TWI378128B - Coating composition, optical film, anti-reflection film, polarizing plate, and display unit using them - Google Patents

Description

4 1378128 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種塗布組成物、光學薄膜、抗反射薄 膜 '偏光板乂及使用該等組成元件之顯示單元。 【先前技術】 近年來發展出使用多種塗布方法的材料。特別於光學 薄膜、印刷及光刻術領域要求數微米至數百奈米的薄層塗 布技術，隨著薄膜的減薄、基材尺寸的加大、以及塗布速 # 度的加快要求的塗布準確度升高。特別於光學薄膜之製造 上，薄膜厚度的控制乃影響光學效能的極爲重要的重點， 要求可實現高塗布速度、同時維持高準確度的技術的需求 愈來愈增加。 抗反射薄膜通常係設置於諸如陰極射線管（CRT)、電漿 顯示面板（PDP)、電致發光顯示器（ELD)及液晶顯示器（LCD) 等顯示單元的外表面來降低反射比，抗反射薄膜係經由使 用光學干涉用來防止反差的下降，以及經由反射外部光線 ®來鏡射影像的原理。 與習知CRT相較之下，隨著深度較淺而顯示面積較大 的顯示單元的普及，要求品質更進一步精準且有高品質的 顯示單元。使用該種傾向，強力要求抗反射薄膜之平坦均 勻度。平坦均勻度一詞用於此處，表示於整個顯示區不存 在有經由防止反射效能所呈現的光學效能的分散度、以及 諸如耐刮性等薄膜物理效能的分散度》 至於抗反射薄膜之製造方法，舉出JP-A- 7-3 3 3 4 04揭 4 * 4 *1378128 示之使用氧化矽薄膜藉CVD進行氣體障壁性質、防炫光性 質、及抗反射性質絕佳的防炫光抗反射薄膜之製造方法， 但由量產觀點，全部藉濕塗布來製造抗反射薄膜的製法皆 屬優異。 然而，雖然從生產力觀點，全部使用溶劑的濕塗布法 皆極爲優異，但極爲難以維持恰在塗布瞬間後的溶劑乾燥 ’因而容易出現平坦不均。此處使用的平坦不均表示吹風 不均，亦即因乾燥風所造成的厚度不均；或表示乾燥不均 ’亦即歸因於溶劑的乾燥速度差異所造成的厚度不均。全 部濕塗布的主要技術係加快塗布速度來儘可能改進生產力 。但單純提高塗布速度，結果導致乾燥空氣的風速相對增 高，經由撐體的高速移動伴隨的風也影響平坦情況，因而 吹風不均的情況劣化。如此，爲了獲得薄膜的光學效能與 物理性質的分散度受抑制的抗反射薄膜，塗布速度不可增 高至過高。 已知均平性質改良可有效降低塗膜的不均。至於一種 改良均平性質的手段，提議添加界面活性劑至塗布組成物 。此種方法係基於經由添加界面活性劑至塗布組成物，表 面張力下降，且被塗布物質濕潤的機轉，薄膜形成程序中 ，表面張力的變化減少來藉此防止熱對流，如此可改良薄 膜的非均勻度（Coating yo Tenkazai no Saishin Gijutsu (塗 布添加劑的最近技術），Haruo Kiryu彙編，CMC出版公司 (200 1年））。界面活性劑的最佳類別係經由與目的塗布組成 物中的溶劑、樹脂及各種添加劑的相容性而改變，但當溶 4 « 1378128 劑用於塗布時，可有效使用可溶於溶劑且具有最高降低表 面張力能力的含氟界面活性劑。通常，含氟界面活性劑爲 ， 下述化合物，該化合物於同一個分子內具有可實踐降低表 面張力功能之全氟烷基（Rf)基，以及當界面活性劑用作爲 添加劑時可促成與多種塗膜成分與薄膜生成材料之親和力 的親介質基。此種化合物可經由具有全氟烷基單體與具有 親介質基單體共聚合而得。 至於具有親介質基之單體與具有全氟烷基之單體共聚 • 合的代表性實例，例如爲聚（氧基伸烷基）丙烯酸酯及聚（氧 基伸烷基）甲基丙烯酸酯。 但雖然經由使用習知含氟界面活性劑可讓乾燥不均和 吹風不均變成較佳，但於透明撐體之行進方向之垂直方向 ’出現週期性厚度不均（後文稱作爲「高度不均」），造成 塗布後之抗反射薄膜的等級降級的問題。 【發明內容】 本發明之目的係提供： ® (1) 一種含有含氟-脂族基之聚合物之塗布組成物，該塗布 組成物可降低乾燥不均和吹風不均，且同時不會造成高度 不均的惡化， (2) —種具有高度平坦均勻度以及足夠防止反射效能的抗 反射薄膜，以及 (3) 使用此種抗反射薄膜之一種偏光板和一種顯示單元。 經由積極檢驗屬於含氟聚合物型界面活性劑的組成分 之含氟單體中的氟烷基結構，以及檢驗含氟單體與非含氟 1378128 單體之組成物，本發明之發明人發現經由使用含有I/O値 等於1.0以下的單體，且不含習知含氟型界面活性劑通常 所含的聚（氧基伸烷基）丙烯酸酯及/或聚（氧基伸烷基）甲基 丙烯酸酯之含氟聚合物型界面活性劑，可獲得可降低塗膜 發生乾燥不均和吹風不均且同時不會造成高度不均惡化的 一種組成物。 換言之’經由下列組成已經完成本發明。 (1) 一種塗布組成物，包含： • 含氟-脂族基之共聚物，其包含與含氟-脂族基單體相 應的重複單元A、和與至少一種單體相應的重複單元B， 其中組成該重複單元B的至少一種單體各別之I/O値爲1 . 〇 以下。 (2 )如上（1 )項所述之塗布組成物， 其中該含氟-脂族基共聚物包含： (i)與下式（I)表示之含氟-脂族基單體相應的重複單元； (1)

〇 其中Ri表示氫原子或甲基；X表示氧原子、硫原子或 -N(R2)-; m表示丄至6之整數；n表示1至3之整數；以 及R2表示氫原子或含丨至4個碳原子之烷基；以及 (ii)與下式（2)表示之單體相應的重複單元： 1378128 (2)

R4 其中r3表示氫原子或甲基；y表示二價鍵聯基；以及r4 表示含1至2G個碳原子之直鏈、分支、或環狀烷基。 (3)如（1)項所述之塗布組成物， 其中該含氟-脂族基共聚物包含： (i)與下式（3)表示之含氟-脂族基單體相應的重複單元 (3)

L—(CF2)nH 其中RG表示氫原子、鹵素原子或甲基；L表示二價鍵聯基 ;及η表示1至18之整數；以及 (Π)與下式（2)表示之單體相應的重複單元： (2) 1378128 其中R3表示氫原子或甲基；γ表示二價鍵聯基；以及R4 表示含1至2G個碳原子之直鏈、分支、或環狀烷基。 (4)如（1)項所述之塗布組成物， 其中該含氟-脂族基共聚物包含： (i)與下式（4)表示之含氟-脂族基單體相應的重複單元

Ο 其中R1表示氫原子、鹵素原子或甲基；X表示氧原子、硫 原子或-N(R2)-;m表示1至6之整數；η表示1至18之整 數；及R2表示氫原子或可有取代基的含1至8個碳原子之 烷基；以及 (ii)與下式（2)表示之單體相應的重複單元：以上 (2)

其中R3表示氫原子或甲基；Y表示二價鍵聯基；以及L 表示含I至20個碳原子之直鏈、分支 '或環狀烷基。 -10- 1378128 (5)如（1)項所述之塗布組成物， 其中該含氟·脂族基共聚物包含： (i)與下式[5]表示之含氟-脂族基單體相應的重複單元 (5)

[2—CnF2n+i 其中R2表示氫原子、鹵素原子或甲基；L2表示二價聯結基 :以及η表示1至6之整數；以及 (ii)與下式（2)表示之單體相應的重複單元： (2)

其中r3表示氫原子或甲基；Y表示二價鍵聯基；以及r4 表示含1至20個碳原子之直鏈 '分支、或環狀烷基。 (6) —種光學薄膜，其包含由（1)至（5)項中任一項所述 之塗布組成物所形成的至少一層於透明撐體上，該層係藉 該組成物經由以25米/分鐘以上的塗布速度來塗佈而形成 (7)—種抗反射薄膜’其爲如（6)項所述之光學薄膜 1378128 該光學薄膜具有抗反射性質。 (8) —種偏光板，其包含偏光薄膜，其中如（7)項所述之 抗反射薄膜係用於該偏光薄膜的至少一側上。 (9) 一種偏光板，其包含偏光薄膜，其中如（7)項所述之 抗反射薄膜係用作爲該偏光薄膜之一側的保護膜1以及具 有光學各向異性的光學補償薄膜係用作爲該偏光薄膜之另 一側的保護膜。 (1〇)—種影像顯示裝置，其包含如（7)項所述之抗反射 φ 薄膜或如（8)或（9)項所述之偏光板。 發明實施之最佳態樣 根據本發明之塗布組成物、抗反射薄膜、抗反射薄膜 之製造方法、使用抗反射薄膜之偏光板、以及使用此等元 件之影像顯示裝置之較佳具體例之細節說明如後。本發明 之說明書中’「（甲基）丙烯醯氧基」一詞表示「至少丙烯醯 基或（甲基）丙烯醯氧基」，此種表示法也適用於「（甲基）丙 烯酸酯」及「（甲基）丙烯酸」。當數値表示物理數値及特性 ® 數値時，「由（數値1)至（數値2)」之說明表示「（數値1)以 上至（數値2)以下」《此外’本發明中「於撐體上」之表示 法含有撐體本身的直接表面 '及設於撐體上的任何層（薄膜） 表面雙重意義。 塗布組成物： 本發明之塗布組成物之特徵爲含有一種含氟-脂族基 共聚物（偶爾縮寫爲「含氟聚合物」），藉此該含氟聚合物 含有含氟-脂族基之共聚物’其包含與含氟-脂族基單體相 -12- 1378128 應的重複單元A、和與至少一種單體相應的重複單元b， 藉此組成該重複單元B的至少一種單體各別之I/O値爲1 .〇 以下。 含氟聚合物可爲由例如通式[1]、[3]、[4]或[5]表示的 至少一種單體與可與該單體共聚合的另一種單體之共聚物 。換言之’該聚合物可爲通式[1]、[3]、[4]或[5]表示之單 體與諸如[實施例2]所示之另一種可共聚合單體之共聚物 。另一種可共聚合單體可爲任何可共聚合單體，只要其可 φ 形成重複單元B、不含氟、且其I/O値爲ι_〇以下即可。 本發明之前述I/O値爲經由下述方法獲得的「無機本質 (I)」對「有機本質（0)」之比，該等方法說明於「有機化合物 構想圖及其應用，科學實驗學2(3 )225 -2 5 7」Kawade Shobo (1941)’ Yoshio Kouda;「有機構想圖」，三共出版公司（1984 年）’「具有有機構想圖之配方設計」（日本乳液公司，1 988年 11月出版.，2 00 1年3月26日修訂），及日本乳液公司「使用 有機構想圖的配方設計」，[2005年8月15日取還]，網際網路 < U RL:http：//www.nihon-emuIsion.co.ip/pdf/ocdbook e.pdf >等。其中以日本乳液公司「使用有機構想圖的配方設計」 所述方法爲佳。I/O値係用作爲估計有機化合物的各種物理 化學性質的手段。經由比較碳原子數大小可獲得有機性質 大小，經由比較相等碳原子數値烴類沸點可得知無機性質 大小。舉例言之，以一個（-CH2-)(實際上爲C)作爲有機値 20，由羥基（-0H)對沸點的影響測得無機値爲100。以此種 (-0H)的無機値100作爲標準，獲得其它取代基（無機基）的 -13- 1378128 數値且顯示爲「無機基表」。根據無機基表所得各個分子的 無機値（I)對有機値（0)之比I/O定義爲「I/O値」。隨著I/O 値的增高，親水性質增加；隨著I/O値的下降，疏水性質 增高。 可形成重複單元B用於本發明之單體的I/O値爲1.0 以下，且較佳爲0.8以下。 當塗布包含具有I/O値爲1 .0以上之單體的含氟聚合 物塗布組成物時，對吹風不均與乾燥不均顯示良好平衡情 • 況，但比較不含氟聚合物的塗布組成物塗布的情況，高度 不均顯著惡化。於如此所得的抗反射薄膜觀察到週期性色 調不均，因此該薄膜用作爲設置於影像顯示裝置表面的抗 反射薄膜並不佳。另一方面，當塗布一種塗布組成物其含 有具I/O値1.0以上的含氟聚合物單體時，比較塗布塗布 組成物不含氟聚合物的情況，高度不均不會惡化，而吹風 不均及乾燥不均爲較佳’故可獲得同平面之均勻度絕佳的 抗反射薄膜。當藉此方式所得的抗反射薄膜安裝於影像顯 ® 示裝置時，可獲得不含厚度不均的高級影像顯示裝置。 [含氟聚合物] 後文中’將詳細說明較佳用於本發明的「含氟聚合物」 〇 本發明之含氟聚合物較佳爲含氟-脂族基共聚物，其係 由與如下通式[1]、[3]、[4]或[5]表示之含氟-脂族基單體相 應的至少一個重複單元A、不含氟-脂族基的與如下通式[2] 表不之單體相應的至少一個重複單元B所形成。 -14- 1378128 式（2)中，R3表示氫原子或甲基，及γ表示二 。至於二價鍵聯基以氧原子、硫原子及-N(R5)-爲 示氫原子、含1至4個碳原子之烷基例如甲基、 基、及丁基爲佳。R5更佳表示氫原子或甲基。Y 氧原子。R4表示含4至20個碳原子之直鏈、分 烷基。至於含4至20個碳原子之直鏈、分支或環 較佳使用直鏈或分支丁基、戊基、己基、庚基、 基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十 # 十五烷基、十八烷基、及廿烷基；單環系環烷基 基及環庚基；以及多環系環烷基例如二環庚基、 、三環十一烷基、四環十二烷基、金剛烷基、降 四環癸基。 至於式(2)表示之單體之特例，例如爲下列單 發明並非受此限制。 價鍵聯基 佳。表 乙基、丙 更佳表示 支或環狀 狀烷基， 辛基 '壬 四烷基、 例如環己 二環癸基 萡基 '及 體，但本

-15- 1378128 Η Ο o-ch2ch2ch2ch3 Α-1 Η A-11 ο ,ch3 •〇-CH2CH2CH2CH3 Α-2 CH3 "^-〇-{〇Η2)7〇Η3 Α·12 ο- CH2CH2CH2CH2CH3 A-13 CHa ^-O-CHaCHaCHjCHaCHi /CH3 ^-〇-(CH2)eCH3 A-14

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H >-N-{CH2)16CH3 O H A-39

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CH3 ~V-n-(ch2)16ch3 O H A-40 17- 1378128 Η ~~Ν-(CH2)7CH3 Ο CH3 ch3 ~^-N-(CH2)7CH3 O CH3 Η ~~N-(CH2)8CH3 O CHa ch3 \~~N—(CH2)eCH3 〇 CH3 A-41 A-42 H >-N-(CH2)7CH3 ο c4h9 ch3 ~^-Ν-(ΟΗ2)7ΟΗ3 0 c4h9 A-51 A-52 A-43 A-44 H >-N-(CH2)8CH3 ο c4h9 ch3 ^^-N-(CH2)bCH3 ο c3h7 A-53 A-54

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1378128

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A-91 A-92 A-93 A-94 A-95 A-96 -21 1378128

A-97 A-98 A-99 A-100 A-101 A-102

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-23- 1378128

A-124 A-125

A-126

式（I)中，Ri表示氫原子或甲基；x表不氧原子、硫原 籲子或- N(R2)- ; R2表示氫原子或含1至4個碳原子之院基’ 特別甲基、乙基、丙基或丁基，較佳爲氫原子或甲基；X 更佳表示氧原子；m表示1至6之整數特別爲1;以及η 表示1至3之整數，可爲1至3之混合物且特佳爲3。 通式[5]之R2表示氫原子、鹵素原子或甲基，其中以 =原子及甲基爲佳。η表示】至6之整數，以4至6爲更 未柯^ 6爲最佳。L2表示二價聯結基，特別包括經取代或 乂代之伸烷基、經取佧 Μ β $未經取代之伸芳基、其中具 24- 1378128 有一個聯結基（例如爲醚基、酯基或醯胺基）之經取代或未 經取代之伸烷基、及其中具有一個聯結基之經取代或未經 取代之伸芳基。其中以含2至10個碳原子之經取代或未經 取代之伸烷基、含6至20個碳原子之經取代或未經取代之 伸芳基、及含3至10個碳原子之伸院基、及其中的聯結基 爲佳。以未經取代之伸烷基、未經取代之伸芳基、及其中 含有醚聯結基或酯聯結基之伸烷基爲又更佳。以未經取代 之伸烷基、及其中含有醚聯結基或酯聯結基之伸烷基爲特 • 佳。至於取代基，値得—提者爲鹵素、羥基、锍基、羧基 '環氧基、院基、芳基等，而此等取代基可進一步經取代 〇 此外，前述含氟聚合物中，可含有兩個或兩個以上通 式[5]表不之含氟-脂族基單體之聚合單元作爲成分單元。 通式[1]及[5]表示之含氟-脂族基單體之更特定實例列 舉如後，但非受此所限。

-25- 1378128 Η

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-S-CH2CHr(CF2CF2)3F F-63

O

pH3 S—CH2CH2-(CF2CF2)3F F-64 -28- 1378128 式（3)中，RQ表示氫原子、鹵素原子或甲基，更佳爲氫 原子或甲基。N表示1至18之整數，較佳爲4至12，更佳 爲6至8及最佳爲6。L表示二價聯結基’特別包括經取代 或未經取代之伸烷基、經取代或未經取代之伸芳基、其中 具有〜個聯結基（例如爲醚基、酯基或醯胺基）之經取代或 未經取代之伸烷基、及其中具有一個聯結基之經取代 經取代之伸芳基。其中以含2至1 0個碳原子之經取代或未 經取代之伸烷基，含6至20個碳原子之經取代或未經取代 之伸芳基、及含3至10個碳原子之伸烷基、及其中的聯_ 基馬佳。以未經取代之伸烷基、未經取代之伸芳基、及其 中食有醚聯結基或酯聯結基之伸烷基爲又更佳。以未_ $ 代之伸烷基、及其中含有醚聯結基或酯聯結基之伸院基馬 特佳。至於取代基’値得一提者爲鹵素、經基、疏基 ' 基、環氧基、烷基、芳基等’而此等取代基可進—步經欠 兩種或兩種以 蝴-脂族基單體之聚合 單元可含於氟聚合物作爲成分單元。 1=1 式（4)中’ R1表示氫原子、鹵素原子或甲基，更佳爲氮 原子或甲基。X表示氧原子、硫原子或-N(R2)_，更佳舄〜 原子或-N(R2)-，及又更佳爲氧原子。h表示氫原子或含= 至8個碳原子之烷基，較佳爲氫原子或含1至4個碳原 之烷基，及更佳爲氫原子或甲基。M表示〗至6之整數 較隹爲i至3及更佳爲！。n表示！至18之整數 包 4至12，更佳爲6至8及最佳爲6。 -29- 1378128 兩種或兩種以上式（4)表示之含氟-脂族基單體之聚合 單元可含於氟聚合物作爲成分單元。 式（3)或（4)表示之含氟-脂族基單體之特例顯示如後’ 但本發明並非受此所限。 R1

C02-(CH2)P—(CF^q-H R 1 P q F- 1 H 1 4 F- 2 CHa 1 4 F- 3 F 1 4 F — 4 H 2 4 F- 5 ch3 3 4 F- 6 H 1 6 F- 7 ch3 1 6 F- 8 F 1 6 F- δ TT Λ 6 F - 1 0 CHa 2 6 F - 1 1 H 3 6 F— 1 2 H 1 8 F- 1 3 ch3 1 8 F - 1 4 F 1 8 F- 1 5 ch3 2 8 F - 1 6 H 3 8 F - 1 7 ch3 3 8 F - 1 8 H 1 10 F- 1 9 ch3 1 10 F - 2 0 F 1 10 F - 2 1 H 2 10 F - 2 2 H 2 10 -30- 1378128 R1

C02-(CH2)p—(CF2)p-H R1 P q F- 2 3 H 1 12 F- 2 4 ch3 1 12 F- 2 5 F 1 12 F- 2 6 H 2 12 ¥-21 H 3 12 F- 2 8 H 1 14 F- 2 9 ch3 1 14 F- 3 0 F 1 14 F- 3 1 H 2 1 4 F~ 3 2 ch3 2 14 F - 3 3 H 1 16 F- 3 4 ch3 1 16 F- 3 5 F 1 16 F- 3 6 CHa 2 [16 F- 3 7 H 3 16 F- 3 8 H 1 18 F- 3 9 CHa 1 18 F- 4 0 F 1 18 F — 4 1 H 3 18 F- 4 2 ch3 3 18

-31- 1378128 R1

C-N-iCH^-iCF^-H OR2

R 1 R2 P q F- 4 3 H H 1 4 F- 4 4 ch3 H 1 4 F- 4 5 H ch3 1 4 F- 4 6 H H 2 4 F- 4 7 H H 1 6 F- 4 8 CHa H 1 6 F- 4 9 H CH, 1 6 F- 5 0 K c2hs 4 6 F- 5 1 CHa H 1 6 F— 5 2 F H 2 6 F- 5 3 H H 1 8 F- 5 4 ch3 H 1 8 F- 5 5 H ch3 1 8 F- 5 6 H C4H9 (n) 1 8 F- 5 7 ch3 c2h5 1 8 F- 5 8 H CH2Ph 1 8 F- 5 9 H H 2 8 F- 6 0 ch3 H 3 8 F- 6 1 H H 1 1 0 F- 6 2 ch3 ch3 1 | 1 0 F- 6 3 H H 1 ! '12 F- 6 4 ch3 H 1 12 F- 6 5 H H 1 18 F ~ 6 6 H ch3 1 18 -32- 1378128 R1 =(

C~S— (CH^p—(CFjj),,—H

R1 P q / F- 6 7 Η 1 4 ··〆· F- 6 8 ch3 1 4 〆 F- 6 9 Η 2 L 4 ^ F- 7 0 Η 1 6 一^ F— 7 1 ch3 1 .—6 __ F- 7 2 ch3 2 6 F- 7 3 Η 1 8 〆 F- 7 4 ch3 1 s 〆 F- 7 5 F 1 8 〆 F- 7 6 H 2 8 〆 F- 7 7 CHa 3 8 _ F- 7 8 H 1 10 ^ F-7 9 CHa 1 10 > F— 8 0 H 1 12 〆 F — 8 1 ch3 1 12 F— 8 2 H 1 1 6 _ F— 8 3 ch3 2 _一 __ 1 6 _ F — 8 4 H 1 18 _ F- 8 5 ch3 1 1 8 J

