TWI377865B - Organic electroluminescent display device and method of fabricating the same - Google Patents

Description

1377865 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種有機電致發光顯示裝置，特別係關於一種 可具有高亮度之頂部發光式有機電致顯示裝置及其製造方法。 【先前技術】 . —般而言，有機電致發光顯示裝置發光係透過以下步驟：首 ' 先自陰極嘴射電子及自陽極噴射f洞（hole)至-發光層，然後結 ♦ 合電子與電洞產生激子’並轉變激子由激發態為基態。與液晶顯 不裝置不同’有機電致發光顯示裝置不需要額外的光源，並因此 具有體積小以及重量輕之優點。 由於有機電致發光顯示裝置具有諸如低功率消耗、高亮度、 Γ7響應4間、胁重量及其他等優點，因此有機電致發光顯示裝 置月b夠應用於各魏子產品，例如行動電話，個人數位助理，攝 錄像機，掌上個人電腦（plampc)料。此外，由於有機電致發 _光顯不裝置贿過簡單的製麵製造，S而概傳驗晶顯示裝 置，有機電致發光顯示裝置具有較低的生產成本。 盘依據驅動方式’有機電致發光顯示裝置可劃分為被動矩陣式 /、主動矩陣式。被動矩陣式有機電致發光顯示裝置結翻單且製 矛不複雜。細’被動轉式有機電致發光齡裝置需要高功率 肖耗並且很難具有較大尺寸。此外，這種顯示裝置形成的電線 越多，其開口率越-低。 、 方面主動矩陣式有機電致發光顯示裝置具有高發光效 6 1377865 . 率及高品質影像ι優點。「第1圖」為習知技術之主動矩陣式有機 電致發光顯示裝ϊ之剖視圖。 如「第1圖」所不’有機電致發光顯不裝置10包含相對設置 之第一基板12與第二基板28。第一基板12為透明且柔韌的，並 包含一陣列元件14舆一有機電致發光二極體E，其中陣列元件14 • 包含複數個薄膜電晶體T，有機電致發光二極體E則包含一第一 、 二極體即第一電極16、一有機發光層18及一第二電極2〇。有機 鲁 發光層18係包含紅、綠、藍色其中之一。具有紅、綠或藍色之一 有機材料係沉積於每個畫素區域P中。 第二基板28包含粉末類型之吸濕劑22，吸濕劑22係形成用 於除去有機電致發光顯示裝置之内表面濕氣。吸濕劑22設置於第 一基板28之凹部，並且然後由勝帶25密封。一密封圖案％係設 置於第一基板12與第二基板28之間，進而第一基板12與第二基 板28相互黏結。 在上述結構中，由於第一電極16由透明金屬材料形成，因此 自有機發光層18發出之光線穿過第一電極16向下發射，這裡可 參考為底部發光式。 苐2圖」為習知技術之有機電致發光顯示裝置電路圖。 如第2圖」顯示’閘極線42與資料線44係形成於基板32 上。閘極線42與資料線44互相交又，並且一開關元件Ts形成於 其交又部。開關元件Ts包含一閘極46、一源極56以及一汲極60。, 7 1377865 閘極46係連接至閘極線42，源極S6連接至資料線44並與没極 6〇分離開。 一驅動元件TD係電連接至開關秘Ts，驅動元件％包含一 閘極68、_源極66以及一雜63 ’驅動元件〜之祕邰係連 接至開關7L件Ts。驅動元件TD由-P型触電晶體構成，並且一 儲存電容CST係形成於驅動元件Td之源極66與間極68之間，驅 動元件TD之祕63係連接至錢電致發光二極體£之第一電極 π (「第1圖」中）。此外，—電力線55連接至驅動树Td之源 當來自閘極線42之難訊號被提供至_元件Ts之閉極46 時，來自資料線44之資料訊號係透過開關元件Ts而提供至驅動 心牛丁0之_ 68。然後，由驅動元件Td购有機電致發光二極 體E ’進而有機電致發光二極體E發射光線。這種情況下，健存

