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TWI375711B - - Google Patents

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TWI375711B
TWI375711B TW096120777A TW96120777A TWI375711B TW I375711 B TWI375711 B TW I375711B TW 096120777 A TW096120777 A TW 096120777A TW 96120777 A TW96120777 A TW 96120777A TW I375711 B TWI375711 B TW I375711B
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TW
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formula
polymerizable liquid
optical element
phase difference
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TW096120777A
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Inventor
Koji Ishizaki
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Description

1375711 , 九、發明說明： - 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種使液晶分子傾斜配向而得之光學元件 中所使用之聚合性液晶組合物、使用有該組合物之光學元 • 件、該光學元件之製造方法、以及使用有該光學元件之液 晶顯示裝置。 【先前技術】 作為納入於液晶顯示裝置中之光學元件，眾所周知有包 ® 含聚合型液晶材料之光學元件，如此之光學元件被廣泛地 用作構成液晶顯示裝置之吸收型圓偏光板（λ/4相位差層、 ' λ/2相位差層）、直線偏光板、以及各種液晶模式之視角補 ' 償層。 例如，眾所周知，於ECB(Electrically Controlled Birefringence， 電控雙折射）模式之液晶顯示裝置中，藉由設置使液晶分 子傾斜配向而形成所謂混合結構的光學元件作為相位差 | 層，可獲得寬廣之視角。於如此般使液晶分子傾斜配向而 得之光學元件（相位差層）的製造中，揭示有，使用將聚合 性液晶化合物與光聚合起始劑或界面活性劑混合而得之組 合物，並且，作為光聚合起始劑，使用安息香醚類、二苯 - 甲酮類、苯乙酮類、苯偶醯縮酮類、以及醯基氧化膦等 • (參照下述專利文獻1)。 又，於液晶顯示裝置中，藉由將上述相位差層設置於將 液晶層夾持於2片基板間而成之液晶單元的内側，使之内 置於單元化，可實現裝置之薄型化。作為如此般使相位差 119340-1000613.doc 1375711 層内置於單元化而得之結構的一例，亦揭示有設置以 RGB(red green blue，紅綠藍）各種顏色之像素為單位來改 變相位差之相位差層的結構（參照下述專利文獻2)。 [專利文獻1]日本專利特開2005-272560號公報 [專利文獻2]日本專利特開平7_199173號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 然而，於使相位差層内置於單元化而得之結構中，對形 成於基板上之相位差層亦進行其後之製程中的熱處理。