TWI364587B - Liquid crystal display panel and semiconductor array substrate thereof - Google Patents
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Description
1364587
1 ' TW4258PA 九、發明說明： •【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種液晶顯示面板及其半導體陣列 基板，且特別是有關於一種超高開口率之液晶顯示面板及 其半導體陣列基板。 【先前技術】 近年來隨著薄型化顯示技術的進步，各種薄型化顯示 ·· 裝置挾其體積小、重量輕、低輻射及低耗電等特點，成為 消費者選購顯示器或電視時的首選。在各種薄型北顯示裝 置中，由於液晶顯示裝置之價格相對低廉，且市面上可見 之產品線齊全，使得液晶顯示裝置成為最受市場矚目的薄 型化顯示裝置之一。然而，隨著液晶顯示裝置在市場上的 ' 接受度大增，消費者對於液晶顯示裝置的畫面品質亦有曰 益嚴苛的要求，例如顯示亮度及對比度等。 I 目前業界係發展出一種超高開口率（Super-High
Aperture，SHA )之液晶顯示面板，藉由設置一平坦層於 薄膜電晶體基板之結構中，係可增加畫素電極之面積，以 提高開口率，進而提升顯示對比度及亮度。請參照第1圖， 其繪示習知應用超高開口率技術之液晶顯示面板之示意 圖。液晶顯示面板100包括彩色濾光片基板110、液晶層 130以及薄膜電晶體基板150。SHA技術中，係將一高透 性特殊樹脂之平坦層159設置於畫素電極161與薄膜電晶 體基板150之金屬配線（例如資料線153)之間。平坦層 6 1364587
' * TW4258PA 159具有平坦之表面，係可降低光源扭曲散射或折射的現 象。另外，平坦層159具有一厚度，用以增加畫素電極Μ】 •與資料線153之距離，降低資料線153與畫素電極161之 間電容效應的影響，以及畫素電極161與金屬配線間發生 短路的風險。如此係可增加對應每一畫素之畫素電極161 的面積，從而提升開口率，增加顯示亮度，進一步提升顯 不品質。另外’液晶層13〇對應於畫素電極161之邊緣處 鲁 具有多個邊緣電場區（edge eiectric filed region ) Β。 然而’在液晶顯示面板100之製程中，當進行彩色濾 光片基板110與薄膜電晶體基板〗5〇之對組時，容易發生 對位偏移的現象。當彩色濾光片基板110與薄膜電晶體基 板150發生偏移時，彩色濾光片基板110上的黑色矩陣117 - 便無法正確地對應位於相鄰晝素電極161間的間隙161a 上方。如此一來’沿著特定角度穿透通過液晶層130之邊 緣電％區B的背光光線D，便無法受到黑色矩陣117的阻 鲁推。因而會使液晶顯示面板100發生斜向漏光的現象，並 導致顯示品質的下降。 為了解決對組偏移導致斜向漏光的現象，目前業界常 見的解決辦法係直接增加位於彩色濾光片基板110的黑色 B /之九度’以阻擋沿特定角度穿透通過邊緣電場區 的月光光線D。然而增加黑色矩陣H7之寬度相對降低 了液晶顯示面板100的開口率。 因此’如何在增加開口率的同時，避免斜向漏光的現 号生’實為目前亟待解決的.問題之一。 7 1364587
* * TW4258PA 【發明内容】 本發明係有關於一種半導體陣列基 板，將不透光層設置於位在晝素電極與透 液晶顯示面 坦層中，並且使不透光層部分地重疊於書二材之間的平 此可避免應用半導體陣列基板之液晶顯;面極了方’如 光的現象’進一步提升顯示對比度，維 產生斜向漏 4守顯示〇 _ 根據本發明，提出一種半導體陣列義板 貝。 透明基材、一平坦層、多個畫素電極以及一 一係包括一 \ 坦層覆蓋於透明基材上，畫素電極係以陣列=透光層。平 置於平坦層上，且各兩相鄰之畫素電極 列之方式設 曰』隔一 Pal陆 透光層設置於平坦層中，不透光層係實質上位一承。不 之下方。不透光層兩側具有一延伸部，拍；母一間隙 側延伸至部分晝素電極之下方處。