電容CST之儲存電塵用於維持驅動元件&之間極關之電屋水平。 因此，即使_元料處關嶋，也可以鱗有機電致發光 二極體E之電壓水平。 開關元件TS與购元件Td包含非_或多料之 層，當半㈣層由非晶石夕形成時，開關元件Ts與驅動元件丁^ 以容易地被製造。 電致發光顯示裝置 第3圖」為習知技術之主動矩陣式有機 之陣列元件之平面圖。 8 1377865 ， 如「第3 ®」_，主動矩陣式有機電致發光齡裝置包含 開關元件Ts、驅動元件TD以及儲存電容CST位於基板32上畫素 區域P中。依照有機電致發光顯示裝，置之特點，畫素區域p包含 多於一個的開關元件Ts與驅動元件TD。 閘極線42與資料線44係形成於基板32上，並且其之間設置 •有一閘極絕緣層（「第3圖」中未顯示）。晝素區域p由交叉的閘 '極、線42與資料線44所限定，電力線55形成於基板32上，並可 ® 以平行且分離於閘極線42。 如上文所述’開關树Ts包含閘極46、主動層5Q以及源極 56與及極6〇。開關讀Ts之閘極46係連接至間極線犯，以及開 關元件TS之源極％連接靖视μ，開㈣件&之汲簡則 f過-閘極接觸孔64連接至轉元件Td之閘極仍。 驅動元件TD技馳68、絲層62及祕66触極63 麟動几件TD之源極66係穿過電力線接觸孔％連接至電力線^

麟就件TD之沒極63係連接至第一電極％。此外，電力線^ ^石夕佈圖35構成具有—閘極絕緣層之鱗電容〜設置於 之間。 此外，有機電致發光二極體E (「第i圖」顯示）之第一電 ::::=，方’並透過一連_

第4圖」為「第3區| vurxrTT 」勹弟3圖」沿iv-jy線之剖視圖。 i377865 如「第4 ®」所示，驅動元件Td與有機電致發光二極體e係 形成於有麵錄細轉置之絲&上。㈣耕A包含閉 極:主動層62及源極66歧極63，有機電致發光二極體e包 “一電極36、有機發光層38以及第二電極♦第一電極㈣ 過汲極接觀Μ __ _ L之祿.缝錢發光㈣

