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TWI381765B - And a light-emitting element for a light-emitting element - Google Patents

And a light-emitting element for a light-emitting element Download PDF

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TWI381765B
TWI381765B TW095103048A TW95103048A TWI381765B TW I381765 B TWI381765 B TW I381765B TW 095103048 A TW095103048 A TW 095103048A TW 95103048 A TW95103048 A TW 95103048A TW I381765 B TWI381765 B TW I381765B
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田中�明
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日本傑恩股份有限公司
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Description

發光元件用層積體及發光元件
本發明係關於發光元件用層積體及發光元件，更詳言之係關於有機電致發光元件(即有機EL元件)等發光元件之用作基板及/或封裝容器的發光元件用層積體，及使用其之發光元件。
有用的發光元件有機EL元件之基本構造係，有機發光層配置於陰極與陽極之間的層積構造。有機EL元件如第3圖。有機EL元件具備配置於基板11表面之發光元件本體10，及自外界保護發光元件本體10全体之保護用封裝容器12。發光元件本體10具有，具電致發光作用之有機化合物構成的有機發光層5配置於陰極4與陽極6之間的層積構造。有機發光層5通常由複數層構成，可係例如含有機發光化合物之發光化合物含有層，於該發光化合物層的一朝向陽極6之表面層積有輸送層及正孔注入層，於上述發光化合物含有層之另一朝向陰極4之表面層積有輸送層及電子注入層之構造。上述基板11係例如玻璃、陶瓷或塑膠製。封裝容器12係例如金屬製。將多數的如此之有機EL元件配置於基板11上，即構成有機EL面板。有機EL面板之製造亦可取代封裝容器之連續配置，採取以封裝板封裝有機EL元件之方法。
有機EL元件係非常有效之發光元件，有機發光層因含 比較不安定之有機化合物，缺點係容易被氧及水分等劣化。因此，必須以基板及封裝容器等自上述氧、水分保護有機發光層。因而通常，如第3圖，於封裝空間內設藥劑配置部8，於該藥劑配置部8貯藏脫濕劑及無機物系之脫氧劑，以去除氧及水分等使有機發光層劣化之物質。
此外，專利文獻1記載，於有機發光層配置於陰極與陽極之間的層積體外表面，形成氟系高分子或氧化物絕緣體之保護層，該保護層之更外側覆以玻璃容器等，於保護層與玻璃容器等之間置入脫水劑及吸氧劑，封入惰性媒體。專利文獻2記載，有機EL元件側面以含脫氧劑之環氧樹脂系接著劑封裝之有機EL元件裝置。專利文獻3記載，採用紫外線硬化性樹脂作為塑膠製有機EL面板之基板與層積體的接著劑。
專利文獻1 日本專利特開平10-275682號公報美國專利US5990615A
專利文獻2 特開2002-175877號公報美國專利US6686063B2
專利文獻3 特開2004-47381號公報國際公開WO2004/8812A1
如上述，為延長有機EL元件之壽命已有種種嘗試，而將發光元件本體長久完全自外界隔絕之優良材料及方法尚 待開發。尤以具撓性之有機EL面板，難以防止氧之侵入基板與封裝容器之接著部分、具撓性之塑膠基板及封裝容器等。因而雖有如上之於封裝容器內配置脫氧劑的有機EL元件之開發，而不於封裝容器內配置脫氧劑，發光元件本體仍能長久自外界隔離之軟性有機EL面板的開發已成為課題。
因此，本發明之目的在解決如此之習知課題，提供可用作有機EL元件等發光元件之基板及/或封裝容器等的發光元件本體保護用材料，兼具阻氣功能及脫氧功能之發光元件用層積體，並提供以該層積體用作基板及/或封裝容器之發光元件。
解決上述課題的手段係，(1)其特徵為含共軛二烯聚合物經環化反應得之共軛二烯聚合物環化物，其係呈示相對於上述共軛二烯聚合物中不飽和鍵之數的共軛二烯聚合物環化物中存在的不飽和鍵之數的不飽和鍵減少率在10%以上之共軛二烯聚合物環化物的吸氧層，及阻氣層層積而成之發光元件用層積體，(2)如上述(1)之發光元件用層積體，其中共軛二烯聚合物環化物之吸氧量在5mL/g以上，(3)如上述(1)之發光元件用層積體，其中吸氧層自表面之吸氧速度在1mL/m2/日上，(4)如上述(1)之發光元件用層積體，其中共軛二烯聚 合物環化物係改質共軛二烯聚合物環化物，(5)如上述(1)之發光元件用層積體，其中阻氣層之透氧係數在5mL/m2/日以下，(6)如上述(1)之發光元件用層積體，其中400nm~650nm波長範圍之透光率在85%以上，(7)如上述(1)之發光元件用層積體，其中上述共軛二烯聚合物係共軛二烯單體與其它單體之共聚物，(8)如上述(7)之發光元件用層積體，其中上述其它單體係苯乙烯，(9)其特徵為具備基板、配置於該基板上之發光元件本體以及配置成覆蓋該發光元件本體之封裝容器，上述基板及/或上述封裝容器係由如上述(1)之發光元件用層積體形成的發光元件。
本發明之發光元件用層積體兼具阻氣功能及脫氧功能，可用作例如有機EL元件等發光元件之基板及/或封裝容器等發光元件本體之機械性保護用材料。本發明之發光元件用層積體，可吸收去除封裝容器內存在之氧，防止氣體尤其是氧之侵入封裝容器內，用作壽命長而劣化少之發光元件的保護材料。以該發光元件用層積體用作基板及/或封裝容器之發光元件長久不劣化，因發光元件用層積體之透明性，光可自發光元件之基板側亦可自封裝容器側射出。並且，使用該發光元件之發光面板，其製造簡單，可 製成薄型而撓性優良之長壽命發光面板。
