的折射率。而，nx≧ny。
「Δnxz」表示在23℃下，波長λ(nm)中之薄膜厚度方向的雙折射率。Δnxz可以利用Δnxz=nx-nz來求得。
「面內的相位差值(Re(λ))」意指，在23℃下，波長λ(nm)中之薄膜的面內的相位差值。Re(λ)在薄膜的厚度為d(nm)時，可以根據Re(λ)=(nx-ny)×d來求得。
「厚度方向的相位差值(Rth(λ))」意指，在23℃下，波長λ(nm)中之薄膜厚度方向的相位差值。Rth(λ)在薄膜的厚度為d(nm)時，可以根據Rth(λ)=(nx-nz)×d來求得。
「聚合物」包含聚合度(該聚合物含有複數個重複單位時，各單位之合計的聚合度)在20以上的高聚合物，此外，包含聚合度在2以上不滿20之低聚合物(亦稱為低聚物(oligomer))。
本發明人等發現，將一般式(I)或一般式(I')所表示之聚醯亞胺系聚合物予以製膜而得之薄膜，在波長450~750nm的可見光區域中之相位差值的波長色散可以形成逆色散。本發明主要是利用上述聚合物的性質來提供顯示逆色散之光學薄膜(亦即，相位差值越到短波長側越小的光學薄膜)。
惟，式(I)中，m為40莫耳%以上100莫耳%以下(m+n≦100莫耳%)。A、A'、B及B'分別表示取代基，a及a'表示對應的A及A'之取代數(0~4的整數)，b及b'表示對應的B及B'之取代數(0~3的整數)。A、A'、B及B'各自獨立，表示鹵素或碳數1~4的烷基，複數的情形是各自相同或互異。R1 及R2 各自獨立，表示具有碳-碳雙鍵或三鍵的取代基。X及Y各自獨立，表示共價鍵，或者，選自於由CH2 基、C(CH3 )2 基、C(CZ3 )2 基(Z為鹵素)、CO基、O原子、S原子、SO2 基、Si(CH2 CH3 )2 基、及N(CH3 )基所組成之群之原子或基團。E表示選自於由鹵素、碳數1~3的烷基、碳數1~3的鹵化烷基、苯基及取代苯基所組成之群之原子或基團，複數的情形是各自相同或互異。G及H為取代基，g表示G的取代數(0~4的整數)，h表示H的取代數(0~4的整數)。G及H各自獨立，表示選自於由鹵素、烷基、取代烷基、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、芳基、取代芳基、烷基酯基、及取代基酯基所組成之群之原子或基團，複數的情形是各自相同或互異。q1表示0~3的整數，q2表示1~3的整數。
惟，式(I')中，m為70莫耳%以上100莫耳%以下(m+n≦100莫耳%)。另外，式(I')中，R3 及R4 各自獨立，表示碳數1~10的烷基，或CR6 R7 (OH)(R6 及R7 分別為碳數1~4的烷 基)。式(I')中，Aa、A'a'、Bb、B'b'、X、Y、Gg、Hh、q1、q2及Ee和式(I)相同。
將習知之聚醯亞胺系聚合物製膜而得的薄膜，已知是顯示正色散。
就這點來說，以上述式(I)表示之聚醯亞胺系聚合物具有二乙炔茀骨架做為側鏈。該二乙炔茀骨架是茀骨架之共軛系利用乙炔基的共軛三鍵延伸出來的。此外，前述二乙炔茀骨架的共軛系是利用具有鍵結在前述炔基的碳-碳雙鍵或三鍵之取代基(R1 及R2 )而擴大範圍。而，以上述式(I)表示之聚醯亞胺系聚合物配向成二乙炔茀骨架(側鏈)對主鏈的延伸方向呈略直交狀。因為配向成這樣的二乙炔茀骨架(側鏈)構成大色散成分，所以含有式(I)之聚醯亞胺系聚合物的光學薄膜會顯示逆色散。而且，式(I)之聚醯亞胺系聚合物即使其具有二乙炔茀骨架的重複單位導入量比較少(m在40莫耳%以上)，依然可以形成顯示逆色散的光學薄膜。
上述式(I)之R1 及R2 是選自於由，例如，取代或無取代之芳基、取代或無取代之乙烯基、及取代或無取代之乙炔基所組成的群。從可以使二乙炔茀之共軛系更擴大的觀點來看，式(I)之R1 及R2 以取代或無取代之芳基(以具有1個～3個芳香環的芳基為佳)，或者是具有芳基做為取代基之乙烯基為佳，較佳的是取代或無取代芳基(以具有1個或2個芳香環的芳基為佳)。
另一方面，上述式(I')之R3 及R4 並不是共軛系取代基。因此，式(I')之聚醯亞胺系聚合物和上述式(I)之聚醯亞胺系 聚合物相比，在側鏈之共軛系的擴展比較小。因此，式(I')之聚醯亞胺系聚合物雖然聚合物全體中所占的二乙炔茀骨架之共軛系的作用小，但是式(I')之聚醯亞胺系聚合物中具有二乙炔茀骨架的重複單位的導入量比較多(m在70莫耳光以上)。因此，含有式(I')之聚醯亞胺系聚合物的光學薄膜會顯示逆色散。
在以上述式(I)表示的聚醯亞胺系聚合物當中，較佳的是以下述式(II)表示的聚醯亞胺系聚合物。而，以上述式(I')表示的聚醯亞胺系聚合物當中，較佳的是以下述式(II')表示的聚醯亞胺系聚合物。
式(II)或式(II')之聚醯亞胺系聚合物，二乙炔基的共軛系(從茀骨架分別在兩側延伸出之乙炔基的共軛系)對主鏈的延伸方向形成略直交狀，而且在大範圍地出現在主鏈的兩側。因此，式(II)或式(II')之聚醯亞胺系聚合物適合於做為顯示逆色散之光學薄膜的形成材料。
式(II)及式(II')中，R8 ~R11 各自獨立，表示氫或碳數1 ~4的烷基(以甲基為佳)。式(II)及式(II')中，X、Y、Gg、Hh、q1、q2及Ee與式(I)相同。而且，式(II)中，R1 及R2 與式(I)相同。式(II')中，R3 及R4 與式(I)相同。
合適的是，式(II)及式(II')中之R8 及R9 至少有一個是甲基，而且R10 及R11 至少有一個是甲基。相關的聚醯亞胺系聚合物透明性優良，而且溶劑溶解性良好。
