TWI373865B - Organic thin film transistor array panel and manufacturing method thereof - Google Patents

Description

1373865 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種薄膜電晶體陣列面板及其製造方法， 真更具體而言係關於一種有機薄膜電晶體陣列面板及其製 造方法。 【先前技術】 人們一直在努力研究包含有機半導體之電場效應電晶體 作為下一代顯示裝置之驅動裝置。有機半導體可分類為： 低分子化合物’例如寡聚噻吩，並五苯，酞菁及（36〇;及 高分子化合物，例如聚噻吩及聚伸噻吩基及伸乙烯基。該 低分子半導體具有一介於約0.05-1.5 msV範圍内之高遷移 率及優良之通/斷電流比。 但是’製造包含低分子半導體化合物之有機薄膜電晶體 (TFTs)之習用製程可能較為複雜，因為其需要使用一蔽备 遮罩及真空沉積來形成一低分子半導體圖案以避免由有機 溶劑引起的、溶劑誘發之平面内膨脹。 另外，該等習用有機半導體裝置具有缺點，以致其結構 及或性質在該等製造製程期間或之後容易損壞及/或改 變。結果，該等習用有機TFTs之特性不可避免地發生劣 化。 為保護該有機半導體，可使用一光阻劑圖案化一有機半 導體層。但是，此對有機半導體之保護仍不充分。因此， 需要一改進型有機薄膜電晶體陣列面板及一製造其之簡化 方法。 10229S.doc 1373865 【發明内容】 該等劣勢及缺點可藉由一有機薄膜電晶體陣列面板及其 製造方法來克服或緩解。該方法包含：於一基板上形成一 閘極線、於該閘極線上形成一閘極絕緣層及於該閘極絕緣 % 層上形成一資料線及一汲電極。該方法亦包括：於該資料 線、該汲電極及該資料線與汲電極之間的該閘極絕緣層之 一暴露部分上形成一有機半導體層。該方法進一步包含： 形成一完全覆蓋該有機半導體層之保護構件及於該保護構 件、該資料線及該沒電極上形成一鈍化層》該方法進一步 包含··於該鈍化層内形成一接觸孔以暴露該汲電極之一部 分，及於該鈍化層上形成一像素電極。該像素電極經由該 接觸孔連結至該汲電極》 提供一薄膜電晶體陣列面板，其包含：一形成於一基板 上之閘極線、一形成於該閘極線上之閘極絕緣層及一形成 於5亥閘極絕緣層上之資料線及一汲電極。該薄膜電晶體陣 列面板亦包含：一形成於該閘極線、該汲電極及該資料線 與該汲·電極之間的該閘極絕緣層之一暴露部分上之有機半 導體層。該薄膜電晶體陣列面板進一步包括一形成於該有 機半導體層上且元全覆蓋该有機半導體層之保護構件。該 • 薄膜電晶體陣列面板亦包括：一形成於該保護構件、該資 料線及該沒電極上之鈍化層◊一接觸孔形成於該純化層 内’以暴露該汲電極之一部分。該薄膜電晶體陣列面板進 一步包括：一形成於該鈍化層上之像素電極。該像素電極 經由該接觸孔連接至該汲電極。 102298.doc 4 1373865 藉由參閱以下附圖及詳細闡述，熟悉此項技術者將明瞭 其他實施例。本發明意欲將所有此等額外之實施例皆包含 於此闡述中，並將其納入本發明範圍内且由隨附申請專利 範圍加以保護。 【實施方式】 現在將參照顯示本發明較佳實施例之附圖更詳細地闡述 本發明。然而，本發明可實施為多種不同形式，而不應將 本發明視為僅限於本文所述實施例。在所有附圖中，相同 編號皆代表相同元件。根據實例性實施例，展現了 一種有 機薄膜電晶體陣列面板及其製造方法。 圖式中，出於清晰之目的，該等元件之層厚度及區域均 經過放大。另外，應瞭解，當一元件（例如，一層、一區 域或一基板）被描述為位於另一元件「上」時，其將被理 解為或直接位於該另一元件上或該等元件之間有介入元件 存在。與此相反，當一元件被描述為「直接位於另一元件 上」，將理解為該等元件之間沒有介入元件存在。 現翻至圖1及圖2，將闡述一根據本發明一實例性實施例 與一 LCD相關之TFT陣列面板。