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TWI375901B - Touch screen and method for positioning coordinate - Google Patents

Touch screen and method for positioning coordinate Download PDF

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TWI375901B
TWI375901B TW097129599A TW97129599A TWI375901B TW I375901 B TWI375901 B TW I375901B TW 097129599 A TW097129599 A TW 097129599A TW 97129599 A TW97129599 A TW 97129599A TW I375901 B TWI375901 B TW I375901B
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TW
Taiwan
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capacitive sensor
sensing
capacitive
coordinate
row
Prior art date
Application number
TW097129599A
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English (en)
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TW201007516A (en
Inventor
Yen Chen Chiu
Ming Chieh Hsi
Original Assignee
Elan Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Elan Microelectronics Corp filed Critical Elan Microelectronics Corp
Priority to TW097129599A priority Critical patent/TWI375901B/zh
Priority to US12/534,395 priority patent/US8462127B2/en
Publication of TW201007516A publication Critical patent/TW201007516A/zh
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Description

Γ375901 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種觸控技術,且特 一種觸控螢幕以及一種座標定位方法。疋有關於種 【先前技術】 « , 近年來,由於科技的發展快速,手持式裝置,例如智 慧型手機' 數位個人助理(Pers〇nal Digital ―叫 籲 PDA)、衛星導航系統(Global Position System,GPS)等 等,也跟著越來越普及。由於上述裝置都是使用觸控螢 幕,因此觸控式傳感器之技術變的十分重要。在傳統的技 術中,觸控式傳感器一般是使用電阻式傳感器。此種電阻 式傳感器必須要靠壓力來感測指標在螢幕上的座標。由於 目前此種手持式裝践常是使用液日曰曰螢幕,^阻式傳感 器又必須與液晶螢幕重疊。因此當壓迫到電阻式傳感器 時,相對的也就壓迫到了液晶螢幕。長久下去,液晶螢幕 • 可能會因此損毁。