TWI378521B - Mock wafer, system calibrated using mock wafer, and method for calibrating automated test equipment - Google Patents
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- TWI378521B TWI378521B TW094117658A TW94117658A TWI378521B TW I378521 B TWI378521 B TW I378521B TW 094117658 A TW094117658 A TW 094117658A TW 94117658 A TW94117658 A TW 94117658A TW I378521 B TWI378521 B TW I378521B
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Description
九、發明說明: 【韻^明所屬技彳标領域】 本發明係有關於模擬晶圓、利用模擬晶圓所校準的系 統及用於校準自動化測試設備之方法。 發明背景 在使用之前及使用後的定期,需要校準電子電路自動 化測試設備(ATE),以確保在詮釋自ATE獲得的測試資料時 已將其彳5號路役中的製造變異、測試一受測試單元(DUT) 的環境條件、及其他因素列入考慮。 一般而言,校準係包含1)將ATE的一參考通路(譬如一 主時脈源)順序性連接至ATE的各其他通路,2)在各順序性 連接之後傳輸一測試信號,然後3)記錄各所傳輸測試信號 的一特徵(譬如記錄一信號延遲)。 傳統上’已經利用將ATE的參考通路順序性連接至ATE 的各其他通路之機械代理物(mechanical robots)或中繼矩陣 (relay matrices)來校準ATE。然而’這些解決方案通常很昂 貴且需要大量時間來完成校準。尚且’其通常在一可能不 同於生產測試環境之“校準環境”中進行校準。譬如,校準 環境通常不包括探針卡(亦即,設計用來在生產測試期間將 ATE連接至一特定DUT(或DUT組)之慣用介面)。 另一進行ATE校準之方式係經由一慣用製造的半導體 晶圓。慣用晶圓可包括較多或較少的主動電路(譬如切換式 矩陣),但在一簡單實施例中只包含複數個慣用晶粒,其各 :有,由-或多個電路跡線互連之一或多對的針腳。使用 ^用阳圓之-優點係在於其可以類似生產晶圓的方式安裝 至ATE,故能夠當作探針卡信號路徑來校準ate◊然而,慣 用製造的半導體晶圓通常亦很昂貴,且其使用壽命很短(譬 時Φ由於重覆探測的結果,使其晶粒塾磨耗,導致晶 粒墊喪失一致性及與ATE通路的不良連接性)。 【發^明内容】 發明概要 ^ —實施例中’一用以校準自動化測試設備之模擬晶圓 係包含-具有數個互連件區域之印刷電路板,其中各互連 件區域係包含經由—連接跡線麵合之—對模擬晶粒塾。 另Λ細*例中,一系統係包含自動化測試設備(ate)、 一模擬晶B1、及-校準程式。攝係包含—處理器、及一 耗合至ATE的複數個信號路徑之測試頭連接器〇模擬晶圓 係包含一具有數個互連件區域之印刷電路板(pcb),其中各 互連件區域係包含經由一連接跡線耦合之一對模擬晶粒 塾。處理$所執行的校準程式係造成ATEi)相練測試頭連 接克來索引模擬晶圓,ii)將測試頭連接器的數個探針耦合 至模擬晶圓的數個模擬晶粒塾,iu)傳輸一測試信號於經由 —對模擬晶粒墊雜合的-對探針與模擬晶圓的連接跡線 之間,及1V)藉由記錄所傳輸測試信號之一特徵來校準ATE 之—或多個選定的信號路徑。 另一實施例中,一用於校準自動化測試設備(ATE)之方 去係包含將-模擬晶圓耦合至ATE。