TWI373999B - - Google Patents

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1373999 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於内藏有ic智略 印刷佈線板，更詳言之子零件(半導體元件)的多層 與多層印刷佈線板的導體電路；^之半^元件的禪塾(_' 1不易降低之多騎刷佈線^二^純接可靠 【先前技術】 =半導體元件的多層印刷佈線板係有 :Γ號公報或曰本專利特開= 半導體元件埋藏用凹部的層:刷佈線板係由:形成有 體元件；在基板上形成被覆^該丰二該基板凹部内的半導 形成於絕緣層表面上的物 ^ 件狀相絕緣層； 首咖 等體電路’以及設置於絕緣層中且將 ^導體電路與半導體元件的焊塾施行電性域的通孔；所構 接多層印刷佈線板係在最外層表面上設置外部連 便:㈣HBGA等）’而基板所_半導體元件 更，，、二由以外部連接端子進行與外部_電性墟。 孰如前述的習知技術，基板中所埋藏半導體元件的焊 墊關，在電_接性她接可#性上出現問題。 特=係半導體兀件料、或在該焊塾職接的通孔附近處， 將谷易發_接不良狀況。即，形成收容著半導體元件之凹 TF1008401 3 1373999 部的樹脂基板’主要係由使環氧 補強材尹的樹脂材科形成，因 '脂等含潤於玻璃織維布等 成凹部的底面，將依位置的㈣在_#孔加王等方式所形 容易使凹部深度呈不均勻狀離。形成不規則凹凸，結果便 的凹部四角落附近，將容易二2 =剖面幾近形成矩形 大多將無法彻峨體 持。在此絲μ，因騎；^是依某程錢斜狀態保 的傾斜狀態，因而焊㈣將形成某程度 難形成所需雜，導財祕行祕料孔便頗 現電性轉接性、_物__=狀況。結果，便出 將該ΐ導與凹部底面之間設置黏著劑層，並 狀態將呈：導τ於凹部底面時， 元件對凹部的劑層不易均句散開，因而半導體 保半導體元件的密接力/絲成不均勻狀態。導致不易確 體在純鄉件下騎可靠性試驗，时導致半導 =細部的密接性明顯降低的情況。 點，提尹—月之目的在於解決環繞習知技術的上述問題 仍可確保電^=半導^件㈣屬讀脂製’ 中，半導體-半.曰，、輕接可靠性，特別係在可靠性試驗 ¥塾與含有其所輕接通孔的導體電路間之 TF1008401 1373999 ^接可靠性^降低的多層印刷料板及其製造方法。 【發明内容】 本發明者等為能實現上述目的，經深入鑽研，结果發現，當 樹脂基板中㈣置的半導體轉收容用凹粒深虞衫某 程又句勻的If況下’基板所内藏半導體元件的焊墊、與其所 ^接的導體電路之間，將容易出現電性祕性與揭接$靠性 降低狀況，根據此種發現構建出如下内容社要構成，遂完 成本發明。 即，本發明係 ^種夕層印刷佈線板，係在收容有半導體元件的樹脂 乡巴緣層上’形成其他的獅崎層與導上述半導 體元件與導H電路之間雜由㈣(via⑽雜行電性減 而成的多層印刷佈線板；其中， V、導肢元件係收容於在樹脂絕緣層中所設置的凹部 内再=該凹部之底面形成有載置半導體元件的金屬層。 丹者，本發明係 絕(tr多層印刷佈線板’係在收容有半導體元件的樹脂 、:上，喊其他_脂絕緣層與導體電路，且 —件與導體電路之間係經由通 +導 層印刷佈線板;其中， 了電_接而成的多 内上Γ/導體立元件係收容於在樹脂絕緣層中所設置的凹部 ㈣k底面形成載置半導體元件的金屬層，而上 TF1008401 1373999 述其他的樹脂絕緣層係具有纖維基材而成。 上述(1)及(2)所，糾巾，最好在收 脂絕緣詹上形鱗㈣路而成，且 元件的樹 而與在其他的樹軌❹上所》^路係經由通孔， 接。 層上卿成料體電路騎電性輕 再者，最好純料⑽树的伽絕 路’且該導體電路係緩由金屬填充通孔 絕緣層上卿成導體魏進行電_接。/…、樹月曰 再者，收容半導體元件的樹脂絕緣層之厚户， 他的樹脂絕緣層之厚度。藉此，⑽== 層便較不易因熱等原因而二= 的福保半導體元件、與所輕接通孔間的輪接性與可靠性 再者’上述其他㈣脂絕緣層 半導體元件純容料導心心㈤路村延伸超過 牛導體兀件的树脂絕緣層的邊界之方 $置。藉此’半_件_接_路便將增 由度。此外’因為外縣接的焊塾、盘 、、良自 :係隔開，因而焊錫㈣外部便較不易受到因熱= 力的影響，亦推定可禮保轉接性與可靠性。 產生應 再者’本發明實施形態中’亦可形絲接於金屬層 匕，構成經由該通孔將半導I#开#, 即，可m & 料導體兀件所發生的熱進行散熱。 到的丰.1 屬相導減，藉此將由金屬層所接受 到的+導體元件熱釋放出於外部。 接又 TF1008401 1373999 再者’本發明係 印刷佈線板，係在收容有来、·_ ，:成其他的樹脂絕緣層與導體電t體元件的樹脂 兀件與導體電路之間係經由通 i且上述半導 層印刷佈線板；其令， 电性耦接而成的多 上述半導體元件係收容於樹脂絕 ⑽^職敍上料導心件t置的凹部 /蜀層係形成大於凹部之底面之 ♦屬層，而 猎由此種構造，便可輕易地確保 '的面積。 外’在基板凹部形成之際，亦 =的收納性。此 :輕易地將軸緣層中所設置二::;狀況。所以， ^不易受其他因素(例如未發生形成凹:成均句狀 與形成金屬層時的影響等）的影響。 $的凹凸影響、 样明中’上述金屬層最好係録面經平 為在半導體元件與金屬芦 —匕。理由係因 地呈厚度均句狀態，因而，可輕易 在熱循環條件下重複施行式、=妾f生均寻，即使 接性。 罪陡私仍可輕易地確保其密 开二，述金屬層最好係由軋延峨成。若由乳延銅箱 料導/^地確縣屬層的平域。此外，亦將容易確 保+導以件的_性與半導體元件的密接性。 再者’上述樹脂絕緣層之凹部之壁面最好裸露出而成。 TF1008401 7 1373999 即，在半導體元件收納時，凹部壁面呈裸露狀態。藉此，可 確保半導體元件的收納性。此外，在凹部壁面上可填充著黏 著劑與其他的樹脂絕緣層，便能輕易地確保半導體元件的接 合性與半導體元件的電耦接性。 再者，上述金屬層最好經雷射處理而裸露出。藉此，凹部 深度便可輕易地呈均勻。 再者，在上述凹部内所裸露出的金屬層厚度，最好較薄於 . 非裸露出部分的厚度。藉此，在半導體元件收納的區域中形 肇 成凹洞，因而推定將可輕易地確保半導體元件的收納性。 再者，上述凹部内所裸露出的金屬層表層最好屬於光澤面 (shiny surface)。理由係若為光澤面，則將可輕易地確保金 屬層與半導體元件間之密接性，並可輕易地確保半導體元件 的耦接性與可靠性。此外將可使在半導體元件與金屬層之間 所形成的黏著劑層厚度呈均勻，因而半導體元件的密接性均 等，即使在熱循環條件下重複施行可靠性試驗，仍可輕易地 鲁 確保密接性。 再者，上述金屬層裸露於上述凹部内之表面的相反側表 面，最好為無光澤面（mat surface)。理由係將確保與其他的 樹脂絕緣層間的密接性。 再者，上述金屬層最好經由黏著劑層，黏合有半導體元 件。因為在金屬層上形成黏著劑層，因而黏著劑層容易呈均 勻狀態，俾可輕易地確保半導體元件的接合性。且，將可輕 TF1008401 8 1373999 易地確保半導體元件、虚 再者， /、斤耦接通孔間之耦接性與可靠性。 丹者上遂黏考劑層喿 的底部周緣處。藉_著_ ==體71件之底面與側面 , β㈢接觸到半導體元件底面與側面 =周緣處’便可“地確料導體元件的密接性。 内二=最好預先内藏於收容半導趙元件的基板 μ错由内臧於基板内，便可 Η^ , 4 減I因其他因素對金屬層平扫 性造成損傷狀況。因而，將可釦且从+ 一 密接性。 地確保與半導體元件間之 再者，該金屬層最好預先内藏於基板 做円、或大致平坦。藉 此，便可輕易地使樹脂絕緣層中所吟番& ^ , 又置的凹部深度呈均勻狀 怨，不易受其他因素（例如未發生形成 X u 〇p時的凹凸影塑、 與形成金屬層時的影響等）的影響。 a 所以，當在凹部中收容半導體元件之阪 ’將可抑制半導妒 元件之傾斜，因而當在樹脂絕緣層中开ο、 v成通孔（其輕接於所 收容半導體元件的焊墊*)之際，亦可形由 战所需的通孔形狀。 藉由金屬層呈大致平坦狀態’在半導體元杜 件表面所配置的雷 極焊墊亦將大致平坦化，因而將可輕昱k 易地確保通孔的耦接 性。 再者，藉由將上述供收容半導體元件的 * W部側面形成推姑

形狀，便可使凹部内所收容的半導體元体B 千’即使承受到側面 方向的應力（例如熱應力、外部應力等），h ;仍可緩和該應力。 此外，將半導體元件固接的黏著劑，亦达 口為黏著劑不致沿 TF1008401 9 1373999 凹部側面擴散，而較不㈣低半導體元件對凹部底部的密接 =者，本發明中，在上述半導體元件的焊墊上亦可形成柱 狀=極或填隙層（i血stitial 理由係將可輕易地進行

