TWI379089B - Apparatus for testing printed circuit and method therefor - Google Patents

Description

1379089 • . 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種檢測裝f月仏 衣罝及檢測方法，且特別是 種*τ用來檢測印刷電路或是印剔雷效‘人 疋丨刷電路組合之檢測裝置及 其方法。 【先前技術】 印刷電路板配置電子元件即為印刷電路組合。換言 之，印刷電路包含非導體基板與電子元件，其中電子元件 係為主動元件、被動元件、線路等。關於線路之製造方式， 可兹刻非導體基板上的銅箱，藉以形成線路。此線路可作 為導電路徑，電性連接主動元件與（或）被動元件。非導 體基板可用來承載電子元件。

印刷電路板堅固耐用、成本低廉且可靠度高H 開始需要以電路佈狀成本，但是可便宜地且快速地大 量生產。 在電子元件谭接於印刷電路板之後，其印刷電路需要 通過檢測。在印刷電路未啟動的情況下，目前有多種檢測 方式’像是目測、自動光學檢測等。然而，目測、自動光 學檢測並不能有效地檢測印刷電路。 因此，基於上述原因，需要一種新的檢測裝置及其方 法，用來檢測印刷電路或是印刷電路組合。 【發明内容】 本發明一方面是提供一種檢測裝置，其可檢測印刷電 1379089 路’此印刷電路具有至少_ φ 有至v 1子兀件’其中電子元件係為 主動元件、被動元件或線路。換言之，此檢測裝置可用來 檢測印刷電路組合。 依照本發明一實施例，一種檢測裝置包含感測器、電 源與測量器。感測器可配置於印刷電路之電子元件上方。 電源可提供電力至印刷電路’藉以啟動印刷電路。測量器 可當印刷電路啟動時，經由感測器去測量感測訊號。

如此，檢測裝置無須植針至印刷電路，對電子元件提 供額外地電子訊號；而是將印刷電路啟動，檢測裝置即可 測量到感測訊號。 本發明另一方面是提供一種檢測方法，其可檢測印刷 電路，此印刷電路具有至少一電子元件，其中電子元件係 為主動元件、被動元件或線路。換言之，此檢測裝置可用 來檢測印刷電路組合。 依照本發明另一實施例，一種檢測方法包含下列步驟·· (1)配置感測器於電子元件上方；

(2 )提供電力至印刷電路，藉以啟動印刷電路；以及 (3 )當印刷電路啟動時，經由感測器去測量感測訊號。 如此’檢測方法無須植針至印刷電路，對電子元件提 供額外地電子訊號；而是將印刷電路啟動，檢測方法即可 測量到感測訊號。 以下將以各種實施例，對上述之說明以及接下來的實 施方式做詳細的描述，並對本發明進行更進一步的解釋。 【實施方式】 r I 〇 6 1379089 為了使本發明之欽述更加詳盡與完備，可參昭所附之 圖式及以下所述各種實施例，圖式中相同之號碼代表相同 或相似之元件。另-方面’眾所週知的元件與步驟並未描 述於實施例中，以避免造成本發明不必要的限制。 本發明之技術態樣是-種檢測裝置，其可應用在檢測 印刷電路板。此檢測裝置可易於嵌入在現存設備中，或是 廣泛地運用在相關之技術環節。 請參照第1圖’第1圖是依照本發明一實施例的一種 檢測裝置100的示意圖。如圖所示，檢測裝置1〇 印刷電路·，《中印刷電路綱具有至少一電子元件 210。在本實施例中，印刷電路可作為印刷電路組合、 印刷電路板組合（printed eireuit —d assembly )或類 置。 此電子元件210可為印刷電路之主動元件、被動 元件或線1主動元件例如可為金屬氧化物半導體、雙載 子電晶體等。被動元件例如可為電阻器、電容器、感應線 圈等。線路可作為導電路徑，電性連接主動元件與（或） 被動元件。 在本貫施例中，檢測裝f丨⑼包含感測器丨丨q、電源 120與測量器13〇。感測器m可配置於印刷電路之電 元件210上方。電源！2〇可提供電力至印刷電路，藉 以啟動印刷電路200。_ 130可當印刷電路200啟動 時，經由感測器110去測量感測訊號。 一如此檢測裝置1 00無須植針至印刷電路，對電子 -件21 〇提供額外地電子訊號·而是將印刷電路·啟動， Γ L Ο 7 1379089 檢測裝置1 00即可測量到感測訊號。 實務上，印刷電路200可電性連接至負載，以便於在 印刷電路200啟動時，由印刷電路2〇〇產生電流並輸出至 負載。而且，若感測器丨1〇配置電子元件21〇上方，則測 量器130可測量到感測訊號，藉此感測訊號可更清晰地反 映出電子元件210之狀態。若電子元件21〇之狀態反常， 則代表電子元件210或其周邊元件可能故障；相反地，若