因 此，要求相位差層亦具有某種程度之耐熱性。 但是，使用習知聚合性液晶材料之相位差層中，尤其上 述混合結構之相位差層中，並不存在對内置於單元化具有 充分之耐熱性者，該等相位差層之相位差容易由於熱處理 而產生變化，難以維持所需之特性。 本發明係鑒·於上述方面研究而成者，其目的在於提供一 種可製作出耐熱性優異之混合結構之光學元件的聚合性液 晶組合物，進而提供-種耐熱性優異之混合結構之光學元 件，且藉此而提供一種可實現混合結構之光學元件（相位 差層）之内置於單元化的液晶顯示裝置。 [解決問題之技術手段] 用以達成如此目的之本發明的聚合性液晶組合物之特徵 在於：含有於經配向處理之面上混成配向的聚合性液晶單 體、以及下述通式（1)所示之光聚合起始劑以及通式（2)所 示之光聚合起始劑中之至少一種。 119340-1000613.doc [化9] R2 ri_s^3j4_O> R3 通式（1)
並且，通式（1)中，R1〜R3分別獨立地表示氫原子或曱 基。 又，通式（2)中，R4〜R6分別獨立地表示氫原子或曱基。 又，作為混成配向之聚合性液晶單體，係使用具有至少 2個聚合性官能基之化合物。例如，使用下述通式（3)所示 之材料，作為具有2個聚合性官能基之化合物。 [化 10] CH2=CHCOO(CH,rW^Yl^^Y2^^(cH^〇cH^CH2 通式（3) 該通式（3)中，W1及W2分別獨立地表示單鍵、-0-、 -COO-或-OCO-，Y1及Y2分別獨立地表示-COO-或-OCO-，p&q分別獨立地表示2〜18之整數，式中所存在之3種1，4-伸苯基之氫原子可分別獨立地被碳數為1〜7之烷基、烷氧 基、烷醯基、氰基或函素原子取代一個以上。 又，本發明係使用如此之聚合性液晶組合物使聚合性液 晶單體混成配向而得之光學元件。 據此可確認，如後文中之實施例中所示般，藉由使用通 119340-1000613.doc 1375711 式（1)或通式（2)所示之光聚合起始劑，可提昇使聚合性液 晶單體混成配向而得之光學元件的耐熱性。 進而，本發明亦係一種製造如此光學元件之方法，首 先，將溶解上述聚合性液晶單體及光聚合起始劑而得之溶 液塗布成膜於經配向處理之面上，繼而加熱處理該塗布成 膜之溶液，藉此使聚合性液晶單體混成配向。其後，藉由 照射放射線，使混成配向之聚合性液晶單體進行三維交 聯。 進而本發明亦係一種納入有由如此光學元件所構成之相 位差層的液晶顯示裝置，尤其是其特徵在於：將該相位差 層設置於將液晶層夹持於2片基板間而成之液晶早元的内 側。 [發明之效果] 如上所述，根據本發明，可提昇使聚合性液晶單體混成 配向而得之光學元件的耐熱性。藉此，可將使聚合性液晶 單體混成配向而得之光學元件設置於要求具有耐熱性之液 晶單元内，作為相位差層。 【實施方式】 以下，說明本發明之實施形態。 <聚合性液晶組合物> 聚合性液晶組合物中，除包含a)聚合性液晶單體、及b) 光聚合起始劑以外，還包含c)界面活性劑。 a)聚合性液晶單體 該聚合性液晶單體係相對於配向膜而進行混成配向之聚 119340-1000613.doc
S 合性液晶單體，其使用具有至少2個聚合性官能基之化合 物。例如，作為具有2個聚合性官能基之化合物，可例示 上述通式（3)所示之化合物。 又，自於室溫下難以析出晶體之觀點考慮，含有2種以 上之通式（3)所表示之化合物，較好的是含有3種以上。 又，自確保耐熱性之觀點考慮，以及自於室溫下難以析 出晶體之觀點考慮，含有60質量％以上之通式（3)所表示之 聚合性液晶單體，較好的是65質量％以上，更好的是70質 量％以上。 又，亦可藉由將上述通式（3)所示之聚合性液晶單體， 與下述通式（4)-1〜通式（4)-4所示之向列型液晶一併使用， 而提昇聚合性液晶單體之配向性。可使用該等通式（4)-1〜 通式（4)-4所示之向列型液晶中之兩種以上。 [化 11] 0(CH2)n02CHC=H2C 通式(4)-1 CH2=CHC02n(CH2)〇-'^-CO〇-^^^〇c〇^=y ,CH3
