TWI377651B - A suspension for filling via holes in silicon and method for making the same - Google Patents

Description

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【發明所屬之技術領域】

本發明大致上是有關於陶瓷基材之傳導性 別地，本發明是有關於用於以一傳導性材料來 盲介層洞（blind vias )或通介層洞（through 浮液及其製造方法，其中該傳導性材料具有一 熱膨脹係數。 【先前技術】 積體電路之封裝是有需要的以用於1C之 接與熱安排，以及機械整合性。目前有許多電 式。其中’兩種普遍的高水平封裝之型式即為 基材（MLC substrates )與多層次有機基材 organic substrates )。這兩種封裝技術是用於高 每一種都有其優點與缺點。陶瓷封裝之主要優 1)基材對於1C之熱膨脹是吻合的；2)良好熱傳 自IC熱消散；3)高層次整合性以允許更複雜的 相對於有機封裝材料來說，陶曼封裝之一些普 與陶瓷較差的介電性質（例如更高的k值）與 特徵尺寸（其原因是來於與厚膜製程有關的限彳 有機封裝技術改善了有關陶瓷封裝技術之 封裝產品主要是使用微影製程來加以製造，其 相對於陶瓷封裝而言可以製造更小的配線特徵 了增加線路密度與更緊密的設計。然而，當與 介層洞》# 填充矽中< vias )的懸 近似於妙t 電性介層連 子封裝之型 多層次陶瓷 (multilayer 水平應用， 點包括有： 導性以助於 配線結構。 遍的限制是 ，结構中更大 射）有關。 限制。有機 中微影製程 。如此允許 陶瓷機材比 5

1377651 較時，有機封裝典型地具有更低的熱傳導性與更高得多的 熱膨脹係數（CTE )。這些限制可能在製程中產生熱绣導應 力（thermally induced stresses)。因此’使用有機封穿對 於封裝模组會造成較差的可靠度，其中封裝棋缸包括IC 與基材。 對於所發展出與製造出而具有低k與超低k介電材料 之較新晶片結構，熱應力變得越來越重要。這些材料相對 於使用於之前世代晶片的氧化物介電質，具有較差的機械 性質。此外’較新的封裝技術需要改善的線路密度與改善 的熱安排。 對於複雜的電子封裝而言，矽是一理想的材料。由於 大部分積體電路是由矽所形成，晶片之熱膨脹將實質上與 基材之熱膨脹相同，幾乎消除了基材與晶片之間的熱誘導 應力°再者，製程係被良好建立以製造矽上的高密度、銅 基底、單一或多層次之電路配置。 1C封裝包含有許多配線層次，而線路在尺寸上係由非 常小變化至相當大。越大尺寸的配線層次是被需要以用於 電源分佈，以及自晶片封裝至下一層次（第二層次）介層 連接之電性介層連接，其典型微一電路板或卡。用於第二 層次介層連接之特徵尺寸接近100至1000微米。伴隨這些 在梦中大特徵尺寸之一製程問題是與z_轴介層連接或介層 洞的形成有關。在矽中形成介層洞典型地是使用光圖案化 來進行，接著進行化學蝕刻（例如反應性離子蝕刻（RIE)) 之方式。丨些製程一般形成大直徑介層洞，無論是盲介層 6 、洞或通介層洞都是如此β 介層洞之金屬化，除了使 方式，是使用蒸氣沉積（化學 相沉積（PVD))來進行。這些 是對大直徑介層洞而言，即為 介層洞周圍緊接區域之矽中的 與介層洞冶金之間的熱膨脹不 增加時，伴隨著金屬化介層洞 洞之矽的龜裂。因此，龜裂驅 直徑成比例》這些裂痕造成矽 兩者都有。