另外,電阻式傳感器之解析度較低,常 常會有座標定位不準確的情況發生。 在習知技術中,還有一種觸控式傳感器,就是電容式 觸控板。電容式觸控板在目前被廣泛的應用在到手持式裝 置的觸控螢幕中。然而’傳統的電容式觸控板在觸控版電 路佈局上’必須要使用四層佈局。第1圖是傳統電容式觸 控板的結構剖面圖。請參考第1圖,此電容式觸控板包括 Y轴感應層101、X軸感應層102、接地層103以及電子 零組件層104,其中,電子零組件層4 〇4是用以配置電子 6 1375901 元件的放置與連接處(包含控制ic、電阻、電容等等元 ’ 件)°第2圖與第3圖分別繪示Y軸感應層ι〇1以及χ轴 感應層102的結構。請參考第2圖以及第3圖,γ轴感應 層1〇1及X軸感應層102分別包括多個平行的感應電極 x〇〇 以及 YOO。 另外,傳統的電容式觸控板還有另一種結構,是採用 八層式的銦錫氧化物(Indium Tin Oxide,ITO )玻璃結構。 第4圖是傳統銦錫氧化物玻璃結構的電容式觸控板的結 • 構剖面圖。請參考第4圖,其第一層4〇1為二氧化矽(si〇2) 層’用來保護Y轴感應層;其第二層402為Y軸感應層; 其第二層403為玻璃層;其第四層404為X轴感應層;其 第五層405為二氧化矽層,用來保護X轴感應層;第六層 406為雜訊遮蔽(Shielding )層,用來隔離雜訊。 然而,傳統的電容式觸控板為了應用在二維平面的感 應’需將印刷電路板或銦錫氧化物玻璃結構佈線成二維的 平面’因此,使得製作程序複雜化。相對的,成本的要求 φ 也相對的較高》 【發明内容】 有鑑於此’本發明之一目的就是在提供一種座標定位 方法以及使用其之觸控螢幕,其主要是利用一維的感應方 式進而得到二維平面座標,不但提高感應的解析度,也進 一步降低了印刷電路板或銦錫氧化物(IT〇 )玻璃的製作 成本。 本發明之另一目的就是在提供一種觸控螢幕的座標 7 !3759〇1 校準方法,用以使電容式傳感器的座標轉換為顯示面板的 座標。 為達上述或其他目的,本發明提出一種觸控螢幕,此 觸控螢幕包括一感應陣列層以及一微處理器。感應陣列層 包括ΜχΝ個電容式傳感器,其中,沿著第一軸方向西0己 置Μ列電容式傳感器,沿著第二軸方向,配置ν行電容 式傳感器。微處理器包括多個接腳,對應的耦接上述電容 式傳感器。當觸控螢幕被觸碰,導致感應陣列層中的電容 • 4傳感器的至少一感測值產生變化時,微處理器利用上述 電容式傳感器所感測到的感測值,進行内插計算以決定 一被觸碰的座標》 另外,本發明提出一種座標定位方法。此方法包括下 列步驟:提供一觸控螢幕;在上述觸控螢幕中,提供一感 應陣列層,其包括ΜχΝ個電容式傳感器,其中,沿著第 一轴方向,配置Μ列電容式傳感器,沿著第二轴方向, 配置Ν打電容式傳感器;提供上述電容式傳感器對應的多 鲁參考座標,每一參考座標包括第一轴座標以及第二轴座 標’田上述觸控螢幕被觸碰,導致感應陣列層中的電容式 傳感器的至少一感測值產生變化時,利用上述電容式傳感 器所感測到的感測值,以及其對應之參考座標的第一軸座 標與第二軸座標,進行一内插計算,以決定一被觸碰的座 標》 根據本發明較佳實施例所述之觸控螢幕,上述觸控螢 幕還包括一電子元件層以及一接地層其中接地層配置於 感應陣列層以及電子元件層之間。在另一實施例中,上述 8 1375901 觸控螢幕還包括ϋ切層以及—第二氧切層,至 中’感應陣列層配置於第一氧化石夕層以及第二氧化石夕層之 間。 本發明的精神是利用在一觸控面板中配置一感應陣 列層’其中,此感應陣列層配置了 ΜχΝ個電容式傳感器, 其中’沿著第一軸方向,配i Μ列電容式傳感器,沿著 第二轴方向,配置>}行電容式傳感器,並且每一個電容式 傳感器都耦接到一微處理器。因此,只要觸控面板被碰觸 時,對應的位置之電容式傳感器的感測值會產生變化經 由計算便可以得知所觸碰的位置。