CH2=CHC02n(CH2)0 -^^COO OCO 〇(CH2)n02CHC=H2C 通式(4)-2
CH2=CHC〇2n(CH2)〇-^^-CON-^^-〇C〇-^^-〇(CH2)n02CHC=H2C 通式(4)-3 _^CH3
CH2=CHC〇2n(CH2)〇-^^—CH=CHC02-^^—HC=HCC〇2—^^-〇(CH2)n02CHC=H2C 通式(4)-4 119340-1000613.doc 1375711 其中，設通式（4)_1〜通式（4)-4中之n為2〜1〇。 b)光聚合起始劑 該光聚合起始劑係上述通式（1)或通式（2)所示之化合 物。具體而言’可例示作為通式（1)之一例的汽巴精化 (股）（Ciba Specialty Chemicals Co.，Ltd)製造之 Irgacure 907、以及作為通式（2)之一例的汽巴精化（股）製造之 Irgacure 369 〇 該光聚合起始劑可視需要而組合使用複數種，亦可進而 添加其他光聚合起始劑。又，光聚合起始劑之添加量通常 為0.01〜15重量％之範圍，較好的是〇1〜丨2重量％之範圍， 更好的是0.5〜10重量％之範圍。 c)界面活性劑 作為界面活性劑，係使用氟系界面活性劑或丙烯系界面 活性劑。氟系界面活性劑可使用DMA〇p(Azmax公司製造 之商名）等。丙烯系界面活性劑可使用Βγκ 36ι(Βγκ·
Chemie公司製造之商品名）、p〇iyfi〇w 46ι(共榮社化學公 司製以之商品名）等。該等界面活性劑可單獨使用亦可 使用複數種。 至於界面活性劑之添加量，可於不妨礙液晶配向之範圍 内適田添加’ i常’較好的是相對於液晶材料為0.001 wt%〜H) wt%左右，更好的是〇 〇1洛5痛左右。 ;使用有該聚合性液晶組合物之光學元件中，如此之界 劑係控制聚合性液晶單體之傾角者，可形成以傾斜 又句勻之傾角使聚合性液晶單體於面内混成配向而得的 119340-l〇〇〇613.d( 1375711 .* 光學元件。 • <光學元件> 圖1係表示使用有上述聚合性液晶組合物之光學元件之 結構的模式圖。如該圖所示，將光學元件i 〇〇設置於表面 經配向處理之配向基板200上。設如此之配向基板200為例 如表面由實施有摩擦處理作為配向處理的配向膜所覆蓋之 玻璃基板、或具有配向能之基板。 φ 作為配向膜，通常使用聚醯亞胺、聚醯胺、以及聚乙烯 醇專’摩擦處理通常採用如下所述之方法，即，將由選自 螺縈、棉、聚醯胺、聚曱基丙烯酸曱酯等的材料所構成之 摩擦布捲繞於金屬輥上’使其以與薄膜相接觸之狀態旋 轉、或以固定輥之狀態搬送膜，藉此，以摩擦方式摩擦薄 膜表面。 繼而，光學元件1 〇〇係設置於配向基板200之經配向處理 之面上，作為使液晶分子Μ混成配向而得之層。於如此之 φ 光學元件100中，形成為如下所述之結構，即，一方面， 越罪近配向基板2 00之部分中的液晶分子μ之長軸越平行 於配向基板2〇0之基板面。另一方面，伴隨自配向基板2〇〇 向上方遠離，液晶分子Μ之長軸與配向基板2〇〇之基板面 所成之角度（預傾角）逐漸増大。. 於該光學元件100中，液晶分子Μ包含上述聚合性液晶 組合物之a)聚合性液晶單體，且該等3)聚合性液晶單體係 於上述混成配向狀態下進行三維交聯而固定。 該光學元件100中，除含有幻聚合性液晶單體以外，還