用或用以取代電化學電鍍的 氣相沉積（CVD)或物理氣 金屬化之—主要問題，尤其 所沉積介層洞冶金誘導出在 非常高應力。這些應力為矽 相稱之結果。當介層洞直徑 之熱應力造成了鄰近於介層 動力（Κ)的大小與介層洞 封裝中的電性或機械問題或 故’在此領域中即有以一傳導性妯社+ 得导14材枓在矽中填充盲介 層洞或通介層洞之一目標，其中該傳 开Τ 得導性材料具有一近似 於矽之熱膨脹係數。此外，熟淨該 热〜、通領域之人士會偏好於材 料展現良好傳導性。而且會希望以傳導性材料完全填充介 層洞，這是因為在梦/傳導性材料界面的大間隙或孔洞會劣 化元件之機械整合性。介層洞之要件一般包括有一低於 0.3OHMS之電阻、不含間隙之填充的低收縮性、與一非常 近似於矽之熱膨脹係數。 在西元1994年8月16日發証給Aoude等人之標題 為 ” PROCESS FOR PRODUCING CERAMIC CIRCUIT STRUCTURES HAVING CONDUCTIVE VIAS”的美國專利 US5.337.475中，係教示了一用於製造傳導性介層洞之改 良的介層洞填充組成，其中傳導性介層洞係位於具有線路 7

的陶瓷基材之中 之混合物。然而 璃陶瓷共點燃（C 與含有膠黏劑之 有對基材進行共 密的矽之中。再 構。將本發明燒 重地造成因為體 是在介層洞中玻 露了 _不含膠黏 鑒於習知技 提供一種以一傳 材料與方法，g 係數。 本發明之另 填充一介層洞之 矽/傳導性材料界 本發明之又 洞金属冶金之間 本發明之其 瞭。 【發明内容】 本發明達成 。該組成為一陶瓷球體與傳導性金屬粒子 ，該技術代表了對於組合式介層洞之一玻 :〇-fire)應用》因此，綠薄板（green sheet) 全糊膏組成物被使用。於本發明中，並沒 點燃’這是因為所填充之介層洞是位於緻 者，本發明不需要燒結以達到完全緻密結 結成為全密度是有害的，這是因為其會嚴 積收縮而致使大孔洞形成，其中體積收縮 璃階段之緻密化期間發生。最後本發明揭 劑之糊膏’以減輕膠黏劑燒壞之問題。 術之問題與缺失，本發明之—目的即在於 導性材料填充矽中盲介層洞或通介層洞之 中該傳導性材料具有一近似於矽之熱膨脹 一目的即在於提供一種以傳導性材料完全 材料與方法，其十該傳導性材料可以消除 面之大間隙或孔洞。 一目的即在於提供一種可降低在矽與介層 熱膨脹不相稱所造成的應力之材料。 他目的與優點將由說明書内容而更為明 前述與其他目的，其對於熟習該技藝之人 8

1377651 士係可瞭解的，本發明係有關於一種填充矽基材中介層洞 之方法，該方法至少包含：獲得一具有複數個介層洞之矽 基材；以—固體負載糊膏填充該些介層洞，其中該糊膏包 括一導想材料與一低CTE添加劑材料；以及於一溫度燒結 該矽基材與糊膏，藉以緻密化該金屬而不緻密化該低CTE 添加劑材料。該方法更包含使該糊膏具有5〇至55 %體積百 分比之固體。該些介層洞可以一金屬粉末加以填充。該金 屬粉末包含鋼、銀或金粉末。可以添加溶劑與分散劑至該 问固體負載鞠膏。該糊膏亦可以包括一大約高於5〇%體積 百分比之愚固邀負載。較佳者，該糊膏具有一低於約1〇〇〇 厘泊之懸洋液黏度。該方法更包括以該低Cte添加劑來填 充該些介層洞’其中該低CTE添加劑至少包含一導體、一 絕緣體或兩者混合物。該低CTE添加劑材料至少包含玻 璃。該低CTE添加劑材料至少包含氧化矽（siUca)、堇青 石（corderite)、鐘輝石（sp〇dumene)、棚石夕玻璃（b〇r〇silicate glasses)、莫來石（mullite)'p_鋰霞石（beta eucryptite)、 鶴、鎮銘石夕酸鹽（magnesiurn aluminosilicate)或翻。該糊 膏包括介於20-80 %體積百分比之該低CTE添加劑。較佳 者’該糊膏包括介於5〇_75%體積百分比之該低CTE添加 劑。該糊膏包括一介於20-8 0%體積百分比之該導體的量。 較佳者’該導體材料為介於3〇_45%體積百分比。該方法更 包含藉由組合的流變改質劑來流變地調整該糊膏以改善填 充該些介廣洞。該組合的流變改質劑之體積百分比的等級 9 1377651 9