應理解，本發明之TFT陣 列面板可與其他類型之顯示裝置（例如〇LED) 一起使用。 特定而言，圖1係一實例性TFT陣列面板之佈局圖，而圖2 係沿線ΙΙ-ΙΓ戴取的圖1中所示TFT陣列面板之一剖視圖。 複數個閘極線121形成於一絕緣基板110(例如透明玻 璃，聚矽氧或塑膠）上。 閘極線121基本上於TFT陣列面板之一橫向方向上延伸 102298.doc 1373865 以傳輸閘極信號。每個閘極線121包含複數個向上突起之 閉電極124及一具有一用於接觸另一層或一驅動電路之大 .區域之端部部分129。閘極線121可延伸以連接至一可集成 於基板110上的一驅動電路（未顯示）。 閘極線121可由（例如）如下材料製成：含鋁之金屬，例 如鋁及鋁合金；含銀之金屬，例如銀及銀合金；含銅之金 屬，例如銅及銅合金；含金之金屬，例如金及金合金；含 鉬之金屬，例如鉬及鉬合金；Cr、卩或〜。閘極線ΐ2ι可 籲具有-包括兩個具有不同物理特性之薄膜之多層結構。該 兩個薄膜之一係由（例如）包括含A1金屬、含Ag金屬及含〇11 金屬在内之低電阻率金屬製成以降低該等閘極線121中之 信號延遲或電壓降。另-薄膜係由（例如）諸如含M〇金屬、 Cr、Ti或Ta等材料製成，該材料眾所周知與諸如銦錫氧化物 (ITO)或銦鋅氧化物（IZO)等其他材料具有良好之物理、化 學及電接觸特性。該兩個薄膜組合之實例為：一下部&薄 膜與一上部A1(合金）薄膜及一下部A1(合金）與一上部M〇(合 響金）薄膜。但是，該等薄膜可由不同金屬或導體製造。 閘極線121之側面相對於該基板之一表面傾斜，且其傾 斜角度介於約30-80度之間。 一閘極絕緣層mo形成於該等閘極線121上。該閘極絕緣 層140係由（例如）二氧化矽製成（Si〇2)且具有一經十八烷基 三氣矽烷（ots)處理之表面。但是，該閘極絕緣層14〇可由 下列材料製成：氮化矽（SiNx)，或有機材料，諸如馬來醯 亞胺-苯乙烯、聚乙烯基苯酚（PVP)及經改質之氰乙基支鏈 102298.doc 1373865 澱粉（m-CEP)。 複數個資料線171及複數個汲電極175形成於該閘極絕緣 層140上。 該等資料線171基本上在該TFT陣列面板之一縱向方向 上延伸以傳輸資料電壓且相交該等閘極線121。每個資料 線171包含：一端部部分179，該端部部分具有一用於接觸 另一層或一外部裝置之大區域；及複數個向該等閘電極 124伸出之源電極173。每個源電極173皆根據一閘電極ι24 對置於一對應之汲電極175佈置。每個源電極173與一對應 之汲電極175皆相互分開。 如同閘極線121，資料線171及汲電極175具有傾斜邊緣 剖面，且其傾斜角介於約3〇_8〇度之間。 複數個有機半導體島狀物154各自形成於源電極173、汲 電極175及閘極絕緣層14〇上。在此實施例中，每個有機半 導體島狀物皆佈置於一對應之閘電極124上，以使有機半 導體島狀物154完全覆蓋閘電極124。於此實施例中，閘電 極124及有機半導體島狀物154之邊緣重疊。 有機半導體島狀物154可包含—可溶解於一水溶液或有 機溶劑中之高分子或低分子化合物。通常，—高分子有機 半導體材料極易溶於溶劑中且因此適合於印刷。某些類型 之低分子有機半導體極易溶於無機溶劑中，從而使它們適 合用於無機半導體島狀物丨54。 根據一實施例，有機半導體島狀物154可由具有取代基 之並四苯或並五苯之衍生物製成。另_選擇係，有機半二 102298.doc -10- 1373865 體島狀物154可由在噻吩環之2、5位處連接有48個噻吩之 寡聚噻吩製成。 在另一實施例中，有機半導體島狀物丨54可由茈四羧酸 二酐（PTCDA)、萘四羧酸二酐（NTCDA)或其醯亞胺衍生物 製成。 在另一實施例中，有機半導體島狀物154可由經金屬化 之酞菁及其經甴代之衍生物製成。該經金屬化之酞菁可包 括 Cu、Co、Zn 等。 