本發明之發光元件用層積體係至少層積吸氧層及阻氣層而成。上述發光元件用層積體14之基本層積構造係例如第4圖，依序層積有阻氣層1、保護樹脂層2及吸氧層3。本發明之發光元件用層積體14之其它構造有例如第5圖之依序層積保護樹脂層2、阻氣層1、吸氧層3而成之層積構造。使用如此之發光元件用層積體於發光元件時，可例如，配置吸氧層3於阻氣層1之更內側，例如第1圖，而在有機發光層5之存在空間亦即封裝空間側。發光元件用層積體14尚多有其它層積方法。有例如第6圖之依序層積保護樹脂層2、阻氣層1、保護樹脂層2、吸氧層3之四層構造，如第7圖之依序層積阻氣層1、保護樹脂層2、阻氣層1、吸氧層3之四層構造等。特殊者亦可係如第8圖之於吸氧層3兩側有阻氣層1。亦可係如第9圖之阻氣層1與具保護樹脂層之功能的吸氧層3’的層積構造，如第10圖之具保護樹脂層功能的阻氣層1’與吸氧層3之層積構造。
本發明之發光元件用層積體至少具備阻氣層及吸氧層二層，係阻氣層可防止氧自外界侵入，吸氧層能吸收封裝空間內存在之氧及/或穿透阻氣層而來之少量氧之層積構造即可。本發明之發光元件用層積體係以有具機械強度之保護樹脂層為佳(例如第4圖或第5圖之構造)。該保護樹脂層可係獨立之保護樹脂層，亦可係兼具上述功能之阻氣 層、吸氧層。本發明之發光元件用層積體若係具如上功能之層積構造，亦可例如具有複數層之保護樹脂層、吸氧層及阻氣層(例如第6圖、第7圖或第8圖之構造)。反之，本發明的發光元件用層積體、吸氧層若有充分之機械強度而兼具保護樹脂層之功能，亦可係以吸氧層當作保護樹脂層而由阻氣層及吸氧層二層構成之層積構造(例如第9圖之構造)。或者，本發明之發光元件用層積體，阻氣層若十分厚而具保護樹脂層之功能，亦可由阻氣層及吸氧層二層構成(例如第10圖之構造)。
本發明之發光元件用層積體，於400nm~650nm波長範圍之透光率宜在85%以上。具備本發明之發光元件用層積體的發光元件，宜係如後敘光可自發光元件兩側射出。因之透光的發光元件用層積體之透光率宜高。尤以於有機EL元件之發光波長範圍，發光元件用層積體之透光率以在85%以上為佳，90%以上更佳，95%以上又更佳。通常，有機EL元件之發光波長範圍係400nm~650nm，故在該發光波長範圍之所有波長，透光率宜高。以本發明之發光元件用層積體用於發光波長範圍偏頗之有機EL元件時，於該有機EL元件之偏頗發光波長範圍，發光元件用層積體之透光率在上述數值範圍即可。有時上述波長範圍全体之平均滿足上述要件即可。波長400nm~650nm之透光率係依JIS K7361-1以市售霧度計測定。
本發明中，因共軛二烯聚合物環化物角色重要，首先加以說明。用於本發明之共軛二烯聚合物環化物可於觸媒 存在下使共軛二烯聚合物起環化反應而得，分子中具有來自共軛二烯單體之環構造。共軛二烯聚合物有例如，共軛二烯單體之單聚物或不同共軛二烯單體之共聚物，或共軛二烯單體與能與其共聚之其它單體的共聚物。可用之共軛二烯單體無特殊限制，有例如1,3-丁二烯、異平、2,3-二甲-1,3-丁二烯、2-苯-1,3-丁二烯、1,3-戊二烯、2-甲-1,3-戊二烯、1,3-己二烯、4,5-二乙-1,3-辛二烯及3-丁-1,3-辛二烯等。這些單體可以單獨使用亦可組合2種以上使用。其中以1,3-丁二烯及異平為佳，異平更佳。
能與共軛二烯單體共聚之其它單體無特殊限制。其具體例有苯乙烯、鄰甲苯乙烯、對甲苯乙烯、間甲苯乙烯、2,4-二甲苯乙烯、乙苯乙烯、對三級丁苯乙烯、α-甲苯乙烯、α-甲基對甲苯乙烯、鄰氯苯乙烯、間氯苯乙烯、對氯苯乙烯、對溴苯乙烯、2,4-二溴苯乙烯及乙烯萘等芳香族乙烯單體；乙烯、丙烯及1-丁烯等鏈烯烴單體；環戊烯及2-降烯等環烯烴單體；1,5-己二烯、1,6-庚二烯、1,7-辛二烯、雙環戊二烯及5-亞乙-2-降烯等非共軛二烯單體；(甲基)丙烯酸甲酯及(甲基)丙烯酸乙酯等(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯腈、及(甲基)丙烯醯胺等。其中以芳香族乙烯單體為佳，苯乙烯及α-甲苯乙烯更佳，苯乙烯尤佳。這些單體可以單獨使用亦可組合2種以上使用。
共軛二烯聚合物中共軛二烯單體單元含量在無損於本發明效果之範圍內可適當選擇，通常係40莫耳%以上，60莫耳%以上較佳，80莫耳%以上更佳。共軛二烯單體單元含 量過少則不飽和鍵減少率難予提升，有吸氧性差之傾向。
共軛二烯聚合物之具體例有天然橡膠(NR)、苯乙烯-丁二烯橡膠(SBR)、聚異平橡膠(IR)、聚丁二烯橡膠(BR)、異平-異丁烯共聚橡膠(IIR)、乙烯-丙烯-二烯系共聚橡膠及丁二烯-異平共聚橡膠(BIR)等。其中以聚異平橡膠及聚丁二烯橡膠為佳，聚異平橡膠更佳。
共軛二烯聚合物之聚合方法可係一般之例如，使用含鈦等觸媒成分之齊格勒系聚合觸媒、烷基鋰聚合觸媒或自由基聚合觸媒等適當觸媒，經懸浮聚合、溶液聚合或乳化聚合為之。用於本發明之共軛二烯聚合物環化物可使上述共軛二烯聚合物於酸觸媒之存在下環化反應而得。用於環化反應之酸觸媒可係習知的例如硫酸；氟甲烷磺酸、二氟甲烷磺酸、對甲苯磺酸、二甲苯磺酸、有碳原子數2~18之烷基的烷基苯磺酸、這些之酐或烷基酯等有機磺酸化合物；三氟化硼、三氯化硼、四氯化錫、四氯化鈦、氯化鋁、一氯化二乙鋁、二氯化乙銨、溴化鋁、五氯化銻、六氯化鎢及氯化鐵等金屬鹵化物；這些觸媒可以單獨使用亦可組合2種以上使用。其中以有機磺酸化合物為佳，對甲苯磺酸及其酐更佳。酸觸媒之用量通常係共軛二烯聚合物每100質量份0.05~10質量份，0.1~5質量份較佳，0.3~2質量份更佳。