弟％。。丨。g號專利案啊年9月修正 為〇.ι°/。體積百分比。該導體材料之燒結溫度大約為低於該 • CTE添加劑材料之燒結溫度i〇0〇e。 * 於第二態樣中’本發明係有關於一種填充矽基材中空 的介層洞之方法，該方法至少包含：置放該基材於一真空 室於該真空室中達到一真空；以一懸浮液充滿該矽基 材之表面；提高該真空室中之壓力；去除過量的懸浮液材 料，將該矽基材予以乾燥；以及將該具有該些介層洞之基 φ 材加以燒結β該懸浮液至少包含一傳導性材料與一低CTE 添加劑材料。該懸浮液係被選擇以使該傳導性材料具有一 燒結溫度大約低於該低CTE添加劑材料之燒結溫度1 〇〇 °C。

在第三態樣中，本發明係有關於一種用以填充矽中介 層洞之懸浮液’該懸浮液至少包含一高固體負載糊膏，其 中該糊膏包括一傳導性材料與—低CTE添加劑材料。該懸 浮液更包含其一部分包括介於5〇_55%體積百分比之固 體。該懸浮液包含使該傳導性材料至少包含一金屬粉末。 該金屬粉末至少包含銅、銀或金粉末。.該懸浮液亦可以包 括溶劑與分散-劑。該懸浮液包括一大約高於5〇%體積百分 比之高固體負載。該懸淨液可以具有一低於大約丨〇〇〇厘泊 之黏度。該低CTE添加劑至少包含一導體、一絕緣逋或兩 者混合物。該低CTE添加劑材料至少包含氧化矽（^丨丨以）、 堇月石（corderite )、鋰輝石（sp〇dumene )、硼矽玻璃 mullite )、β-鋰霞石（beta (borosilicate glasses)、莫來石 ίο 1377651 補充： eucryptite )、鎢、鎂鋁碎酸鹽（magnesium aluminosilicate ) 或鉬。該懸浮液可以更包括介於20-80%體積百分比之該低 CTE添加劑材料，以對應於一介於20-80 %互補的體積百分 比之該傳導性材料的量。 【實施方式】 於描述本發明較佳實施例時，請參閱第1Α圖與第1Β 圖，其中類似的元件符號係代表類似的元件特徵。 係提出了生產一可以多重整合主動與被動元件之低成 本載體與封裝上系統整合。矽晶圓用為封裝材料，且傳統 ic製程係用以製造被動元件，包括χ_與y-方向配線》該 技術重要的是形成介層洞以用於z_方向上的介層連接。所 移出的技術應用了反應性離子蝕刻來形成矽中盲與通介層 洞。 為了達到前述理想封裝特質，已發展出一新的金屬化 製程與材料系統，藉以金屬化矽中盲介層洞或通介層洞。 本發明包括形成一低熱膨脹係數（相對於鋼、銀或金等等 之純金屬而言）之组成物或懸浮液，與以新發展出之糊膏 來填充矽中介層洞。懸浮液可以燒結而僅有最小總體收縮 性，形成了高傳導性結構，卻不形成大的孔洞。懸浮液可 以在中性或還原環境下點燃，這是部份因為缺乏有機膠黏 劑。重要地是，因為介層洞充滿緻密的矽，基材材料沒有 被共點燃。 所提出溶液包栝一高固體負載懸浮液，其具右、 升丹虿適合材 11 1377651 補充 料與環境之黏度。系統包括微細粒狀銅粒子與玻璃陶瓷介 電粒子。懸浮液係發展於一水溶液基底系統中，其可以同 時控制銅與玻璃粉末之分散性質。已可以完成超過5〇體積 百分比之高固體負載，而黏度係低於1〇〇〇厘泊。高固體負 載與低黏度使得可以輕易充填小直徑、高深寬比之介層 洞。小直徑介層洞是5 0微米或更小之等級。並且，由於高 固體負載’發生了最小乾燥收縮性，這是因為系統接近於

