1380111 AU0812043 30769twf.doc/a 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種晝素陣列及顯示面板，且特別是 關於一種兼具省電效果及高開口率的畫素陣列及顯示面 板。 【先前技術】 在現今顯示面板的晝素陣列（pixel array)結構當中， 有類被稱為半源極驅動（half source driving，以下簡稱 為HSD)架構。HSD架構藉著減半資料線的數目，以^到 源極驅動器（source driver)的驅動通道（driving channels) 數也可以減半之目的，因此可以節省驅動畫素陣列所需的 能源。 一般而言，當將HSD架構應用於高解析度的產品中 時，一般會將紅色、綠色、藍色彩色濾光圖案以直線型的 方式排列。但是在高解析度產品，因為各晝素結構中的薄 膜電晶體佔用面積過大，導致晝素陣列中畫素結構的開口 區域無法對齊，也就是相鄰兩晝素結構的開口區域會有錯 位的情況。如此一來，當此顯示面板於顯示晝面時，容易 產生斜紋(mura)瑕疵，而造成顯示品質不足。 【發明内容】 本發明提出一種晝素陣列，可維持高開口率並避免斜 紋瑕疲的產生。 1380111 AU0812043 30769twf.doc/n 具育上述畫素陣列，可 本發明又提出一種顯示面板 兼具省電效果並維持高亮度。 、，發明提出一種晝素陣列，其由多個晝素單元所構 成，每:晝素單元包括第一掃描線、第二掃描線、第一資 料線、第二資料線、第一開關元件、第二開關元件、第一 晝素電極以及第二畫素電極。第-掃減、第二掃描缘、 口料'，及第二資料線設置於基板上，以於U定 〜一=旦素區’且第—晝素區具有第一、第二子晝素區。 弟:關70件與第二掃描線以及第一資料線電性連接，並 =於第晝素區的第一子晝素區内。第二開關元件盘第一 = 開_件電性連接，並位於第—畫素區的 子旦素區内。第—晝素電極位於第—畫素區的第一子 ::區内’並且與第-、第二開關元件電性連接。第-查 ^極位於第—晝素區的第二 關元件電性連接。 且/、弟一開 在本發明之一實施例中，上述晝素陣列更包 =金::開關元件、第四開關元件、第三晝素電極:及 I:;:二置於基板上，以於基板上定 =二晝素區的第二子畫素區内 二 =^開關，連接，並且位於第二晝Ϊ 不蚩各旦素區内。第二晝素電極位於第二書辛區的篦 一子晝素區内，並且與第四開關元件電性連接= 1380111 AU0812043 30769twf.doc/n 第 電極位於第二晝素區的第二子晝素區内，並且與第二 四開關元件電性連接。 η 二 在本發明之-實施财，上述第—_元件 關兀件設置於第二掃描線的正上方。 -掃赠，增：關元件敦置於第 三掃實侧中，上述第三卩·元件殘置於第 四開第-:第:、第三、第 苐三=體， 觸窗、第二接上述晝素陣列更包括第-接 畫素電極、第晝素區内’其電性連接第-振極。第二接觸窗位於;一:=第:電晶體的 每觸窗位於第=去广，弟二薄膜電晶體的汲極。第三 三晝素電極以及;四;子晝素區内，其電性連接第 第二晝素區的第二去電日日體的汲極。第四接觸窗位於 極、第三薄膜電曰麫二;區内’其電性連接第四晝素電 在本發明>日日盘、極以及第四薄膜電晶體的源極。 償線=第=償ΓΓ，上述畫素陣列更包括第一補 仏線弟—補償線位於第一晝素區的第二 1380111 AU0812043 30769twf.doc/n 掃描線延伸。第二補償線位於第二 -素&的第-子晝素區内，並往第三掃描線延伸。 極引實ΐ例中’上述畫素陣列更包括多條閉 刀閘極y線位於兩相鄰的資料線之間。 母 在本發明之一實施例中，上述第—、 四開關元件分別為第一、第二、第三、第二上弟 且第-薄膜電晶體的祕以及第二薄 r S曰體， :;:=赚，第三薄=== 、電日日體的源極分別與第四晝素電極電性 觸窗在^發明之—實闕中’上述更包括第-接 第一接觸窗、第三接觸窗、第四接觸窗、第五 第六賴窗。