模擬晶圓係包含一具 有數個互連件區域之印刷電路板(PCB),其中各互連件區域 包含經由一連接跡線輕合之一對模擬晶粒塾。模擬晶圓耗 合ATE之後’造成ATE i)相躲一測試頭連接器來索引模擬 晶圓,ii)將測試頭連接器的數個探針耗合至模擬晶圓的數 5個模擬晶粒墊’ iii)傳輸―測試信號於經由—對模擬晶粒塾 所輕合的-對探針與模擬晶圓的連接跡線之間,及叫藉由 記錄所傳輸測試信號之一特徵來校準ATE之一或多個選定 的信號路徑。 亦揭露其他實施例。 10 圖式簡單說明 本發明的示範性及目前較佳實施例係顯示於圖中,其 中: 第1圖顯示一示範性模擬晶圓的佈局; 第2圖顯不第1圖所示的模擬晶圓之示範性PCB層; 15 第3®顔7錄校準自動化職設備之示範性方法; 第4圖顯示一示範性生產晶圓; 第5圖顯示一示範性探針卡,其可對接至自動化測試設 備以探測第1及4圖所示的晶圓;及 第6圖顯示—可使用第1 ' 4及5圖所示的晶圓及探針卡 20之示範性自動化測試設備系統。
【實施方式J 實施例的詳細描述 在晶圓級接受測試期間,継使一半導體晶圓上的數 個晶粒(亦即電子電路)受到—系列測試來決定晶粒是否通 7 過而應被接受,或者其是否失敗而應剔退。如果一晶粒通 過,其可繼續前進而被切分、封裝及使用或銷售。 一般而言,晶圓係稠密地插佈有製造於其上之數個到 數百個晶粒。各個晶粒則可包含數個到數百個晶粒墊以供 電源、接地及/或ι/ο(輸入/輸出)連接用。結果,每個晶圓之 晶粒墊的密度可能高達數千個。範例中,第4圖顯示一其上 具有十六個晶粒(W1-W16)之相對較簡單的晶圓400,各晶 粒具有一組十六個晶粒墊(DP1-DP16)。 在接文測試期間’ ATE係實體地接觸晶圓4〇〇上的晶粒 墊。ATE時常配合有一連接器(譬如一探針卡)藉以作為一特 定DUT晶圓與ATE的較一般性(或可轉接性)1/〇針腳之間的 一介面。部分案例中,探針卡可能一次能夠接觸一晶圓的 所有晶粒m ’雖然繞可能設有可供騎晶圓測試 之數百到數千個信號路徑(或通路),ATE時常無法在一晶圓 的所有晶粒墊上同時地進行測試。結果,一探針卡通常將 l 3 〇又汁用來接觸一晶圓上之一次組的晶粒墊(諸如一特 疋組晶粒的所有晶粒墊)之一探針佈局(譬如微針頭或彈簧 針腳)。在次組的晶粒墊上進行數項測試之後,ATE隨後將 相對於晶圓來索引(移動)探針卡並往下碰觸於其一不同組 的曰曰粒墊上。部分案例中,索引 '往下碰觸及進行一系列 剩試之作用可能重覆數次。 範例中,第5圖顯示一相對較簡單的探針卡5〇〇。探針 卡5〇〇包含四組的十六個探針卩丨^^,其可讓探針卡索引 及往下碰觸於晶圓400上之不同次組的四個晶粒上(亦即用 1378521 於晶粒之平行測試)。-般而言,一探針卡的各探針將轉合 至一ate信號路徑或通路。因此’探針卡5〇〇的六十四個二 針將分別輛合至六十四個不同信號路徑。然而,ATE信號 路徑的數量未必永遠等同於ATE通路的數量。譬如在多 5工處理的案例中,多重的通路可耦合至一探針,或者多重 的探針可耦合至一通路,藉以生成比探針或通路數更多之 信號路徑。
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20 第6圖顯示一示範性ATE系統6〇〇。基於此討論用,已 經簡化ATE系統600的結構。ATE 600係包含一測試頭6〇5、 一探測器610、一測試頭支撐臂615、一纜線導管62〇、一控 制系統625 ' —臂操縱器630、及一臂制衡器635。導管62〇 係可包含用於攜載各種不同測試及控制信號於測試頭 605、探測器61〇、臂操縱器63〇及控制系統625之間之一或 多個繞線。 控制系統625可包含各種不同的組件,包括一或多個處 理器、記憶體、信號產生器、及信號分析器。一用於界定 以自動化方式來操作ATE的測試及控制資訊之測試程式係 可儲存在控制系統625的記憶體中且由其處理器予以執 行。