粒子擠壓極限。此外，系統被設計以允許銅粒子在玻璃（介 電）材料緻密化之前達到全密度。如此形成一在多孔性玻 璃網路中之連接的與傳導的鋼網路。在固定的介層洞體積 内可大幅降低收縮性。該結果是一點燃的微結構，其不具 有大間隙且與矽表面齊平。&洞體積維持成玻璃中一微細 相互連接的網路β 佳傳導性糊膏為一包含有金屬粉末或金屬粉末 如銅銀、金等等，用以做為傳導相）與一添加劑 物，其中添加劑具有一低熱膨脹係數，以降低糊膏

較 物（例 之組成 之整體 合物。 來，具 縮性， 將產生 金屬相 變改質 之盲介 CTE低CTE添加劑可以為導體、絕緣體或兩者混 然而大。卩分傳導性材料與低CET絕緣體比較起 有相田冋CTE。目此’為了達到組合CTE中明顯收 良好導體（例如銅）與—低cte絕緣相之混合物 組〇材料，其中該組合材料具有良好電性與比純 比較明顯低的 ^ LTE糊膏可以藉由微量低於0.1 %流 劑與黏度改質_ & # β Μ 背J采饥變地調整，以改善不同深寬比

層洞的填充，其Φ片想ί # Μ A 再中流變改質劑可例如為但不限制為 12 1377651

分散劑（例如DAXAD、DARVAN等等），而黏度改質劑可 例如為聚乙烯醇、甲基纖維素或乙基織維素。

較佳_膏自傳導性相的量相對於低CTE相的量之觀 點而s ’必須最佳化。該最佳化達到了良好電性效能與具 有一低熱膨脹係數》較佳者，導體粒子之量應該介於2〇 至80體積百分比之間，更佳為介於至45體積百分比之 間。為了低CTE相’發現了，這是當鎂鋁矽玻璃以20至 8〇(更佳為5〇至75，又更佳為55至70)體積百分比被添 加於糊膏時，鎮銘梦玻璃為一有效添加劑。前述體積百分 比是基於只有固體含量（例如導體與低CTE粒子）而言， 並不包含其他糊膏成分（例如溶劑或分散劑）。其他可能的 低CTE添加劑包括有氧化矽（silica)、堇青石（corderite )、 链輝石（sp odum ene)、硼矽玻璃（boro silicate glasses)、 莫來石（mullite)、β-鐘霞石（betaeucryptite)、鶴、麵。

為了達到完全填充介層洞，糊膏系統應該包含一非常 高固體負載。當一懸浮液之固體負載增加時，在移除溶劑 期間發生的乾燥收縮之量矽大幅減低。當一固體負載高於 5 0%趙積百分比時’乾燥收縮之量是典型地非常低。因此， 對於前述微粒懸浮液，需要一具有相當低懸浮液黏度之高 固體負載以達到完全填充。為了滿足這些要件，水溶液與 非水溶液基底懸浮液兩者皆可以使用。高於5 〇 %體積百分 比之懸浮液固體負載可以經由低於1 〇 〇 〇厘泊之懸浮液黏 度來達到。表一列出一些較佳的懸浮液，如下所示。 13 1377651

表一：高於50%體積百分比之懸浮液固體負載 成分 懸浮液體積百分比 燒結的體積百分比 銅 17.2 32.8 鎂鋁矽玻璃 35.2 67.2 分散劑 1.5 0 水（溶劑） 46.1 0

可以使用前述較佳糊膏而經由一簡單真空填充過程以 填充盲介層洞或通介層洞。一矽封裝可以置於一真空室 中，利用傳統機械幫浦來達到真空。在真空下時，使用較 佳懸浮液以充滿矽封裝之表面，其中矽封裝包含有空的介 層洞。較佳懸浮液藉由毛細管作用填充介層洞。然後，壓 力慢慢地升高至與外界相同，在這期間，額外的懸浮液被 迫使進入介層洞結構中。過量材料則自表面去除。所填充 之介層洞接著藉由傳統裝置予以乾燥。

第1A圖為一矽基材3之截面圖，其中該矽基材3包 含有通介層洞1與盲介層洞2。如第1B圖所示，在填充糊 膏之後，通介層洞4與盲介層洞5兩者皆被填充以傳導性 材料（例如銅、銀、金等等）之粒子與一低CTE材料。 在乾燥之後，介層洞接著被填充以一傳導性金屬粒子 與低CTE玻璃粒子之混合物，或類似物。沒有經過額外處 理，該材料本質上即為一絕緣體。然後，所填充介層洞被 燒結以使得金屬傳導性粒子熔合在一起並形成一連續性的 金屬網路。如此形成一良好導體。然而，為了避免所填充 14 1377651