係設置於第一電極36與第二電㈣之間其中第一電極％與第 一電極40分別用作陽極及陰極。 =存電容CST包含石夕佈_ 35作為第一儲存電極、電力線％ 作為弟二儲存電極，並且兩者之間設置有—介電層。第二健存電 極即電力線55係連接至職元件Td之源極66。 5圖」為習知技術之有機f致發光二極體之剖視圖。 如「第5®」齡，有機電致發光二極體£係形成於基板^ ^，並包含第-電極36、有機發光層％以及第二電極务雖然 第5圖」中沒有顯不，但基板32包含陣列元件，例如「第4圖」 之驅動元件td。第一電極36與第二·叫系連接至「第4圖」 顯示之驅動元件TD，並且分別作為陽極與陰極。有機發光層％ 包含-電洞注射層（皿）38a、―制傳輸層（HTL)娜、一發 光材料層（EML) 38c、-電子傳輸層（ETL) 38d以及一電子注 射層（EIL) 38e。由於有機材料在電洞及電子之間具有不同的遷 移率，因此’電洞傳輸層（HTL)娜與電子傳輸層（ETL) 用作改善發級率。此外’電敝射層（皿）施與電子注射層 1377865 、（EIL) 38e用作減少電洞和電子注射之能源障壁。 it常’用作陰極之第二電極4〇係由低工作函數之材料形成， 例如舞（Ca)、铭（A1)、鎂（Mg)、銀（Ag)及鐘（Li)。並且， -肖作陽極之第一電極36由透明金屬材料形成，例如氧化銦錫 - (IT〇)以及氧化辦（IZ0)，其中沒有透明材料用於陰極。 • 由於氧化鋪（ΠΌ)層透顿鍍方絲積，因此由於舰處 、理對有機發光層38造成的損壞，難於沉積氧化銦錫（ΙΤ〇)層於 •有機發光層38上。因此，作為陽極之氧化銦錫⑽）層形成於 有機發光層38之下方，進而有機電致發光顯示裝置為底部發光類 型。 依照習知触’底轉城韻概發絲移置存在一些 問題。首先’底部發光式有機電致發光齡裝置導致亮度及開口 ^問題。其次’由於陽極直接連接至驅就件，因此驅動元件應 _ $包3 ρ财㈣’這制獅化有機電致發光齡I置之製程。 此外’當陽極形成於有機發光層之下方時，在製造過程中陽 極暴路於空齡，進而由於陽極與空氣反應所形成之氧化層而導 致陽極與電子生射層之間出現短路問題。 【發明内容】 #於以上的問題’本發明的主要目的在於提供一種有機電致 發光顯不裝置及其製造方法’藉以充分避免由於習知技術之偈限 及缺點所帶來的一或多個問題。 11 本發明之目的在於提供—種有機電致發光顯示裝置，其包含 一緩衝層作為錢發光層之最高層，㈣止陰極與錢發光層之 間發生短路。 有關本剌之其錢點、目的及特徵，將訂文的説明中得 到闡明，纽搞域具有-般賊之賴者可根射·露之試 驗顯然瞭解本發明的部分特徵，或者透過實踐本發明而學習之。 有關本發明的目的及其它優點，可以透過·書及中請專利範圍 以及圖式特別指出的架構而實現和獲得。 因此，為達上述目的，本發明所揭露之有機電致發光顯示裝 置包含第-基板與第二基板、閘極線與資料線、一電力線、開關 ，件與驅動元件、-第—電極、—注射層、—有機發光層以及一 第包極於itb第-基板與第二基板係相對設置並包含複數個 晝素區域，_線與請線互相交又以限定複數個畫素區，電力 線平行且分離於間極線，開關元件與驅動元件在第一基板之複數 個晝素區域㈣目連接，第—電極位於第—基板上並連接至驅動 讀’注射層位於第-電極上，有機發光層位於注射層上，第二 電極為透明導電材料，且位於有機發光層上。 、另外，本發明還提供了一種有機電致發光顯示裝置之製造方 已3 乂7>鄉’形成互相連接之開關元件與驅動元件於包含 有旦素區域之第-基板上；形成—第一電極形成於驅動元件上 並連接至此驅動元件；形成—注射層於第—電極上；形成一有機 12 1377865 /以為六層輯，包含電子注騎_撕、電子傳輸層（叫 仙、發光材簡（EML) 144e、電洞傳輪層（肌）洲、電 财射層（耻）144e以及_層144f。@此，電子鋪層（肌） 撕係形成料—絲層142a與電子雜層（叫論之間。 當第二電極148係透過親方法沉積時，若沒有緩衝層断， 則電洞注射層（HIL) 144e將遭到損壞。換言之，在沉積第二電 ^之過私中’，緩衝層144f防止電洞注射層（皿）14如被損 壞。第二電極148由透明導電材料’例如氧化銦錫（ITO)或氧化 辛（IZO)开滅。由於緩衝層14打具有電洞注射層（皿14如 之特!·生以及抵抗透明導電材料沉積之耐衝擊特性，因此緩衝層 144f可由銅駄菁（Cupc)或五氧化二鈒形成。此外，由 於銅酞月（CuPC)能夠形成於薄膜中，並具有低閾值電壓及高遷 私率’因此有機電致發光顯示裝置包含銅it菁（CuPC)之緩衝層 144f是有利的。銅酞菁（Cupc)也具有柔韌性。 當電洞注射層（皿）144e由銅崎（CuPC)或五氧化二釩 (V2〇5)形成時，有機發光層144可具有不包含緩衝層144f之五 層結構。由於銅酞菁（CuPC)或五氧化二釩（v2〇5)形成之電洞 注射層（HlL)144e在沉積第二電極148之過程中不會受到損壞， 因此電洞〉主射層（HIL) 144e可同時用作緩衝層及電洞注射層。 第一注射層142a解決了第一電極132與有機發光層144之間 之短路問題。在有機發光電致顯示裝置之製造過程中，一氧化層 14 OL係形成於第一電極132上。 如上文所述，當由鋁形成之第一電 極132暴露於空氣中時，第— 电 s 電極132與空氣發生反應，進而形 = 第一電極132上。氧化層0L導致第-電極出盘