S 119340-1000613.doc -11 - 1375711 含有構成上述聚合性液晶組合物之b)光聚合起始劑及C)界 面活性劑。 <光學元件之製造方法> 其次’說明圖1所示之光學元件100之製造方法。 首先，以上述特定比例將a)聚合性液晶單體、b)光聚合 起始劑、以及c)界面活性劑溶解於溶劑中，將其製備成塗 布液。繼而，於配向基板200上，形成以特定膜厚塗布該 塗布液而得之塗膜。再者，塗膜之形成方法可應用各種塗 布方法。 繼而’藉由加熱處理而使配向基板200上之塗膜乾燥， 並使塗膜中之a)聚合性液晶單體混成配向。藉此，可實現 混成配向’而無須將塗布膜夾入配向方向不同之基板間進 行處理。此時’藉由根據加熱溫度調整聚合性液晶單體 (液晶分子M)之傾角，而控制光學元件1〇〇之相位差。 其後’於室溫下將其取出’藉由照射放射線，使a)聚合 性液晶單體三維交聯。 此時’較好的是於氮氣（NO等惰性氣體環境中對塗膜照 射放射線。藉此，可於不受氧氣阻礙的狀態下製作出耐熱 性優異之光學元件1〇〇。 又’作為對塗膜照射之放射線，可使用低壓水銀燈、高 壓水銀燈、超高壓水銀燈等水銀激發光源，以及氤光源 等’較好的是選擇於光聚合起始劑之靈敏度較大之波長頻 帶中具有強度峰值的光源。 進而，設對如此之塗膜進行之放射線照射於室溫以上、 119340-1000613.doc 1375711 液晶性單體之澄清點以下之溫度下進行。藉此，可製作出 交聯密度大且耐熱性優異之光學元件10〇,而不會損害液 晶性（各向異性P再者，所謂澄清點，係指液晶相與液相 間之相變溫度。 又，其後，藉由進行熱處理而進一步推進三維交聯。藉 此’可獲得耐熱性更優異之傾斜配向相位差層。設該熱處 理於loot以上、23(rc以下，10分鐘〜12〇分鐘之期間内進
仃。藉此，可獲得由熱處理引起之黃變及相位差量之降低 等劣化得到防止之光學元件1 00。 如此般獲得之光學元件100,係藉由使用通式（1)或通式 ⑺所示之光聚合起始劑，而使聚合性液晶單體混成配向而 得之光學元件，並且如後文之實施例所示，可確認其耐執 性得到提昇。 ' 藉此，即便於對該光學元件100施加有加熱處理之情形 時，亦可於該加熱處理前後穩定地保持光學元件之特 性而不使其產生變化。例如，可於加熱處理前後穩定地保 持正面之相位差以及向極角方向傾斜之方向的相位差而不 使其產生變化。 〈液晶顯示裝置-1> 圖2係本發明之液晶顯示萝 裒置之第1實施形態的剖面結構 圖。該圖所示之液晶顯示駐要，从 ^ 、置1 a係以ECB模式驅動之穿透
型液晶顯示裘置1 a，罝供u β , P 〃具備上述光學元件來作為使液晶分 子混成配向而得之相位差層（以下記為混合相位差層）。如 此之液晶顯示裝置U係以下述方式而構成。 119340-10006U.doc -13. 1375711 即’液晶顯示裝置la包括驅動基板1〇、與該驅動基板1〇 之元件形成面側對向配置之對向基板20、以及夾持於該等 驅動基板10與對向基板20之間的液晶層LC。又，於驅動基 板10之外側面上，以密著狀態設置有λ/4相位差板30，進 而’於驅動基板1 〇及對向基板2 0之外側面，以密著狀態將 偏光板31、32設置於正交偏光鏡上。又，於配置於驅動基 板10側之偏光板3 1的外側，設置有背光33、以及反·射板 34 ° 其中’於驅動基板10之如玻璃基板之透明基板11的朝向 液晶層LC的面上，設置有驅動電極層12，該驅動電極層12 上’以像素為單位而形成有例如TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體）等驅動元件以及與此相連接之像 素電極等。繼而，以覆蓋該驅動電極層12之狀態而設置有 配向膜13。設該配向膜13例如為相對於驅動基板1〇側之偏 光板31之穿透轴朝向特定方向而施加有摩擦處理或配向處 理者。 