環化反應通常係將共軛二烯聚合物溶解於烴溶劑中，於觸媒之存在下起環化反應為之。烴溶劑若無妨於環化反應即無特殊限制。其具體例有苯、甲苯、二甲苯及乙苯等 芳香烴；正戊烷、正己烷、正庚烷及正辛烷等脂肪烴；環戊烷及環己烷等脂環烴等。以這些烴溶劑用於共軛二烯單體之聚合反應時，可直接以該聚合溶劑用作環化反應溶劑，此時，可於聚合反應結束之聚合反應液添加酸觸媒，進行環化反應。烴溶劑之用量通常係在使共軛二烯聚合物固體成分濃度為5~60質量%，較佳者20~40質量%之範圍。環化反應可於加壓、減壓或大氣壓力下為之，因操作簡便，宜於大氣壓下進行，其中於乾燥氣流下，尤以乾燥氮、乾燥氬之氛圍下為之則可抑制水分所致之副反應。環化反應中，反應溫度及反應時間等可如一般，反應溫度通常係50~150℃，70~110℃為佳，反應時間通常係0.5~10小時，2~7小時為佳。環化反應後，依常法使酸觸媒失活，去除酸觸媒殘渣後，隨所欲添加抗氧化劑，去除烴溶劑、未反應之含極性基的乙烯化合物，可得固態之共軛二烯聚合物環化物。
用於本發明之共軛二烯聚合物環化物，只須無妨於本發明之目的，以經改質之共軛二烯聚合物環化物(以下或簡稱改質共軛二烯聚合物環化物)較未改質者佳。改質共軛二烯聚合物環化物中又以改質成含極性基之含極性基共軛二烯聚合物環化物為佳。極性基無特殊限制，有例如酐基、羧基、羥基、硫醇基、酯基、環氧基、胺基、醯胺基、氰基、矽烷基及鹵素等極性基。
上述酐基或羧基有例如，以順丁烯二酐、伊康酐、阿康酐、降烯二酐、丙烯酸、甲基丙烯酸及順丁烯二酸等 乙烯羧酸化合物等加成於共軛二烯聚合物環化物之構造的基，其中以順丁烯二酐加成於共軛二烯聚合物環化物之構造的基，於反應性、經濟性較佳。
上述羥基有例如以(甲基)丙烯酸2-羥乙酯((甲基)丙烯酸2-羥乙酯表丙烯酸2-羥乙酯及/或甲基丙烯酸2-羥乙酯。本說明書中「(甲基)丙烯醯．．．」意指「丙烯醯．．．」及/或「甲基丙烯醯．．．」之化合物或取代基)、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯等不飽和酸之羥烷基酯類；N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺及N-(2-羥乙基)(甲基)丙烯醯胺等具有羥基之不飽和酸醯胺類；聚乙二醇一(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇一(甲基)丙烯酸酯及聚(乙二醇-丙二醇)一(甲基)丙烯酸酯等不飽和酸之聚烷二醇一酯類；甘油一(甲基)丙烯酸酯等不飽和酸之多元醇一酯類等加成於共軛二烯聚合物環化物之構造的基，其中以不飽和酸之羥烷基酯類為佳，尤佳者為以丙烯酸2-羥乙酯、甲基丙烯酸2-羥乙酯加成於共軛二烯聚合物環化物之構造的基。
其它含極性基之乙烯化合物有例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸環氧丙酯、(甲基)丙烯酸二甲胺乙酯、(甲基)丙烯酸二甲胺丙酯、(甲基)丙烯醯胺及(甲基)丙烯腈等。
改質共軛二烯聚合物環化物，尤以含極性基之共軛二烯聚合物環化物中極性基含量無特殊限制，改質共軛二烯聚合物環化物每100g通常係0.1~200毫莫耳，1~100毫莫耳為佳，5~50毫莫耳更佳。該含量過多過少，則有吸氧功 能差之傾向。而極性基含量，係以結合於改質共軛二烯聚合物環化物之分子的極性基之分子量相當量為1莫耳。
改質共軛二烯聚合物環化物之製法有，(1)上述方法得之共軛二烯聚合物環化物以含極性基之乙烯化合物加成反應之方法，(2)使含極性基之共軛二烯聚合物，經上述方法環化反應而得之方法，(3)於不含極性基之共軛二烯聚合物以含極性基之乙烯化合物作加成反應後，環化反應而得之方法，(4)上述(2)或(3)之方法得者更以含極性基之乙烯化合物作加成反應之方法等。其中因不飽和鍵減少率更易於調整，以(1)之方法為佳。
含極性基之乙烯化合物若係可於共軛二烯聚合物環化物導入極性基之化合物即無特殊限制，較佳者有例如具酐基、羧基、羥基、硫醇基、酯基、環氧基、胺基、醯胺基、氰基、矽烷基及鹵素等極性基之乙烯化合物。
具酐基或羧基之乙烯化合物有例如，順丁烯二酐、伊康酐、阿康酐、降烯二酐、丙烯酸、甲基丙烯酸及順丁烯二酸等，其中以順丁烯二酐於反應性、經濟性較佳。含羥基之乙烯化合物較佳者有例如，含不飽和酸之羥烷基酯類，尤以丙烯酸2-羥乙酯及甲基丙烯酸2-羥乙酯之乙烯化合物。
於共軛二烯聚合物環化物以含極性基之乙烯化合物作加成反應，導入來自含極性基之乙烯化合物的極性基之方法無特殊限制，一般可係稱為烯加成反應或接枝聚合反應之習知反應。該加成反應係將共軛二烯聚合物環化物與含 極性基之乙烯化合物，必要時於自由基產生劑之存在下，經接觸反應為之。自由基產生劑有例如，過氧化二(三級丁基)、過氧化二基及過氧化苯甲醯等過氧化物類；如偶氮雙異丁腈之偶氮腈類等。
加成反應可於固態進行，亦可於溶液狀態進行，因反應易於控制以於溶液狀態進行為佳。使用之反應溶劑有例如，與上述之環化反應的惰性溶劑同者。含極性基之乙烯化合物的用量隨反應條件變化，而導入之極性基含量係適當選擇以達上述較佳範圍。
導入極性基之反應可於加壓、減壓或大氣壓下為之，因操作簡便宜在大氣壓下為之，其中於乾燥氣流下，尤以於乾燥氮、乾燥氬之氛圍下為之則可抑制水分所致之副反應。反應溫度、反應時間可係一般，反應溫度通常係30~250℃，60~200℃較佳，反應時間通常為0.5~5小時，1~3小時較佳。
共軛二烯聚合物環化物除100%環化者，至少具有存在於共軛二烯聚合物環化物之直鏈部分的直鏈不飽和鍵，及存在於環化部分之環狀不飽和鍵二種不飽和鍵。共軛二烯聚合物環化物應係環狀不飽和鍵於吸氧大有助益，直鏈不飽和鍵部分幾乎無助於吸氧。因而，使共軛二烯聚合物經環化反應得之共軛二烯聚合物環化物存在有環狀不飽和鍵，即可發揮吸氧功能。呈示相對於環化反應前之共軛二烯聚合物中的不飽和鍵之數，環化反應後存在於共軛二烯聚合物環化物中的不飽和鍵之數的比率之不飽和鍵減少率 (亦簡稱不飽和鍵減少率)10%以上之共軛二烯聚合物環化物，可係本發明之發光元件用層積體的吸氧層原料。共軛二烯聚合物環化物之不飽和鍵減少率以40~75%為佳，55~70%更佳。不飽和鍵減少率過低則吸氧性有降低之傾向。使共軛二烯聚合物環化物之不飽和鍵減少率在上述較佳範圍的上限以下，可防共軛二烯聚合物環化物變脆，易於製造，並可抑制製造時之凝膠化，透明度提升，具廣泛用途。不飽和鍵減少率超過50%則因出現接著性，可以活用該性質。而共軛二烯聚合物環化物亦可係不飽和鍵減少率不同者之混合物。例如，可以混合不飽和鍵減少率10%左右者及不飽和鍵減少率60%左右者。