帛—細窗位於第_絲 息素區内，其電性連接第一書 ^ ” 、苐—子 第二接觸二=體 」技生連接第二晝素電極以及第及 位於第-畫素區的第-子畫素區内 晶體的汲極，= ，及第四薄膜電晶體:及:内第畫素電 二子晝素區内，其電性連接第四畫素電極素 晝素區内，盆電生、車1:::弟二晝素區的第二子 汲極。/、電11連接弟四晝素電極與第三薄膜電晶體的 7 1380111 AU0812043 30769twf.doc/n 在本發明之一實施例中，上述畫素陣列更包括第一擬 接觸窗、以及第二擬接觸窗。第一擬接觸窗位於第一畫素 區的第二子晝素區内，其與第二晝素電極電性連接。第二 擬接觸固位於第二畫素區的第一子晝素區内，其與第三書 素電極電性連接。 、… ~~~ 本發明又提出一種顯示面板，包括上述之晝素陣列、 彩色濾光陣列以及顯示介質。彩色濾光陣列位於畫素陣列 的對向。顯不介質位於晝素陣列與彩色濾光陣列之間。 ，在本發明之-實施例中，上述彩色遽光陣列包括多個 第一、第二、第三彩色濾光圖案，且多個第一、第二、第 二衫色遽光圖案各自為直列式排列。 基於上述，由於本發明所提出的晝素陣列排列整齊、 且開口區不容易產生錯位，因此可轉高開口率並避免斜 紋的產生。此外，本發明所提出的顯示面板，由於具有上 述晝素陣列，因此可兼具省電效果並維持高亮度。八 —為讓本發明之上述特徵和優點更明顯易十董，下文特 舉貝％例，並配^合所附圖式作詳細說明如下。 【實施方式】. 第一實施例 圖1A為本發明第一實施例之晝素陣列200的等效電 路圖。圖1B為晝素陣列·的上視示意圖。圖1(：為對廊 於圖⑴的晝素陣列細中，a_a，、b_b，、Μ及^，的剖面 不意圖。請參照圖1A、圖1B及圖1C，在本發明的第一 AU0812043 30769twf.doc/n 實施例中，晝素陣列200是由位於基板202上的多個晝素
單元204所構成，但為便於說明本實施例，圖1A及圖1B 僅繪示單個晝素單元204作為代表。 在一實施例中，晝素單元204包括第一掃描線211、 第二掃描線212、第一資料線221、第一開關元件231、第 二開關元件232、第一晝素電極241以及第二晝素電極 242。在另一较佳實施例中，畫素單元204還包括第三掃描 線213、第二資料線222、第三開關元件233、第四開關元 件234、第三晝素電極243以及第四晝素電極244。 第一掃描線211、第二掃描線212、第一資料線221 以及苐一資料線222設置於基板202上，以於基板202上 疋義出第一晝素區206，且第一畫素區206具有第一子晝 素區206a與第二子晝素區206b。第二掃瞄線212、第三掃 描線213、第一資料線221以及第二資料線222設置於基 板202上，以於基板202上定義出第二晝素區2〇8，且第 一晝素區208具有第一子晝素區208a及第二子晝素區 208b。 一、 第一開關元件231與第二掃描線212以及第一資料線 221電性連接，並位於第一晝素區2〇6的第一子晝素區加如 内。較佳的是，第一開關元件231位於第二掃描線212 正上方。 第二開關元件232與第一掃描線211以及第一開關元 件231電性連接，並位於第一晝素區2〇6的第一子書素區 206a内。較佳的是，第二開關元件232位於第一掃描^ 1380111 AU0812043 30769twf.doc/n 的正上方。 第三開關元件233與第三掃描線213以及第二資 222电性連接，並且位於第二晝素區的第二子蚩二、 =方内。。較佳的是，第三„元件233位於第 第四開關元件234與第二掃描線扣 件B電性連接，並且位於第二晝素區2〇8“二= 區麟内。較佳的是’第四開關元件234位 = 212的正上方。 坪掏綠 第一晝素電極241位於第—畫素區2〇6的第一子金 與第一f元件231及第二開關元件^ 工接苐一晝素電極242位於第一畫素區施的第二 一里素區206b内，並且與第二開關元件232電性連接 =m243位於第二晝素區施的第一子畫素區雇 m第四開關元件234電性連接。