>],7ε m 啊(⑽(0¾專利案f ?年^月修正 介層洞之總體收縮，係選擇燒結溫度而能使金屬粒子完全 地燒結在一起，而低CTE粒子卻保持為^燒結。因為大部 分介層洞被填充以低CTE材料，在燒結期間金屬導體經歷 了緻密化，而低CTE相保有其原本結構與尺寸。典型地， 混合物經歷了 一小於5 %之最小總體體積收縮。如此確保了 在燒結期間沒有大間隙或裂缝形成於介層洞中或介層洞至 矽的界面上。經由小心選擇金屬導體與低CTE相之型式、 量與粒子大小可獲得燒結行為。燒結溫度與粒子擠壓密度 及最終導電性可以藉由適當選擇粒子大小與粒子大小分佈 加以控制。減小導體之粒子大小降低了導體之燒結溫度與 改善了燒結之後導體相之連接性。此外，如果導體之粒子 大小能使導體粒子填入介於低 CTE粒子之間的空間的 話，則可以達到改善擠壓密度。達典型地發生於當導體粒 子大小大約為低CTE相粒子大小之十分之一的時候。理想 下，金屬導體係被選擇以其可以在低CTE相緻密化起始之 下良好燒結。經驗上證據建議了介於金屬導體與低CTE相 之間 100 °C差距之燒結溫度起始為一足夠的製程範圍 (process window)而使一連續的金屬導體網路形成於多 孔性的低CTE相材料之内。金屬網路將具有良好導電性， , ’ 進請 小 是以申 大 的加附 的 解明隨 體^ 瞭發所 導 須本解 純 必對瞭 密 ，明須 緻。明說必 全性說述， 完阻例前此 一電施據因 於要實根。 低需佳以更 為所較可變 級統定士與 等系特人改 小供以之修 大提明藝、 一以發技例 是足本該施 性然然習實 電依雖熟他 導是 於其 該但 對行 15 1377651 f

專利範圍將包含任何這樣的其他實施例、修改與變更，其 為本發明之真正範圍與精神。 【圖式簡單說明】

本發明之特徵係為新穎的，且本發明之元件特徵係詳 細描述於隨附申請專利範圍中。圖式僅做為解釋目的之用 而與範圍大小無關。然而，本發明本身之說明書架構與操 作方法將可由前述說明與所伴隨之圖式而更佳瞭解，其中： 第1A圖係為一矽基材之截面圖，其徵該矽基材包含 通介層洞與盲介層洞；以及 第1B圖為第1A圖基材之截面圖，其中該些介層洞矽 被填充以一傳導性材料與一低CTE材料之粒子。

【主要元件符號說明】 1通介層洞 2盲介層洞 3矽基材 4通介層洞 5盲介層洞 16

Claims (1)