在此不飽和鍵減少率係表，共軛二烯聚合物中共軛二烯單體單元部位，不飽和鍵經環化反應而減少之程度的指標，可如下求出。亦即，以質子NMR分析，就環化反應前後各求出在共軛二烯聚合物中共軛二烯單體單元部分，相對於全部質子尖峰面積的直接結合於雙鍵之質子的尖峰面積比率，計算其減少率。
共軛二烯聚合物中，於共軛二烯單體單元部位，以環化反應前全部質子尖峰面積為SBT，直接結合於雙鍵之質子的尖峰面積為SBU，環化反應後全部質子尖峰面積為SAT，直接結合於雙鍵之質子的尖峰面積為SAU。則環化反應前直接結合於雙鍵之質子的尖峰面積比率(SB)為SB=SBU/SBT，環化反應後直接結合於雙鍵之質子的尖峰面積比率(SA)為SA=SAU/SAT。因此，不飽和鍵減少率可由下 式不飽和鍵減少率(%)=100×(SB-SA)/SB求出。
而共軛二烯聚合物之環化程度可依環化率評估。環化率係依下述(a)、(b)文獻所述之方法以質子NMR測定求出。
(a)M.a.Golub and J.Heller.Can.J.Chem,41,937(1963)
(b)Y.Tanaka and H.Sato,J.Poiym.Sci：Poiy.Chem.Ed.,17,3027(1979)
用於本發明之共軛二烯聚合物環化物之吸氧量在5mL/g以上，10mL/g以上更佳。吸氧量係在23℃，共軛二烯聚合物環化物粉末或薄膜充分吸氧之飽和狀態下，共軛二烯聚合物環化物每1g之以mL表示之吸氧量。吸氧量低則為長久安定吸氧，必須有大量共軛二烯聚合物環化物。吸氧量主要與共軛二烯聚合物環化物中之不飽和鍵減少率相關。
共軛二烯聚合物環化物的吸氧量為50mL/g時，厚100μm之吸氧層每1cm2的可吸氧量為0.5mL，1m2為5,000mL/m2。持續6年之吸收為833mL/m2/年，亦即可持續吸氧2.28mL/m2/日以上。故為具0.9mL/m2/日以上之吸收能力，吸氧層厚度宜在40μm以上，70μm以上較佳，100μm以上更佳，200μm以上又更佳。
本發明中自吸氧層表面之吸氧速度宜在1mL/m2/日以上，5mL/m2/日以上為佳，10mL/m2/日以上更佳。共軛二烯聚合物環化物之吸氧能力雖大，若吸氧速度過慢，則自發 光元件用層積體之阻氣層側侵入之氧無法予以充分吸收而穿透。又，用作發光元件之封裝容器時，因某理由存在於封裝空間內或侵入之氧，必須由吸氧層快速吸收去除。因此，宜具上述吸氧速度。上述吸氧速度係以吸氧量測定開始後24小時之單位面積的吸氧量表示。
共軛二烯聚合物環化物之質量平均分子量以5,000~2,000,000為佳，10,000~1,000,000更佳，20,000~500,000又更佳。該質量平均分子量過低則共軛二烯聚合物環化物有吸氧量低之傾向，過高則共軛二烯聚合物環化物製造時、使用時流動性、塑性差，有難以取用之傾向。而質量平均分子量係用凝膠滲透層析儀測定，經標準聚苯乙烯換算之值。
共軛二烯聚合物環化物之玻璃轉移溫度(Tg)無特殊限制，可隨用途適當選擇，通常係0~250℃，0~200℃較佳，30~180℃更佳，40~150℃尤佳。共軛二烯聚合物環化物之玻璃轉移溫度超出該範圍時，共軛二烯聚合物環化物之成形性、構件之強度、與其它構件之接著性、取用性有時會有問題。共軛二烯聚合物環化物之玻璃轉移溫度可由用作原料之單體、共軛二烯聚合物環化物之分子量、不飽和鍵減少率的適當選擇作調節。
用於本發明之共軛二烯聚合物環化物，只要本質上無損於本發明效果，可配合以各種添加劑，例如抗氧化劑、具提高吸氧作用之觸媒、光引發劑、熱安定劑、接著劑材料、強化劑、填料、阻燃劑、著色劑、塑化劑、紫外線吸 收劑、滑劑、乾燥劑、脫臭劑、抗靜電劑、防黏劑、防霧劑及表面處理劑等。這些添加劑可自習知者中隨目的適當選擇，適當配合。添加劑之配合方法無特殊限制，可經熔融混練、溶液狀態之混合為之。
來自共軛二烯單體之雙鍵未環化直接殘留者因化學構造上有易於氧化之傾向，於不飽和鍵減少率低之共軛二烯聚合物環化物添加抗氧化劑有益。抗氧化劑若係通常用於接著劑、樹脂材料或橡膠材料領域者即無特殊限制。具體有酚系抗氧化劑，亞磷酸氫鹽系抗氧化劑。
抗氧化劑可以單獨使用亦可組合2種以上使用。抗氧化劑之含量係以，吸氧層中500質量ppm(本說明書中「質量ppm」或簡稱「ppm」)以下為佳，400ppm以下更佳，300ppm以下尤佳。該含量過高則有吸氧性差之傾向。抗氧化劑之含量下限以10ppm為佳，20ppm更佳。不含抗氧化劑之共軛二烯聚合物環化物有時會因高溫劣化，或吸氧後機械強度下降。
具提高吸氧作用之觸媒的典型例係過渡金屬鹽。本發明之共軛二烯聚合物環化物，不含如此之過渡金屬鹽，亦呈充分之吸氧性，而使之含過渡金屬鹽，吸氧性更優。唯用於本發明時金屬成分之添加必須考慮不對透明度及其它使用目的有不良影響。如此之過渡金屬鹽以例如油酸鈷(II)、環烷酸鈷(II)、2-乙己酸鈷(II)、硬脂酸鈷(II)及新癸酸鈷(II)等為佳，2-乙己酸鈷(II)、硬脂酸鈷(II)及新癸酸鈷(II)更佳。上述過渡金屬鹽之配合量通常係吸氧 層中之10~10,000ppm，20~5,000ppm為佳，50~5,000ppm更佳。
光引發劑在共軛二烯聚合物環化物以能量線照射之際，具有促進吸氧反應之引發的作用。光引發劑有特表2003-504042號公報例示者。配合光引發劑時之配合量通常為共軛二烯聚合物環化物總量之0.001~10質量%，0.01~1質量%較佳。
形成吸氧層之方法無特殊限制，有壓縮成形法、射出成形法、溶劑澆鑄法、熔融擠出法等。又，亦可作後敘之與用於保護樹脂層之樹脂的多層共擠出成形。
本發明中之吸氧層當然可用2種以上之共軛二烯聚合物環化物，亦可連同其它樹脂使用。可與例如丙烯醯樹脂、脂環構造聚合物、鏈狀聚烯烴、聚酯及聚醯胺等混合，或多層化使用。