不透光層之厚户兩 炱少為平坦層厚度之二分之一。 予X實貝上 根據本發明’另提出一種液晶顯示裝置，其係勹括 彩色濾、光片基板、一液晶層以及一半導體陣列其板、、 層設置於半導體陣列基板及彩色濾光片基板之^。半 陣列基板設置於彩色濾光片基板之一側，且包括一透明某 财、一平坦層、多個畫素電極及一不透光層。平坦層覆^ 於透明基材上，畫素電極係以陣列排列方式設置於平坦層 上，各兩相鄰之畫素電極係間隔一間隙。液晶層具有多個 邊緣電場區’此些邊緣電場區係鄰近晝素電極之邊緣處。 不透光層設置於平坦層中，且實質上位於每一間隙下方， 用以阻擋一背光光線沿一角度穿透通過此些邊緣電場區。 8 1364587
TW4258PA 不透光層之兩側具有一延伸部，其係往每一間隙之兩側延 伸至部分晝素電極的下方，並且凸出於每一邊緣電場區對 應各畫素電極的下方處。不透光層之厚度實質上至少為平 坦層厚度之二分之一。 為讓本發明之上述目的、特徵、和優點能更明顯易 懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明 如下： 【實施方式】 依照本發明之半導體陣列基板及液晶顯示面板之實 施例，係採用將平坦層設置於透明基材與晝素電極之間的 方式，使得晝素電極與資料線路相隔一距離，且晝素電極 係部分地重疊於資料線上方（上述仍為習知，僅為說明之 用）。本發明之實施例係將不透光層係設置於平坦層中，並 且使其厚度至少為平坦層厚度之二分之一。由於不透光層 之兩侧具有延伸部，其係朝向相鄰晝素電極間間隙之兩側 延伸至部分的晝素電極下方，並且凸出於液晶層之邊緣電 場對應晝素電極之下方處。因此，不透光層具有足夠之寬 度及厚度，以阻擋背光光線沿一角度穿透通過液晶層之邊 緣電場，可避免液晶顯示面板斜向漏光的現象。以下係提 出依照本發明之實施例的詳細說明，然實施例僅用以作為 範例說明，並不會限縮本發明欲保護之範圍。再者，實施 例中之圖式亦省略不必要之元件，以清楚顯示本發明之技 術特點。 9
Claims (1)
1364587 . · * 1101 年.02 月 1.5 日 101年2月15日修正替換頁 十、申請專利範圍： 1. 一種半導體阵列基板（semiconductor array substrate)，包括： 一透明基材； 一平坦層，覆蓋於該透明基材上； 複數個晝素電極，以陣列排列方式設置於該平坦層 上’各兩相鄰之該些畫素電極係間隔一間隙；以及 一不透光層，設置於該平坦層中，該不透光層係實質 上位於每一該些間隙下方，該不透光層兩側具有一延伸 部’並往每一該些間隙之兩側延伸至部分該晝素電極之下 方處； 其中’該不透光層之厚度實質上至少為該平坦層厚度 之二分之一’該半導體陣列基板於鄰近該些畫素電極之邊 緣處具有複數個邊緣電場區（edge eiectric field region )， 該不透先層用以阻擋一背光光線沿一角度穿透通過該些邊 緣電場區。 2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體陣列基板，其 中該不透光層之厚度至多實質上相等於該平坦層之厚度。 3. 如申請專利範圍第1項所述之半導體陣列基板，其 中該角度實質上為45度角。 4. 如申請專利範圍第1項所述之半導體陣列基板，更 包括： 複數條資料線（data line )，以相互平行之方式設置於 該透明基材上’該不透光層係覆蓋於該對應之資料線上； 19 09710^800 ^04587 11Ό1·年.02月 IT日銜I 101年2月15日修正替換頁 其中’該不透光層覆蓋於該對應之資料線上之寬度， 至少實質上相等於各該資料線之寬度。 5. 如申請專利範圍第4項所述之半導體陣列基板，更 包括： —保護層（passivation layer )’設置於該平坦層與該透 明基材之間’並且至少覆蓋於該些資料線上。 6. 如申請專利範圍第4項所述之半導體陣列基板，更 包括： 複數個半導體開關件，以陣列排列方式設置於該透明 基材上，每一該些半導體開關件係連接於該對應之資料線 及該對應之畫素電極； 其中’該不透光層更覆蓋該些半導體開關件。 