半導體元件的焊墊、與通孔間之電,_接。 T 半導體元件的焊塾-般係由铭等進行製造，但是特別係在 未形成有填隙層的！s料焊墊狀態下，當湘光_處理在 層間絕緣層上形成通孔時，在曝光、顯影後，將容易於焊塾

表層上殘留樹脂，且除此之外，因顯影液的附著亦有發生焊 墊變色的狀況。 X =方面，當利用雷射形成通孔的情況時，鋁製等焊墊將 有的危險性。且，若依不會燒傷的條件施行雷射照射， 仍有在焊塾上發生樹脂殘餘的情況。此外，經*後步驟(例 =利用k、氧化劑或綱液施行浸潰步驟、各種回火步驟 等)亦有半導體元件焊塾發生變色或溶解的狀況。況且， 半導體it件焊㈣製成直徑卿m左右而通孔則製成較其 更大的直徑’因而將容易發生位置偏移等狀況，導致焊墊與 通孔間容易發生未_接等+ 〃 相對於此’藉由在半導體元件的焊塾上設置由鋼等構成的 填隙層’便可解除通孔形成的不良狀況，可使用溶劑，因而 可防止焊塾上發生樹脂殘餘狀況，且即使經由後步驟，仍不 致毛生焊^^色與溶解狀況。藉此，焊塾與通孔間之電性麵 TF100B401 i：s73999 接性與耦接可靠性便不致降低。此外，藉由介設著大於半導 體元件晶粒座之直徑的填隙層’便可將焊墊與通孔確實地進 '' 行耦接。

