TWI375269B - Method for providing uniform removal of organic material - Google Patents

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1375269 ► * · -· Π) . 九、發明說明 v 相關申請案之相互參考 本申請案係依據且主張2 004年6月30日申請之先前 的日本專利申請案第2004- 1 92939號之優先權的優點，在 此，其全部內容會倂入作爲參考。 【發明所屬之技術領域】 ^ 本申請案爲2003年8月.14日，由Larsen等申請之 . 稱爲Γ均勻蝕刻系統j的美國專利申請案第1 0/642,083號 (專利文件編號LAM1P167X])之部分延續案，美國專利 申請案第1 0/642,0 8 3號爲2002年12月13日，由Larsen 等申請之稱爲「具有調整氣體的分氣系統」的美國專利申 請案第10/3 18,612號（專利文件編號LAM1P167 ) 之部 分延續案），在此其兩者會倂入作爲參考。 φ【先前技術】 半導體製程包括如金屬、介電質及半導體材料的化學 _ 氣相沈積（CVD )之沈積製程、蝕刻此種層、灰化光阻遮 罩層等。此種半導體製程通常會在真空室進行，其中製程 氣體係用來處理如半導體晶圓，平板顯示基板等之基板。 製程氣體會藉由分氣系統（如噴頭、分氣環、氣體注入器 等）送到真空室的內部。具有複數個分氣系統的反應器係 揭露於美國專利號 5，1 3 4,965 ; 5,4 1 5,72 8 ; 5,5 22,934 ; 5,614,055 ; 5,772,771 ; 6,013，155 ;以及 6,042,687 中。 -5- 1375269 * * * 、 (2) ‘ 在蝕刻的情況中，電漿蝕刻傳統上會用來蝕刻金屬' ' 介電質及半導體材料。電漿蝕刻反應器通常包括支撐底部 電極上的矽晶圓之臺座、將製程氣體激能爲電漿狀態之能 量來源、以及將製程氣體提供給此室的製程氣體來源。 積體電路製造的一般需求是蝕刻介電材料中的開口， 如接點及孔洞。介電材料包括摻雜的氧化矽（如氟氧化矽 (FSG))、未摻雜的氧化矽（如二氧化矽）、矽玻璃（ φ 如硼磷矽玻璃（BPSG ))及磷矽玻璃（PSG )))、摻雜 或未摻雜的熱成長氧化矽、摻雜或未摻雜的TEOS沈積氧 化矽等。介電摻雜物包括硼、磷及/或砷。介電質可位於 導體或半導體層（如多晶矽、如鋁、銅、鈦、鎢、鉬或其 合金之金屬、如氮化鈦的氮化物、如矽化鈦、矽化鈷、矽 化鎢、矽化鉬等之金屬矽化物）上。電漿蝕刻技術（其中 平行板電漿反應器係用於蝕刻氧化矽中的開口）係揭露於 美國專利號5,0 1 3,3 98中。 φ 美國專利號5,73 6,457係敘述單及雙「金屬嵌刻」金 屬化製程。在「單金屬嵌刻」方法中，孔洞及導體係以分 開步驟形成，其中導體或孔洞的金屬化圖案會蝕刻成介電 層，金屬層會塡入介電層中的蝕刻渠溝或孔洞，以及過多 金屬會藉由化學機械平坦化（CMP )或藉由回蝕製程而移 除。在「雙金屬嵌刻」方法中，孔洞及導體的金屬化圖案 會在介電層中進行蝕刻，以及蝕刻渠溝與孔洞開口會以單 —金屬塡滿及過多金屬移除的製程而以金屬塡滿。 半導體製程（如金屬嵌刻金屬化製程）中的各種方法 -6- ⑧ (3) (3)1375269 需要移除基板上的有機材料（如剝除光阻遮罩）、蝕刻有 機底部抗反射圖層（B ARC )、移除孔洞插塞、或蝕刻有 機介電層之方法。 【發明內容】 爲了達成上述且根據本發明的目的，係提出一種基板 上的有機材料之移除方法。此基板係置於電漿處理室中。 第一氣體會提供給電漿處理室內的內部區。第二氣體會提 供給電漿處理室的外部區，其中外部區圍繞內部區，並且 第二氣體具有含碳成分，其中第二氣體之含碳成分的濃度 大於第一氣體之含碳成分的濃度。