利用此方式,可以極少或根本不需要使用者的投入來 完成晶圓測試。 操作中’臂操縱器630將測試頭605往上移動且移至一 側故使—探針卡500可耦合至測試頭605而一晶圓400可耦 合至探測器610。部分系統中,可提供一卡匣(未圖示)以自 動地裝載及卸載一系列的晶圓至/自ATE 600。裝載一晶圓 9 400之後,臂操縱器630、測試頭605及/或探測器610係移動 探針卡500或晶圓4〇〇以相對於探針卡500來索引(亦即對準) 晶圓400並往下碰觸於晶圓4〇〇的一組晶粒墊上。 一示範性ATE系統係為得自總部位於美國加州帕羅歐 轮之安捷倫科技公司(Agilent Technologies, Inc.)的4,608通 路 Versatest Series Model V5400。 在使用之前及使用後的定期,需要校準八丁^,以確保 在言全釋得自ATE的測試資料時已將其信號路徑中的製造變 異、測試一受測試單元(D U T)的環境條件、及其他因素列入 考慮。由於晶粒設計成在較高速度及較緊密公差下操作, 校準係變得益加重要。 第1圖顯不一包含十六個互連件區域M1-M16之示範性 模擬晶圓1G G的佈局’各互連件區域係具有十六個模擬晶粒 塾DP1-DP16。如圖所示,互連件區域可採取‘‘模擬晶粒,,的 形式。亦即,各互連件區域可包含仿傚—生產晶粒(譬如晶 粒W1 W16的者)上的晶粒塾數量及配置之晶粒塾數量及 配置。部分案财,-互連件區域可包含比__生產晶粒更 少之晶粒墊。然而,為了減輕對於-探針卡500的探針之損 害’各互連件區域較佳係應提供__金屬塾、接地層、或共 同平面以供_探針卡則的各探針往下簡於其上。 互連件區域或“模擬晶圓,,的命名係因為其並非正常運 作的生產晶圓。而是,各個互連件區域係包含經由一連接 跡線耗合之—對模擬晶粒墊。_合的晶粒触佳係具有 對應於-對生產晶教塾之間的關係之—關係。利用此方式 且如下文詳述,可湘將在生產測試中所實際使用的探針 卡來進仃ATE校準,故能夠就生產探針卡的範疇來校準 ATE。 部分案例中,一模擬晶圓上的各互連件區域係可包含 獨特一對之經連接的模擬晶粒墊。譬如,第丨圖顯示一包含 十六個獨特的模擬晶圓M1_M16之模擬晶圓1〇〇。範例中, 假疋bb粒墊DP8係對應於一連接至ATE 6〇〇的一參考通路 之探針卡探針。如此技藝所知,一參考通路係可提供一可 以相對方式供ate的所有通路依其校準之主時脈信號或類 似物。譬如,在AC校準期間,一時脈信號可傳輸於ATE的 參考通路及ATE的各其他通路之間。隨後可對於ATE的各通 路記錄一傳輸延遲,故可從生產測試期間得自一DUT之任 何定時延遲分解出ATE的固有延遲。 如果諸如該組P1的探針卡500等之一組探針卡探針被 順序性索引及往下碰觸於第1圖所示的十六個模擬晶粒各 者上,探針卡的各探針、及其所連接的ATE通路係可相對 於耦合至模擬晶粒墊DP8之ATE的一通路(譬如一參考通路) 受到校準。 第1圖中,模擬晶粒M8係代表參考晶粒墊DP8對於其本 身之一連接。此模擬晶粒因此可用來在ATE 600上進行短路 測試,或可予以消除,藉以降低模擬晶圓1〇〇上所需形成之 模擬晶粒數。部分案例中,亦可消除其他模擬晶粒。譬如, 可以消除也許可能將一生產晶粒的電源或接地塾耗合至一 參考墊之模擬晶粒。 ▲邛刀案例中,對應於一生產晶圓400上的接地墊之所有 模擬明粒塾係可互連及輕合至ate _的一地極。可譬如藉 由將棋擬晶粒_合至—探針卡谓的—接地探針或藉由 將核擬晶粒墊麵合至模擬晶圓100的-接地層來達成此作 5用利用一類似方式,對應於-生產晶圓400上的電源塾之 所有模擬晶粒墊係可互連(且可經由ATE 600叙合或未叙合 至电源)。