I? /pi- ^ 至目前爲止較佳使用的藉電解氟化方法製造的部％ • 於氟之化學品，其生物分解性低，於活體內的累稹性^ 因而可能產生毒性或對發育的毒性，但其毒性程度不^ 可謂根據本發明之氟聚合物於氟-脂族基之端基具有氣^ 子，根據本發明之氟聚合物之環保安全性較高，因而於工 業上較爲優異。 組成本發明使用之氟聚合物之式（1)、（3)、（4)或（5)表 示之含氟-脂族基單體之聚合單元之含量較佳係超過組成 氟聚合物之總聚合單元之50重量％，更佳爲70至100重 量％及又更佳爲8 0至1 0 0重量％。 -33- 1378128 較佳用於本發明之式（2)表示之單體之聚合 較佳係低於組成氟聚合物之總聚合單元之5 〇重J 爲〇至30重量％，又更佳爲〇至20重量％。 本發明使用之含氟-脂族基聚合物之重量平 ’由防止氣流所引起的表面不規則觀點，較佳爲 1 00,000’ 更佳爲 6,000 至 80,000,又更佳爲 8,000 。但於依據欲添加之相關聚合物之配方而定，當 斥力等表面缺陷時，重量平均分子量較佳由1，〇〇〇 0 此處重量平均分子量及分子量爲藉GPC分析 諸如 TSK 凝膠 GMHxL、TSK 凝膠 G400〇HxL、 G2000HxL (商品名，妥索公司製造）之管柱，以聚 標準，使用溶劑THF及差分折射計測得之分子量 本發明之氟聚合物可根據習知眾所周知的方 舉例言之，聚合物可經由於有機溶劑聚合諸如前j 脂族基之（甲基）丙烯酸酯、具有直鏈、分支或環 (甲基）丙烯酸酯，且添加通用用途之自由基聚合 聚合單體而製造。另外視情況而定，聚合物可經 它可加成聚合之不飽和化合物以及藉前述相同方 。爲了獲得均質聚合物，經由根據各單體之聚合 ，將單體及引發劑滴加至反應瓶內，而有效採用 之聚合方法。 本發明之氟聚合物之結構特例顯示如後，但 非受此所限。下式的數値顯示各個單體成分之重 及Mw表示重量平均分子量。 單元含量 t %，更佳 均分子量 3,000 至 至 60,000 出現例如 至 20,000 儀，使用 TSK凝膠 苯乙烯爲 〇 法製造。 ®具有氟-狀烷基之 引發劑來 由添加其 法而製造 能力而定 滴加聚合 本發明並 量比，以 -34- 1378128

ch2-c 100-x

C02-CH2-(CF2)n-H C〇2~R3 X R1 n R2 R3 M w P-1 8 0 H 4 ch3 ch3 11000 P-2 9 0 H 4 H C ή H 9 (n) 7000 P-3 9 5 H 4 H CeH"(n) 5000 P-4 9 0 ch3 4 H CH2CH(C2Hs)C,H8(n) 15000 ;P-5 7 0 H 6 ch3 c2h5 18000 P-6 9 0 H 6 c H 3 12000 P，7 8 0 H 6 H C4Hs(s e c) 9000 P-8 9 0 H 6 H 21000 P-9 6 0 ch3 6 K ch3 15000 P-10 6 0 H 8 H ch3 10000 P-11 7 0 H 8 H C2Hs 24000 P-12 7 0 H 8 H c 4 H 9 (n) 5000 P-13 5 0 H 8 H C 4 H 9 (n) 16000 P -14 8 0 H 8 ch3 C 4 H n(i so) 13000 P-15 8 0 H 8 ch3 C „ H 9 ( t) 9000 P-16 6 0 H 8 H 7000 P-17 8 0 H 8 H CHjCH (C2H5) C,H9 (n) 8000 P-18 9 0 H 8 H C J 2 H 2 5 (n) 6000 P-19 8 0 ch3 8 ch3 C4H0(s e c) 18000 P-20 7 0 ch3 8 ch3 ch3 22000 -35- 1378128 R1 -fcH2~C-

C02-CH2-(CF2)n-F R2 -fCH2-C-)

100-X co2-r-

X R 1 n R2 R3 M w P-21 8 0 H 4 ch3 ch3 11000 P-22 9 0 H 4 H C4H9(n) 7000 P-23 9 5 H 4 H C6H13(n) 5000 P-24 9 0 ch3 4 H CH2CH (C2H5)C4H9(n) 15000 P-25 7 0 H 6 ch3 c2h5 18000 P-26 9 0 H 6 ch3 12000 P-27 8 0 H 6 H C4H9(s e c) 9000 P-28 9 0 H 6 H C12H2S (n) 21000 P-29 6 0 CI-I3 6 H ch3 15000 P-30 6 0 H 8 H ch3 10000 P-31 7 0 H 8 H c2hs 24000 P-32 7 0 H 8 H C4H9(n) 5000 P-33 5 0 H 8 H C4H9(n) 16000 P-34 8 0 H 8 ch3 C 4 H 9 ( i s o ) 13000 P-35 8 0 H 8 ch3 C4H9( t) 9000 P-36 6 0 H 8 H 7000 P-37 8 0 H 8 H CH2CH(C2H5)C,H9(n) 8000 P-38 9 0 H 8 H C i 2 H 2 s (n) 6000 P-39 8 0 ch3 8 CHa C4Hq(s e c) 18000 P-40 7 0 ch3 8 CHa ch3 22000 -36- 1378128

ch2-c R2

100-x C02—(CH2)?-(CF2)q-H C02 — R3

X R 1 P q R 2 R 3 Mw P-41 8 0 H 2 4 H C4H9(n) 18000 P-42 9 0 H 2 4 H C 8H,,(n) 16000 P-43 9 0 ch3 2 4 F C6H13(n) 24000 P-44 8 0 ch3 1 6 F C4Hg(n) 18000 P-45 9 5 H 2 6 H 〇7Η,5(n) 21000 P-46 9 0 ch3 3 6 H ch3 9000 P-47 7 5 H 1 8 F ch3 12000 P-48 8 0 H 2 8 H C^CHiC^jC^sin) 34000 P-49 9 0 ch3 2 8 H C7H15(n) 11000 P-50 8 0 H 3 8 ch3 ch3 18000 P-51 9 0 H 1 10 F C4H9(n) 27000 P-52 9 5 H 2 10 H CH2CH(C3H6)C,H9(n) 12000 P-53 8 5 ch3 2 10 ch3 .C4H9(n) 20000 P-54 8 0 H 1 12 H C6H13(n) 8000 P-55 9 0 H 1 12 H C 8 H 2 7 ( n) 15000 P-56 6 0 ch3 3 12 ch3 c2h5 12000 P-57 6 0 H 1 16 H CH2CH(C2H6)C4Hs(n) 20000 P-58 8 0 ch3 1 16 H C6H13(n) 17000 1)-59 9 0 H 1 18 H ch3 34000 P-60 6 0 H 3 18 ch3 ch3 19000 -37- 1378128 R1 R2 -fCH2-C-]-f-CH2-C-)—^ \ I、 、 z | ,100-x C02-(CH2)r{CF2)q-F C02-R3

X R1 P q R2 R3 1 M w P-61 8 0 H 2 4 H C.Hj(n) 1 18000 P-62 9 0 H 2 4 H C 8 H ! 7 ( n ) 16000 P~63 9 0 ch3 2 4 F C6H13(n) 24000 1 P-64 8 0 ch3 1 6 F C4H8(n) 18000 1 P-65 9 5 H 2 6 H C 7Η! 5(n) 21000 P-66 9 0 ch3 3 6 H ch3 . 9000 P - 67 7 5 H 1 8 F ch3 12000 P-68 8 0 H 2 8 H CHjCHCCjjH^C.HoCn) 34000 P-69 9 0 ch3 2 8 H C7H, 5(n) 11000 P-70 8 0 H 3 8 ch3 ch3 18000 P-71 9 0 H 1 10 F C4H9(n) 27000 P-72 9 5 H 2 10 H CH2CH (C3H6)C4H8(n) 12000 P-73 8 5 ch3 2 10 ch3 C4H9(n) 20000 P-74 8 0 H 1 12 H C6Hj3(n) 8000 P-75 9 0 H 1 12 H C8H17(n) 15000 P-76 6 0 ch3 3 12 ch3 C 2 H 5 12000 P-77 6 0 H 1 16 H ΟΗ2€Η(02Η5)〇Λ(π) 20000 P-78 8 0 ch3 1 16 H C6H13(n) 17000 P-79 9 0 H 1 18 H CHS 34000 P - 80 6 0 H 3 丄8 ch3 CH8 19000 -38- 1378128 -(-h2c— 货―

He、 P-81 Mw 39000

(CH2)3-(CF2)6H /0 He、 P-82 Mw 45000 》一S—(CH2)3-(CF2)6H 0

F

O

-fH2C—C

—(ch2)3-(cf2)8h

-fH2C-C 又)80y~s~

(CH2)3-(CF2)bH

H -fH2C—c4

N—(CH2)2-(〇F2)4H c c c 2 2 2 Η Η H 4 /^v ό He o He

H3 c P-83 Mw 46000

P-84 Mw 28000 ch3 -fH2C-C-)g5

>-N-(CH2)2-(CF2)4H 〕H —(-H2C—1 H、a h

(CH2)2-(CF2)6H ch3 -(-h2c—c4 -(•h2c— —(-H2C一-

H .0 Her/0 Her/0 Hc\ /0 He

P-85 Mw 56000 c c c 2 2 2 Η Η H+ ^ +

\/80 ^-N-(CH2)2-(CF2)6H H2)2 一 (CF2)8H /)~N—(CH2)2—(CF2)8H

P-86 Mw 32000 P-87 Mw 29000 P-88 Mw 45000 P-89 Mw 30000 P-90 Mw 32000 -39- 1378128 -|h2c-cH3 \ "5Γη'

-i-H2C-C

(CH2)3-(CF2)6H 0^-0 P-91 Mw48000 -fH2C~ \)s〇 CH； )/~N_ 〇

N-(CH2)3-(CF2)6H P-92 Mw39000

H ch3 n-(ch2)3-(cf2)6h

-(-H2C*-C f20

•NH o o

ch3 N-(CH2)3-(CF2)8H

H -{-H2C-C 七 o x> P-93 Mw45000

-NH-I

P-94 MW28000

~fH2C

CcH-i o

V /8OCH3 )——N-(CH2)3-(CF2)8H 4h2C_:^q P-95 Mw29000

-40- 1378128 ch3cr^Toy-°~c O' ch2-c6f13 o CH,

2 ^__〇-s-fe Jj—o—丨 o -CH2—C6F13 C-1 h2 CH,

H2-(CF2)6H 0—CH2*~(CF2)gH CH2-(CF2)6H /60 2 *~~CH2 - (CF2)eH

P-96 Mw 12000 P-97 Mw 18500 P-98 Mw 25000 P-99 Mw 15000 P-100 Mw 14000 P-101 Mw 12000

—ch2—(cf2)6h 0 ch3 P-102 Mw 15000 ch2-c6f13 ch2—c6f13 ch3ra8 〇 c4h9 P-103 Mw 25000 V' P-104 Mw 17000 -41- ^601378128 CH3' ο ν ί

-〇-(CH2)2-(CF2)6H '80 -Ο - (CH2)2—c6f13 CH3

P-105 Mw 14000

P-106 Mw 39000 ch3 60

十 H -〇 — (CH2)2—C6F13

-c— P-107 Mw 4500 0-(0H2)2-(CF2)6H Hz

t-Bu P-108 Mw 14000

H ch3v -c- 0—(CH2)2—Ce

F3 2 hBU ’40 ' u —〇—(ch2)2 - c6f13 2

CH，OP

+Γ( V-〇_(CH2)2-(CF2)6H

H

H -〇 t-Bu ch3.rcAό CeH-j7 P-109 Mw 39000 P-110 Mw 14500 P-111 Mw 12000

Mo H -C-

0—CHg一(CF2)eH ^60 -o P-112 Mw 15000 ^rc\^〇_CH2_C6Fl3 〇 C8H17 ch3 0 〇8^17 P-113 Mw 25000 -42- 1378128 +S2—C\ Ο

0—(CH2)3-(CF2)6H F -C—C- h2 \

-0—(CH2)3-(CF2)6H

"CD P-114 Mw 12000 P-115 Mw 18000 f ch3 H —c- ，60

-〇——(CH2)2-(CF2)6H

-O—(CH2)2-(CF2)6H

^60 P-116 Mw 15000 P-117 Mw 18000 -fc—c h2 ' o

40 . o—(ch2)2-c6f13 '〇1C〇 P-118 Mw 19000

CH3. ^~αΓΤ80 2 )>—O—(CH2)3-(CF2)6H

H —c- f20 -〇 P-119 Mw 19000 f ch3 h 175 2 Λ—o—(CH2)3-(CF2)8H 2 \—o

P-120 Mw 14000 r20

O—(CH2)2-(CF2)6H 广o~\ P-121 Mw 18000 V' O'

0—(CH2)2~(CF2)6H 90 -C——j h2

OH P-122 Mw 15000 -43- 1378128 本發明之塗布組成物含有如上氟聚合物中的至少任一 者。 氟聚合物添加至塗布組成物之添加量較佳由0.001至 5.0重量％，更佳由〇.〇1至1.0重量％。 塗布組成物中氟聚合物的氟原子之重量比較佳由0.0003 至3.0重量％，及更佳由0.003至0.6重量％。 由改良平坦情況觀點，塗布組成物較佳具有水含量30 重量％以下，及更佳爲1 0重量％以下》 本發明之塗布組成物根據使用目的而定，可含有諸如 黏結劑、無機無光澤劑及分散安定劑等所需成分。一種或 兩種或兩種以上本發明之塗布組成物可塗布於撐體上來形 成一或多個功能層，藉此製造例如抗反射薄膜及偏光板。 前述氟聚合物可結合於抗反射薄膜之任一層。較佳係 結合於不含任何氟化合物之一層。.特別，較佳係結合於防 炫光硬塗膜層、硬塗膜層、中間折射率層或高折射率層。 第1圖爲典型剖面圖，顯示根據本發明之抗反射薄膜 之基本層結構。抗反射薄膜具有包含透明撐體（1)，硬塗膜 層（2)，中間折射率層（3)，高折射率層（4)及低折射率層（5) 之層結構。 較佳具有五層結構的抗反射薄膜之中間折射率層（3) ，高折射率層（4)及低折射率層（5)各層的光學薄膜厚度，亦 即折射率與薄膜厚度的乘積約爲ηλ/4，或所設計之波長λ 之倍數。 但爲了實現本發明之低反射比及減少反射光色調的反 -44- 1378128 射特性，要求中間折射率層（3)特別對所設計的波長λ (4 00 至680奈米）滿足下式1，高折射率層（4)滿足下式2’及低 折射率層（5)滿足下式3。設計的波長λ較佳爲400奈米至 600奈米，更佳爲450奈米至550奈米及最佳爲475奈米 至5 2 5奈米》 λ/4χ〇·80 < nidi < λ/4χ 1.00 ⑴ λ/2χ〇.75< n2d2< λ/2χ〇.95 (2) λ/4χ〇.95 < n3d3 < ηλ/4χ 1 .05 (3) Φ 上式中，ηΐ表示中間折射率層（3)之折射率，dl表示 中間折射率層（3)之厚度（奈米），n2表示高折射率層（4)之折 射率，d2表示高折射率層（4)之厚度（奈米）’ n3表示低折射 率層（5)之折射率，及d3表示低折射率層（5)之厚度（奈米） 〇 此外，例如對於包含三乙醯基纖維素（折射率：1 . 4 9 ) 之真有折射率由1.45至1.55之透明撐體，要求nl爲1.60 至1.65，n2爲1.85至1.95及n3爲1.35至1.45;例如對 ^ 於具有折射率爲1.55至1.65之包含聚對苯二甲酸伸乙酯 (折射率1.66)之透明撐體，要求nl爲1.65至1.75，n2爲 1.85 至 2.05，及 π3 爲 1.35 至 1.45。 當無法選用具有前述折射率的中間折射率層（3)及高 折射率層（4)之材料時，眾所周知可經由組合比較規定之折 射率有更高折射率之層及有較低折射率之層等多層，製造 相當薄膜的原理，來形成與規定的中間折射率層（3)或高折 射率層（4)之實質上光學相當層，此項原理可用來實現本發 -45- 1378128 明之折射率特性。 本發明中，可經由使用包含4層或5層具有不同折射 率之抗反射層的抗反射薄膜來替代包含中間折射率層（3) 、高折射率層（4)及低折射率層（5)之三層抗反射薄膜。 較佳使用包含低折射率層（5)作爲塗布於透明撐體（1) 上之折射率層、或塗布與塗布於透明撐體（1)上的硬塗膜層 (2)上的折射率層的底層用作爲抗反射薄膜。 如第2圖至第7圖所示，包含高折射率層（4)及低折射 • 率層（5)塗布於透明撐體（1)上或塗布於透明撐體（1)所塗布 的硬塗膜層（2)上之疊層也較佳用作爲抗反射薄膜。 硬塗膜層（2)可具有防炫光性質。防炫光性質包含如第 6圖所示之無光澤顆粒分散度，或防炫光性質如第7圖所 示可藉壓紋程序等來提供於表面上。 各層之.材料說明： 基材薄膜（撐體）： 至於用於本發明之抗反射薄膜之透明撐體，較佳使用 ® 塑膠膜。塑膠膜之材料實例包括纖維素酯（例如三乙醯基纖 維素、二乙醯基纖維素、丙醯基纖維素、丁醯基纖維素、 乙醯基丙醯基纖維素、硝基纖維素）、聚醯胺、聚碳酸酯、 .聚酯（例如聚對苯二甲酸伸乙酯、聚萘二甲酸伸乙酯、聚對 苯二甲酸1，4-環己烷二亞甲酯、聚伸乙基-1，2-二苯氧基乙 烷-4,4’-二羧酸酯、聚對苯二甲酸伸丁酯）、聚苯乙烯（例如 對排聚苯乙烯）、聚烯烴（例如聚丙烯、聚乙烯、聚甲基-戊 烯）、聚颯、聚醚颯、聚丙烯酸酯、聚醚醯亞胺、聚甲基丙 -46- 1378128 ♦ 烯酸甲酯及聚醚酮。特別當本發明之抗反射 晶顯示器、有機EL顯示器等使用的偏光板之 側時，較佳使用三乙醯基纖維素薄膜。至於 素薄膜’較佳使用諸如TAC-TD80U (富士 i 之眾所周知之薄膜且述於日本專利公開案第 。此外’當抗反射薄膜係沾黏於玻璃基材來用 平板時’較佳係使用聚對苯二甲酸伸乙酯及 '乙酯。透明撐體的光透射比較佳爲8 0%以上 ^ 以上。透明撐體的濁度較佳爲2.0%以下，更彳 。透明撐體的折射率較佳爲1.4至1.7。本發 厚度並無特殊限制，但其厚度較佳係由3 0至 佳由40至130微米，及又更又由70至120 硬塗膜層： 硬塗膜層設置於透明撐體表面上用來對 供物理強度。特佳係將硬塗膜層設於透明撐 層間。根據要求效能而定，抗反射薄膜可具 ®爲防炫光層。 較佳硬塗膜層係藉照光與加熱，或藉聚 種可固化化合物的交聯手段形成。舉例言之 經由將含有聚酯（甲基）丙烯酸酯、聚胺基甲酸 酸酯、多官能單體、多官能寡聚物、或含可 有機金屬化合物等塗布組成物塗布於透明撐 或聚合該可固化化合物來形成硬塗膜層。 至於可固化官能基，以可光聚合官能基 薄膜用作爲液 表面保護膜一 三乙醯基纖維 欠片公司製造） 200 1 - 1 745 號 於CRT及PDP 聚萘二甲酸伸 ，更佳爲8 6 % 连爲1 .0%以下 明之透明撐體 150微米，更 微米。 抗反射薄膜提 體與高折射率 有硬塗膜層作 合反應等任一 ，硬塗膜層可 酯（甲基）丙烯 水解官能基之 體上，且交聯 爲佳；至於含 -47- 1378128 可水解官能基之有機金屬化合物、以有機烷氧基矽烷基化 合物爲佳。特別値得一提者爲與高折射率層之基體黏結劑 相同的化合物。 至於更佳具體例’値得一提者爲可藉自由基聚合反應 及陽離子聚合反應固化的化合物。至於可聚合化合物，可 自由基聚合基與可陽離子聚合基可含於同一個分子，或可 聚合化合物可爲含有此等基於不同分子的化合物之混合物 0 至於形成硬塗膜層之可固化組成物之較佳特例，可固 化組成物含有下式（1)表示的重複單元之可交聯聚合物，含 有兩個或兩個以上之烯屬不飽和基於同一個分子之化合物 値得一提’該組成物係經由可交聯聚合物之可開環聚合基 與烯屬不飽和基之聚合反應而固化。 (1)

P 式（1)中’ a1及a2可相同或相異，各自表示氫原子、脂 族基、-<：001^|或_(^2(：00111;及R,表示烴基。 P表示含有可開環聚合物基或烯屬不飽和基之—價基 L表示單鍵或二價鍵聯基。 a有式（1)表示之重複單元之可交聯聚合物將詳細說 明其細節。式（1)中，？及a2各自表示氫原子或脂族基，較 -48- 1378128 佳爲含1至4個碳原子之烷基、-(：0011|或-(：1^2(：0011|。Ri 表示烴基，較佳爲含1至4個碳原子之烷基，及更佳爲氫 原子或甲基。 L表示單鍵或二價鍵聯基，較佳爲單鍵、-〇-、伸烷基 、伸芳基、'C00-、·_(：ΟΝΗ-、'0C0 或、NHCO-(·爲欲鍵 ' 聯至主鏈之端）。 P表示含有可開環聚合基或烯屬不飽和基之一價基。 含有可開環聚合基之一價基爲具有環狀結構之一價基，開 • 環聚合反應係藉陽離子、陰離子或自由基功能進行，以雜 環化合物之陽離子性可開環聚合基爲佳。含有可開環聚合 基之一價基之較佳實例包括含有乙烯氧基之一價基或亞胺 基醚環，例如環氧基環、氧雜環丁烷環、四氫呋喃環、內 酯環、碳酸酯環或噚唑啉環之一價基。此等一價基中以含 有環氧環、氧雜環丁烷環或噚唑啉環的一價基爲特佳，而 以含有環氧環的一價基爲最佳。 當p表示烯屬不飽和基時、値得一提之較佳烯屬不飽 ® 和基爲丙烯醯基、甲基丙烯醯基、苯乙烯醯基、及乙烯氧 甘 甘 卷振悬。 經由相應單體的聚合，容易合成本發明中含有式（1)表 示之重複單元之可交聯聚合物。此種情況下，以自由基聚 合反應作爲聚合反應爲最簡單且較佳。 式（1)表示之重複單元之較佳特例顯示如後，但本發明 非僅限於此等化合物。 -49- 1378128

:0 -ch2-c— b1 八 1 1 / \ , Y1: -ooc-c=ch2, -ch--ch2. COOiCH^ V1 (bi：_H> _CHa) •CH2—c— COCKCH^COCXCH^Y1 -CH2—CH- OCO(CH2)m3〇CH2C——CH2 ch2-〇 -(-ch2**ch4-

COO(CH2)m2-

:〇 —CH2—CH- r1 I I COO(CH2)m2-C——CH2 ch2-om2 : M之整數Y' -H , -CH3 · —C2H5a2: —H，一CH3 -(•CH2 - CH+

O a2 -fcH2-C-)- Ο r2： -H t -CH3 COO(CH2)m2-a1 -f-CHo-C~)~ I yCONH(CH^n2〇CH=CH2 m2 : 0 或 l +CH2+ COO(CH2)m2COO-CH=CH2 -fcHj-C-f- ai I i COO(CH2)m3OCO-C=CH2m3 : 2-12之整數

