TWI381255B - 雙面光學片滾壓對位量測系統及其方法 - Google Patents

Description

雙面光學片滾壓對位量測系統及其方法

本發明係為一種雙面光學片滾壓對位量測系統及其方法。

滾筒奈米壓印對位是未來製程需求，相關類似需求在近來相關期刊已經有類似發表。因現階段液晶顯示器之整體結構光能消耗非常嚴重，使用率只有3%~6%，針對液晶顯示器中最耗損能源的極化偏光片(損耗60%)、彩色濾光膜(損耗70%)及液晶主動矩陣之開口率問題(損耗30%)，業界有提出微奈米結構膜片新技術，藉由繞射式光學膜片分光來解決高耗能低效率問題，其原理如圖一所示，光源10射入分束膜12之後會被收斂，之後再被分色膜14進行分色動作；此繞射式光學膜片係由滾壓方式來製造，雖然滾壓製造可大幅降低製造成本，產能高，但相對會因製造尺寸公差影響而無法達成原始產品要求。其中影響滾製最大是膜片角度錯位問題。當有膜片角度有錯位時，光學膜片會因此偏光強度分佈不均而使分光效果不明顯，當上下光柵夾一小度時，繞射效率變化使分光效率大幅下降。因此必須將雙層微結構錯位(mismatch)資訊回饋給模具或膜片驅動裝置，經由反覆校正才能達到微奈米級精確對位，以大幅提升膜片製程良率與光能效率。

分光膜片係為光柵結構(grating)，成品經由熱滾壓(hot embossing)裝置或UV固化滾壓成型機台(UVembossing)裝置所印出，如圖二所示，上下滾筒22與24各配置含有光柵結構(blazed grating)區塊之圖案220與240，製作分光元件時可將滾筒上之微結構圖樣圖案(microstructure pattern)轉印至光學膜片20上，而當圖案需雙面時且需精確定位時，要如何找出錯位與繞射效率變化就相當重要。

美國專利第7121496號係揭露一種在滾軸(roll-to-roll)製程中用於矯正變形之系統及方法，其包含電腦系統包含控制感測元件與基材，利用光照並且圖案上有對比訊號圖案有比對的功能，然而其無法在透明材質上達成「秒」級以下之誤差要求。

當經由一連串實驗嘗試找出相關雙面膜片對位誤差影響時，會發現一般顯微裝置無法同時觀察上下層相關膜片訊號，也無法判別其上下夾角變化差異，其原因在於膜片厚度約0.4毫米(mm)，而光柵週期設計範圍為4微米(um)，深度為1微米(um)，其尺寸需以高倍率物鏡才可看到表面明顯明暗圖案，但因景深(depth of focus)過淺無法看到下層光柵結構，因此無法獲得明顯莫爾圖樣(the morie’effect)疊對圖案效果，只能看到單層結構，而低倍率物鏡因數值孔徑過小，光學膜片材質本身為高透光材質，因此圖案明暗對比低。因此，要如何使差異能被放大以有利偵測且不受環境震動影響是非常重要課題。

本發明係提供一種雙面光學片滾壓對位量測系統，係用來在一基板之兩面上形成圖案，包含：一滾筒單元，包括：一第一滾筒，其表面係設有第一增亮膜圖案及第一對位圖案；以及一第二滾筒，其表面係設有第二增亮膜圖案及第二對位圖案；其中，該第一滾筒與第二滾筒係相對設置，使得基板之兩面係分別接觸該第一滾筒與第二滾筒，該第一增亮膜圖案與該第一對位圖案會在基板一側上分別形成第一增亮膜區與第一對位區，該第二增亮膜圖案與該第二對位圖案則會在基板另一側上分別形成第二增亮膜區與第二對位區，且該第一增亮膜區與第二增亮膜區係彼此相對，而第一對位區與第二對位區則非相對；一量測單元，係用於分別量測該第一對位區與第二對位區所造成之繞射圖案；以及一控制單元，係分別與該滾筒單元及量測單元電性連接，並根據量測單元所量得之繞射圖案調整該第一滾筒與第二滾筒之相對位置。