類似標定的電源及接地墊在模擬晶圓1〇〇上是否 耦合在一起、或者經由對應的探針卡探針耦合至地極或電 源係可能依據利用模擬晶圓! 〇 〇所進行之校準種類而定。譬 10如’特疋的校準程序可能需要一特定特徵阻抗來達成一精 確的結果,在該例中,搞合至共同標定的墊之所有信號路 # 二耦s在起A可能造成不正確的結果。應瞭解可能具有 任何數置的模擬晶圓及模擬晶粒组態,藉以讓部分模擬晶 圓上的接地及電源路徑受到耦合,同時其他模擬晶圓上的 15接地及電源路徑則未耦合。 模擬晶圓100較佳利用印刷電路板(PCB)技術構成。因 此,模擬晶圓100並非半導體晶圓,而是一PCB晶圓。第2 圖顯示模擬晶圓100的一示範性二層構造。亦即,第2圖所 不的模擬晶圓100包含由一介電層21〇所分離之兩金屬層 20 2〇〇、205。模擬晶粒墊及連接電路跡線係可形成於上金屬 層200中,而下金屬層2〇5可對於模擬晶圓1〇〇提供額外剛性 且可能提供一接地層。 一貫施例中,介電層210可包含具有10密耳(〇 〇1吋)厚 度之FR-4材料(亦即阻焰性玻璃纖維4卜需要一具有— FR4 12 1378521 介電層的二層PCB之理由係在於其可容易形成為匹配一生 產晶圓400的平坦度及厚度。然而,其他材料對於介電層2】〇 亦為適合。 範例中,兩金屬層200、205可包含0.5盎司或0.65密耳 5 (0.00065吋)厚的銅。部分實施例中,選擇性鍍覆物215可施 加至墊(譬如墊220)及模擬晶圓100的跡線225。譬如,塾220
10 及跡線225可鍍有200微米(0.0002吋)的鎳及5〇微米(0.00005 吋)的硬金(譬如99.7%金及0.3%鈷的混合物或者,可以取 代或額外方式來施加其他的鍍覆厚度及材料。鍍覆係提供 可承受數千次探針卡往下碰觸而不故障之增高硬度。較佳 係就整體模擬晶圓的厚度之範_來考量鍍覆厚度。利用此 方式’一PCB上之模擬晶粒墊的高度係可大致匹配於一生 產晶圓400上之生產晶粒墊的高度。 15
20 部分實施例中,第二金屬層205可包含一提供良好接地 層之高度傳導性金屬(譬如銅),而介電層210的厚度可控制 為對於第一金屬層200中所形成的所有金屬化提供一均勻 的特徵阻抗(譬如50歐姆)。然而,部分實施例中,第二金屬 層205可為一不良導體,或可由一非導體加以取代。亦即, 部分案例中’層205可能未對於模擬晶圓1〇〇提供一接地 層’而只對於模擬晶圓100提供平面性及剛性。事實上,依 據一模擬晶圓100的尺寸及所需要的操作而定,一模擬晶圓 100的部分實施例可能甚至不需要層205。 模擬晶圓100的部分實施例係可包含不只兩金屬層 200、205及/或金層層之間的互連性(譬如導孔)。然而,在 13 1378521 金屬層之間使用額外的金屬層及導孔係會使得一模擬晶圓 的平坦度及厚度更難以控制,因此與―模擬晶圓仿傲_ 對應的生產晶圓之能力產生干擾。 如前述,可能對於第-金屬層中的金屬化需要-均 5勻的特徵阻抗。譬如,為了維持_5〇歐姆阻抗模擬晶圓 100係可包含-與1G密度寬度的第—金屬層跡線合併之1〇 密耳介電層210。
β刀實施例中,互連件區域可設有不只一對的互連模 擬曰Β粒墊,特別是在ΑΤΕ的各通路相對於各其他通路校準 (而非八k準於-參考通路)之案例中尤然。模擬晶圓的互連 件區域亦可互連不只兩個模擬晶粒塾。然而,這時常將導 致特徵阻抗的損失、及不良的信號反射(但增加或減小介電 層210厚度、或提供—穩定的接地層2Q5將可減輕這些效 應)。 — 邻刀貫施例中,模擬晶圓1〇〇可包含複數個具獨特構造 的模擬晶粒,但其他實施例中,模擬晶圓10 0可能只包含單 一模擬晶粒、複數個相同的模擬晶粒、或獨特及複製的模 擬晶粒之各種不同組合。譬如,相同的模擬晶粒組態可重 2覆於一杈擬晶圓上以形成一圖案或矩陣的模擬晶粒,其各 八有相同組態,以能夠使一探針卡500往下碰觸一次藉以平 行地校準其探針組ρι·ρ4之連接的信號路徑。