上述式(I)及式(II)之m(具有二乙炔茀骨架之重複單位的導入量)為聚合物全體的40莫耳%以上，以50莫耳%以上為佳。而且，式(I)及式(II)之m在100莫耳%以下。以式(I)或式(II)表示之聚醯亞胺系聚合物，具有二乙炔茀骨架的重複單位之導入量越多，越可以形成顯示急峻的逆色散之光學薄膜。
而，式(I)及式(II)之n在30莫耳%以下，以25莫耳%以下為佳。而且，n在0莫耳%以上。
此外，上述式(I)及式(II)中之以下述式(a)表示的構成單位較佳者是以下述式(b)表示的構成單位。具有式(b)之構成單位的聚醯亞胺系聚合物有優良的透明性。
【化８】
式(b)中，E和式(I)相同，以氯等之鹵素為佳。
此外，上述式(I)及式(I')中之以下述式(c)表示的構成單位較佳者是以下述式(d)表示的構成單位。
式(d)中，G及H與式(I)相同，以鹵化烷基(CF3 等)等之取代烷基為佳。
以上述式(I)表示竹醯亞胺系聚合物當中，較佳的是以下述一般式(III)表示之聚醯亞胺系聚合物。而，以上述式(I')表示之聚醯亞胺系聚合物當中，較佳的是以下述一般式(III')表示的聚醯亞胺系聚合物。
【化11】
式(III)中，R1 、R2 、E、G及H和式(I)相同，R8 ~R11 和式(II)相同。
式(III')中，R3 、R4 、E、G及H和式(I')相同，R8 ~R11 和式(II')相同。
本發明之聚醯亞胺系聚合物有預定量之具有上述二乙炔茀骨架的重複單位(在式(I)是40莫耳%以上，在式(I')是70莫耳%以上)。本發明之聚醯亞胺系聚合物除了該重複單位以外，也可以有其他的重複單位。該其他的重複單位可以舉例如，以下述式(e)表示之重複單位等。
式(e)中，R12 及R13 各自獨立，為選自於由氫、鹵素、苯基、取代苯基、烷基及取代烷基所組成之群之原子或基團。其中又以R12 及R13 各自獨立，為鹵化烷基者為佳。
本發明之聚醯亞胺系聚合物的重量平均分子量(Mw)雖無特殊限制，惟以1,000~1,000,000為佳，較佳為2,000~500,000。該分子量的聚醯亞胺系聚合物溶劑溶解性良好，而且，不易因伸縮或扭曲等而導致裂痕的產生，而且可以形成具有足夠強度的光學薄膜。
而，本發明之聚醯亞胺系聚合物的玻璃轉移溫度可以透過調整式(I)或式(I')之側鏈及主鏈的種類、各重複單位的導入量等，藉以適當地設定。聚醯亞胺系聚合物之玻璃轉移溫度在100℃以上，以130℃以上為佳。將該玻璃轉移溫度之聚醯亞胺系聚合物加以製膜而成之薄膜具有足夠的耐熱性。再者，玻璃轉移溫度可以利用準據JIS K 7121(1987)的DSC法來求得。
以上述式(I)表示之聚醯亞胺系聚合物可以透過在聚醯亞胺中導入預定量之以下述一般式(f)所表示的二乙炔茀的方式而獲得。以上述式(I')表示之聚醯亞胺系聚合物可以透過在聚醯亞胺中導入預定量之以下述一般式(f')所表示之二乙炔茀的方式而獲得。
另外，以上述式(II)表示之聚醯亞胺系聚合物可以透過在聚醯亞胺中導入預定量之以下述一般式(g)所表示的二乙炔茀的方式而獲得。以上述式(II')表示之聚醯亞胺系聚合物可以透過在聚醯亞胺中導入預定量之以下述一般式(g')所表示之二乙炔茀的方式而獲得。
【式14】
惟，式(f)及式(f')中，D及D'各自獨立，表示OH基、NHR基(該R表示氫或碳數1~4的烷基)、COOH基或NCO基。式(f)之R1 、R2 、Aa、A'a'、Bb及B'b'和式(I)相同。式(f')之R3 、R4 、Aa、A'a'、Bb及B'b'和式(I')相同。
惟，式(g)及式(g')中，D及D'各自獨立，表示OH基、NHR基(該R表示氫或碳數1~4的烷基)、COOH基或NCO基。式(g)之R1 、R2 、Aa、A'a'、Bb及B'b'和式(II)相同。式(g')之R3 、R4 、Aa、A'a'、Bb及B'b'和式(II')相同。)
上述式(f)等之D及D'為鍵結基(linkage group)，從例如，與酸反應可以容易地形成亞胺鍵結的觀點來看，以NH2 基為佳。
二乙炔茀可以舉例如，具有烷基乙炔基之茀；具有苯乙炔基(phenyl ethynyl)、聯苯乙炔基(biphenyl ethynyl)、萘乙炔基(naphthyl ethynyl)、蒽乙炔基(anthryl ethynyl)、菲乙炔基(phenanthrenyl ethynyl)等之芳乙炔基的茀；具有乙烯乙炔(vinyl ethynyl)的茀等。
具有烷基乙炔基的茀之具體例可以舉例如，9,9-雙(4-氨基苯基)-2,7-二己基乙炔基茀(9,9-bis(4-aminophenyl)-2,7-dihexylethynyl fluorene)，9,9-雙(4-氨基苯基)-2,7-二戊基乙炔基茀，9,9-雙(4-氨基苯基)-2,7-二庚基乙炔基茀等。
具有芳乙炔基之茀的具體例可以舉例如，9,9-雙(4-氨基苯基)-2,7-雙(苯乙炔基)茀(9,9-bis(4-aminophenyl)-2,7-bis(phenylethynyl)fluorene)等。
其他的二乙炔基茀可以舉例如，9,9-雙(3-甲基-4-氨基苯基)-2,7-雙(2-羥基-2-甲基-3-丁炔基)茀(9,9-bis(3-methyl-4-aminophenyl)-2,7-bis(2-hydroxy-2-methyl-3-butynyl)fluorene)等。
上述各二乙炔茀可以透過例如以下的方法來製造。