-fCH2-C

Wh^ococch^coocch^ooc a I ch2ch2 COOCCHzJnuNHCOO-Y2

Y2; —CH2CH=CH2 . -(CH2)2〇〇C-C=CH2 . O —CH2CHCH2 , —(CH2)3Si(〇R1)3 , CHj—C-CH2 ch7-o -fcH2-C-)- a2 COOCH,CHCH,OOC -C=CH,

OH al: -H 或- CH3> ml: 1 至 10 之整數，m4: 1 至 10 之 整數及r 1 : -Η或-CH3 本發明之式（1)表示之重複單元中，更佳重複單元爲衍 生自具有環氧基環之甲基丙烯酸酯或丙烯酸酯之重複單元 -50- 1378128 I * « · ’及特佳實例爲衍生自甲基丙烯酸縮水甘油酯及丙烯酸縮 水甘油酯之重複單元。 本發明中含有式（1)表示之重複單元之可交聯聚合物 可爲包含多個式（1)表示之重複單元之共聚物，特別具有衍 生自甲基丙烯酸縮水甘油酯及丙烯酸縮水甘油酯之重複單 元之共聚物可有效減少因固化造成的收縮。 本發明中含有式（1)表示之重複單元之可交聯聚合物 可爲含有式（1)以外之重複單元之共聚物。特別，當希望控 ® 制可交聯聚合物之T g及親水性及疏水性，或用來控制可開 環聚合基含量之用途時，可使用含有式（1)表示之重複單元 以外之重複單元之共聚物。爲了導入式（1)表示之重複單元 以外之重複單元，以藉共聚合導入相應單體之方法爲佳。 當非爲式（1)表示之重複單元之重複單元藉相應乙烯 系單體之共聚合而導入時，較佳使用之單體實例包括衍生 自丙烯酸或α-烷基丙烯酸（例如甲基丙烯酸）之酯類及醯胺 類[例如Ν -異丙基丙烯醯胺、Ν -正丁基丙烯醯胺、Ν -第三 ^ 丁基丙烯醯胺、Ν，Ν-二甲基丙烯醯胺、Ν·甲基甲基丙烯醯 胺、丙烯醯胺、2 -丙烯醯胺-2-甲基丙烷磺酸、丙烯醯胺、 丙基三甲基氯化銨、甲基丙烯醯胺、二丙酮丙烯醯胺、丙 烯醯基味啉、Ν -羥甲基丙烯醯胺、Ν -羥甲基甲基丙烯醯胺 、（甲基）丙烯酸烷酯（至於烷基，値得一提者有甲基、乙基 、丙基、丁基、戊基、己基 '辛基、癸基、十二烷基、十 六烷基、十八烷基等）、（甲基）丙烯酸2 -羥基乙酯、（甲 基）丙烯酸2 -羥基丙酯、（甲基）丙烯酸2 -甲基-2-硝基丙酯 -51- 1378128 、（甲基）丙烯酸2-甲氧基乙酯、（甲基）丙烯酸2-乙氧基乙 酯、（甲基）丙烯酸2 -甲氧基甲氧基乙酯、（甲基）丙烯酸 2，2,2-三氟乙酯、（甲基）丙烯酸3-甲氧基丁酯、乙基卡必醇 (carbitol)(甲基）丙烯酸酯、（甲基）丙烯酸苯氧基乙酯、（甲 基）丙烯酸八氟戊酯、（甲基）丙烯酸環己酯、（甲基）丙烯酸 環戊酯、（甲基）丙烯酸2-異萡酯、（甲基）丙烯酸2-降萡基 甲酯、（甲基）丙烯酸5-降萡烯-2-基甲酯、（甲基）丙烯酸3-甲基-2-降萡基甲酯、（甲基）丙烯酸苄酯、（甲基）丙烯酸苯 乙酯、（甲基）丙烯酸十七氟癸酯及（甲基）丙烯酸二甲基胺基 乙酯]、丙烯酸、α-烷基丙烯酸（例如丙烯酸、甲基丙烯酸、 伊康酸等）、乙烯酯類（例如乙酸乙烯酯）、衍生自順丁烯二 酸或反丁烯二酸之酯類（例如順丁烯二酸二甲酯、順丁烯二 酸二丁酯、反丁烯二酸二乙酯等）、順丁烯二醯亞胺（例如 Ν -苯基順丁烯二醯亞胺等），順丁烯二酸、反丁烯二酸、或 對苯乙烯磺酸之鈉鹽、丙烯腈、甲基丙烯腈、二烯類（例如 丁二烯、環戊二烯、異戊間二烯）、芳香族乙烯系化合物 (例如苯乙烯、對氯苯乙烯、第三丁基苯乙烯、α -甲基苯乙 烯 '苯乙烯磺酸鈉、Ν -乙烯基吡略啶酮、Ν -乙烯基噚唑啶 酮、Ν -乙烯基丁二醯亞胺、Ν -乙烯基甲醯胺、Ν -乙烯基-Ν-甲基甲醯胺、Ν-乙烯基乙醯胺、Ν-乙烯基-Ν-甲基乙醯胺、 1-乙烯基咪唑' 4-乙烯基吡啶、乙烯基磺酸、乙烯基磺酸 鈉、烯丙基磺酸鈉、甲基烯丙基磺酸鈉、氯亞乙烯、乙烯 基院基酸類（例如甲基乙烯基醚）、乙烯、丙燒、卜丁嫌及異 丁烯。此等乙烯系單體中之二者或二者以上可組合使用。 -52- 1378128 除了前述單體外，可使用硏究揭示19551號（1980年7月） 所述之乙烯系單體。 特佳用於本發明之乙烯系單體爲衍生自丙烯酸或甲基 丙烯酸之酯類及醯胺類、及芳香族乙烯系化合物。 至於非爲式（1)表示之重複單元之重複單元，也可導入 具有非爲可開環聚合基及烯屬不飽和基之反應性基之重複 單元。特別當希望提高硬塗膜層的硬度，或欲於另一官能 基用於基材上或用於硬塗膜層上的情況下，欲提高二層間 • 之黏著性時，較佳使用含有可開環聚合基以外之反應性基 之共聚物。爲了導入具有可開環聚合基以外之反應性基的 重複單元，藉共聚合導入相應乙烯系單體（後文稱作「反應 性單體」）的方法爲容易且較佳。 較佳反應性單體之特例顯示如後，但本發明非僅囿限 於此等化合物。 反應性單體之較佳特例： 反應性單體之較佳特例包括含羥基之乙烯系單體（例 ^ 如丙烯酸羥基乙酯、甲基丙烯酸羥基乙酯、烯丙醇 '丙烯 酸羥基丙酯、甲基丙烯酸羥基丙酯等）、含異氰酸酯基之乙 烯系單體（例如異氰酸酯丙烯酸乙酯、異氰酸酯甲基丙烯酸 乙酯等）、含N-羥甲基之乙烯系單體（例如N-羥甲基丙烯醯 胺、N-羥甲基甲基丙烯醯胺等）、含羧基之乙烯系單體（例 如丙烯酸、甲基丙烯酸、伊康酸、丙烯酸羧基乙酯、苯甲 酸乙烯酯）、含烷基鹵化物之乙烯系單體（例如氯甲基苯乙 烯、甲基丙烯酸2-羥基-3-氯丙酯）、含酸酐之乙烯系單體 -53- 1378128 (例如順丁烯二酐）、含甲醯基之乙烯系單體（例如丙烯醛、 甲基丙烯醛）、含亞磺酸之乙烯系單體（例如苯乙烯亞磺酸 鉀）、含活性亞甲基之乙烯系單體（例如甲基丙烯酸乙醯乙 醯氧基乙酯）、含胺基之單體（例如烯丙胺）、及含烷氧基矽 烷基之單體（例如甲基丙烯醯基氧基丙基三甲氧基矽烷、丙 烯醯基氧基丙基三甲氧基矽烷）。 於含有式（1)表示之重複單元之可交聯聚合物中之式（1) 表示之重複單元之含量爲30至100重量％，較佳爲50至 ® 1〇〇重量％，及特佳爲7〇至100重量％。當式（1)表示之重 複單元以外之重複單元不含交聯反應性基時，若使用過量 ，則重複單元之硬度下降；而當重複單元含有交聯反應性 基時，即使可維持硬度，也出現固化收縮率增高或脆度降 級等問題。特別，當交聯反應係藉分子量降低反應達成時 ，例如藉脫水或脫醇來達成時，諸如於使用含烷氧基矽烷 基單體（例如甲基丙烯醯基丙基三甲氧基矽烷）及式（〗）表示 之重複單元之共聚物之情況下，固化收縮率容易增高。當 ^ 具有交聯反應性基其分子量隨著交聯反應的進行而降低的 重複單元.被導入含有本發明之式（1)表示之重複單元之可 交聯聚合物內部時，式（1)表示之重複單元之含量比例較佳 爲70至99重量％，更佳爲80至99重量％，且特佳爲90 至99莫耳％ » 含有式（1)表示之重複單元之可交聯聚合物之分子量 之重量平均分子量較佳爲1,000至1，000,000作爲重量平均 分子量，更佳爲3,000至200,000及最佳爲5,000至100,000 -54- 1378128 。重量平均分子量爲藉G PC方法以聚苯乙烯表示之値。 可用於本發明之同一個分子含有兩個或兩個以上烯屬 不飽和基之化合物說明如後。烯屬不飽和基之較佳實例爲 丙烯醯基、甲基丙烯醯基、苯乙烯醯基、及乙烯基醚基， 更佳爲甲基丙烯醯基及丙烯醯基，及特佳基爲丙烯醯基。 具有烯屬不飽和基之化合物於分子內有兩個或兩個以上之 烯屬不飽和基即足，但更佳有三個或三個以上之烯屬不飽 和基。尤其以具有丙烯醯基之化合物爲佳。分子內含有2 # 至6個丙烯酸酯基之化合物稱作爲多官能丙烯酸酯單體， 較佳使用分子內有數個丙烯酸酯基，分子量由數百至數千 ，稱作爲胺基甲酸酯丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯及環氧丙烯 酸酯之寡聚物。特別，値得一提者爲與前文於高折射率層 說明之多官能單體相同的化合物。 較佳此等可聚合化合物係組合聚合引發劑使用，特別 値得一提者爲高折射率層所述之聚合引發劑。 較佳硬質塗膜層含有無機細小晶粒，具有主要晶粒之 ® 平均晶粒大小爲300奈米以下，更佳爲10至150奈米，又 更佳爲20至100奈米。平均晶粒大小爲重量平均晶粒大小 。經由使用具有主要晶粒之平均晶粒大小爲200奈米以下 的無機細小晶粒，可形成透明度不會受損的硬質塗膜層。 無機細小晶粒具有提高硬質塗膜層硬度，以及抑制塗 布層的固化收縮等功能》無機細小晶粒也可添加來控制硬 塗膜層的折射率。 硬塗膜層之特例係揭示於JP-A-2002- 1 449 1 3、JP-A· -55- 1378128 2000-9908及WO 0 0/4 6617小冊子。硬塗膜層中無機細小 晶粒之含量，以硬塗膜層總重爲基準，較佳由1〇至90重 量％，及更佳由15至80重量％。 如前文說明，高折射率層可加倍來作爲硬塗膜層。當 高折射率層加倍作爲硬塗膜層時，較佳係根據於高折射率 層所述方法，經由呈細小分散液添加無機細小晶粒至硬塗 膜層來形成硬塗膜層。 硬塗膜層厚度可根據使用目的適當設計。硬塗膜層厚 度較佳由〇·2至15微米，更佳由0.5至12微米，及特佳由 0.7至1 0微米。 硬塗膜層強度根據JIS Κ54〇0藉鉛筆硬度測試，較佳 爲Η以上，更佳爲2Η以上，及最佳爲3Η以上。 於根據]IS Κ5 400之錐形測試中，測試前及測試後， 試驗件的磨蝕損失較佳爲儘可能地小。 防炫光硬塗腊層： 本發明之防炫光硬塗膜層說明如後。 防炫光硬塗膜層包含提供硬塗膜性質的黏結劑、提供 防炫光性質之無光澤晶粒、以及用來提供高折射率、防止 因交聯而收縮率增加且提高強度之無機塡料。 至於黏結劑，以具有飽和烴鏈或聚醚鏈之聚合物爲佳 ，以具有飽和烴鏈作爲主鏈之聚合物爲更佳。 此外，較佳黏結劑聚合物具有交聯結構。至於具有飽 和烴鏈作爲主鏈之黏結劑聚合物，以烯屬不飽和單體之聚 合物爲佳。至於具有飽和烴鏈作爲主鏈及交聯結構之黏結 -56- 1378128 ♦ % k * 劑聚合物，以包含有兩個或兩個以上烯屬不飽和基之單體 之聚合物爲佳。 爲了製造高折射率單體，較佳攙混芳香環、氟原子以 外之鹵素原子、至少一個選自硫原子、磷原子及氮原子之 原子至單體結構。 具有兩個或兩個以上烯屬不飽和基之單體實例包括多 羥基醇與（甲基）丙烯酸之酯類（例如乙二醇二（甲基）丙烯酸 酯、1,4-環己烷酯二丙烯酸、季戊四醇四（甲基）丙烯酸酯、 季戊四醇三（甲基）丙烯酸酯 '三羥甲基丙烷酯三（甲基）丙烯 酸、三羥甲基乙烷三（甲基）丙烯酸酯、二季戊四醇四（甲基） 丙烯酸酯、二季戊四醇五（甲基）丙烯酸酯' 二季戊四醇六 (甲基）丙烯酸酯、季戊四醇六（甲基）丙烯酸酯' 1，2,3-環己 烷四（甲基）丙烯酸酯 '聚胺基甲酸酯聚丙烯酸酯、及聚酯 聚丙烯酸酯）、乙烯苯及其衍生物（例如1,4-二乙烯苯、4- 乙烯基苯甲酸-2-丙烯醯基乙酯及1,4 -二乙烯基環己酮）、乙 烯基颯（例如二乙烯基碾）、丙烯醯胺（例如亞甲基-貳丙烯醯 胺）及甲基丙烯醯胺。此等單體可爲兩種或兩種以上的組合 〇 至於高折射率單體之特例，値得一提者有貳（4·甲基丙 烯醯基硫苯基）硫化物、乙烯基-萘、乙烯基苯基硫化物及 4_甲基丙烯醯氧基苯基-4·甲氧基苯基硫醚。此等單體也可 組合兩種或兩種以上使用。 具有烯屬不飽和基之此等單體之聚合反應可經由於光 自由基聚合引發劑或熱自由基聚合引發劑存在下藉照射游 •57- 1378128

* I 離輻射或加熱進行。 如此，抗反射薄膜之形成方式係經由製備含有 不飽和基單體、光自由基聚合引發劑或熱自由基聚 劑、無光澤晶粒及無機塡料的塗布溶液，將該塗布 布於透明撐體上；以及然後藉照射游離輻射或加熱 聚合反應，藉此固化該塗布層。 至於光自由基聚合引發劑，値得一提者爲苯乙 苯偶因類、二苯甲酮類、膦氧化物類、縮酮類、蒽 ® 噻噸酮類、偶氮化合物類、過氧化物類、2，3·二烷 化合物類、二硫化物類、氟胺化合物類及芳香族鏑 乙酮類之實例包括2,2-二乙氧基-苯乙酮、對二甲基 、1-羥基二甲基苯基酮、1-羥基環己基苯基酮、2-甲基硫-2-味啉基苯丙酮及2-苄基-2-二甲基胺基-1-基苯基）丁酮。苯偶因類之實例包括苯甲醯基苯磺酸 偶因甲苯磺酸酯、苯偶因甲醚、苯偶因乙醚及苯偶 基醚。二苯甲酮之實例包括二苯甲酮、2,4-二氯二 ^ 、4,4-二氯二苯甲酮及對氯二苯甲酮。膦氧化物類 包括2，4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基膦氧化物類。 各種光自由基聚合引發劑之實例說明於Sais Koka Gijutsu (紫外光固化之最新技術），】59頁，代 版者，Kazuhiro Takasusuki，情報技術協會（Joho Kyokai)出版（1991年），此等化合物可用於本發明。 至於市售光裂解型光自由基聚合引發劑， (Irgacure) 651，184及90 7 (商品名，日本汽巴嘉: 聚烯屬 合引發 溶液塗 來進行 酮類、 醌類、 基二酮 .類。苯 苯乙酮 甲基-4-(4-味啉 酯、苯 因異丙 苯甲酮 之實例 hin U V 表性出 Gijutsu 伊加丘 基（Ciba -58- 1378128

Geigy)有限公司製造）較佳用於本發明。 光聚合引發劑之較佳用量爲相對於每1〇〇重量份多官 能單體，由0.1至15重量份，且更佳爲1至10重量份。 除了光聚合引發劑之外，可使用光敏化劑。光敏化劑 之特例包括正丁基胺、三乙基胺、三正丁基膦、米其勒 (Michler's)酮及噻噸酮。 至於熱自由基聚合引發劑，可使用有機過氧化物或無 機過氧化物、有機偶氮化合物及有機重氮化合物》 • 特別，有機過氧化物之實例包括過氧化苯甲醯基、過 氧化鹵素苯甲醯基、過氧化月桂醯基、過氧化乙醯基、過 氧化二丁基、異丙苯氫過氧化物及丁基氫過氧化物；無機 過氧化物之實例包括過氧化氫、過硫酸銨、及過硫酸鉀： 偶氮化合物之實例包括2-偶氮-貳-異丁腈、2-偶氮-貳-丙腈 及2-偶氮-貳-環己二腈；以及重氮化合物之實例包括重氮 胺基苯及對硝基苯重氮鎗。 至於具有聚醚鏈作爲主鏈之聚合物，以多官能環氧化 ^ 合物之開環聚合物爲佳。多官能環氧化合物之開環聚合反 應可經由於光酸產生劑或熱酸產生劑存在下以游離輻射照 射或加熱執行。 如此.，抗反射薄膜可經由下述方法形成，經由製備含 有多官能環氧化合物、光酸產生劑或熱酸產生劑、無光澤 晶粒及無機塡料的塗布溶液；將該塗布溶液塗布於透明撐 體上；以及然後使用游離輻射或加熱來進行聚合反應藉此 固化塗布層。 -59- 1378128 替代有兩個或兩個以上烯屬不飽和基之單體或額外， 經由使用具有可交聯官能基之單體而將可交聯官能基導入 聚合物，交聯結構可經由可交聯官能基反應而導入黏結劑 聚合物。 可交聯官能基之實例包括異氰酸酯基、環氧基、吖呒 基、噚唑啉基、醛基、羰基、肼基、羧基、羥甲基、及活 性亞甲基。乙烯基磺酸、酸酐、氰基丙烯酸酯衍生物、蜜 胺、醚化甲醇、酯及胺基甲酸酯及烷氧化金屬如四甲氧基 矽烷也可用作爲導入交聯結構單體。經由分解反應結果顯 示交聯性質之官能基諸如嵌段異氰酸酯基也可用作爲可交 聯官能基。換言之，本發明中，可交聯官能基可爲即使未 顯示反應性，但經由分解結果可顯示反應性之該等基。 經由塗布具有此等可交聯官能基之黏結劑聚合物以及 然後加熱，可形成交聯結構。 用於提供防炫光性質，具有平均晶粒尺寸爲1至10微 米且較佳爲1.5微米至7.0微米之無光澤晶粒，該等晶粒係 大於塡料晶粒，例如無機化合物晶粒或樹脂晶粒，無光澤 晶粒含於防炫光硬塗膜層內。 至於無光澤晶粒之特例，例如値得一提者爲無機化合 物晶粒如氧化矽晶粒及Ti〇2晶粒；及樹脂晶粒如交聯丙烯 酸矽晶粒 '交聯苯乙烯晶粒、蜜胺樹脂晶粒及苯并胍胺樹 脂晶粒。此等晶粒中，以諸如交聯聚甲基丙烯酸甲酯之交 聯丙烯酸系晶粒爲佳。 此外，可共同使用各自有不同晶粒尺寸之兩種或兩種 •60- 4 « 4 «1378128 以上無光澤晶粒。可藉較小尺寸無光澤晶粒來產生防炫光 性質，及藉較大尺寸無光澤晶粒來產生其它光學性質。例 % 如當抗反射薄膜係沾黏至具有1 3 3 ppi以上的高度精密顯 示器上時，要求稱作爲防目眩的光學性質。目眩係由於抗 反射薄膜表面略微不均勻造成像素的放大或縮小，因而喪 失顯示性質的均勻度所造成。此種現象可經由使用無光澤 晶粒具有晶粒大小比提供防眩光性質的無光澤晶粒之晶粒 大小小5%至50%而大爲改善。 無光澤晶粒之晶粒大小分散度，較佳爲單一分散度^ 全部晶粒之晶粒大小較佳爲儘可能相等。以具有晶粒大小 大於平均晶粒大小達20%以上之晶粒作爲粗晶粒，粗晶粒 比例較佳爲全部晶粒數目之1 %以下，更佳爲0.1以下，及 又更佳爲〇.〇1 %以下。具有此種晶粒大小分散度之無光澤 晶粒係經由於尋常合成反應之後藉分類獲得。經由增加分 類次數或提高分類程度，可獲得具有更佳晶粒分散度的無 光澤晶粒。 爲了提高一層的折射率，較佳除了無光澤晶粒外，將 無機塡料加至防炫光硬塗膜層。舉例言之，較佳使用無機 塡料包含選自鈦、鉻、鋁、銦、鋅、錫及銻中的至少一種 金屬氧化物，且具有平均晶粒大小由0.5奈米至0.2微米， 較佳由1奈米至0.1微米及更佳由1奈米至〇.〇6微米。 相反地，於用來增加無光澤晶粒間的折射率差異，於 含有高折射率無光澤晶粒之防炫光硬塗膜層中，較佳使用 砂氧化物來維持該層之折射率爲低。較佳晶粒大小係與前 -61- 1378128 * * 述無機塡料之晶粒大小相等。 用於防炫光硬塗膜層之無機塡料之特例包括Ti〇2、 Zr02、AI2O3 ' ln203、ZnO、Sn02 ' Sb203、ITO (氧化銦-錫）及Si02。Ti02及Zr02用於提高折射率爲特佳。也較佳 1無機塡料使用矽烷偶合劑或鈦偶合劑處理，具有可與黏 結劑反應之官能基之表面處理劑較佳用於塡料表面。 此等無機塡料之添加量較佳係占防炫光硬塗膜層總重 之10%至90%，更佳由20%至80%及特佳由30%至75%。 ® 此等塡料之晶粒大小比光波長充分更小，因而不會出 現光繞射，其中分散於此等塡料之包含黏結劑聚合物的分 散液之表現類似光學均勻材料。 本發明之防炫光硬塗膜層中之黏結劑與無機塡料之混 合物之總折射率較佳由1.48至2.00，更佳由1.50至1.80 。前述折射率範圍可經由黏結劑與無機塡料之比例 '種類 及用量之選擇來達成。該選擇爲事先可經由實驗得知。 防炫光硬塗膜層之厚度較佳由1微米至10微米，更佳 •由1.2微米至8微米。 析射率層： 本發明之高折射率層包含具有折射率爲1.55至2.40 之固化薄膜，該固化薄膜係經由將典型含有至少細小晶粒 之高折射率無機化合物及基體黏結劑（後文偶爾稱作爲「基 體j )之可固化組成物（用來形成高折射率層之組成物），以 及然後固化而形成。前述折射率較佳由1.65至2.30,及特 佳由1.80至2·00。本發明之高折射率層之折射率爲由ι55 -62- 1378128