由於此結構與傳統觸控 面板的明顯不同,本發明只需要一層感應層便可以做到原 先傳統需要兩層感應層才能進行的座標定位。不但提高感 應的解析度,也進一步降低了先前技術中,印刷電路板或 銦錫氧化物(ΙΤΟ)玻璃的製作成本。 為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 易懂,下文特舉較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說 明如下。 【實施方式】 苐5圖是根據本發明實施例所繪示的電容式觸控螢幕 之結構圖。請參考第5圖,此電容式觸控螢幕包括一感應 陣列層50 1以及一微處理器502。在此實施例中,此感應 陣列層501包括12個電容式傳感器C50,配置成3χ4的 陣列。每一個電容式傳感器C50皆耦接到微處理器502 » 且每一個電容式傳感器C50分別具有一代表其之座標(〇, 9 1375901 0) ~ (4,3)» . 當人體的手指或是任何帶有導電性質的材料未接觸 到電容式觸控螢幕時’上述的電容式傳感器C50的電容值 不會有任何變化,因此,微處理器502所接收的每一個電 容感應值不會有變動。一般來說,微處理器5〇2對應於每 一個電容式傳感器C50會提供一初始值(BaseVaiue ),一 般來說是0。當手指或是任何帶有導電性質的材料接觸到 本實施例的電容式觸控螢幕時,被接觸到的部分之電容式 鲁傳感器C50或是其鄰近的電容式傳感器C5〇所對應的電 容感應值(ADCValue)將產生變化。而微處理器5〇2會 進行以下判斷: (ADCValue - BaseValue) > Th ’其中’ Th表示門檻値。 當判斷出上述數值大於上述門檻值時,微處理器5〇2 判定此時有手指或是任何帶有導電性質的材料接觸到電 容式傳感器C50。 • 第6圖疋根據本發明實施例所繪示的電容式觸控螢幕 之判斷X軸方向的座標之方法示意圖。請參考第6圖在 本實施例中,當要判斷Χ軸座標時,微處理器502會根據 以下順序,對電容式傳感器㈣所對應的電容感應值進行 掃描: (0, 〇)〜(1,0) — (2, 0) — (3, 〇) — (〇, D — (I 1 )〜(2,1 ) ~^ ( 3,1 )…(4,3 )。 —、田偵測到有兩鄰近的電容式傳感器C50所對應的電 感"值左大於門檻值時,便會進行内插計算,以得到觸 10 1^/5901 碰物(例如導體或手指)所觸碰的座標。此内插計算如下: » X 一 position^ Α:χ/ + Ιχ(/ + ι) _
TTl xS 其中’ X_position為判斷出的χ座標;i與i+i分別 是鄰近的電容式傳感器C50之χ座標;κ為第{個又座 標所偵測到的電容感應值;L為第i+1個χ座標所偵測到 ❸電容感應值;S是兩個X座標之間的座標間隔數。 舉例來說,假設此電容式觸控螢幕的每一個電容式傳 感器C50的χ座標之座標間隔數内建是32。當手指碰觸 到座標為(1,〇)以及(2,〇)的電容式傳感器。5〇之間 時,座標為(1,0)的電容式傳感器C5〇所偵測到的電容 感應值是70,而座標為(2, 〇)的電容式傳感器c5〇所偵 測到的電容感應值是80,則x座標即: (7〇Χΐ+80χ2)χ32+(70+80)=49.067与 49 。 同樣的道理,第7圖是根據本發明實施例所繪示的電 _ 容式觸控螢幕之判斷Υ軸方向的座標之方法示意圖。請參 考第7圖,在本實施例中,當要判斷γ轴座標時微處理 益502會根據以下順序,對電容式傳感器C5〇所對應的電 容感應值進行掃描: (〇, 0) - (0, 1) - (〇, 2) - ( 1,0) ( i,〜 (1,2)〜(2, 〇) — (2, υ …—(4, 3)。 §偵測到有兩鄰近的電容式傳感器C 5 0所對應的電 容感應值皆大於門檻值時,便會進行内插計算,以得到觸 碰物(例如導體或手指)所觸碰的座標。此内插計算如下. 1375901 Y_position= 其中,Y_P〇Sition為判斷出的Y座標;j#j + i分別 -鄰近的電容式傳感器C5〇之γ座標;K為第…座 2所偵測到的電容感應值4為第』+1_ γ座標所價測到 、電容感應值;S是兩個座標之間的座標間隔數。