本發明更提供一種雙面光學片滾壓對位量測方法，用於量測一基板兩面上之圖案，該方法係包含步驟：提供一滾筒單元、一量測單元及一控制單元，該滾筒單元包括一第一滾筒及一第二滾筒，該第一滾筒之表面係設有第一增亮膜圖案及第一對位圖案，該第二滾筒之表面係設有第二增亮膜圖案及第二對位圖案；其中，該第一滾筒與第二滾筒係相對設置，使得基板之兩面係分別接觸該第一滾筒與第二滾筒，該第一增亮膜圖案與該第一對位圖案會在基板一側上分別形成第一增亮膜區與第一對位區，該第二增亮膜圖案與該第二對位圖案則會在基板另一側上分別形成第二增亮膜區與第二對位區，且該第一增亮膜區與第二增亮膜區係彼此相對，而第一對位區與第二對位區則非相對；該控制單元則分別與該滾筒單元及量測單元電性連接；於控制單元中建立一繞射式疊對量測模型；量測單元對第一對位區與第二對位區分別射入光束；量測單元分別量測第一對位區與第二對位區所造成之一繞射圖案並傳回控制單元；以及控制單元將第一對位區與第二對位區所造成之該繞射圖案與該繞射式疊對量測模型進行分析比對，並據以決定是否調整第一滾筒與第二滾筒之相對位置。

為使　貴審查委員對於本發明之結構和功效有更進一步之了解與認同，茲配合圖示詳細說明如後。

本發明之雙面光學片滾壓對位量測系統的示意圖係如圖三所示。雙面光學片滾壓對位量測系統3包含由第一滾筒32與第二滾筒34所組成之滾筒單元、兩個量測單元36與38，以及一控制單元3000。第一滾筒32與第二滾筒34係藉由一驅動器3020電性連接至控制單元3000，而量測單元36與量測單元38亦電性連接至控制單元3000。第一滾筒32與第二滾筒34係用於在基板30之兩側表面上壓製出微結構圖案(圖中未示出，將於後詳述)，而量測單元36與量測單元38再分別量測基板30之兩側表面上之微結構圖案並將資訊傳回至控制單元3000，控制單元3000根據量測單元36與量測單元38量測到之影像資訊與預設之影像資訊進行比對後，再藉由驅動器3020回授調整第一滾筒32與第二滾筒34彼此間之相對位置。

圖四係為本發明使用之滾筒組在運作時之示意圖。第一滾筒32之表面設有第一增亮膜圖案320與第一對位圖案322，第二滾筒34之表面則設有第二增亮膜圖案340及第二對位圖案342。第一滾筒32與第二滾筒34係相對配置，使得當進行滾壓時，基板30之兩面會分別接觸第一滾筒32與第二滾筒34，而第一增亮膜圖案320便會在基板30之一側上形成第一增亮膜區300，該第一對位圖案322則會在基板30上形成第一對位區302，第二增亮膜圖案340則在基板30之另一側上形成第二增亮膜區304，第二對位圖案342則在基板30上形成第二對位區306，且該第一增亮膜區300與第二增亮膜區304係彼此相對，而第一對位區302與第二對位區306彼此則不相對，如此將有利於後續之量測動作。

而增亮膜區與對位區彼此間之關係可為相鄰或分開，如圖五及圖六所示。於圖五中，第一增亮膜區300與第一對位區302係為相同圖案且係相鄰；同樣地，第二增亮膜區304與第二對位區306亦為相同圖案且係相鄰。而於圖六中，第一增亮膜區300與第一對位區302係為相同圖案但並不相鄰，其間係以一空白區間G隔開；類似地，第二增亮膜區304與第二對位區306亦為相同圖案且係以空白區間G隔開。