另一方面，於對向基板20之如玻璃基板之透明基板21的 朝向液晶層LC的面上，依次設置有R(紅）、G(綠）、B(藍） 各種顏色之濾光片22、配向膜23、混合相位差層24、對向 電極25以及配向膜26。進而，於對向電極25上，設置有配 向膜，該配向膜於此處之圖示省略。設該配向膜為與設置 於驅動基板10侧之配向膜反平行地實施有摩擦處理或配向 處理者。 繼而，使用根據圖1而說明之光學元件100，作為使液晶 119340-1000613.doc -14- 分子混成配向而得之混合相位差層24，其特徵在於，該混 合相位差層24係形成於透明基板21之液晶層LC側》 再者，設置有配向膜23之透明基板21與根據圖1而說明 之配向基板相對應。因此，混合相位差層24之液晶分子形 成為如下所述之配向狀態，即，於透明基板21側，混合相 位差層24之液晶分子與基板面水平，而朝向液晶層lc側， 則逐漸向垂直方向抬升》 又’設該混》合相位差層24之配向方向構成如下：於對向 電極25及像素電極上施加電壓而進行黑顯示時之液晶層lc 的殘留相位差、與相位差板（λ/4相位差板30)之相位差實質 上相互抵消。 此種結構之液晶顯示裝置la形成為於透明基板21上介隔 濾光片2 2而成膜形成混合相位差層2 4，從而使之内置於單 元化者。 如上所述之結構之液晶顯示裝置1 a中，可藉由將混合相 位差層24納入於ECB模式之液晶顯示裝置ia中，而消除黑 顯示時之液晶層LC的殘留相位差，獲得寬廣之視角。 繼而，尤其是，藉由形成為液晶分子之傾角於膜厚方向 上變化的結構，並且’如上所述般以耐熱性良好之光學元 件構成相位差容易由於加熱而變化之混合相位差層24，則 即便内置於單元化’亦可發揮出充分之耐熱性，保持所需 之相位差。 其結果，於設置有混合相位差層24的ECB模式之液晶顯 示裝置la、以及使用該液晶顯示裝置la之電子儀器中，由 11934〇.l〇〇〇613.doc -15· 1375711 於可提昇混合相位差層之配向性，故而視角良好且可進行 尚對比度之顯示。 又’藉由將該混合相位差層24設置於濾光片22之上部， 而使混合相位差層24亦兼具作為濾光片22之保護層的功 能。藉此，可防止自濾光片22之脫氣。 <液晶顯示裝置-2> 圖3係本發明之液晶顯示裝置之第2實施形態的剖面結構 圖°該圖中所示之液晶顯示裝置lb與圖2中所示之液晶顯 不裝置la的不同之處在於對向基板2〇側之結構。即，液晶 顯不襄置ib中，形成為以平坦化絕緣膜40覆蓋透明基板21 上之渡光片22，且於其上部設置配向膜23以及混合相位差 層24的結構，其他結構與圖2之液晶顯示裝置1&相同。 如此般，藉由設置平坦化絕緣膜4〇，可於平坦之基底面 上形成混合相位差層24。藉此’可提昇混合相位差層24之 配向性。 <液晶顯示裝置-3> 圖4係本發明之液晶顯示裝置之第3實施形態的剖面結構 圖。該圖中所示之液晶顯示裝置1C與圖2所示之液晶顯示 裝置la的不同之處在於對向基板2〇側之結構。即，液晶顯 示裝置lc中，形成為將配向膜23及混合相位差層24直接設 置於透明基板21上的結構，其他結構與圖2之液晶顯示裝 置la相同。 藉由形成如此之結構，成膜形成混合相位差層24之基底 更平坦，因此可進一步提昇混合相位差層24之配向性。 119340_1000613.doc • 16· 1375711 .» 再者’上述第1實施形態〜第3實施形態中，對例示設置 有混合相位差層24作為視角補償層之ECB模式的液晶顯示 裝置的結構進行了說明。但是，本發明亦可適用於將混合 相位差層24内置於單元化而設置的TN(Tisted Nematic，扭 轉向列）模式之液晶顯示裝置中。於此情形時，可對實施 形態中所說明的配置於液晶單元内側及外側之偏光板等的 光學結構進行適當變更’以適用於TN模式之驅動顯示。 