舉例來說,假設此電容式觸控螢幕的每一個電容式傳 感态C50的Υ座標之座標間隔數内建是4〇。當手指碰觸 到座標為(1,1)以及(1,2)的電容式傳感器C50之間 時,座標為(1,1) #電容式傳感g C5〇所债測到的電容 感應值是90,而座標為(1,2)的電容式傳感器所偵 測到的電容感應值是150,則γ座標即: Y_p〇sition = (9〇X 1 + 1 50χ2)χ40 + (90+1 50) = 65。
接下來,第8圖是根據本發明實施例所繪示的電容式 觸控螢幕之座標配置。第9圖是根據本發明實施例所繪示 的電谷式觸控螢幕之另一座標配置。請同時參考第8圖以 及第9圖’第8圖是上述實施例中的標準座標配置;第9 圖是另一種形式的標準座標配置。一般來說,根據客戶的 需求或者韌體的編瑪之不同,座標配置可以如上述的變 化。若是以第9圖的座標配置,若要改變為第8圖的座標 配置’必須進行一座標轉換計算,其中,此座標轉換計算 可由微處理器502進行》 在說明此座標轉換計算之前,先做以下假設。假設第 9圖的X座標與γ座標的代號分別為X p〇siti〇I1以及 12 1375901 Y—position ;第8圖的χ庙拉也 入厘標與Y座標的代號分別為χ〇 以及Yo ; m與η分別砉+恭丄 '、電谷式傳感器C50的行數與列 {X _ position = Χ〇 +η* Y〇 Υ _ position = m*X〇 + Y〇 將上述聯立方程式以矩陣方式表 _ . X _ position Ί η • Χο· Y _ position m 1 Υο 匕 -
因此,可經由反矩陣運算,進而得到並映射至二維座 標(Χο, Υο):
'Χο Ί η -1 X _ position _ 1 1 -η ϊχ ^position ΪΟ [τη 1 — Υ — position (1 —W *«) —m 1 Υ_ •position yn = Z^P〇siti〇n + n*Y Dositin„
Yn = ^l_x ^P〇sition-Y Dositinr, {m*n)-\ 第10圖是根據本發明實施例所繪示的電容式觸控螢 幕之結構圖。請參考第10圖,上述舉例雖使用〗2個電容 式傳感器C50的觸控螢幕做舉例,但是本領域具有通常知 識者應當知道’電容式傳感器C50的數目越多,解析度越 咼,擷取與計算座標的位置越準確。另外,第Η圖是根 13 B75901 據本發明實施例所缯·示的多個 個手指或導電性質的材料接 觸之感測方式示意圖。請來去货^, 月务亏第π圖,在此實施例中, 我們定義使用者的單根手指接館5丨^ ?曰钱觸到的電容傳感器數目為4 個鄰近的電容式傳感器C5〇傲 υ做:為一個群組。經由上述流 程’可以藉由手指或是任何帶右 有導電性質的材料從任意兩 個電容式傳感器之間移動,得到内插位移點。 由上述幾個實施例可以看屮 有出’本發明僅需要一個感應 陣列層便可以做到先前技術申,需I兩/田成處成4 <要兩個感應層才可以做 得到的二維座標定位。第12円 矛1 2圖疋根據本發明實施例所繪 示的電容式觸控螢幕之結構剖面 僻〇』曲圖。請參考第12圖,若 以本發明之方式實施於印刷電路拓夕艇从狄苔由』 电塔板之觸控螢幕製程時,僅 需要3層結構。第1層12〇丨β 疋本發明實施例的感應陣列 層;第2層12〇2是接地; 層,第3層丨2〇3是電子零組件層。 同樣的道理’右以本發明之方式實施於銦錫氧化物(it⑴ 之觸控螢幕製程,亦僅需要4層結構。第Μ ΐ2〇ι是二 氧化矽層;第2層1202是太路明杳# , 、 發月實施例的感應陣列声. 第3層12 03是玻璃層;以爲资 曰’ f · 層以及第四層1204為雜訊遮蔽 (Shielding )層。 