TWI379771B - Non-wetting coating on a fluid ejector - Google Patents

Description

1379771 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於流體喷射器上的塗層。 【先前技術】

流體喷射器（如喷墨印刷頭）一般具有一内表面、一噴 射流體的孔洞、及一外表面。當流體從孔洞喷出時，流體 會積聚在流體喷射器的外表面上。若流體積聚在鄰近孔洞 的外表面，孔洞喷出的流體會偏移原定的行進路徑或受聚 集流體的内作用力（如表面張力）影響而完全阻塞住。製作 流體喷射器的某些材料為疏水性（例如矽），此通常會惡化 流體喷射後積聚的問題。 不受潮塗層，如 Teflon®與氟化碳聚合物，可用來塗 佈表面。然而，Teflon®與氟化碳聚合物一般為軟性且不耐 久的塗層。這些塗層也很昂貴且不易圖案化。 【發明内容】 根據本發明之一態樣，提出一種流體喷射器，具有一 内表面、一外表面、及一使待喷射之流體接觸内表面的孔 洞。流體喷射器包括一不受潮單層塗層，至少覆蓋流體喷 射器的部分外表面、且圍繞流體喷射器的一孔洞。 本發明之實施例包括下列一或多個特徵。不受潮單層 塗層包括至少由碳原子與氟原子組成的分子。不受潮單層 塗層不覆蓋流體喷射器内表面任一部份。 5 1379771 根據本發明之另一態樣，提出一種形成不受潮單層塗 層於流體喷射器之選定區域的方法，其自流體喷射器之第 二區域上移除一不受潮單層塗層，同時留下流體喷射器孔 洞周圍第一區域上的不受潮單層塗層。

根據本發明之另一態樣，一不受潮單層塗層形成在流 體噴射器的第一區域及第二區域上，其中第一區域圍繞流 體噴射器的孔洞。移除第二區域上的不受潮單層塗層，同 時留下第一區域上的不受潮單層塗層。

本發明之實施例包括下列一或多個特徵。在移除第二 區域上的不受潮單層塗層之前，可先保護第一區域。保護 方法包括在移除第二區域上的不受潮單層塗層之前，先施 加膠帶、光阻或石蠟於第一區域上，接著在移除不受潮單 層塗層之後，移除膠帶、光阻或石蠟。移除第二區域上之 不受潮單層塗層的方法包括施加至少一種以下方式：施加 電漿於第二區域、雷射磨除第二區域、或施加紫外光於第 二區域。第一區域可包括流體喷射器的外表面，而第二區 域可包括流體喷射器的内表面。 根據本發明之又一態樣，提出一種形成不受潮單層塗 層於流體喷射器之選定區域的方法，其保護流體喷射器的 第二區域，且形成一不受潮單層塗層於流體喷射器的第一 區域上，其中第一區域圍繞流體喷射器的孔洞。 根據本發明之又一態樣，一流體喷射器的第二區域為 被保護而避免不受潮單層塗層形成於其上，且第二區域不 包括圍繞流體喷射器孔洞的第一區域。 6 1379771 本發明之實施例包括下列一或多個特徵。第二區域可 包括孔洞的内側。保護第二區域的方法可包括連結一矽基 材與流體喷射器。保護第二區域的方法還可包括在形成不 受潮單層塗層之前，先施加膠帶、光阻或石蠟於流體喷射 器上，接著在形成不受潮單層塗層之後，移除膠帶、光阻 或石壤。

根據本發明之再一態樣，提出一種形成不受潮單層塗 層於流體喷射器之選定區域的方法。一黏附區域形成在流 體喷射器基材上，其中該黏附區域包括第一材料，且流體 喷射器基材包括第二材料。一不受潮單層塗層是由一具選 擇性之前驅物而被生成在該黏附區域上，且該具選擇性之 前驅物會黏附在第一材料，但實質上不會黏附在第二材料。 本發明之實施例包括下列一或多個特徵。黏附區域可 圍繞流體喷射器基材的孔洞。孔洞可在形成該不受潮單層 塗層前，先形成於流體喷射器基材中。該具選擇性之前驅 物包括一硫醇末端（thiol termination)，第一材料包括金， 第二材料則包括矽。形成黏附區域的方法包括濺鍍第一材 料於流體喷射器基材上，然後圖案化第一材料。 根據本發明之另一態樣，提出一種流體喷射器，具有 一内表面 '一外表面' 及一使待喷射之流體接觸内表面的 孔洞。一黏附區域至少覆蓋流體喷射器的部分外表面、並 圍繞流體噴射器的孔洞；一不受潮單層塗層實質上覆蓋整 個黏附區域，且實質上不覆蓋流體喷射器中除黏附區域以 外的外表面。 7 1379771 本發明之實施例包括下列一或多個特徵。黏附區域可 包括第一材料，其實質上不會出現在流體喷射器的外表 面。不受潮單層塗層的前驅物包括硫醇末端，黏附區域包 括金原子，流體喷射器外表面則包括矽原子。黏附區域不 需覆蓋流體喷射器内表面任一部分。 本發明之實施例具有下列一或多個優點。