又，混合相位差層24可設置在與上述各實施形態相同之位 置，並可獲得與各實施形態相同之效果。 又’上述實施形態中’對將本發明應用於穿透型液晶顯 不裝置中之結構進行了說明。但是，本發明之液晶顯示裝 置亦可適用於半穿透半反射型液晶顯示裝置中。於此情形 時，於利用上述光學元件之製作方法而形成混合相位差層 24之系列步驟中，當對聚合性液晶組合物之塗膜照射放 射線時，使用具有穿透放射線之區域以及遮光或反射放射 線之區域的光罩，將穿透顯示部及反射顯示部區分為放射 線之曝光部及未曝光部。藉此，一方面，於曝光部中，使 聚合性液晶單體進行三維交聯，形成特定之相位差，另一 方面’於未曝光部中’纟不使聚合‘I·生液晶單體進行三維交 聯，設相位差為〇或特定之較低值。 進而，上述各實施形態中，對將λ/4相位差板30設置於 液晶單元之外侧的結構進行了說明，然、而亦可使該λ/4相 位差層30内置於單元化。 此處例#將λ/4相位差層3 〇配置於例如混合相位差層 119340-1000613.doc 1375711 24之下層側的結構。於如此之結構中，可利用與混合相位 差層之形成相同之方法，使用聚合性液晶材料形成λ/4相 位差層30，且可以其表面為配向表面，於上部直接設置混 合相位差層24。又，亦可進而於λ/4相位差層30上形成配 向膜，於其上部設置混合相位差層24。 再者，此時，由於内置於單元化之λ/4相位差層30並非 必須為混合結構，故而與混合相位差層24相比，其易於獲 得耐熱性，然重要的是，即便是如此之λ/4相位差層30， 亦應選擇耐熱性良好之材料而構成之。 [實施例] 〈實施例1 > 藉由混合下述（1)〜（5)之材料，而製備出用以形成光學元 件之塗布液。 (1) 聚合性液晶單體：15重量份之設通式（3)中之Yl、Υ2 為-COO-，Wl、W2為-OCO-，ρ為4，q為4的化*合物。 (2) 聚合性液晶單體：5重量份之下述結構式（1)所示之 化合物。 (3) 光聚合起始劑：1重量份之作為通式（1)之一的 Irgacure 907(汽巴精化（股）製造之商品名）。 (4) 氟系界面活性劑：0.2重量份之DMAOP(Azmax公司 製造之商品名）。 (5) 溶劑：78.8重量份之丙二醇曱基乙基醚（PGMEA)。 [化 12] 119340-1000613.doc -18- ο 人 ο
ο入 °γ^ ο 結構式(υ 利用旋塗法，將所製備之塗布液塗布於摩擦處理完畢之 配向膜AL1254(JSR公司製造之商品名）上以形成塗膜。其 後，以減壓乾燥（最後達到真空度為0.4 Torr)去除塗膜中之 溶劑，繼而於熱板上（60°C)加熱1分鐘，以進行配向處理。 其後，於氮氣中（氧氣濃度為0.1 %以下）中，使用超高壓 水銀燈對塗膜進行照度為30 mW/cm2、曝光時間為20秒之 曝光，以進行三維交聯處理。 繼而，於保存於氮氣環境中之烘箱（220°C、氧氣濃度為 1%以下）中進行60分鐘之熱處理。 使用觸針式輪廓儀（stylus profi lometer)測定如此般製作 之光學元件（相位差層）的膜厚，其結果為1.1 μιη。 又，於耐熱性試驗前後，測定光學元件（相位差層）之相 位差。將其結果示於下述表1中。作為耐熱性試驗，係於 220°C之烘箱中進行6小時之加熱處理。 [表1] 光聚合起始劑 相位差 对熱試驗前 耐熱試驗後 正面 極角(0) 正面 極角(°) 50 -50 50 -50 實施例1 Irgacure907 :通式⑴ 80 nm 165 nm 20 nm 76 nm 157 nm 19 nm 實施例2 Irgacure369 :通式(2) " " II " fl ri 比較例1 Irgacure 651 82 nm - - 70 nm - - 比較例2 Lucirin ΤΡΟ 81 nm - - 67 nm - - 119340-1000613.doc -19· 1375711 於耐熱試驗前，可確認：測定出正面之延遲為80 nm ; 於沿摩擦轴使其傾斜後，測定出-50°之延遲為20 nm， + 50°之延遲為165 nm ;形成為混成配向之相位差層。 於耐熱試驗後，正面之延遲為76 nm，變化率為95%。 又，可確認：-50。以及+5 0。之延遲值為19 nm及157 nm， 變化率為95%，與正面延遲相比變化率更小；藉由使用本 發明之特徵性光聚合起始劑，可使將液晶分子混成配向之 光學元件之耐熱性優異。 〈實施例2> 將實施例1中所使用之（3)光聚合起始劑變更為作為本發 明之特徵性通式（2)的化合物之一的Irgacure 369(汽巴精化 (股）製造之商品名），除此以外，以與實施例1相同之方式 製作出光學元件。如上述表1所示，耐熱性試驗前後之相 位差與實施例1之結果相同。由此可知，藉由使用本發明 之特徵性之光聚合起始劑，可使將液晶分子混成配向而得 之光學元件之耐熱性優異。 <比較例1 > 將實施例1中所使用之（3)光聚合起始劑變更為Irgacure 651(汽巴精化（股）製造之商品名），除此以外，以與實施例 1相同之方式製作出光學元件。如上述表1所示，耐熱試驗 前後之正面相位差以變化率85%，自82 nm惡化至70 nm。 〈比較例2 > 將實施例1中所使用之（3)光聚合起始劑變更為Lucirin TPO(B ASF公司製造之商品名），除此以外，以與實施例1 119340-1000613.doc -20· 1375711 _ ▲ 相同之方式製作出光學元件。如上述表1所示，耐熱性試 驗前後之正面相位差以變化率83% ’自81 nm惡化至67 nm ° 【圖式簡單說明】 圖1係說明將液晶分子混成配向而得之光學元件之結構 的模式圖。 圖2係本發明之液晶顯示裝置之第1實施形態的剖面結構 圖。 圖3係本發明之液晶顯示裝置之第2實施形態的剖面結構 圖。 圖4係本發明之液晶顯示裝置之第3實施形態的剖面結構 圖。 【主要元件符號說明】 la' lb' 1c 液晶顯示裝置 11、21 透明基板 23 配向膜 24 混合相位差層（光學元件） 100 光學元件 LC 液晶層 Μ 液晶分子（聚合性液晶單體）
S 119340-1000613.doc -21 -

Claims (1)

1375711 冬 、申請專利範圍： - J 一種聚合性液晶組合物，其特徵在於包含： 以下述通式（3)表示的聚合性液晶單體，該聚合性液 單體係於經配向處理之面上混成配向者： 今乂月/3曰修正本 曰曰 CH2=CHCOO(CH2) p- Y2-0-W2-(CH2)<pc〇CH；=CH2 通式(3) 以及 下述通式（1)所示之光聚合起始劑或通式（2)所示之光 聚合起始劑中之至少一種： R1- R2 -Ν Ο R3 通式（1) 通式（2)
其中，R1〜R6分別獨立表示氫原子或甲基； W及w分別獨立表示單鍵、… γι « ν2 ν υο'^ -oco-; 分別獨立表示-COO-或 _〇c〇·; P及q为別獨立表示2〜18之整數；且 式中所存在之3種1，4·伸苯基中之各自 獨立被—個以上之端Μ，之各自的氫原子可分別 丨固Μ上之碳數為1〜7之煊其 基、氰烷基、烷氧基或烷醯 乱暴及鹵素原子取代。 2. 如明求項1之聚合性液晶組合物， 其含有氟系界面活性劑或丙烯系界面活性劑。 S n9340-10006J3.doc 1375711 3. —種光學元件，其特徵在於含有： 混成配向之聚合性液晶早體， 下述通式（1)所示之光聚合起始劑以及通式（2)所示之 光聚合起始劑中之至少一種： R2