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嗜M I 0 i? u b + 號專利氧0年）月修正 拾、申請專利範圍： 1. 一種填充矽基材中之介層洞的方法，該方法至少包含： 獲得一具有複數個介層洞之矽基材； 以一無膠黏劑高固體負載糊膏（binder-free high-solidsloadingpaste)填充該些介層洞，其中該糊膏包 括一導體材料與一低CTE添加劑材料；以及 在敏密化該低.CTE添加劑材料之前，於一溫度燒結該 矽基材與糊膏，藉以緻密化該導體材料。 2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包含使該糊膏具 有50至5 5%體積百分比之固體。 3 .如申請專利範圍第1項所述之方法，包括以一金屬粉末 填充該些介層洞。 4. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該金屬粉末至 少包含銅、銀或金粉末。 5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包含添加溶劑與 分散劑至該高固體負載糊膏。 6. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該糊膏包括一 大約高於5 0%體積百分比之高固體負載。 17 1377651 fc 7.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該糊膏具有一 低於約1 0 0 0厘泊之懸浮液黏度。 8.如申請專利範圍第1項所述之方法，包括以該低CTE 添加劑來填充，其中該低CTE添加劑至少包含一導體、一 絕緣體或兩者混合物。 1 9.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該低CTE添 加劑材料至少包含玻璃。 10. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該低CTE添 加劑材料至少包含氧化石夕（silica)、堇青石（corderite)、 链輝石（spodumene)、蝴石夕玻璃(borosilicate glasses) ' 莫來石（mullite)、β -鍾霞石（betaeucryptite)、鎢、鎮銘 石夕酸鹽（magnesium aluminosilicate)或钥。 11. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該糊膏包括 介於20-80%體積百分比之該低CTE添加劑。 12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該糊膏包括 介於50-75%體積百分比之該低CTE添加劑。 18 1377651 13. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該糊膏包括 一介於20-80%體積百分比之該導體的量。 14. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該導體材料 為介於30-45%體積百分比。 15. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包含藉由組合 不同流變改質劑來流變地調整該糊膏以改善填充該些介層 洞。 16.如申請專利範圍第15項所述之方法，包括藉由添加等 級為0.1 %體積百分比之流變改質劑來流變地調整該糊膏。 1 7.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該導體材料 之燒結溫度大約低於該 CTE添加劑材料之燒結溫度1 00 °C。 1 8 ·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該矽基材於 以該糊膏填充該些介層洞之前點燃。 19. 一種填充一先前已點燃之矽基材中之空的介層洞的方 法，該方法至少包含： 置放該矽基材於一真空室中； 19 1377651 1 .V (C〇^

,>>·〇] 5 補充ί 於該真空室中達到一真空； 以一懸淨液充滿該石夕基材之表面，該懸浮液包含一無 膠黏劑高固體負載糊膏，其中該糊膏包含一導體材料及一 低CTE添加劑材料； 提高該真空室中之壓力； 去除過量的懸浮液材料； 將該矽基材予以乾燥；以及 在緻密化該低CTE添加劑材料之前，於一溫度燒結該 矽基材與糊膏，藉以緻密化該導體材料。 20.如申請專利範圍第19項所述之方法，包括選擇該懸浮 液而使該導體材料具有一燒結溫度大約低於該低CTE添 加劑材料之燒結溫度1 〇〇°C。 2 1. —種用以填充矽中之介層洞的懸浮液，至少包含一預 燒結無膠黏劑高固體負載糊膏，其中該糊膏包括一導體材 料與一低CTE添加劑材料，其中該懸浮液在受到一燒結過 程之前及之後，於該些介層洞内係無膠黏劑，且導致於燒 結時，於緻密化該低CET添加劑材料緻密化之前，緻密化 該傳導性材料。 2 2.如申請專利範圍第2 1項所述之懸浮液，其中該懸浮液 之一部分包括介於50-5 5 %體積百分比之固體。 20 1377651•,

23.如申請專利範圍第21項所述之懸浮液，其中該導體材 料至少包含一金屬粉末。 24.如申請專利範圍第23項所述之懸浮液，其中該金屬粉 末至少包含銅、銀或金粉末。 2 5.如申請專利範圍第2 1項所述之懸浮液，其中該懸浮液 包括溶劑與分散劑。 2 6.如申請專利範圍第2 1項所述之懸浮液，其中該懸浮液 包括一大約高於50%體積百分比之高固體負載。 2 7.如申請專利範圍第2 1項所述之懸浮液，其中該懸浮液 具有一低於大約1 0 0 0厘泊之黏度。 2 8.如申請專利範圍第2 1項所述之懸浮液，其中該低CTE 添加劑至少包含一導體、一絕緣體或兩者混合物。 2 9.如申請專利範圍第2 1項所述之懸浮液，其中該低CTE 添加劑材料至少包含氧化石夕（silica)、堇青石（corderite)、 經輝石（spodumene)、棚石夕玻璃(borosilicate glasses)、 莫來石（mullite)、β -裡霞石（betaeucryptite)、鶴、鎮銘 21 1377651 • « · 矽酸鹽 magnesium aluminosilicate )

30.如申請專利範圍第21項所述之懸浮液，其中該懸浮液 包括介於20-80%體積百分比之該低CTE添加劑材料，以 對應於一介於 20-80%互補的體積百分比之該傳導性材料 的量。 22 1377651

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(一） 、本案指定代表圖為：第IB圖。 (二） 、本代表圖之元件代表符號簡單說明： 3矽基材 4通介層洞 5盲介層洞

無