用於本發明之保護樹脂層，係主要用以保有發光元件用層積體的機械強度之層。因吸氧層及阻氣層通常係非常薄之膜，保護樹脂層發揮發光元件用層積體之骨架的功能。因此，用於保護樹脂層之樹脂，隨使用目的尤有透明性、機械特性之要求。用於保護樹脂層之樹脂係以，依JIS K7113測定之拉伸強度在400kg/cm2以上者為佳。具體可用丙烯醯系樹脂、脂環構造聚合物、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚氯乙烯、聚乙烯醇、乙烯乙烯醇共聚物、聚二氯亞乙烯、聚丙烯腈及聚醯胺等。考慮光學特性、機械強度、耐熱性等，則以聚酯、丙烯醯系樹脂及 脂環構造聚合物為佳，脂環構造聚合物更佳。
適用於本發明之脂環構造聚合物的具體例有(1)降烯聚合物、(2)單環環烯烴聚合物、(3)環狀共軛二烯聚合物、(4)乙烯脂環烴聚合物及該等之混合物等。其中基於光學特性、耐熱性、機械強度，以降烯聚合物、乙烯脂環烴聚合物為佳。以具有極性基之脂環構造聚合物用作脂環構造聚合物，則可無損於透光率而提升與無機物之親和性。
(1)降烯聚合物
用於本發明之降烯聚合物有降烯單體之開環聚合物、降烯與能與其開環共聚之其它單體的開環聚合物、這些之氫化物、降烯單體之加成聚合物、降烯單體與能與其共聚之其它單體之加成共聚物等。其中基於光學特性、耐熱性、機械強度，以降烯單體之開環(共)聚合物為最佳。降烯單體有雙環[2.2.1]庚-2-烯(俗名：降烯)及其衍生物(於環有取代基者)、三環[4.3.12,5.01,6]癸-3,7-二烯、四環[7.4.110,13.01,9.02,7]十三-2,4,6,11-四烯、四環[4.4.12,5.17,10.0]十二-3-烯及於這些之環有取代基之衍生物等。存在於環之取代基有例如烷基、烷二基、乙烯基及烷氧羰基等，上述降烯單體亦可有2種以上之該等。該等降烯單體可各單獨或組合2種以上使用。
能與降烯單體開環共聚之其它單體有例如環己烯、環庚烯及環辛烯等單環環烯烴系單體等。這些能與降烯單體開環共聚之其它單體可各單獨或組合2種以上使用。 降烯單體及能與其共聚之其它單體的共聚時，加成共聚物中來自降烯單體之構造單元與來自能共聚之其它單體的構造單元之比率係適當選擇以使質量比可為30：70~99：1，50：50~97：3較佳，70：30~95：5更佳。
(2)單環環烯烴聚合物
單環環烯烴系聚合物可係例如環己烯、環庚烯及環辛烯等單環環烯烴單體之加成共聚物。
(3)環狀共軛二烯聚合物
環狀共軛二烯聚合物有例如環戊二烯及環己二烯等環狀共軛二烯之1,2-或1,4-加成聚合物及其氫化物等。
(4)乙烯脂環烴聚合物
乙烯脂環烴聚合物有例如乙烯環己烯及乙烯環己烷等乙烯脂環烴系單體及其氫化物；苯乙烯及α-甲苯乙烯等乙烯芳香族單體之聚合物的芳環部分之氫化物等，以及乙烯脂環烴單體、乙烯芳香族單體與能與這些單體共聚之其它單體的共聚物之氫化物等。
具有極性基的脂環構造聚合物中，極性基有例如含氧原子、氮原子、硫原子及矽原子之極性基，鹵素原子等，基於與無機化合物之分散性、與其它樹脂的相溶性，以含氧原子及/或氮原子之極性基為佳。極性基之具體例有羧基、羰氧羰基、環氧基、羥基、氧基、酯基、矽烷醇基、矽烷基、胺基、腈基及磺醯基等。
用於本發明之阻氣層若係習知具有阻氣性能之層即可，透氧係數宜在5mL/m2/日以下，3mL/m2/日以下較佳， 1mL/m2/日以下更佳。使透氧係數小，穿透阻氣層到達吸氧層之氧量受限，穿透之氧可由吸氧層完全吸收，層積體整體即可阻止氧之穿透。如此之阻氣層只需透氧係數在上述範圍即可。依使用目的兼顧材質本身之性質及阻氣層厚度選用即可。而透氧係數可用市售之透氧速度測定機(例如MOCON,Inc.製OXY-TRAN)在溫度25℃，濕度75%RH之氛圍下測定。
上述阻氣層有無機物系阻氣層及樹脂系阻氣層。
上述無機物系阻氣層一般阻氣性能高，非常薄之膜即有效。有例如Si、Mg、Ti、Al、In、Sn、Zn、W、Ce、Zr等金屬之氧化物、氮氧化物、硫化物等之蒸鍍膜。阻氣層通常多用作發光元件用層積體之最外表面，故有時需具不受損傷之硬度。無機物系阻氣層尤適於如此用途。
上述樹脂系阻氣層係以聚乙烯醇、乙烯乙烯醇共聚物、聚二氯亞乙烯、聚丙烯腈、聚醯胺6、聚酯及丙烯醯樹脂之膜為合適。尤以聚二氯亞乙烯及聚酯因水蒸氣透過性低而合適。基於透明性、硬度以丙烯醯樹脂為優。以厚度1mm以上之薄片用作阻氣層時，上述樹脂以外多有樹脂可用，例如聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚氯乙烯及脂環構造聚合物。考慮光學特性、機械強度、耐熱性等，係以脂環構造聚合物，尤以降烯系聚合物為佳。降烯系聚合物構成之阻氣層透明度高，可兼用作前敘之保護樹脂層。
本發明之發光元件用層積體的較佳樣態係，使發光元 件用層積體之保護樹脂層及阻氣層，亦即比吸氧層外側之全体層的透氧係數在5mL/m2/日以下，3mL/m2/日以下較佳，1mL/m2/日以下更佳，於其內側配置吸氧層之層積體。發光元件用層積體之保護樹脂層及阻氣層之合併透氧係數宜小於共軛二烯聚合物環化物之吸氧速度。發光元件用層積體之保護樹脂層及阻氣層之合併透氧係數若大於共軛二烯聚合物環化物之吸氧速度，則穿透之氧無法被充分吸收，有侵入容器內之虞。具備本樣態之層積體作為基板及封裝容器之發光元件，通常自基板側射出之光亦可自封裝容器側射出。以此，可雙面發光之有機EL元件、以不透明材料用於基板，與通常之有機EL面板相反的自封裝容器側射出光之有機EL面板之提供亦成為可能。
本發明之發光元件的樣態可藉第1圖作說明。發光元件13係以層積陰極4、發光層5、陽極6之發光元件本體10配置於基板11上，其上設置封裝容器12以覆蓋發光元件本體10。為基板11與封裝容器12之接著，使用通常之環氧系接著劑等即可。尤以透氧性低之接著劑為佳。構成基板11及封裝容器12之發光元件用層積體14係由阻氣層1、保護樹脂層2及吸氧層3構成。發光元件用層積體14係配置成吸氧層3在封裝容器12內側，亦即發光元件本體10側。亦可使基板11接觸外氣之部分無吸氧層3存在，或覆以環氧樹脂等而使之不易吸氧。該發光元件用層積體14宜係透明性高，400nm~650nm波長範圍之透光率在85%以上。