I 在一進一步之實施例中，有機半導體島狀物154可由伸 噻吩基及伸乙烯基之共-寡聚物或共聚物製成。此外，有 機半導體島狀物1 54可由位置規則性（regj〇regUiar)聚嗟吩 製成。 於再另一實施例中，有機半導體島狀物154可由二萘嵌 苯、暈苯（coroene)及其具有取代基之衍生物製成。 於又一實拖例中’有機半導體島狀物154可由上述衍生 物含有至少一個具一個至三十個碳原子之碳氫鏈之芳香及 •雜芳環之衍生物製成。 一閘電極124、一源電極173及一汲電極ι75與一半導體 島狀物154—起形成一於該半導體島狀物154内形成有—通 道之TFT。特定而言’該通道設置於源電極173與汲電極 175之間。 複數個保護構件164各自形成於半導體島狀物154上》保 護構件164由（例如）可在低溫下乾處理及沉積之絕緣材料製 成。此一材斜之一實例係可於或低於室溫下形成之聚對二 102298.doc •1!· 1373865 甲本基。保護構件164在該製造製程中保護有機半導體島 狀物154免受損壞。保護構件164完全覆蓋有機半導體島狀 物 154。 一鈍化層180形成於資料線171、汲電極175及保護構件 164上。鈍化層180係由（例如）無機絕緣體（如氮化石夕或氧化 矽）' 有機絕緣體或低介電絕緣材料製成。該低介電材料 具有（例如）低於4.0之介電常數，且其實例包含：藉由電紫 增強化學氣相沉積（PECVD)形成之a-Si:C:0及a-Si:0:F。該 有機絕緣體可具有光敏感性，而純化層可具有一平坦 表面。該純化層180可具有一包含一下部無機薄膜及一上 部有機薄膜之雙層結構，以致其既可利用該有機薄膜之優 點又可保護有機半導體島狀物154之暴露部分。 鈍化層180具有複數個分別暴露資料線17丨之端部部分 179及暴露汲電極i75之接觸孔182，ι85。鈍化層ι8〇及閘 極絕緣層140具有複數個該等暴露閘極線m之端部部分 129之接觸孔181。 複數個像素電極190形成於鈍化層上，且複數個接觸 輔助物81及82形成於接觸孔181及182内。像素電極19〇及 接觸輔助物81及82係由（例如）一透明導體（如〗丁〇或IZ〇)或 一反射導體（如Ag或A1)製成。 像素電極190經接觸孔丨85以實體及電方式連接至汲電極 175以使像素電極19〇可接收來自汲電極π〗之資料電壓。 當給像素電極19〇提供資料電壓時，像素電極19〇與一設置 於像素電極190對面且被供應一共用電壓之共用電極協作 102298.doc •12· !373865 產生多個電場，其決定了設置於該兩個電極之間的—液晶 層（未顯示）之液晶分子之定向或於一發光層中產生電流以 發光。 像素電極190重疊閘極線121及資料線m以增加開口 率。 接觸辅助物81及82藉助接觸孔181與182分別連接至閉極 線121之暴露端部部分129與資料線171之暴露端部部分 179。接觸輔助物81及82用於保護暴露部分129與ι79並補 充暴露部分129及179與外部裝置之黏著性。 現翻至圖3-12 ’將詳細闡述根據本發明之一實例性實施 例製造圖1及圖2所示TFT陣列面板之方法。在圖3_12中， 與圖1及圖2令之組件等同之組件用相同之參考編號表示且 省略其描述以避免重複。 圖3、5、7、9及11係根據本發明一實施例處於其一製造 方法之中間步驟中之圖丄及圖2所示一 TFT陣列面板之佈局 圓，圖4係沿線IV-IV'截取的圖3中所示TFT陣列面板之一 剖面圖。圖6係沿線IV-V；r截取的圖5中所示打丁陣列面板 之一剖面圖。圖8係沿線νΐΙΙ·νπΓ截取的圖7中所示TFT陣 列面板之一钊面圖。圖1〇係沿線x〇r截取的圖9中所示 TFT陣列面板之—剖面圖；及圖12係沿線χιι_χ『截取的 圖Π中所示TFT陣列面板之一剖面圖。 參照圖3及4，包含閉電極124及端部部分129在内之閉極 線12丨形成於該絕緣基板上。絕緣基板ιι〇可由透明玻璃、 聚矽氧或塑膠製成。 