第四晝素電極244 位於u區208的第二子晝素區腦内，並且三 開關几件233及第四開關元件234電性連接。” 而言，請同時參照圖1B及圖1C，在本實施例 構200中，第一開關元件231、第二開關元件加、 ，一開，兀件233及第四開關元件234分別為第一、第二、 弟三、弟四薄膜電晶體。第第二、第三、第四薄膜電 晶體分別具有閘極、源極以及汲極。. 、 _ ί細ί言’以第—薄膜電晶體231為例，如圖1C所 示’薄獏電曰曰體231具有間極231g、源極231s及汲 1380111 AU0812043 30769twf.doc/n 極231 d。在本實施例中，第一薄膜電晶體231的閘極23工g 即為第二掃描線212的一部份，源極231s與第一資料線 221電性連接，而汲極231d往第一晝素區2〇6的第二子苎 素區206a内部延伸。另外，第一薄膜電晶體231的閘極 231g上方設置有閘絕緣層G，而在第—薄膜電晶體231的 源極231s與及極231d上方還覆蓋有保護層。 類似地，第二薄膜電晶體232具有閘極232g、源極232s 及汲極232d，其中第二薄膜電晶體232的閘極232g舉例 係為第一掃描線211的一部份。第二薄膜電晶體232的源 極232s與第一薄膜電晶體231的汲極23丨d電性連接。第 一薄膜電晶體232的沒極232d則延伸至第一書素區206 的第二子晝素區206b中。 第二薄膜電晶體233具有閘極233g、源極233s及及 極233d，其令第三薄膜電晶體233的閘極233g即為第三 掃描線213的一部份。源極233s與第二資料線222電性連 接，而汲極233d往第二畫素區208的第二子畫素區208b 内部延伸。 第四》專膜電晶體234具有閘極234g、源極234s及>及 極234d ’其中’第四薄膜電晶體234的閘極234g即為第 二掃描線212的一部份。第四薄膜電晶體234的源極234s 與第三薄膜電晶體233的汲極233d電性連接。第四薄膜電 晶體234的及極234d則延伸至第二晝素區208的第一子晝 素區208a中。 此外，第一薄膜電晶體231、第二薄膜電晶體232、第 11 1380111 AU0812043 30769twf.doc/n 三薄膜電晶體233及第四薄膜電晶體234還包括半導體通 道層及歐j接觸層（未標示），然，本領域具有通常知識者 & 了了解/專膜電aa體之結構與工作方式，故在此不再贅述。 特別要>主意的是，在本實施例中，由於第一薄膜電晶 體231的汲極231d與第二薄膜電晶體232的源極232§連 接’因此第一薄膜電晶體231與第二薄膜電晶體232可以 串聯的方式彼此電性連接；而同樣地，由於第三薄膜電晶 體233的汲極233d與第四薄膜電晶體234的源極234§連 接，因此第三薄膜電晶體233與第四薄膜電晶體234可以 串聯的方式彼此電性連接。 更詳細地說’請參照圖1A與圖1B，上述晝素陣列2〇〇 更包括第-接觸窗25卜第二接觸窗252、第三接觸窗W 以及第四接觸窗254。 第一接觸窗251位於第一晝素區2〇6的第一子晝素區 施内，且第一接觸窗251電性連接第-晝素電極^41、 第一薄膜電晶體23⑽及極231d以及第二薄膜電晶體况 極=°詳細而言’第—接觸窗251是形成在保護層 ΓΛ —晝素電極241暇透過第—接觸窗251而與 :潯膜電晶體231的汲極231d以及第二薄膜電晶體232 的源極232s電性連接。 窗252位於第一畫素區2〇6的第二子晝素區 ^内弟二接觸窗252電性連接第二晝素電極242以 體232的没極232d。詳細而言，第二接觸 齒252疋形成在保護層pv中，而第二晝素電極災則是 1380111 AU0812043 30769twf.doc/n 透過第二接觸窗252而與第 電性連接。 溥膜电晶體232的沒極232d 遍接觸* 253位於第二晝素區施的第〜子者素區 2·内’且第三接觸窗253電性連接第 及弟四薄膜電晶體234的汲極234d。 ^^ λ 窗253是形成在保護層ρν + 全^苐二接觸