電子元件210之狀態正常，則代表電子元件21〇或其周邊 元件正常運作。 若感測器110定位於接近電子元件210表面，當印刷 電路200啟動時，電子元件2H)與感測器110之間會產生 特性阻抗。感測器11()可透過此特性阻抗自電子元件細 感應到上述感測訊號。此特性阻抗可具有電容性、電阻性 及其結合特性或類似性質。

為了對檢測裝置100判斷電子元件21〇或其周邊元件 正节與否作更詳盡的描述’請繼續參照第i圖。如圖所示， 檢測裝置100還可包含記憶冑14〇與監測器跡在本實施 例中，記憶體140可預載預定限制。監測_ 15〇可每當上 述感測訊號未符合誠限㈣，指*錯誤條件。 如此檢測裝置100可比對上述感測訊號與預定限 藉以判斷電子元件210或其周邊元件正常與否。 體M”，上述預定限制可包括標準感測訊號 電數，像是電容輕合係數、電_合係數、 及μ合係數或類似係數。以上所舉的多種 系數白僅為例示，並非用以限制本發明，其它各種係數， L 5 1379089 也都可以是預定限制的實施方式其中之一。 舉例來說，印刷電路200可為電力電路（例如電壓調 節器）’其包含脈波寬度調變控制器與多個金屬氧化物半導 體，其中電子元件210可為這些金屬氧化物半導體其中之 一。當印刷電路200啟動時，脈波寬度調變控制器可調制 方形波訊號去驅動此金屬氧化物半導體，亦即電子元件 210。若感測器110定位於接近此金屬氧化物半導體表面， 金屬氧化物半導體與感測器11〇之間會產生特性阻抗。感 測器110可透過此特性阻抗自此金屬氧化物半導體感應到 感測訊號此感測訊號可自電子元件21 〇之多個接腳整體 感應而得，其中這些接腳像是金屬氧化物半導體之閘極、 汲極及源極。此感測訊號的頻率是依照脈波寬度調變控制 器之時脈而定’其為約100 KHz至約500 KHz。此感測訊 號的電壓位準為約0.1V至約IV。 為了測量感測訊號之相關參數，請繼續參照第1圖。 如圖所示，檢測裝置100還可包含峰至峰電壓偵測模組 162、工作比偵測模組164、計算模組166與取樣模組168。 在本實施例中，峰至峰電壓偵測模組162可自感測訊號偵 測峰至峰電壓。工作比偵測模組164可偵測感測訊號之工 作比。計算模組166可根據感測訊號，計算均方根電壓。 取樣模組168可對感測訊號之波形作取樣。 如此，檢測裝置100可取得感測訊號之相關參數，像 是峰至峰電壓、工作比、均方根電壓與波形。 關於分析電子元件210狀態之實施態樣，請繼續參照 第1圖。如圖所示，檢測裝置100還可包含第一儲存模組 9 171與第一指示模組172。在本實施例中，第一儲存模組i7i 可預載一預定峰至峰電壓限制》第一指示模組172可每當 上述感測訊號未符合此預定峰至峰電壓限制時，指示第一 差異狀態。 如此，檢測裝置1 〇〇可比對上述感測訊號與上述預定 峰至峰電壓限制’藉以分析電子元件210之狀態。 關於分析電子元件210狀態之另一實施態樣，請繼續 參照第1圖。如圖所示，檢測裝置丨〇〇還可包含第二儲存 模組173與第二指示模組174。在本實施例中，第二儲存模 組173可預载一預定工作比限制。第二指示模組n4可每 虽上述感測訊號之工作比未符合預定工作比限制時，指示 第一差異狀態。 如此，檢測裝置1 〇〇可比對上述感測訊號與上述預定 工作比限制，藉以分析電子元件210之狀態。 舉例來說，印刷電路200可為電力電路，其中電子元 件210可為高壓側金屬氧化物半導體（highM〇s)。上 述預定工作比限制為約10.75%。然而，上述感測訊號之工 作比為約3.97%。如此，意味著電子元件21〇或其周邊元 件可能故障。 關於分析電子元件210狀態之再一實施態樣，請繼續 參照第1圖。如圖所示，檢測裝置1〇〇還可包含第三儲存 模’’且1 75與第二指示模組176。在本實施例中，第三儲存模 組丨75可預載一預定均方根電壓限制。第三指示模組176 可每當上述均方根電壓未符合預定均方根電壓限制時，指 示第三差異狀態。 如此’檢測裝置100可比對上述感測訊號與上述預定 均方根電壓限制，藉以分析電子元件21 〇之狀態。 舉例來說’印刷電路200可為電力電路，其中電子元 件210可為高壓側金屬氧化物半導體（high以心M〇s )。上 述預定均方根電壓限制為約256mV。然而，上述感測訊號 之均方根電壓為約l〇2mv。如此，意味著電子元件210或 其周邊元件可能故障。 關於分析電子元件210狀態之又一實施態樣，請繼續 參照第1圖。如圖所示，檢測裝置丨〇()還可包含第四儲存 模組177與第四指示模組178。在本實施例中，第四儲存模 組1 77可預載預定波形限制。第四指示模組丨78可每當感 測訊唬之波形未符合預定波形限制時，指示第四差異狀態。 如此，檢測裝置100可比對上述感測訊號之波形與上 述預定波形限制，藉以分析電子元件21〇 .之狀態。 更具體而言，第四指示模組178可藉由型樣匹配、數 值分析或類似方式，將取樣模組丨68所取樣之波形與第四 儲存模組177所預載之標準波形來做比對。 關於上述型樣匹配，第四指示模組丨78可檢查取樣模 組168所取樣之波形的型樣；又，第四指示模組 178亦可 檢查儲存模組177所預載之標準波形的型樣。因此，第四 指不模組178可進而判斷標準波形的型樣與被取樣之波形 的型樣是否相符，藉以分析電子元件21〇之狀態。 舉例來說，儲存模組177所預載之標準波形的型樣可 為方形波，取樣模組168所取樣之波形的型樣可為另一 方形波並帶有擾動。因此，第四指示模組178可判斷出標 ^79089 準波形的型樣與被取樣之波形的型樣沒有相符。如此，意 味著電子元件210或其周邊元件可能故障》 關於上述數值分析’第四指示模組178可根據取樣模 Ί 168所取樣之波形，來計算此取樣之波形投影在縱座標 軸之分量與（或）投影在橫座標軸之分量；又，第四指示 模組178亦可根據儲存模組177所預載之標準波形，來計 算此標準波形投影在縱座標軸之分量與（或）投影在橫座