102298.doc •13· 1373865 參照圖5及6，错由使用（例如）化學氣相沉積（cVD)法將 閘極絕緣層140沉積於基板11〇上。閘極絕緣層ι4〇可具有 一約500至3,000埃之厚度。閘極絕緣層14〇可浸入十八烧 基二氯石夕院（OTS)中且因此具有一經〇ts處理之表面。此 後’藉由使用（例如）真空熱沉積等將一由（例如）低電阻率 金屬（例如Au)製成之傳導層沉積於閘極絕緣層14〇上。藉 由使用（例如）微影及餘刻製程圖案化該傳導層以形成包含 源電極173及端部部分179之資料線171及汲電極丨75。 參照圖7及8，藉由使用（例如）分子束沉積、氣相沉積、 真空昇華、CVD、PECVD、反應性沉積、濺鍍、旋塗等方 法將一有機半導體層沉積於源電極173、汲電極175及源電 極173與汲電極175之間的閘極絕緣層14〇之一暴露部分 上’且藉由使用（例如）微影及蝕刻製程將其圖案化以形成 有機半導體島狀物154。 參照圖9及10 ’在或低於室溫下，將一絕緣層乾沉積於 有機半導體島狀物154上。該絕緣層可由聚對二甲笨製 成。該絕緣層之低溫乾沉積可防止半導體島狀物丨54受到 損壞。該絕緣層經受微影及乾蝕刻以形成保護構件164。 保護構件164完全覆蓋有機半導體島狀物154。 參照圖11及12，鈍化層180與閘極絕緣層ι4〇一同沉積及 圖案化，以形成分別暴露閘極線121及資料線17丨之端部部 分129及179及没電極175之一部分的接觸孔18ι，182及 185。由於有機半導體島狀物154由保護構件164完全覆 蓋’有機半導體島狀物154不會因鈍化層18〇之形成而受到 102298.doc •14- 1373865 影響。 像素電極190及接觸輔助物81及82形成於圖1及圖2中所 示之純化層180上。有機半導體島狀物154不會因像素電極 190及接觸辅助物81及82之形成而受到影響，因為有機半 導體島狀物154未暴露在外。 由於有機半導體島狀物154由保護構件164完全覆蓋，藉 以防止有機半導體島狀物丨54受到損壞，因而增加了該等 有機TFTs之可靠性且簡化了該製造製程。 本發明可用於包含LCD及OLED之任何顯示裝置。 雖然上文已詳細描述本發明之較佳實施例，但應清楚地 瞭解’熟習比項技術者可對本文所教示之基本發明概念做 多種改變及/或修改，此等變化及/或修改皆仍屬於隨附申 請專利範圍所界定的本發明之精神及範_内。 【圖式簡單說明】 藉由參照附圖詳細闡述本發明之實施例，將使本發明更 易於為人們所瞭解，附圖中： 圖1係根攄本發明之一實施例用於一 LCD之一實例性TFT 之佈局圖； 圖2係沿線ΙΜΓ截取的該TFT陣列面板之一剖面圖； 圖3、5、7、9及丨丨係根據本發明之一實施例處於其一製造 方法之中間步驟中之圖1及圖2所示TFT陣列面板之佈局圖； 圖4係沿線IV-IV'截取的圖3中所示τρτ陣列面板之一剖 面圖； 圖6係沿線IV-VI /截取的圖5中所示TFT陣列面板之一剖 102298.doc -15- 1373865 面圖； 圖8係沿線νΐΠ·νΙΙΓ截取的圖7中所示TFT陣列面板之一 剖面圖； 圖10係沿線XOT截取的圖9中所示TFT陣列面板之一剖 面圖；及 圖12係沿線ΧΙΙ-ΧΙΓ截取的圖U中所示邝丁陣列面板之 一剖面圖；

【主要元件符號說明】 81 接觸辅助物 82 接觸輔助物 110 絕緣基板 121, 129 閘極線 124 閘電極 140 閘極絕緣層 154 半導體 164 保護構件 171, 179 資料線 173 源電極 175 汲電極 180 純化層 181, 182,185 接觸孔 190 像素電極 102298.doc -16·

Claims (1)