再者’猎由填隙層的没置，當將半導體元件埋藏、收容於 印刷饰線板中時，於收容之前或之後，均可輕易地執行半導 體元件的動作確認與電性檢查。理由係因為形成大於半導體 几件焊墊的填隙層，因而將可輕易地接觸及檢查用探針頭。 错此，便可預先判定產品的良否，將可提升生產性與成本 面。此外’雜不易隨針而造成焊墊缺損或傷害等狀況。 ㈣，藉由在半導體元件焊塾上形成填隙層，便可恰當的執 仃將半導體元件埋藏、收容於印刷佈線中。 再者，本發明係 (4)—種多層印刷佈線板，伤 係在收容有半導體元件的樹脂 層印刷佈線板；其中， 象層上，形成其他的樹脂絕緣層與導體電路，且上述 ^件與導體料之間係經由觀進行紐祕而成的多 上述半_科魏料錢料緣層巾所設置的心 :上^該畴μ㈣錢置上述半導航件的金 且上述凹部的壁面係裸露出。 本發明中，在由凹部之壁面蛊 隙中，最好填充有樹脂層。㈣側面所構成的 元件安^訂㈣地私，將使半導免 y、半％•肢元件的耦接性與可| TF1008401 1373999 性。 再者，最好在由凹部之壁面與半導體元件側面所構成的間 隙中填充有樹脂絕緣層，且與樹脂絕緣層成一體化。藉此， 因為形成通孔的樹脂絕緣層、與由凹部壁面與半導體元件側 面所構成的間隙中的樹脂絕緣層，係屬於同一材料，因而可 抑制因材料間的熱膨脹係數差等，將發生熱應力的狀況，俾 可使半導體元件安定，便可輕易地確保半導體元件的輕接性 與可靠性。 再者’在基板中所設置的凹部係可形成具有隨著其側面從 底面朝向上方而呈逐漸擴大的推拔形狀。 再者，在半導體元件的焊墊上可形成柱狀電極或填隙層， 經由該柱狀電極或填隙層便可將半導體元件烊墊與通孔進 行電性轉接。 再者，本發明係 (5)—種多層印刷佈線板 ^ , 、·…丨不你队合百牛導體元件的樹, 、’巴、’ s上，形成其他的樹脂絕緣層與導體電路，且上述半 2件與導體電路之間係經由通孔進行電㈣接而^的 層印刷佈線板；其中， 上述半導體元件係收容於在樹脂絕緣層中所設置的凹 ’並在伽狀底㈣絲置上料導體元件的 而在形成上述通孔的開口係填充著導電性物質而成" 本發明中，因為通孔係屬於所謂的填充洞⑽咖叫 TF100840] 12 ^73999 導體元件的電性鍵特性將容易安定。所以， :易使_性呈安定。此外，t在通孔上層設置 導 :，兄時，不易發生波浪起伏等狀況，可輕易地二 接性。另外，導電性物質係可使用鐘敷、導電性糊电 再者，通孔之剖面係呈鼓型形狀，即形成在厚度方向^朝 則凹陷的形狀。U此，因為難絕緣層與通㈣合 亦推測將可輕易地獲得通孔的接合性。 而 4=墊最好配置於上述半導體元件的上方。依此， 獲得電特=離便可輕易地呈最短距離，將可輕易地 樹最好在上述其他的樹脂絕緣層上，積層1層以上的 ^緣層’麵賴導體電路_的通孔。舰，更 定即使半導體元件與外部搞接均發生位置 荨狀況，仍可輕易地獲得耦接性與可靠性。 居再者4，在上述半導體元件焊墊上最好形成柱狀電極或填隙 叫接㈣錄狀電極或填_，將上述焊塾與通孔進行電 再者’本發明係 (6)種多層印刷佈線板’係在收容有半 :緣:上’形成其他的樹脂絕緣層與導體電二 TF1008401 13 1373999 上述凹部側面係形成隨著從底面朝向上方呈逐漸擴大的 推拔形狀的多層印刷佈線板》 本發明甲，凹部的推拔形狀係側面與底面的夾角度中較小 的角度最好在60度以上，且未滿90度。理由係將可缓和半 導體元件側面的應力，俾可抑制半導體元件位移狀況。 再者，上述凹部壁面最好裸露出。藉此便可使凹部形狀安 定，且可確保半導體元件的收容性。 再者，由上述凹部壁面與半導體元件側面所構成的間隙 籲 中，最好填充有樹脂層《藉由樹脂的填充，便可使半導體元 件安定’將可輕易地確保半導體元件的耦接性與可靠性。 再者’由上述凹部壁面與半導體元件側面所構成的間隙最 好填充有樹脂絕緣層，且與樹脂絕緣層呈一體化。藉此，為 形成通孔的樹脂絕緣層、與在由凹部壁面與半導體元件側面 所構成間隙中填充的樹脂絕緣層，係屬於同一材料，因而將 可抑制因材料間的熱膨脹係數差等，而發生熱應力的狀況，擊 俾使半導體元件安定，因而可輕易地確保半導體元件的耦接 性與可靠性。 再者，本發明係 (Ό一種多層印刷佈線板之製造方法，係製造在收容、固 定半導體元件而成的樹脂絕緣層上，依序形成其他的樹脂絕 緣層與導體電路，且上述半導體元件與導體電絡之間，經由 通孔進行電性耦接的多層印刷佈線板之多層印刷佈線板之 TF1008401 1373999 製造方法， 其製造步驟中至少包括有以下(a)〜(f)步驟即 ，成第-絕緣性樹脂基材之步驟，而該第 脂基材係在樹脂絕緣層其中一面 、·吐衝 及關聯於所收容之半導體元件’至少形成：導體電略、 層，並在上述樹月旨絕緣層的另_^尺寸的既定面積的金屬 及關聯於上述金屬層相對向上’至少形成:導體電％、 面積的非導體電路形成區域，更形處半導體細尺寸之_ 電路、與另-面的導體電 二成將上述其中—面的導缝 (b)將在樹脂絕緣層其中_ k孔而成， 樹脂基材，壓接於上述第^緣性 、、邑緣性Μ知基材的上述其中一 而一體化的步驟； 八 由 ⑷在上述第二絕緣性樹脂基材其中— 同時，形成將該導體電路μ、+ΐ 料租電路之 上述其中-面上㈣成” 雜樹脂基材之 步驟； 电路，進仃電性耦接之通孔的 W在上述第一絕緣性樹脂基材 「 中，形成從樹_層—•編^部== 屬層表面裸露出的步驟； P並使生 (e)將半導體元件收容於 固定於裸露出於上述凹部内=著劑’黏著、 (〇被覆上述半導體元件，並化皮屬層^甘面的步驟；及 依序形成其他的樹脂絕緣層與 TF1008401 15 1373999 導體電路，之後，形成將上述半導體元件與導體電路 電性耦接之通孔的步驟。 叮 本毛明的衣&方法中，上述凹部利用 =，上械物織㈣上方呈成遂 漸擴大的推拔形狀。 、 上述半導體元件係若縣在其㈣上形成柱狀電核 =’便可經由該检狀電極或填隙層，將上 ： 孔進仃電性耦接。 、嗖 根據本《月的製造方法藉由在樹脂絕 :==層™地_深度二 可輕二：:：矩形的情況’就㈣— 再者，該金屬層最好預先内藏且大 便可輕易地使樹脂絕緣層中所< w ^立由係猎此， 態，不易受其他因細如未H 度呈均句狀 X生开J成凹部時的凹凸影鍵 與形成金屬層時的影響等）的影響。 θ、 再者，因為金屬層形成於樹脂絕緣層内，因而將 t力或外部應力等影響而發生_曲的情況。結果，例如^ 導體兀件_接料、與通孔等的導體電路間將不易2 接:，，因而將可輕易地確保電_輕接可;性 性與減可靠性。 進一步輕易確保電輕接 TFI008401 16 【實施方式】 .=多層印刷佈線板之一實施形態係在收 =的樹㈣緣層上，依相成有其他 2 電路’並訂料導體元件與轉 1、¥體 路間，唑由通孔進;r恭一 及上下的導體電 於.半導㈣多層印刷佈線板，其特徵在 = . + 練容於_躲層巾所妓的 在該凹部底面形成有載置半導體元件的金屬声。 亚 ::導體元件依傾斜狀態收容、内藏於凹部:，即=: + v體兀件的基板係樹脂製，仍可在半導體元件純輝塾、 與^有其所驗通孔的導體電路間，確保電⑽接性與輕接 可靠性的特徵。 再者，該金屬層最好預先内藏於基板内，且大致平扭。夢 此，便可輕㈣使樹脂絕緣層巾所設置的凹部深度呈均句狀 態’並不易受其他因素(例如树生形成凹料的凹凸影 響、與形成金屬層時的影響等）的影響。 本發明實施形態所使用收容著半導體元件的樹脂絕緣 層’係可使用選擇自諸如玻璃纖維布環氧樹脂基材、驗樹脂 基材、玻璃纖維布雙馬來亞_2畊樹脂(bismaieimide tnazineresin)基材、玻璃纖維布聚一樹脂基材、聚酸胺不 織布-環氧樹脂基材、聚雜不織布、聚_胺樹脂基材等之 TF1008401 17 2硬質積層基材等哪之+，最好為玻璃環氧、預浸體、 h潤騎等樹脂材料的纖維基材。除此之夕卜尚可使用一 2印刷佈線板所使用的物質。可使用諸如：雙面或單面貼銅 、板《未具金屬膜的樹脂板、樹脂薄膜、或該等的複合 材料。 σ 上述樹職材其厚度最好在2G〜35_範㈣。理由係若 "/範圍内，便可輕易地確保層間絕緣層的絕緣性，並 :輕易地形顿行層_接的通孔，且可減輕_接性降低 程度。 _ 本I月具知形態中’供形成導體電路用的金屬層及在設 置於樹脂料層中之凹部底面上所形成金屬層，最好使用又 銅 '。其理由係利祕刻處理⑽hing)便可輕易地施行加工。 斤以可任思改變金屬層的大小。此外，即便使在凹部底面 所$成孟屬層具有電轉接性的情況，仍可具有優越的電特 性。 供形成上述導體電路用的銅箔，其厚度最好設定在 5〜20叫範_。其理由係細厚度在此種範圍内，當使 用如後述的雷射加工，在絕緣性樹脂基材上形成通孔形成用 開口之際，將無開口周緣的銅结出現變形的威脅，且可使導 體電路的形成趨於容易。此外，因為利用關處理，便可輕 易地开> 成細微線寬的導體電路圖案。 本發明實施形態所使用銅络亦可利用半姓刻處理，進行該 TF1008401 1373999 厚度的調整。此情況下，樹脂絕緣層上所黏貼的銅箔厚度將 使用大於上述數值者，且最好將經蝕刻後的銅箔厚度調整為 、 5~20μιη。 '再者，當雙面貼銅積層板的情況中，雖將銅箔厚度設定在 上述範圍内，但是亦可雙面為不同的厚度。藉此，便可確保 強度’並不致妨礙後步驟。 - 再者，在上述凹部底面所形成金屬層的銀箔厚度最好設定 ·· 為5〜2〇μιη。理由係若銅箔厚度設定在此種範圍内，當施行 腔銑加工時，便可減少貫穿該銅箔的狀況發生，將不致抵消 因金屬層的形成所產生效果。其他的理由尚有可利用蝕刻處 理輕易地進行金屬層形成。 在上述凹部底面所設置的金屬層，係除銅以外，尚可使用 鎳、鐵、鈷等金屬。此外，亦可使用含有該等金屬的合金、 或含有2種以上的合金。 • 另外，上述絕緣性樹脂基材與銅箔特別以使用，將使環氧 . 樹脂含潤於玻璃纖維布中而形成Β階段的預浸體、與鋼箔 ' 進行積層，且經熱壓而獲得的單面或雙面貼銅積層板為佳。 理由係在銅猪經蝕刻後的處理中，線路圖案與通孔的位置將 不致發生偏移狀況，可獲得優越的位置精度。 本發明實施形態中，為收容半導體元件而在樹月旨絕緣層令 所設置凹部，將可利用諸如雷射加工、鑿孔加工、或沖孔方 式形成’特別以利用雷射加工形成為佳。 TF1008401 19 上述凹部係利用雷射加工形成的情泥，將可較塞孔加工輕 2地獲得深度均勻性，特別係獲得到達金屬層深度的優越均 勻丨生。所以，當將半導體元件進行收納之際便可抑制發生傾 斜等不m此外’將可正確地執行如後述的推拔形狀加 工。 再者，當利用鑿孔加工形成凹部的情況，因為在凹部底面 所形成的金屬層將具有擋止功用，因而可將凹部深度形成均 勻狀態。 上述凹部深度係經配合所收容半導體元件本身的厚度以 ^在該半導體元件耦接焊墊上所形成柱狀電極或填隙層的 厚度而決定。且，因為凹部底部形成整面大致平坦的金屬 s因而便可輕易地將在半導體元件與樹脂絕緣層之間所設 置的黏著劑層厚度形成均勻狀態。 結果’半導體元件與樹脂絕緣層間之密接性便可保持均勻 心。故’即使在熱循環條件下重複施行可靠性試驗，仍可 輕易地確保密接性。 在白知技術中，僅由樹脂絕緣層構成的絕緣基板，利用機 =加工的施行等，便可形成半導體元件收納用凹冑，例如圖 一 013所不的此種印刷佈線板之製造步驟一例。如圖10A 不首先準備由樹脂絕緣層構成的絕緣基板100，然後如 Θ 所不’藉由對絕緣基板100施行機械加工（例如沖孔、 馨孔加工），便形成凹部102。如圖10C與圖10D所示，在 TF1008401 20 1373999 上、且未滿90度，尤以60度〜85度範圍内為佳。其理由係 若角度設定在此種範圍内，便可緩和半導體元件側面的應 力俾可抑制半導體元件的位移狀況。所以，即使施行可靠 性試驗’通孔部仍不致太早出現耦接不良狀況。 本發明實施形態中，收容著丰導體元件的絕緣樹脂層一實 施形態，係使用如上述絕緣性樹脂基材2片即由在其中一 表面形成有因應半導體元件尺寸之尺寸的金屬層的第一絕 緣性樹脂基材，以及積層於該第—絕緣性樹絲材金屬層所 形成側的表面上之第二絕緣性樹脂基材構成，並對第一絕緣 性樹脂基材的另-表面，利用雷射加工形成到達金屬層的半 導體元件收容用凹部，而形成金屬層從該凹部中露出形成的 半導體收容用基板。此外，所露出的金屬層係預先内藏且大 致平坦。 再者，另-實施形態係亦可將第二絕緣性樹脂（其係在其 中-表面上形成尺相應㈣體元件尺寸的金屬層）、與第 一絕緣性龍基材（其係在對應著金屬層的區域預先形成關 口）進行積層，並形成開口其中―端阻塞形態的凹部，而形 成金屬層呈從該凹部中裸露形成的半導體收容用基板。 此種實施形態中，第一絕緣性樹脂基材與第二絕緣性樹脂 基材的厚度最好設定為2〇〜謂帅。理由係若 該範圍内，便可輕易地確保層間絕緣層的絕緣性，=行層 間耦接的通孔形成將趨於容易，並可_ it易地確保電耦接性。 TF1008401 22 者α個、緣性樹脂基材係可使用由單層構成的樹脂基 材亦可使用2層以上的複數層多層化樹脂基材。 /在上述半導體收容基板的凹部内埋藏收容半導體元件之 便在半導體收容用基板的單面或雙面上形成層間樹脂絕 ’彖層’接著再於該層間樹脂鱗層上，形成包含有與半導體 70件間構成Ί性輕接之軌的導體電路，紐再將其他的層 間樹脂絕緣層解體電路進行交互積層，便可製得本發_ 夕層印刷佈線板。 在上述半導體收容基板的凹部内所埋藏的半導體元件，係 可使用諸如:在職接焊虹預先形成有減電極的半導體 元件、或形财_接焊塾被覆之填隙層的半導體元件任一 者4料導體π件最㈣經由柱狀電極或填隙層，而電性 輕接於層間樹脂絕緣層中所設置的通孔。 '以下，針對⑴具有柱狀電極的半導體元件、及⑺具有填 隙層的半導體元件之製造方法進行說明。 (1)具有柱狀電極的半導體元件之製造方法 本發明貫施形態所使用具有柱狀電極的半導體元件，係指 具有柱狀電極或重佈線的半導體元件。 如圖2所承，準備在晶圓狀態的半導體元件工(石夕基板） 上，形成由辟構成的祕_ 2，並在其上面於除輕接焊 塾2中央細外的部分均形成保護膜3(鈍化)物。在該狀態 下，祕焊塾2表面將在未被保護膜3被覆的中央處裸露出。