在量測方面，本發明係可使用如下示例之量測方式。首先請參見圖七，該圖中之量測單元係包含一調制光源70、一半反射鏡71、一第一反射鏡組72、一第一量測元件73、一第二反射鏡組74及一第二量測元件75。該半反射鏡71用於將調制光源70所發出之光束700分成一第一光束701與一第二光束702。第一光束701會被第一反射鏡組72反射並依序垂直通過基材30以及第一對位區302，之後第一量測元件73便量測第一光束701穿透該第一對位區302後所產生之繞射圖案；類似地，第二光束702則被第二反射鏡組74(由反射鏡740與反射鏡741所組成)反射並依序垂直通過基材30以及第二對位區306，之後第二量測元件75便量測第二光束702穿透該第二對位區306後所產生之繞射圖案；而第一量測元件73量測到之繞射圖案與第二量測元件75量測到之繞射圖案便與主機端預設之繞射圖案進行比對，藉以判斷第一滾筒32與第二滾筒34之相對位置是否正確，若不正確則進行回授調整。

再請參見圖八，該圖中之量測單元係包含一調制光源80、一半反射鏡81、一第一反射鏡組82、一第一反射面鏡83、一第一量測元件84、一第二反射鏡組85、一第二反射面鏡86及一第二量測元件87。該半反射鏡81用於將調制光源80所發出之光束800分成一第一光束801與一第二光束802。第一光束801會被第一反射鏡組82反射並依序垂直通過基材30以及第一對位區302，通過第一對位區302之第一光束801會被第一反射面鏡83再度反射通過該第一對位區302及基材30，之後第一量測元件84再量測經兩次穿透該第一對位區302之第一光束801所產生之繞射圖案(利用兩次穿透可放大角度誤差以利於量測)；類似地，第二光束802亦被第二反射鏡組85(由反射鏡850與反射鏡851所組成)反射並依序垂直通過基材30以及第二對位區306，通過第二對位區306之第二光束802會被第二反射面鏡86再度反射通過該第二對位區306及基材30，之後第二量測元件87再量測經兩次穿透該第二對位區306之第二光束802所產生之繞射圖案；而第一量測元件84量測到之繞射圖案與第二量測元件87量測到之繞射圖案便與主機端預設之繞射圖案進行比對，藉以判斷第一滾筒32與第二滾筒34之相對位置是否正確，若不正確則進行回授調整。

接著請參見圖九，該圖所示係為本發明所採用之第三種量測方式。量測單元係包含一調制光源90、一第一半反射鏡91、一第一反射鏡組92、一第一量測元件93、一第二半反射鏡94、一第二反射鏡組95、一第二量測元件96、一第三半反射鏡97、一第三反射鏡組98、一第三量測元件99、一第四反射鏡組100及一第四量測元件101。該第一半反射鏡91用於將調制光源90所發出之光束900分成一第一光束901與一第二光束902。第一光束901會被第一反射鏡組92反射至第二滾筒34上之第二增亮膜圖案340(當然，亦可將第一光束901反射至第二滾筒34上之第二對位圖案342)，該第一量測元件93便接著量測被第二增亮膜圖案340(或第二對位圖案342)反射後之第一光束901。第二光束902會被第二半反射鏡94分成一第三光束903與一第四光束904。第三光束903會被第二反射鏡組95反射並依序垂直通過基材30以及第一對位區302，之後第二量測元件96便量測第三光束903穿透該第一對位區302後所產生之繞射圖案。第四光束904會被第三半反射鏡97分成一第五光束905與一第六光束906。第五光束905會被第三反射鏡組98反射並依序垂直通過基材30以及第二對位區306，之後第三量測元件99便量測第五光束905穿透該第二對位區306後所產生之繞射圖案。第六光束906會被第四反射鏡組100(由反射鏡1000與反射鏡1001所組成)反射至第一滾筒32上之第一增亮膜圖案320(當然，亦可將第六光束906反射至第一滾筒32上之第一對位圖案322)，該第四量測元件101便接著量測被第一增亮膜圖案320(或第一對位圖案322)反射後之第六光束906。由於本實施例中有針對第一滾筒32與第二滾筒34進行表面圖案之量測，因此可判斷滾筒是否變形、損傷、或是位移，亦可以作為判斷第一滾筒32與第二滾筒34之相對位置是否正確的依據。當然，第二量測元件96量測到之繞射圖案與第三量測元件99量測到之繞射圖案也會與主機端預設之繞射圖案進行比對，藉以判斷第一滾筒32與第二滾筒34之相對位置是否正確，若不正確則進行回授調整。