使2,7-二溴茀(2,7-dibromofluorene)在酸觸媒下與苯胺(Aniline)反應。使該反應中間體在鈀(0)觸媒下與乙炔化合物反應，藉而可以獲得具有氨基的二乙炔茀(下述反應式(A))。
另外，透過將上述苯胺衍生物代之以酚衍生物，可以獲得具有羥基之二乙炔茀(下述反應式(B))。
再者，如果分別將反應式(A)及(B)之R1 置換成R3 ，並且將R2 置換成R4 ，就可以獲得以式(f')及式(g')表示之二乙炔茀。
上述聚醯亞胺系聚合物可以藉由使，例如，上述二乙炔茀、雙酐及雙胺反應而獲得。具體而言，是令二乙炔茀、雙酐及雙胺以預定的莫耳比，邊溶解於適當的溶劑邊予以混合後，在室溫攪拌預定時間而生成聚亞醯胺酸(Polyamic acid)。接著，添加醋酸酐及吡啶(pyridine)，依需要予以加熱，邊攪拌以使聚醯胺酸進行醯亞胺化。在室溫冷卻所獲得之聚醯亞胺，以適當的溶劑加以精製。將精製物洗淨乾燥，可以獲得本發明之聚醯亞胺聚合物。
雙酐可以舉例如，芳香族四甲酸二酐。芳香族四甲酸二酐可以舉例如，均苯四甲酸二酐(pyromellitic dianhydride)、二苯酮四酸二酐(benzophenone tetracarbonic dianhydride)、萘四甲酸二酐、雜環式芳香族四甲酸二酐、2,2'-取代聯苯四甲酸二酐等。均苯四甲酸二酐可以舉例如，均苯四甲酸二酐、3,6-二苯基均苯四甲酸二酐、3,6-雙(三氟甲基)均苯四甲酸二酐、3,6-二溴均苯四甲酸二酐、3,6-二氯均苯四甲酸二酐等。前述二苯酮四酸二酐可以舉例如，3,3',4,4'-二苯酮四酸二酐、2,3,3',4'-二苯酮四酸二酐、2,2',3,3'-二苯酮四酸二酐等。前述萘四甲酸二酐可以舉例如，2,3,6,7-萘-四酸二酐、1,2,5,6-萘-四酸二酐、2,6-二氯-萘-1,4,5,8-四酸二酐等。前述雜環式芳香族四酸二酐可以舉例如，噻吩-2,3,4,5-四酸二酐、吡嗪-2,3,5,6-四酸二酐、吡啶-2,3,5,6-四酸二酐等。前述2,2'-取代聯苯四甲酸二酐可以舉例如，2,2'-二溴-4,4',5,5'-聯苯四甲酸二酐、2,2'-二氯-4,4',5,5'-聯苯四甲酸二酐、2,2'-雙(三氟甲基)-4,4',5,5'-聯苯四甲酸二酐等。
另外，芳香族甲酸二酐之其他例可以舉出者有例如，3,3'4,4'-聯苯四甲二酐、雙(2,3-苯二甲酸酐)甲烷(bis(2,3-dicarboxyphenyl)methane dianhydride)、2,2-雙(3,4- 苯二甲酸酐)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、4,4'-雙(3,4-苯二甲酸酐)-2,2-二苯基丙烷、雙(3,4-苯二甲酸酐)醚(bis(3,4-dicarboxyphenyl)ether dianhydride)、4,4'-氧代雙鄰苯二甲酸酐(4,4'-oxydiphthalic acid dianhydride)、雙(3,4-苯二甲酸酐)磺酸(bis(3,3-dicarboxyphenyl)sulfonic acid dianhydride)、二苯碸-3,3',4,4'-四羧酸二酐(diphenyl sulfone-3,3'4,4'-tetracarboxylic dianhydride)、4,4'-[4,4'-異丙烯基-二(p-亞苯氧基)]雙(鄰苯二甲酸酐)(4,4'-[4,4'-isopropylidene-di(p-phenyleneoxy)]bis(phthalic anhydride)、N,N-(3,4-苯二甲酸酐)-N-甲胺(N,N-(3,4-dicarboxyphenyl)-N-methylamine dianhydride)、雙-(3,4-苯二甲酸酐)二乙基矽烷bis(3,4-dicarboxyphenyl)dimethylsilane dianhydride)等。
其中又以前述芳香族四甲酸二酐以取代的聯苯四甲酸二酐為佳，較佳為1,1'-二氯-3,3',3,3'-苯四甲酸二酐。
前述二胺可舉例如芳香族二胺。芳香族二胺可以舉例如，苯二胺(benzene diamine)、二氨基苯甲酮(diaminobenzo-phenone)、萘二胺(naphthalene diamine)雜環式芳香族二胺等。
苯二胺可以舉例如，o-, m-及p-苯二胺、2,4-二氨基甲苯(2,4-diaminotoluene)、1,4-二氨基-2-甲氧基苯(1,4-diamino-2-methoxybenzene)、1,4-二氨基-2-苯基苯、1,3-二氨基-4-氯苯等。二氨基苯甲粡可以舉例如，2,2'-二氨基苯甲酮、3,3'-二氨基苯甲酮等。萘二胺可以舉例如，1,8-二氨基萘、1,5-二氨基萘等。雜環式芳香族二胺可以舉例如，2,6-二氨 基吡啶、2,4-二氨基吡啶、2,4-二氨基-S-三嗪(2,4-diamino-S-triazine)等。