標轴之分量。因此，第四指示模組178可進而判斷標準波 形投影在縱座標軸之分量與被取樣之波形投影在縱座標軸 之分篁是否相符；或是，第四指示模組178可進而判斷標 =波形投影在橫座標軸之分量與被取樣之波形投影在橫座 丁軸之刀量疋否相符。藉此第四指示模組^ Μ可分析電子 元件210之狀態。 歹'說儲存模组177所預載之標準波形投影在縱 座標轴之分量為5點；取樣模組168所取樣之波形投影在

^標軸之分量為u點。因此’第四指示模組178可判斷 出標準波形投影在縱座桿轴 知釉之刀里與被取樣之波形投影在 縱座標軸之分量沒右相 # ., 有相符。如此，意味著電子元件210或 其周邊元件可能故障。 值仔〉主意的是，上城武丨ga ^. , „ , ^ 这感利15 110可無需經由任何負反 饋放大态去耦接測量器n ^ g ^ ^ $ 於核對實驗中，若將負反饋放 大器與感測器110電性連 :p,|5§nntb , 按^疋將負反饋放大器嵌入感 測器"ο中此會產生一些缺陷。 請參照第2A圖，第9 Δ国 此檢測裝置300可作為=測裝置3〇0的示意圖。 子實驗中的對照組。如圖所示， 12 檢測裝置300可檢測印刷電路200，其中印刷電路2〇〇具有 至少一電子元件210。在第2A圖中，檢測裝置3〇〇包含感 測器110、電源120、測量器130與負反饋放大器193。感 測器110經由負反饋放大器193去耦接測量器13〇。負反饋 放大器193包含回授電阻194與運算放大器195。 於核對實驗中’印刷電路200可為電力電路（例如電 壓調節器），其包含脈波寬度調變控制器與多個金屬氧化物 半導體，其中電子元件210可為這些金屬氧化物半導體其 中之一。當印刷電路200啟動時，脈波寬度調變控制器可 調制方形波訊號去驅動此金屬氧化物半導體（亦即電子元 件210)，其中方形波訊號之頻率為複合頻率。若感測器ιι〇 定位於接近此金屬氧化物半導體表面，金屬氧化物半導體 與感測器110之間會產生特性阻抗，其可為電容性與（或） 電阻性。感測器110可透過此特性阻抗自此金屬氧化物半 導體感應到感測訊號。此感測訊號可自電子元件2丨〇之多 個接腳整體感應而得，其中這些接腳像是金屬氧化物半導 體之閘極、汲極及源極。此感測訊號的頻率是依照脈波寬 度調變控制器之複合頻率而定，其為約1〇〇 KHz至約5〇〇 KHz。此感測訊號的電壓位準為約〇·丨v至約1 v。然而，電 子元件210與感測器11 〇之間產生的特性阻抗電性輕接到 負反饋放大器193 ’如此，負反饋放大器193連同特性阻抗 可等效為帶通濾波器。由於帶通濾波器可過濾高頻訊號與 低頻訊號，因此，具有複合頻率之感應訊號通過帶通濾波 器後會變形失真。 請參照第2B圖，第2B圖是檢測裝置305的示意圖。 1379089 此檢測裝置305可作為核對實驗中的對照組。如圖所示， 檢測裝置305可檢測印刷電路2〇〇,其中印刷電路2〇〇具有 至少一電子元件210。在第2B圖中，檢測裝置3〇5包含感 測器110、測量器130信號源191與負反饋放大器193。感 測器11〇經由負反饋放大器193去耦接測量器13〇。