該不受潮單層塗層可減少流體積聚在流體喷射器的外 表面。此單層塗層為耐用且不溶於大多數的溶劑，因而各 種喷墨可用於流體喷射器中。由於單層塗層很薄，故可節 省塗層材料的用量。在蝕刻流體喷射器後，不需進行濕式 製程，因此可避免濕式製程所造成的殘留物。 若不受潮單層塗層係於沉積後才移除之，則可不先保 護或遮罩基材區域即行沉積。若於沉積塗層前先遮罩其下 層，則可省略移除非選定區域上之不受潮單層塗層的步 驟。不受潮單層塗層可輕易而正確地沉積在基材之選定區 域上。 為讓本發明之上述與其他特徵、目的和優點能更明顯 易懂，本發明之實施例將配合所附圖式詳細說明於後。 【實施方式】 第1 A圖為一未塗佈之流體喷射器1 0 0 (例如喷墨印刷 頭之喷嘴）的剖面圖，其結構可參見美國專利申請號為 1 0/9 1 3，5 7 1之申請案，此内容一併附上供作參考。未塗佈 之流體喷射器1 〇 〇包括一流道模組丨1 〇與一喷嘴層1 2 0， 8 1379771

二者組成均為矽（如單晶矽）。在一實施例中，未塗佈之流 體喷射器100為單一裝置，且流道模組110與噴嘴層120 非個別獨立的元件。未塗佈之流體喷射器1 0 0包括一内表 面150與一外表面160。一膜層182位於一抽吸室135之 上。一啟動器172加壓抽吸室135中的流體（如以水為底液 之墨水），流體則流經下降區1 3 0，且經由喷嘴層1 2 0中的 孔洞140喷射出來。啟動器172可包括一壓電層176、一 下電極（如接地電極）、及一上電極（如驅動電極）。膜層182 和啟動器172雖未繪於下列圖式，但仍存在其中。 如第1B圖所示，未塗佈之流體噴射器100也可選擇 性地包括一形成在喷嘴層120上的無機層165，於此，未 塗佈之流體噴射器100的外表面160為無機層165的外表 面。無機層16 5例如可為二氧化梦層，以加強不受潮塗層 的黏著性。在一實施例中’無機層1 6 5為一原生氧化層’ 其厚度一般為1奈米（nm)至3奈米。在另一實施例中，無 機層為一沉積的種晶層。例如，二氧化矽無機層1 6 5可藉 由引入四氣化矽（SiCl4)與水蒸氣至放置未塗佈之流體喷射 器100的化學氣相沉積（CVD)反應室中而形成在喷嘴層 1 2 0上。在抽空反應室後，關閉C V D反應室與真空幫浦間 的閥門，接著引入SiCl4與水蒸氣至反應室内。SiCl4的分 壓可為0.05托耳（Tor r)至40托耳（如0.1托耳至5托耳）， 而水的分壓可為〇.〇5托耳至20托耳（如0.2托耳至10托 耳）。沉積溫度一般介於室溫至1 〇 〇 °C之間。或者，無機層 165可濺鍍至喷嘴層120上。在形成無機層165之前，可 9 1379771 先清洗待塗佈無機層165的表面，如利用氧電漿。 種晶層的厚度例如為5奈米至1 0 0奈米。某些噴射流 體的成效會受無機層厚度的影響。例如對一些「困難的」 流體·而言，須提供較厚的無機層，如30奈米、40奈米、 50奈米、或甚至更厚。