如此之發光元件用層積體14，如第1圖，用於發光元件13，最初殘留在封裝容器12內之氧由吸氧層3吸收，可使封裝容器12內為無氧狀態。然後，通過阻氣層1及保護樹脂層2自外部侵入之少量氧由吸氧層3吸收，可經常使封裝容器12內為無氧狀態。封裝容器之側面，第1圖中係放大呈示，實際上發光元件面積遠小於封裝容器底面，且側面全無透明性之必要，故若係透氧性低之原料即無問題。當然亦可如第1圖封裝容器12之側面及底面為同一原料。
第2圖係以本發明之發光元件用層積體14用作封裝容器12，基板11係用其它材質，例如脂環構造聚合物的發光元件13之例。此時雖有少量氧自基板11側侵入之虞，若將基板11加厚壓抑透氧量，亦可順利用於發光元件。
實施例
茲舉實施例更具體說明本發明。以下所述之「份」及「%」除非特加聲明概以質量為準。
各種物性等之測定、評估係如下進行。
(1)共軛二烯聚合物環化物之不飽和鍵減少率
不飽和鍵減少率係參考下述(a)及(b)文獻所述之方法以質子NMR測定求出。
(a)M.a.Golub and J.Heller.Can.J.Chem,41,937(1963)
(b)Y.Tanaka and H.Sato,J.Poiym.Sci：Poiy.Chem.Ed.,17,3027(1979)
共軛二烯聚合物中，於共軛二烯單體單元部位，以環化反應前全部質子尖峰面積為SBT，直接結合於雙鍵之質子的尖峰面積為SBU，環化反應後全部質子尖峰面積為SAT，直接結合於雙鍵之質子的尖峰面積為SAU，則環化反應前直接結合於雙鍵之質子的尖峰面積比率(SB)為SB=SBU/SBT，環化反應後直接結合於雙鍵之質子的尖峰面積比率(SA)為SA=SAU/SAT。因此，不飽和鍵減少率可由(不飽和鍵減少率(%))=100×(SB-SA)/SB求出。
(2)400nm~650nm波長範圍之透光率
400nm~650nm波長範圍之透光率係依JIS K7361-1，用霧度計(日本電色工業(股)製，HAZE METER NDH2000)，自一邊40mm之正方形試片的透光量算出。
(3)吸氧量
試樣在氮氛圍下於100℃壓縮成形後延伸成厚10μm之膜狀。將之裁成100mm×100mm大小，作為吸氧量測定用試樣。將該吸氧量測定用試樣在150mm×220mm大小之聚對酞酸乙二酯(PET)/鋁箔(Al)/聚乙烯薄膜(PE)之3層膜構成的不透氧袋內，連同200毫升之空氣密封。將之放置於23℃，每24小時以氧濃度計測定袋內之氧濃度，以氧濃度不再減少之時間點為吸氧已達飽和，計算試樣1g之吸氧量。氧濃度計係用Neutronics,Inc.製之氧分析計HS-750。
(4)吸氧速度
吸氧速度係如同上述(3)吸氧量之測定作吸氧量測定，以測定開始24小時後之吸氧量表之。測定溫度為23 ℃。
(5)質量平均分子量
質量平均分子量示經凝膠滲透層析分析，以標準聚苯乙烯換算之值。
(6)極性基之含量
極性基之含量係藉傅立葉轉換紅外吸收光譜分析測定極性基之特性尖峰強度，由校正曲線算出。例如，測定酐基之尖峰強度(1760~1780cm-1)，以校正曲線法求出酐基含量。同樣測定羧基之尖峰強度(1700cm-1)，以校正曲線法求出羧基含量。
(7)苯乙烯單體含有率
苯乙烯單體含有率(莫耳%)係以1H-NMR分析求出。
(8)透氧係數
透氧係數係用透氧速度測定器(MOCON,Inc.製OXY-TRAN)在溫度25℃，濕度75%RH之氛圍下測定。
(實施例1)
於具備攪拌機、溫度計、回流冷卻管及氮氣導入管之耐壓反應容器，將裁成10mm見方之聚異平(順-1,4結合單元73%，反-1,4結合單元22%，3,4-結合單元5%，質量平均分子量174,000)300份，連同甲苯700份饋入。反應容器內以氮取代後，於85℃加溫攪拌下使聚異平完全溶解於甲苯後，以甲苯中經回流脫水處理至水分量成為150ppm以下之對甲苯磺酸2.4份投入，於85℃進行環化反應。反應4小時後以含碳酸鈉0.83份之25%碳酸鈉水溶液 停止反應。於85℃使用離子交換水300份洗淨，重複3次去除系中之觸媒殘渣，得聚合物環化物溶液。於所得聚合物環化物溶液添加相當於聚合物環化物20ppm之酚系抗氧化劑(商品名：IRGANOX1010，汽巴特化公司製)後，餾除溶液中之部分甲苯，更經真空乾燥去除甲苯，得共軛二烯聚合物環化物1。測定共軛二烯聚合物環化物1之不飽和鍵減少率、吸氧量、吸氧速度及質量平均分子量。結果如表1。
使用如上製作之共軛二烯聚合物環化物1，以熔融擠出成形法製作寬100mm，100μm之膜。另以降烯聚合物(日本ZEON(股)製ZEONOR1060)原料經擠出成形製作寬100mm，長500mm，厚1mm之薄片。將該薄片切成50mm之正方形，於其一面以上述共軛二烯聚合物環化物1之膜壓合製作層積薄片。使用該層積薄片，於100℃經壓製成形製作共軛二烯聚合物環化物1之膜面為內側的縱40mm，橫40mm，高5mm之有底而上方開口之盒型容器。該盒型容器外表面以蒸鍍法形成120nm之氧化矽膜。以之為由發光元件用層積體製作之發光元件封裝容器。而共軛二烯聚合物環化物因具吸氧性，共軛二烯聚合物環化物膜在可能接觸外氣時，操作係於氮氛圍中進行。以後亦同。
另將上述降烯製薄片裁成50mm之正方形，於其一面以蒸鍍法形成120nm之氧化矽膜。形成該氧化矽膜之薄片的透氧係數為0.8mL/m2/日。該薄片與氧化矽膜反側之全面，以如上之共軛二烯聚合物環化物1之膜同上壓合製作 發光元件用層積體。測定該發光元件用層積體之透光率。其結果如表2。以所製作之發光元件用層積體為發光元件用基板。於氮氛圍中，使氧化矽膜層在外側以該發光元件用基板覆蓋發光元件封裝容器之上方開口，發光元件用基板與發光元件封裝容器上端面之接觸面以環氧樹脂接著劑接著，使發光元件封裝容器由上述發光元件用基板完全密封。以之為經密封之發光元件，於氮氛圍下開出小孔插入氧濃度測定用感測器，以該插入封鎖上述小孔。確認由發光元件用基板密封之發光元件封裝容器的密閉空間內氧濃度為0。將該由發光元件用基板密封之發光元件封裝容器(亦稱準發光元件)放置於大氣中，假定密閉空間為有機EL元件內部，測定1日、10日、100日後之氧濃度。結果如表2。