^發光層144之間出現短路問題，並且有機電致發光二極體E 不能工作。 成於弟一電極132與有機發光層144之間 以解決短路問題，第一注鼾爲 ^卜 射層l42a至少包含鋁或鹼金屬。鹼金屬 目比第-電極I32之材料具有更高的反應率，因此第一電極改 之電子透過第-味層142a _氧化層沉傳輸至電子 恤）1443中。 曰 如「第7圖」所示，當第一注射層似由驗金屬形成時，有 麟光層附具林包含電子注賴（趾）购之五層結構。 換言之，帛二注射層咖形成於第一電極132的上方，並且包含 電子傳輸層（ETL) _、發細4層（eml) 、電洞傳輸 層（HTL) 144d、電洞注射層（皿）他以及緩衝層⑽之有 機發光層144係形成於第二注射層赂上。第二電極卿成於 缓衝層1W上。在有機電致發光顯示裝置之製造過程中，氧化層 〇L可以形成於第—電極132與第二注射層142b之間。然而，第 二注射層142b P方止第—電極132與有機發光層144之間的短路問 題。 如上文所描述’第二電極148由諸如氧化銦錫（IT0)或氧化 15 姻鋅（剛之透明導電金屬形成，並且第—電極132係由金屬材 料，例如舞⑼、銘㈤、鎮（％)、銀㈤及鐘⑹其 中一種形成。由於由透明導電材料形成之第二電極148係形成於 有機電致發光二極體£之頂層上，因此來自有機發光層144之發 射光線向上發iU。城可參考為卩發光式有機電致發光顯示裝 置，此類型之顯示襞置具有改進之開口率。 此外因為第-電極132形成於有機電致發光二極體E之最 低層’並錢接至基板⑽上之驅動元件（「第7圖」中未顯示）， 所以驅動元件可包含1型非晶料_晶體。因此，對有機電 致發光顯示裝置之製程及生產成本有利。 「第8圖」為本發明之錢電轉賴示裝置之_基板之 平面示意圖。 如「第8 ®」顯示，在有機電致發光顯示裝置之陣列基板中， -閘極線106、-資料線126以及一電力線11〇形成於基板腦上。 閘極線應與資料線126互相交又以限定基板ι〇〇上之複數個畫 素區域P。電力、線1KH系平行於閘極線1〇6，並與其分隔開。 開關元件TS_動元件Td形狀各健魏域p上，並互 相連接。mi元件ts與驅動元件Td包含n型義電晶體，開關 元件ΤΚη型薄膜電晶體包含—閘極1〇2、一主動層腿、一歐 姆接觸層（「第8圖」t未顯示）以及源極][22a與汲極122b。同 樣地，驅動元件τβn型薄膜電晶體包含一閘極1〇4、一主動層 16 1377865 12〇a、一歐姆接觸層（「第8圖」中未顯示）以及源極124a與汲 極124b。開關元件Ts之汲極122b係連接至驅動元件TD之閘極 104 ’開關元件Ts之閘極1〇2連接至閘極線1〇6，進而閘極訊號透 過閉極線106而提供至開關元件Ts之閘極102。開關元件Ts之源 極122a連接至賢料線126，進而資料訊號透過資料線126而提供 至開關元件Ts之源極122a。 一閉極接墊（职把pad) 108形成於閘極線1〇6之一端，並且 閘極接墊電極134接觸此閘極接墊108。類似地，一資料接墊 128形成於資料線126之一端，並且一資料接墊電極138與資料接 塾128接觸。此外，一電源接塾（p〇wer pad) 114形成於電力線 no的一端，並且一電源接墊電極136接觸此電源接墊114。 —儲存電容Cst包含一第一儲存電極112、一第二儲存電極 122c以及一介電層（「第8圖」中未顯示）位於兩電極之間。第 儲存電極112由電力、線11〇延伸，以及第二儲存電極既自開 關元件Ts之汲極122b處延伸。 「第6圖」及「第7圖」之有機電致發光二極體E之第—電 極132係形成於晝素區域p之整個表面上，並連接至驅動元件& 之沒極124b。雖然「第8圖」中未顯示，但是「第6圖」及「第D 7圖」之有機發光層142與「第6圖」及「第7圖」之第二電極 148形成於第一電極132上。第一電極132、有機發光層⑷（「第 6圖」及「第7圖」中）以及第二電極148 (「第6圖」及「第7 17 1377齡 圖」中）構成「第6圖」及「第 體E。 7圖」顯示之有機電致發光二極 開關元件T—+ TD包含分有非晶教動層施 及12Qa之n型薄膜電晶體。源極心及⑽與没極㈣及⑽ 可具有各種形狀’以改善開關元件&以及驅動元件^之驅動特 性。 例如’如「第8圖」顯示，開關元件Ts之源極122&為u狀， •以及開關源極Ts之汲極⑽祕狀”及極⑽係設置於㈣中 以獨立於此u形。驅動元件Td之源極124a及;及極㈣為環狀或 圓盤狀。源極124a為一圓盤狀，並且汲極124b設置於源極12如 中。當源極122a及124a與汲極122b及124b具有上述結構時， 形成於源極122a與沒極122b之間以及源極124a與汲極124b之 間之通道區域，相比習知技術之通道區域，其具有更小的長度以 及更大的寬度。因此，藉由上述結構，可防止開關元件Ts以及驅 t動元件TD損壞。 「第9A圖」、「第9B圖」、「第9C圖」以及「第9D圖」分別 為「第 8 圖」沿 IXa-IXa、IXb-IXb、IXc-IXc 及 IXd-IXd 線之剖視 圖。 如「第9A圖」顯示，一開關區S、一驅動區D以及一儲存區 C係限定於基板100之畫素區域P中。此外，一閘極區GR、一電 源區PR以及一資料區DR形成於晝素區域P之周邊。η型薄膜電 18 1377865 晶體之開關元件ts以及驅動元件Td係分卿成於開關區s及驅 動區D中。儲存電容CsT包含第_館存電極112與第二儲存電極 122c’並且—_絕緣層116位於兩電極之間，儲存電容心形成 於儲存區c中。第-儲存電極112與第二儲存電極i22c分別自「第 8圖」顯示之電力線110以及開關元件u沒極·延伸，並且 閘極絕緣層116用作介電層。