從第一氣體及第二氣體 中同時產生電漿。某些或全部的有機材料會使用產生的電 漿而移除。 在本發明的另一形式中，係提出一種基板上的光阻遮 罩之剝除方法。此基板係置於電漿處理室中。第一氣體會 提供給電漿處理室內的內部區。第二氣體會提供給電漿處 理室的外部區，其中外部區圍繞內部區，並且第一氣體與 第二氣體不同。從第一氣體及第二氣體同時產生電漿。剝 除光阻遮罩，其中光阻遮罩係藉由來自第一氣體及第二氣 體的電漿而剝除。 在本發明的另一形式中，係提出一種基板上的雙金屬 嵌刻結構之孔洞中的插塞之移除方法。將具有包含孔洞的 孔洞插塞之介電層的基板置於電漿處理室中。提供第一氣 體給電漿處理室內的內部區。提供第二氣體給電漿處理室 1375269 .·- - (4) * 的外部區，其中外部區圍繞內部區，並且第一氣體與第二 * 氣體不同。從第一氣體及第二氣體同時產生電漿。藉由來 自第一氣體及第二氣體的電漿，降低孔洞插塞的高度。 本發明的這些及其他特性將於底下之本發明的詳細說 明及結合以下圖式而更詳細地說明》 【實施方式】 | 本發明現在將參考如附圖中所繪示的一些較佳實施例 而詳細地說明。在以下的說明中，會提及各種特定細節， 以使本發明完全了解。然而，將顯然可知的是，對於熟習 此項技術者而言，.本發明可在無某些或全部的這些特定細 節之下實施。在其他的例子中，熟知的製程步驟及/或結 構不會詳細說明，以不混淆本發明。 爲了利於了解，圖1爲本發明的一實施例之高層流程 圖。有機材料係位於基板上（步驟108)。有機材料可爲 φ光阻、BARC、孔洞插塞、或有機介電層。在光阻、BARC 、或孔洞插塞的情況中，介電層係介於基板與有機材料之 間。基板係置於電漿處理室中（步驟112)。第一氣體會 提供給電漿處理室的內部區（步驟116)。第二氣體會提 供給電漿處理室的外部區（步驟120)。外部區會圍繞內 部區。第二氣體具有含碳成分。第二氣體之含碳成分的濃 度會大於第一氣體之含碳成分的濃度。電漿係藉由形成來 自第一氣體的電漿及來自第二氣體的電漿，而同時自第一 及第二氣體產生（步驟124)。電漿會移除某些有機材料 ⑧ 1375269 .，- .. (5) • (步驟128)。雖然循序顯示提供第一氣體（步驟n6) ' 及提供第一氣體（步驟120)，但是這些步驟可以相反順 序達成，或可同時達成。 在說明書及申請專利範圍中，第一氣體會界定爲具有 單一成分的氣體’或具有多種成分的氣體，以形成混合氣 體。只2SC桌一氣體與桌—氣體具有不同成分或不同比率的 相同成分’則第一氣體與第二氣體不同。具有相同比率的 φ相同成分之不同流率的氣體並不是不同氣體。 在本發明的較佳實施例中，電漿處理室會使用受限的 電獎系統’其會限制電漿進入晶圓上的區域。此種受限的 電發系統會使用限制環，如揭露於2000年2月I日，由 Eric Leiiz申請之稱爲「將限制環置於電漿處理室中之基 於電腦輔助製造（CAM )的配置」的美國專利第 6,019,060號中，其全部會倂入作爲參考。此種電漿限制 系統係用於由加州的Fremont之Lam硏究公司所製造之 2 3 0 0 E X e 1 a η 室中。 在理論未限制之下，認爲在自基板上移除有機材料時 ，與基板的中心相較，基板的邊緣處之塡料效應會導致基 板的外部直徑處之可消耗的有機材料缺乏，這會使有機材 ' 料的移除不均勻，其中較靠近基板的邊緣之有機材料會較 快移除。因此會導致有機材料之下的層之蝕刻不均勻或損 壞。在基板的邊緣處提供較高濃度的含碳成分已知可使有 機材料的移除較爲均勻。 可用於本發明的一些含碳成分爲ch4、C2H4、C0、 -9- 1375269 .·* ♦* (6) . CH3F、CH2F2、以及CF4。對於一些應用而言，較佳爲使 - 用無含碳成分的氟。 