TF100840J 23 1373999 其次，在半導體元件1上面整體形成基底金屬層4 金屬層係可使用鉻、銅、鎳等。 。 其次，在基底金屬層4上面形成由液狀光阻構 =並在㈣層對應於半導體元件純焊墊的部分^ 其次’將基底金屬層4當作錄電流路徑而施行 在防鑛層開口部㈣基底麵層上面形成柱狀、錢，便 後’將防鍵層剝離’更以柱狀電極5為遮罩，將基底八5。然 的不需要料施行_絲，㈣在減電極下方殘^層 金屬層4。 留基底 斤者’在+導體70件1上面側形成由環氧樹脂、聚醯亞胺 _成的密雜6 °在·態下，當柱狀電極5上面被密封 ^ 6覆蓋的情況時’便對表㈣當地施行研磨，便可使柱狀 电極$上面裸露出。其次’經由晶割（dicing)步驟，便可獲 得各個半導體晶片（具有枉狀電極的半導體元件）。 (2)具有填隙層的半導體元件之製造方法 本發明實施形態所使用的填隙層係指供執行與在半導體 元件焊塾上賴4通㈣’進行賴祕的介設層。 如圖3所示，對内藏的半導體元件1〇整面施行蒸鍍、藏 鍍等，便整面形成導電性金屬層12(第i薄膜層）。該金屬係 最好為諸如錫、鉻、鈦、鎳、鋅、始、金、銅等。厚度係最 好形成0._〜2争範圍内。理由係若厚度設定在該範圍 TF1008401 24 1373999 内便可車二易地在整面上形成均句膜厚的金屬層，將減輕膜 厚發生偏差之情況。當鉻的情況，最好設定為〇」阿左右的 厚度。 .利用上述第1薄膜層12將輕接焊塾14被覆，便可提高填 隙層=0與半導體几件之輕接焊塾Μ之界面處的密接性。再 者藉由利用5亥等金屬將半導體元件W的搞接焊塾Μ被 :復’便可防止I氣參人界面處，將防止焊塾遭受溶解、腐钮， φ 俾使可靠性不易降低。 上述第1薄膜層丨2的金屬最好使用諸如鉻、鎳、欽中任 一種金屬。其理由係耦接焊墊14與金屬層12的密接性佳， 且可輕易地防止濕氣滲入於界面。 在上述第1薄膜層12上，利用濺鍍、蒸鍍、或無電解鍍 敷等方式形成第2薄膜層17。該金屬係有如鎳、銅、金、 銀等。就從電特性、經濟性、或由後步驟所形成增厚層主要 •係由銅形成的觀點，最好第2薄膜層17亦是使用銅形成。 此處設置苐2薄膜層17的理由係若僅依靠第丨薄膜層 12，在對供形成後述增厚層的電鍍用引線，進行拉取時將較 為困難。弟2薄膜層17係使用為增厚引線。 第2薄膜層17的厚度最好設定在〇〇1〜5〇μιη範圍内。其 理由係右將厚度設定在該範圍内，便可發揮引線的作用，且 當施打飯刻處理之際，下層的第！薄膜層被過度削除而形成 間隙的’丨月況會較少，且濕氣較不易滲入，因而將可輕易地確 TF1008401 25 1373999 保可靠性。 在上述第2薄膜層17上利用無電解或電鐘而增加厚度。 所形成金屬的種類係有如:鎳、銅、金、銀、辞、鐵等。就 從電特性、經濟性、使用為填隙層時的強度與構造上的耐 眭、或依後步驟所形成增層（buildup)佈線層的導體層主要係 由銅形成的觀點，最好由電鍍銅形成。 增厚電鍍銅層18的厚度最好設定在範圍内。其 理由係若將厚度設定在該範圍内，便可減輕與上層通孔間之 耦接可菲性降低程度，且當施行餘刻處理之際，發生底切狀 况較少，因而將可抑制在所形成填隙層與通孔的界面處發生 間隙之情況。此外，依情況不同，亦可直接在第i薄膜層上 施行增厚鍍敷，亦可多層積層。 然後，形成抗蝕刻，並施行曝光、顯影，而使除填隙層以 外之部分的金屬裸露出，施行蝕刻處理，便在半導體元件的 焊墊上形成由第1薄膜層12、第2薄膜層17、及增厚層18 構成的填隙層20。 除上述填隙層之製造方法以外，亦可在基板的凹部内内藏 著半導體元件之後，再形成填隙層；亦可在半導體元件與核 〜基板上所形成的金屬膜上，形成乾膜光阻之後，再將屬於 填隙層的部分去除，並利用電鍍施行增厚後，再將光阻剝 離，再利用蝕刻液，同樣的於半導體元件的晶粒座上形成填 隙層。 TF1008401 26 其次，針對製造本發明多層 具體說明。 印刷佈線板的方法一例，進行 A.半導體元件收容用基板之製作 本t明的多層印刷佈線板在進行製造之際，構成其的半導 版兀件收谷用基板，係採取由:在絕緣性樹脂基材的單面或 雙面上黏貼著鋪的第—絕緣性樹脂基材、與第二絕緣性樹 脂基材進行積層的形態者。 ⑴上逑第m生樹脂基材係例如可由雙面貼銅積層板 形成。對此種雙面貼銅積層板的其中—表面施行雷射照射， 而形成貝牙第-絕緣性樹脂基材其中—銅絲面與樹脂絕 ，，彖層_S·到達另-銅續（或導體電路圖案）的通孔形成用開 D 〇 上述雷射照射係使用脈衝振盪型二氧化碳氣體雷射加工 裝置貫施’其加工條件最好設定為:脈衝能量〇 5〜1〇〇mJ、 脈衝見1〜lOOps、脈衝間隔〇.5ms以上、頻率2000〜3000Hz、 撞擊數1〜5範圍内。 在此種加工條件下可形成的通孔形成用開口之口徑，最好 為 50〜250μιη。 另外，為能利用雷射照射在貼銅積層板上形成通孔形成用 開口 ’諸如有:施行同時在銅箔與絕緣性樹脂基材上形成開 口之雷射照射的直接雷射法，以及將屬於通孔形成用開口的 鋼箔部分，利用蝕刻預先去除後，再對絕緣性樹脂基材施行 Τρ1〇〇8401 27 句射束照射的保形法 ，亦可使用任一者。 (2)為了將由上述步驟所形成開口内殘留的樹脂殘餘去 除，最好施行去膠渣處理。 該去膠渣處理(desmear)係可採取諸如：酸或氧化劑（例如 $酸、過鏟酸）的藥液處理等濕式處理，或者諸如氧電漿放 电處理、電暈放電處理、紫外線雷射處理、或準分子雷射處 理等乾式處理。 ♦该等去膠渣處理的選擇方法係配合絕緣性樹脂基材種 、厚度、通孔開口徑、及依雷射條件等而預測將會殘留的 勝渣量選擇。 、（）+"二如行上述去膝》查處理過的基板銅箱面，施行將銅 自使用為錢敷引線的電鍍銅處理，而在開口内完全填充著電 鍍銅，便形成填充洞。 另外，依情況不同，亦可在施行電鍍銅處理後，再將基板 的通孔開口上端所鼓起的電鍍銅，利用砂帶研磨、抛光研 磨、餘刻等方式去除而平坦化。 (4)在上述第一絕緣性樹脂基材的雙面形成光阻層，經曝 光、顯影步驟，再對光阻非形成部分利用由氯化亞銅等形成 的姓刻液施行钮刻處理。然後，藉由將姐剝離，便在第一 絕緣性樹脂基材的其中—表面上，形成含有通孔頂面（via hole land)的導體電路、及對位用定位標記等並在另一表 面上形成具有因應半導體元件之尺寸的金屬層、包含有通孔 TF1008401 28 1373999 頂面的導體電路、及對位用定位標記等。 (5)在上述第-絕緣性樹脂基材的金屬層所形成之側的表 面上，積層第二絕緣性樹脂基材。 例如在黏著劑層的預浸體上重疊著銅落，而形成第二絕緣 性樹脂基材，再將其利㈣祕而積層於第—絕緣性樹脂基 材的單面上，便形成積層體。 ⑹對將構成上述積層體的第二絕緣性樹職材之設置有 &屬層之面，如同上述⑴般的施行雷射照射，便形成貫 穿第二輯輯脂基材義絲面且通過樹脂層，並到達含 有第s緣|1；|^基材上所形成通孔頂面的導體電路之通 孔形成用開口。 4通孔形成用開口的加工條件最好設定為：脈衝能量 0.5〜lOOmJ、脈衝寬卜⑽叫、脈衝間隔乂上、頻率 2000〜3000Hz、撞擊數1〜10的範圍内。 再者在上述加工條件下可形成的通孔形成用開口之口 仏最好叹又為5〇〜ι5〇μπ1。理由係若開口徑設定為該範圍， 便可輕易地獲得層㈣接性的確保與佈線的高密度化。 ⑺為將在依上述(6)步驟所形成通孔形成用開口内殘留的 樹脂殘潰去除’便如同上述⑺㈣施行去_處理。 (8)其夂，在上述第一絕緣性樹脂基材表面由保護薄膜被 覆的狀心下，對上述經施行去膠渣處理的基板之銅箔面，施 行將σ亥銅'名使用為鍵敷引線的電鐘銅處理，而將開口内完全 TF1008401 29 1373999 填充著電鍵銅，便形成填充洞。 另外，依情況不同，亦可在施行電鍍銅處理 的通孔形成用開口上端所鼓起電鍍鋼，利用砂帶研磨、拋光 研磨、餘刻等去除而平坦化。 再者，亦可利用無電解鑛敷方式形成電錄。此情況下，無 電解鍍敷膜亦可使用銅、鎳、銀等金屬。 ‘ (9)在上述電鍍銅膜上形成光阻層。光阻層係可採取塗 佈、或者將預先形成薄膜狀物施行貼附等任何方法。在該光 阻上載置著預先描繪有電路的遮罩，經曝光、顯影處理而形 成抗餘刻層’再對抗侧_成部分的金屬層施行姓刻處 理’便形成含有通孔頂面的導體電路，然後，將依上述⑻ 步驟所黏貼的保護薄膜剝離。 該蝕刻液最好為從硫酸-過氧化氫、過硫酸鹽、氣化亞銅、 氯化亞鐵的水溶液中，至少選擇丨種的水溶液。 對上述銅箱施行餘刻處理而形成導體電路的前處理，為能 較容易地形成精細難，目而亦可預先對，表面整面施 行钮刻而進行厚度調整。 上述導體電路其中—部分的通孔頂面，其㈣最好大致如 同通孔口徑’或形成其外徑大於通孔徑，並將頂面徑形成 75〜350μπι範圍。 (10)其次，在第一絕緣性樹脂基材設置金屬層之一面的對 側表面區域（半導體元件收容區域），利用例如雷射加工，形 TF1008401 30 1373999 成貝穿樹脂層並到達金屬層表面的開口，並形成從該開口中 裸露出金屬層表面的㈣’便形成半導體元件收容用基板。 視而要，亦可經由光阻形成步驟、蝕刻處理步驟，形成使金 屬層裸露出的凹部。 例如在上述第一絕緣性樹脂基材與第二絕緣性樹脂基材 的積層體上’藉由使用脈衝振I型二氧化碳氣體雷射加工裝 置的雷射照射’形戍從第一絕緣性樹脂基材表面貫穿樹脂 鲁層，並到達金屬層表面的開口，而形成將半導體元件收容或 内藏的凹部。 收容上述半導體元件的凹部之加工條件，最好設定為:脈 衝能量〇.5〜100mJ、脈衝寬1〜1 〇〇叫、脈衝間隔0.5ms以上、 頻率2000〜3000Hz、揸擊數卜丨❹範圍内。 依…、此種田射加工，便將形成内藏半導體元件的凹部，並 在該凹部底遽裸露出金屬層（此情況係油f|)。此時，金 屬層將呈光澤面1外，金屬層將形成大致平坦。另外，視 需要’亦可對金屬層表面利關如黑化處理料行某程度的 粗化。藉此亦可確保與黏著劑層間的密接性。 B.半導體元件之收容、埋藏 在m·的⑴〜(零驟所獲得半導體元件收容用 基板中’埋藏著半導體元件。 該埋藏的半導體元件係如前述， 先形成有柱狀電極μ、“ 制在祕知塾上預 的+ ¥心件’或者形成賴接焊墊被覆 TF1008401 31 1373999 之填隙層的半導體元料任—者，此處就使用後者的情況進 行說明。 該填隙層係為將半導體元件的焊塾、與印刷佈線板之含有 通孔的導體電路’進行直接_㈣置的填隙層，係在晶粒 座上設置薄膜層，並在該薄膜層上更進—步設置增厚層而形 成，最好由至少2層以上的金屬層形成。 再者’該填隙層最好形成大於半導體元件晶粒座的尺寸。 藉由形成此種尺寸，便可使與晶粒座間的對位趨於容易，其 結果便將提升與晶粒座間的電_接性，並可在不致對晶粒 座造成損傷的情況下，_雷射照射或絲刻等方式施行通 孔加工。所以，便可確實地執行半導體元件對印刷佈線板的 埋藏、收容、及電耦接等。 再者在/、隙層上’可直接形成將成為印刷佈線板導體電 路的金屬層。 再者’填隙層係除前述的製造方法之外，尚可採行在半導 體元件_接焊塾㈣個表面上、或在將半導體元件埋藏的 2體^件收容用基板上形成的金屬膜上，形成由乾臈構成 Γ 將屬於填分錯後，便麵施行增 子…W ’將光阻剝離並利用钱刻液同樣的在 的耦接焊墊上形成填隙層。 导篮7^件 ^在W容、㈣半導體元件·板上，設置絕緣樹脂 曰之後’减行如同上述A.之⑴〜(4)的相同處理便可形 TF1008401 32 焊电!·生相接於填隙層（其係形成於内藏半導體元件的搞接 件塾㈣孔、紐祕於㈣電路(其純含在半導體元 路用基板上所形成的通孔）的通孔、以及外側的導體電 ^時#基板上的導體電路與金屬層亦可騎粗链化處 Z粗趟化處理係可採取諸如·韻刻加工、鐘敷加工、氧 術還原處理、黑化處理等使金屬層粗化而形成無光澤面的技 藉由重複使絕緣樹脂層與鋪進行積層，並施行上 ·之⑴〜(4)的相同處理，便可獲得更多層化的印刷佈線 樹二==絕緣樹脂層的積層依照逐次積層而施行免缘 祕月曰層的多層化，但是視 仃、巴，，彖 電路基板積層4以上，了將絕_脂層1單位的 緣樹㈣多層㈣多層印:括線Γ加熱㈣，而執行絕 二次在=::路基板表面上分別形成防焊層。 使該塗物彳塗佈，經 體電路之通孔正上料處理’而分卿成使位於導 焊㈣分減 7將防坏層經乾膜化物進行貼附， 4二顯影或雷射加工而形成開口。 亚利用 TF100840] 在攸上迷遮罩層非形成部裸露出的焊錫塾上’形成錄-金 33 =钱層m⑽厚度最好設絲，且金屬厚 度最好設定為0.01〜ο.ίμιη。 _除此之外’亦可形成諸如鎳I金、金（單層）、銀（單層） 寻。在形成賴層之後，便將遮罩層剝離。藉此，便成為有 形成耐#層的焊料、與未形成耐㈣的焊鱗混合存在之 印刷佈線板。 (Η)對從依上述（13)步驟所獲得防焊層開口中裸露出通 ^正上方的焊料料，供麟賴，_㈣焊錫體的溶 、固化’便獲得已形成焊錫層的多層印刷佈線板。或者亦 二錫凸塊、输球、或導電性栓，使用導電性黏著劑 或烊錫層，接合於焊墊部。 料料_在職虹貼合著焊㈣，並 、威仃_處理，蚊僅細目當於,部分的地方，藉此 =^成焊錫圖案而成為焊錫載體薄臈，將該焊錫載料膜 =基板的防焊開口部分施行助焊劑锡 =接觸於焊塾的方式進行積層，並對其施行加熱二 另一方面’印刷法係將在相當於焊墊的地方設有開口 :::(=遮罩)載置於基板上’並施行焊錫膏印刷且施行 口…处，方法。形成此種焊锡層的焊錫，係可使 如錢g焊錫、s職焊錫、Sn/Zn谭錫、sn/ 用堵 (實施例1-1) TFI008401 34 (1) 基材準備 首先’製作構成半導體元件收容用基板的印刷基板。該印 刷基板係由第—絕緣性基材3G與第二絕緣性基材40構成， f將該等基材進行積層而形成。印刷基板材f —例係可將使 環氧系樹脂含潰於玻璃纖維布而形成B階段的預浸體，與 銅箱進行制’並施行減㈣獲得雙面關積層板，使用 作為起始材料。 上述第一絕緣性基材30係使用在厚度1〇〇μπι❾樹月旨絕緣 層32雙面上’黏貼著厚度15μιη的銅箔“而形成的雙面貼 銅積層板。該積層板的銅箱32亦可使用厚於15帅物，並 利用蝕刻處理，將厚度調整為參照圖Μ)。、’ 再者，在第一絕緣基材接觸到第二絕緣性基材的面上，施 行光阻、敍刻處㊣，便形成内藏半導體元件的凹部底面之金 屬層.與導體f路等。視需要，亦可形成雷射鑽孔對位用的定 位標記等。 (2) 通孔形成用開口之形成 對上述第-絕緣性基材3〇纟中一銅绪表面上，施行二氧 化碳氣體雷射照射，便形成貫穿銅箔34與樹脂絕緣層Μ， 且到達另-銅表面的通孔形成用開口 36(參照圖，。此 外，對該開口内利用過錳酸藥液處理施行去膠渣處理。 在該貫施例中，通孔形成用開口 36的形成係使用日立 VIA公司製向峰值紐脈衝振藍型二氧化碳氣體雷射加工 TF1008401 35 ^73999 機於基材厚1(Κ)μιη的玻璃纖維布環氧樹脂基材上，直接 對銅箱依如下照射㈣施行雷射切射，而依⑽孔/秒的 速度，形成直徑75μιη的通孔形成用開口。 (照射條件） 脈衝能量：75mJ 脈衝寬： 80ps 脈衝間隔：〇.7ms 頻率： 2000Hz (3)電鍍銅膜之形成 用開口 36的銅箔面， 依如下的鍍敷條件 敷引線的電鐘銅處理。 〔電鑛液〕 疏酸 2-24m〇l/i 硫酸銅 〇.26m〇l/i 添加劑A(反應促進劑） U.Oml/i 添加劑B (反應抑制劑） 10-〇ml/i 〔電鍍條件〕 電流密度 1 A/dm2 時間 65分 溫度 22±2〇c 藉由此種鍵敷處理， 便將利用添加齊丨上 π TF1008401 36 電鍍铜膜38形成，相反的藉由添加劑B而主要地附著於姻 相部分上，抑制鐘敷膜的形成。此外，若將開口内埴充著兩 鍍銅，而形成與銅箔大致加 ^ 因而便將同織部分，抑:的高度’因為附著添加劑B， :内完全填充電鍍鋼，並從開。裸露出的電鍍銅J = 难34形成大致平坦狀_㈣⑹。 ，、 再者，亦可對由_ 34、電賴％所構㈣導體層藉由 刻處理，而調整厚度。依情況不同，亦可使用 拖光研磨等物理方法，施行導體層厚度的調整。 及 (4)導體電路、填充洞及金屬層之形成 在^上遠⑺步驟的第—絕緣性基材％之銅箱％與銅錢 ^膜二上，使用感光性乾膜形成抗姓刻層(I略圖示)。即 第/巴緣性基材3〇雙面的銅箱面上形成抗侧層。該光 阻層厚度係設定為 俜因範圍内，並使用金屬層（其尺寸 係因應匕3填充洞頂面 寸）經描繪過的遮罩，㈣光= 疋件之尺 非形成部。 、、便在_上形成光阻 刻液二形成部利用由過氧化氫水/硫酸構成的餘 二、。订Μ處理’便將屬於非形成部的銅鍵敷膜與銅羯去 然後，將光阻利用驗液進行剝離， 洞39頂面在内夕道麯带&」 J g 3填充 導豆電路41與半導體元件的金屬層42。 TF1008401 37 1373999 視!要’：:形成虛設圖案、對芈標記、產品辨識記號等。 二二基材3Q的表面與背面便均將形成導 肢电路41，同時形成將該等導體 充洞39,更獲得㈣置著半p _略41進行電_接的填 電路基板。 金屬層42所形成之 另外’在心路基板上所形成的金屬層4 示’將形成於第—絕緣性 係如圖i所 件的凹部所屬區域之電路λ板表面^將形成收容半導體元 .而去除(參照圖勢板表面銅㈣分，利⑽刻處理 (5)第-絕緣性基材與第二絕緣性基材之積層 在上述第-絕雜紐3G上所積 ^ 4〇，係使时厚度♦物親料η單== 生树 厚度15μπι的銅_ 44而構成單面貼銅積層板。黏貼者 此種第二絕緣性基材4G係依未形成有㈣之— 面，在接觸到第一絕緣性基材3〇由金屬層* 又 狀態下進行積層(金屬層42成為載置半導體2表面的 曰）。第-絕緣性基材30與第二絕緣性基材4 依如下的條件將二者騎熱_而實施（參_ d係 亦可對導體層4丨與金屬層42施行形成無光澤面的處理^ 如依飯刻處理而施行的粗面形成等）。 (壓接條件）