不透明材料之第-電極132形成於各個晝素區域p中驅動元 件TD上方，並穿過一第三接觸孔CH3而接觸驅動元件L之沒極 ⑽、。-注射層U2，其包含第-注射層此（「第6圖」中）或 第二注射層142b (「第6圖」）’係形成於第—電極132上。在注射 層142形成於第一電極132上之前，第一電極132暴露於空氣中。 這種情況下’第1極132與空氣發生反應，進而形成氧化層〇l 於第-雜m上。氧化層OL導致第一電極i32與有機發光層 叫「弟7圖」及「第8圖」中）之間短路。由於氧化層沉為非 期望層，因此應當去除氧化層〇L。這將導致製程的增加。然而， 如上頌述’本發明之錢紐發絲林置之注射層⑷可防 止因氧化層OL而導致的短路問題的出現。 然後，有機發光層m與第二電極148依次形成於第, 132上。與第-電極132不_是，第二電極⑽可形成於基相 卿之整個表面上。第一電極132與第二電極副分別用作陽極及 陰極’並與有機發光層144組成「第6圖」及「第顯示之 19 1377865 有機電致發光二極體E。有機發光層144具有「第6圖」及「第7 圖」顯示之多層結構，一被動層130形成於第一電極132與開關 元件Ts之間以及第一電極丨32與驅動元件τ〇之間。 位於開關區s中之開關元件ts包含閘極ι〇2、閘極絕緣層 1 π、主動層ma以及雜ma舰極122b。同樣地，驅動區D 中之驅動元件Td包含閘極104、閘極絕緣層116、主動層i2〇a以 及源極124a與及極124b。開關元件Ts之没極咖係透過一第一 接觸孔CHI❿連接至閘極104，沒極咖則透過一第二接觸孔 CH2以及第一儲存電極112連接至「第8圖」+電力線則。 在形成第-電極132之後，形成—岸14〇包圍晝素區域p，進 而相#晝素區域P之間的有機發光層144不會互相接觸。 如「第9B圖」所示，閘極接塾1〇8與問極絕緣層ιΐ6、被動 層130以及閘極接塾電極134係形成於閘極區GR中。閘極接墊 108形成於「第8圖」中顯示之閘極線1〇6之端部，並且與「第 9A圖」之閘極1〇2及1〇4形成於同一層且由相同材料形成。問極 絕緣層II6與被動層π〇具有一第四接觸孔⑽，間極接整電極 134穿過第四接觸孔cm接觸閘極接墊108。 如第9C圖」顯示，電源接墊與閘極絕緣層116、被動 層iso以及電源接塾電極136係形成於電源區pR中。電源接塾 114瓜成於第8圖」中電力線UG之端部，並與「第8圖」之電 力線形成於相同層並由相同材料形成。閘極絕緣層μ與被 20 1377865 動層130具有-第五接觸孔CH5，電源接塾電極136冑過第五接 觸孔CH5而接觸電源接塾U4。 如「第9D圖」顯示，資料接塾128與閘極絕緣層116、被動 層13〇以及貧料接墊電極138係形成於資料區DR中。資料接塾 128形成於「第8圖」顯示之資料線126的端部，並與「第8圖」 中貢料線126形成於相同層且由相同材料形成。問極絕緣層 與被動層130具有-第六接觸孔CH6，資料接塾電極138穿過第 Φ 六接觸孔CH6接觸資料接墊us。 「第10A圖」至「第1〇E圖」為「第9A圖」部份之製程剖 視圖’以及「第11A圖」至「第ΠΕ圖」為「第9B圖」部份之 製程剖視圖。「第12A圖」至「第12e圖」為「第9C圖」部份之 製程剖視圖，以及「第13A圖」至「第13E圖」為「第9D圖」 部份之製程剖視圖。 • 如「第10A圖」、「第11A圖」、「第12A圖」及「第13A圖」 所不’位於晝素區域P中的開關區S、驅動區d與儲存區c，以 及閑極區GR、電源區？11與資料區dr係限定於基板1〇〇中。開 關區s與.驅動區1)中的閘極1〇2及1〇4，儲存區^中的第一儲存 電極112 ’閘極區GR之閘極接墊1〇8以及電源區pR之電源接墊 114係藉由一圖案化光罩（圖中未顯示）透過沉積及圖案化一第一 導電金屬材料之方式形成於基板100上。同時，「第8圖」顯示之 閉極線106與電力線1也形成於基板100上。閘極接墊108係 21 防止位於相鄰晝素區域p中之有機發光層 144 (見「第9A圖」顯 示）互相接觸。