負反饋 放大器193包含回授電阻i94與運算放大器i95。 於核對實驗中’印刷電路200可為電力電路（例如電 壓調節器），其包含脈波寬度調變控制器與多個金屬氧化物 半導體，其令電子元件210可為這些金屬氧化物半導體其 中之一。當印刷電路200啟動時，信號源191可輸出測試 讯號去激發此金屬氧化物半導體（亦即電子元件21 〇 )，其 中測試訊號之頻率為單一頻率。若感測器11 〇定位於接近 此金屬氧化物半導體表面，當此金屬氧化物半導體被激發 時，金屬氧化物半導體與感測器110之間會產生特性阻抗 其可為電容性與（或）電阻性。感測器11 〇可透過此特性 阻抗自此金屬氧化物半導體感應到感測訊號。此感測訊號 的頻率是依照信號源191之單一頻率而定。然而，電子元 件210與感測器11 〇之間產生的特性阻抗電性耦接到負反 饋放大器193，如此，負反饋放大器193連同特性阻抗可等 效為帶通遽波器。因此，若測試訊號之單一頻率設定在此 帶通濾波器之濾通帶範圍内，則感測訊號可通過此帶通濾 波器而不失真；若測試訊號之單一頻率設定在此帶通遽波 器之濾通帶範圍之外，則感測訊號會被此帶通濾波器過渡。 為了感測器110之敘述更加詳盡與完備，請參照第3A 圖、第3B圖、第4A圖與第4B圖，第3A圖、第3B圖、 14 1379089 第4A圖與第4B圖分別是第i圖之感測器11〇的側向示意 圖。 在第3A圖中，感測器110可包含探針lu與印刷電路 板112。印刷電路板112與探針U1可電性連接。 如此，若印刷電路板112定位於接近電子元件21〇表 面，當印刷電路200啟動時，電子元件21〇與感測器ιι〇 之間會產生特性阻杬。探針11丨可透過此特性阻抗自電子 元件210傳導感測訊號。此特性阻抗可具有電容性、電阻 性及其結合特性或類似性質。 在第3B圖中，感測器110可包含探針lu與印刷電路 板112,其中印刷電路板112與探針lu可電性連接。除此 之外，感測器11〇還可包含第一絕緣層31〇、導電層32〇、 第二絕緣層330、導線340與訊號緩衝器39〇β訊號緩衝器 390可包括輸入端391與輸出端392,其中輸入端391與探 針111電性連接。第一絕緣層31〇可包圍探針m，導電層 320可包圍第一絕緣層31〇，第二絕緣層33〇可包圍導電層 320,導線340可電性連接導電層32〇。舉例來說，導線34〇 可穿入第一絕緣層330去連接到導電層32〇。導電層32〇 可經由導線34〇耦接至輸出端392。 如此，若印刷電路板112定位於接近電子元件21〇表 面’當印刷電路200啟動時，電子元件21〇與感測器11〇 之間會產生特性阻抗。探針！丨丨可透過此特性阻抗自電子 元件210傳導感測訊號。此特性阻抗可具有電容性、電阻 性及其結合特性或類似性質。當感測訊號自訊號緩衝器獅 之輸入端391輸入時’訊號緩衝器携可增強感測訊號的 15 ^79089 f動能力，並由輸出端392輸出此趨動能力增強之感測訊 號。探針1U、第-絕緣層31〇、導電層32G與第二絕緣層 330，其可作為同軸電纜。藉以防止感測訊號收受到外界電 磁場的干擾，並有效地沿著探針1U 4長度方向傳導感測 訊號。