透過第三接觸窗253而與第薄 =243則是 電性連接。 、㈣，專膜電晶體234的沒極234d 第四接觸窗254位於第二晝魏208的第二子圭何 2齡二且曰第四接觸窗254電性連接第四晝心^ 體233的汲極233d以及第四薄臈電晶體234 ϋ極2=。_細而言，第四接_ 254是形成在保護層 产一中而苐四晝素電極244則是透過第四接觸窗2科而與 第三薄膜電晶體233的沒極233d以及第四薄膜電晶體234 的源極234s電性連接。
、^外，本實施例的晝素陣列200還包括第一補償線261 以及第二補償線262’如圖1B所示。第一補償線261位於 第-晝素區206的第二子晝素區:2_内，並由第二接觸窗 處252往第二掃描線212延伸。第二補償線262位於第二 晝素區208的第—子晝素區2·内，並由第三接觸窗處 253往第二掃描線213延伸。在本實施例中，設置第一補 償線261的目的’主要是為了使第一晝素區2〇6中的第一 子晝素區206a與第二子晝素區2〇6b具有相同的開口率， 以避免第一畫素區206内的第一子晝素區2〇6a與第二子晝 13 1380111 AU0812043 30769twf.doc/n 素區206b的透光率產生差異。而基於相同的理由，第 償線262的設置可避免第二畫素區2〇8内的第一子書=補 208a與第二子晝素區208b的透光率產生差異。思紊® 一由於在畫素結構200中，第一薄膜電晶體231、 薄膜電晶體232、第三薄膜電晶體233及第四薄骐略曰〜 234的配置可使畫素結構2〇〇的開口區域對齊因: = 晝素結構200的顯示面板可避免斜紋瑕疵的產生。米用 第^實施例 圖2A為本發明第二實施例之畫素陣列3〇〇的 路圖。圖2B為晝素單元304的局部上視示意圖。圖^ 對應於圖2B的畫素陣列300巾，e_e，的剖面示意圖。由$ 本發明第二實施例的畫素陣列3〇〇是由多個晝素單元 所構成，目2B僅繪示-個晝素單元3〇4作為代表以 明本實施例。 請參照圖2A及圖2B，各晝素單元3〇4具有與圖ia 與圖1B所示的畫素單元2〇4相同或相似的構件，因此相 同的構件以相_標號表示，且在本實施例中不再贊述。 特別要說明的是，圖2A所示之晝素陣列3〇〇鱼圖 之晝素陣列不同之處在於晝素陣列遍更包括閘極弓丨線 1^’ 212w’213w。換言之’以其中一個晝素單元為例， 旦素早το 304與畫素單元204的不同之處在於，晝素單元 304更包括閘極引線211w，而閘極引線211〜平行第—次 料線221、第二資料線222設置，且閘極引線2Uw位於才貝目 14 1380111 AU0812043 30769twf.doc/n 鄰的第一資料線221與第二資料線222之間。 請參照圖2B及圖2C，各閘極引線會與對應的一條掃 描線電性連接。以閘極引線211w為例，在第一掃描線211 的上方設置閘極接觸窗GW便可使第一掃描線211與閘極 引線21 lw電性連接。閘極接觸窗Gw例如是形成在閘絕 緣層G與保護層PV中。 藉由上述第二實施例中多條閘極引線的設置，即可在 畫素陣列的其中一側設置用以連接掃描線211、212、213 以及資料線221、222、223的驅動晶片。換句話說，可將 閘極驅動晶片與源極驅動晶片整合在晝素陣列的其中一 側，甚至可將閘極驅動晶片與源極驅動晶片整合在相同的 驅動晶片上。因此，使用本實施例晝素陣列3〇〇的產品可 進一步提升其空間利用率。 第三實施例 圖3A為本發明第三實施例之晝素陣列4〇〇的局部上 視示意圖。圖3B為對應於圖3A的晝素陣列4〇〇中，f_f、 h-h’的剖面示意圖。請參照圖3A及圖3B，在此實施例中， 晝素陣列400是由位於基板402上的多個晝素單元4〇4所 構成’但為便於說明本實施例，圖3A僅綠示一個畫素單 元404作為代表。 