上述實施例,可以簡單歸納成-個座標定位方法。第 13圖是根據本發明實施例所繪示的座標定位方法之 圖。請參考第13圖’此方法包括下列步驟: 机 步驟S 1300 :開始。 步驟S1301 :提供一觸控螢幕。 步驟S1302:在上述觸控螢幕中,提供—感應陣列声, 其包括MxN個電容式傳感器,其中,沿 a 〇 步釉方向, 14 1375901 配置Μ列電容式傳感器,沿著第二軸方向配置n行電 • 容式傳感器。 步驟S1 303:提供上述電容式傳感器對應的多個參考 座標,每一參考座標包括第一轴座標以及第二轴座標。例 如上述第8圖或第9圖的座標系統。 步驟S1304:判斷當觸控螢幕是否被觸碰。此步驟可 利用微處理器502偵測電容式傳感器C5〇的電容感應值是 否大於門捏值來判定。當判定為否時,回到步驟s丨3 〇4, # 持續做判定。 步驟S1305:當觸控螢幕被觸碰,導致該感應陣列層 中的該些電容式傳感器的至少一感測值產生變化時,利用 上述電谷式傳感器所感測到的感測值,以及其對應之參考 座標的第一軸座標與第二軸座標,進行一内插計算,以決 定被觸碰的座標。内插計算的部分已經於上述實施例中詳 加敘述,故在此不予贅述。 步驟S1306 :結束。 9 第14圖是根據本發明實施例所繪示的電容式觸控螢 幕之佈線阻抗示意圖。請參考第14圖,在第14圖上的每 —個點,由左到右依序分別表示第一列的4個電容式傳感 器C50所耦接的感應線的佈線電阻、第二列的4個電容式 傳感器C50所耦接的感應線的佈線電阻以及第三列的4 個電容式傳感器C50所耦接的感應線的佈線電阻。在本發 明的實施例中’所提出的.利用一維電容式傳感器陣列擴展 為二維平面的架構,因此每個電容式傳感器C50都需要有 對應的一條感應線以耦接到微處理器502,當電容式傳感 15 1375901 器C50離微處理器5〇2愈遠的話對應的感應線的佈線電 . 阻也愈大,使得微處理器502所感測到的感應值也愈小, 而電容式傳感器C50若離微處理器5〇2的愈近,對應的感 應線的所產生的佈線電阻也愈小,使得微處理器502所得 到的感應值也愈大。 接下來,請參考第15圖,第15圖是根據本發明實施 例所繪不的電容式觸控螢幕上的電容式傳感器C50在相 同狀態下所感應到的感應值示意圖。如第丨5圖所示在 • 此種佈線電阻長度分布不平均的情況下,將會得到分布不 平均的感應值。為了得到良好的判定效果,以判定是否有 手指或導體置放或接近感應平面,本發明另外提出了二個 實現方式: (1) 以列為單位,對每一列的電容式傳感器C50所感 應到的感應值去進行增益上的調整;舉例來說,若是第I 列的電容式傳感器C50所耦接的感應線的佈線阻小於第 1+1列的電谷式傳感器C50所搞接的感應線的佈線電阻, • 則第1列的感應值會大於第1+ 1列的感應值。因此,在設 計上’微處理器502可以使第1+ 1列的增益大於第I列的 增益’使得每一個電容式傳感器C50依照佈線電阻的不 同’被給予適當的增益’以達到在相同碰觸情況下,讓每 一個電容式傳感器C50所感應到的感應值皆相近。 (2) 以列為單位,對每一列的電容式傳感器C50所感 應到的感應值到逹的門檻值進行調整;在先前的文章己提 到’當手指放在感應區上’微處理器502會得到一感應值 (ADCVaule)’ 故當(ADC Value — BaseValue) > 門權 Γ375901 - 值(Threshold)時,會判定此時有手指在感應區上。因此, • 為了克服佈線電阻’在設計上,微處理器502可以以列為 單位,對每一列的電容式傳感器C 50所對應的門檻值 (Threshold)去做調整。舉例來說,若是第!列的電容式 傳感器C50所對應的佈線電阻小於第Ι+ι列的電容式傳感 器C50所對應的佈線電阻,則第j列的電容式傳感器C5〇 所對應的感應值會大於第1+1列的電容式傳感器C50所對 應的感應值。