根據一製程實施例，種晶材料層與不受潮塗層為交替 形成。在此實施例中，各種晶層的厚度例如為5奈米至2 0 奈米。在形成種晶材料層之前，可先清洗元件所露出的表 面（如利用氧電漿）。雖然假定此製程可形成種晶材料層與 不受潮塗層交替堆疊的結構，但在某些條件下（不侷限特定 理論），清洗步驟可能會移除先前沉積的不受潮塗層，因而 最终裝置具有一單一連續且厚的種晶層，而非氧化層與不 受潮塗層交替的結構。 另一製程實施例在一單一連續步驟中，完全只沉積種 晶層，以提供一元、整塊的種晶層。 參照第1B與1 C圖，一不受潮塗層1 7 0，如包括單一 分子層之自組（self-assembled)單層，為施加到未塗佈之流 體喷射器100的外表面160，以形成一塗佈之流體喷射器 1 0 5。不受潮塗層 1 7 0可利用氣相沉積法，而不用利用刷 塗、滾塗或旋塗之方式。在形成不受潮塗層170之前，可 先清洗流體喷射器的外表面（如利用氧電漿）。在一實施例 t ，流體喷射器最終產品的内表面1 5 0、下降區1 3 0及孔 洞140内表面均未覆蓋塗層。不受潮塗層17〇可藉由低壓 引入前驅物與水蒸氣至 CVD反應室而沉積於未塗佈之流 10 1379771 體喷射器100的外表面160上。前驅物的分壓可為 •υ ^ 4¾ 耳至1托耳（如0.1托耳至0.5托耳），而水的分壓可Α Λ ^ ° 〇5 托耳至20托耳（如0.1托耳至2托耳）。沉積溫度為介 於室 溫至100 °C之間。塗佈製程和形成無機層165之步骑 在 從應用微結構公司（Applied MicroStructures，Inc·)取得之 分子氣相沉積設備（MVDTM)中進行。

適用於不受潮塗層170之前驅物例如包括含不受潮$ 端與可附加至流體喷射器表面之末端的分子前驅物。$ 如，分子前驅物包括具一末端為-CF3基而一第二末端為 -SiCl3基之碳鏈β其他可附加至矽表面的前驅物例子包括 十三氟-1，1，2，2-四氫辛基三氣梦烧（tridecafluoro-1，1，2, 2-tetrahydrooctyltrichlorosilane; FOTS)及 1 Η, 1 Η, 2Η, 2Η-全氟癸基三氯矽烷（1Η， 1H, 2H, 2H-perfluoro

decyltrichlorosilane ; FDTS)。當含-SiCh 末端之分子的前 驅物（如FOTS或FDTS)和水蒸氣被引進CVD反應室時’ -SiCl3基的矽原子會與無機層165或喷嘴層120之原生氧 化物上-OH基中的氧原子鍵結。 根據另一實施例，塗佈之流體喷射器105不包括無機 層165,因此不受潮塗層170是直接形成於喷嘴層120上。 在此實施例中，喷嘴層1 2 0的外表面可視為未塗佈之流體 噴射器100的外表面160。 第2圖繪示塗佈之流體喷射器1 0 5的底部。圖中的孔 洞1 4 〇為矩形開口 ，然其也可為其他形狀，如圓形、五角 形或多邊形。 11 1379771

如第3圖所示，多層不受潮塗層370形成在流體喷射 器300的外表面360。這多層結構可藉由重複實施第1B圖 所述之沉積步驟而得。在一實施例中，於沉積不受潮塗層 370之前，不受潮塗層的碳氟鏈被切割而露出矽原子或 -CH2基。切割（蝕刻）碳氟鏈的方法例如為利用氧電漿處 理。電感搞合電聚（inductively coupled plasma; ICP)源用 來產生氧活性基，以钱刻不受潮塗層的碳氟鏈。氧氣引入 CVD反應室中的壓力例如為0.4托耳，流速為260 seem。 ICP源提供30秒、200瓦（W)的RF電源。 參照第1 B及1 C圖，不受潮塗層1 7 0可在連接流道模 組110與噴嘴層120之前或之後、及在形成孔洞140於喷 嘴層120之前或之後，沉積於未塗佈之流體喷射器100的 外表面160。若孔洞140是在沉積不受潮塗層170後形成， 則在形成孔洞1 40時，通常會遮蓋不受潮塗層1 70以免其 遭到破壞。若不受潮塗層1 7 0是在形成孔洞1 4 0後才形成， 則可移除沉積在塗佈之流體喷射器1 〇 5之内表面1 5 0上的 不受潮塗層，而留下外表面160上的不受潮塗層。在形成 不受潮塗層 1 7 〇的過程中’亦可遮蓋孔洞1 4 0，如此不受 潮塗層不會沉積在内表面150。 較佳地，不受潮塗層1 7 〇是在形成一或多個孔洞（如孔 洞140)於喷嘴層120上後形成。第4圖繪示一喷嘴層420 在與流道模組結合之前，已覆蓋一不受潮塗層 4 7 0。利用 CVD製程形成的不受潮塗層470 —般為覆蓋喷嘴層420所 有暴露的表面。不受潮塗層470同時覆蓋喷嘴層420的内 12