一、 在一實施例中，晝素單元404包括第_掃描線411、 第二掃描線412、第一資料線421、第一開關元件431、第 二開關元件432、第一晝素電極441以及第二晝素電極 15 1380111 AU0812043 30769twf.doc/n 442。在另一較佳實施例中，晝素陣列400還包括第三掃描 線413、第二資料線422、第三開關元件433、第四開關元 件434、第三晝素電極443以及第四晝素電極444。 第一掃描線411、第二掃描線412、第一資料線421 以及第二資料線422設置於基板402上，以於基板402上 定義出第一晝素區406，且第一晝素區406具有第一子畫 素區406a與第二子晝素區406b。第二掃描線412、第三掃 描線413、第一資料421以及第二資料線422設置於基板 402上，以於基板402上定義出第二晝素區408,且第二晝 素區408具有第—子晝素區408a及第二子晝素區408b。 第一開關元件431與第二掃描線412以及第一資料線 421電性連接，並位於第一畫素區406的第一子晝素區4〇6a 内。較佳的是，第一開關元件431位於第二掃描線412的 正上方。 第二開關元件432與第一掃描線411以及第一開關元 件431電性連接，並位於第一晝素區406的第一子晝素區 4〇6a内。較佳的是，第二開關元件432位於第一掃描線411 的正上方。 第三開關元件433與第三掃描線413以及第二資料線 422電性連接，並且位於第二晝素區408的第二子晝素區 4〇8b内。較佳的是，第三開關元件433位於第三掃描線的 正上方。 第四開關元件434與第二掃描線412以及第三開關元 # 433電性連接，並且位於第二畫素區408的第二子晝素 16 1380111 AU0812043 30769twf.doc/n 區408b内。較佳的是，第四開關元件434位於第二掃描線 412的正上方。 心 第一晝素電極441位於第一晝素區406的第一子書素 區406a内，並且與第一開關元件431及第二開關元件^32 電性連接。第二晝素電極442位於第一晝素區406的第二 子晝素區406b内，並且與第二開關元件432電性連接。第 二晝素電極443位於第二畫素區408的第一子晝素區4〇8a 内，並且與第四開關元件434電性連接。第四晝素電極244 位於第二晝素區408的第二子晝素區4〇8b内，並且與第三 開關元件433及第四開關元件434電性連接。 上述晝素陣列400的第一開關元件431、第二開關元 件432、第三開關元件433、第四開關元件434分別為第一 薄膜電晶體431、第二薄膜電晶體432、第三薄膜電晶體 433與第四薄膜電晶體434。第一、第二、第三、第四薄膜 電晶體431，432, 433, 434分別具有閘極、源極以及汲極。 特別是，第一薄膜電晶體431的汲極431d以及第二薄膜電 晶體432的源極432s分別與第一畫素電極441電性連接， 第二薄膜電晶體433的汲極433d以及第四薄膜電晶體434 的源極434s分別與第四晝素電極444電性連接。 更洋細而言，畫素陣列400更包括第一接觸窗451、 第二接觸窗452、第三接觸窗453、第四接觸窗454、第五 接觸窗455以及第六接觸窗456。 第一接觸窗451位於第一晝素區4〇6的第一子畫素區 406a内，第一晝素電極441以及第二薄膜電晶體犯2的源 17 1380111 AU0812043 30769twf.doc/n 極432s藉由第一接觸窗451電性連接。第二接觸窗税 位於第一晝素區406的第二子晝素區4〇沾内，第二晝素電 ，442以及第二薄膜電晶體432的没極側藉由第二接觸 =52電性連接。第三接觸窗453位於第—晝素區條的 子晝素區406a内，第一晝素電極441以及第一薄膜電 晶體4 31軌極4 31 d藉由第三接觸窗45 3電性連接。第四 =窗伙位於第二畫素區彻的第一子晝素區聲内， f二晝素電極443以及第四薄膜電晶體434的没極43如 藉由第四接觸窗4M電性連接。第五接職455位於第二 旦素區備的第一子晝素區4G8b内，第四畫素電極444 Μ及第四薄膜電晶！