藉以防止探針⑴與導電層32〇之間產生寄生電容。於一 核對實驗中’若將導線34G移除並將導電層32()接地，由 於探針⑴與導電層32〇間的電位差，造成探針⑴與導 電層320之間產生寄生電容。 在第4A圖中，感測器11〇可包含探針ιΐ3與電介質 川。探針113可包括電線（wire) 114與平頭ιΐ5。平頭 出具有第-表面116與第二表面117，其中第—表面ιΐ6 與第二表面117相對。電線114與平頭115之第一表面ιΐ6 電性連接。電介質118位於平頭115之第二表面ιΐ7上。 結構上，電線114與平頭115可一體成型。

另外’導電層320可經由導線 如此，若電介質m定位於接近電子元件21〇表面， 當印刷電路200啟動時，電子元件21Q與電介質ιΐ8之門 會產生特性阻抗。探針113可透過此特性阻抗自電子元件 210傳導感測訊號。此特性阻抗可具有電容性、電阻性及盆 結合特性或類似性質》 〃 在第4B圖中，感測器11〇可包含含探針113與 Π8。探針113可包括電線（wir〇 ιΐ4與平頭丨丨5。平 115具有第一表面116與第二 尚铱-土 、甲第一表面116 /、第-表面"7相對。電線114與平頭115之第一表面叫 16 1379089 ’ 電性連接。電介質118位於平頭us之第二表面117上。 ·- 除此之外，感測器110還可包含第-絕緣層310、導電層 320、第二絕緣層330、導線34〇與訊號緩衝器则。訊號 緩衝器390可包括輸入端391與輸出端392，盆中輸入端 與電線114電性連m缘層31〇可包圍電線114, 導電層320可包圍第-絕緣層31〇，第二絕緣層33〇可包圍 導電層320,導線340可電性連接導電層32〇。舉例來說， 導線340可穿入第二絕緣層330去連接到導電層32〇。導電 • 層320可經由導線34〇耦接至輸出端392。 如此，若印刷電路板112定位於接近電子元件21〇表 面’當印刷電路200啟動時，電子元件21〇與電介質ιΐ8 之間會產生特性阻抗。探針113可透過此特性阻抗自電子 讀21G傳導感測訊號。此特性阻抗可具有電容性、電阻 性及其結合特性或類似性質感測訊號自訊號緩衝器39〇 之輸入端391輸入時’訊號緩衝器390可增強感測訊號的 趨動能力，並由輸出端392輸出此趨動能力增強之感測訊 # 號。電線114、第一絕緣層310、導電層320與第二絕緣層 330,其可作為同軸電纜。藉以防止感測訊號收受到外界電 . ㉟場的干擾’並有效地沿著電線114之長度方向傳導感測 - 訊號。 另外，導電層320可經由導線34〇耦接至輸出端392， 藉以防止電線U4與導電層32〇之間產生寄生電容。於一 核對貫驗中，：¾•將導線340移除並將導電層320接地，由 於電線114與導電層32〇間的電位差，造成電線ιΐ4與導 電層320之間產生寄生電容。 17 1379089 - 本發明之另一技術態樣是一種檢測方法，苴可應用在 ' ^印刷電路板°此檢測方法可易於嵌人在現存設備中， 或是廣泛地運用在相關之技術環節β 請參照第5圖，第5圖是依照本發明一實施例的一種 檢測方法400的流程圖。在本實施例中，檢測方法權可 檢測印刷電路，其中印刷電路具有至少_電子元件。印刷 電路20G可作為印刷電路組合、印刷電路板組合（㈣⑽ circuit board assembly)或類似裝置。 # 上述電子元件可為印刷電路之主動元件、被動元件或 線路。主動元件例如可為金屬氧化物半導體、雙載子電晶 體等。被動元件例如可為電阻器、電容器、感應線圈等。 線路可作為導電路徑，電性連接主動元件與（或）被動元 件。 在本貫施例中，如圖所示，檢測方法4〇〇包含下列步 驟（應瞭解到’在本實施例中所提及的步驟，除特別敛明 其順序者外，均可依實際需要調整其前後順序，甚至可同 # 時或部分同時執行）。 步驟410 :配置一感測器於電子元件上方； . 步驟420 :提供電力至印刷電路，藉以啟動印刷電路； 以及 * 步驟430:當印刷電路啟動時，經由感測器去測 測訊號。 ^ 如此，檢測方法400無須植針至印刷電路，對電子元 件提供額外地電子訊號；而是將印刷電路啟動，檢測方法 400即可測量到感測訊號。 L 5 18 1379089 實務上，印刷電路可電性連接至負載，以便於在印刷 電路啟動時，由印刷電路產生電流並輸出至負載。而且， 若感測器配置電子元件上方，則步驟43〇可測量到感測訊 號，藉此感測訊號可更清晰地反映出電子元件之狀態。若 電子元件之狀態反常，則代表電子元件或其周邊元件可能 故障；相反地，若電子元件之狀態正常，則代表電子元件 或其周邊元件正常運作。