另外，芳香族二胺之其他例可以舉出者有，4,4'-二氨基聯苯、4,4'-二氨基二苯基甲烷(4,4'-diaminodiphenyl methane)、4,4'-(9-亞茀基)-二苯胺(4,4'-(9-fluorenylidene)-dianiline)、2,2'-雙(三氟甲基)-4,4'-二氨基聯苯、3,3'-二氯-4,4'-二氨基二苯基甲烷、2,2'-二氯-4,4'-二氨基聯苯、2,2',5,5'-四氯二苯胺(2,2',5,5'-Tetrachlorobenzidine)、2,2'-雙(4-氨基苯氧基苯基)丙烷(2,2'-bis(4-aminophenoxy-phenyl)propane)、2,2'-雙(4-氨基苯基)丙烷、2,2'-雙(4-氨基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、4,4'-二氨基二苯醚、3,4'-二氨基二苯醚、1,3-雙(3-氨基苯氧基)苯、1,3-雙(4-氨基苯氧基)苯、1,4-雙(4-氨基苯氧基)苯、4,4'-雙(4-氨基苯氧基)聯苯、4,4'-雙(3-氨基苯氧基)聯苯、2,2-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷、2,2-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、4,4'-二氨基二苯硫醚、4,4'-二氨基二苯碸等。
其等當中，二胺又以2,2'-雙(三氟甲基)-4,4'-二氨基聯苯等為佳。
本發明之光學薄膜可以透過將含有聚醯亞胺系聚合物的形成材料予以製膜而獲得。
再者，光學薄膜的形成材料中，除本發明之聚醯亞胺系聚合物以外，亦可含有構造不同的其他聚合物。但是前述之其他聚合物是在不會造成聚醯亞胺系聚合物的配向性顯著降低的範圍內配合使用。
前述之其他聚合物可以舉例如，泛用樹脂、工程塑料、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等。泛用樹脂可以舉例如，聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹脂、丙烯腈-苯乙烯樹脂等。工程樹料可以舉例如，聚醋酸酯(polyacetate)、聚碳酸酯、聚醯胺(耐綸)、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯等。熱可塑性樹脂可以舉例如，聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)、聚醚碸(Polyethersulfone)、聚酮、聚醯亞胺、聚環己烷二甲醇改性聚對苯二甲酸酯(poly-cyclomethane dimethanol terephthalate)、聚丙烯酸酯、液晶聚合物等。熱硬化性樹脂可以舉例如，環氧樹脂、酚醛(Phenol Novolac)樹脂等。這些所謂的其他聚合物的調配量在形成材料中占有例如，0~50質量%，以，0~30質量%為佳。
另外，亦可依需要而在前述形成材料中調配例如，安定劑、可塑劑、金屬類等之各種添加劑。
本發明之光學薄膜的厚度並無特殊限制，通常是在200μm以下。從可以使圖像顯示裝置薄型化的觀點來看，光學薄膜的厚度以20μm以下為佳，15μm以下較佳，10μm以下特別合適。另一方面，光學薄膜厚度的下限係適當地設定成可以具有所需的相位差值。通常，光學薄膜的厚度在1μm以上，以2μm以上為佳。本發明之聚醯亞胺系聚合物也可以利用塗布方式來製膜。因此，含有本發明之聚醯亞胺系聚合物的光學薄膜可以形成得比較薄。
本發明之光學薄膜的製造方法並無特殊限制，可以舉 例如，將含有上述聚醯亞胺系聚合物的形成材料予以製膜，再依需要施行延伸(或收縮)的方法等。製膜可以透過將上述形成材料塗布在適當之基材的方式來實施。
上述形成材料的塗布可以舉例如，使上述形成材料受熱熔融，再將其塗布於基材上的方法和，將上述形成材料溶解於溶劑而形成之聚合物溶液塗布在基材上的方法等。從製造效率、分子配向控制及光學異方性控制各點來看，以塗布聚合物溶液的方法為佳。
尤其，將含有本發明之聚醯亞胺系聚合物的聚合物溶液塗布在基材上，可藉而形成顯示負的一軸性(折射率橢圓球為nx≒ny>nz)之塗覆膜。
具體而言，在基材上塗布含有本發明之聚醯亞胺系聚合物的聚合物溶液後，乾燥過程中，收縮力會施加在塗覆膜的面內(X軸方向及Y軸方向)，可以形成顯示負的一軸性之塗覆膜。如此，本發明之聚醯亞胺系聚合物無論基材有沒有配向，都可以藉著塗布在基材上而形成顯示光學一軸性的塗覆膜。
再者，「nx≒ny」不僅是指nx和ny完全相同的情形，也包含實質相同的情形。nx和ny實質相同的情形是指，例如，Re(590)為0nm~10nm，以0nm~5nm為佳。
上述聚合物溶液可以藉由將本發明之聚醯亞胺系聚合物(依需要也可以調配有其他聚合物及各種添加劑)溶解於適當的溶劑中而調製成。本發明之聚醯亞胺系聚合物因為溶劑溶解性優良，故可容易地調製前述聚合物溶液。
上述溶劑只要可以溶解本發明之聚醯亞胺系聚合物等即可，並無特殊限制，可以適當地做選擇。溶劑可以舉例如，有機溶劑。有機溶劑之例有，三氯甲烷、二氯甲烷、四氯化碳、二氯乙烷、四氯乙烷、三氯乙烯、四氯乙烯、氯苯、鄰二氯苯等之鹵化烴類；酚、對氯酚等之酚類；苯、甲苯、二甲苯、甲氧基苯、1,2-二甲氧基苯等之芳香族烴類；丙酮、甲乙酮、甲基異丁基酮、環己酮、環戊酮、2-吡咯烷酮(2-pyrrolidone)、N-甲基-2-吡咯烷酮等之酮類；醋酸乙酯、醋酸丁酯等之酯類；t-丁醇、丙三醇、乙二醇、三乙二醇(tri-ethylene glycol)、乙二醇單甲醚、二乙二醇二甲醚、丙二醇、二丙二醇、2-甲基-2,4-戊二醇等之醇類；二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺等之醯胺類；乙腈、丁腈等之腈類；二乙醚、二丁醚、四氫呋喃等之醚類；二硫化碳；乙二醇乙醚(ethyl cellosolve)、乙二醇丁醚(butyl cellosolve)等。這些溶劑可以單獨使用1種，也可以併用2種類以上。