然後’如「第10E圖」、「第11E圖」、「第12E圖」及「第13E 圖」顯不’注射層142係透過沉積以及_化一注射金屬材料之 方式形成於第―電極132上。注射金騎料包核和齡屬至少 其t|7之__ 、 "、 。如上文所述，包含鈣之驗金屬相比第一電極具有更高 的反應率。 之後，形成有機發光層144於注射層142。有機發光層144 1、有電子注射層（EIL)144a、電子傳輸層（ETL) 144b、發光材 料層（EML) 144c、電洞傳輸層（HTL) 144d、電洞注射層（肌） 44e以及緩衝層麗。換言之，如「第7圖」所示，當注射層142 由知金屬械時，有機發光層M何以是不具有電子蹄層（阳 叫之五層結構。此外，當緩衝層爾由銅崎（⑽c)或五 氧化—飢（V2()5)其中之—形成，有機發光層144可以是沒有緩 衝層I44f之四層或五層結構。 然後’透過沉積及圖案化咖導電材料以形成第二電極⑽ ;有機發光層I42上。透明導電材料為氧化銦錫（ιτ〇)或氧化鋼 ，争（120)其中-種。第一電極132與第二電極⑽、注射層It 以及有機發光層I44構成有機電致發光二極體£。 透過上述轉製造財_元件财機钱縣二極體之下 土板並利用密封圖案點接下基板與包含吸濕劑之上基板，進而 25 製造本發明之轉發光式有機電致發_示裝置。 〜雖然本發明以前述之較佳實施例揭露如上，然其並非用以限 林發明’任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍 内二當可作麵之更祕潤飾，目此本㈣之糊髓範圍須視 本,兄明書所附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 、第1圖為習知技術之主動矩陣式有機電致發光顯示裝置之剖 視圖； 第2圖為習知技術之有機電致發光顯示裝置之電路圖； 第3圖為t知技術之主動矩陣式有機電致發光顯示裝置之陣 列元件之平面示意圖； 第4圖為第3 U沿w線之剖視圖； 第5圖為習知技術之有機電致發光二極體之剖視圖； 第6圖為本發敗第—實施例之有機電致發光二極體之剖視 圖； 第7圖為本發明之第二實闕之有機較發光二極體之剖視 圖； 第8圖為用於本發明之有機電致發光顯示裝置之陣列基板之 平面示意圖； 第9A圖、第9B圖、第9C圖及第9D圖分別為第8圖沿線 IXa-IXa、IXb-IXb、IXc-j^c 及仅咖之剖視圖； 26 1377865 第10A圖至第10E圖為第9A圖部份之製程剖視圖； 第11A圖至第11E圖為第9B圖部份之製程剖視圖； 第12A圖至第12E圖為第9C圖部份之製程剖視圖：以及 第13A圖至第13E圖為第9D圖部份之製程剖視圖。 【主要元件符號說明】