圖十所示係為本發明所採用之第四種量測方式。其中之量測單元包含一第一混色光源110a、一第一物鏡111a、一第一光感應體112a、一第二混色光源110b、一第二物鏡111b及一第二光感應體112b。該第一混色光源110a係發射第一光束1100a並使第一光束1100a依序通過基板30及第一對位區302，之後第一光束1100a會被第一物鏡111a聚焦於第一光感應體112a，第一光感應體112a再個別量測通過第一對位區302後之RGB影像；類似地，第二混色光源110b發射第二光束1100b並使第二光束1100b依序通過基板30及第二對位區306，之後第二光束1100a會被第二物鏡111b聚焦於第二光感應體112b，第二光感應體112b再個別量測通過第二對位區306後之RGB影像。之後，透過影像計算分析重合方法，以影像疊合紋判斷第一對位區302與第二對位區306(即上下光柵)之角度錯位差異。此配置可避免景深限制，收集高階光資訊，並應用影像圖案疊合方式獲得上下層相對夾角資訊，並分析通過光柵光譜變化特性，同時建立角度比對時之訊號變化。

再請參見圖十一，該圖係為圖十之變化例。圖十一中之元件配置與元件符號係與圖十相同，於此不再贅述；然而圖十一之量測方式係在第一物鏡111a與第一光感應體112a之間增設有一第一參考光柵113a，而在第二物鏡111b與第二光感應體112b之間增設有一第二參考光柵113b。該第一參考光柵113a係用於將第一物鏡111a聚焦後之第一光束1100a反射至第一光感應體112a，該第二參考光柵113b則用於將第二物鏡111b聚焦後之第二光束1100b反射至第二光感應體112b。

在設置時，該第一參考光柵113a之光柵排列方向係不平行於第一對位區302之延伸方向(該第一參考光柵113a與第一對位區302之排列方向較佳係呈相互垂直)；類似地，該第二參考光柵113b之光柵排列方向係不平行於第二對位區306之延伸方向(該第二參考光柵113b與第二對位區306之排列方向較佳亦為相互垂直)。此配置增加收集二維高階光資訊，使對比更靈敏，並應用影像圖案疊合方式獲得上下層相對夾角資訊，並分析通過光柵光譜變化特性，同時建立角度比對時之訊號變化。

圖十二所示係為利用本發明雙面光學片滾壓對位量測系統所進行之雙面光學片滾壓對位量測方法。該雙面光學片滾壓對位量測方法包括步驟：

12a-於控制單元中建立繞射式疊對量測模型。於此步驟中，在控制單元中建立繞射式疊對量測模型，並輸入疊對光柵圖案參考尺寸與材料參數以獲得繞射訊號反應曲面，並建立目標函數。

12b-量測單元對第一對位區與第二對位區分別射入光束。

12c-量測單元分別量測第一對位區與第二對位區所造成之繞射圖案並傳回控制單元。

12d-控制單元將第一對位區與第二對位區所造成之繞射圖案與繞射式疊對量測模型進行分析比對。

12e-控制單元評估誤差量是否在預設範圍內？如是，則進行步驟12f；如否，則進行步驟12g。

12f-完成建立偏移量比對，輸出偏移量訊號。

12g-控制單元調整第一滾筒與第二滾筒之相對位置，並返回步驟12b。

由上可知，本發明之雙面光學片滾壓對位量測系統利用閃耀光柵(blazed grating)方式測量經設計過後圖案，經高階圖案繞射變化且疊合高階影像後可反推滾製中上下滾輪結構之夾角錯位(mismatch)變化，除了能根據量測比對結果進行回授控制外，亦能進行即時線上調整，相較於習知技術具有顯著之進步功效，合應獲得專利以使相關產業之從業人員能據以利用來促進產業發展。