(實施例2)
對甲苯磺酸用量改為2.25份，環化反應後添加之碳酸鈉量改為0.78份以外，如同實施例1得共軛二烯聚合物環化物2。取代共軛二烯聚合物環化物1改用共軛二烯聚合物環化物2之外如同實施例1製作盒型容器及發光元件用層積體。對該等作如同實施例1之評估。結果如表1及表2。
(實施例3)
用於實施例1之聚異平改為順-1,4結合單元99%以上，質量平均分子量302,000之高順式聚異平，對甲苯磺酸之用量改為2.16份，環化反應後添加之碳酸鈉量改為 0.75份以外，如同實施例1得共軛二烯聚合物環化物3。取代共軛二烯聚合物環化物1改用共軛二烯聚合物環化物3之外如同實施例1製作盒型容器及發光元件用層積體。對該等作如同實施例1之評估。結果如表1及表2。
(實施例4)
聚異平改為順-1,4結合單元68%，反-1,4結合單元25%，3,4-結合單元7%，質量平均分子量141,000之聚異平，對甲苯磺酸用量改為2.69份，環化反應後添加之碳酸鈉量改為1.03份以外，如同實施例1得共軛二烯聚合物環化物4。取代共軛二烯聚合物環化物1改用共軛二烯聚合物環化物4之外如同實施例1製作盒型容器及發光元件用層積體。對該等作如同實施例1之評估。結果如表1及表2。
(實施例5)
於實施例1得之共軛二烯聚合物環化物1溶液添加順丁烯二酐2.5份，於160℃進行加成反應4小時。餾除溶液中之部分甲苯，以對於共軛二烯聚合物環化物1相當於300ppm之量的酚系抗氧化劑(商品名：IRGANOX1010，汽巴特化公司製)添加後，更經真空乾燥去除甲苯及未反應之順丁烯二酐，得改質共軛二烯聚合物環化物(稱作共軛二烯聚合物環化物5)。取代共軛二烯聚合物環化物1改用共軛二烯聚合物環化物5之外如同實施例1製作盒型容器及發光元件用層積體。對該等作如同實施例1之評估。結果如表1及表2。共軛二烯聚合物環化物5之極性基含量測定結果 併列於表1。
(實施例6)
對甲苯磺酸用量改為2.25份，環化反應後添加之碳酸鈉量改為0.78份以外，如同實施例5得改質共軛二烯聚合物環化物(稱作共軛二烯聚合物環化物6)。取代共軛二烯聚合物環化物1改用共軛二烯聚合物環化物6之外如同實施例1製作盒型容器及發光元件用層積體。對該等作如同實施例5之評估。結果如表1及表2。共軛二烯聚合物環化物6之極性基含量測定結果併列於表1。
(實施例7)
聚異平改為順-1,4結合單元99%以上，質量平均分子量302,000之高順式聚異平，對甲苯磺酸之用量改為2.16份，環化反應後添加之碳酸鈉量改為0.75份以外，如同實施例5得共軛二烯聚合物環化物(稱作共軛二烯聚合物環化物7)。取代共軛二烯聚合物環化物1改用共軛二烯聚合物環化物7之外如同實施例1製作盒型容器及發光元件用層積體。對該等作如同實施例5之評估。結果如表1及表2。共軛二烯聚合物環化物7之極性基含量測定結果併列於表1。
(實施例8)
聚異平改為順-1,4結合單元68%，反-1,4結合單元25%及3,4結合單元7%之質量平均分子量141,000之聚異平，對甲苯磺酸之用量改為2.69份，環化反應後添加之碳酸鈉量改為1.03份以外，如同實施例5得共軛二烯聚合物 環化物(稱作共軛二烯聚合物環化物8)。取代共軛二烯聚合物環化物1改用共軛二烯聚合物環化物8之外如同實施例1製作盒型容器及發光元件用層積體。對該等作如同實施例5之評估。結果如表1及表2。共軛二烯聚合物環化物8之極性基含量測定結果併列於表1。
(實施例9)
於附有攪拌機之熱壓器饋入環己烷8000份，苯乙烯320份，正丁鋰(濃度1.56莫耳/升之己烷溶液)19.9毫莫耳，將內溫升溫至60℃聚合30分鐘。苯乙烯之聚合轉化率約為100%。取一部分聚合溶液，測定所得聚苯乙烯之質量平均分子量，為14,800。其次，控制使內溫不超過75℃，一面經60分鐘連續添加異平1840份。添加完後，更於70℃反應1小時。此時聚合轉化率約為100%。於上述聚合溶液添加β-萘磺酸-福馬林縮合物之鈉鹽的1%水溶液0.362份，停止聚合反應，得聚苯乙烯嵌段及聚異平嵌段構成之二嵌段的嵌段共聚物a。取其一部分，測定質量平均分子量，為178,000。
繼之，於上述聚合物溶液添加二甲苯磺酸18.4份，於80℃進行環化反應4小時。然後添加含碳酸鈉6.2份之碳酸鈉25%水溶液，停止環化反應，於80℃攪拌30分鐘。將所得聚合物溶液使用孔徑1μm之玻纖濾材過濾去除環化觸媒殘渣，得含嵌段共聚物A之溶液。對該溶液1000份添加酚系抗氧化劑(商品名：IRGANOX1010，汽巴特化公司製)0.062份後，於120℃攪拌下餾除溶劑，固體成分濃度 達85質量%時，升溫至160℃，更於減壓下完全去除溶劑，得嵌段共聚物共軛二烯聚合物環化物9。取代共軛二烯聚合物環化物1改用共軛二烯聚合物環化物9之外，如同實施例1製作盒型容器及發光元件用層積體。對該等作如同實施例1之評估。結果如表1及表2。共軛二烯聚合物環化物9之苯乙烯單元含有率測定結果併列於表1。
(實施例10)
攪拌含實施例9得之共軛二烯聚合物環化物9之溶液1000份一面於120℃餾除溶劑至固體成分濃度達80質量%。其次，於該濃縮溶液添加順丁烯二酐4.41份，於160℃進行加成反應1小時。然後於160℃餾除未反應之順丁烯二酐及溶劑，添加酚系抗氧化劑(商品名：IRGANOX1010，汽巴特化公司製)0.062份後，將之移入經四氟乙烯樹脂被覆之容器。於75℃減壓乾燥，得經順丁烯二酐加成之改質共軛二烯聚合物環化物(稱作共軛二烯聚合物環化物10)。取代共軛二烯聚合物環化物1改用共軛二烯聚合物環化物10之外如同實施例1製作盒型容器及發光元件用層積體。對該等作如同實施例1之評估。結果如表1及表2。共軛二烯聚合物環化物10之極性基含量及苯乙烯單元含有率測定結果併列於表1。上述實施例9、10得之共軛二烯聚合物環化物皆實質上不含不溶於甲苯之凝膠。
(實施例11)