因此,適當的設計微處理器5〇2内建的第1+1 • 列的門檻值(Threshold 1+1 )使其小於第j列的門檻值 (Threshold I),使得每一個電容式傳感器c5〇依照佈線電 阻的不同,被給予適當的門檻值,以達到讓每一列皆能正 確地判疋手指或導體接觸或接近電容式傳感器C5〇與否。 综上所述’本發明的精神在於利用在一觸控面板中, 配置一感應陣列層,其中,此感應陣列層配置了 ΜχΝ個 電谷式傳感器,其中,沿著第一軸方向,配置Μ列電容 式傳感器,沿著第二軸方向,配置\行電容式傳感器,並 φ 且每一個電容式傳感器都耦接到一微處理器。因此,只要 觸控面板被碰觸時,對應的位置之電容式傳感器的感測值 會產生變化,經由計算便可以得知所觸碰的位置。由於此 結構與傳統觸控面板的明顯不同,本發明只需要一層感應 層便可以做到原先傳統需要兩層感應層才能進行的座標 定位。不但提高感應的解析度,也進一步降低了先前技術 中’印刷電路板或銦錫氧化物(ΙΤΟ)玻璃的製作成本。 在較佳實施例之詳細說明中所提出之具體實施例僅 用以方便說明本發明之技術内容,而非將本發明狹義地限 17 1375901 制於上述實施例,在不超出本發明之精神及以下 範圍之情況,所做之種種變化實施,皆屬於本 圍。因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利 定者為准。 請專利 明之範 圍所界
18 1375901 ' 【圖式簡單說明】 • 第1圖是傳統電容式觸控板的結構剖面圖。 第2圖繪示傳統電容式觸控板的Y軸感應層101的結 構。 第3圖繪示傳統電容式觸控板的X軸感應層102的結 構。 第4圖是傳統銦錫氧化物玻璃結構的電容式觸控板的 結構剖面圖。 φ 第5圖是根據本發明實施例所繪示的觸控螢幕之電路 結構圖。 第6圖是根據本發明實施例所繪示的電容式觸控螢幕 之判斷X軸方向的座標之方法示意圖。 第7圖是根據本發明實施例所繪示的電容式觸控螢幕 之判斷Y軸方向的座標之方法示意圖。 第8圖是根據本發明實施例所繪示的電容式觸控螢幕 之座標配置。 φ 第9圖是根據本發明實施例所繪示的電容式觸控螢幕 之另一座標配置。 第10圖是根據本發明實施例所繪示的電容式觸控螢 幕之結構圖。 第11圖是根據本發明實施例所繪示的多個手指或導 電性質的材料接觸之感測方式示意圖。 第12圖是根據本發明實施例所繪示的電容式觸控螢 幕'之結構剖面圖。 第1 3圖是根據本發明實施例所繪示的座標定位方法 19 1375901 之流程圖。 第14圖是根據本發明實施例所繪示的電容式觸控螢 幕之佈線阻抗示意圖。 第15圖是根據本發明實施例所繪示的電容式觸控螢 幕上的電容式傳感器C50在相同狀態下所感應到的感應 值示意圖》 【主要元件符號說明】
101、 402 : Y轴感應層 102、 405 : X軸感應層 103 :接地層 104 :電子零組件層 X00、Y00 :感應電極 401、404:二氧化石夕 403 :玻璃層 501 :感應陣列層 502 :微處理器 C50 :電容式傳感器 1201 :本發明實施例的觸控螢幕之第1層 1 202 :本發明實施例的觸控螢幕之第2層 1203 :本發明實施例的觸控螢幕之第3層 S1300〜S1306:本發明實施例的步驟 20

Claims (1)