9 A .% · 至2.4 Ο，此乃稱作爲中間折射率層或高折射率層之層，但 此層偶爾於後文說明書通稱爲高折射率層。 高析射率層之組成： 高析射率晶粒= 本發明之高折射率層所含之高折射率無機細小晶粒較 佳爲具有折射率由1.80至2,80及具有主要晶粒之平均晶粒 大小由3奈米至1 5 0奈米之晶粒。當折射率係於前述範圍 時，提高薄膜之折射率效果充分，晶粒不會著色。此外， ® 當主要晶粒之平均晶粒大小係於前述範圍時，薄膜具有低 濁度値，換言之透明，而可獲得高折射率。本發明之更佳 無機細小晶粒爲具有折射率由1 .90至2.80及具有主要晶粒 之平均晶粒大小由3奈米至100奈米之晶粒，且更佳具有 折射率由1.9 0至2.8 0之主要晶粒之平均晶粒大小由5奈米 至80奈米。 具有高折射率之較佳無機細晶粒之特例包括包含T i、 Zr、Ta、In、Nd、S n、S b、Z n、L a、W、C e、N b、V、S m

及γ之氧化物、其氧化物或硫化物混料作爲主要成分之晶 粒。此處，主要成分表示其百分比（重量％)爲組成晶粒之各 成分中之最高之成分。較佳本發明之晶粒爲包含選自Ti、 Zr、Ta、In及Sn中的至少一種金屬元素之氧化物或氧化物 化合物作爲主要成分之晶粒。多種元素可含於本發明使用 之無機細小晶粒》舉例言之値得一提者有Li、S i ' Al、B 、Ba、Co、Fe、Hg、Ag、Pt、Au、Cr、Bi、P 及 S。爲了 提高晶粒之導熱率，較佳氧化錫及氧化銦含有Sb、Nb、P -63- 1378128 « a % · 、B、In、V及鹵素等元素：以含有約5至20重量％氧化銻 之晶粒爲特佳。 特佳無機細小晶粒爲主要包含二氧化鈦其含有至少一 種選自Co、Zr.及A1之元素（後文偶爾稱作爲「特定氧化物」） 之無機細小晶粒。特佳元素爲Co。Co、A1及Zr之總含量 對Ti較佳係基於Ti爲0.05至30重量％，更佳由〇.1至10 重量％ ’又更佳由0.2至7重量。/。，特佳由〇.3至5重量％ ，及最佳由0.5至3重量％。 β Co、A1及Zr係存在於主要包含二氧化鈦之無機細小 晶粒之內部或表面上。更佳此等元素係存在於主要包含二 氧化鈦之無機細小晶粒內部，以存在於內部與表面上二者 爲最佳。此等特定金屬元素可以氧化物之形式存在。 至於其它較佳無機晶粒，値得一提者爲包含鈦元素及 至少一種選自具有氧化物折射率爲1.95以上之金屬元素的 至少一種金屬元素（後文偶爾縮寫爲「Met」）之複氧化物之 細小晶粒，且該複氧化物係以選自C〇離子、Zr離子及A1 ® 離子的至少一種金屬離子攙雜（後文偶爾稱作爲「特定複氧 化物」）。至於具有折射率爲1.95以上之金屬氧化物之金 屬元素’以Ta、Zr、In、Nd、Sb、Sn及Bi爲較佳，以Ta 、Zr' Sn及Bi爲特佳。欲攙雜至複氧化物之金屬離子含 量鑑於折射率的維持，較佳不超過組成複氧化物之總金屬 含量（Ti + Met)之25重量％。更佳該含量係由〇_〇5至10重 量％，又更佳由〇. 1至5重量％，及最佳由〇 . 3至3重量％ -64- 1378128

* 攙雜的金屬離子可呈金屬離子或金屬原子形式存在， 且可任意存在於由複氧化物之表面至內部。攙雜之金屬離 子較佳係存在於複氧化物之表面及內部二者。 用於本發明之無機細小晶粒較佳具有晶體結構或非晶 結構。晶體結構較佳爲金紅石（rutile)、金紅石與銳鈦礦 (a nat as e)之混合晶體或以銳鈦礦作爲主要成分。特佳以金 紅石結構作爲主要成分。藉此種晶體結構，本發明之特定 氧化物或特定複氧化物之無機細小晶粒具有折射率由1 .90 # 至2.80，較佳由2.10至2.80，及更佳由2.20至2.80»二 氧化鈦之光催化活性可藉此晶體結構抑制，如此可顯著改 善本發明之高折射率層之耐候性。 特定金屬元素或金屬離子可藉眾所周知之方法攙雜， 例如根據 JP-A-5-330825、 JP-A-11-263620、 JP-T-11-512336 所述（「JP-T」一詞用於此處表示PCT專利申請案之公開日 文翻譯）、EP 03 3 5 7 73之方法、及離子攙雜方法（例如Shun-ichi Gonda、Junzo Ishikawa 及 Eiji Kamijo 彙編，Ion Beam ® Ovo Giiutsu (離子東應用枝術），CMC出版公司（1 989年） ;Ko Aoki，Hvomen Kagaku (表面科璺 ~)，V ο 1. 18, No. 5, p. 2 6 2 ( 1 9 9 8) ； Masakazu Anpo 等人；Hvomen Ka e ak u (表而 科學），Vol. 20，No. 2，ρ· 60 (1 999))。 本發明使用之無機細小晶粒可接受表面處理。表面處 理係以無機化合物及/或有機化合物進行，來修改無機細小 晶粒表面，藉此可調節無機細小晶粒表面之濕潤，以及無 機細小晶粒於有機溶劑之細小結晶，以及於用來形成高折 -65- 1378128 :/ 射率層之.組成物之無機細小晶粒之分散性及分散液安定性 •也改良。至於可藉物理吸附於晶粒表面上來修改晶粒表面 之無機化合物，例如値得一提者爲含有矽（Si02等）之無機 化合物、含有鋁（Al2〇3、A1(0H)3等）之無機化合物、含有 鈷（Co〇2、Co2〇3、Co 304等）之無機化合物、含有锆（Zr〇2 ' Zr(OH)4等）之無機化合物、及含有鐵（Fe203等）之無機化 合物。 至於用於表面處理之有機化合物實例，至目前爲止已 ® 知無機塡料之表面改性劑諸如金屬氧化物及無機顏料，例 如 Ganryo B uns an Anteika to Hy omen Shori Gijutsu Hy oka (顏料分散液安定化及表面處理評估技術），第1章，技術 情報協會（2001年）出版所述化合物特別値得一提。 特別値得一提者爲對用於本發明之無機細小晶粒表面 具有親和力之極性基之有機化合物。稱作爲偶合化合物之 該化合物含括於有機化合物。對無機細小晶粒表面具有親 和力之極性基實例包括値得一提者有羧基、膦基、羥基、 ^ 锍基、環狀酸酐及胺基，而以至少有一個極性基於分子之 化合物爲佳。例如値得一提者爲長鏈脂族羧酸類（例如硬脂 酸、月桂酸、油酸、亞麻油酸、次亞麻油酸等）、多元醇化 合物類（例如季戊四醇三丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯 、經ECH (表氯醇）改性之三丙烯酸甘油酯等）、含膦基化合 物（例如經E 〇 (環氧乙烷）改性之磷酸三丙烯酸酯等）及烷 醇胺類（例如伸乙基二胺E0加合物（5莫耳）等）。 至於偶合化合物，値得一提者有習常眾所周知之有機 -66- 1378128 ψ · 金屬化合物包括矽烷偶合劑、鈦酸鹽偶合劑及鋁酸鹽偶合 劑。其中以矽烷偶合劑爲最佳。特別値得一提者爲JP-A-2002-9908 揭示之化合物及 JP-A-2001-310423 之[0011]至 [0015]段。 兩種或兩種以上之表面處理可組合使用。 至於本發明使用之氧化物細小晶粒，也以具有中心/外 殼結構之細小晶粒爲佳，細小晶粒作爲中心而無機化合物 作爲外殼。.至於外殼，以包含至少一種選自A1、Si、及Zr ^ 之元素之氧化物爲佳。中心/外殼結構之特例係揭示於 JP-A-2 00 1 - 1 66 1 04 ° 本發明使用之無機細小晶粒之組態並無特殊限制，但 以橢圓形、球形、立方形、紡綞型或非晶形爲佳。無機細 小晶粒可單獨使用’但兩種或兩種以上無機細小晶粒可組 合使用。 分散劑： 使用無機晶粒作爲穩定及規定之超細小晶粒，較佳共 1 同使用分散劑。至於分散劑’以具有極性基對無機細小晶 粒表面具有親和力之低分子量化合物或高分子量化合物爲 佳。 極性基之實例包括經基、疏基、翔基、擴基、膦基、 氧基膦基、-P(=〇)(Ri)(〇H)基、-〇-p( = 〇)(Rl)(〇H)基、醯胺 基（-CONHR2、-S02NHR2)、含環狀酸酐基、胺基、及第四 銨基。

Ri表示含1至18個碳原子之烴基（例如甲基、乙基、 -67- 1378128 Λ ▲ ♦ * 丙基、丁基、己基、辛基、癸基、十二烷基 '十八烷基、 氯乙基、甲氧基乙基 '氰基乙基、苄基、甲基苄基、苯乙 基、環己基等），以及R2表示氫原子或與R,相同。 前述極性基中，具有可解離質子之基爲其鹽。前述胺 基及第四銨基可爲第一胺基、第二胺基或第三胺基中之任 一者；更佳爲第三胺基或第四銨基。鍵結至第二胺基、第 三胺基或第四銨基之氮原子之基較佳爲含1至12個碳原子 之脂族基（與如上R,表示之基定義相同等）。第三胺基可爲 ® 含氮原子之環狀胺基（例如哌啶環、味啉環、哌阱環、吡啶 環等）’此外，第四銨基可爲此等環狀胺基之第四銨基。以 具有1至6個碳原子之烷基爲更佳。 至於本發明之分散劑之極性基，以具有pKa爲7以下 之陰離子基或此等可解離基之鹽爲較佳。以羧基、磺基、 膦基 '氧基膦基、及此等可解離基之鹽爲特佳。 較佳分散劑進一步含有可交聯官能·基或可聚合官能基 。可交聯官能基或可聚合官能基之實例包括可藉自由基種 ^ 子進行加成反應及聚合反應之烯屬不飽和基（例如（甲基）丙 烯醯氧基、烯丙基、苯乙烯基、乙烯氧基、羰基、乙烯氧 基等）、陽離子性可聚合基（例如環氧基、硫環氧基、氧雜 環丁烷基、乙烯氧基、螺-原酸酯基等）、及縮聚合反應性 基（例如可水解矽烷基及N-羥甲基），較佳爲烯屬不飽和基 、環氧基、及可水解矽烷基。 特別，値得一提者爲JP-A-11- 1 53703、美國專利6,210,85 8 'JP-A-2002-2776069及 JP-A-2001-310423 之[0013]至[0015] -68- 1378128 段揭示之化合物。 也較佳本發明使用之分散劑爲聚合物分散劑。特別値 得一提者爲含有陰離子基及可交聯官能基或可聚合官能基 之聚合物分散劑，此等官能基係與前文說明之定義相同。 分散劑對無機細小晶粒之添加量較佳由1至100重量％ ’更佳由3至50重量％及最佳由5至40重量％。兩種或兩 種以上之分散劑可組合使用。 分散介菅·： ^ 本發明之無機細小晶粒之濕分散液使用的分散介質可 任意選自水及有機溶劑，以具有沸點5 0 °C以上之液體爲佳 ’而以具有沸點6 0 °C至1 8 0 °C之有機溶劑爲更佳。 分散介質之較佳使用比例係占包括無機細小粒子及分 散劑之總分散液組成物之5至5 0重量％，更佳由1 0至3 0 重量％。當使用於本範圍之分散介質時，容易進行分散， 所得分散液具有良好工作黏度。 至於分散介質之實例，値得一提者有醇類、酮類、酯 ® 類、醯胺類、醚類、醚酯類、烴類及鹵化烴類。特別値得 一提者爲醇類（例如甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、苄醇、乙二 醇、丙二醇、乙二醇單乙酸酯等）、酮類（例如甲基乙基酮 、甲基異丁基酮、環己酮、甲基環己酮等）、酯類（例如乙 酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、甲酸乙酯 '甲 酸丙酯、甲酸丁酯、乳酸乙酯等）、脂族烴類（例如己烷、 環己烷）、鹵化烴類（例如甲基氯仿等）、芳香烴類（例如苯、 甲苯、二甲苯等）、醯胺類（例如二甲基甲醯胺、二甲基乙 -69- 1378128 醯胺、N-甲基吡咯啶酮）、醚類（例如二噚烷、四氫呋喃、乙 二醇二甲醚、丙二醇二甲醚等）及醆醇類（例如1-甲氧基-2-丙醇、乙基溶纖素、甲基卡必醇等）。此等分散介質可單獨 使用或兩種或兩種以上可組合使用。較佳分散介質爲甲苯 、二甲苯、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮及丁醇。 主要包含酮溶劑（例如甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮 等）之塗布溶劑也較佳用作爲分散介質》 無機細小晶粒之超細晶粒化 經由分散具有平均晶粒大小1 00奈米以下之無機超細 晶粒於可固化塗布組成物用來形成本發明之高折射率層， 塗布組成物之液體安定性改良，無機細小晶粒均勻分散於 超細晶粒於可固化塗布組成物所形成之固化後薄膜基體， 因此獲得具有均句光學性質之透明高折射率薄膜。存在於 固化後薄膜基體的超細晶粒的晶粒大小，平均晶粒大小較 佳爲3至100奈米，更佳爲5至100奈米，及最佳爲1〇至 80奈米。 此外，較佳具有平均晶粒大小5 00奈米以上的大型晶 粒未含有該組成物，特佳未含有平均晶粒大小3 00奈米以 上之大型晶粒，該等大型晶粒可能於固化後薄膜表面上形 成前述特定不均現象。 未含有前述範圍之粗大晶粒之高折射率無機晶粒之超 細晶粒尺寸分散度可經由使用前述分散劑連同具有平均大 小小於0 · 8毫米的介質根據濕分散法而以分散方法達成。 至於濕分散器，可使用眾所周知之分散器’諸如値得 -70- 1378128. 4 % 一提者爲砂磨機（例如使用針銷之珠 mill)、高速葉輪、卵石磨機、輥磨 機。特別用於分散本發明之氧化物 、以砂磨機、迪諾磨機、及高速葉 用於此等分散器之介質具有平 經由使用於此平均大小範圍之介質 尺寸變成100奈米以下，而可獲得 的超細晶粒。介質之平均大小較佳 # 爲0.05毫米至0.3毫米。 珠粒作爲用於濕分散液之介質 —提者有鉻氧珠粒、玻璃珠粒、陶 耐用讓珠粒幾乎不會受損，且可製 有尺寸由0.05至0_2毫米之锆氧珠 分散溫度較佳爲20°C至60°C，且1 組成物係於此種溫度範圍分散成爲 分散後晶粒的再度絮凝與沉澱。原 ® 散劑吸附至無機化合物晶粒上，不 由晶粒解吸附造成分散安定性破壞 經由前述分散方法，可形成透 勻度絕佳、薄膜強度以及對連續層 率薄膜。 前置分散程序可於濕分散過程 輥磨機、混練機及擠塑機等分散器 爲了讓分散液中分散的晶粒滿 磨機）、迪諾磨機（Dyno 機' 硏磨機、及膠體磨 細小晶粒成爲超細晶粒 輪爲佳。 均尺寸小於〇 . 8毫米， ，無機細小晶粒之晶粒 具有窄晶粒大小分散度 爲0.5毫米以下，更佳 爲佳。特定言之，値得 瓷珠粒及鋼珠粒，由於 作成超細晶粒，故以具 粒爲特佳。分散過程之 ΐ佳爲25°C至45°C。當 超細晶粒時，不會出現 因相信爲可適當進行分 會出現於室溫時分散劑 〇 明度不受損、折射率均 的黏著性絕佳的高折射 前進行。如球磨機、三 可用於前置分散程序。 足平均晶粒大小，且爲 -71- 1378128 了讓晶粒大小的單一分散度滿足前述範圍，也較佳選擇過 濾器材料，讓分散液中粗大凝結的物質可於珠粒的分離過 程被精確過濾去除。較佳於晶粒過濾使用的濾材具有可過 濾2 5微米以下之晶粒大小。晶粒過濾之濾材型別並無特殊 限制，只要具有前述效能即可，例如値得一提者爲纖絲型 、毛氈型、及絲網型。分散液之精密過濾用濾材並無特殊 限制，只要其具有前述效能、且不會毒害塗布溶液即可， 例如値得一提者有不鏽鋼、聚乙烯、聚丙烯及尼龍。 • 高折射率層之基體： 高折射率層包含至少高折射率無機超細晶粒及基體。 根據本發明之較佳具體例，基體係經由下述方法形成 ，經由塗布高折射率層形成之組成物，其至少含有（i)有機 黏結劑，或（Π)具有可水解官能基之有機金屬化合物之水解 產物及該水解產物之部分縮合產物，以及然後固化而形成 0 m有機黏結劑 • 有機黏結劑，値得一提者爲下列黏結劑： (a) 眾所周知之熱塑型樹脂 (b) 眾所周知之可反應固化樹脂與固化劑的組合，或 (c) 黏結劑前驅物（後文說明之可固化多官能單體及多官 能寡聚物）與聚合引發劑的組合。 用來形成高折射率層之塗布組成物係由黏結劑形成成 分（a)、（b)或（Ο與含有高折射率化合物氧化物之細小晶粒 及分散劑之分散液而製備。塗布組成物塗布於透明撐體上 •72- 4 ♦ 1378128 ，而'於形成塗布層後，塗布層藉適合該黏結劑形成成分之 方法固化，藉此形成高折射率層。固化方法係根據黏結劑 成分的種類而任意選擇。舉例言之，値得一提者爲經由加 熱及照光等至少一種手段來造成可固化化合物（例如多官 能單體及多官能寡聚物）之交聯反應或聚合反應之方法。尤 其以使用前述組合（C)以照光讓可固化化合物接受交聯反 應或聚合反應來固化黏結劑之方法爲佳。 此外，較佳高折射率化合物氧化物之細小晶粒分散液 • 中所含的分散劑與高折射率層形成塗布組成物的塗布同時 、或於塗布後，接受交聯反應或聚合反應。 如此製備之固化薄膜中的黏結劑經由分散劑與黏結劑 前驅物的可固化多官能單體及多官能寡聚物進行交聯反應 或聚合反應結果，呈該分散劑之陰離子基形式。此外，因 陰離子基具有可維持無機細小晶粒之分散液狀態的功能， 交聯結構或聚合結構對黏結劑提供薄膜形成性質，且可改 良含有高折射率無機化合物細小晶粒之固化後薄膜之物理 ® 強度、化學耐性及耐候性。 至於熱塑性樹脂，例如値得一提者爲聚苯乙烯樹脂、 聚酯樹脂、纖維素樹脂、聚醚樹脂、氯乙烯樹脂、乙酸乙 烯酯樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物樹脂、聚丙烯酸系樹 月旨、聚甲基丙烯酸系樹脂、聚烯烴樹脂、胺基甲酸酯樹脂 、聚矽氧樹脂及醯亞胺樹脂。 較佳係使用前述可反應固化樹脂中之任一者，亦即熱 固樹脂及可游離輻射固化樹脂。至於熱固樹脂，値得一提 -73- 1378128 者有酚系樹脂、尿素樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂 '蜜 胺樹脂、胍樹脂、不飽和聚酯樹脂' 聚胺基甲酸酯樹脂、 環氧樹脂' 胺基醇酸樹脂、蜜胺-尿素共縮合樹脂、聚矽氧 .樹脂及聚矽氧烷樹脂。可游離輻射固化樹脂爲至少聚合可 自由基聚合不飽和基（例如（甲基）丙烯醯氧基、乙烯氧基' 苯乙烯基、乙烯基等）或陽離子性可聚合基（例如環氧基、 硫基環氧基、乙烯氧基、氧雜環丁烷基等）之樹脂，例如値 得一提者爲相對低分子量聚酯樹脂、聚醚樹脂、（甲基）丙 0 烯酸系樹脂、環氧樹脂、胺基甲酸酯樹脂、醇酸樹脂、螺 縮醛樹脂、聚丁二烯樹脂及聚硫醇聚烯樹脂。 於此種可反應固化樹脂內視需要添加眾所周知之化合 物’例如固化劑諸如交聯劑（環氧化合物、聚異氰酸酯化合 物、多元醇化合物、聚胺化合物、蜜胺化合物等），其聚合 引發劑（紫外光光聚合引發劑例如偶氮貳化合物、有機過氧 化物化合物、有機鹵素化合物、鑰鹽化合物、酮化合物等） ’及聚合加速劑（有機金屬化合物、酸化合物 '鹼性化合物 等）。特別値得一提者爲 Shinzo Yamashita 及 Tosuke Kaneko. Kakyozai Handbook (交聯劑手冊），大成社公司（1981年） 所述化合物。 後文主要說明使用前述組合（c)以照光來固化黏結劑 ，讓可固化化合物接受交聯反應或聚合反應之較佳方法。 可光固化多官能單體及多官能寡聚物之官能基可自由 基聚合基或可陽離子聚合基。 至於可自由基聚合基，値得一提者爲烯屬不飽和基如（ -74- 1378128 甲基）丙烯醯氧基、乙烯氧基、苯乙烯基、及烧 (甲基）丙烯醯氧基爲特佳。 較佳於分子內含有兩個或兩個以上之可自 的多官能單體》 至於可自由基聚合多官能單體，較佳係選 個端末烯屬不飽和鍵之化合物，而更佳爲由2 烯屬不飽和鍵之化合物。此等化合物爲聚合物 所周知’可用於本發明而無限制。此等化合物 ^ 單體及預聚物亦即二聚物、三聚物、及寡聚物 及其共聚物等化學形式。 至於可'自由基聚合單體實例，値得一提者 酸類（例如丙烯酸 '甲基丙烯酸、伊康酸、巴豆 酸、順丁烯二酸等）及此等不飽和羧酸之酯類及 佳値得一提者爲不飽和羧酸與脂肪族多羥基醇 類，及不飽和羧酸與脂防族多羥基胺化合物之 外’較佳使用具有親和取代基諸如羥基、胺基 ^ 飽和羧酸之酯類及醯胺類與單官能或多官能異 環氧化物類之加成反應產物，也較佳使用前述 之酯類及醯胺類與多官能羧酸之脫水縮合反應 也較佳使用具有親電子取代基諸如異氰酸酯基 不飽和羧酸之酯類或醯胺類與單官能或多官能 及硫醇類之反應產物。至於另一例，也可使用 酸類或苯乙烯來取代此等不飽和羧酸類之化合 至於脂族多羥基醇化合物，値得一提者有 丨丙基，而以 由基聚合基 自至少有兩 至6個端末 材料領域眾 可具有例如 及其混合物 有不飽和羧 酸、異巴豆 醯胺類；較 化合物之酯 醯胺類。此 或锍基之不 氰酸酯類或 不飽和羧酸 產物。此外 或環氧基之 醇類、胺類 以不飽和膦 物。 烷二醇、烷 -75- 1378128 % έ -二醇、環己院一醇、環己院三醇、肌醇、環己院二 季戊四醇 '山梨糖醇、二季戊四醇、三季戊四醇、 二甘油。至於此等脂族多羥基醇化合物與不飽和羧 聚合酯化合物（單酯及多酯）之實例，値得一提者爲 200 1 - 1 3 9663之[0026]至[0027]段揭示之化合物。 至於其它可聚合酯之實例’也較佳使用例如甲 酸乙烯酯、甲基丙烯酸烯丙酯、丙烯酸烯丙酯、JP_ 2 7 926(rjP-B_(—詞用於此處表示r經審查日本專 ® 案」）、-47334 、及 JP-A-57-196231 揭示之 酯類、JP-A-2-226149揭示之具有芳香骨架之酯^ JP-A-1-165613揭示之具有胺基之酯類。 至於由脂族多羥基胺化合物與不飽和羧酸所形 聚合醯胺之特例，値得一提者爲亞甲基二（甲基）丙 、I，6-六亞甲基貳（甲基）丙烯醯胺、二伸乙基三胺參 丙烯醯胺、伸二甲苯基貳（甲基）丙烯醯胺及如JP 21726揭示之具有伸環己基結構的化合物。 ® 也可使用分子內含有兩.個或兩個以上可聚合乙 乙烯基胺基甲酸酯化合物（JP-B-48-41708)、胺基甲 烯酸酯類（JP-B-2-16765)、具有環氧乙烷骨架之胺基 化合物（JP-B-62-39418)、聚酯丙烯酸酯類（JP-B-52-及Nippon Setchaku Kyokaishi(日本黏著協會公報） 第7期300至308頁（1984年）所述之可光固化單體 物。 此等可自由基聚合之多官能單體可兩種或兩種 甲醇、 甘油及 酸之可 JP-A- 基丙烯 B-46- 利公告 脂族醇 頃、及 成之可 烯醯胺 (甲基） -B-54- 烯基之 酸酯丙 甲酸酯 30490) > 20卷 及寡聚 以上組 -76- 1378128 p % » « 合使用。 可用來形成高折射率層用之黏結劑的含有可陽離子聚 合基之化合物（後文偶爾稱作爲「可陽離子聚合化合物」或 「可陽離子聚合有機化合物」）說明如後。 至於本發明使用之可陽離子聚合化合物，可使用於光 化能敏化陽離子聚合引發劑存在下，當以光化能射線照射 時可造成至少聚合反應或交聯反應的化合物。至於代表例 ’値得一提者有環氧化合物、環狀硫醚化合物、環狀醚化 ® 合物、螺-原酸酯化合物及乙烯醚化合物。本發明中，可陽 離子聚合之有機化合物可單獨使用，或可兩種或兩種以上 組合使用。 至於含有可陽離子聚合基之化合物，一個分子中可陽 離子聚合基數目較佳爲2至10，及特佳爲2至5。此等化 合物之分子量爲3,000以下，較佳由200至2,000，及特佳 由400至1，500。當分子量過小時，於薄膜形成過程中出現 蒸散問題；而當分子量過大時，出現與高折射率層形成組 ®成物之相容性問題。 至於環氧化合物，値得一提者爲脂族環氧化合物及芳 香族環氧化合物。 至於脂族環氧化合物，例如値得—提者爲脂族多羥基 醇類及多羥基醇之環氧烷加合產物之多縮水甘油醚、脂族 長鏈多元酸之多縮水甘油酯、丙烧酸縮水甘油酯及甲基丙 烯酸之均聚物及共聚物。除了前述環氧化合物外，例如値 得一提者爲脂族高碳醇之單縮水甘油醚類、高碳脂肪酸之 -77- 1378128 φ % • 4 所水甘油酯類、環氧化大豆油、環氧基硬脂酸丁酯、環氧 基硬脂酸辛酯、環氧化亞麻仁油、及環氧化聚丁二烯。至 於環脂族環氧化合物，値得一提者有含有至少一個環脂族 環之多羥基醇之多縮水甘油醱，或經由使用適當氧化劑例 如過氧化氫或過酸將含不飽和環脂族環（例如環己烯，環戊 烯、二環辛烯、三環癸烯）之化合物環氧化所得之含有環己 烯氧化物·或含有環戊烯氧化物之化合物。 至於芳香族環氧化合物，例如値得一提者有具有至少 ® —個芳香核的單元酚或多元酚，及單元酚或多元酚之環氧 烷加合物之單縮水甘油醚或多縮水甘油醚。至於此等環氧 化合物之特例，値得一提者有JP-A-U-242101 [0084]至 [0086]段揭示之化合物、JP-10-158385 [0044]至[0046]段揭 示之化合物。 此等環氧化合物中，由於快速固化性質，以芳香族環 氧化物及環脂族環氧化物爲佳，而以環脂族環氧化物爲特 佳。本發明中，此等環氧化合物可單獨使用，或其中二者 ® 或二者以上可以任意組合使用。 至於環狀硫醚化合物，値得一提者有具有硫基環氧基 環來替代環氧基環的前述化合物。 至於含有氧雜環丁烷基作爲環狀醚之化合物、特別例 如値得一提者由 Ρ-Α-2000-23 93 09 [0024]至[0025]段揭示 之化合物。較佳此等化合物係組合含環氧基化合物而使用 〇 至於螺-原酸酯化合物，値得一提者有Jp-T-2〇〇0-5 06908 -78- 41378128 揭示之化合物》