7·如申請專利範圍第1項所述之半導體陣列基板，更 包括： 複數條掃描線（scan line)，以相互平行之方式設置於 该透明基材與該平坦層之間，該不透光層實質上更位於該 些知*描線上方。 8. —種液晶顯示面板，包括： 一彩色濾、光片基板； 一液晶層，具有複數個邊緣電場區；以及 一半導體陣列基板，設置於該彩色濾光片基板之一 側’且該液晶層係設置於該半導體陣列基板及該彩色濾光 片基板之間，該半導體陣列基板包括： 一透明基材； P971Q5809 1013Ό5444Β-0 1364587. • 101年.02月15日修正脊&頁 101年2月15日修正替換頁 一平坦層，覆蓋於該透明基材上； 複數個畫素電極，以陣列排列方式設置於該平坦 層上，各兩相鄰之該些畫素電極係間隔一間隙，其中該些 邊緣電場區係鄰近該些畫素電極之邊緣處；及 一不透光層，設置於該平坦層中，用以阻擋一背 光光線沿一角度穿透通過該些邊緣電場區，該不透光層實 質上位於每一該些間隙下方，該不透光層兩側具有一延伸 部，並往每一該些間隙之兩側延伸至部分該晝素電極之下 方處，且凸出於每一該些邊緣電場區對應各該晝素電極之 下方處，該不透光層之厚度實質上至少為該平坦層厚度之 二分之一。 9. 如申請專利範圍第8項所述之液晶顯示面板，其中 該不透光層之厚度至多實質上相等於該平坦層之厚度。 10. 如申請專利範圍第8項所述之液晶顯示面板，其 中該角度實質上為45度角。 11. 如申請專利範圍第8項所述之液晶顯示面板，其 中該半導體陣列基板更包括： 複數條資料線，以相互平行之方式設置於該透明基材 上，該不透光層係覆蓋於該對應之資料線上； 其中，該不透光層覆蓋於該對應之資料線上之寬度， 至少實質上相等於各該資料線之寬度。 12. 如申請專利範圍第11項所述之液晶顯示面板，其 中該半導體陣列基板更包括： 一保護層，設置於該平坦層與該透明基材之間，並且 21 097105809 vl€il3:Ci544^Br€) 1364587 101年.02月15日梭正替換頁 101年2月15日修正替換頁 至少覆蓋於該些資料線上。 13. 如申請專利範圍第11項所述之液晶顯示面板，其 中該半導體陣列基板更包括： 複數個半導體開關件，以陣列排列方式設置於該透明 基材上，每一該些半導體開關件係連接於該對應之資料線 及該對應之畫素電極； 其中，該不透光層更覆蓋該些半導體開關件。 14. 如申請專利範圍第8項所述之液晶顯示面板，其 中該半導體陣列基板更包栝： 複數條掃描線，以相互平行之方式設置於該透明基材 與該平坦層之間，該不透光層實質上更位於該些掃描線上 方。 D971D5809 1013D54448-0 22 1364587 TW4258PA Jl· 261a ίοί年.02月15日梭正t«頁 專利申請案號第097105809號修正
L
第4圖 P97105809 1364587 1ΌΓ年.02月15日按正替換頁 TW4258PA 專利申請案號第097105809號修正 L
第5 B 097105809 •101305444 S-0 ' · · 1364587 !...: 10Ϊ年.0?月15日修正琴换頁 101年2月15日修正替換頁 .七、指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：第5圖 (二） 本代表圖之元件符號簡單說明： 230 :液晶層 250”：半導體陣列基板 · 251 :透明基材 .253 :資料線 255 :保護層 257” ：不透光層 1 259 :平坦層 261 :晝素電極 . E:邊緣電場區 L :背光光線 tl” ：不透光層之厚度 t2 :平坦層之厚度 wl” ：不透光層之寬度 w2:資料線之寬度 Θ :角度 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵 的化學式：無 037105803
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