其他模擬晶圓 係可包含圖案或矩陣之其他具獨特構造的模擬晶粒來連接 其他探針/信號路徑以供單一往下碰觸期間的平行校準之 用。雖然排列各具有相同組態之模擬晶粒圖案(具重覆性構 14 造的模擬晶粒圖案)可能導致較少的索引及往下碰觸步 驟,其亦會導致需要額外的模擬晶圓。可依據-組特定的 外在環境以不同方式來解決此取捨關係。 在互連件區域未提供—組完整的模擬晶粒塾之案例 中可月b増加-核擬晶圓100上之互連的模擬晶粒塾之密 度。然而,各互連件區域較佳係包含一組完整的模擬晶粒 墊藉以此夠使—模擬晶圓更緊密地複製ATE測試-生產 晶圓400之條件。各模擬晶粒塾較佳亦鑛覆有—貴金屬以減 輕對於一探針卡的探針之污染及/或傷害。 1〇 部分實施例中’可能需要不只—個模擬晶圓來達成校 準。譬如,當晶粒具有512個針腳(晶粒墊)時,只有其中256 個配合在一晶圓上,且每個模擬晶粒只作一連接,隨後將 需要在各模擬晶圓上兩個具有256個模擬晶粒的模擬晶圓 來提供512個連接以測試耦合至一探針卡探針之各信號路 15徑。並且,探測器活動性限制、及模擬晶粒在一模擬晶圓 上之放置係可能造成需要不只一個模擬晶圓。如果提供的 話,一或多個模擬晶圓可裝載至一 ATE卡匣(未圖示)内以自 動裝載及卸載。 一用於校準ATE 600之示範性方法300係顯示於第3圖 20中。方法3〇〇首先係將一模擬晶圓100耦合302至ATE 600。 範例中,模擬晶圓100可包含一具有數個互連件區域之 PCB ’各互連件區域係包含經由一連接跡線耦合之一對模 擬晶粒墊。 方法300接著係造成304 ATE 600 1)相對於一測試頭連 15 接»(言如-探針卡5GG)來索引306模擬晶圓1〇〇,2)將測試 頭連接$500的數個探針耗合⑽至模擬晶圓的數個模擬晶 粒墊,3)傳輸31G-測試信號於經由__對模擬晶粒独合之 -對探針與模擬晶圓連接跡線之間,及4)藉由記錄所 傳輸的測試信號之一特徵來校準312八1^的一或多個選定 信號路徑。範例中,戶斤記錄的信號特徵可為一傳輸延遲。 依據ATE 600的組態而定,可藉由移動測試頭6〇5、探 測器610、或兩者來進行模擬晶圓1〇〇與測試頭連接器5〇〇之 間的索引。 部分案例中,方法300接著可能係為決定314是否已經 杈準所有的信號路徑,且如果尚未校準部分信號路徑,可 以模擬晶圓1〇〇及測試頭連接器5〇〇之一不同索引作用來重 覆作用306-310。 部分實施例中,可藉由一譬如儲存在ATE 6〇〇的控制系 統625的一記憶體中之校準程式來實行方法300。 根據一示範性校準程序,一校準程式首先可能造成探 針組P4(第5圖)往下碰觸於模擬晶粒mi上。傳輸一測試信號 及進行一校準之後,校準程式隨後可能造成模擬晶圓丨〇 〇及 探針卡500之一重新索引作用,故使探針組P3及p4往下碰觸 於模擬晶粒Ml及M2上。傳輸一測試信號及進行一校準之 後’該校準可以額外的次數來重新索引模擬晶圓1〇〇及探針 卡500,故使探針組P3及P4索引模擬晶圓1〇〇的第一列中之 所有模擬晶粒。隨後,模擬晶圓1〇〇及探針卡5〇〇可被索弓丨 以使探針組P2及P4索引模擬晶粒Ml及M5。繼續此重新索 ^/«521 ^/«521