可用來移除有機成分的一些氣體爲02、〇2/Ν2、 02/C0、〇2、ΝΗ3、ν2/η2、ν2ο、以及 η2〇。 剝除 本發明的製程之一例係提出均勻剝除光阻遮罩。圖2 φ係用於此例的製程之流程圖。在此例中，低k介電層（較 佳爲有機矽玻璃）會形成於基板上。圖3A-C係根據圖2 的製程之低k介電層（k < 3.0 )的槪要側面圖。低k介電 層3〇4會沈積於基板308上（步驟204)，如圖3A中所 顯示。基板308可爲矽晶圓或另一類型的材料，或可爲晶 圓上之層的一部分。覆蓋層312會形成於低k介電層304 上。覆蓋層312可爲氧化矽。一般而言，覆蓋層爲介電材 料的保護層。在化學機械硏磨（CMP)及其他製程期間， φ覆蓋層312會保護低k介電層304。因爲覆蓋層爲終端產 品的一部分，所以覆蓋層312可爲低k介電質。較佳而言 ，覆蓋層可爲氧化矽的基本材料。抗反射塗層（ARC ) 314會沈積於覆蓋層312上。抗反射塗層（ARC) 314可 ' 爲有機底部抗反射塗層（BARC )或無機介電抗反射塗層 (D ARC )。圖案化光阻遮罩316會置於ARC 3〗4上（步 驟208)。圖案化光阻遮罩316具有隙縫320。圖案化光 阻遮罩會藉由放置一層光阻（其會暴露於光圖案，然後蝕 刻）而形成。可使用形成圖案化光阻遮罩的其他方法。基 -10- ⑧ 1375269 .·· ·. (7) • 板.308具有接點309及位障層310» • 基板3 08會置於處理室中，其中會蝕刻低k介電層 304 (步驟 212 )。 在此實施本發明的例子中，由加州的Fremont之Lam 硏究公司所製造之23 00 Exel an室係用來當作用於200mm 晶圓之蝕刻製程室（使用如上述之具有調整氣體的雙分氣 系統）。圖5係此種系統500的槪圖。在此例中，電漿處 φ 理室5 00包含限制環502、分氣板504 '下方電極508、氣 體來源510、以及排氣泵520。在電漿處理室500內，基 板晶圓308 (介電層會沈積於其上）會沈積於下方電極 5 0 8上。下方電極5 0 8會倂入合適的基板夾盤機制（例如 ，靜電的機械夾鉗，或類似之物），以支撐基板晶圓308 。反應器頂端5 28會倂入立即沈積於下方電極508的對面 之分氣板5〇4 ◊分氣板會形成上方電極，其會接地。分氣 板504、下方電極508、以及限制環502會界定出受限的 φ電漿容積540。 圖6係分氣板504的底部槪圖》分氣板包含內部區板 . 512及外部區板516。複數個接口 518會形成於內部區板 512及外部區板516上。接口 518可置於各種配置中，其 中所顯示的配置主要係用以繪示每一區板具有複數個接口 518。內部區板512及外部區板516會與下方電極508上 的晶圓580隔開且相對。氣體來源510可爲將不同氣體提 供給內部區板512及外部區板516之任何氣體來源。 藉由氣體來源5 1 〇，氣體會經由內部區板5 1 2及外部 -11 - 1375269 .*% ‘· (8) • 區板516的接口 518而傳送至受限的電漿容積，並且會藉 -由排.氣泵520，從受限的電漿容積經由限制環502及排氣 口排放。排氣泵520會形成電漿處理室的氣體出口。RF 來源548係電性連接至下方電極508。室壁552係界定電 漿邊界，其中會配置限制環502 '分氣板504、以及下方 電極508。RF來源548會包含以27MHz運作的高頻電源 及以2MHz運作的低頻電源。分氣板504會接地。RF電源 φ連接至電極可進行不同的組合。控制器5 3 5可控制地連接 至RF來源548、排氣泵520、以及氣體來源510。 圖4A及4B係繪示電腦系統8 00，其適合用來當作控 制器535。圖4A係顯示可用於控制器340之一可行實際 形式的電腦系統。當然，電腦系統可具有範圍從積體電路 、印刷電路板、以及小手持式裝置到巨大超級電腦之許多 實際的形式。