若感測器定位於接近電子元件表面，當印刷電路啟動 時，電子元件與感冑器之間會產生特性阻抗。感測器可透 過此特纽抗自電子元件感應到上述感測訊號。此特性阻 抗可具有電容性、電阻性及其結合特性或類似性質。 為了對檢測方法400判斷電子元件或其周邊元件正常 與否作更詳盡的描述’請繼續參照第5圖。如圖所示，檢 測方法400還可包含下列步驟。 步驟440 :預載預定限制；以及 步驟450 :每當感測訊號未符合預定限制時，指示錯誤 條件。 曰、 ，如此，檢測方法400可比對上述感測訊號與預定限制 藉以判斷電子元件或其周邊元件正常與否。 一於步驟440卜上述預定限制可包括標準感測訊號之 -個以上的係數’像是電容耦合係數、電磁耦合係數、電 :=數及其結合係數或類似係數。以上所舉的多㈣ 全僅為例[並㈣以限制本發明，其它各種 都可以是預定限制的實施方式其中之一。 、 舉例來說，印刷電路可為電力電路（例如電墨調節 1379089 • . 器），其包含脈波寬度調變控制器與多個金屬氧化物半導 體，其中電子元件可為這些金屬氧化物半導體其中之一。 當印刷電路啟動時，脈波寬度調變控制器可調制方形波訊 號去驅動此金屬氧化物半導體，亦即上述電子元件。若感 測器定位於接近此金屬氧化物半導體表面，金屬氧化物半 導體與感測器之間會產生特性阻抗。感測器可透過此特性 阻抗自此金屬氧化物半導體感應到感測訊號。此感測訊號 可自電子元件之多個接腳整體感應而得，其中這些接腳像 是金屬氧化物半導體之閘極、汲極及源極。此感測訊號的 頻率是依照脈波寬度調變控制器之時脈而定，其為約100 KHz至約500 KHz。此感測訊號的電壓位準為約〇 1V至約 IV。 為了測量感測訊號之相關參數，請參照第6圖，第6 圖是檢測方法400之另一流程圖。如圖所示，檢測方法4〇〇 還可包含下列步驟。 步驟5 10 :自感測訊號偵測峰至峰電壓； 步驟520 :偵測感測訊號之工作比； 步驟530 :根據感測訊號，計算均方根電壓；以及 步驟540 :對感測訊號之波形作取樣。 如此’檢測方法400可取得感測訊號之相關參數，像 是峰至峰電壓、工作比、均方根電壓與波形。 關於分析電子元件狀態之實施態樣，請繼續參照第6 圖。如圖所示，檢測方法400還可包含下列步驟。 步驟550 :預載預定峰至峰電壓限制。 步驟555 :每當上述感測訊號未符合此預定峰至峰電壓 20 限制時，指示第一差異狀態。 如此，檢測方法400可比對上述感測訊號與上述預定 峰至峰電壓限制’藉以分析電子元件之狀態。 關於分析電子元件狀態之另一實施態樣，請繼續參昭 第6圖。如圖所示’檢測方法400還可包含下列步驟。 步驟560 :預載一預定工作比限制；以及 步驟565:每當上述感測訊號之工作比未符合預定工作 比限制時’指示第二差異狀態。 如此，檢測方法400可比對上述感測訊號與上述預定 工作比限制，藉以分析電子元件之狀態。 舉例來說’印刷電路可為電力電路，其中電子元件可 為高壓側金屬氧化物半導體（highsideM〇s)。上述預定工 作比限制為約10.75%。然而，上述感測訊號之工作比為約 3.97°/。。如此’意味著電子元件或其周邊元件可能故障。 關於分析電子元件狀態之再一實施態樣，請繼續參照 第6圖❶如圖所示’檢測方法4〇〇還可包含下列步驟。 步驟570 :預載一預定均方根電壓限制；以及 步驟575:每當上述均方根電壓未符合預定均方根電麗 限制時’指示第三差異狀態。 如此’檢測方法400可比對上述感測訊號與上述預定 均方根電壓限制，藉以分析電子元件之狀態。 舉例來說’印刷電路可為電力電路，其中電子元件可 為高壓側金屬氧化物半導體（highsideM〇s)。上述預定均 方根電壓限制為約256mV。然而，上述感測訊號之均方根 電壓為約102mV。如此，意味著電子元件或其周邊元件可 1379089 能故障。 關於分析電子元件狀態之又一實施態樣，請繼續參照 第6圖。如圖所示，檢測方法4〇〇還可包含下列步驟。 步驟580 :預載預定波形限制；以及 步驟585 :每當感測訊號之波形未符合預定波形限制 時’指示第四差異狀態。 如此’檢測方法400可比對上述感測訊號之波形與上 述預定波形限制，藉以分析電子元件之狀態。