| 434的源極43和藉由第五接觸窗价 電性連接。第六接觸窗衫6位於第二晝素區顿的第二子 晝素區4〇8b内，第四晝素電極444與第三薄膜電晶體433 的汲極433d藉由第六接觸窗456電性連接。 一更詳細的來說’第一薄膜電晶體431的汲極431d透過 第三接觸窗453與第-畫素電極441電性連接，且第二薄 膜電晶體432的源極432s又透過第一接觸窗451與第—晝 素電極^41電性連接’因此第一薄膜電晶體431的沒極 43ld與第一薄膜電晶體432的源極43乃兩者便得以電性 連接類似地，第二薄膜電晶體433的汲極433d透過第六 f觸窗456與第四晝素電極444電性連接，且第四薄膜電 晶體434的源極434s又透過第五接觸窗455與第四晝素電 極,444,性連接’因此第三薄膜電晶體433的汲極4別 與第四薄膜電晶體434的源極434s兩者便得以電性連接。 18 AU0812043 30769twf.doc/n 由於本實施例並非直接使第一薄膜電晶體431的汲極 431d與第一薄膜電晶體432的源極432s兩者直接連接， 因此第一薄膜電晶體431的汲極43id與第二薄膜電晶體 432的源極432s不需跨越整個第一畫素區4〇6的第一子畫 素區406a，如此可提高第一子晝素區4〇6a的開口率。類 似地，並非使第三薄膜電晶體433的汲極433d與第四薄膜 電晶體434的源極434s兩者直接連接，因此第三薄膜電晶 體433的汲極433d與第四薄膜電晶體434的源極43如不 需跨越整個第二晝素區408的第二子晝素區408a，如此可 提尚第二子晝素區408a的開口率。 在另一較佳實施例中，上述晝素陣列4〇〇更包括第一 擬接觸窗461以及第二擬接觸窗462。第一擬接觸窗461 位於苐一晝素區406的第二子晝素區4〇6b内，其與第二書 素電極442電性連接，如圖3B所示。而類似地，第二擬 接觸窗462位於第二畫素區408的第一子晝素區4〇8a内， 其與第二畫素電極443電性連接。要注意的是，上述第一 擬接觸窗461與第二擬接觸窗462僅為舉例說明，在其他 的實施例中’第一擬接觸窗461也可不與第二晝素電極442 免性連接’而苐二擬接觸窗462也可不與第三畫素電極443 電性連接。 設置第一擬接觸窗461的目的在使第一畫素區4〇6的 苐一子晝素區406a與第二子晝素區4〇6b具有相同的開口 率。而同樣地，第二擬接觸窗462的設置可使第二晝素區 4〇8的第一子晝素區408a與第二子晝素區408b具有相同 1380111 AU0812043 30769twf.doc/n 的開口率。 此外，類似於圖2B所示的畫素單元3〇4,在本發明之 另一實施例中，晝素單元404更可包括閘極引線4Uw，閘 極引線411w平行第一資料線421、第二資料線422設置， 且閘極引線411w位於相鄰的第一資料線421與第二資料 線422之間。而閘極引線41 lw是透過閘極接觸窗Gw與 第一掃描線411電性連接》 〇 上述各實施例所述之晝素陣列可與另一基板(舉例係 具有彩色濾光陣列的電極基板)組立在一起，以構成一顯示 面板，詳細說明如下。圖4A為本發明較佳實施例的顯示 面板500側視示意圖。圖4B為圖4A的彩色濾光陣列52〇 的局部上視示意圖。 請參照圖4A及圖4B，顯示面板500包括晝素陣列 510、彩色濾光陣列520以及顯示介質530。彩色渡光陣列 520位於晝素陣列510的對向。顯示介質53〇位於畫素陣 列510與彩色濾光陣列520之間，顯示介質530舉例係為 液晶層或是電泳等等。 特別是，晝素陣列510為上述第一實施例所述的晝素 陣列200、第二實施例所述的晝素陣列3〇〇或第三實施例 所述的晝素陣列400其中之一。 彩色濾光陣列520包括多個第一彩色濾光圖案521、 第二彩色濾光圖案522、第三彩色濾光圖案523，且第一彩 色濾光圖案521、第二彩色濾光圖案522及第三彩色濾光 圖案523各自為直列式排列。