電腦系統800包括監視器802、顯示器804 、外蓋 806、碟機8 08、鍵盤810、以及滑鼠812。碟片 爲電腦可讀取媒體，用來使資料轉移至電腦系統800 ，以及從電腦系統800轉移資料。 圖4Β係電腦系統800的方塊圖之一例。附加於系統 匯流排820的是多種子系統。處理器822(也稱爲中央處 理單元，或CPU)會耦接至儲存裝置，包括記憶體824。 記憶體8 2 4包括隨機存取記憶體（R a Μ )及唯讀記億體（ ROM )。如此技術中所熟知的，ROM係用以單向將資料 及指令轉移至CPU，而RAM通常會以雙向形式轉移資料 及指令。這些類型的記憶體均可包含任何適合類型之底下 -12- (9) 1375269 所述的電腦可讀取媒體。固定磁碟826也會雙向耦接至 CPU 8 22;其可提供額外的資料儲存能力，並且也可包含 任何之底下所述的電腦可讀取媒體。固定磁碟826也會用 來儲存程式、資料、以及類似之物，並且通常爲比主要儲 存器慢的次要儲存媒體（如硬碟）。將會了解到的是，在 適當的情況中，固定磁碟826內所保留的資訊會以標準形 式倂入當作記憶體824中的虛擬記憶體。可移除碟片8 1 4 _可採用任何之底下所述的電腦可讀取媒體之形式。 CPU 8 22也會耦接至多種輸入/輸出裝置，如顯示器 804、鍵盤810、滑鼠812及揚聲器830。一般而言，輸入 /輸出裝置可爲視訊顯示器、軌跡球、滑鼠、鍵盤、麥克 風、觸控感應式顯示器、轉換卡讀取器、磁帶或紙帶讀取 器、平板電腦、尖筆、語音或手寫辨識器、生物辨識讀取 器、或其他電腦中的任一種。CPU 822可選擇性地耦接至 另一電腦或使用網路介面840而耦接至電信網路。具有此 φ種網路介面，可考量到的是，在執行上述的方法步驟之過 程中，CPU可接收來自網路的資訊，或可將資訊輸出至網 路。再者，本發明的方法實施例可僅在CPU 822上執行， 或在網路（如結合共享一部分處理之遠端CPU的網際網 路）上執行。 此外，本發明的實施例進一步有關於具有電腦可讀取 媒體的電腦儲存產品，其上具有電腦碼，以執行各種電腦 實施的運作。媒體及電腦碼可以是特別設計且用於本發明 的目的之媒體及電腦碼，或可以是熟習電腦軟體技術者所 -13- 1375269 *. (10) * 熟知且可用的此種媒體及電腦碼。電腦可讀取媒體的的例 • 子包括，但不受限於：如硬碟的磁性媒體、軟碟、以及磁 帶；如CD-ROM的光學媒體及全像裝置；如光學碟片的磁 性光學媒體；以及特別用以儲存及執行程式碼的硬體裝置 ，如特定應用積體電路（ASIC )、可程式邏輯裝置（PLD )、以及ROM與RAM裝置。電腦碼的例子包括如電腦所 產生的機械碼，以及包含使用解譯器而由電腦所執行之高 φ層碼的檔案。電腦可讀取媒體也可以是由以載波實施的電 . 腦資料訊號所傳送之電腦碼，並且.代表可由處理器執行之 —連串指令。 電漿乾蝕刻可用來蝕刻低k介電層3 04，其會形成位 於圖案化電阻遮罩316中的隙縫320之下的開口 324，如 圖3B中所顯示。在低k介電層蝕刻的期間，會移除某些 圖案化電阻遮罩3 1 6。此種低k介電層蝕刻可使用化學蝕 刻，如使用以氟爲基礎的蝕刻劑。 φ 然後，在不損害低k介電層之下，均勻剝除製程會用 來移除電阻遮罩316。爲了提供均勻剝除製程，第一氣體 . 會提供給內部區512(步驟216)。在此例中，第一氣體 爲純〇2。第二氣體會提供給外部區516 (步驟22 0 )。在 此例中，第二氣體爲用以剝除之〇2及如含碳氣體的C2H4 之混合物。電漿會自第一氣體及第二氣體產生（步驟224 )。電漿係用來產生均勻光阻帶（步驟228 )。 因此，在此例中，含碳氣體不會直接提供給內部區。 在此種的一實施例中，雙氣體餽入器會使內部區與外部區 -14- (11) 之間的〇2之流動分開。然後，C2H4的調整氣體只會加入 外部區。