基二環庚烷等）、丙烯基化合物（聚合物科學期刊：部分A :聚合物化學，32卷2895 物（聚合物科學期刊：部分， 5 (1994年））、烷氧基丙二烯化合 A :聚合物化學，33卷2493 (1995 年））、乙烯基化合物（聚合物科學期刊：部分A:聚合物化 學，34 卷 1 0 1 5 ( 1 99 6 年）及 jp-A_2〇〇2_291 62)，及異丙烯 • 基化合物（聚合物科學期刊：部分A :聚合物化學，34卷 2 05 1 ( 1 996 年））。 此等化合物可組合任二者或二者以上而使用。 至於本發明之多官能化合物，較佳係使用含有至少一 個選自前述可自由基聚合基之基以及至少—個可陽離子聚 合基之基於分子的化合物。舉例言之値得—提者爲jp_A_8_ 277320[0031]至[0052]段揭示及 jp-A-2000-191737 [0015] 段揭示的化合物，但可用於本發明之化合物並非受此所限 • » 較佳含有可自由基聚合化合物及可陽離子聚合化合物 呈可自由基聚合化合物/可陽離子聚合化合物之重量比爲 90/10 至 20/80，更佳爲 80/20 至 30/70。 可與黏結劑前驅物組合用於前述組合（c)之聚合引發 劑之細節說明如後。 至於聚合引發劑，値得一提者爲熱聚合引發劑及光聚 合引發劑。 -79- 1378128

本發明之聚合引發劑（L)爲可藉照光與加熱之任一種 手段來產生自由基或酸的化合物。較佳本發明使用之聚合 引發劑（L)之最大吸收波長爲4 〇〇奈米以下。經由將吸收波 長調整至類似的紫外光區，於安全光線下的處理變可能。 此外，也可使用於近紅外光區有最大吸收波長的化合物。 首先說明可產生自由基之化合物（L1)之細節。 較佳用於本發明之自由基產生性化合物（L1)爲藉照光 及/或加熱可產生自由基藉此來引發與加速具有可聚合不 • 飽和基之化合物的聚合反應之一種化合物。 至於自由基產生性化合物（L1)，可任意選擇及使用具 有鍵能及解離能小之鍵結的眾所周知之聚合引發劑及化合 物。自由基產生性化合物可單獨使用或組合兩種或兩種以 上使用。 至於自由基產生性化合物，例如値得一提者有眾所周 知之有機過氧化物化合物、熱自由基聚合引發劑諸如偶氮 聚合引發劑及光·自由基聚合引發劑諸如胺化合物 ® (JP-B-44-20189)、有機鹵化物化合物、羰基化合物、金屬 茂化合物' 六芳基二咪唑化合物、有機硼酸化合物及二颯 化合物。 至於有機鹵化物化合物之特例，値得一提者有例如述 於Wakabayashi等人’日本化學會公報，42，2924 ( 1 969) 、美國專利 3,905,815、Jp_a-633-298339、M.P. Hutt，雜 環ft ¥期..干丨】’第1卷第3期（1 9 7 〇年）之化合物；特別値得 —提者爲經以三_甲基取代之噚唑化合物，亦即s _三阱化 -80- 1378128 合物。 更佳，値得一提者爲其中至少一個經一鹵素、二鹵素 或三鹵素取代之甲基鍵結至S_三阱環之S-三阱衍生物》 至於其它有機鹵化物化合物之實例，値得一提者者有 JP-A-5-27830 [0039]至[0048]段揭示之酮類 '硫化物類 '颯 類及含氮雜環系環。 至於羰基化合物之實例，値得一提者有 Sai shin UV Koka Gijutsu (紫外光固化之最新技術），60-62頁，情報技 •術協會出版（1991 年）、JP-A-8-134404 [0015]至[0016]段、 JP-A-11-217518 [0029]至[0031]段揭示之化合物，例如値得 —提者有苯乙酮、羥基苯乙酮、二苯甲酮、噻卩ill、苯偶因 化合物如苯偶因乙醚及苯偶因異丁醚、苯甲酸酯衍生物諸 如對二甲基胺基苯甲酸乙酯及對二乙基胺基苯甲酸乙酯、 苄基二甲基縮酮及醯基膦氧化物。 至於有機過氧化物化合物之實例，値得一提者有 JP-A-200 1 - 1 39663 [0019]段揭示之化合物。 ^ 至於金屬茂化合物之實例，値得一提者有JP-A-2_4 7 0 5 及JP-A- 5 - 8 3 58 8揭示之各種鈦茂化合物、及JP-A- 1 -3 044 5 3 及JP-A-1-152109揭示之鐵-丙二烯錯合物。 至於六芳基二咪唑化合物之實例，値得—提者爲 JP-B-6-29285、美國專利 3,479，185、4,311，783 及 4,622,286 揭示之各種化合物。 至於有機硼酸酯化合物之實例，値得一提者有曰本專 利 2764 76 9、JP-A-2002 - 1 1 6 5 3 9、及 Kunz，Martin，Rad -81- 1378128

Tech'98，_事錄1998年4月19-22日芝加哥揭示的有; 酸酯化合物，及JP-A-2002- 1 1 6 5 3 9 [0022]至[0027]段揭示 之化合物。 至於其它有機硼化合物之實例値得一提者有JP-A-6-348011 、 JP-7-128785 > JP-A-7-140589、 JP-A-7-306527 及 JP-A-7-292014揭示之有機硼過渡金屬配位錯合物。 至於颯化合物之實例，値得一提者爲 JP-A-5-239015 揭示之化合物；以及至於二碾化合物之實例，値得一提者 # 爲JP-A-6 1 - 1 66544之由式（II)及式（III)表示之化合物。 此等自由基產生性化合物可單獨使用，或兩種或兩種 以上之化合物組合使用。自由基產生性化合物之添加量相 對於可自由基聚合單體總量爲0.1至3 0重量％，較佳爲〇 . 5 至2 5重量％，及特佳爲1至2 0重量％。當添加量係於此範 圍時’可獲得具有高度老化安定性及高聚合度的高折射率 層用組成物。 可用作爲聚合引發劑（L)之光酸產生劑（L2)之細節說 ®明如後。 至於光酸產生劑（L2)，値得一提者爲光陽離子聚合之 光引發劑、染料之光褪色劑、光變色劑、及眾所周知之酸 Μ ± &眾所周知之用於微光阻的化合物及此等化合物之 混合物。 此外’至於光酸產生劑（L2)，例如値得一提者有有機 _化物化合物及二颯化合物。有機鹵化物化合物及二颯化 #物2胃例係與前文自由基產生性化合物舉例說明之化合 -82- 1378128 * k 翁 ％ 物相同》 鍚化合物之實例包括重氮鐺鹽、銨鹽、亞銨鹽、鳞鹽 、鎭鹽、鏑鹽、疏鹽、砷鏺鹽及硒錙鹽，及特例係揭示於 JP-A-2002-296 1 2 [00 5 8]至[00 5 9]段。 至於特佳用於本發明之光酸產生劑（L2)値得一提者爲 鑰鹽；而以重氮鑰鹽、鎮鹽、鏑鹽及亞銨鹽特佳用於光聚 合引發劑之光敏感度及化合物的材料安定性。 至於可用於本發明之鑰鹽之特例，値得一提者有JP-A-® 9-268205 [0035]段揭示之鋁化銃鹽、jp-A-2000-7 1 3 66 [0010] 至[0011]段揭示之二芳基鎭鹽或三芳基鎭鹽、JP-A-20(H- 133696 [003 0]至[0033]段揭示之S-苯基酯硫苯甲酸酯之锍 〇 至於酸產生劑之其它實例，値得一提者有有機金屬/有 機鹵化物化合物、具有鄰硝基苄基型保護基之光酸產生劑 、及JP-A-2202-29162 [0059]至[0062]段揭不之藉光分解而 產生磺酸之化合物（亞胺基磺酸酯等）。 ® 此等酸產生劑可單獨使用，或兩種或兩種以上酸產生 劑可組合使用。此等酸產生劑之添加量係占整個可陽離子 聚合單體總重由0.1至20重量％，較佳由0.5至15重量％ ，及特佳由1至1 〇重量％。由高折射率層組成物之安定性 及聚合反應性觀點，以前述範圍之添加量爲佳。 較佳本發明之高折射率層組成物含有相對於自由基聚 合引法劑及陽離子聚合引發劑之總重，由〇. 5至1 0重量％ 之自由基聚合引發劑及1至10重量％陽離子聚合引發劑， -83- 1378128 / ， 更佳含有由1至5重量％之自由基聚合引發劑之2至6重 量％陽離子聚合引發劑。 當聚合反應係藉照射紫外光進行時，本發明之高折射 率層組成物可含有眾所周知之紫外光光譜敏化劑與化學敏 化劑的組合。舉例言之，値得一提者有米其勒酮、胺基酸（ 甘胺酸等）、有機胺（丁基胺及二丁基胺）。 當聚合反應係藉照射近紅外光進行時，較佳係使用近 紅外光光譜敏化劑的組合。 # 至於欲組合使用之近紅外光光譜敏化劑，以具有吸收 於700奈米以上之波長區至少一部分之光吸收物質，以及 以具有莫耳消光係數爲1 0,000以上之化合物爲佳。以具有 吸收於 7 5 0至1，400奈米區以及莫耳消光係數數値爲 20,000以上之化合物爲佳。更佳吸收谷係於420奈米至700 奈米之可見光波長且爲光學透明。至於近紅外光光譜敏化 劑’可使用已知用作爲近紅外光吸收顏料及近紅外光吸收 染料之各種顏料及染料。特佳係使用眾所周知之近紅外光 #吸收劑。 市售染料及參考文獻所述染料例如可用於Kagaku Kogyo(化學工業），45-51頁，「近紅外光吸收染料」，5 月 1 9 8 6 年；90 Nendai Kinosei Shikiso no Kaihatsu to Shiji Do-H.〇. (1990年代的基礎染料發展與市場趨勢），第2章2.3 節（1990 年）’ CMC 出版公司；Tokushu Kino Shkikso (特殊 基礎染料），Ikemori 及 Hashiratani 彙編（1986 年），CMC 出 版公司，Fabian, C h e m. Rev.. 92，"97-1226 頁（1992 年） -84- 1378128 ♦ · 為 :由日本感光染料硏究所於1995年出版的目錄；Exci to η 公司於1989年出版的雷射染料目錄、及各專利說明書。 (ii)具有可水解官能基之有機金屬化合物： 至於本發明之高折射率層之基體，較佳於薄膜塗布後 ，經由與含有可水解官能基的有機金屬化合物進行溶膠/凝 膠反應來形成固化薄膜。至於有機金屬化合物，値得一提 者爲包含Si ' Ti、Zr及A1之化合物。至於可水解官能基 ，値得一提者爲烷氧基、烷氧羰基、鹵素原子及羥基；及 ® 以諸如甲氧基、乙氧基、丙氧基或丁氧基之烷氧基爲特佳 。較佳有機金屬化合物爲以下式（Γ)表示之有機矽化合物、 及該化合物之部分水解產物（部分縮合產物）。眾所周知式 (1')表示之有機矽化合物容易水解，連續出現脫水縮合反應 〇 (Ra)m-Si(X)m (Γ) 式（1 Ί中，Ra表示含1至3 0個碳原子之經取代或未經 取代之脂族基，或含6至14個碳原子之芳基；X表示鹵素 ^ 原子（例如氯原子、溴原子等）、OH基、OR2基或OCOR2 基；R2表示經取代或未經取代之烷基；m表示0至3之整 數；及η表示1至4之整數且m與η之和整數爲4，但當 m爲0時，X表示〇R2基或〇c〇R2基。 式（1')中，113表示之脂族基較佳爲含1至18個碳原子 之脂族基（例如甲基、乙基 '丙基、丁基、戊基、己基、辛 基 '癸基、十二烷基、十六烷基、十八烷基、苄基、苯乙 基、環己基、環己基甲基、己烯基、癸烯基、十二碳烯基 -85- 1378128 • b * « 等）’更佳爲含1至12個碳原子及特佳爲含1至8個碳原 子。

Ra表示之芳基爲苯基、萘基或蒽基，而以苯基爲佳。 取代基並無特殊限制，較佳値得一提者爲鹵素原子（例 如氟、氯、溴等）、羥基、巯基、羧基、環氧基、烷基（例 如如甲基 '乙基、異丙基、丙基、第三丁基等）、芳基（例 如苯基、萘基）等 '芳族雜環基（例如呋喃基、吡唑基、吡 陡基等）、烷氧基（例如甲氧基、乙氧基、異丙氧基、己氧 ® 基等）、芳氧基（例如苯氧基等）、烷硫基（例如甲硫基、乙硫 基等）、芳硫基（例如苯硫基等）、烯基（例如乙烯基、〗-丙烯 基等）、烷氧基矽烷基（例如三甲氧基矽烷基、三乙氧基矽 院基等）' 醯氧基（例如乙醯氧基、（甲基）丙烯醯氧基等）、 院氧裁基（例如甲氧羰基、乙氧羰基等）、芳氧羰基（例如苯 氧羯基等）、胺甲醯基（例如胺甲醯基、N_甲基胺甲醯基、 N，N-二甲基胺甲醯基、N_甲基-N_辛基胺甲醯基等）和醯基 胺基（例如乙醯基胺基 '苄醯基胺基、丙烯醯基胺基、甲基 ® 丙燃醯基胺基）。 此等取代基中’以羥基、锍基、羧基、環氧基、院基 、院氧基矽烷基、醯氧基、及醯基胺基爲更佳；且以環氧 基' 可聚合醯氧基（（甲基）丙烯醯氧基）、可聚合醯基胺基 (丙烯醯基胺基、甲基丙烯醯基胺基）爲特佳。此等取代基 可進一步經取代。 R2表示經取代或未經取代之烷基，烷基之取代基之說 明係與R 1之說明相同。 -86- 1378128 m表示0至3之整數及n表示1至4之整數且出與η 之和總數爲4。m較佳爲〇、1或2特佳爲1。當！„爲〇，χ 表示OR2基或OCOR2基。 式U')表示之化合物之含量較佳爲占高折射率層之總 固性物含量之由10至80重量％，更佳由20至70重量。/。及 特佳由30至50重量％。 式（1')表不之化合物之特例係揭不於JP-A-2001-166104 [00 5 4]至[0 0 5 6]段。 ® 於高折射率層中，較佳有機黏結劑含有矽烷醇基。藉 由含有矽烷醇基’可更進一步改善高折射率層之物理強度 、耐化學性及耐候性。 矽烷醇基導入黏結劑之方式例如係經由具有可交聯或 可聚合官能基之（1_)表不之有機砂氧化合物作爲形成高折 射率層塗布組成物之組成黏結劑生成性成分，而塗布組成 物連同黏結劑前驅物（可固化多官能單體或多官能寡聚物） 、聚合引發劑、及高折射率無機細小晶粒於分散液所含之 ® 分散劑’將該塗布組成物塗布於透明撐體上，讓（1 1)表示之 分散劑、多官能單體或多官能寡聚物、及有機矽化合物。 較佳係以催化劑存在下執行有機金屬化合物固化之水 解反應與縮合反應。至於催化劑，値得一提者爲無機酸類 例如鹽酸、硫酸及硝酸；有機酸類例如草酸、乙酸 '甲酸 、三氟乙酸、甲烷磺酸及甲苯磺酸；無機鹼類如氫氧化鈉 、氫氧化鉀及氨；有機鹼類如三乙基胺及吡啶；金屬烷氧 化物例如三異丙氧基鋁、四丁氧基鍩及四丁氧基鈦酸鹽； -87- 1378128 及金屬螯合化合物例如β-二酮類及P-酮酯類。特別値得一 提者爲JP-A-2 000-275403 [0071]至[〇〇83]段揭示之化合物 〇 以有機金屬化合物爲基準，組成物中之此等催化劑之 比例爲0.01至50重量％，較佳由0.1至50重量％及更佳由 〇 . 5至1 0重量％。反應條件較佳係藉有機金屬化合物之反 應性而任意調整。 較佳於高折射率層之基體具有特殊極性基。 至於特定極性基，値得一提者爲陰離子基、胺基、及 第四銨基。至於陰離子基、胺基、及第四銨基之特例，値 得一提者爲於如上分散劑所述之相同基。 具有特定極性基之高折射率層之基體之獲得方式，係 經由攙混含高折射率無機細小晶粒及分散劑之分散液，至 少具有特定極性基之黏結劑前驅物（具有特定極性基之可 固化多官能單體或寡聚物）與聚合引發劑之組合，或具有特 '定極性基及可交聯官能基或可聚合官能基之式（Γ)表示之 有機矽化合物之組合（作爲可固化薄膜形成成分）；此外， 若有所需’攙混具有特定極性基及可交聯或可聚合官能基 的單官能單體’與高折射率層形成性塗布組成物，將該塗 布組成物塗布於透明撐體上，讓分散劑、單官能單體 '多 官能單體、多官能寡聚物及式（Γ)表示之有機矽化合物中之 任一者接受交聯反應或聚合反應。 具有特定極性基的單官能單體可以塗布組成物作爲無 機細小晶粒輔助分散劑。此外，經由與分散劑、多官能單 -88- 1378128 體及多官能寡聚物藉交聯反應或聚合反應塗布後形成 劑，可維持無機細小晶粒的良好均勻分散度，可製造 絕佳物理強度、化學品耐性以及耐候性的高折射率層 具有胺基或第四銨基之單官能單體相對於分散劑 加量較佳由0.5至50重量。/。，更佳由1至30重量％。 由與高折射率層塗布同時或於塗布後，藉交聯或聚合 來形成黏結劑時，單官能單體可於高折射率層塗布前 發揮功能。 ‘ 至於本發明之高折射率基體，値得一提者爲含有 述（a)有機黏結劑相應的眾所周知之可交聯官能基或 合官能基之有機聚合物所固化且所形成的基體。較佳 成高折射率層後，聚合物進一步具有交聯結構或聚合 。聚合物之實例包括聚烯烴（包含飽和烴）、聚醚、聚 聚胺基甲酸酯、聚酯 '聚胺、聚醯胺及蜜胺樹脂。此 合物中，以聚烯烴、聚醚及聚脲爲佳，而以聚烯烴及 爲更佳。固化前之有機聚合物之重量平均分子量較佳 1χ1〇3至IxlO6，及更佳係由3xl〇3至hioS。 有機聚合物於固化前較佳爲具有前述特定極性基 有交聯結構或聚合結構之重複單元之共聚物。聚合物 有陰離子基之重複單元之比較佳係占總重複單元由〇 . 99重量％ ’更佳由3至95重量％及最佳由6至90重j 重複單元可有兩個或兩個以上相同或相異的陰離子基 當具有矽烷醇基之重複單元含於有機聚合物時， 單元之比例較佳由2至98莫耳％，更佳由4至96莫耳 黏結 具有 〇 之添 當經 反應 有效 與前 可聚 於形 結構 脲、 等聚 聚醚 係由 及具 中具 5至 t %。 〇 重複 %及 -89- 1378128 最佳由6至94莫耳％» 當含有具有胺基或第四銨基之重複單元時，重複單元 之比例係由〇 · 1至5 0重量％，更佳由〇 . 5至3 〇重量。/〇。 當矽烷醇基、胺基、及第四銨基含於具陰離子基之重 複單元時’或當含有交聯結構或聚合結構之重複單元時， 可獲得相同效果。 聚合物中具有交聯或聚合結構之重複單元之比例較佳 係由1至90重量％’更佳由5至80重量％及最佳由8至60 重量％ » 經由黏結劑之交聯或聚合所形成之基體之較佳形成方 式’係經由將形成高折射率層之塗布組成物塗布於透明撐 體上’以及於塗布同時或於塗布後進行交聯或聚合反應來 形成基體。 進一步，其它化合物可任意添加至本發明之高折射率 層。舉例言之，當高折射率層具有低折射率層於其上時， 較佳高折射率層之折射率係高於透明撐體之折射率。當高 折射率層含有芳香環、氟以外之鹵素元素（例如Br、I、C1 等）、及s、N或P等原子時，有機化合物之折射率變高， 如此也較佳使用經由含有此等化合物之可固化化合物進行 交聯或聚合反應所獲得的黏結劑。 高折射率層之其它成分： 其它化合物可根據使用及用途而任意添加至本發明之 高折射率層》舉例言之，高折射率層之折射率係高於透明 撐體之折射率，故經由含有芳香環、氟以外之鹵素元素（例 -90- 1378128 物具有衍生自含氟乙烯系單體之重複單元及 烯醯基於支鏈作爲基本成分的重複單元。此 折射率降低及薄膜硬度降低之共聚物的可相 較佳使用固化劑多官能（甲基）丙烯酸酯及塡 晶粒及有機細小晶粒。 低折射率層之折射率較佳係由1.20至 1.25至1.48，及特佳由1.30至1.46。 低折射率層之厚度較佳係由50至200 70至100奈米。低折射率層之濁度較佳爲 爲2 %以下及最佳爲1%以下。藉使用5 00克 度試驗低折射率層之特定強度較佳，較佳爲 爲2H以上及最隹爲3H以上。 此外，用於改良抗反射薄膜之防垢性質 接觸角較佳爲90°以上，更佳爲95"以上及 上。 用於低折射率層之共聚物說明如後。 至於含氟乙烯系單體單元之特例，値得 烴類（例如氟乙烯、氟亞乙烯、四氟乙烯、爸 六氟丙烯、全氟-2,2-二甲基-1，3-二噚唑等）、 之部分或完全氟化的烷基酯衍生物（例如維ί 6FM，大坂有機化學工業公司製造（0Saka0IΊ Industry L t d );及 Μ - 2 0 2 0，大金工業公 1 Industries Ltd.)、及完全或部分氟化的乙嫌 單體中，以全氟烯烴爲佳，由折射率、溶解 L具有（甲基）丙 外，由與具有 容性觀點，也 充劑無機細小 1 .49，更佳由 奈米，更佳由 3 %以下，更佳 :負載之鉛筆硬 Η以上，更佳 ，表面與水之 特佳爲1〇〇°以 一提者爲氟烯 ί氟辛基乙烯、 ‘（甲基）丙烯酸 圻寇特（Viscoat) ganic Chemical 司製造（Daikin 基醚類。此等 度、透明度及 -92- 1378128 »· 利用率觀點，以六氟丙烯爲特佳。 至於提供交聯反應性之組成單元，値得一提者爲經由 分子內具有可自我交聯官能基的單體事先進行聚合所得的 組成單元’諸如（甲基）丙烯酸縮水甘油酯及縮水甘油基乙 烯基醚；經由具有羧基、羥基、胺基或磺基之單體進行聚 合所得之組成單兀（例如（甲基）两烧酸、（甲基）丙烧酸經甲 酯、（甲基）丙烯酸羥烷酯、丙烯酸烯丙酯、羥乙基乙烧基 醚、羥丁基乙烯基醚、順丁烯二酸、巴豆酸等）；及經由將 ® 諸如（甲基）丙烯醯氧基之交聯反應基藉聚合反應導入前述 組成單兀所得組成單兀（例如導入可經由讓丙稀酸氯作用 於羥基執行）。 除了前述含氟單體單元及提供交聯反應性的組成單元 之外’由於溶劑的溶解度以及薄膜透明度觀點，可任意聚 合不含氟單體。可組合使用之單體單元並無特殊限制，例 如値得一提者爲烯烴類（例如乙烯、丙烯、異戊間二烯、氯 乙烯 '氯亞乙烯等）、丙烯酸酯類（例如丙烯酸甲酯、丙條 ® 酸乙酯、丙烯酸2-乙基己酯等）、甲基丙烯酸酯類（例如甲 基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丁酯、乙二 醇二甲基丙烯酸酯等）' 苯乙烯衍生物（例如苯乙烯、二乙 烯苯、乙烯基甲苯、α-甲基苯乙烯等）、乙烯基醚類（例如甲 基乙烯基醚類、乙基乙烯基醚類、環己基乙烯基醚類等）、 乙烯基酯類（例如乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、桂皮酸乙烯酯 等）、丙烯醯胺類（例如Ν-第三丁基丙烯醯胺、Ν-環己基丙 烯醯胺等）' 甲基丙烯醯胺類及丙烯腈衍生物。 -93- 1378128