更具體而言，於步驟585可藉由型樣匹配、數值分析 或類似方式，將步驟54〇所取樣之波形與步驟58〇所預載 之標準波形來做比對。 關於上述型樣匹配，於步驟585可檢查步驟54〇所取 樣之波形的型樣；X，於步驟585亦可檢查步驟所預 載之標準波形的型樣。因此，於步驟585可進而判斷標準 波形的型樣與被取樣之㈣的型樣是否㈣，藉以分才; 子元件之狀態。

舉例來說 艾鄉Μϋ所預載之標準波形的型樣可為_ 方形波；步驟54G所取樣之波形的型樣可為另—方形波』 帶有擾動。因此，於步驟585可判斷出標準波形的型動 被取樣之波形的型樣沒有相^如此，意味著電子= 其周邊元件可能故障。 $ 關於上述數值分析，於步驟585可 1 根據步驟540所取 樣之波形，來計算此取樣之波形投影在縱座 旦 (或）投影在横座標軸之分量；又，第 ^ 刀夏與 《步驟585亦可椒 據步驟580所預载之標準波形，來 仆了根 此標準波形投影在 1379089 縱座標軸之分畺與（或）技影在橫座標轴之分量。因此， 於步驟585可進而判斷標準波形投影在縱座標轴之分量與 被取樣之波形投影在縱座標軸之分量是否相符；或是於 步驟585可進而判斷標準波形投影在橫座標軸之分量與被 取樣之波形投影在橫座標軸之分量是否相符。藉此，於步 驟585可分析電子元件210之狀態。 舉例來說，步驟580所預載之標準波形投影在縱座標 軸之分罝為5點；步驟540所取樣之波形投影在縱座標軸 之分量為11點。因此，於步驟585可判斷出標準波形投影 在縱座標軸之分量與被取樣之波形投影在縱座標軸之分量 沒有相符。如此，意味著電子元件或其周邊元件可能故障。 雖然本發明已以實施例揭露如上’然其並非用以限定 本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範 圍内，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍 應視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 第1圖是依照本發明一實施例的一種檢測裝置1〇〇的 不意圖。 第2A圖是檢測裝置300的示意圖。 第2B圖是檢測裝置3〇5的示意圖。 第3A圖、第3B圖、第4A圖與第4B圖分別是第i圖 之感測器110的側向示意圖。 第1圖是依照本發明一實施例的一種檢測方法4〇〇的 流程圖。 23 1 1379089 第6圖是檢測方法400的另一流程圖。

【主要元件符號說明】 100 ： 檢測裝置 110 ： 感測器 111 : 探針 112 ： 印刷電路板 113 ： 探針 114 ： 導線 115 ： 平頭 116 : 第一表面 117 ： 第二表面 118 ： 電介質 120 ： 電源 130 ： 測量器 140 ： :記憶體 150 ： 監測器 162 ： :峰至峰電壓 偵測模組 164 ： 工作比偵測模組 166 ： 計算模組 168 ： 取樣模組 171 ： 第一儲存模 組 172 ： 第一指示模 組 173 ： 第二儲存模 組 174 ： 第二指不模 組 Γ *-►· L Ο 24 1379089 :第三儲存模組 :第三指示模組 :第四儲存模組 :第四指示模組 :信號源 :負反饋放大器 :回授電阻 :運算放大器 :印刷電路 :電子元件 :檢測裝置 :檢測裝置 :第一絕緣層 :導電層 :第二絕緣層 :信號緩衝器 :輸入端 :輸出端 :檢測方法 —450 :步驟 —585 :步驟

Claims (1)