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20 引作用,直到各探針組ρι ρ4已經索引各模擬晶粒 M1-M16、且已經相對於探針組及模擬晶粒的各組合獲取一 校準讀數為止。 任何校準程序期間之精確的索引及往下碰觸數將依據 一特定的探針卡500及模擬晶圓1〇〇之設計(包括其尺寸及 探針或晶粒墊的數量)、以及一校準程式的本質而定。為了 盡里降低經由一探針卡5〇〇來校準所有信號路徑所需要的 下碰觸數,一模擬晶圓係可能包含模擬晶粒重覆(亦即單 曰曰圓上之兩或更多個相同的模擬晶粒)。亦可利用不只一 個模擬晶圓(其中各模擬晶圓上具有不同類型或圖案的互 連件區域)來校準一探針卡500。 可利用上述方法來進行多種不同的ATE及探針卡校 準。譬如,一AC定時(亦即路徑延遲或延遲均衡(deskew)) 校準係可將一時脈或其他信號射過一參考通路,然後由於 通路經由往下碰觸於一模擬晶圓的不同晶粒上被耦合至參 考通路而經由數個其他ATE通路的各者來偵測時脈信號。 部分實施例中,各信號路徑係相對於供各模擬晶粒用 之一參考路徑加以延遲均衡。延遲均衡測試結果係相對於 參考值而非絕對值而言。利用一相對延遲相對於參考信號 路徑來校準各信號路徑。對於一模擬晶粒之該組相對延遲 係可對於最短的相對延遲加以正規化(亦即,相對延遲係變 成相對於最短的相對延遲)。部分實施例中,可根據不同的 連接跡線長度(亦即,當連接不同對的模擬晶粒墊之跡線長 度不同時)來調整相對延遲資料。 17 1378521 5
10 利用此處所揭露的模擬晶圓及伴隨 設計探針卡料需要參考校準,藉㈣免對於=^二十 之額外探針與複雜度以及較高精確度的製造。十卡^十 期間所使用的相同探針卡可在生產測試期:使二且並:準 可令模擬晶®承受許多次接觸1有時切耗之前可探測 數千次。尚且’基於PCB技術賴擬㈣通常係比慣用半 導體晶圓更便宜數個數量級,且軌半料㈣更為对 久。尚且,基於PCB技術的模擬晶圓可容易地匹配於一晶 圓的機械尺寸(譬如厚度及平坦度),_是在pcB只由兩金 屬層構成之案例中尤然。 利用上述的方法及裝備,ATE校準可時常以比慣用半 導體晶圓所可能麵i社但仍右相㈣ 度及精確度_。 __----~~—- 以 【圖式簡單說明3 15
20 第1圖顯示一示範性模擬晶圓的佈局; 第2圖顯示第1圖所示的模擬晶圓之示範性peg層; 第3圖顯示一用於校準自動化測試設備之示範性方法; 第4圖顯示一示範性生產晶圓; 第5圖顯示一示範性探針卡,其可對接至自動化測試設 備以探測第1及4圖所示的晶圓;及 第6圖顯示一可使用第i、4及5圖所示的晶圓及探針卡 之示範性自動化測試設備系統。 18 1378521
【主要元件符號說明】 100···模擬晶圓 200…上金屬層 205…下金屬層 210···介電層 215···選擇性鍍覆物 220…塾 225…跡線 300···方法 302…步驟 306…步驟 308…步驟 310···步驟 312…步驟 314…步驟 400···生產晶圓 500…探針卡 600···系統 605…測試頭 610…探測器 615···測試頭支撐臂 620···纜線導管 625…控制系統 630…臂操縱器 635···臂制衡器 DP1-DP16···模擬晶粒墊 DUT···受測試單元 M1-M16…模擬晶粒,互連件區域 P1-P4…探針,探針組 W1-W16…晶粒 19
Claims (1)
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十、申請專利範圍:丨。丨叫·月'1¾修正本 1. 一種用於校準自動化測試設備之模擬晶圓,該模擬晶圓 ' 包含: 具有數個互連件區域之一印刷電路板,其中該等互 連件區域各包含經由一連接跡線耦合之一對模擬晶粒 墊,且其中該等模擬晶粒墊的每一對係組配來供該自動 化測5式a又備之探針降落於其上。 • 2·如申請專利範圍第1項之模擬晶圓,其中各對的該等模 擬晶粒墊係具有一關係,該關係對應於用於垂直校準自 動化測試設備之—生產晶圓的一對生產晶粒墊之間的 一配置之一關係。 3·如申請專利範圍第丨項之模擬晶圓,其中該印刷電路板 具有複數個該等互連件區域,該等互連件區域之每一者 各包含一獨特對之經連接模擬晶粒墊。 4.