唯以上所述者，僅為本發明之較佳實施態樣爾，當不能以之限定本發明所實施之範圍。即大凡依本發明申請專利範圍所作之均等變化與修飾，皆應仍屬於本發明專利涵蓋之範圍內，謹請　貴審查委員明鑑，並祈惠准，是所至禱。

3．．．雙面光學片滾壓對位量測系統

10．．．光源

12．．．分束膜

14．．．分色膜

20．．．光學膜片

22．．．滾筒

24．．．滾筒

30．．．基板

32．．．第一滾筒

34．．．第二滾筒

36．．．量測單元

38．．．量測單元

70．．．調制光源

71．．．半反射鏡

72．．．第一反射鏡組

73．．．第一量測元件

74．．．第二反射鏡組

75．．．第二量測元件

80．．．調制光源

81．．．半反射鏡

82．．．第一反射鏡組

83．．．第一反射面鏡

84．．．第一量測元件

85．．．第二反射鏡組

86．．．第二反射面鏡

87．．．第二量測元件

90．．．調制光源

91．．．第一半反射鏡

92．．．第一反射鏡組

93．．．第一量測元件

94．．．第二半反射鏡

95．．．第二反射鏡組

96．．．第二量測元件

97．．．第三半反射鏡

98．．．第三反射鏡組

99．．．第三量測元件

100．．．第四反射鏡組

101．．．第四量測元件

110a．．．第一混色光源

110b．．．第二混色光源

111a．．．第一物鏡

111b．．．第二物鏡

112a．．．第一光感應體

112b．．．第二光感應體

113a．．．第一參考光柵

113b．．．第二參考光柵

220．．．圖案

240．．．圖案

300．．．第一增亮膜區

302．．．第一對位區

304．．．第二增亮膜區

306．．．第二對位區

320．．．第一增亮膜圖案

322．．．第一對位圖案

340．．．第二增亮膜圖案

342．．．第二對位圖案

700．．．光束

701．．．第一光束

702．．．第二光束

740．．．反射鏡

741．．．反射鏡

800．．．光束

801．．．第一光束

802．．．第二光束

850．．．反射鏡

851．．．反射鏡

900．．．光束

901．．．第一光束

902．．．第二光束

903．．．第三光束

904．．．第四光束

905．．．第五光束

906．．．第六光束

1000．．．反射鏡

1001．．．反射鏡

1100a．．．第一光束

1100b．．．第二光束

3000．．．控制單元

3020．．．驅動器

G．．．空白區間

圖一係為繞射式光學膜片之分光原理示意圖；

圖二係為利用滾壓成型製作分光膜片之示意圖；

圖三係為本發明之雙面光學片滾壓對位量測系統之系統示意圖；

圖四係為本發明利用滾壓成型製作分光膜片之示意圖；

圖五係為本發明光學膜片之增亮膜區與對位區之關係示意圖；

圖六係為本發明光學膜片之增亮膜區與對位區之關係示意圖；

圖七係為本發明雙面光學片滾壓對位量測系統之量測方法示意圖；

圖八係為本發明雙面光學片滾壓對位量測系統之量測方法示意圖；

圖九係為本發明雙面光學片滾壓對位量測系統之量測方法示意圖；

圖十係為本發明雙面光學片滾壓對位量測系統之量測方法示意圖；

圖十一係為本發明雙面光學片滾壓對位量測系統之量測方法示意圖；以及

圖十二係為本發明雙面光學片滾壓對位量測方法之流程圖。

3．．．雙面光學片滾壓對位量測系統

30．．．基板

32．．．第一滾筒

34．．．第二滾筒

36．．．量測單元

38．．．量測單元

3000．．．控制單元

3020．．．驅動器

Claims (28)