180°C 溫度： TF1008401 38 1373999 壓接壓力： 150kgf/cm2 壓接時間： 15分 另外，該實施形態中，第一絕緣性基材30與第二絕緣性 基材40係由單層形成’但是亦可由2層以上的複數層形成。 (6)通孔形成用開口之形成 對上述第二絕緣性基材40之銅箔形成面施行二氡化碳氣 體雷射照射，而形成通孔形成用開口 46(其係貫穿銅箱44， • 且通過樹脂絕緣層43 ’並到達包含有在上述第一絕緣性芙 材30中，所設置填充洞39之洞頂面在内的導體電路4丨夺 面）(參照圖4F)。此外，對該等開口内利用過錳酸藥液處理 施行去膠渣處理。 在該實施例中，在第二絕緣性基材4〇中形成通孔形成用 開口 46，係使用曰立VIA公司製高峰值短脈衝振盪型二氧 化碳氣體雷射加工機。對在第二絕緣性基材4〇之基材严 • 60叫1玻璃纖維布環氧樹脂基材43上，所黏貼的鋼落"料: -接依如下照射條件施行雷射束之照射，而依1〇〇孔/秒的迷 度，形成直徑75μιη的通孔形成用開口 46。 (照射條件）

脈衝能量： 75mJ 脈衝寬： 80gs 脈衝間隔： 0.7ms 頻率： 2000Hz TF1008401 39 1373999 (7)電鍍銅膜之形成 將上述第-絕緣性基材3〇表面利用保 覆後，再對經將開口内結束去膠渣處理後的 刀*、被 鐘銅處理 〔電鍍液〕 硫酸 硫酸銅 添加劑A(反應促進劑) 添加劑B(反應抑制劑） 〔電鍍條件〕 電流密度 時間 溫度 40銅羯面，依如下鍍敷條件，施行以鋼以—％緣性基材 棘加索搜。 z馬鑛敷引線的電

2.24m〇l/i 0.26m〇l/i ll.〇ml/l 10.0ml/l 1 A/dm2 65分 22±2°C 此種鍍敷處理中，利用；上十丨 〜用添加劑A而促進 膜形成’相反的藉由添力〇制β二 問口内的電鍍銅 刀口劑Β而主要附菩 抑制鍍敷膜的形成。此外，若門口 茶於銅箔部分上， 與銅箔大致相同的高唐，m i 内填充著電鍍銅，而形成 门泛，因為附著添加南丨R m 部分，抑制鍍敷膜的形成。― Ν β，因而便同銅箔 鍵銅，並從開π裸祕，便在開口内完全填充著電 再者，亦可對由銅與銅箱，大致形成平坦狀態。 理，來施行厚度之職。二賴所構成導體層施行钱刻處 又情況不同，亦可使用砂帶研磨及 TF1008401 U/3999 拋光研磨之物理方法，施行導體層厚度的調整。 (8)導體電路及填充洞之形成 在經上述⑺步驟的第二絕緣性基材4()之㈣44與銅鍵 敷膜上’使_光性乾卿成抗_層（省略㈣）。該光= 層厚度係設定為15〜20卿範圍内，並使用經描緣含有填充 而頂面之導體電路的遮罩，經曝光、顯影，便在銅落上形成 光阻非形成部。 其^對絲非形成㈣用由過氧化氫水/硫酸構成的银 d液細仃侧處理’便將屬於非形成部的鋪㈣與銅領去 除。 然後將光阻利用驗液施行剝離，更將由上述⑺步驟而 ；第、邑、雜基材30表面上的保護薄膜48剝離，便在 第邑彖吐基材4〇單面上形成導體電路％，且形成填充洞 52，其將該等導體電路

电r生揭接於在第一絕緣性基材30中 所設置的填充洞39之頂而 負面41(參照圖4G)。視需要，尚可形

成虛設圖案、對準棹巧、# σ A 干知°己產品辨識記號等。 (9)半導體元件收容用凹部之形成 對上述⑷步驟中利⑽刻處理而經去除銅糾分的樹脂 、P刀；^丁 —氧化石厌乳體雷射照射，便形成貫穿樹脂層並到

達金屬層表面的開口。佶兮P 開口内裸露出金屬層，且利用該 開口側面與金屬層表 卸（底面），形成供内藏半導體元件55 用的凹部54(參照圖5A)。 TF1008401 1373999 在該實施例1ί7，為了在第一絕緣性基材3〇上形成半導體 元件收容用凹部54，而使用日立VIA公司製高峰值短脈衝 振盪型二氧化碳氣體雷射加工機。對第一絕緣性基材表面經 去除銅箔的區域，於基材厚〗〇〇pm的玻璃纖維布環氧樹月旨 基材上，依如下的照射條件施行雷射束照射，便依較應收容 半導體元件尺寸略大尺寸，形成深度1〇〇μιη的半導體元件 收容用凹部54。 (照射條件）

脈衝能量： lOOmJ 脈衝寬. 9〇μ8 脈衝間隔： 0.7ms 頻率： 2000Hz 另外’利用雷射加工所形成的半導體元件收容用凹部 主現八底面祿露出金屬層42的狀態，且凹部54深度大 一 一 四角落形狀亦未出現圓弧狀。此時，金屬層截 置半導體元件 Λ 面將呈光澤面。然而，視需要’例如亦可利 用黑化處理等妝aβ 心 劑層間之密接1生。 以，將可鉍总n , 此外，上述凹部面積小於金屬層面積。所

、内藏的半導體元件55 ’係使用依照以下 TF1008401 财金屬層表面施行某程度粗化，俾確保與黏著 42 1373999 (a)〜(d)步驟所製得具有柱狀電極的半導體元件。 (a) 矽基板之準備 . 準備在晶圓狀態”基板（半導縣板）上形成搞接烊 塾’亚在其上面於除输谭塾中央部以外的部分均形成保護 膜(純化膜）且輕接焊塾中央部將經由保護膜中所形成的開 口部而裸露出者。 (b) 基底金屬層之形成 • 在石夕基板上面整體利用濺鑛形成由厚度2μιη的銅構成之 基底金屬層。 (c)柱狀電極之形成 …人在基底金屬層上面積層由丙烯酸系樹脂等感光性樹 脂構成的乾骐光阻，而形成厚度11〇μιη的防鑛層。將應形 成的柱狀電極高度設定為ΙΟΟμιη左右。

…人使用在對應防鑛層之焊塾的部分處有描緣開口的遮 罩，經曝光、顯影，便在光阻上形成開口部。 再者’施行以基底金屬層為鍍敷電流路徑 在防鑛層開口部_基底銅層上面 :㈣稭此 叫形成由銅構成的柱狀電 極0 電極為遮罩，對基底金屬 、!僅在柱狀電極下殘留基 最後’將防鍍層剝離，並以柱狀 層的不需要部分施行蝕刻而去除， 底金屬層。 (d)密封膜之形成 TF1008401 43 1373999 在依上述⑷所獲得石夕基板上面側，形成由環氧樹脂、聚 醯亞胺等構成的絕緣樹脂之密封膜。在該狀態下，當柱狀電 極上面被密封賴蓋的情況時，藉由對表祕行適當研磨， 便使柱狀電極上面裸露出。 其次，經由晶割步驟，便可獲得各個半導體晶片（半導體 裝置）。此時，具有柱狀電極的半導體元件的厚度係形成 ΙΟΟμπι。 在經上述⑷〜⑷步驟所製得半導體元件55的下面側，施 以熱硬化齡著#丨（其—例係由將縣樹脂其巾—部分丙婦 化後的熱硬化型樹脂所構成黏著劑），形成厚度3〇〜5,的 黏著劑層56。 然後’經收容於半導體元件收容用基板的凹部Μ中之 後，便於UK)〜細度的溫度間施行熱處理，而使黏著劑層 56硬化。藉此便獲得内藏著半導體元件％的基板岣參照 圖 5Β)。 此時’半導體元件的柱狀電極58前端、與基板上面將大 致在同-面上。即，半導紅件55將無出現傾斜情形且 電極焊墊亦大致平坦。 (11)積層步驟 在依上述⑽所獲得基板60上夾置著預浸體等黏著材層 62,並在其上面積層著單面貼鋼積層板（其係於厚度卿爪 的樹脂絕緣層64單面上，黏貼著厚度15叫的鋼箱㈣參 TF1008401 44 照圖5C)， 照圖5D)。 並依以下條件朝箭 頭方向施行熱壓而 多層化（參 (壓接條件) 溫度： 壓力·· 壓接時間: 190°C 3.0kgf/cm2 35分 (12)通孔形成用開口之形成 如同上述(6)步驟，形成包含通孔頂面的導體電路 孔係貫穿㈣66且通飾旨絕緣層64，並形成於成為= 體几件收容用基板的第一絕緣性基材中）、及通孔形成用開 口 70、72(其係分別到達在半導體元件上的焊墊上所設置柱 狀電極58)(參照圖6Ap此時的雷射照射條件係如同上述 y驟。此外，對該等開口内利用過鐘酸的藥液處理而施行去 膠渣處理。 (13)電鍍銅膜之形成 對經完成開口内的去膠漬處理後之銅箱面，依照如下的鏡 敷條件，施行以銅箱為鑛敷引線的電艘銅處理。 〔電鎮液〕 硫酸 2.24mol/l 硫酸銅 0.26mol/l 添加劑Α(反應促進劑） lO.Oml/1 添加劑B(反應抑制劑） lO.Oml/1 τρ1〇〇84〇1 45 1373999