在方法的一例中，室壓會設定在20m托爾（Torr )。下方電極在27MHz時會提供600瓦，以及在2MHz時 會提供〇瓦。3〇〇sccm的〇2會提供給此室，並且（：2只4的 調整氣體只會加入外部區。這會保持60秒。 較佳剝除製程將具有介於0與l〇〇〇m托爾之間的室壓 、具有介於〇與1000瓦之間的較低頻（亦即，2MHz)電 源、介於50與1000瓦之間的較高頻（亦即，27MHz)電 源、介於20與2000sccm之間的02流、以及介於1〇與 2000sccm之間之只會加入外部區的C2H4。 更較佳剝除製程將具有介於】與500m托爾之間的室 壓、具有介於〇與500瓦之間的較低頻（亦即，2MHz ) 電源、介於〗〇〇與900瓦之間的較高頻（亦即，27MHz) 電源、介於100與lOOOsccm之間的O2流、以及介於20 與I OOOsccm之間之只會加入外部區的C2H4。 在另一實施例中，第一氣體爲純氧〇2，而第二氣體 爲C2H4。會有足夠的塡料，使得足夠的〇2從內部區移至 外部區，以均勻剝除光阻。 在某些蝕刻製程中，蝕刻殘餘物會重新沈積。會希望 提供小量的氟，以協助移除蝕刻殘餘物。在此種情況中， 含碳成分可爲ch3f »在較佳實施例中，ch3f只會提供給 外部區。雖然來自ch3f的氟只會直接提供給外部區，但 是足夠的氟會從外部區移至內部區，以降低遮蔽。 1375269 - (12) • 回蝕 本發明的製程之另一例會提供均勻孔洞插塞移除製程 。圖7係用於此例中的製程之流程圖。介電層會沈積於基 板上，並且孔洞會形成於介電層中（步驟704 )。基板可 爲矽晶圓或另一類型的材料，或可爲晶圓上之層的一部分 。有機材料的孔洞插塞會形成於孔洞中（步驟708)。然 後，渠溝圖案光阻遮罩會置於介電層上。 φ 基板會置於處理室中，其中會鈾刻介電層（步驟712 )。會使用上述的製程處理室或其他製程處理室。電漿乾 蝕刻會用來蝕刻介電層，以形成渠溝。在渠溝蝕刻的期間 ，孔洞插塞會用來降低刻面。在渠溝蝕刻的期間，柵欄結 構會形成於孔洞頂端附近。在渠溝蝕刻的期間，會移除某 些圖案化光阻遮罩。 回蝕製程會用來降低孔洞插塞高度。在渠溝蝕刻的期 間，因爲真有正確孔洞高度的栅欄結構，所以可降低或去 φ除孔洞的刻面。因此在孔洞蝕刻之後，孔洞插塞高度的降 低會達成，但是在渠溝圖案化之前，會塡滿有機B ARC。 爲了提供回蝕製程’第一氣體會提供給內部區（步驟7 1 6 )。在此例中’第一氣體爲純〇2。第二氣體會提供給外 部區（步驟720 )。在此例中’第二氣體爲純c2h4。電费 會自弟一氣體及弟一氣體產生（步驟724)。電號係用來 移除孔洞插塞（步驟728)。此種製程也可用來剝除其餘 的光阻。 此種製程可均勻移除插塞’其會使雙金屬嵌刻結構中 -16- 1375269 . ·. (13) • 產生一致栅欄及無孔洞刻面之優點。 • 因此，在此例中，含碳氣體不會直接提供給內部區。 在此種的一實施例中，雙氣體餽入器會使內部區與外部區 之間的〇2之流動分開》然後，C2H4的調整氣體只會加入 外部區。在方法的一例中，室壓會設定在4 00m托爾。下 方電極在27MHz時會提供〇瓦，以及在2MHz時會提供 600瓦。300sccm的〇2會提供給此室，並且C2H4的調整 φ氣體只會加入外部區。這會保持60秒。 較佳均勻插塞移除製程將具有介於0與1000m托爾之 間的室壓、具有介於5 0與1 〇 〇 〇瓦之間的較低頻（亦即， 2MHz )電源、介於〇與1〇〇〇瓦之間的較高頻（亦即， 27MHz)電源、介於20與2000sccm之間的〇2流、以及 介於10與2000sccm之間之只會加入外部區的C2H4。 