1. 一種雙面光學片滾壓對位量測系統，係用來在一基板之兩面上形成圖案，包含：一滾筒單元，包括：一第一滾筒，其表面係設有一第一增亮膜圖案及一第一對位圖案；以及一第二滾筒，其表面係設有一第二增亮膜圖案及一第二對位圖案；其中，該第一滾筒與第二滾筒係相對設置，使得該基板之兩面係分別接觸該第一滾筒與第二滾筒，該第一增亮膜圖案與該第一對位圖案會在該基板一側上分別形成一第一增亮膜區與一第一對位區，該第二增亮膜圖案與該第二對位圖案則會在該基板另一側上分別形成一第二增亮膜區與一第二對位區，且該第一增亮膜區與第二增亮膜區係彼此相對，而該第一對位區與第二對位區則非相對；一量測單元，係用於分別量測該第一對位區與第二對位區所造成之繞射圖案；以及一控制單元，係分別與該滾筒單元及量測單元電性連接，並根據該量測單元所量得之繞射圖案調整該第一滾筒與第二滾筒之相對位置。
2. 如申請專利範圍第1項之雙面光學片滾壓對位量測系統，其中該第一增亮膜圖案係為複數個相鄰之線性三角柱型圖案。
3. 如申請專利範圍第1項之雙面光學片滾壓對位量測系統，其中該第一對位圖案係為複數個相鄰之線性三角柱型圖案。
4. 如申請專利範圍第1項之雙面光學片滾壓對位量測系統，其中該第二增亮膜圖案係為複數個相鄰之線性三角柱型圖案。
5. 如申請專利範圍第1項之雙面光學片滾壓對位量測系統，其中該第二對位圖案係為複數個相鄰之線性三角柱型圖案。
6. 如申請專利範圍第1項之雙面光學片滾壓對位量測系統，其中該第一增亮膜圖案與該第一對位圖案係相鄰。
7. 如申請專利範圍第1項之雙面光學片滾壓對位量測系統，其中該第一增亮膜圖案與該第一對位圖案係不相鄰。
8. 如申請專利範圍第1項之雙面光學片滾壓對位量測系統，其中該第二增亮膜圖案與該第二對位圖案係相鄰。
9. 如申請專利範圍第1項之雙面光學片滾壓對位量測系統，其中該第二增亮膜圖案與該第二對位圖案係不相鄰。
10. 如申請專利範圍第1項之雙面光學片滾壓對位量測系統，其中該量測單元係包含：一調制光源；一半反射鏡，用於將調制光源所發出之光束分成一第一光束與一第二光束；一第一反射鏡組，用於將第一光束反射通過基材，再通過第一對位區；一第一量測元件，用於量測通過該第一對位區後所產生之繞射圖案；一第二反射鏡組，用於將第二光束反射通過基材，再通過第二對位區；以及一第二量測元件，用於量測通過該第二對位區後所產生之繞射圖案。
11. 如申請專利範圍第1項之雙面光學片滾壓對位量測系統，其中該量測單元係包含：一調制光源；一半反射鏡，用於將調制光源所發出之光束分成一第一光束與一第二光束；一第一反射鏡組，用於將第一光束反射通過基材，再通過第一對位區；一第一反射面鏡，用於將通過第一對位區之第一光束再度反射通過第一對位區以及通過基材；一第一量測元件，用於量測通過該基材後所產生之二次繞射圖案；一第二反射鏡組，用於將第二光束反射通過基材，再通過第二對位區；一第二反射面鏡，用於將通過第二對位區之第二光束再度反射通過第二對位區以及通過基材；以及一第二量測元件，用於量測通過該基材後所產生之二次繞射圖案。
12. 如申請專利範圍第1項之雙面光學片滾壓對位量測系統，該量測單元係包含：一調制光源；一第一半反射鏡，用於將調制光源所發出之光束分成一第一光束與一第二光束；一第一反射鏡組，用於將第一光束反射至第二滾筒上之第二對位圖案；一第一量測元件，用於量測被第二對位圖案反射後之第一光束；一第二半反射鏡，用於將第二光束分成一第三光束與一第四光束；一第二反射鏡組，用於將第三光束反射通過基材，再通過第一對位區；一第二量測元件，用於量測通過該第一對位區後所產生之繞射圖案；一第三半反射鏡，用於將第四光束分成一第五光束與一第六光束；一第三反射鏡組，用於將第五光束反射通過基材，再通過第二對位區；一第三量測元件，用於量測通過該第二對位區後所產生之繞射圖案；一第四反射鏡組，用於將第六光束反射至第一滾筒上之第一對位圖案；以及一第四量測元件，用於量測被第一對位圖案反射後之第六光束。