如 JP-A-1 0-253 88 及 JP-A-]0-] 4 7 73 9 揭示，固化劑可 .任意用於此等聚合物。 本發明有用之含氟聚合物爲全氟烯烴與乙烯基醚類或 乙烯基酯類之隨機共聚物。特佳含氟聚合物具有可自我進 行交聯反應之基（諸如（甲基）丙烯醯氧基的自由基反應性基 、諸如環氧基或氧雜環丁烷基之可開環聚合基）。較佳含交 聯反應性基之聚合單元係占聚合物之總聚合單元由5至70 莫耳％，特佳由3 0至6 0莫耳％。 Φ 至於較佳用於本發明之共聚物，値得一提者爲下式1 表示之化合物。 式1 -fcF2-CF-)^ -fCH2-CH-^ 4-A-)-cf3 Ο 〇Hi%(^=ch2

X 式1中，L表示含1至l〇個碳原子之鍵聯基，更佳含 ® 1至6個碳原子之鍵聯基，及特佳含2至4個碳原子之鍵 聯基，可爲直鏈、分支或環狀結構，可具有選自〇、N及S 之雜原子。 鍵聯基之較佳實例包括‘-(CH2)2-〇-“、•-(CHOyNH-·* 、*-(CH2)4-〇-** ' *-(CH2)6-〇-** ' *-(CH2)2-〇-(CH2)2-〇-** 、*-CONH-(CH2)3-〇-"* ' *-CH2CH(OH)CH2-0-** ' 及 ^-CHaCHWCONI^CHO^f表示於聚合物主鏈側上之鍵 聯位置，μ表示於（甲基）丙烯醯基側上之鍵聯位置）。m表 -94- 1378128 示 0或 I， 式1中，X表示氫原子或甲基。由固化反應性觀點， 以氫原子爲更佳。 式1中，A表示衍生自任意乙烯系單體之重複單元， 重複單元並無特殊限制，只要爲可與六氟丙烯共聚合之成 分即可；重複單元可經由考慮例如對基材的黏著性、聚合 物之Tg (可促成薄膜硬度）、於溶劑之溶解度、透明度 '滑 動性、防塵性及防垢性等性質而適當選用。根據使用目的 ® 而定，重複單元可包含一種或兩種或多種乙烯系單體。 單體之較佳實例包括乙烯系醚類例如甲基乙烯基醚、 乙基乙烯基醚、第三丁基乙烯基醚、環己基乙烯基醚、異 丙基乙烯基醚、羥乙基乙烯基醚、羥丁基乙烯基醚、縮水 甘油基乙烯基醚及烯丙基乙烯基醚；乙烯基酯類例如乙酸 乙烯酯、丙酸乙烯酯及丁酸乙烯酯；（甲基）丙烯酸酯類例 如（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸羥 乙酯、（甲基）丙烯酸縮水甘油酯、（甲基）丙烯酸烯丙酯及 ® (甲基）丙稀醯氧基丙基三甲氧基矽烷；苯乙烧衍生物例如 對羥基甲基苯乙烯；不飽和羧酸類例如巴豆酸、順丁烯二 酸及伊康酸；及此等羧酸之衍生物β更佳爲乙烧基醚衍生 物及乙燃基酯衍生物，以乙稀基酸衍生物爲特佳。 X、y及ζ表示各別組成分之莫耳百分比，分別滿足3 〇 SxS60、5SyS70 及 0客 z$65，較佳 35 各 χ^55、3〇$y $60 及 〇SzS20 及特佳 40gx 客 55'4〇gy$55 及 客 10° -95- 1378128 至於較佳用於本發明之化合物，値得一提者爲下式2 表示之化合物。 式2 -fcF2-CF-^ -fcH2-CFa

式2中，乂、\及y各自具有式1之相同定義，較佳範 圍亦同。 π爲整數2各nS 10’更佳爲2Sn各6及特佳爲2客η彡 Β表示衍生自任意乙烯基單體之重複單元，其可爲單 一組成物，或可由多個組成物組成。至於其實例，値得— 提者爲如式1之Α所述之相同實例。 zl及z2分別表示重複單元之莫耳百分比，分別滿足數 値 〇Szl 芸 65、0$ζ2^65，較隹 0 各 zl$30、0Sz2S10 及特佳 OSzlSlO、0$ζ2$5» 式1或式2表示之共聚物可藉任一種手段將（甲基）丙 烯醯氧基導入例如包含六氟丙烯成分及羥烷基乙烯基醚成 分之共聚物而合成。 本發明有用之共聚物之較佳特例顯示如後，但本發明 非僅限於此等化合物。 -96- 1378128 -fcF2-CF-)^ -fcH2-CH-^ -fcH2-CH-)y

cp3 I . , i? 0_iL1^rH o-(li)^cc=ch2 X 數目平均分子量 X y m L1 X Mn (xIO11) F-1 50 0 1 *"CH2CH2〇- H 3.1 P-2 50 0 1 本-ch2ch2o- ch3 4.0 P-3 45 5 1 φ—ch2ch2o- H 2.8 P-4 40 10 1 卜 ch2ch2o_ H 3.8 P-5 30 20 1 卜 ch2ch2o— H 5.0 P-6 20 30 1 卜 ch2ch2o- H 4.0 P-7 50 0 0 — H 11.0 P-8 50 0 1 *_c4h8o- H 0.8 P-9 50 0 1 *-(CH2^-〇-fCH2fe〇— H 1.0 P-10 50 0 1 H 7.0

*指示聚合物之主鏈端。

-97- 1378128 -(-CF2-CF-)^· -fCH2_CH-)5； -fcH2-CH-)y

CFs , ' i? 〇-(LltH 〇-(li)^cc=ch2 數目平均分子量

X y m L1 X Mn (xlO^) P-11 50 0 1. t-CH2CH2NH- p ^-ch2ch2ocnhch2ch2〇- o H 4.0 P-12 50 0 1 H 4.5 P-13 50 0 1 t - ch2ch2ocnhch2ch2o ~ 0 ^ II 聿-ch2ch2ch2ch2〇_ch2ch2〇— OH ch3 4.5 P-H 50 0 1 ch3 5.0 P-15 50 0 1 *-CH2CHCH2〇- H 3.5 P-16 50 0 1 卜 ch2?ho— ch2oh H 3.0 P-17 50 0 1 卜 ch2ch2och2-chch2o— OH OH H 3.0 P-18 50 0 1 t - ch2och2ch-ch2o- ch3 3.0 P-19 50 0 1 ^-ch2och2ch-o— ch2oh ch3 3.0 P-20 40 10 1 本-ch2ch2o— CHg 0.6

*指示聚合物之主鏈端。 -98- 1378128 fcF2—七-(·0Η2—⑶士 +A 七 CF3 Ο

3 II 0-L1——CCH=CH2 數目平均分子量 a b c L1 A Mn (x|〇J) P-21 55 45 0 *"CH2CH20— — 1.8 P-22 45 55 0 *-CH2CH20~i$ η — 0.8 卜2 3 50 45 5 II * - CH2CH2〇CNHCH2CH2〇 - * ^ -ch2-ch- 0.7 OCHaCH2OH P-24 50 45 5 ^"CH2CH-CHz〇— OH -ch2-^h- 〇、CH h o 4.0 P-Z5 50 45 5 ^-ch2cho—字本 -ch2^ch- 4.0 ch2oh 0、 0 P-26 50 40 10 *-ch2ch2o— -ch2-ch- 4.0 och2ch3 P-27 50 40 ΊΟ ο 卜 CH2CH2〇—" -CHa-CH- CH3 4.0 P-28 50 40 10 t~CH2CH20—tt 5.0

COOH

*指示聚合物之主鏈端及〃指示丙烯醯基端。

-99- 1378128 -fcF2-CF-)l； -(-CH2-CH-}p -f〇H2-CH-fe- cf3 〇 o-(-ch2-^oh 〇-(CH2)n〇CC=CH2

X

數目平均分子量 X y 21 22 n X B Mn (xlO” P-29 50 40 5 5 2 H -ch2-ch- o-ch2ch3 5.0 P-30 50 35 5 10 2 H -ch2-ch- OfcC(CH3)3 5.0 P-31 40 40 10 10 4 CH3 _ch2-ch- 4.0 +cf2- •?吃 +Y七 cf3 數目平均分子量 a b Y z Μη (x104) P-32 45 5 ch3 -CH—CH— 1 0 N ch3 -CH—CH-1 4.0 C02CH2CHCH20C9 二 ch2 cooh OH CH3 P-33 40 10 -CH -CH一 I \ co2h conhch2ch2o CCH= CH2 -CH-CH-〇— o 4.0

-100- 1378128 -(-CH2~CH-^ -fcH2-CH-^ 0=9 o=c 〇=c〇、， 〇. 9 ό、..R, L-CCH-CH2 I--H 數目平均分子量

X y z Rf L Μη (X104) P-34 60 40 0 一 CHgCHaCgFiy-n *-ch2ch2o- 11 P-35 60 30 10 -CH2CH2C4FeH-n *-ch2ch2o- 30 P-36 40 60 0 -ch2ch2c6f12h * 一 ch2ch2ch2ch2o- 4.0 *指示聚合物之主鏈端。 •fCH2-七 +CH2-CH·^ -fcH2-〒也 〇、Rf 〇 〇^CH^n〇H 〇fCH2-^〇CCH=CH2 X y · z . n Rf 數目平均分子量 Μπ (xIO4) P-37 50 5G 0 2 -CH2C4FBH-n 5.0 P-38 40 55 5 2 —CH2C4FsH«n 4.0 P-39 30 70 0 4 —CH^CgFi?-门 10 P-40 60 40 0 l CH2〇H2CQF-jgH-n 5.0