取代實施例1之條件，將聚異平樹脂改為下述分子量之物(順-1,4結合單元73%，反-1,4結合單元22%，3,4- 單元5%，質量平均分子量154,000)，使反應溫度為80℃，觸媒量為2.19份，反應時間為4小時，其它操作如同實施例1，得共軛二烯聚合物環化物11。取代共軛二烯聚合物環化物1改用共軛二烯聚合物環化物11之外如同實施例1製作盒型容器及發光元件用層積體。對該等作如同實施例1之評估。結果如表1及表2。
(比較例1)
氮氛圍下將聚異平(順-1,4結合單元73%，反-1,4結合單元22%，3,4-結合單元5%，質量平均分子量174,000)於100℃壓縮成形製成厚度120μm之聚異平膜，將該聚異平膜裁成100mm×100mm得試片。取代共軛二烯聚合物環化物1之膜改用上述試片以外如同實施例1製作盒型容器及發光元件用層積體。對該等作如同實施例1之評估。結果如表1及表2。本比較例無環化反應之進行，不飽和鍵減少率為0%。
(比較例2)
調製β-蒎烯聚合物(YS RESIN PXN-1150N；YASUHARA CHEMICAL(股)製)之20%甲苯溶液後，以甲醇沈澱純化，得抗氧化劑經去除之β-蒎烯聚合物。取代聚異平改用抗氧化劑經去除之β-蒎烯聚合物以外如同比較例1製作試片，作同樣之評估。結果如表1及表2。本比較例係使用並非共軛二烯聚合物環化物的聚合物之例。
(比較例3)
基於專利文獻3之實施例16，得環戊烯單元15.5莫 耳%之乙烯-環戊烯共聚物(質量平均分子量=83,500)。氮氛圍下調製上述乙烯-環戊烯共聚物之30%甲苯溶液，將之於厚50μm的聚對酞酸乙二酯膜上塗敷．乾燥，形成厚度120μm之乙烯-環戊烯共聚物膜得層積膜。自所得層積膜剝離形成之共聚物膜，裁成100mm×100mm得試片。取代聚異平膜，改用所得之試片以外如同比較例1作評估。結果如表1及表2。本比較例係使用並非共軛二烯聚合物環化物的聚合物之例。
(比較例4)
攪拌含實施例9得之嵌段共聚物a的溶液1000份(固體成分濃度=20.9%)一面於120℃餾除溶劑至固體成分濃度達80質量%。於其添加順丁烯二酐4.41份，於160℃進行加成反應1小時。然後於160℃餾除未反應之順丁烯二酐及溶劑，添加酚系抗氧化劑(商品名：IRGANOX1010，汽巴特化公司製)0.062份後，將之流延於經四氟乙烯樹脂被覆之容器。將之於75℃減壓乾燥，得經順丁烯二酐加成之改質共軛二烯聚合物環化物。取代共軛二烯聚合物環化物1改用改質共軛二烯聚合物環化物之外如同實施例1製作盒型容器及發光元件用層積體。對該等作如同實施例10之評估。結果如表1及表2。改質共軛二烯聚合物環化物之極性基含量及苯乙烯單元含有率測定結果併列於表1。本比較例無環化反應之進行，不飽和鍵減少率為0%。
由以上實施例可知，使用本發明之發光元件用層積體的準發光元件，封裝空間內測定期間氧濃度在測定極限 0.001%以下，可保實質上之完全無氧狀態。而由比較例可知，不使用本發明之層積體則隨著時間封裝空間內氧濃度上升，完全無法保有無氧狀態。
產業上可利性
以本發明之發光元件用層積體可以提供具透明性之樹脂製兼用作吸氧構件的有機EL元件用基板及/或封裝容器。以此，亦可提供發光元件兩面具透光性之撓性新穎有機EL元件。
1‧‧‧阻氣層
2‧‧‧保護樹脂層
3‧‧‧吸氧層
4‧‧‧陰極
5‧‧‧有機發光層
6‧‧‧陽極
8‧‧‧藥劑配置部
10‧‧‧發光元件本體
11‧‧‧基板
12‧‧‧封裝容器
13‧‧‧發光元件
14‧‧‧發光元件用層積體
1’‧‧‧具保護樹脂層之功能的阻氣層
3’‧‧‧具保護樹脂層之功能的吸氧層
第1圖具備本發明之發光元件用層積體的發光元件之一例的說明圖。
第2圖具備本發明之發光元件用層積體的發光元件之一例的說明圖。
第3圖習知有機EL元件之說明圖。
第4圖本發明之發光元件用層積體的層積構造之例示圖。
第5圖本發明之發光元件用層積體的層積構造之例示圖。
第6圖本發明之發光元件用層積體的層積構造之例示圖。
第7圖本發明之發光元件用層積體的層積構造之例示圖。
第8圖本發明之發光元件用層積體的層積構造之例示圖。
第9圖本發明之發光元件用層積體的層積構造之例示圖。
第10圖本發明之發光元件用層積體的層積構造之例示圖。
1‧‧‧阻氣層
2‧‧‧保護樹脂層
3‧‧‧吸氧層
4‧‧‧陰極
5‧‧‧有機發光層
6‧‧‧陽極
10‧‧‧發光元件本體
11‧‧‧基板
12‧‧‧封裝容器
13‧‧‧發光元件
14‧‧‧發光元件用層積體

Claims (9)

  1. 一種發光元件用層積體，其特徵為由含有由共軛二烯聚合物經環化反應得之共軛二烯聚合物環化物的吸氧層及阻氣層層積而成，該共軛二烯聚合物中的共軛二烯單體的含量為40莫耳%以上，該共軛二烯單體部位中因不飽和鍵環化反應而減少的程度所示之不飽和鍵減少率在10%以上之共軛二烯聚合物環化物，該吸氧層不含過渡金屬鹽。
  2. 如申請專利範圍第1項的發光元件用層積體，其中共軛二烯聚合物環化物之吸氧量在5mL/g以上。
  3. 如申請專利範圍第1項的發光元件用層積體，其中吸氧層自其表面之吸氧速度在1mL/m2/日以上。
  4. 如申請專利範圍第1項的發光元件用層積體，其中共軛二烯聚合物環化物係改質共軛二烯聚合物環化物。
  5. 如申請專利範圍第1項的發光元件用層積體，其中阻氣層之透氧係數在5mL/m2/日以下。
  6. 如申請專利範圍第1項的發光元件用層積體，其中400nm~650nm波長範圍之透光率在85%以上。
  7. 如申請專利範圍第1項的發光元件用層積體，其中上述共軛二烯聚合物係共軛二烯單體與其它單體之共聚物。
  8. 如申請專利範圍第7項的發光元件用層積體，其中上述其它單體係苯乙烯。
  9. 一種發光元件，其特徵為具備基板、配置於該基板上之發光元件本體以及封裝該發光元件本體與該基板之封 裝容器，上述基板及/或上述封裝容器係由如申請專利範圍第1項之層積該吸氧層與阻氣層而成的發光元件用層積體形成，該吸氧層配置於該發光元件本體存在的一側，至少1個上述阻氣層配置於該吸氧層中該發光元件本體存在側的相反側。
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