13. 如申請專利範圍第1項之雙面光學片滾壓對位量測系統，該量測單元係包含：一第一混色光源，係發射第一光束並使第一光束依序通過基板及第一對位區；一第一物鏡，係用於聚焦通過該第一對位區之第一光束；一第一光感應體，係用於感測通過該第一物鏡之第一光束；一第二混色光源，係發射第二光束並使第二光束依序通過基板及第二對位區；一第二物鏡，係用於聚焦通過該第二對位區之第二光束；以及一第二光感應體，係用於感測通過該第二物鏡之第二光束。
14. 如申請專利範圍第1項之雙面光學片滾壓對位量測系統，其中該量測單元係包含：一第一混色光源，係發射第一光束並使第一光束依序通過基板及第一對位區；一第一物鏡，係用於聚焦通過該第一對位區之第一光束；一第一參考光柵，係反射第一物鏡聚焦後之第一光束，該第一參考光柵之方向係不平行第一對位區之延伸方向；一第一光感應體，係用於感測被該第一參考光柵反射後之第一光束；一第二混色光源，係發射第二光束並使第二光束依序通過基板及第二對位區；一第二物鏡，係用於發散通過該第二對位區之第二光束；一第二參考光柵，係反射第二物鏡聚焦後之第二光束，該第二參考光柵之方向係不平行第二對位區之延伸方向；以及一第二光感應體，係用於感測被該第二參考光柵反射後之第一光束。
15. 一種雙面光學片滾壓對位量測方法，用於量測一基板兩面上之圖案，該方法係包含步驟：提供一滾筒單元、一量測單元及一控制單元，該滾筒單元包括一第一滾筒及一第二滾筒，該第一滾筒之表面係設有第一增亮膜圖案及第一對位圖案，該第二滾筒之表面係設有第二增亮膜圖案及第二對位圖案；其中，該第一滾筒與第二滾筒係相對設置，使得基板之兩面係分別接觸該第一滾筒與第二滾筒，該第一增亮膜圖案與該第一對位圖案會在基板一側上分別形成第一增亮膜區與第一對位區，該第二增亮膜圖案與該第二對位圖案則會在基板另一側上分別形成第二增亮膜區與第二對位區，且該第一增亮膜區與第二增亮膜區係彼此相對，而第一對位區與第二對位區則非相對；該控制單元則分別與該滾筒單元及量測單元電性連接；於控制單元中建立一繞射式疊對量測模型；量測單元對第一對位區與第二對位區分別射入光束；量測單元分別量測第一對位區與第二對位區所造成之一繞射圖案並傳回控制單元；以及控制單元將第一對位區與第二對位區所造成之該繞射圖案與該繞射式疊對量測模型進行分析比對，並據以決定是否調整第一滾筒與第二滾筒之相對位置。
16. 如申請專利範圍第15項之雙面光學片滾壓對位量測方法，其中該第一增亮膜圖案係為複數個相鄰之線性三角柱型圖案。
17. 如申請專利範圍第15項之雙面光學片滾壓對位量測方法，其中該第一對位圖案係為複數個相鄰之線性三角柱型圖案。
18. 如申請專利範圍第15項之雙面光學片滾壓對位量測方法，其中該第二增亮膜圖案係為複數個相鄰之線性三角柱型圖案。
19. 如申請專利範圍第15項之雙面光學片滾壓對位量測方法，其中該第二對位圖案係為複數個相鄰之線性三角柱型圖案。
20. 如申請專利範圍第15項之雙面光學片滾壓對位量測方法，其中該第一增亮膜圖案與該第一對位圖案係相鄰。
21. 如申請專利範圍第15項之雙面光學片滾壓對位量測方法，其中該第一增亮膜圖案與該第一對位圖案係不相鄰。