10 有機電致發光顯示裝置 12 第一基板 28 第二基板 14 陣列元件 E 有機電致發光二極體 16 第一電極 18 有機發光層 20 第二電極 22 吸濕劑 25 膠帶 26 密封圖案 42 閘極線 44 資料線 32 基板 46 閘極 56 源極 27 1377865 汲極 閘極 源極 汲極 電力線 主動層 主動層 矽佈圖 汲極接觸孔 有機發光層 第一電極 第二電極 電洞注射層 電洞傳輸層 發射材料層 電子傳輸層 電子注射層 第一電極 第一注射層 有機發光層 第二電極 28 1377865

144a 電子注射層 144b 電子傳輸層 144c 發射材料層 144d 電洞傳輸層 144e 電洞注射層 144f 緩衝層 OL 氧化層 106 閘極線 100 基板 110 電力線 126 資料線 P 晝素區域 Ts 開關元件 TD 驅動元件 102 閘極 118a 主動層 122a 源極 122b 没極 104 閘極 120a 主動層 124a 源極 29 1377865

124b 汲極 108 閘極接墊 134 閘極接墊電極 128 資料接墊 138 資料接墊電極 114 電源接墊 136 電源接墊電極 Cst 儲存電容 112 第一儲存電極 122c 第二儲存電極 GR 閘極區 PR 電源區 DR 資料區 S 開關區 D 驅動區 C 儲存區 116 開關絕緣層 CHI 第一接觸孔 CH2 第二接觸孔 CH3 第三接觸孔 CH4 第四接觸孔 30 1377865 CH5 第五接觸孔 CH6 第六接觸孔 118 半導體層 120 半導體層 130 被動層 140 岸

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Claims (1)