在本實施例中，第一彩色濾 20 1380111 AU0812043 30769twf.doc/n 光圖案521例如為紅色遽光圖案’第二彩色濾光圖案S22 例如為綠色濾光圖案，而第三彩色遽光圖案切例如 色濾光圖案。 Ί 上述第一至第三實施例所述的晝素陣列2〇〇、3〇〇 400其中之-中的第—畫素電極、第二晝素電極第三^ 素電極及/絲四4素電轉儀包括電極、反射^ 或是穿透電極與反射電極之組合，藉以實現料型顯=面 板、反射型顯示面板或是半穿反型顯示面板。 ^於顯示面板5〇〇具有上述第一至第三實施例所述 旦素陣列200、丨樣其中之一，因 可具有良好的顯示品質。 伋 、’’丁、上所述，由於本發明所提出的畫素陣列赢、 =區Tt產生錯位，因此可維持高開口率並避免二文 夸陵π "，由於本發贿糾的齡面板具有上述書 素陣列’批_品質請、㈣湘 ^ 電效果。 jI八令 定太本發明已轉施方式贿如上，財並非用以限 ’任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫 精神和範圍内，當可作麟之更動與潤飾，故 準：之保濩範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為 【圖式簡單說明】 的等效電 圖1Α為本發明第一實施例之畫素陣列 21 1380111 AU0812043 30769twf.doc/n 路圖。 圖1B為晝素陣列2〇〇的上視示意圖。 圖1C為對應於圖2B的晝素陣列中，a_a，、b_b，、 c-c’及d-d’的剖面示意圖。 圖2A為本發明第二實施例之晝素陣列的等效電 路圖。 圖2B為晝素單元304的局部上視示意圖。 圖2C為對應於圖2B的晝素陣列3〇〇巾，e_e，的剖面 示意圖。 _圖3A為本發明第二實施例之晝素降列働的局部上 視不意圖。 圖3B為對應於圖3A的畫素陣列4〇〇十，、h h， 的剖面示意圖。 圖4A為本發明較佳實施例的顯示面板5〇〇側視示意 圖。 〜 圖4B為圖4A的彩色濾光陣列520的局部上視示音 圖。 【主要元件符號說明】 200、410、510 :晝素陣列 202、402 :基板 204、304、404 :晝素單元 206、406 :第一晝素區 206a、208a、406a、408a ··第一子畫素區 22 1380111 AU0812043 30769twf.doc/n 206b、208b、406b、408b :第二子晝素區 • 208、408 :第二晝素區 211、 411 :第一掃描線 212、 412 :第二掃描線 213、 413 :第三掃描線 221、 421 :第一資料線 222、 422 :第二資料線 231、431 :第一開關元件、第一薄膜電晶體 ® 232、432 :第二開關元件、第二薄膜電晶體 233、 433 :第三開關元件、第三薄膜電晶體 234、 434 :第四開關元件、第四薄膜電晶體 231g、232g :閘極 231s、232s、233s、234s、431s、432s、433s、434s : 源極 231d、232d、233d、234d、431d、432d、433d、434d : 汲極 參 241、441.:第一晝素電極 242、 442 :第二晝素電極 243、 443 :第三晝素電極 244、 444 :第四晝素電極 251、 451 :第一接觸窗 252、 452 :第二接觸窗 253、 453 :第三接觸窗 254、 454 :第四接觸窗 23 1380111 AU0812043 30769twf.doc/n 261 :第一補償線 262 :第二補償線 455 :第五接觸窗 456 :第六接觸窗 461 :第一擬接觸窗 462 :第二擬接觸窗 G:閘絕緣層 GW :閘極接觸窗 PV :保護層 500 :顯示面板 520 :彩色濾光陣列 521 :第一彩色濾光圖案 522 :第二彩色濾光圖案 523 :第三彩色濾光圖案 530 :顯示介質 24