R3
通式(2) 通式（1)
R4 其中，R1〜R6分別獨立表示氫原子或甲基。 4. 如請求項3之光學元件，其中 上述聚合性液晶單體以下述通式（3)表示： CH2=CHCOO(CH2)p-W1^〇y-Yl-(n\_^ 严^ ^-y^Y2~^>-Wz-(CH2)<pcC)CH=CH2 通式(3) 其中，W及W2分別獨立表示單鍵、_〇_、_c〇〇_或_ 〇c〇-，Y及Y2分別獨立表示.COO或_〇c〇_ ; p及q 分別獨立表示2〜18之整數；且式中所存在之伸笨q 基之各自的氫原子可分別獨立被一個以上之碳數為1〜7 之烷基、烷氧基或烷醯基、氰基及齒素原子取代。 5. 如請求項3之光學元件， 其含有敦系界面活性劑或丙4系界面活性劑。 6·如請求項3之光學元件， 其係含有包含上述混成配向之聚合性液晶單體之層、 "9340.1000613.doc 1375.711 與其他液晶層之積層結構。 7. 一種光學元件之製造方法，其係製造使聚合性液晶單體 混成配向而得之光學元件者，該製造方法之特徵在於包 含下列步驟： 將於溶劑中溶解聚合性液晶單體、以及下述通式（1)所 示之光聚合起始劑及通式（2)所示之光聚合起始劑中之至 少一種而得之溶液塗布成膜於經配向處理之面上； 藉由加熱處理上述經塗布成膜之上述溶液，而使上述 聚合性液晶單體混成配向；及 藉由照射放射線，而使經混成配向之上述聚合性液晶 單體進行三維交聯： R1—s R2 R3 通式（1)
其中，R1〜R6分別獨立表示氫原子或甲基。 8.如請求項7之光學元件之製造方法，其中 上述聚合性液晶單體以下述通式（3)表示： ch2=chcco(ch,p-w^-y1-^y^^(ch^〇ch=CH2 通式(3) 其中，W1及W2分別獨立表示單鍵、-0-、-C00-或-OCO- ; Y1及Y2分別獨立表示-COO-或-OCO- ; p及q S 119340-1000613.doc 1375711 分別獨立表示2〜18之整數；且式中所存在之3種14、伸苯 基之各自的氫原子可分別獨立被一個以上之碳數為卜7 · 之烷基、烷氧基或烷醯基、氰基及_素原子取代。 . 9. 一種液晶顯示裝置，其特徵在於包含： 將液晶層夾持於一對基板間而成之液晶單元、以及使 聚合性液晶單體混成配向之相位差層之組合；其中 上述相位差層係成膜形成於上述一對基板中之—基板 的上述液晶層側者；並且 上述相位差層含有下述通式（1)所示之光聚合起始劑及參 通式（2)所示之光聚合起始劑中之至少一種： R2 R1~sO κ> R3 通式（1) 0-0 通式(2)
其中，R1〜R6分別獨立表示氫原子或甲基。 10.如請求項9之液晶顯示裝置，其中 上述聚合性液晶單體以下述通式（3)表示： CH2=CHCOO(CH2)p- W1-^- YM〇Xv^-(CH2)cJOCOCH-CH2 通式（3) 其中’ w及w分別獨立表示單鍵、-〇 、_c〇〇或_ 0C0- ; Y1及Y2分別獨立表示_c〇〇·或〇c〇_ ; 分別獨立表示2〜18之整數；式中所存在之3種丨，4•伸苯基 119340-I000613.doc -4- 11. 各自的氬原子可分別獨立被 炫基、貌氣基或炫酿基、氣其戈蟲/上之碳數H 如往古s 汛基或鹵素原子取代。 。月 '項9之液晶顯示裝置其中 12. 13. ^述液晶單元細電控雙折射模式驅動。 如請求項9之液晶顯示裝置，其中 上述相位差層係介隔濾光片而設置於上述一基板上。 如請求項9之液晶顯示裝置，其中 上述相位差層係介隔平坦化膜而設置於上述一基板 上0 119340-1000613.doc
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