1. 閘極線與資料線，係互相交又以限定複數個該畫素區域； —電力線，係平行且分離於該閘極線； 開關7〇件與驅動元件，係在該第一基板之複數個晝素區域 内互相連接； 第电極，位於該第一基板上並連接至該驅動元件； —氧化層，位於該第一電極上； /主射層，位於該氧化層上，並且該注射層係由比該第一 電極之材料具有更高反應率之-材料开)成； 一有機發光層，位於該注射層上；以及 2.如申請專鄕_丨補述之裝置，其中綠㈣包含紹或驗 透明導電材料之第二電極，係位於該有機發光層上。 ’更包含一緩衝層，係位於 3.如申凊專利範圍第1項所述之裝置 該有機發光層與該第二電極之間。 4·如申請專利範圍第3項所述之裝置，其令該有機發光層包含位 位於該電子注射層上之電子傳輸 光材料層、位於該發光材料層上 於該注射層_L之電子注射層、位於該電 層、位於該電子傳輸層上之發光材料層 之電洞傳輸層以及位於該電洞傳輸層上之電洞注射層。 32 99年12月10日替換頁 5.如申請專利範圍第4項所述之裝置，其中該緩衝層防止該電洞 >主射層被該第二電極損壞，以及自該第二電極注射一電洞至該 電洞注射層。 .如申明專利範圍第3項所述之裝置’其中該緩衝層包含銅醜菁 (CiiPC)或五氧化二釩（V2〇5)。 7. 如申凊專利範圍第6項所述之裝置，其中該有機發光層包含位 於該注射層上之電子注射層、位於該電子注射層上之電子傳輸 層、位於該電子傳輸層上之發光材料層以及位於該發光材料層鲁 上之電洞傳輸層。 8. 如申睛專利範圍第7項所述之裝置，該緩衝層防止該電洞傳輸 層被該第一電極損壞，以及自該第二電極注射一電洞至該電洞 傳輸層。 如申-月專利範圍第2項所述之裝置，其中該有機發光層包含位 “"主射層上之電子傳輸層、位於該電子傳輸層上之發光材料 層、位於該發光材料層上之電洞傳輸層以及位於該電洞傳輸層· 上之電洞注射層。 1〇.如申請專利範_ 1撕述之裝置，更包含-儲存電容與-介 =層’該儲存電容包含一第一儲存電極與一第二儲存電極，該: 1電層位於該第_儲存電極與該第二儲存電極之間，其中該第 存電極以及該第二儲存電極分別自該電力線與該開關元 件處延伸。 33 1377865 11. ..,,, 99年12月10曰替換頁 如申凊專利細第i摘叙裝置，其巾每; 動元件包含1極、-半導體層以及互相分離之源極與及極， 並且其中·關元件之祕係連接至該驅動元件之閘極，該第 一電極連接至該驅動元件之汲極。 12. 如申請專利麵第u項所述之裝置，其中該開關树與該驅 動树至少其巾之-的雜為U形或環形，以及關關元件與 該驅動元件至少其t之一驗極為條狀或圓盤狀。 13. 如申請專利範圍第n項所述之裝置，更包含： 一閘極接墊，係位於該閘極線之一端； 一資料接墊，係位於該資料線之一端；以及 一電源接墊，係位於該電力線之一端。 14. 如申請專概圍第13項所述之|置，其中該資料線、該資料 接墊、該電力線以及該電源接墊係形成於同一層，且由相同材 料形成。 15. 如申請專利範圍第u;項所述之裝置，其中該半導體層包含非 晶碎。 16. 如申明專利範圍第1項所述之裝置，其中該透明導電材料包含 氧化銦錫（ITO)或氧化銦鋅（J20)。 17. 如申請專利範圍第〗項所述之裴置，其中該第一電極包含工作 函數低於該第二電極之導電材料。 18. 如申轉利範圍第17柄述之裝置，其巾該導電材料包含铭 34 1377865 或紹鉉。 99年12月10日替換頁 •如申請專利範圍第i項所述之裝置，其_該第—電極係形成於 各個該畫素區_，並且該第二電鄉成於該第—基板之整個 表面上0 20. 如申請專利範圍第1項所述之裝置， 衣直該第一電極與該有機 發光層係透過該注射層沒有短路地互相電性連接。 21. -種錢電致發絲示裝置之製造方法，係包含町步驟： 形成互相連接之開關元件與驅動元件於包含有一晝素區眷 域之第一基板上； ' 形成一第-電極形成於該驅動元件上並連接至該驅動元 件，其中該第一電極被曝露出，並於該第一電極上形成一氧化 層； 形成-注射層於該氧化層上，並且該注射層係由比該第一 電極之材料具有更高反應率之一材料形成； 形成一有機發光層於該注射層上； 鲁 形成-透明導電材料之第二電極於該有機發光層上；以及 黏結一第二基板至該第一基板。 22. 如申請專利範圍第21項所述之方法，更包含形成一緩衝層於: 該有機發光層上之步驟。 23. 如申請細_ 21項所述之方法，其中該形成該有機發光 層之步驟包含以下步驟：

   35 1377865 « _ « 99年12月10日替換頁 形成一電子傳輸層於該注射層上； , 形成一發光材料層於該電子傳輸層上；以及 形成一電洞傳輸層於該發光材料層上。 24.如申請專利範圍第23項所述之方法，其中該形成該有機發光 層之步驟更包含形成一電子注射層於該注射層上以及形成一 * 缓衝層於該電洞傳輸層上之步驟。

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