1375901 |〇|年¥月%修正本 十、申請專利範圍: -J • 1. 一種觸控螢幕,包括: 一感應陣列層,包括ΜχΝ個獨立的電容式傳感器,其中,沿 著第一軸方向,配置Μ列獨立的電容式傳感器,沿著第 二軸方向,配置Ν行獨立的電容式傳感器,其中,該些Μ χΝ個獨立的電容式傳感器配置於同一層感應層;以及 一微處理器,包括多個接腳,對應的耦接該些電容式傳感器, 當該觸控螢幕被觸碰,導致該感應陣列層中的該些電容式 • 傳感器的至少一感測值產生變化時,該微處理器利用上述 電容式傳感器所感測到的感測值,進行内插計算,以決定 被觸經的座標。 2.如申請專利範圍第1項所記載之觸控螢幕,更包括: 一電子元件層;以及 一接地層,配置於該感應陣列層以及該電子元件層之間。 φ 3.如申請專利範圍第1項所記載之觸控螢幕,更包括: 一第一氧化矽層;以及 一第二氧化矽層,其中, 該感應陣列層配置於該第一氧化矽層以及該第二氧化矽層之 間。 4.如申請專利範圍第1項所記載之觸控螢幕,其中,第i列、第 j行的電容式傳感器的座標表示為(U)。 21 1375901 5. 如申請專利範圍第4項所記载之觸控螢幕,其中,當該觸控營 • 幕被觸碰,導致該感應陣列層中的第i行、第j列的電容式傳 感器的感測值以及第i+1行、第j列的電容式傳感器的感測值 產生變化時: 該微處理器擷取該第i行、第j列的電容式傳感器的感測值, 以及該第i+Ι行、第j列的電容式傳感器的感測值,並進 行以下内插計算’以得到該被觸碰的座標之第一軸座標: • 第一軸座標 K + L 其中,K表示為該第i行、第j列的電容式傳感器的感測值,乙 表示為該第i+Ι行、第j列的電容式傳感器的感測值,s 表示每一該些電容式傳感器之間的間隔座標數。 6. 如申請專利範圍第4項所記載之觸控螢幕,其中,當該觸控螢 幕被觸碰,導致該感應陣列層中的第i行、第j列的電容式傳 • 感器的感測值以及第i行、第j+1列的電容式傳感器的感測值 產生變化時: 該微處理器操取該第i行、第j列的電容式傳感器的感測值, 以及該第i行、第j+1列的電容式傳感器的感測值,並進 行以下内插計算,以得到該被觸碰的座標之第二軸座標: 第二軸座標=S K + L 其中’Κ表示為該第i行'第j列的電容式傳感器的感測值,L 22 1375901 表示為該第i+i行、第j列的電容式傳感器的感測值,s 表示每一該些電容式傳感器之間的間隔座標數。 如申請專利範圍第1項所記載之觸控螢幕,其中,第i行、第 j列的電容式傳感器的座標U,y)表示為(i+Nxj, Mxi+j)。 8.如申請專利範圍第7項所記載之觸控螢幕,其中,該微處理器 還進行一座標轉換計算,該座標轉換計算如下: x0: y0: -x + Ny-y MxN-\ Μ χχ-y ΜχΝ-Ι 其t,(x0,y0)為轉換後的電容式傳感器的座標 9.如申請專利範圍第1項所記載之觸控螢幕,更包括: ΜχΝ個感應線,每一個感應線分別用以電性連接上述ΜχΝ個 電容式傳感器以及該微處理器, 其中,該微處理器根據每一該些感應線的佈線電阻,給予上述 ΜχΝ個電容式傳感器對應的ΜχΝ個增益。 10.如申請專利範圍第1項所記載之觸控螢幕,更包括: ΜχΝ個感應線,每一個感應線分別用以電性連接上述ΜχΝ個 電容式傳感器以及該微處理器, 其中,該微處理器根據每一該些感應線的佈線電阻,給予上述 23 1375901 ΜχΝ個電容式傳感器對應的ΜχΝ個門檻值,其中,該微 處理器根據第(I,J)電容式傳感器的感測值是否大於第(I, J)電容式傳感器的門檻值以判定第(I, J)電容式傳感器 是否被觸碰。 11. 如申請專利範圍第1項所記載之觸控螢幕,更包括: ΜχΝ個感應線,每一個感應線分別用以電性連接上述ΜχΝ個 電容式傳感器以及該微處理器, 其中,該微處理器根據每一該些感應線的佈線電阻,給予上述 ΜχΝ個電容式傳感器對應的ΜχΝ個門檻值,其中,該微 處理器根據第(I,J)電容式傳感器的感測值減第(I,J) 電容式傳感器的基礎值是否大於第(I,J)電容式傳感器的 門檻值以判定第(I,J)電容式傳感器是否被觸碰。 12. —種座標定位方法,包括: 提供一觸控螢幕; 在該觸控螢幕中,提供一感應陣列層,其包括ΜχΝ個獨立的 電容式傳感器,其中,沿著.