101 1378128

較佳用於本發明之共聚物之合成方法，可經由藉多種 聚合方法例如溶液聚合、沉澱聚合、懸浮液聚合、嵌段聚 合及乳液聚合等方法，聚合含經基聚合物的前驅物，以及 然後藉前述聚合物反應來導入（甲基）丙烯醯氧基而合成。 聚合反應可藉多種眾所周知之系統如批次系統、半連續系 統及連續系統進行。 如前文說明，由低折射率層之固化後的薄膜硬度觀點 ’添加例如固化劑等添加劑並非必然較佳，但從以高折射 率層之界面黏著觀點’可添加固化劑例如.多官能（甲基）丙 烯酸酯化合物、多官能環氧化合物、聚異氰酸酯化合物、 胺基塑料及多元酸或其酸酐。當添加固化劑等時，添加量 較佳係占低折射率層之總固性物含量之〇至3 〇重量％，更 佳爲0至20重量％及特佳爲〇至1〇重量％。 眾所周知之以矽爲主的防垢劑、滑動劑及以氟爲主的 防垢劑、滑動劑等可添加來提供防垢性、防水性、耐化學 性及滑動性。當使用此等添加劑時，添加量較佳係占低折 射率層之總固型物含量之0至20重量％，更佳爲〇至1 〇 重量％及特佳爲0至5重量％。 可藉熱作用或藉光作用而產生自由基的自由基聚合引 發劑可用於本發明。 至於可藉熱作用而引發自由基聚合反應之化合物，可 使用有機過氧化物及無機過氧化物、有機偶氮化合物及有 機重氮化合物。 特別作爲有機過氧化物，値得一提者爲過氧化苯甲醯 -102- 1378128 基、過氧化鹵素苯甲醯基、過氧化月桂醯基、過氧化乙醯 基' 過氧化二丁基、異丙苯氫過氧化物及丁基氫過氧化物 :作爲無機過氧化物，値得一提者有過氧化氫、過硫酸銨 及過硫酸鉀；作爲偶氮化合物，値得一提者有2_偶氮二異 丁腈、2 -偶氮二異丙腈及2 -偶氮二環己二腈；以及作爲重 氮化合物，値得一提者爲重氮胺基苯及對硝基苯重氮鑰。 當使用藉光作用來引發自由基聚合反應之化合物時， 薄膜係藉光化能射線的照射而固化。 至於此種光-自由基聚合引發劑之實例，可使用苯乙酮 類、苯偶因類、二苯甲酮類、膦氧化物類、縮酮類、蒽醌 類 '噻噸酮類、偶氮化合物、過氧化物、2,3 -二烷基二酮 化合物、二硫化物化合物、氟胺化合物及芳香族酼類。苯 乙酮類之實例包括2,2 -二乙氧基-苯乙酮、對二甲基苯乙酮 、1-羥基二甲基苯基酮、1-羥基環己基苯基酮、2-甲基-4-甲硫基-2-味啉基苯丙酮及2 -节基-2-二甲基胺基-1-(4 -味啉 基苯基）丁酮。苯偶因類之實例包括苯偶因苯磺酸酯、苯偶 因甲苯磺酸酯、苯偶因甲基醚、苯偶因乙基醚及苯偶因異 丙基醚。二苯甲酮類之實例包括二苯甲酮、2,4-二氯二苯 甲酮、4,4-二氯二苯甲酮及對氯二苯甲酮。膦氧化物類之 實例包括2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基膦氧化物。敏化染 料較佳係與此等光-自由基聚合引發劑組合使用。 藉光作用引發自由基聚合反應之化合物之添加量須足 夠引發碳-碳雙鍵的聚合’但其添加量較佳係占低折射率層 形成性組成物的總固型物含量由0.1至1 5種量％，更佳由 -103- 1378128 » % 4 ♦ 0.5至10重量％及最佳由2至5重量。/。。 低折射率層塗布組成物中所含的溶劑並無特殊限制， 只要含有含氟共聚物之組成物可均勻溶解或分散不會造成 沉薇即可’可組合使用兩種或兩種以上之溶劑。較佳溶劑 之實例包括酮類（例如丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮等） 、酯類（例如乙酸乙酯、乙酸丁酯等）、醚類（例如四氫呋喃 、1,4-二曙烷等）、醇類（例如甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、 乙二醇等）、芳香族烴類（例如甲苯、二甲苯等）及水。 φ 低折射率層除了含氟化合物之外，可含有塡充劑（例如 無機細小晶粒及有機細小晶粒等）、矽烷偶合劑、滑動劑（ 例如聚矽氧化合物，例如二甲基聚矽氧等）及界面活性劑》 特佳含有無機細小晶粒、矽烷偶合劑及滑動劑。 可含於本發明之低折射率層之無機細小晶粒說明如後 〇 無機細小晶粒之塗布重量較佳係由1至1 0 0毫克/平方 米，更佳由5至80毫克/平方米及又更佳由10至60毫克/ # 平方米。當無機細小晶粒之塗布重量係於前述範圍時，具 有改良耐刮性的效果，低折射率層表面上未曾形成些微的 不均勻，因而不會出現諸如因些微不均勻造成黑色增加的 外觀惡化現象以及積分反射比惡化現象。 希望含於低折射率層之無機細小晶粒具有低折射率層 。舉例言之値得一提者爲氟化鎂及氧化矽之無機細小晶粒 。矽氧細小晶粒由折射率、分散液安定性及成本等觀點爲 特佳。矽氧細小晶粒之平均晶粒大小較佳係占低折射率層 -104- 1378128 / ·' 厚度由3 Ο %至1 5 Ο %，更佳由3 5 %至8 Ο %及又更佳由4 Ο %至 6 0%。換言之，當低折射率層厚度爲100奈米時’矽氧細 小晶粒之晶粒大小較佳由30至150奈米，更佳由35至80 奈米，及又更佳由40至60奈米》 當矽氧細小晶粒之晶粒大小係於前述範圍時，具有改 良耐刮性的效果，低折射率層表面上未曾形成些微不均勻 ，因而不會出現諸如因些微不均勻造成黑色增加的外觀惡 化現象以及積分反射比惡化現象。 • 矽氧細小晶粒可爲結晶性或非晶性，可爲單一分散晶 粒，或可聚集，只要晶粒滿足規定之晶粒大小即可。球形 作爲晶粒形狀爲最佳，但使用非晶形也毫無問題。 矽氧細小晶粒之平均晶粒大小係以庫特計數器（coulter counter)測定。 爲了減輕低折射率層之折射率的增高，較佳係使用中 空矽氧細小晶粒，中空矽氧細小晶粒之折射率較佳由1 . 1 7 至1.40，更佳由1.17至1.35及又更佳由1.17至1.30。中 I 空矽氧細小晶粒之折射率表示晶粒整體的折射率，而非只 表示形成中空矽氧細小晶粒外殼的矽氧的折射率。此時， 下式（VIII)表示之孔洞比X較佳由10%至60%，更佳由20。/。 至6 0 %及最佳由3 0 %至6 0 %，晶粒中之孔洞半徑爲，晶粒 之殼體半徑爲b : x = (47ra3/3)/(47ib3/3)x ] 00 (VIII) 當嘗試讓中空矽氧細小晶粒的折射率變低而孔洞比變 大時，外殼厚度變較薄，晶粒強度變脆弱，故由耐刮性觀 -105- 1378128 點無法實現具有折射率小於1 . 1 7的晶粒。 . 中空矽氧晶粒之折射率係使用亞伯氏折射計（Abbe's “卜3£^〇1^16〇(亞塔哥（八丁八00)公司製造）測定。 較佳係使用至少一種平均晶粒大小係小於低折射率層 的25 %厚度之矽氧細小晶粒（稱作爲「小尺寸矽氧細小晶粒」） 組合具有前述晶粒大小之矽氧細小晶粒（稱作爲「大尺寸矽 氧細小晶粒」）。 因小尺寸矽氧細小晶粒可存.在於大尺寸矽氧細小晶粒 φ 中間的空間，故小尺寸矽氧細小晶粒可作爲大尺寸矽氧細 小晶粒的夾持件。 當低折射率層之厚度爲1 00奈米時，小尺寸矽氧細小 晶粒之平均晶粒大小較佳由1至2 0奈米，更佳由5至1 5 奈米及特佳由1 〇至1 5奈米。使用此種矽氧細小晶粒大小 ，可節省材料成本，也促成夾持件效果。 矽氧細小晶粒可接受物理表面處理，例如電漿放電處 理及電暈放電處理，以及接受使用例如界面活性劑及偶合 Φ 劑之化學表面處理用來達成於分散液或於塗布溶液的分散 液安定目的，或用來提高與黏結劑成分之親和力及完整性 。偶合劑的使用爲特佳。至於偶合劑，較佳使用烷氧基金 屬化合物（例如鈦偶合劑、矽烷偶合劑），及以矽烷偶合劑 爲特別有效。 至於低折射率層之無機塡充劑之表面處理劑，前述矽 烷偶合劑係於製備該層塗布溶液且事先用於表面處理，但 較佳係於該層塗布溶液的製備時額外添加偶合劑作爲添加 -106- 1378128 劑。 較佳係於表面處理前，事先於分散介質內降低欲分散 的矽氧細小晶粒的表面處理負載。 前文有關矽氧細小晶粒說明也適用於其它無機晶粒。 至於矽烷偶合劑，可使用如下式（A)及式（A)衍生物表 示之任一種化合物。 X-Si-(OR)3 (A) 式（A)中，X表示有機官能基，R表示烷基。以含有羥 φ 基、毓基、羧基、環氧基、烷基、烷氧基矽烷基、醯氧基 或醯基胺基於X之矽烷偶合劑爲佳；而以含有環氧基、可 聚合醯氧基（（甲基）丙烯醯氧基）、或可聚合醯基胺基（丙烯 醯基胺基、甲基丙烯醯基胺基）的矽烷偶合劑爲特佳。 式（A)表示之特佳化合物爲具有（甲基）丙烯醯氧基於X 作爲交聯官能基或可聚合官能基的化合物，例如値得一提 者有3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷及3-甲基丙烯醯氧基 丙基三甲氧基矽烷。 • 至於滑動劑，以其中導入二甲基聚矽氧及多矽氧烷片 段之含氟化合物爲佳。 其它層: 除了前述各層外，防水層、抗靜電層、打底層、底塗 層、保護層、遮蔽層及滑動層可額外設於層合型抗反射薄 膜上方。設置遮蔽層用來遮蔽電磁波及紅外線。 抗反射薄膜之形成： 組成具有多層組成的抗反射薄膜之各層可藉浸塗法、 -107- 1378128 廉 為 . » 氣刀塗法 '簾塗法、輥塗法、壓模塗法、線桿塗法、凹版 塗法 '及擠塑塗法（美國專利2,681，2 94)形成；其中以擠塑 塗法、微凹版塗法及線桿塗法爲佳，而以JP-A-2003-211052 揭示之壓模塗法爲更佳。可同時塗布兩層或兩層以上。同 時塗布法係揭示於美國專利2,761，791、2,941,898、3，508,947 、3，5 2 6,5 2 8 及 Y uj i H ar a s ak i，Coating Kogaku (塗布丁 桿學） ’ 253頁，朝倉書店（1973年）。 抗反射薄膜之形成時的塗布速度愈高爲愈佳，原因在 ^ 於生產力增高結果成本下降。特別，較佳係以25米/分鐘 以上，更佳35米/分鐘以上，又更佳45米/分鐘以上的速 度進行塗布。本發明中，較佳本發明之塗布組成物實際上 係以前述塗布速度塗布。 本發明之抗反射薄膜中，至少層合高折射率層及低折 射率層’因此當諸如灰塵及塵土等異物存在時，亮點缺陷 容易變顯著。本發明之亮點缺陷爲於薄膜上可見的反射缺 陷’可藉將經塗布的抗反射薄膜背面塗成黑色的操作來目 • 測檢測。目測可見的亮點缺陷通常爲5 0微米以上。若有多 個亮點缺陷，則製造良率下降，無法製造大尺寸抗反射薄 膜。 本發明之抗反射薄膜中，亮點缺陷數目限於每1平方 米20個以下，較佳1〇個以下，更佳5個以下及特佳1個 以下。 爲了連續製造本發明之抗反射薄膜，可進行成卷支撑 薄膜的連續進給法、塗布塗布溶液與乾燥之方法、固化塗 -108- 1378128 布後薄膜之方法、及捲取具有固化層的支撐薄膜之方法。 薄膜撐體從成卷薄膜撐體連續進給至潔淨室，薄膜擦 體上充電的靜電力於潔淨室內使用去靜電劑來去除靜電， 然後黏附於薄膜撐體上的異物使用除塵器去除。隨後，塗 布溶液係於架設於潔淨室內的塗布區段而塗布於薄膜撐體 上’塗布後之薄膜撐體輸送至乾燥室及乾燥。 帶有乾燥後的塗層的薄膜撐體從乾燥室送出，送至輻 射固化室，薄膜撐體以輻射照射，藉此讓塗層所含的單體 # 聚合且固化。具有藉輻射照射固化層的薄膜撐體進給至加 熱固化區段，加熱來完全固化，具有固化成成品的薄膜撐 體捲繞成卷。 前述方法可於每層形成時進行，或經由設置多個塗布 區段-乾燥室-輻射固化室-加熱固化室而可連續執行各層的 形成。 爲了製造極少有亮點缺陷的抗反射薄膜，如前文說明 ，値得一提者爲精密控制高折射率超細晶粒分散於高折射 • 率層之塗布溶液的分散程度，以及精密過濾塗布溶液之操 作。同時，較佳於塗布區段組成抗反射薄膜各層的塗布程 序、及於乾燥室之乾燥程序係於高度潔淨氣氛執行，薄膜 上的污物及灰塵可於塗布之前充分去除。塗布法及乾燥法 之空氣潔淨度根據聯邦規格209E的空氣潔淨度規格，較佳 爲10級（0.5微米以上的晶粒爲3 5 3個/立方米以下）以上， 更佳爲]級（〇. 5微米以上的晶粒爲3 5.5個/立方米以下）以 上。更佳於從塗布程序至乾燥程序以外的進給程序的空氣 -109- 1378128 * % • « 潔淨度亦高。 至於作爲塗布前置程序所進行的灰塵去除程序中使用 的灰塵去除方法，値得一提者有乾式灰塵去除法諸如朝向 薄膜表面加壓非織物及葉片之方法，如JP-A-59-150571揭 示；以高速吹送高潔淨度空氣之方法來從薄膜表面剝離沉 積物，以及使用附近的吸取孔口來吸取所釋放出之物質， 如JP-A-10-309553之揭示；以及吹送經過超音波振動的壓 縮空氣來剝脫沉積物以及抽取之方法（例如新型超吸塵器 # ’新光公司製造等），揭示於JP-A-333613。 此外，可使用濕式灰塵去除法諸如將薄膜導引至洗漉 浴內部，以超音波振盪來剝脫沉積物之方法；供應清潔液 至薄膜上、吹送高速空氣及抽取之方法，如JP-B-49-13020 之揭示；以及以液體濕潤的輥連續摩擦料片，將液體注入 摩擦後的料片來清潔料片之方法，如JP-A-2001-38306之 揭示。此等灰塵去除法中，由灰塵去除效果觀點，以使用 超音波去除灰塵之方法以及濕式除塵法爲特佳。 ® 特佳係於進行除塵處理之前，將薄膜撐體上的靜電去 除靜電，來提高除麈效果且阻止灰塵的黏附。至於此種除 靜電方法，可使用電暈放電型離子化器及紫外光及軟X光 之光照型離子化器。除塵前及後以及塗布前及後的薄膜撐 體之充電電壓較佳爲1，00 0伏特以下，更佳爲3 0 0伏特以 下及特佳爲100伏特以下。 塗布用之分散介晳： 塗布用之分散介質並無特殊限制。分散介質可單獨使 -110- 1378128 用，或兩種或兩種以上分散介質可呈混合物使用。較佳分 散介質爲芳香烴類如甲苯、二甲苯及苯乙烯；芳香烴氯化 物如氯苯及鄰二氯苯；脂族烴氯化物包括甲烷衍生物如單 氯甲烷；·及乙烷衍生物如單氯乙烷；醇類如甲醇' 異丙醇 及異丁醇·•酯類如乙酸甲酯及乙酸乙酯；酸類如乙醚及1，4-二噚烷；酮類如丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮及環己 酮；二醇醚類如乙二醇單甲醚：脂環族烴類如環己酮；脂 肪族烴類如正己烷；以及脂族烴或芳香烴混合物。此等溶 φ 劑中，已經有單獨酮或兩種或兩種以上酮之混合物製造的 塗布用分散介質爲特佳。 塗布用之塗布溶液較佳係於塗布前經過濾。較佳係於 不會去除塗布溶液中的各種成分之範圍內，使用具有孔隙 直徑儘可能小的過濾用過濾器。具有絕對過濾準確度由〇. 1 微米至10微米之過濾器用於過濾，特佳係使用具有絕對過 濾準確度由Q.1微米至5微米之過濾器。過濾器厚度較佳 ® 由0·1至10毫米，更佳由0·2至2毫米。此種情況下，較 佳係於1 5千克力/平方厘米以下，更佳係於1 〇千克力/平 方厘米以下’又更佳係於2千克力/平方厘米以下之過濾壓 力下進行過濾。 過爐材料並無特殊限制’只要其不影響塗布溶液即可 。特別値得一提的是無機化合物之濕分散液之過濾材料中 所述的相同過濾材料。 也較佳過據後之塗布溶液恰於塗布前藉超音波分散， -111- 1378128 來消泡且輔助分散液的分散度維持能力。 本發明中’抗反射薄膜之各層較佳係與塗布組成物之 塗布同時或於塗布後，藉照光、照射電子束或藉加熱進行 交聯反應或聚合反應來固化。 … 當抗反射薄膜之各層係藉可游離輻射固化化合物之交 聯反應或聚合反應形成時，較佳係於10體積％以下之氧濃 度氣氛進行交聯反應或聚合反應。經由於1 〇體積％以下之 氧濃度氣氛下形成各層，可獲得具有絕佳物理強度及化學 ©耐性的最外層。 氧濃度較佳爲5體積％以下，更佳爲1體積％以下，特 佳爲0.5體積％以下及最佳爲0.1體積％以下。 爲了讓氧濃度1 〇%以下，較佳係以其它氣體來置換大 氣（氮濃度約79體積％以下，氧濃度約21體積％)，特佳係 以氮氣來置換大氣（氮氣沖洗）。 照光之光源可爲紫外光及近紅外光中之任一者。至於 紫外光光源，値得一提者有特高壓汞燈、高壓汞燈、中壓 ® 汞燈及低壓汞燈、化學燈、碳弧燈、金屬鹵素燈、氙燈、 及日光。有用之各種350奈米至420奈米波長的雷射光源 可形成爲多束用來照射。至於近紅外光光源，値得一提者 有鹵素燈、氙燈及高壓鈉燈，有用之多種750奈米至1，400 奈米波長之雷射光源可製作成多光束用照射。 近紅外光光源可組合紫外光光源，或可從塗布側的基 材對側來照射。於塗布層深度方向，薄膜的硬化係以表面 及其附近硬化毫無延遲進行，而獲得均勻固化膜。 -112- 1378128 ， 紫外光之照射強度較佳係由0.1至100毫瓦/平方厘米 左右’照射於塗布層表面的照射劑量較佳係由10至1，〇〇〇 毫焦耳/平方厘米。於照光程序塗布層之溫度分布較佳係控 制成儘可能均勻，較佳係於± 3 t以內，更佳係於±丨· 5 〇C以 內。於此溫度範圍，同平面方向及層深度方向的聚合反應 可均勻進行。 偏光板： 當本發明之抗反射薄膜用作爲偏光器的表面保護膜的 ® 一面時’要求形成抗反射層的透明撐體該側的對側面須使 用強鹼接受皂化處理。強鹼皂化處理之特定手段可選自以 下兩種手段。手段（1)優於手段（2)。手段（1)可使用與通用 三乙醯纖維素薄膜處理程序之相同程序處理，但問題爲即 使抗反射薄膜表面接受皂化處理，因而因表面的強鹼水解 造成薄膜劣化，以及皂化處理溶液若殘留時會導致玷染。 手段（2)就此種情況爲較佳，但其處理爲特殊方法。 (1 )於透明撐體上形成抗反射層前，抗反射薄膜浸沒 ® 於強鹼溶液內至少一次，來讓抗反射薄膜的背側接受皂化 處理。 (2 )於透明撐體上形成抗反射層前或後，強鹼溶液塗 布於抗反射薄膜的形成抗反射層該側的對側上，抗反射薄 膜經過加熱、洗滌及/或中和，讓只有薄膜背側接受皂化處 理。 偏光板主要係由兩張保護膜夾置一偏光膜所組成。較 佳使係於本發明使用抗反射薄膜作爲夾置偏光膜的二保護 113· 1378128 * t 薄膜之一。因本發明之抗反射薄膜須加倍保護膜，故偏光 板的製造成本降低。此外，經由使用本發明之抗反射薄膜 作爲最外層，可獲得不會出現外光反射的鏡射現象且耐刮 性及防垢性絕佳的偏光板。 至於偏光薄膜，可使用眾所周知之偏光薄膜，長形偏 光薄膜之切割的偏光薄膜，該長形偏光薄膜之吸光軸並非 平行於機器方向或垂直於機器方向。其吸光軸並未平行或 未垂直於機器方向的長形偏光薄膜係藉下列方法製成。換 # 言之，薄膜爲藉下述方法製造的偏光薄膜，施加拉力來拉 伸聚合物薄膜，同時以固定裝置來固定連續供給的聚合物 薄膜兩端，於薄膜之橫向方向拉伸薄膜至少1.1倍至20.0 倍，於兩端於固定裝置機器方向之行進速度差異係於3%以 內，於薄膜兩端固定狀態下彎鉤該薄膜，讓於夾持薄膜兩 端處理出口，薄膜行進方向與薄膜的實質拉伸方向傾斜20 度至7 〇度。特別，由生產力觀點較佳係使用至少傾斜4 5 度。 ® 偏光薄膜之拉伸可根據JP-A-2002 - 8 6 5 5 4揭示之方法 進行。 本發明之抗反射薄膜及使用抗反射薄膜之偏光板係設 置成低折射率層爲最外層，可應用於影像顯示裝置諸如液 晶顯示器（LCD)、電漿顯示面板（PDP)、電致發光顯示器 (ELD)及陰極射線管（CRT)。具有透明撐體之本發明之抗反 射薄膜係用來讓透明撐體側接觸影像顯示裝置之影像顯示 面。偏光板用來接觸影像顯示裝置的影像顯示面，讓低折 -114- 1378128 射率層變成顯示單元的最外表面。 當用作爲偏光薄膜之表面保護膜之一側時，本發明之 抗反射薄膜較佳係施用於扭轉向列（TN)、超扭轉向列（STN) 、垂直配向（VA)、平面內切換（IPS)、光學補償彎曲晶胞（〇CB) 、電控雙折射（ECB)等模式的透射型' 反射型及半透射型液 晶顯不器。 VA模式液晶晶胞包括（1)當未施加電壓時具有實質上 垂直定向桿狀液晶分子’而當施加電壓時具有實質上水平 • 定向桿狀液晶分子之狹窄定義的VA模式液晶晶胞（例如 JP-A-2-176625)，（2)具有多域VA模式（MVA模式）來加寬 觀視角的液晶晶胞（SID97’述於技術文摘（草稿）28，845 (1997))’（3)當未施加電壓時實質上垂直定向之桿狀液晶分 子’而當施加電壓時爲扭轉多域定向的模式之液晶晶胞 (n-ASM模式）（述於液晶論壇草稿，日本，58· 5 9 ( 1 9 9 8 ))及 (4) SURVAIVAL模式液晶晶胞（LCD國際98發行）》 OCB模式液晶晶胞爲一種液晶顯示器使用彎曲定向模 • 式之液晶晶胞，於液晶晶胞的上端及下端桿狀液晶分子實 質上橫向定向（對稱性），揭示於美國專利4,583,825及 5，4 1 0，4 2 2。因桿狀液晶分子係於液晶晶胞之上端及下端對 稱性定向’故彎曲定向模式的液晶晶胞具有自我光學補償 功能。因此，此種液晶模式爲所謂的〇CB(光學補償彎曲） 液晶模式。彎曲定向模式之液晶顯示器具有響應速度快速 的優點。 於E C B模式之液晶晶胞，當未施加電壓時桿狀液晶分 -115- 1378128 I 駟 » 4 .子爲實質上水平定向，ECB模式液晶晶胞最廣泛用作 色TFT液晶顯示器，其說明可參考多個參考文獻例如 麗（Toray)硏究中心（2001年）公告最廣用於EL、PDP、 顯示器。 如JP-A-20(H-100043等之揭示，使用TN模式液 示器及IPS模式液晶顯示器，於本發明之抗反射薄膜 的對側上使用具有加寬觀視角效果的光學補償薄膜， 作爲偏光膜的正及反保護膜二者之一，藉一片偏光板 φ 可獲得具有反射保護效果及觀視角加寬效果的偏光板 爲極佳。 【實施方式】 實施例 將參照實施例及比較例說明本發明，但本發明並 此所限。同時，只要並無其它特殊定義，「份數」及>* 係以重量爲基準定義。 硬塗布層之塗布溶液（H C L - 1)之製備： • 三羥甲基丙烷三丙烯酸酯（ΤΜΡΤΑ，日本化藥 (Nippon Kayaku C ο ·，L t d .)製造）（7 4 2 · 0 重量份），2 7 7 份重量平均分子量爲1 5,000之聚（甲基丙烯酸縮水甘 ，728.0重量份甲基乙基酮，503.0重量份環己酮及51 量份光聚合引發劑（伊加丘（Irgacure) 184，日本汽巴嘉 份有限公司（Ciba Geigy Japan Limited)製造）置於混合 及攪拌。混合溶液通具有孔隙直徑3 0微米的聚丙烯過 過濾，來製備硬塗布層用塗布溶液（HCL-1)。 爲彩 如東 LCD 晶顯 該側 來用 厚度 ，故 非受 %」 公司 重量 由酯） .〇重 基股 槽內 濾器 -116- 1378128 防炫光硬塗布層用塗布溶液（HCL-2)之製備： 含有市售氧化锆之紫外光固化型硬塗布溶液（迪索萊 特（De Solite)Z7404，JSR公司製造，固型物濃度：約61% ;Zr02於固型物含量之含量：約70%，可聚合單體含聚合 引發劑）（2 84克）及86克二季戊四醇五丙烯酸酯及二季戊四 醇六丙烯酸酯（DPHA，曰本化藥公司製造）之混合物經混合 ，所得混合物以60克甲基異丁基酮及17克甲基乙基酮稀 釋。此外，前述混合物與28.5克矽烷偶合劑（（KBM-5103) ，新越化學公司製造）混合及攪拌。此外，經由將經過密集 分類之平均晶粒大小爲3.0微米的交聯PMMA晶粒（折射率 :1_49，MXS-300，搜肯（Soken)化學工程公司製造）之30°/。 甲基異丁基酮分散液使用多功能分散器於1 0,000 rpm分散 2 〇分鐘而獲得3 0克分散液，然後將平均晶粒大小爲1.5 微米之矽氧晶粒（折射率：1.46，西哈斯特（Seahoster) KE-P150，曰本觸媒公司（Nippon Shokubai Co·，Ltd.)製造）之 30%甲基異丁基酮分散液使用多功能分散器於i〇,〇00 rpm 分散3 0分鐘而獲得9 5克分散液，並將之添加至前述溶液 及攪拌混合。前述混合溶液通過具有孔隙直徑3 0微米之聚 丙烯過濾器過濾，如此製備防炫光硬塗布層用塗布溶液 (HCL-2) » 防炫光硬塗布層用塗布溶液（HCL-3)之製備: 含有市售氧化錐之紫外光固化型硬塗布溶液（迪索萊 特Z7404，JSR公司製造固型物含量：約61% ; Zr02於固 型物含量之含量：約7 0 %，可聚合單體，含有聚合引發齊！J ) -117- 6 61378128 (284克），及86克二季戊四醇五丙烯酸酯及二季戊四醇六 丙烯酸酯之混合物（DPH A，日本化藥公司製造）經混合，所 得混合物以60克甲基異丁基酮及17克甲基乙基酮稀釋。 此外，前述混合物混合28.5克矽烷偶合劑（KBM-5103，新 越化學公司製造）及攪拌。此外，前述溶液混合0.26克氟 聚合物（P-3)(40重量％ MEK溶液）及攪拌。隨後，經由將經 過密集分類之平均晶粒大小爲3.0微米的交聯PMMA晶粒 (折射率：1 .49，MXS-3 00，搜肯化學工程公司製造）之30% 甲基異丁基酮分散液使用多功能分散器於10,000 rpm分散 2〇分鐘而獲得30克分散液，然後將平均晶粒大小爲1.5 微米之矽氧晶粒（折射率：1·46，西哈斯特KE-P150，日本 觸媒公司製造）之30%甲基異丁基酮分散液分散而獲得95 克分散液，並將之添加至前述溶液及攪拌混合。前述混合 溶液通過具有孔隙直徑3 0微米之聚丙烯過濾器過濾，如此 製備防炫光硬塗布層用之塗布溶液（HCL-3)。 防炫光硬塗布層用塗布溶液（HCL-4)之製備： 防炫光用硬塗布層用塗布溶液（HCL-4)係以如同塗布 溶液（HCL-3)製備之相同方式包括相同添加量製備，但添加 0.26克氟聚合物（Ρ-25)(40重量％，ΜΕΚ溶液）來替代氟聚 合物（Ρ - 3 )。 防炫光硬塗布層用塗布溶液（HCL-5)夕製備： 防炫光用硬塗布層用之塗布溶液（HCL-5)係以如同塗 布溶液（HCL-3)製備之相同方式包括相同添加量製備，但添 加〇_26克氟聚合物（Ρ-91)(40重量％，ΜΕΚ溶液）來替代氟 -118- 1378128 聚合物（P - 3 ) » 防炫光硬塗布層用塗布溶液（HCL-6)之製備: 防炫光用硬塗布層用塗布溶液（HCL-6)係以如同塗布 溶液（HCL-3)製備之相同方式包括相同添加量製備，但添加 〇·26克氟聚合物（P-62) (4 0重量％，MEK溶液）來替代氟聚 合物（P-3)。 防炫光硬塗布層用塗布溶液（HCL-7)之製備： 防炫光用硬塗布層用之塗布溶液（HCL-7)係以如同塗 布溶液（HCL-3)製備之相同方式包括相同添加量製備，但添 加〇·26克氟聚合物（P-45)(40重量％，MEK溶液）來替代氟 聚合物（P - 3 )。. 肪炫光硬塗布層用塗布溶液（HCL-8)之製備： 防炫光用硬塗布層用之塗布溶液（HCL-8)係以如同塗 布溶液（HCL-3)製備之相同方式包括相同添加量製備，但添 加0.26克氟聚合物（11-2)(4〇重量％，1^1^溶液）來替代氟聚 合物（P - 3 )。