1. 第094119714號專利申請案 化 中文申請專利範圍替換本(1〇1年5助 十、申請專利範圍： Λ 1. 一種製造一薄膜電晶體陣列面板之方法，其包括： 於一基板上形成一閘極線； 於該閘極線上形成一閘極絕緣層； 於該閘極絕緣層上形成一資料線及一汲電極； 於該資料線、該汲電極及該資料線與該汲電極之間的 該閘極絕緣層之一暴露部分上形成一有機半導體層； 形成一完全覆蓋該有機半導體層之保護構件； 於該保護構件、該資料線及該汲電極上形成一鈍化 層； 於該鈍化層内形成一接觸孔以暴露該汲電極之一部 分；及 於該鈍化層上形成一像素電極，該像素電極經由該接 觸孔連接至該汲電極， 其中該保護構件之該形成包括： 在一等於或低於一室溫之溫度下沉積一絕緣層；及 以一乾方法圖案化該絕緣層以形成該保護構件。 2. 如申請項1之方法，其中該保護構件包含聚對二甲苯 基。 3. 如申請項1之方法，其中該有機半導體層包括至少一選 自由如下材料組成之組中之材料： 並四苯、並五笨及其具有取代基之衍生物； 於嗟吩環之2、5位連接有4-8個售吩之寡聚售吩； 花四幾·酸一針（PTCDA)、萘四缓酸二針（NTCDA)及其 102298-1010518.doc 酿亞胺衍生物； 經金屬化之駄菁及其經卣代之衍生物； 仲嗟吩基及伸乙烯基之共_寡聚物及共聚物； 位置規則性（regioregular)聚嚷吩； 一蔡鼓苯 '暈笨（coroene)及其具有取代基之衍生物；及 上述材料含有至少一個具有一個至三十個碳原子之炭 氫鏈之芳香及雜芳環。 4. 如請求項1之方法’其中該絕緣層包含至少一種選自由 下列材料組成之群中之材料：二氧化矽、氮化矽、馬來 醯亞胺·苯乙烯、聚乙烯基苯酚（pvp)及經改質之氰乙基 支鍵澱粉（m-CEP) p 5. 如請求項4之方法，其中該閘極絕緣層具有一經十八烷 基三氯矽烷處理之表面。 6· 一種薄膜電晶體陣列面板，其包含： 一形成於一基板上之閘極線； 一形成於該閘極線上之絕緣層； 一形成於該閘極絕緣層上之閘極線及汲電極； 一形成於該閘極線、該汲電極及該閘極線與該汲電極 之間的該閘極絕緣層之一暴露部分上之有機半導體層； 一形成於該有機半導體層上且完全覆蓋該有機半導體 層之保護構件； 一形成於該保護構件、該閘極線及該汲電極上之鈍化 層； 一部分之接觸 一形成於該鈍化層内以暴露該汲電極之 102298-10105I8.doc 1373865 一形成於該銘化層上之像素電極，該像素電極經由該 接觸孔連接至該汲電極， 其中該保護構件包含一能夠在一等於或低於一室溫之 溫度下沉積之材料；及 其中該保護構件包含一能乾處理之材料。 7. 如申請項6之薄膜電晶體陣列面板，其中該保護構件包 含聚對二甲苯基》 8. 如申請項6之薄膜電晶體陣列面板，其中該有機半導體 層包含至少一種選自由下列材料組成之群中之材料： 並四苯、並五苯及其具有取代基之衍生物； 於0S吩環之2、5位連接有4-8個嗟吩之寡聚噻吩； 茈四羧睃二酐（PTCDA)、萘四羧酸二酐（NTCDA)及其 醢亞胺衍生物； 經金屬化之酞菁及其經_代之衍生物； 伸嗟吩基及伸乙烯基之共-寡聚物及共聚物； 位置規則性（regioregular)聚嘆吩； 二萘嵌苯、暈苯（coroene)及其具有取代基之衍生物；及 上述材料含有至少一個具有一個至三十個碳原子之炭 氫鏈之芳香及雜芳環。 9·如請求項6之薄膜電晶體陣列面板，其中該閘極絕緣層 包含至少一種選自由下列材料組成之群中之材料：二氣 化矽、氮化矽、馬來醯亞胺_苯乙烯、聚乙烯基笨酚 (pvp)及經改質之氰乙基支鏈澱粉（m_CEp)。 102298-I010518.doc 1373865 1〇_如清求項9之薄膜電晶體陣列面板，其中該閘極絕緣層 具有一經十八烷基三氯矽烷處理之表面。 11. 如請求項6之薄膜電晶體陣列面板，其中該至少一個閘 極線包含一自其分支且由該有機半導體層完全覆蓋之閘 電極。 12. 如請求項6之薄膜電晶體陣列面板，其進一步包含一形 成於該鈍化層及該閘極絕緣層内以暴露該閘極線之一端 部部分之第二接觸孔。 13. 如請求項6之薄膜電晶體陣列面板，其進一步包含形成 於該鈍化層及該閘極絕緣層中以暴露該閉極線之一端部 部分之第三接觸孔。 102298-1010518.doc