〔電鍍條件〕 電流密度 1 A/dm2 時間 65分 溫度 22±2〇C 此種鍍敷處理中，利用添加劑A而促進開口内的電鍍銅 膜形成，相反的藉由添加劑B而主要地附著於銅箔部分上， 而抑制鍍敷膜的形成。此外，若將開口内填充著電鍍銅，而 形成與銅箔大致相同的高度，因為有附著添加劑B，因而便 同銅箔部分，抑制鍍敷膜的形成。藉此，便將在開口内完全 填充著電鍍銅，且從開口裸露出的電鍍銅與銅箔，形成大致 平坦狀態。 再者，亦可對由銅箔、電鐘膜所構成導體層藉由姓刻處 理，而施行厚度調整。依情況不同，亦可使用砂帶研磨及拋 光研磨等物理方法，施行導體層厚度的調整。 依此便在開口内完全填充著電鍍銅，便形成將導體電路進 行耦接的通孔、與將半導體元件主體進行耦接的通孔。 (14)導體電路之形成 在經上述（13)步驟的銅箔與銅鍍敷上，使用感光性乾膜形 成抗蝕刻層。該光阻層厚度係設定為15〜20μηι範圍内，並 使用經描繪含有填充洞頂面之導體電路的遮罩，經曝光、顯 影，便在銅箔上形成光阻非形成部。 其次，對光阻非形成部利用由過氧化氫水/硫酸構成的蝕 TF1008401 46 刻液鉍仃蝕刻處理，便將屬於非形成部的銅鍍敷膜與鋼箔去 除。 ' 然後，將光阻利用鹼液施行剝離，便在設計成被覆著半導 體兀件收容用基板的樹脂絕緣層64上，形成導體電路74， 亚在内藏著半導體元件55的基板6G巾所設置填充洞頂面 41上，分別形成填充洞76(其係將上述導體電路％施行電 性耦接）、及填充洞78(其係電性耦接於半導體元件55之焊 墊上所a又置的柱狀電極58)。另外，視需要，尚可形成虛設 圖案、對準標記、產品辨識記號等。 再者，視需要，利用重複上述（11)〜(14)步驟，便可獲得更 多層化的印刷佈線板。 另外，在此種積層化中，係可將通孔方向朝同一方向進行 積層，亦可朝相反方向進行積層。此外，亦可利用該等以外 的組合進行多層化。 (15)防焊層之形成 在位於依上述（1)〜(14)步驟所獲得多層化基板的最上層與 最下層處之電路基板表面上，形成防焊層8〇。利用經薄膜 化之防焊膜的貼附、或利用預先調整過黏度的清漆施行塗 佈，便可在基板上形成2〇〜30μιη厚度的防焊層8〇。 其次，經於7〇t下施行20分鐘、於l〇(TC下施行3〇分鐘 的乾紐處理後，便將利用鉻層描繪出防焊開口部之圓圖案 (遮罩圖案）的厚度5mm鹼石灰玻璃基板，使鉻層所形成之 TF1008401 47 1373999 一侧密接於防焊層，並依1000mJ/cm2紫外線施行曝光， DMTG顯影處理。然後，於120°C下施行1小時、於150。〇 下施行3小時的條件下施行加熱處理，便形成具有對應焊墊 部分之開口 82(開口徑200μιη)的防焊層80(厚度2〇μιη)。 另外’在位於多層化基板最上層與最下層的電路基板表面 上’形成防焊層之前，視需要尚可設置粗化層。 此情況下’在防焊層上形成由感光性樹脂構成之乾膜狀遮 罩層。利用經薄膜化遮罩層的貼附、或利用預先調整過黏度 的清漆施行塗佈，便可在基板上形成1〇〜2〇μιη厚度的遮罩 層。 其-人，級於8〇°C下施行30分鐘的乾燥處理後，便將利用 鉻層描繪出遮罩層形成圖案（遮罩圖案）的厚度5mm鹼石灰 玻璃基板’使鉻層所形成之一侧密接於防焊層，並依 800mJ/cm2紫外線施行曝光，DMTG顯影處理。更進一步， 於120 C下以1小時的條件施行加熱處理，便形成防焊層（厚 度20μιη左右）。 (16)财姑層之形成 其次，將已形成防焊層8〇的基板，在由氣化鎳3〇g/卜次 亞丨夂鈉、及梓檬酸鈉構成的pH=5無電解鍵錄 液中浸潰20分鐘，便在開口部中形成厚度5μιη的鍍錄層。 然後’將該基板在由氰化金鉀㈣、氣化銨¥卜捧檬 酉久鈉5〇g；q、及次亞磷酸鈉1〇g/1構成的無電解鍍金液中，於 TF1008401 48 1373999 隙層。 藉此，便可獲得長5mmx寬5mm、厚ΙΟΟμπι的半導體元 件。 (實施例2-1) 除在上述Α.的（6)步驟中，將半導體元件收容用凹部的側 面形成85度推拔之外，其餘均施行同實施例1-1的處理， 便製得多層印刷佈線板。 (實施例2-2) 除在上述Α.的（6)步驟中，將半導體元件收容用凹部的側 面形成75度推拔之外，其餘均施行同實施例1-1的處理， 便製得多層印刷佈線板。 此時，將凹部中所收容半導體元件被覆，且含有預浸體的 樹脂絕緣層其中一部分，被填充於半導體元件側面與凹部壁 部間之間隙中，該樹脂絕緣層便與將半導體元件固定於凹部 底面的黏著劑層形成一體化。 圖7所示係此種多層印刷佈線板的重要部分剖面SEM照 片一例，凹部中所收容的半導體元件係使用虛設元件。 (實施例2-3) 除在上述Α.的（6)步驟中，將半導體元件收容用凹部的側 面形成60度推拔之外，其餘均施行同實施例1-1的處理， 便製得多層印刷佈線板。 (實施例2-4) TF1008401 50 1373999 除在上述A.的（6)步驟中，將半導體元件收容用凹部的側 面步成85度推拔，且在該凹部中所收容半導體元件係使用 具有填隙層的半導體元件之外，其餘均施行同實施例1-1的 處理，便製得多層印刷佈線板。 (實施例2-5) 除在上述A.的（6)步驟中，將半導體元件收容用凹部的侧 面形成75度推拔，且在該凹部中所收容半導體元件係使用 φ 具有填隙層的半導體元件之外，其餘均施行同實施例1-1的 處理，便製得多層印刷佈線板。 (實施例2-6) 除在上述A.的（6)步驟中，將半導體元件收容用凹部的側 面形成60度推拔，且在該凹部中所收容半導體元件係使用 具有填隙層的半導體元件之外，其餘均施行同實施例1-1的 處理，便製得多層印刷佈線板。 •(實施例3) 除上述半導體收容用基板係使用將第一絕緣性樹脂（其係 在其中一表面上形成有因應半導體元件尺寸之尺寸的金屬 層）、與第二絕緣性樹脂基材（其係在金屬層所對應的區域中 預先形成有開口）進行積層，並形成將開口其中一端經阻塞 之形態的凹部，形成從該凹部中裸露出金屬層之形態的基板 之外，其餘均施行同實施例1-1的處理，便製得多層印刷佈 線板。 TF1008401 51 1373999 (參考例Μ) 除在上述Α.的⑹步射，將半導體元件收容用凹部的側 面形成55度推拔之外，其餘均施行同實施例卜丨的處理， 便製得多層印刷佈線板。 (參考例1-2) 除在上述Α·的⑹步财，將半導體元件收容用凹部的側 面形成55度推拔，且在該凹部中所收容半導體元件係使用 具有填隙層的半導體元件之外，其餘均施行同實施例Μ的 處理，便製得多層印刷佈線板。 (比較例1-1) 除在第-絕緣性樹脂基材中未形成金屬層，且在第一絕緣 性樹脂基材中所設置的凹部係利用馨孔加工形成，而該凹部 底面形成未職第二絕緣性職基材_態之外’其餘均施 行同實施例Μ的處理，便製得多層印刷佈線板。 (比較例1-2) 除在第一絕緣性樹脂基材中未形成金屬層，且在第-絕緣 性樹脂基材中所設置的凹部係利用㈣加工形成，而該凹部 底面形成未到達第二絕緣性樹脂基材的形態之外，其餘均施 行同實施例1-2的處理，便製得多層印刷佈線板。 對在依照上述各實施例、參相及比較例所麟半導體元 件收容用基板凹部令，埋藏著半導體元件之厚度25〇哗的 虛設半導體元件(石夕製），並使用實施例所用的黏著劑而 TFI008401 52 137*3999 固定於凹部底部的基板，施行項目A的評估試驗，更對依 照上返各實施例與比較例所製得多層印刷饰線板施行項目 B與C的評估試驗。各評估試驗的結果係如表工所示。 A. 拉伸強度試驗 在半導體元件收㈣基板的凹部中埋藏著虚設半導體元 件’並在利用黏著劑進行固定的狀態下，將具把手的4mm 方塊之金屬片，使用瞬間黏著劑（例如商品名阿隆發「Ar〇n 參 A1Pha」）’黏接、固定於虛設半導體元件的上面中央處，在 將該把手插入彈簧秤則端，朝錯直方向將彈簧進行拉伸，測 里在虛设半導體元件剝落時的受力。 B. 電阻測量試驗 針對多層印刷佈線板中所埋藏半導體元件，就其所耦接之 導體電路有無導通狀況，分別測量1〇處，並將導通地方的 個數進行。 • C.可靠性試驗 將130°C/3分0々-55°C/3分設定為1循環的熱循環試驗， 經施行2000循環’且自1〇〇〇循環以後，在每隔2〇〇次循環 的試驗結束後，於放置2小時後，便施行導通試驗，測量有 無電阻變化率超過20%的電路，將超過20%的循環數進行 比較。 TF1008401 53 1373999 【圖式簡單說明】 之 說：=收容、埋藏半導一多層印刷佈線板 多二 圖3為本發明具有在半導體元件 層印刷佈線板概略職圖。 W填隙層的多 =从至4G為本發明實施命⑴的多層印刷佈線板之部 刀製造步驟概略剖視圖。 圖认至5D為本發明實施例M的多層印刷佈線板之部 ^製造步驟概略剖視圖。 圖6八至為本發明實施你⑴的多層印刷佈線板之部 分製造步驟概略剖視圖。 圖7為本發明實施例2-2的多層印刷佈線板重要部分剖面 SEM照片。 圖8為本發明實施例Μ變化例的概略剖視圖。 圖9為本發明實施例1-1之另一變化例的概略剖視圖。 圖10Α至10D為S知技術收容、埋藏有半導體元件的多 層印刷佈線板之部分製造步驟概略剖視圖。 圖^為習知技術的多層印刷佈線板之說明概略剖視圖。 【主要元件符號說明】 卜10、. 55、106 半導體元件 TF1008401 56