更較佳均勻插塞移除製程將具有介於1與5 00m托爾 之間的室壓、具有介於0與5 〇 〇瓦之間的較低頻（亦即， 肇2MHz)電源、介於1〇〇與900瓦之間的較高頻（亦即， 27MHz)電源、介於100與i〇〇〇sccm之間的〇2流 '以及 介於20與l〇〇〇sccm之間之只會加入外部區的c2h4。 BARC 開口 本發明的製程之另一例會提供均勻BARC開口製程。 圖8係用於此例中的製程之流程圖。在此例中，介電層會 形成於基板上。介電層會沈積於基板上（步驟804)。基 板可爲矽晶圓或另一類型的材料，或可爲晶圓上之層的一 -17- (14) 1375269 .·- - 部分。BARC層會形成於介電層上（步驟808 )。然後’ - 圖案化遮罩會置於BARC層上（步驟810)。 基板會置於處理室中（步驟812)。會使用上述的電 漿製程室或其他電漿製程室。然後，均勻BARC開口製程 係用以使BARC層開口。爲了提供均勻BARC開口製程， 第一氣體會提供給內部區（步驟816)。在此例中，第一 氣體爲N2/H2。第二氣體會提供給外部區（步驟820)。 φ在此例中，第二氣體爲純C2H4。電漿會自第一氣體及第 二氣體產生（步驟824)。電漿係用來均勻地使BARC層 開口（步驟828 )。 因此，在此例中，含碳氣體不會直接提供給內部區。 在此種的一實施例中，雙氣體餽入器會使內部區與外部區 之間的〇2之流動分開。然後，C2H4的調整氣體只會加入 外部區。在方法的一例中，室壓會設定在60m托爾。下方 電極在27MHz時會提供600瓦，以及在2MHz時會提供 φ27瓦。300sccm的〇2會提供給此室，並且C2H4的調整氣 體只會加入外部區。這會保持60秒。 . 較佳BARC開口製程將具有介於0與I 000m托爾之間 的室壓、具有介於0與】000瓦之間的較低頻（亦即， 2MHz)電源、介於50與1 000瓦之間的較高頻（亦即， 27MHz)電源、介於20與2000SCCm之間的02流、以及 介於10與20 0(^ccm之間之只會加入外部區的c2H4。 更較佳BARC開口製程將具有介於1與500m托爾之 間的室壓、具有介於0與5 00瓦之間的較低頻（亦即， -18- ·. (15) 1375269 • 2MHz )電源、介於100與900瓦之間的較高頻（亦即， 27MHz)電源、介於1〇〇與lOOOsccm之間的〇2流、以及 介於20與lOOOsccm之間之只會加入外部區的c2h4。 其他例子可使用藉由提供外部區上之較高濃度的含碳 成分之本發明的製程，以均勻蝕刻含矽低k(SiLK)層。 這可使渠溝的均勻性改善，並且在孔洞的情況中，改善的 均勻性較可使過度蝕刻較爲減少。 φ 可找出替代使塡料減少，以使晶圓的外部之蝕刻變慢 ，以提供較爲均勻的蝕刻之含碳成分的其他成分。 其他的分氣實施例可用於其他實施例中，以將第一氣 體提供給內部區，以及將第二氣體提供給圍繞內部區的外 部區，其中第一氣體與第二氣體不同。例如，外部區域中 的另外接口可提供不同成分的氣體，其會共同組成提供給 外部區的第二氣體，及/或內部區域中的另外接口可提供 不同成分的氣體，其會共同組成第一氣體，使得第一氣體 φ與第二氣體不同。然而，較佳而言，在第一氣體提供給此 室之前，第一氣體的成分氣體會限制在分氣系統中，而在 第二氣體提供給此室之前，第二氣體的成分氣體會限制在 分氣系統中》 雖然本發明已就許多較佳實施例來說明，但是會有落 於本發明的範圍內之變化、修飾、變更、以及替代等效物 。也應該知道的是，實施本發明的方法及裝置會有許多變 化方式。因此意謂以下後附的申請專利範圍係解讀爲包含 落於本發明的真實精神及範圍內之所有此種的變化、變更 -19- 1375269 ψ ，· (16) . 、以及替代等效物。 【圖式簡單說明】 本發明係藉由附圖的圖式中之例子來說明，而不是限 制’其中相似參考標號係與相似元件有關，且其中： 圖1係本發明的一實施例之流程圖； 圖2係本發明用以剝除的一實施例之流程圖； φ 圖3A-C係根據圖2中所顯示的製程所處理之基底的 - 截面圖； 圖4A-B係可用來當作控制器的電腦系統之槪圖； 圖5係可用來實施本發明的此種處理室之槪圖； 圖6係氣體分佈板的槪要底部圖； 圖7係本發明用以移除孔洞插塞的一實施例之流程圖 ’以及 _ 8係本發明用以使底部抗反射塗層（BARC )開口 •的〜實施例之流程圖。 【逢 鼕元件符號說明】 3〇4 低k介電層 3 〇8 基板 3〇9 接點 31〇 位障層 3l2 覆蓋層 3 1 4 抗反射塗層 -20- (17)1375269