1. 2〇12年9月7日修正替換頁 十、申請專利範圍： .一種檢測裝置，用以檢測一電力電路，其具有至少 一金屬氧化物半導體，該檢測裝置包含： 一感測器，配置於該金屬氧化物半導體上方； 電源，用以提供電力至該印刷電路，藉以啟動該電 力電路並驅動該金屬氧化物半導體； 一測量器’用以當該電力電路啟動時，經由該感測器 去測量一感測訊號’該感測訊號反映出該金屬氧化物半導 體之狀態； 一峰至令電壓偵測模組’用以自該感測訊號偵測一峰 至峰電壓’以反映該金屬氧化物半導體之狀態； 一工作比偵測模組，用以偵測該感測訊號之工作比， 以反映S亥金屬氧化物半導體之狀態； 一計异模組’用以根據該感測訊號，計算一均方根電 壓’以反映該金屬氧化物半導體之狀態；以及 一取樣模組’用以對該感測訊號之波形作取樣，以反 映該金屬氧化物半導體之狀態。 2.如請求項1所述之檢測裝置，更包含： 一記憶體’用以預載一預定限制；以及 一監測器，用以每當該感測訊號未符合該預定限制 時’指示一錯誤條件。 26 1379089 « 2012年9月7日修正替換頁 3. 如請求項1所述之檢測裝置，更包含： 一第一儲存模組，用以預載一預定峰至峰電壓限制； 以及 一第一指示模組，用以每當該感測訊號未符合該預定 每至峰電壓限制時，指示一第一差異狀態。 4. 如請求項1所述之檢測裝置，更包含： —第一錯存模組，用以預載一預定工作比限制；以及 一第二指示模組，用以每當該感測訊號之工作比未符 合該預定工作比限制時，指示一第二差異狀態。 5·如請求項1所述之檢測裝置，更包含： 一第三儲存模組，用以預載一預定均方根電壓限制； 以及 一第三指示模組’用以每當該均方根電壓未符合該預 疋均方根電壓限制時，指示一第三差異狀態。 6·如請求項1所述之檢測裝置，更包含： 一第四儲存模組，用以預載一預定均方根電壓限制； 以及 * 一第四指示模組，用以每當該感測訊號之波形未符合 該預定波形限制時，指示一第四差異狀態。 σ 7.如請求項1所述之檢測裝置，其中該感測器包含： 一探針；以及 27 1379089 20丨2年9月7曰修正替換頁 -印刷電路板’電性連接該探針。 8. 如請求項7所述之檢測裝置，其中㈣測器更包含： 一第一絕緣層，包圍該探針； 一導電層，包圍該第一絕緣層： 一第二絕緣層，包圍該導電層； 一導線，電性連接該導電層； -訊號緩衝器’包括一輸入端與—輸出端，其中該輸 入端與j探針電性連接，$輸出端經由該導線搞接至該導 電層。 9. 如請求項1所述之檢測裝置，其中該感測器包含： 一探針，包括一電線與一平頭，該平頭具有一第一表 面與一第二表面，其中該電線與該平頭之該第一表面電性 連接；以及 一電介質’位於該平頭之該第二表面上。 ι〇.如請求項9所述之檢測裝置，其中該電線與該平 、 頭係一體成型。 11，如請求項9所述之檢測裝置，其中該感測器更包 含： —第一絕緣層，包園該電線； 一導電層，包圍該第一絕緣層； —第二絕緣層，包園該導電層； 28 1379089 一導線，電性連接該導電層； 一訊號緩衝器，包杯 輸入端與一輸出端，其中該輸 入端與該電線電性連接，#认， 利 連接6玄輸出端經由該導線耦接至該導 電層。 12. -種檢測方法，用以檢測一電力電路其具有至 少一金屬氧化物半導體，該檢測方法包含： 配置一感測器於該金屬氧化物半導體上方； 提供電力至該印刷電路，i 1 & 电崎稭以啟動戎電力電路並驅動 該金屬氧化物半導體；以及 t該電力電路啟動時，經由該感測器去測量一感測訊 號，該感測訊號反映出該金屬氧化物半導體之狀雖； 自該感測訊號偵測一峰至峰電壓，以反映該金屬氧化 物半導體之狀態； 偵測邊感測訊號之工作比’以反映該金屬氧化物半導 體之狀態； 根據該感測訊號，計算一均方根電壓，以反映該金屬 氧化物半導體之狀態；以及 對該感測訊號之波形作取樣’以反映該金屬氧化物半 導體之狀態。 13. 如諳求項12所述之檢測方法，更包含： 預載一預定限制；以及 每當該感測訊號未符合該預定限制時，指示一錯誤條 件。 29 1379089 * · 2012年9月7日修正替換頁 14.如請求項12所述之檢測方法，更包含 預載一預定峰至峰電壓限制；以及 每當該感測訊號未符合該預定峰至峰電壓限制時指 一第一差異狀態。 15.如請求項12所述之檢測方法，更包含 預載一預定工作比限制；以及 工作比限制 每當該感測訊號之工作比未符合該預定 時’指示一第二差異狀態。 16.如請求項12所述之檢測方法，更包含： 預載一預定均方根電壓限制；以及 限制時 _ ^句方根電壓未符合該預定均方根電壓 不—第三差異狀態。 如β月求項12所述之檢測方法，更包含： 預栽—預定岣方根電壓限制；以及 指 - Π::訊號之波形未符合該預定波形限制時 w w差異狀態。 30