1379771 表面450與外表面460。噴嘴層420上會有一無機） 1B圖的種晶無機層165或原生氧化層），但為便於 故其未繪示於第4圖。 喷嘴層420上的某些選定區域最好是無覆蓋不 層，因此可移除選定區域上的不受潮塗層"例如， 喷嘴層420内表面450上的不受潮塗層470。如第 示，一遮罩層 580(如膠帶）形成在噴嘴層 420外表 的不受潮塗層 470之上，已遮罩之喷嘴層置於一 面，如一石夕基材5 9 0上。钱刻劑（如氧電裝）施加於 420内表面 450，以移除内表面450上的部分不受 470。如第6圖所示，矽基材590和遮罩層580可在 刻劑後移除之，而只留下喷嘴層420外表面460上 潮塗層4 7 0。 或者，可使用光源（如紫外光（UV)、深UV、或 的綠光）來移除選定區域上的不受潮塗層。例如再次 4圖，光源可照射喷嘴層4 2 0的内表面4 5 0，而移除 4 5 0上的部分不受潮塗層 4 7 0。光源例如是由一激 (如ArF或KrF激發雷射）提供。另外，可令喷嘴層 斜於光源，以照射到孔洞440之孔壁。 在移除内表面450上的不受潮塗層470後，喷嘴 可附加至一流道模組（如第1 A圖之流.道模組1 1 0)。 露的方法也可應用於先將喷嘴層4 2 0附加至流道模 形成不受潮塗層470的情況。例如刻劑可透過 組中的下降區（如第1A圖之下降區130)而達内表面 I (如第 描述， 受潮塗 可移除 5圖所 面 4 6 0 固態表 噴嘴層 潮塗層 施加4k 的不受 雷射中 參照第 内表面 發雷射 420傾 層420 此所揭 組、再 流道模 450 ° 13 1379771 利用下降區提供蝕刻劑的方法之一為連接一臭氧產生器至 組合之流體噴射器的入口，進而透過入口提供臭氧給下降 區及内表面450。當提供臭氧給下降區及内表面450時， 可使用膠帶保護外表面460。此外，臭氧於注入下降區前， 可先加熱至例如 1 2 0 °C。在另一實施例中，可採用氧電漿 來取代臭氧。

除了移除選定區域上的不受潮塗層外，亦可直接避免 不受潮塗層形成在選定區域上。例如，可在進行沉積時即 防止不受潮塗層4 70形成在喷嘴層420的内表面450。根 據又一實施例，不受潮塗層形成在選定區域上後，還沉積 一材料層（如二氧化石夕）於不受潮塗層上，而使選定區域具 親水性。

如第7 A圖所示，形成一保護結構7 8 5且對應於喷嘴 層7 2 0中的一區域，例如孔洞7 4 0。保護結構7 8 5可形成 在一矽基材79 5上，形成方法例如為形成氧化矽7 8 7於保 護結構7 8 5上，然後利用誘發耦合電漿蝕刻矽基材7 9 5， 以形成凸起區域。 如第7B圖所示，喷嘴層720與矽基材795為接觸設 置或彼此結合，而使保護結構785遮蓋孔洞740。如第7C 圖所示，利用氣相沉積法形成一不受潮塗層7 7 0於喷嘴層 720上未被保護結構785遮住的外表面760。參照第7D圖， 移除矽基材79 5之後，喷嘴層7 2 0上只有未被保護結構7 8 5 覆蓋的外表面760上才有不受潮塗層770。 有些不受潮塗層的前驅物會選擇性地黏附某些材料， 14 1379771