3 16 圖案化光阻遮罩 320 隙縫 324 開口 500 系統 502 限制環 504 分氣板 508 下方電極 5 10 氣體來源 5 12 內部區板 5 16 外部區板 5 18 接口 520 排氣栗 528 反應器頂端 535 控制器 540 受限的電漿容積 548 RF來源 552 室壁 800 電腦系統 802 監視器 804 顯示器 806 外蓋 808 碟機 8 10 鍵盤 8 12 滑鼠 -21 (18)1375269 8 14 碟 片 822 處 理 器 824 記 憶 體 826 固 定 磁 碟 830 揚 聲 器 840 網 路 介 面

Claims (1)

1375269 附件3A:第〇94i2〇〇〇5號專利申請案中文申請專利範圍修正本 ^ ；

十、申請專利範圍 1. 一種基板上的有機材料之移除方法，包括： 將該基板置於電漿處理室中： 提供第一氣體給該電漿處理室內的內部區，其中經由 該電漿處理室的頂板中之第一組孔提供該第一氣體給該內 部區，其中該頂板位於該基板之上，其中該內部區包括有 機材料移除氣體，其中該第一氣體無含碳成份； 提供第二氣體給該電漿處理室的外部區，其中該外部 區圍繞該內部區，並且該第二氣體具有含碳成分，其中該 第二氣體之含碳成分的濃度大於該第一氣體之含碳成分的 濃度，以及其中經由該頂板中之第二組孔提供該第二氣體 給該外部區； 從該第一氣體及該第二氣體同時產生電漿；以及 使用產生的電漿移除某些有機材料。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該外部區係 緊鄰於晶圓的邊緣，並且該內部區係緊鄰於晶圓的內部， 其係由緊鄰於該外部區之晶圓的邊緣所圍繞。 3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中含碳成分爲 CH4、C2H4、C0、CH3F、CH2F2 以及 CF4 中的至少之一。 4. 如申請專利範圍第3項之方法，其中不是含碳成 份的第一氣體及/或第二氣體的部份是有機材料移除氣體 ，其包含 〇2、〇2/N2、02、NH3、N2/H2、N20、以及 H20 1375269 中的至少之~。 5.如申請專利範圍第1項之方法，其中介電層係介 於該有機材料與該基板之間，其中移除某些該有機材料係 移除該介電層上的某些有機材料。 6·如申請專利範圍第5項之方法，其中該介電層爲 低k介電質。 1.如申請專利範圍第5項之方法，其中該有機材料 爲底部抗反射塗層，其中光阻遮罩係位於該底部抗反射塗 層上’其中移除某些該有機材料會使該底部抗反射塗層開 □ β 8_如申請專利範圍第5項之方法，其中該有機材料 會形成光阻遮罩，並且移除某些該有機材料會剝除光阻遮 罩。 9·如申請專利範圍第8項之方法，其中該介電層爲 有機矽化玻璃層。 10.如申請專利範圍第5項之方法，其中該介電層具 有複數個孔洞，並且該有機材料會形成孔洞插塞，並且更 包括在將該基板置於該處理室中之後，蝕刻該介電層中的 複數個渠溝，其中移除某些該有機材料會降低該孔洞中的 有機插塞之高度。 1 1 .如申請專利範圍第1 0項之方法，其中蝕刻該複 數個渠溝會產生柵欄結構，其中移除某些該有機材料進一 步會移除該栅欄結構。 -2 -