第一轴方向,配置Μ列獨立 的電容式傳感器,沿著第二軸方向,配置Ν行獨立的電容 式傳感器,其中,該些ΜχΝ個獨立的電容式傳感器配置 於同一層感應層; 提供該些電容式傳感器對應的多個參考座標,每一參考座標包 括第一軸座標以及第二轴座標; 當該觸控螢幕被觸碰,導致該感應陣列層中的該些電容式傳感 器的至少一感測值產生變化時,利用上述電容式傳感器所 24 1375901 ' 感測到的感測值,以及其對應之參考座標的第一轴座標與 第二軸座標,進行一内插計算,以決定被觸碰的座標。 13. 如申請專利範圍第12項所記載之座標定位方法,其中,第i 列、第j行的電容式傳感器的座標表示為 14. 如申請專利範圍第13項所記載之座標定位方法,其中,當該 觸控螢幕被觸碰,導致該感應陣列層中的第丨行、第j列的電 谷式傳感器的感測值以及第i+Ι行、第j列的電容式傳感器的 感測值產生變化時: 擷取該第i行、第j列的電容式傳感器的感測值,以及該第i+i 行、第j列的電容式傳感器的感測值,並進行以下内插計 算’以得到該被觸碰的座標之第一轴座標: 第一軸座標= K十L 其中,K表示為該第丨行、第j列的電容式傳感器的感測值,乙 表示為該第i+l行、第j列的電容式傳感器的感測值,S 表示每一該些電容式傳感器之間的間隔座標數。 15. 如申請專利範圍第13項所記載之座標定位方法其中當該 觸控榮幕被觸碰,導致該感應陣列層令的第#、第】列的電 容式傳感器的感測值以及第1行、第j+1列的電容式傳感器的 感測值產生變化時: 棟取該第1行、第j列的電容式傳感器的感測值以及該第i行' 25 1375901 • 第j+i列的電容式傳感器的感測值,並進行以下内插計 - 算,以得到該被觸碰的座標之第二軸座標: 第二軸座標 ^x7+/x/y+1)xS K + L 其中,K表示為該第i行、第j列的電容式傳感器的感測值,L 表示為該第i+Ι行、第j列的電容式傳感器的感測值,S 表示每一該些電容式傳感器之間的間隔座標數。 16.如申請專利範圍第12項所記載之座標定位方法,其中,第i 行、第j列的電容式傳感器的座標(X,y)表示為(i+Nxj, M>i+j) 〇 17.如申請專利範圍第16項所記載之座標定位方法,更包括下列 步驟: 進行一座標轉換計算,該座標轉換計算如下:
x0= -x + N xy MxN-\ y0 M y.x-y MxN-l 其中,(x0,y0)為轉換後的電容式傳感器的座標。 18.如申請專利範圍第12項所記載之座標定位方法,更包括: 提供ΜχΝ個感應線,每一個感應線分別用以電性連接上述 26 1375901 ΜχΝ個電容式傳感器以及一微處理器;以及 根據每一該些感應線的佈線電阻,給予上述ΜχΝ個電容式傳 感器對應的ΜχΝ個增益。 19.如申請專利範圍第12項所記載之座標定位方法,更包括: 提供ΜχΝ個感應線,每一個感應線分別用以電性連接上述 ΜχΝ個電容式傳感器以及一微處理器;
根據每一該些感應線的佈線電阻,給予上述ΜχΝ個電容式傳 感器對應的ΜχΝ個門檻值;以及 根據第(I,J)電容式傳感器的感測值是否大於第(I,J)電容 式傳感器的門檻值以判定第(I,J)電容式傳感器是否被觸 碰。 20.如申請專利範圍第12項所記載之座標定位方法,更包括: 提供ΜχΝ個感應線,每一個感應線分別用以電性連接上述 ΜχΝ個電容式傳感器以及一微處理器;
根據每一該些感應線的佈線電阻,給予上述ΜχΝ個電容式傳 感器對應的ΜχΝ個門檻值;以及 根據第(I,J)電容式傳感器的感測值減第(I,J)電容式傳感 器的基礎值是否大於第(I,J)電容式傳感器的門檻值以判 定第(I,J)電容式傳感器是否被觸碰。 27 1375901 七、指定代表圖: (一) 、本案指定代表圖為:第5圖 (二) 、本代表圖之元件代表符號簡單說明: 501 :感應陣列層 502 :微處理器 C50 :電容式傳感器 八、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明 特徵的化學式:
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