上述聚合物溶液以相對於溶劑100質量份，調配聚醯亞胺系聚合物等之固形分5~50質量份為佳，較佳為10~40質量份。前述範圍濃度之聚合物溶液以形成適合塗布的粘度為佳。
而，聚合物溶液之塗布方法可以舉例如，旋塗法、滾筒塗布法、流塗法、印刷法、浸塗法、流延成膜法、刮棒塗布法、凹版印刷法等。
將前述聚合物溶液塗布在基材上形成塗覆膜之後，再使該塗覆膜乾燥亦可。乾燥處理可以利用，例如，自然乾 燥、風乾、加熱乾燥等來進行。加熱乾燥時，其溫度並無特殊限制，在例如，25℃~250℃，以40℃~200℃為佳。
殘存在最終所獲得之塗覆膜(亦即光學薄膜)的溶劑量以1質量%以下為佳，0.5質量%以下較佳。這是因為殘存溶劑量低的光學薄膜尺寸安定性良好，光學特性不容易發生經時性的變化。
塗布上述形成材料(聚合物溶液等)的基材並無特殊限制。該基材可以是，例如，合成樹脂基材，或者，也可以是玻璃基材和矽晶圓之類的無機化合物製基材。合成樹脂製基材可以舉例如以澆注(Cast)法製膜的薄膜，將熔融的聚合物製膜後再施以延伸處理而成之薄膜等。從可以精密地塗布的觀點而言，其等當中又以施以延伸處理的薄膜為佳。
另外，基材以透明性良好者為佳。通過使用透明性良好的基材，也可以不將形成在該基材上的光學薄膜從基材剝離而直接使用。
上述合成樹脂製基材的樹脂成分可以舉例如，三醋酸纖維素(TAC)等之酯酸乙酯樹脂、聚酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚碸樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚烯烴樹脂、丙烯酸樹脂、聚降冰片烯樹脂(poly-norbornene)、纖維素樹脂、聚芳香酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯醇樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚偏二氯乙烯(polyvinyli-dene chloride)樹脂、液晶聚合物，及其之混合物等。此外，前述樹脂成分亦可為側鏈上具有取代醯亞胺基或非取代醯亞胺基之熱可塑性樹脂和，側鏈上具有取代苯基或非取代 苯基及腈基之熱可塑性樹脂之混合物等(該混合物揭示於日本專利申請公開2001-343529號公報中)。
基材的厚度為，例如，12μm~200μm，以20μm~150μm為佳，較佳為25μm~100μm。基材的厚度如果在12μm以上，就可以精密地塗布聚合物溶液。另一方面，基材的厚度如果在200μm以下，就可以更進一步地抑制光學薄膜的變形量。
利用將含有本發明之聚醯亞胺系聚合物的形成材料塗布在基材上的方式，可以形成顯示光學一軸性的塗覆膜。該塗覆膜即本發明之光學薄膜。本發明之光學薄膜既薄，而且顯示光學一軸性(折射率橢圓球nx≒ny>nz)。該光學薄膜可以作為相位差板來使用。
此外，如果使上述塗覆膜延伸或收縮，也可以形成顯示光學二軸性(折射率橢圓球nx>ny>nz)的光學薄膜。
塗覆膜的延伸方法以，例如，沿其長向一軸延伸之自由端縱向延伸，或者，固定其長向並且沿寬度方向一軸延伸之固定端橫向延伸等為佳。其他的延伸方法可以舉例如，沿長向及寬度方向雙方延伸之，依序或同時的二軸延伸等。而，當塗覆膜被形成的基材是可延伸基材時，以延伸其基材的方法為佳。如果採用該方法，因為基材被均勻地延伸，故可隨著該延伸而間接地使塗覆膜均勻地延伸。另外，該方法可以應用在連續生產程序，從製品的量產性會提高等的點來看也是合適的。再者，前述基材和塗覆膜也可以同時延伸。
而，當塗覆膜被形成的基材是可以收縮的基材時，藉由使基材收縮的方式，可以間接地使塗覆膜收縮。使基材收縮時，以利用延伸機等來控制基材的收縮率為佳。其控制方法可以舉例如，將延伸機的夾具暫時放開，沿基材的移送方向使基材鬆弛，或者，使延伸機夾具的間隔慢慢變窄的方法等。
本發明之光學薄膜的厚度方向之相位差值(Rth(λ))和面內的相位差值(Re(λ))可以適當地調整。該調整可以透過，例如，所使用之聚醯亞胺系聚合物的構造及分子量之選擇、光學薄膜之厚度的設定，以及，製膜時之延伸比率(或收縮比率)的設定等來執行。
含有本發明之聚醯亞胺系聚合物的光學薄膜，其波長色散形成逆色散。具體地說，本發明之光學薄膜滿足Rth(450)/Rth(550)≦0.98，Rth(650)/Rth(550)≧1.02的關係。特別是，在聚醯亞胺系聚合物中，透過增加二乙炔茀之重複單位的導入量的作法，所形成之光學薄膜可以顯示出像Rth(450)/Rth(550)≦0.8一般之更急峻的逆色散。
此外，本發明之光學薄膜顯示0.4≦Rth(450)/Rth(550)≦0.98，以顯示0.7≦Rth(450)/Rth(550)≦0.97為佳。另外，本發明之光學薄膜顯示1.50≧Rth(650)/Rth(550)≧1.02，以顯示1.30≧Rth(650)/Rth(550)≧1.10為佳。
含有過去公知之聚醯亞胺系聚合物的光學薄膜，其相位差值顯示越到短波長側越大的波長色散(正色散)。具體而言，含有過去公知之聚醯亞胺系聚合物的光學薄膜通常顯 示，Rth(450)/Rth(550)>1.06，而且Rth(650)/Rth(550)<0.95。含有導入不具有二乙炔基的茀骨架之聚醯亞胺系聚合物的光學薄膜也同樣顯示正色散。