且實質上不黏附其他材料。例如，具硫醇末端（thiol termination)之前驅物可黏附於金，但實質上不黏附於石夕。 具選擇性末端與不受潮末端的前驅物可控制不受潮塗層形 成在基材（例如矽基材）上的區域。例如參照第8 A圖，氧化 層810為選擇性圖案化於矽基材820上。在第8B圖中， 選擇性前驅物可黏附的材料層（例如金）濺鍍至矽基材 8 2 0 或氧化層810(若含此層）上，並圖案化成一黏附區域83 0(如 使用光阻加以圖案化）。如第8C圖所示，矽基材820被蝕 刻而形成孔洞8 40於其中（如使用誘發耦合電漿蝕刻），且 一不受潮塗層8 7 0藉由會黏附在黏附區域8 3 0、但不會黏 附在氧化層810或矽基材820上的選擇性前驅物（如具硫醇 末端之前驅物）而形成其上。 或者如第9 A圖所示，選擇性前驅物可黏附的材料層 為直接濺鍍至矽基材920上，且圖案化成黏附區域930。 在第9 B圖中，矽基材9 2 0被蝕刻而形成孔洞9 4 0於其中， 不受潮塗層970則利用選擇性前驅物而形成其上。 各種方法均可用在沉積不受潮塗層前，先遮蓋喷嘴層 上不欲形成不受潮塗層的區域。當移除部份不受潮塗層 時，也可採用遮罩來保護不受潮塗層。例如，膠帶、石蠟 或光阻可做為遮罩，以避免不受潮塗層沉積在喷嘴層的選 定區域。在沉積不受潮塗層於喷嘴層之後，可移除膠帶、 石蠟或光阻。同樣地，膠帶、石蠟或光阻可形成在不受潮 塗層的特定區域上，以免在沉積後的處理步驟中移除了這 些區域的不受潮塗層。 15 1379771 移除選定區域之部分不受潮塗層的方法例如可採用使 用硬罩之雷射磨除 '或伺服控制（servo-controlled)之雷 射。或者，移除選定區域之部分不受潮塗層的方法例如可 利用電漿蝕刻不受潮塗層，且利用遮罩（如光阻）保護不欲 移除不受潮塗層的區域。或者，可使用紫外光來移除選定 區域之部分不受潮塗層，並使用遮罩（如金屬接觸罩幕）保 護不欲移除不受潮塗層的區域。

雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神 和範圍内，當可作各種之更動與潤飾，例如，上述方法可 以不同的步驟順序進行，仍可產生相同的結果，因此本發 明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 第1 A-1 B圖為未塗佈之流體喷射器之一實施例的剖面 圖。

第1C圖為第丨B圖之流體喷射器的剖面圖，其外表面 具一不受潮單層塗層。 第2圖繪示第1 C圖之流體喷射器的底部。 第3圖為流體喷射器之第二實施例的剖面圖，其外表 面具一不受潮單層塗層。 第4圖為塗佈上不受潮塗層之喷嘴層的剖面圖。 第5圖為具保護膠帶於外表面上之喷嘴層的剖面圖。 第6圖為一喷嘴層的剖面圖。 16 1379771 第7 A-7D圖繪示一實施例之形成不受潮塗層於喷嘴層 上的方法。 第8A-8C圖繪示一第二實施例之形成不受潮塗層於噴 嘴層上的方法。 第9 A-9B圖繪示一第三實施例之形成不受潮塗層於噴 嘴層上的方法。 各圖中相同的標號表示類似的元件。

【主要元件符號說明】 100、 105 流體喷射器 110 流 道 模 組 120 喷 嘴 層 130 下 降 區 135 抽 吸 室 140 孔 洞 150 内 表 面 160 外 表 面 165 無 機 層 1 70 不 受 潮 塗 層 1 72 啟 動 器 1 74 上 電 極 176 壓 電 層 178 下 電 極 182 膜 層 300 流 體 噴 射 器 360 外 表 面 370 不 受 潮 塗 層 420 喷 嘴 層 440 孔 洞 450 内 表 面 460 外 表 面 470 不 受 潮 塗 層 580 遮 罩 層 590 基 材 720 喷 嘴 層 740 孔 洞 760 外 表 面 770 不 受 潮 塗 層 785 保 護 結 構