Claims (1)

1373999 七、申請專利範圍： 1. 一種多層印刷佈線板*係在收容有半導體元件的樹脂絕 緣層上，形成其他的樹脂絕緣層與導體電路，且上述半導體 元件與導體電路之間係經由通孔(via hole)進行電性耦接而 成的多層印刷佈線板，其特徵在於： 上述半導體元件係收容於設在樹脂絕緣層的凹部内， 上述凹部係形成為隨著其側面從底面朝向上方而呈逐漸 • 擴大的推拔形狀， 上述凹部之底面形成載置上述半導體元件的金屬層， 且於上述凹部壁面與半導體元件側面所構成的間隙填充 有樹脂。 2. —種多層印刷佈線板.，係在收容有半導體元件的樹脂絕 緣層上，形成其他的樹脂絕緣層與導體電路，且上述半導體 元件與導體電路之間係經由通孔進行電性耦接而成的多層 • 印刷佈線板，其特徵在於 上述半導體元件係收容於設在樹脂絕緣層的凹部内， 上述凹部係形成為隨著其側面從底面朝向上方而呈逐漸 擴大的推拔形狀， 上述凹部之底面形成載置上述半導體元件的金屬層， 上述金屬層為雙面貼銅積層板上之銅箔。 3. —種多層印刷佈線板，係在收容有半導體元件的樹脂絕 緣層上，形成其他的樹脂絕緣層與導體電路，且上述半導體 TF1008401 59 1373999 印刷佈線板，其特徵在於. $ _接而成的多層 擴大的推拔形狀仏著其側面從底面朝向上方而呈逐漸 上述凹部之底面形成载置 上述其他的樹脂絕緣層則:=的金屬層； 4.如申請專利範圍第基材’如此所成》 板’其中，在收容上述 、 項之多層印刷佈線 電路而成，且卿體電路係^件的㈣絕緣層上形成導體 緣層上所形成的導體電路進^ ♦通孔，而與在其他的樹脂絕 5.如申請專利範圍第！至3电^輕接。 板’其令，在收容上述半導體_項中任―項之多層印刷佈線 電路而成，且該導體電路係細％件的樹脂絕緣層上形成導體 的樹脂絕緣層上所形成的導^由金屬填充通孔，而與在其他 6‘如申請專利範圍第丨至、電路進行電性耦接。 板’其卜收容上述半導體^項中任一項之多層印刷怖線 其他的樹脂絕緣層之厚度更厚。的樹脂絕緣層之厚度，係比 7.如申請專利範至子3。 板，其_，上述其他的樹脂、^任—項之多層印刷伟線 超過上述半導體元件與U ^料體電路，係叫伸 界之方式設置。 +導體兀件的樹脂絕緣層邊 TF1008401 60 1373999 如申咕專利祀圍第1至3項中任〜項之多層印刷佈線 ’係形油接於上述金屬層的通孔，且朗孔健為導熱 孑L (thermal via)形成。 9·-種多層印刷佈線板’係在收容有半導體科的樹脂絕 緣層上’形成其他的樹脂絕緣層與導體電路，且上述半導體 元件與導體電路之間係經由通孔進行電性純而成的多層 印刷佈線板’其特徵在於： 上述半導體元件係收容於财樹脂絕緣層的凹部内， 上述凹部係形成為隨著其側面從底面朝向上方而呈逐漸 擴大的推拔形狀， 上述凹部之底面形成載置上述半導體元件的金屬層，而上 述金屬層係形成比上述凹部之底面的面積更大之面積。 、10.如申請專利範圍* 9項之多層印刷佈線板，其中，上 述金屬層係大致平坦化。 11.如申請專利範圍第9項之多層印刷佈線板，其中，上 述金屬層係由軋延銅箔構成。 以如申請專利範圍第9項之多層印刷佈線板，其中，上 述樹脂絕緣層的凹部之壁面係以裸露方式形成。 13·如申請專利範圍第9項之多層印二反。，其中，上 述金屬層係經雷射處理而裸露出。 十14.如帽專利第9項之多層印刷佈線板，其中，上 处金屬層稞4之部分的#度，魏麵層未裸露出之部分 TF1008401 61 的厚度更薄。 士中„月專利範圍第9項之多層印刷佈線板，其中，上 …層裸露出之部分的表層係屬於光澤面 surface)。 =申凊專利範㈣9項之多騎刷佈線板，其中，上 /層之背側之表層係屬於無光澤面（mat surface)。 述丰2請專魏^第9項之多騎刷佈線板，其中，上 -兀件經由料#j層黏合於上述金屬層上。 著^中_範㈣9項之多騎刷佈棘’其中，黏 “係接觸到半導體元件之底面與侧面的底部周緣。 广如申請專利範圍第9項之多層印刷佈線板，其中，上 述金屬層係預先㈣於基板内而成。 ^0·種多層印刷佈線板，係在收容有半㈣元件的樹脂 絕緣層上，形成其他_脂絕緣層與導體電路，且上述半導 體兀件與導體電路之間係經由通孔進行電性柄接而成的多 層印刷佈線板，其特徵在於： 上述半導體元件係收容於設在樹脂絕緣層的凹部内， 迟凹。卩係开> 成為隨著其側面從底面朝向上方而呈逐漸 擴大的推拔形狀， 在上述凹部之底面上形成載置上述半導體元件的金屬層； 而上述凹部之壁面係裸露出。 21·如申請專利範圍第2〇項之多層印刷佈線板，其中，在 TF1008401 62 1373999 由上述凹部之壁面與半導體元件之側面所構成的間隙中，係 填充有樹脂層。 22. 如申請專利範圍第20項之多層印刷佈線板，其中，在 由上述凹部之壁面與半導體元件之侧面所規定的間隙中，填 充有樹脂絕緣層，且該樹脂絕緣層與半導體元件形成一體 化。 23. 如申請專利範圍第20項之多層印刷佈線板，其中，上 φ 述推拔形狀係具有60度以上、且未滿90度的角度。 24. —種多層印刷佈線板，係在收容有半導體元件的樹脂 絕緣層上，形成其他的樹脂絕緣層與導體電路，且上述半導 體元件與導體電路之間係經由通孔進行電性耦接而成的多 層印刷佈線板，其特徵在於： 上述半導體元件係收容於設在樹脂絕緣層的凹部内， 上述凹部係形成為隨著其側面從底面朝向上方而呈逐漸 φ 擴大的推拔形狀， 在上述凹部之底面形成載置上述半導體元件的金屬層， 在形成上述通孔的開口係被填充導電性物質。 25. 如申請專利範圍第24項之多層印刷佈線板，其中，上 述通孔之剖面係呈鼓型形狀。 26. 如申請專利範圍第24項之多層印刷佈線板，其中，焊 錫墊係配置於上述半導體元件之上方。 27. 如申請專利範圍第24項之多層印刷佈線板，其中，在 TF1008401 63 1373999 上述其他的樹脂絕緣層上，係積層！層以上的樹脂絕緣層， 並形成與導體電路輕接的通孔。 28·如申5月專利範圍苐24項之多層印刷佈線板，其中，在 上述半導體元件之焊墊(Pad)上係形成桎狀電極或填隙層 (mterstitial layer)，並經由該柱狀電極或填隙層，將上述焊 墊與通孔進行電性耦接。 29. 如申請專利範圍苐24項之多層印刷佈線板，其中，上 述推拔形狀係60度以上、且未滿9〇度的角度。 30. 如申請專利範圍第24項之多層印刷佈線板，其中，上 述凹部之壁面係裸露出。 31. 如申請專利範圍第24項之多層印刷佈線板，其中，在 由上述凹。卩之壁面與半導體元件之側面所構成的間隙中，係 填充有樹脂層。 32.如申請專利範圍第24項之多層印刷佈線板，其中，在 由上述凹。p之壁面與半導體元件之側面所構成的間隙中，係 填充有樹脂絕緣層，且與樹脂絕緣層形成一體化。 33. 種夕盾印刷佈線板，係錢容有半導體元件而成的 雙面貼銅積層板，形成賴絕緣層㈣體電路，且上述半導 體元件與賴電路之間，、㈣通錢行紐而成的多層 印刷佈線板，其特徵在於， 立上述半導體元件係收容於設在切雙㈣銅積層板之四 部内’且於其凹部底面形成有用以载置上述半導體元件之金 TF1008401 64 1373999 屬層， 上述金屬層係貼附於上述雙面貼銅積層板之一面。 TF1008401 65