但是，含有導入具有二乙炔基之茀骨架的聚醯亞胺系聚合物之本發明的光學薄膜則顯示逆色散。這個知識是本發明人等所首先發現的事項。
另外，在本發明之光學薄膜的折射率橢圓球滿足nx>ny>nz的情形中，關於該光學薄膜之面內的相位差值也是滿足Rth(450)/Rth(550)≦0.98，Rth(650)/Rth(550)≧1.02的關係。
本發明之光學薄膜的雙折射率可以利用二乙炔茀之重複單位的導入量和聚醯亞胺構成單位的構造等做適當的設計。本發明之光學薄膜在波長550nm的雙折射率(Δnxz(550))以0.001以上為佳，此外，0.003~0.070較佳，0.005~0.055特別好。
本發明之光學薄膜可以應用在任意的適當用途中。本發明之光學薄膜的代表性用途是相位差板。相位差板可以應用於液晶顯示裝置之λ/4板、λ/2板、視角擴大薄膜等。光學薄膜之其他用途可以舉例如，圖像顯示裝置之反射防止薄膜的用途等。圖像顯示裝置可以舉例如，液晶顯示裝置、有機EL顯示器，及電漿顯示器等。
本發明之光學薄膜亦能以積層其他光學零件之光學積層體的形態來使用。該光學積層體可以舉例如，將具有保護層之偏光片積層於本發明之光學薄膜而成的積層體(該 積層體通常稱為偏光板)，將其他的相位差板積層於本發明之光學薄膜而成的積層體等。
構成這些積層體的各層通常是用公知的接著劑(或粘著劑)加以接著。該接著劑可以舉例如，溶劑型接著劑、乳劑型接著劑、感壓性接著劑、再濕性接著劑、聚縮合型接著劑、無溶劑型接著劑、薄膜狀接著劑、熱融型接著劑等。
上述偏光片是會將自然光或偏光變換成直線偏光的光學元件。偏光片並無特殊限制，可以使用適宜、適切的產品。偏光片合適者可以舉例如，以含有碘或二色性染料的乙烯醇系聚合物為主成分之延伸薄膜。偏光片的厚度通常在5μm~50μm。上述保護層係為防止偏光片發生收縮或膨脹，同時為防止紫外線所導致之劣化而貼附在偏光片上。保護層合適者可以舉例如，含有纖維素系聚合物或降冰片烯系聚合物之聚合物薄膜。保護層的厚度通常在10μm~200μm。再者，形成本發明之光學薄膜時所用的基材亦可茀做上述保護層。
本發明之圖像顯示裝置具有本發明之光學薄膜。
本發明之圖像顯示裝置除了將本發明之光學薄膜組裝在液晶面板等之內以外，可以採用和習知之圖像顯示裝置同樣的構成。
本發明的圖像顯示裝置可以應用在任意之適切用途。當該圖像顯示裝置為液晶顯示裝置時，其用途為例如，個人電腦、筆記型電腦、影印機等之OA機器；行動電話、鐘錶、數位相機、行動資訊端末(PDA)、手持式電玩(portable game)等之攜帶式機器；攝影機、電視機、微波爐等之家用電器；倒車圖像輔助系統(Back Monitor)、導航系統用螢幕、汽車音響等之車用機器；商業店舖用資訊用螢幕等之展示機器；監視用監視器等之警備機器；介護用監視器、醫療用監視器等之介護．醫療機器等。
具有本發明之光學薄膜的圖像顯示裝置包含液晶顯示裝置、有機EL顯示器及電漿顯示器等，其合適用途為電視機。電視機畫面的尺寸以寬銀幕17型(373mm×224mm)以上為佳，更佳為寬銀幕23型(499mm×300mm)以上，特別合適的是寬銀幕32型(687mm×412mm)以上。
接著將藉實施例及比較例詳細地說明本發明。惟，本發明並不僅限於以下的實施例。
再者，在實施例及比較例中所使用的各分析方法如下。
(化學構造的釐清)
化學構造是採用核磁共振光譜儀[ 社製，製品名：AVANCE II 300](測定溶劑：氘化氯仿(Deuterated solvent)或氘化DMSO；頻率：300 MHz；偵測核種：1 H、13 C；測定溫度：25℃)來釐清。以下將該方法記載為NMR。
(紅外線吸收光譜之測定)
紅外線吸收光譜是採用紅外線分光光度計[日本分光(株)製，製品名：FT/IR-470plus]來測定。
(玻璃轉移溫度之測定)
玻璃轉移溫度是使用微差掃描熱量儀(Differential Scanning Calorimetry)[Seiko(株)製，製品名：DSC-6200]， 依據JIS K 7121(1987)(塑膠之轉移溫度測定方法)的方法加以測定。具體地說，係使3mg的測定用試料，在氮雰圍氣下(氣體流量：50mL/分)昇溫(加熱速度：10℃/分)，測定其玻璃轉移溫度2次，採用第2次的數據。熱量儀採用標準物質(銦)進行溫度校正。
(重量平均分子量的測定)
分子量是將測定用試料調製成0.1%DMF溶液，將之以0.45μm濾膜過濾後，用內藏有檢測器(RI)的GPC本體(Tosh Corporation製，HLC-8120GPC)進行測定。具體的測定條件是，管柱溫度40℃、泵流量0.40mL/分，測定用試料的分子量是利用已預知分子量的標準聚氧化乙烯(Poly-ethylene Oxide)之檢量線(calibration curve)，以聚氧化乙烯的換算分子量來算出。再者，使用的管柱是採用串聯連結super AWM-H(徑6.0mm×15cm)、super AW4000(徑6.0mm×15cm)及super AW2500(徑6.0mm×15cm)的管柱，移動相是將10mmol之LiBr及10mmol之磷酸置入定量瓶再加入DMF使全量成為1L的移動相。
(Δnxz、Rth(λ)的測定)
Δnxz等是採用王子計測機器(株)製之商品名「KOBRA-WPR」，在23℃，波長λ進行測定Rth(λ)係將，使波長λ的光從樣本法線以40度的角度傾斜入射所測得之數值(R40λ)，換算成Rth(λ)而求得。