17 1379771 787 氧 化 矽 795 基 材 8 10 氧 化 層 820 基 材 830 黏 附 區 域 840 孔 洞 870 不 受 潮 塗 層 920 基 材 930 黏 附 區 域 940 孔 洞 970 不 受 潮 塗 層

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Claims (1)

1379771 第处丨23今」 號專利案>令修王 十、申請專利範圍： 1. 一種流體喷射器，其具有一内表面、一外表面及一 孔洞，該孔洞能使接觸該内表面之一流體被喷射，該流體 喷射器包含： 一種晶層，以及 一不受潮層，形成於該種晶層上並覆蓋流體喷射器的一 外表面之至少一部分，且圍繞該流體噴射器中的一孔洞。

2.如申諳專利範圍第1項所述之流體喷射器，其中該 不受潮層包含具有至少一碳原子與至少一氟原子的分子。 3 ·如申請專利範圍第1項所述之流體喷射器，其中該 不受潮層不覆蓋該流體喷射器之内表面的任何部分。

4. 一種形成一不受潮層於一流體噴射器之一選定部分 上的方法，該方法包含： 形成一種晶層於該流體喷射器上； 於該流體噴射器之一第一區域及一第二區域上，形成一 不受潮層於該種晶層上；以及 移除該流體喷射器之該第二區域上的該不受潮層，且留 下該第一區域上的該不受潮層，其中該第一區域圍繞該流 體喷射器的一孔洞。 19 1379771 贫修成爾換] 5.如申請專利範圍第4項所述之方法，更包含： 於移除該第二區域上的該不受潮層之前，保護該第一區 域。

6.如申請專利範圍第5項所述之方法，其中保護步驟 包含在移除該第二區域上的該不受潮層之前，施加膠帶、 光阻或石蠟t至少一者於該第一區域上，以及在移除該不 受潮層之後，移除該膠帶、光阻或石蠟中至少一者。 7.如申諳專利範圍第4項所述之方法，其中移除該第 二區域上的該不受潮層之步驟包含以下至少一者：施加一 電漿於該第二區域、雷射磨除該第二區域、或施加一紫外 光於該第二區域。

8.如申請專利範圍第4項所述之方法，其中該第一區 域包含該流體噴射器的一外表面，且該第二區域包含該流 體喷射器的一内表面。 9. 一種形成一不受潮層於一流體噴射器之一選定區域 上的方法，該方法包含： 形成一種晶層於該流體喷射器上； 於該流體喷射器之一第一區域與一第二區域上，形成一 不受潮層於該種晶層上，該第一區域圍繞該流體喷射器中 20 1379771 / 年&月，修(更)正替換頁 的一扎洞； 施加膠帶於該第一區域； 移除該第二區域上的該不受潮層，且留下該第一區域上 的該不受潮層；以及 移除該第一區域上的該膠帶。

10.如_請專利範圍第9項所述之方法，其中移除該第 二區域上的該不受潮層之步驟包含以下至少一者：施加一 電漿於該第二區域、雷射磨除該第二區域、或施加一紫外 光於該第二區域。 11.如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該第一區 域包含該流體喷射器的一外表面，且該第二區域包含該流 體喷射器的一内表面。

12. —種形成一不受潮層於一流體喷射器之一選定區 域上的方法，該方法包含： 連結具有一保護結構之一矽基材與該流體喷射器，以保 護該流體喷射器之一第二區域，而避免該第二區域上形成 一不受潮層，其中該第二區域不包括該流體喷射器中之一 孔洞周圍的一第一區域；以及 形成一不受潮層於該流體噴射器之該第一區域上。 21 1379771 13.如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該第二 區域包含該扎洞的一内側。 14. 一種形成一不受潮層於一流體噴射器之一選定區 域上的方法，該方法包含： 形成一種晶層於該流體噴射器上；

保護該流體喷射器之一第二區域；以及 於該流體噴射器的一第一區域上，形成一不受潮層於該 種晶層上，該第一區域圍繞該流體喷射器的一孔洞。 15.如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該第二 區域包含該孔洞的一内側。 16. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中保護該 第二區域之步驟包含連結一矽基材至該流體喷射器。

17. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中保護該 第二區域之步驟包含在形成該不受潮層之前，施加膠帶、 光阻或石蠟t至少一者於該流體喷射器，以及在形成該不 受潮層之後，移除該膠帶、光阻或石蠟中至少一者。 22