如申請專利範圍第3項之模擬晶圓,其中每一獨特對之 _ ㉘連接模擬晶粒具有—配置,該配置包含i)對應於-單 一生產晶 晶粒墊之一第一模擬晶粒墊,及⑴對應於一獨特 另一生產晶粒墊之一第二模擬晶粒墊。 5.如申請專利範圍第i項之模擬晶圓,其中各個互連件區 組晶粒墊呈相等數量之一組 域以與一生產晶粒上的一組晶; 模擬晶粒墊來形成一模擬晶粒。 6.如申請專利範圍第丨項之模擬晶圓,其中該印刷電路板 係在該等互連件區域上具有相等於一生產晶粒上的晶 粒墊數量減去該生產晶粒上的參考、接地及電源塾數量 20 1378521 101Λ251 第94117658號專利申請案申請說明書修正百 之數個晶粒墊。 7. 如申請專利範圍第1項之模擬晶圓,其中該印刷電路板 只包含由一介電層所分離之兩金屬層。 8. 如申請專利範圍第7項之模擬晶圓,其中選擇該等金屬 及介電層的厚度以對於該等金屬層的一者中所形成之 跡線提供五十歐姆(50Ω)阻抗。 9. 如申請專利範圍第8項之模擬晶圓,其中不具有輕合該 等兩金屬層之傳導路徑。 10. 如申請專利範圍第1項之模擬晶圓,其中該印刷電路板 上之該等模擬晶粒塾的1¾度係大致地匹配一生產晶圓 上之生產晶粒墊的高度。 11. 如申請專利範圍第1項之模擬晶圓,其中該等模擬晶粒 墊係鍍覆有鎳及硬金。 12. —種自動化測試系統,包含: 自動化測試設備(ATE),其包含i)一處理器,及ii} 耦合至該ATE的複數個信號路徑之一測試頭連接器; 一模擬晶圓,其包含具有數個互連件區域之一印刷 電路板(PCB),其中該等互連件區域各包含經由一連接 跡線耗合之-對模擬晶粒墊,且其中料模擬晶粒塾的 每一對係組配來供該自動化測試設備之探針降落於其 上;及 ' 由該處理ϋ執行之—校準程式,其造成該ate作下 述動作:i)相對於該測試頭連接器來索5丨該模擬晶圓, ii)將該測試頭連接器的數個探針耗合至該模擬晶圓的 21 =二對該等探針與該模擬晶圓的連接跡線之 該ate的-或多個選定的信號路徑。Μ來校準 13=;_項以統,〜頭連_
:=3第12項之线,其中該校準程式造成該 覆4引1合、測試信號傳輪及校準,·及 覆係與該等模擬晶圓及測,連接器之-不同 索引相關聯。 w 15.;=範圍第14項之系統’其中各該等對_晶 粒塾係包含定位為麵合至該ATE的—參考通路之一模 擬晶粒塾*。
16.如申請專利範圍第12項之系統,進-步包含數個額外的 模擬晶圓’該等額外的模擬晶圓之每—者各包含具有數 個互連件區域之—PCB,該等互連件區域係包含經由-,接跡線耦合的-對模擬晶粒墊;其中該等額外的模擬 日日圓之每一者各具有—與該等模擬晶圓的其他者之互 連件區域之圖案不同的互連件區域之圖案。 17· 一種用於校準自動化測試設備(ate)之方法,包含下列 步驟: 將一模擬晶_合至該ATE,該模擬晶圓包含具有 數個互連件區域之-印刷電路板(PCB),其中該等互連 件區域各包含經由-連接跡線耦合之-對模擬晶粒 22 1378521 . 塾,且其中該等模擬晶粒塾的每-對係組配來供該自動 •. 化測試設備之探針降落於其上;及 祕該ATE作下鶴# :丨)相對於_測試頭連接器 來索引該類晶圓’ ϋ)將動m頭連接⑽數個探針輕 合至該模擬晶ai的數個觀晶粒塾,iH)傳輸-測試信號 於經由-對模擬晶粒墊_合的—對該轉針與該模 擬晶圓的連接跡線之間’及iv)藉由記錄該所傳輸的測試 Φ 信號之一特徵來校準該ATE之—或多個選定的信號路 徑。 18. 如申請專利範圍第17項之方法,其中該記錄所傳輸信號 的特徵係包含記錄該測試信號之一傳輸延遲。 19. 如申請專利範圍第17項之方法,進—步包含造成該ate 重覆β亥索引、測試〇號傳輸及校準;其中每次重覆係與 該等模擬晶圓及測試頭連接器之一不同索引相關聯。 23
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