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-0-CH2-(CF2)6F ο -0—(C2H40)4(C3H60)2H R-2 Mw 32000 (防炫光硬塗布層用塗布混合物（H C L - 9 )) 279.4份重量比二季戊四醇五丙烯酸酯與二季戊四醇 六丙烯酸酯之混合物（DPHA，日本化藥公司製造），！ 3_7份 重量比光聚合引發劑（伊加丘1 84，汽巴特用化學品公司製 -119- I. I.1378128 造）’ 239.9份重量比交聯丙烯酸-苯乙烯粒子（平均粒徑35 微米’折射率1.55，蘇肯（Souken)化學工業公司製造，30% 重量比MiBK分散液，利用多功能分散器以100〇〇 rpm分 散20分鐘後使用），1.14份重量比含氟均平劑（P-1〇8, 4〇〇/。 重量比MEK溶液），60.5份重量比矽烷偶合劑（Kbm-5103 ，新越化學公司製造），210.0份重量比MiBK，112.5份重 量比MEK，28.1份重量比丙二醇及55.0份重量比CAB-531-1(乙酸丁酸纖維素，分子量40,000，伊士曼化學公司 (Eastman Chemical Col，Ltd.製造）；20 % 重量比 MiBK 溶液） 於攪動下共同混合來獲得最終溶液。前述混合物流體通過 具有30微米孔徑的聚丙烯過濾膜過濾來製備抗炫光硬塗 布層之塗布溶液（HCL-9)。 (防炫光硬塗布層用塗布混合物（HCL-10)) 防炫光硬塗布層用塗布混合物（HCL-10)係嚴格以前述 塗布混合物（HCL-9)之相同製造方式包括用量而製備，但 1_14份重量比含氟聚合物（P-97，40%重量比MEK溶液）而 非含氟聚合物（P-143)至前述防炫光硬塗布層用塗布混合 物（HCL-3)。 二氣化鈦細小晶粒分散液A 製備： 至於二氧化鈦細小晶粒，使用以氫氧化鋁及氫氧化銷 接受表面處理的含鈷二氧化鈦細小晶粒（Μ P T - 1 2 9 C，石原 產業公司（Ishihara Sangyo Kaisha Ltd.製造），包含 Ti02/ Co3〇4/Al203/Zr〇2 = 90.5/3.0/4.0/0.5 重量比）。 下式分散劑（42重量份）及702重量份環己酮添加至256 -120-

1378128 高折射率層用之塗布溶液（HL-l)» 高折射率層用塗布溶液（HL-2)之製備： 於43 0.7重量份如上二氧化鈦分散液A中，加入 重量份二季戊四醇五丙烯酸酯與二季戊四醇六丙烯酸 混合物（DPHA，日本化藥公司製造），3.0重量分光聚 發劑（伊加丘907，汽巴嘉基日本有限公司製造），1 .〇 份光敏化劑（加亞丘DETX，日本化藥公司製造），0.26 份氟聚合物（P-3)(40重量％，MEK溶液），535.00重量 基乙基酮及4 9 5重量份環己酮，混合物經攪拌及通過 孔隙直徑0.4微米的聚丙烯過濾器過濾，藉此製備高 率層用之塗布溶液（HL-2)。 高折射率層用塗布溶液（HL-3)之製備： 高折射率層用塗布溶液（HL-3)係以製備塗布 (HL-2)之相同方式包括相同添加量製備，但添加0.26 示氟聚合物（R-2)(4〇重量％，MEK溶液）來替代氟聚 (P-3)。 36.6 酯之 合引 重量 重量 份甲 具有 折射 溶液 克下 合物

R-2 +CH2— C\HV-fCH2— y-〇-CH2-(CF2)6F 〇 ^r-o—(C2H40)4(C3H60)2H o R-2

Mw 32000 低折射率層用塗布溶液fL L-n之製備： 其各 氧樹 經由溶解下示共聚物於甲基乙基酮來獲得溶液， 別濃度爲23.7重量％(2〇32重量份），1.4重量份聚矽 -122- 1378128 脂X-22- 1 64C含端末甲基丙烯酸酯基（新越化學公司製造） ’ 2.4重量份光聚合引發劑伊加丘90 7 (商品名），764.6重量 份甲基乙基酮及28.4重量份環己酮經混合及攪拌。所得反 應混合物通過具有孔隙直徑0.45微米之PTFE過濾器過濾 ，如此製備低折射率層用塗·布溶液（LL-1)。 共聚物 -eCF2-CF^-5〇 -eCH2-CH^x -eCH2-CHVx 似〇 cf3 och2ch2ococh=ch2 och2gh2oh 溶膠溶液a之製備： 甲基乙基酮（119份），101份丙烯醯氧基丙基三甲氧基 矽氧烷（KBM 5103，新越化學公司製造）及3份二異丙氧基 乙基乙酸鋁置於裝配有攪拌器及回流冷凝器的反應容器內 及混合，3 0份離子交換水加入其中，讓反應系統於60°c反 應4小時，然後溫度降至室溫，藉此獲得溶膠溶液。溶液 之重量平均分子量爲〗，600。寡聚物或高級成分中，具有分 子量由1,000至20,000的成分占1〇〇 %。藉氣相層析術分析 證實，絲毫未含起始物料丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽氧烷 〇 低折射率層用塗布溶液（L L - 2 )之製備： JN-7228A含有聚矽氧烷及含羥基聚合物（折射率：1.42 ，固型物濃度：6%，JSR公司製造）（14.9克），0_61克氧化 矽溶膠（矽氧，MEK_ST，平均粒徑：15奈米，固型物濃度 :30%，曰產化學工業公司（Nissan Chemical Industries，Ltd)

製造），0.79克氧化矽溶膠（氧化矽，晶粒大小與MEK-ST -123- 1378128 不同，平均晶粒大小：45奈米，固型物濃度：30%’日產 化學工業公司製造），〇.41克溶膠溶液a’ 3·1克甲基乙基 酮及〇 . 6克環己酮經混合及攪拌。所得反應混合物通過孔 隙直徑1微米的聚丙烧過濾器過爐’藉此製備低折射率層 用塗布溶液（LL-2)。 (分散液A-1之製備） 於5 00份中空氧化矽細小溶膠（異丙醇氧化矽溶膠之平 均粒子直徑60奈米，殻厚度1〇奈米’氧化矽濃度20%重 • 量比，氧化矽粒子折射率1 · 3 1，遵照日本專利公開案特開 第2002-79616號之製備例4改變粒徑而製備）內，加入30 份丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽氧烷（新越化學公司製造）及 1.5份異丙氧基乙基乙酸鋁。混合該等成分後，加入9份離 子交換水於60 °C反應8小時後，混合物冷卻至室溫，加入 1.8份乙醯基丙酮。連同添加環己酮至500克分散液，俾維 持氧化矽含量爲實質恆定，於20 kPa壓力下藉減壓蒸餾置 換溶劑。分散液內並無異物產生。當以環己酮將固型物濃 ^ 度調整至20%重量比時，於25°C之黏度爲5 mPa · s。藉氣 相層析術分析所得分散液A-1中之異丙醇殘餘量，獲得 1 . 5 %之値。 (低折射率層用塗布溶液（LL-3)) 於7 8 3.3份重量比（47.0份重量比固型物含量）歐普史 達（Opstar) JTA113(熱固含氟及含聚矽氧聚合物組成物溶 液，具有固型物含量6%，JSR公司製造）內加入195份重量 比分散液A-1 (39.0份重量比氧化矽與表面處理劑總和之 -124- 1378128 固型物含量）及30.0份重量比膠體氧化矽分散液（氧化矽， MEK-ST產物唯一差異在於粒徑，具有平均粒子直徑45奈 米，固型物含量30%，日產化學工業工司製造）（9.0份重量 比固型物含量）及17.2份重量比溶膠溶液（a) (5.0份重量比 固型物含量）。塗布混合物（LL-3之製法係經由使用環己酮 及甲基乙基酮稀釋如上製備之混合物，讓整個塗布混合物 中的固型物濃度係等於6%重量比，且環己酮對甲基乙基酮 之比等於10:90而製備。 ® (低折射率層用之塗布溶液（LL-4)) 於941.7份重量比（56.5份重量比固型物含量）歐普史 達JTA1 13(熱固含氟及含聚矽氧聚合物組成物溶液，具有 固型物含量6°/。，JSR公司製造），100.0份重量比膠體氧化 矽分散液（氧化矽，MEK-ST產物唯一差異在於粒徑，具有 平均粒子直徑45奈米，固型物濃度30%，日產化學工業工 司製造）及46.6份重量比溶膠溶液（a) (13.5份重量比固型物 含量）。塗布混合物（LL-4)之製法係經由使用環己酮及甲基 ® 乙基酮稀釋之如上製備之混合物，讓整個塗布混合物中的 固型物濃度係等於6%重量比，且環己酮對甲基乙基酮之比 等於3:97而製備。 奮施例1 經由塗布防炫光硬塗布層塗布溶液（HCL-2)至（HCL-8) 以及低折射率層塗布溶液（LL-2)如後，獲得抗反射薄膜試 樣。用於各試樣之防炫光硬塗布層塗布溶液顯示於下表1 -125- 1378128

I谳 生產力 X 〇 〇 〇 〇 〇 X 〇 〇 X X X 高度不均 〇 〇 〇 〇 〇 〇 X 〇 〇 〇 〇 X 吹風不均 X 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 X 〇 〇 塗布速度 (米/分鐘） 〇 <N1 v〇 C<3 υη o I/O値 1 〇〇 Ο 卜 〇 ν〇 〇 〇〇 〇 Γ- 〇 1.18 CO Ο 0.31 1 oo o 1.18 氟聚合物 涯 m 1 1 P-25 1— — _____ P-91 P-62 P-45 C<1 1 P4 P-108 P-97 壊 m 1 CU R-2 醇·Ν燦 捏劍劍 HCL-2 HCL-3 HCL-4 HCL-5 HCL-6 HCL-7 HCL-8 HCL-9 HCL-10 HCL-2 1 HCL-3 HCL-8 備註 比較 1 發明 1- 發明 發明 發明 發明 比較 發明 發明 比較 ! 發明 比較 試樣號碼 « < 〇 1 < 102 103 104 105 106 107 108 109 〇 i H r Ή »' H 112 •9CN1, 1378128 (1)防炫光硬塗布層（試樣號碼ιοί)之塗布 成卷形式的厚80微米之三乙醯基纖維素薄膜（TAC-TD80U，商品名，富 士軟片公司（Fuji Photo film Co.，Ltd) 製造）經展開，各防炫光硬塗布層塗布溶液（HCL-2)至 (HCL-10)使用微凹版輥，而塗布於薄膜上，微凹版輥之直 徑爲50毫米，具有凹版圖案線數14 0/吋及刮刀，於凹版轉 數90 rpm及行進速度30米/分鐘之條件下塗布，然後薄膜 於120 °C乾燥4分鐘。乾燥後，塗布層藉照明強度400毫 • 瓦/平方厘米及輻射量3 00毫焦耳/平方厘米的紫外線，於 氮氣沖洗下使用160瓦/厘米的氣冷式金屬鹵素燈（由艾葛 拉非公司（EYE GRAPHICS，CO_，LTD.)製造）固化，藉此形成 厚6微米之防炫光硬塗布層，將薄膜再度捲取。 進一步，試樣102至112係以試樣101之相同方式製 備，但經由改變凹版輥的轉數而將行進速度改變成表1列 舉的行進速度。 (2 )低折射率層之塗布 ® 其上塗布有防炫光硬塗布層的前述三乙醯基纖維素薄 膜展開，經由使用直徑50毫米的微凹版輥，具有凹版圖案 之線數爲23 0/吋及刮刀，於凹版轉數100 rpm及行進速度 30米/分鐘之條件下，塗布前述低折射率層塗布溶液（LL-2) ，然後將薄膜於8 0 °C乾燥2分鐘。乾燥後，塗層於氮氣沖 洗下使用紫外線照射’使用240瓦/厘米的氣冷式金屬鹵素 燈（艾葛拉非公司製造）於照明強度4 0 0毫瓦/平方厘米及輻 射量600毫焦耳/平方厘米之條件下接受照射，然後薄膜於 -127- 1378128 的線數目爲2 3 0/吋及刮刀，塗布條件爲凹版轉數100 rpm 及行進速度30米/分鐘。於減壓室內壓力的下降程度爲0.8 kPa。隨後，塗布層於90°C乾燥30秒，然後藉照射紫外線 固化，同時藉氮氣沖洗來維持氧濃度爲0.1體積％以下的 氣氛，照射係使用氣冷式金屬鹵素燈240瓦/厘米（艾葛非 克公司製造）於照明強度600毫瓦/平方厘米及輻射量400 毫焦耳/平方厘米進行，藉此形成具有折射率1.45及厚度 83奈米的抗反射薄膜。 # 於實施例1及實施例2之製造方法中，塗布程序及乾 燥程序係於0.5微米以上的顆粒爲30個/立方米以下的空氣 潔淨度下進行。塗布係根據JP-A-10-309553揭示之灰塵去 除法進行，該方法中以高速吹送高度潔淨度的空氣來從料 片表面剝落沉積物，且以附近的抽吸口來抽吸脫落的物質 。於灰麈去除前薄膜基材上充電的靜電爲200伏特以下。 每層形成時，係經由展開薄膜-除塵-塗布-乾燥-固化（藉紫 外光或加熱）·再度捲取之程序進行塗布。 ® [表面均勻度的評估] 實施例1及2所得之各試樣1 01至1 1 0及2 0 1至2 0 3 之未經塗布側被塗成黑色，塗布面係於附有百葉窗的蜜光 燈漫射光下觀察，評估平坦狀態。此處，吹風不均表示實 質上平行於透明撐體的前進方向的條紋狀圖案，而高度γ 均指示實質上垂直於透明撐體前進方向的週期性圖案。於· 前述條件下未目測辨識此等圖案時，塗布面判定爲「〇」 ，而目測可見此等圖案時，塗布面判定爲「X」。所得結果 -130- 1378128 • ► 顯示於表1及表2。於其中未添加氟聚合物之試樣1〇ι及 試樣201中’吹風不均係出現於高速塗布時。經由塗布— 種塗布溶液其含有於本發明之規格具有1/0値爲1.0以下 之單體所得之試樣102至106、108、109及202中，既未 出現高度不均勻亦未出現吹風不均，顯示良好平坦狀態。 經由塗布含有氟聚合物之塗布溶液而其中添加具有1/0値 超過1.0的單體所製備之試樣1()7及203，出現高度不均， 但未出現吹風不均。試樣1 1 1顯示良好平坦狀態，但爲了 ® 獲得滿意的生產力，須進一步提高塗布速度。至於試樣110 ’出現吹風不均。至於試樣112，出現高度不均。 偏光板之製诰： 於試樣102至106及202製備的各抗反射薄膜背側的 三乙醯基纖維素經由浸沒於55 °C之2.0莫耳/升NaOH水溶 液中2分鐘接受皂化處理。厚80微米之三乙醯基纖維素薄 膜（TAC-TD80U，富士軟片公司製造）以相同方式接受皂化 處理。此等薄膜黏著於偏光器上，藉吸附碘至聚乙烯醇上 ® 來保護所製造的偏光器兩面，以及經拉伸來形成偏光板。 顯示器夕製浩： 如此所製備之偏光板安置於載有透射型TN液晶顯示 器的筆記型大小個人電腦的液晶顯示器的觀視側上（介於 背光與液晶單元間具有D_BEF，D-BEF爲具有偏光選擇層 的偏光分隔膜，住友3M公司（Sumitomo 3M Limited.)製造） ’因而抗反射薄膜變成最外層時，可獲得背景的鏡射極少 '反射光濃淡顯著降低、確保顯示面均勻且顯示等級高的 -131- 1378128 顯示單元。 前述任何試樣皆可如JP-A-9-73081之揭示根據線桿塗 布法製造，也可根據如JP-A-2003-211052揭示之擠塗布法 製造，可獲得具有與藉前述微凹版塗布法製造的薄膜效能 相同效能的薄膜。 抗反射薄膜係以實施例1試樣1 0 8號之相同方式製造 ，但低射率層之塗布混合物變更爲LL-3及LL-4，評估表 面均勻度，如此抗反射薄膜具有類似實施例1試樣1 0 8號 ® 的良好表面均勻度，未產生階狀不規則或氣流造成不規則 。此外，至於使用LL-3之抗反射薄膜，比較LL-1背景能 視度進一步降低，顯示良好表面均勻度。 產業應用性 因本發明之塗布組成物含有具特定結構式之含氟-脂 族基的聚合物，故可形成乾燥不均及吹風不均減低且高度 不均不會惡化的可相容性薄膜》 因本發明之抗反射薄膜係由此種塗布組成物製成，薄 ® 膜之平面均勻度高，具有足夠的防止反射效能。 於使用此種抗反射薄膜之偏光板及顯示單元中，獲得 顯示面的均勻度，背景鏡射極小、反射光之濃淡顯著降低 ，顯示等級高。 本案請求外國優先權的各個及每個國外專利申請案之 完整揭示皆以引用方式倂入此處彷彿其完整陳述般。 【圖式簡單說明】 第1圖爲典型剖面圖’顯示如本發明之抗反射薄膜之 -132- 1378128 基本層狀結構。 第2圖爲典型剖面圖，顯示如本發明之抗反射薄膜之 層狀結構。 第3圖爲典型剖面圖，顯示如本發明之抗反射薄膜之 層狀結構。 第4圖爲典型剖面圖，顯示如本發明之抗反射薄膜之 層狀結構。 第5圖爲典型剖面圖，顯示如本發明之抗反射薄膜之

層狀結構。 第6圖爲典型剖面圖， 層狀結構。 第7圖爲典型剖面圖， 層狀結構。 【主要元件符號說明】 顯示如本發明之抗反射薄膜之 顯示如本發明之抗反射薄膜之

1 透 明 撐 體 2 硬 塗 膜 層 3 中 間 折 射 率層 4 高 折 射 率 層 5 低 折 射 率 層 -133-

Claims (1)

1378128 _________ ' ,Λ Ά曰修正頁 ΙΟΙ 4. 2 k ΐ^,τ f 第094133341號「塗布組成物、光學薄膜、抗反射薄膜、 偏光板及使用它之顯示單元」專利案 (2012年4月25曰修正） 十、申請專利範圍： 1. 一種光學薄膜’其係於透明撐體上具有至少—層由塗布 組成物所形成的層之光學薄膜，其特徵在於： 則述塗布組成物係含有含氟脂族基之共聚物的塗 • 布組成物’該含氟-脂族基之共聚物包含與含氟-脂族基單 體相應的重複單兀A以及與至少一種單體相應的重複單 兀B’其中形成該重複單元b之至少—種單體各別之ι/〇 値爲1 . 〇以下； 前述層係將塗布組成物藉由25m/分鐘以上之塗布速 度塗布所形成者； 前述光學薄膜係以下列（1)〜（4)任—項所示之層所構 成： φ 透明撐體/硬塗膜層 （1) 透明撐體/硬塗膜層/低折射率層 （2) 透明撐體/硬塗膜層/高折射率層/低折射率層（3) 透明提體/硬塗膜層/中間折射率層/高折射率層/低 折射率層 （4> 前述透明撐體之折射率爲1.4~1.7,膜厚爲30〜150μιη 前述硬塗膜層之膜厚爲0.2〜15μιη; 前述低折射率層之折射率爲1.20〜1.49，膜厚爲 1378128 Η ---------- — 1〇Η.教觀丨修正本 50〜2〇〇μπι ; 前述中間折射率層之膜厚爲30〜500nm，其折射率係 介於透明撐體與高折射率層之間； 前述高折射率層之折射率爲1.55〜2.40。 2_如申請專利範圍第！項之光學薄膜， 其中該含氟-脂族基共聚物包含下式（i)所表示之含 龜·脂族基單體相應的重複單元以及下式（ii)所表示之單 ^ 體相應的重複單元； (i) 下述一般式Π]所表示之含氟_脂族基單體： (ii) 下述一般式[2]所表示之單體·· [1]

X--(CH2)m-(CF2-CF2)nF Ο φ 其一般式[1]中’ Ri表示氫原子或甲基；X表示氧原 子、硫原子或-N(R2)· ;m表示1至6之整數；η表示1 至3之整數；以及R2表示氫原子或含1至4個碳原子之 烷基；以及 [2] Υ-f?4 Ο 1378128 101 I 替痪I 修正本 其一般式[2]中，R3表示氫原子或甲基；Y表示二價 鍵聯基；以及r4表示含1至20個碳原子之直鏈、分支 或環狀垸基。 3.如申請專利範圍第1項之光學薄膜’ 其中該含氟-脂族基共聚物包含下式（i)所表示之含 氣-脂族基單體相應的重複單元以及與下式（ii)所表示之 胃體相應的重複單元； (I) 下述一般式[3]所表示之含氟-脂族基單體： (II) 下述一般式[2]所表示之單體： L〜(CF2)nH

其—般式[3]中，RQ表示氫原子、鹵素原子或甲基；1^表 不二價鍵聯基；及η表示i至18之整數；以及[2]

其一般式[2]中’ R3表示氫原子或甲基；Y表示二價 鍵聯基’以及R4表不纟丨至2。個碳原子之直鏈、分支 或環狀院基。 4·如申請專利範圍第1項之光學薄膜， 1378128 于月E)修正替额修正本 10/ Α Ο e 其中該含氟-脂族基共聚物包含 下式（υ表示之含氟-脂族基單體相應的重複單元以 及下式（π)所表示之單體相應的重複單元； (i) 下述一般式[4]所表示之含氟-脂族基單體： (ii) 下述一般式[2]所表示之單體： [4] R1

(CH2)m—(CF2)rH Ο 其一般式[4]中，R1表示氫原子、鹵素原子或甲基；X表 示氧原子、硫原子或-N(R2)- ;m表示1至6之整數；n 表示1至18之整數：及R2表示氫原子或可有取代基的 含1至8個碳原子之烷基；以及[2]

Ο 其一般式[2]中，R3表示氫原子或甲基；Y表示二價 鍵聯基；以及R4表示含1至20個碳原子之直鏈、分支 、或環狀烷基。 5 .如申請專利範圍第1項之光學薄膜， 其中該含氟-脂族基共聚物包含 -4- 1378128 1(^•月A日9修正替疾頁修正本 下式⑴所表示之含氟·脂族基單體相應的重複單元 以及下式（π)所表示之單體相應的重複單元； (0下述一般式[5]所表示之含氟-脂族基單體： (μ)下述一般式[2]所表示之單體： =<2 • L2-CnF2n+1 其一般式[5]中’ R2表示氫原子、鹵素原子或甲基；^表 不一價聯結基；以及η表示1至6之整數；以及[2] 尸一 R4 其一般式[2]中，R3表示氫原子或甲基；γ表示二價 鍵聯基；以及R4表示含1至20個碳原子之直鏈、分支 、或環狀烷基。 6·如申請專利範圍第1至5項中任一項之光學薄膜，其中 前述塗布組成物中之前述含氟-脂族基共聚物的添加量爲 0.0 0 1 質量 ％ ~ 5 . 0 質量。/〇。 7. —種抗反射薄膜，其爲如申請專利範圍第6項之光學薄 膜，該光學薄膜具有抗反射性質》 8. —種偏光板，其包含偏光薄膜，其中如申請專利範圍第7 1378128 __ 年月日修正替換頁欲x 士 hm a οί - I修正本 項之抗反射薄膜係用於該偏光薄膜之至少一側上。 9· 一種偏光板，其包含偏光薄膜，其中如申請專利範圍第7 項之抗反射薄膜係用作爲該偏光薄膜之一側的保護膜， 以及具有光學各向異性的光學補償薄膜係用作爲該偏光 薄膜之另一側的保護膜。 10.—種影像顯示裝置，其包含如申請專利範圍第7項之抗 反射薄膜或如申請專利範圍第8或9項之偏光板。