(折射率的測定)
折射率是用阿貝折射計(Abbe refractometer)(ATAGO (株)製，製品名「DR-M4」)測定。
(厚度的測定)
厚度是用SLOAN社製，商品名「Dektak」測定。
＜實施例1＞ (二乙炔茀的合成)
使0.43g的二苯腈二氯鈀(II)(bis(benzonitrile)dichloro-palladium (II))及0.14g的碘化銅(I)在氮雰圍氣下溶解於二噁烷19mL中。將4.70g的三(t-丁基膦)(tri(t-butyl-phosphine)、4.54g的二異丙胺、3.78g的2-甲基-3-丁基-2-醇，及10.0g的2,7-二溴-9,9-雙(3-甲基-4-氨基苯基)茀加進該溶液中，在室溫攪拌24小時。之後，在減壓下除去溶劑，以使用展開溶劑(環己烷及醋酸乙酯的混合溶劑)的矽膠充填管柱精製其殘渣，藉以獲得9.80g的化合物。所獲得之化合物經NMR測定，是以下述式(1)表示之9,9-雙(3-甲基-4-氨基苯基)-2,7-雙(2-羥基-2-甲基-3-丁炔基)茀。
(聚合物的合成)
在氮雰圍氣下，使0.39g之上述9,9-雙(3-甲基-4-氨基苯基)-2,7-雙(2-羥基-2-甲基-3-丁炔基)茀、0.08g之2,2'-雙(三氟甲基)-4,4'-二氨基聯苯，以及0.35g之1,1'-二氯聯苯 -3,3'4,4'-四甲酸二酐溶解於1.91g之DMAC，在室溫攪拌7小時。之後，加入5.46g之DMAC，進一步加入0.18g之吡啶及0.24g之醋酸酐，攪拌16小時。
將所得到之反應溶液滴到異丙醇(IPA)中，進行再沈澱。過濾所得到的聚合物，用IPA洗淨2次得到0.57g之白色聚合物。所獲得之聚合物經NMR測定，是以下述式(2)(惟，m:n=72:28)表示的聚醯亞胺。再者，該聚合物之重量平均分子量為31,600，玻璃轉移溫度為177.9℃。
(薄膜的製作)
使所獲得之聚合物溶解於環己酮，利用旋塗法塗布在玻璃板上，以80℃乾燥5分鐘之後，再以150℃乾燥30分鐘，藉以製作聚醯亞胺薄膜。該薄膜之乾燥厚度為8.39μm。
所獲得之薄膜在550nm的雙折射率(Δnxz)為0.0079(參照表1)。
測定薄膜厚度方向的相位差值之波長色散。其結果如第1圖所示。
實施例1之Rth(450)/Rth(550)=0.95，Rth(650)/Rth(550)=1.02。再者，表1中，「nd 」表示以鈉D線(589nm)測定之折射率(以下，各實施例及比較例的「nd 」也相同)。
＜實施例2＞
在實施例1之聚合物的合成中，除了未添加0.08g之2,2'-雙(三氟甲基)-4,4'-二氨基聯苯以外，和實施例1同樣地處理以合成聚合物。該聚合物的重量平均分子量為34,600，玻璃轉移溫度為176.1℃。
所獲得之聚合物經NMR測定，是以上述式(2)(惟，m:n=100:0)表示的聚醯亞胺。
將所獲得之聚合物和實施例1同樣地處理製成膜(乾燥厚度：8.15μm)。所獲得之薄膜在550nm的雙折射率(Δnxz)為0.002。測定該薄膜的波長色散。其結果示於表1。
實施例2之Rth(450)/Rth(550)=0.50，Rth(650)/Rth(550)=1.17。
＜實施例3＞ (二乙炔茀的合成)
使0.43g的二苯腈二氯鈀(II)及0.14g的碘化銅(I)在氮雰圍氣下溶解於二噁烷19mL中。將4.70g的三(t-丁基膦)、 4.54g的二異丙胺、4.59g的苯乙炔(phenylacetylene)，及10.0g的2,7-二溴-9,9-雙(3-甲基-4-氨基苯基)茀加進該溶液中，在室溫攪拌24小時。之後，在減壓下除去溶劑，以使用展開溶劑(環己烷及醋酸乙酯的混合溶劑)的矽膠充填管柱精製其殘渣，藉以獲得8.70g的化合物。所獲得之化合物經NMR測定，是以下述式(3)表示之9,9-雙(3-甲基-4-氨基苯基)-2,7-雙(苯乙炔基)茀。
(聚合物的合成)
在氮雰圍氣下，使1.5g之上述9,9-雙(3-甲基-4-氨基苯基)-2,7-雙(苯乙炔基)茀、0.88g之2,2'-雙(三氟甲基)-4,4'-二氨基聯苯，以及2.00g之1,1'-二氯聯苯-3,3'4,4'-四甲酸二酐溶解於1.91g之DMAC，在室溫攪拌7小時。之後，加入5.46g之DMAC，進一步加入0.18g之吡啶及0.24g之醋酸酐，攪拌16小時。
將所得到之反應溶液滴到異丙醇(IPA)中，進行再沈澱。過濾所得到的聚合物，用IPA洗淨2次得到聚合物。
再者，該聚合物之重量平均分子量為15,300，玻璃轉移溫度為179.0℃。
所獲得之聚合物經NMR測定，是以下述式(4)(惟，m: n=50:50)表示的聚醯亞胺。
(薄膜的製作)
和實施例1同樣地處理，將所得到的聚合物製成膜(乾燥厚：5.37μm)。該薄膜在550nm的雙折射率(Δnxz)為0.016。測定該薄膜厚度方向的相位差值之波長色散。其結果示於第2圖。
實施例3之Rth(450)/Rth(550)=0.87，Rth(650)/Rth(550)=1.02。
＜實施例4＞
分別將實施例3之9,9-雙(3-甲基-4-氨基苯基)-2,7-雙(苯乙炔基)茀的添加量改成「1.19g」，2,2'-雙(三氟甲基)-4,4'-二氨基聯苯的添加量改成「0.22g」，1,1'-二氯聯苯-3,3'4,4'-四甲酸二酐的添加量改成「1.00g」以外，和實施例3同樣地處理以合成聚合物。再者，該聚合物的重量平均分子量為14,400，玻璃轉移溫度為164.3℃。