22. 如申請專利範圍第15項之雙面光學片滾壓對位量測方法，其中該第二增亮膜圖案與該第二對位圖案係相鄰。
23. 如申請專利範圍第15項之雙面光學片滾壓對位量測方法，其中該第二增亮膜圖案與該第二對位圖案係不相鄰。
24. 如申請專利範圍第15項之雙面光學片滾壓對位量測方法，其中該量測單元係包含：一調制光源；一半反射鏡，用於將調制光源所發出之光束分成一第一光束與一第二光束；一第一反射鏡組，用於將第一光束反射通過基材，再通過第一對位區；一第一量測元件，用於量測通過該第一對位區後所產生之繞射圖案；一第二反射鏡組，用於將第二光束反射通過基材，再通過第二對位區；以及一第二量測元件，用於量測通過該第二對位區後所產生之繞射圖案。
25. 如申請專利範圍第15項之雙面光學片滾壓對位量測方法，其中該量測單元係包含：一調制光源；一半反射鏡，用於將調制光源所發出之光束分成一第一光束與一第二光束；一第一反射鏡組，用於將第一光束反射通過基材，再通過第一對位區；一第一反射面鏡，用於將通過第一對位區之第一光束再度反射通過第一對位區以及通過基材；一第一量測元件，用於量測通過該基材後所產生之二次繞射圖案；一第二反射鏡組，用於將第二光束反射通過基材，再通過第二對位區；一第二反射面鏡，用於將通過第二對位區之第二光束再度反射通過第二對位區以及通過基材；以及一第二量測元件，用於量測通過該基材後所產生之二次繞射圖案。
26. 如申請專利範圍第15項之雙面光學片滾壓對位量測方法，該量測單元係包含：一調制光源；一第一半反射鏡，用於將調制光源所發出之光束分成一第一光束與一第二光束；一第一反射鏡組，用於將第一光束反射至第二滾筒上之第二對位圖案；一第一量測元件，用於量測被第二對位圖案反射後之第一光束；一第二半反射鏡，用於將第二光束分成一第三光束與一第四光束；一第二反射鏡組，用於將第三光束反射通過基材，再通過第一對位區；一第二量測元件，用於量測通過該第一對位區後所產生之繞射圖案；一第三半反射鏡，用於將第四光束分成一第五光束與一第六光束；一第三反射鏡組，用於將第五光束反射通過基材，再通過第二對位區；一第三量測元件，用於量測通過該第二對位區後所產生之繞射圖案；一第四反射鏡組，用於將第六光束反射至第一滾筒上之第一對位圖案；以及一第四量測元件，用於量測被第一對位圖案反射後之第六光束。
27. 如申請專利範圍第15項之雙面光學片滾壓對位量測方法，該量測單元係包含：一第一混色光源，係發射第一光束並使第一光束依序通過基板及第一對位區；一第一物鏡，係用於聚焦通過該第一對位區之第一光束；一第一光感應體，係用於感測通過該第一物鏡之第一光束；一第二混色光源，係發射第二光束並使第二光束依序通過基板及第二對位區；一第二物鏡，係用於聚焦通過該第二對位區之第二光束；以及一第二光感應體，係用於感測通過該第二物鏡之第二光束。
28. 如申請專利範圍第15項之雙面光學片滾壓對位量測方法，其中該量測單元係包含：一第一混色光源，係發射第一光束並使第一光束依序通過基板及第一對位區；一第一物鏡，係用於聚焦通過該第一對位區之第一光束；一第一參考光柵，係反射第一物鏡聚焦後之第一光束，該第一參考光柵之方向係不平行第一對位區之延伸方向；一第一光感應體，係用於感測被該第一參考光柵反射後之第一光束；一第二混色光源，係發射第二光束並使第二光束依序通過基板及第二對位區；一第二物鏡，係用於發散通過該第二對位區之第二光束；一第二參考光柵，係反射第二物鏡聚焦後之第二光束，該第二參考光柵之方向係不平行第二對位區之延伸方向；以及一第二光感應體，係用於感測被該第二參考光柵反射後之第一光束。