所獲得之聚合物經NMR測定，是以上述式(4)(惟，m:n=75:25)表示的聚醯亞胺。
將所獲得之聚合物和實施例1同樣地處理製成膜(乾燥厚度：3.77μm)。所獲得之薄膜在550nm的雙折射率(Δnxz)為0.0037。測定該薄膜厚度方向之相位差值的波長色散。 其結果示於第2圖。
實施例4之Rth(450)/Rth(550)=0.40，Rth(650)/Rth(550)=1.50。
＜比較例1＞
分別將實施例1之9,9-雙(3-甲基-4-氨基苯基)-2,7-雙(2-羥基-2-甲基-3-丁炔基)茀的添加量改成「0.34g」，2,2'-雙(三氟甲基)-4,4'-二氨基聯苯的添加量改成「0.60g」，1,1'-二氯聯苯-3,3'4,4'-四甲酸二酐的添加量改成「0.90g」以外，和實施例1同樣地處理以合成聚合物。再者，該聚合物的重量平均分子量為23,100，玻璃轉移溫度為185.3℃。
所獲得之聚合物經NMR測定，是以上述式(2)(惟，m:n=25:75)表示的聚醯亞胺。
將所獲得之聚合物和實施例1同樣地處理製成膜(乾燥厚度：5.6μm)。所獲得之薄膜在550nm的雙折射率(Δnxz)為0.043。測定該薄膜厚度方向之相位差值的波長色散。其結果示於第1圖。
比較例1之Rth(450)/Rth(550)=1.05，Rth(650)/Rth(550)=0.97。
＜比較例2＞
分別將實施例1之9,9-雙(3-甲基-4-氨基苯基)-2,7-雙(苯乙炔基)茀的添加量改成「0.79g」，2,2'-雙(三氟甲基)-4,4'-二氨基聯苯的添加量改成「1.32g」，1,1'-二氯聯苯-3,3'4,4'-四甲酸二酐的添加量改成「2.00g」以外，和實施例3同樣地處理以合成聚合物。
再者，該聚合物的重量平均分子量為16,000，玻璃轉移溫度為169.0℃。
所獲得之聚合物經NMR測定，是以上述式(4)(惟，m:n=25:75)表示的聚醯亞胺。
將所獲得之聚合物和實施例1同樣地處理製成膜(乾燥厚度：5.12μm)。所獲得之薄膜在550nm的雙折射率(Δnxz)為0.030。測定該薄膜的波長色散。其結果示於第2圖。
比較例2之Rth(450)/Rth(550)=1.02，Rth(650)/Rth(550)=0.98。
【第1圖】實施例1~2及比較例1的波長色散示意圖。
【第2圖】實施例3~4及比較例2之波長色散示意圖。

Claims (8)

  1. 一種光學薄膜，含有以下述一般式(I’)表示之聚醯亞胺系聚合物， 惟，式(I’)中，m為70莫耳%以上100莫耳%以下(m+n≦100莫耳%)；A、A’、B及B’各自代表取代基，a及a’表示對應於A及A’之取代數(0到4的整數)，b及b’表示對應於B及B’之取代數(0到3的整數)；A、A’、B及B’各自獨立，表示鹵素或碳數1~4的烷基，複數的情形是各自相同或互異；R3 及R4 各自獨立，表示碳數1~10的烷基，或CR6 R7 (OH)(R6 及R7 分別為碳數1~4的烷基)；X及Y各自獨立，表示共價鍵或，選自於由CH2 基、C(CH3 )2 基、C(CZ3 )2 基(Z為鹵素)、CO基、O原子、S原子、SO2 基、Si(CH2 CH3 )2 基、及N(CH3 )基所組成之群的原子或基團；E為取代基，e表示其取代數(0到3的整數)；E表示選自於由鹵素、碳數1~3的烷基、碳數1~3的鹵化烷基、苯基、及取代苯基所組成之群之原子或基團，複數的情形是各自相同或互異；G及H為取代基，g表示G的取代數(0到4的整數)，h表示H的取代數(0到4的整數)；G及H各自獨立，表示選自於由鹵素、烷基、取代烷基、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、芳基、取代芳基、烷 基酯基、及取代烷基酯基所組成之群之原子或基團，複數的情形是各自相同或互異；q1表示0~3的整數，q2表示1~3的整數。
  2. 如申請專利範圍第1項之光學薄膜，其顯示Rth(450)/Rth(550)≦0.98，而，Rth(450)及Rth(550)表示在波長450 nm及波長550 nm中之厚度方向的相位差值。
  3. 如申請專利範圍第2項之光學薄膜，其顯示Rth(650)/Rth(550)≧1.02，而，Rth(550)及Rth(650)表示在波長550 nm及波長650 nm中之厚度方向的相位差值。
  4. 如申請專利範圍第1項之光學薄膜，係由將前述聚醯亞胺系聚合物塗布在基材上而獲得之塗覆膜所構成。
  5. 如申請專利範圍第1項之光學薄膜，其厚度在20 μm以下。
  6. 如申請專利範圍第1項之光學薄膜，其折射率橢圓球滿足nx≒ny>nz的關係，而，nx表示在薄膜面內折射率最大的方向(X軸方向)中之折射率，ny表示在同面內對X軸方向形成直交的方向(Y軸方向)中之折射率，nz表示在厚度方向中之折射率。
  7. 如申請專利範圍第1項之光學薄膜，其折射率橢圓球滿足nx>ny>nz的關係，而，nx表示在薄膜面內折射率最大的方向(X軸方向) 中之折射率，ny表示在同面內對X軸方向形成直交的方向(Y軸方向)之折射率，nz表示在厚度方向之折射率。
  8. 一種圖像顯示裝置，具有申請專利範圍第1項之光學薄膜。
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