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TWI364225B - Surface acoustic wave filter and method for making same - Google Patents

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TWI364225B
TWI364225B TW94131032A TW94131032A TWI364225B TW I364225 B TWI364225 B TW I364225B TW 94131032 A TW94131032 A TW 94131032A TW 94131032 A TW94131032 A TW 94131032A TW I364225 B TWI364225 B TW I364225B
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acoustic wave
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Shuo Ting Yan
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Hon Hai Prec Ind Co Ltd
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1364225 --- 101年.03月12日修正替換頁 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 [0001] 本發明係關於-種表面聲波元件及其製作方法,尤其係 關於-種具有較小插入損耗之表面聲波元件及其製作方 法。 [0002] 【先前技術】 表面聲波元件係利用於一蒱 搜彈性固體表面上傳播之波, 來進行電訊號處理。典型夕▲ ^ •^之表面聲波元件係利用一個換 能器,將以光速傳播之雷进 电Μ訊號波轉換成比光速慢之聲 頻訊號波。這種顯著之波1^ 久長减小可使設計人員於比傳統 之電路設計所需空間小得玄+ w夕之空間内,實施一些複雜之 訊號處理功能。採用了弁 尤進微電子加工技術製造之表面 聲波τς件具有體積小、重量輕可靠性高一致性好 以及夕功π等優點’在通訊、電視、遙控和報警等系統 中已得到廣泛應用’例如用於濾波器、諸振器、振蕩器 、延時線及其他類似之裝置巾,數以億計之行動電話和 f視機中都應用了多個表面聲波滤波器。隨著加工工藝 之飛速發展,表面聲波元件已成為現代資訊産業不可或 缺之關鍵元器件之一。 [0003] 一種習知表面聲波元件包括二換能器、反射器及一壓電 基片,該二換能器及反射器係製作於壓電基片上,採用微 電子工藝技術製作又指換能器和反射器等,利用基片材 料之壓電效應,通過輸入叉指換能器(Inter Digital Transducer, IDT)將電訊號轉換成聲訊號,並局限在 基片表面傳播,輸出叉指換能器將聲訊號恢復成電訊號 09413103#單編號 A0101 1013090155-0 第3頁/共13頁 1364225 101年03月12日梭正替換頁 ,實現電-聲-電之變換過程,完成電訊號處理過程,獲 得各種用途之電子器件。反射器之作用係將換能器終端 損失之能量反射回換能器中。壓電基片上之叉指換能器 之幾何尺寸,例如又指之條高、節距及數目,對於一個 表面聲波元件之訊號處理及頻率響應特性起重要作用。 表面聲波元件之設計者通常在表面聲波元件達到工作所 需之頻率響應時,把注意力集中於表面聲波元件之幾何 尺寸及壓電基片所使用材料之選蘀上。然,習知之具有 叉指換能器之表面聲波元件,其電極為均勻重疊電極, 此設計並不能有效地降低表面聲波元件之插入損耗。 【發明内容】 [0004] 有鑑於此,有必要提供一種具有較低插入損耗及設計自 由度較高之表面聲波元件。 [0005] 另,有必要提供一種製作具有較低插入損耗及設計自由 度較高之表面聲波元件之方法。 [0006] —種表面聲波元件,其包括一壓電基板,一第一換能器 及一第二換能器,該第一換能器與該第二換能器設於該 壓電基板上,且該第一換能器與該第二換能器聲耦合; 其中,至少一換能器包括一第一電極母條及一第二電極 母條,該第一電極母條及第二電極母條分別設有二電極 ,該第一電極母條之二電極分別與該第二電極母條之二 電極相配合圍成螺旋狀。 [0007] 一種表面聲波元件製作方法,包括以下步驟:提供一基 片;於該基片之表面濺鍍一壓電薄膜層;於該壓電薄膜 層表面塗敷一層光阻層;將一光罩罩於該光阻層表面; 1013090155-0 09413103#單编號A〇101 第4頁/共13頁 1364225 __ ιοί年.03$ 12日修正替換頁 用光照射該光罩,於該光阻表面形成一曝光區;取下該 光罩後,去除該曝光區之曝光光阻,露出部份壓電薄膜 層,該露出之部份壓電薄膜層為螺旋狀;於剩餘光阻及 路出之。卩伤壓電薄膜層表面錄一層導電金屬膜;及洗去 該剩餘光阻及附著於其上之導電金屬膜層。 _相較習知技術,所述表面聲波it件之電極交互圍繞成一 螺旋狀’因而其重疊長度長,可有效降低插入損耗。另 ,所述螺旋狀之電極之長短、寬度及間距等參數,可在 設計上不斷變化,從而控制表面聲波元件之插入損耗、 頻寬及表面聲波速度等參數,從而提高表面聲波元件及 其應用糸統之設計自由度。 【實施方式】 ]本發明較佳實施例公開了一種表面聲波元件卜請參閱第 一圖所不,該表面聲波元件1包括基片10、壓電薄膜層20 第換胃匕器30及第二換能器40.。該壓電薄膜層2〇、第 —換能器30及第二換能器4〇設於基片1〇上,且第一換能 器30與第二換能器4〇聲賴合。 [0010] 基片1G為一長方形薄板係由梦材料製成。壓電薄膜層 2〇形成於基片1〇之上表面,壓電薄膜層2〇係由氧化鋅 (ΖηΟχ)、鈮酸鋰(LiNb〇x)、鈦酸鋰(UTi〇x)或鈕酸鋰 (LiTaOx)等材料製成。 [0011] 第一換能器30及第二換能器4〇並排設於壓電薄膜層2〇之 上表面。第一換能器3〇具有一第一電極母條32及一第二 電極母條34,第一電極母條32及第二電極母條34平行設 m 置。第一電極母條32上連接有一第一電極321、一第二電 09413103#單編號A01〇l 第5頁/共13頁 ' 1013090155-0 1364225 _ 101年.03月12日接正替換頁 極323及-電訊號輸入端36,第二電極母條34上連接有一 第三電極34卜-第四電極343及一接地端^。四電極之 材料可為金、銀、銅紐。第_電極321與第三電極Μ 相對設置,並相互配合圍成螺旋狀,第二電極323與第四 電極343相對設置,並相互配合圍成螺旋狀,其中,每一 組螺旋狀電極之相鄰兩同性電極之間距較佳為 一個表面 聲波波長,相鄰兩異性電極之間距較佳為半個表面聲波 波長。電訊號輸人端36用於接收第—換能㈣外部之電 訊號’接地端38用於將第-換能㈣接地。 [0012] 第二換能器40具有一第二雷柘再政 负乐一冤極母條42及一第四電極母條 44,第三電極母條42及第四電極母條44平行設置。第三 電極母條42上連接有-第五電極421、—第六電極⑵及 -電訊號輸出端46,第四電極母條44上連接有一第七電 極441、一第八電極443及—接地端48。四電極之材料可 為金 '銀、銅或鋁。第五電極421與第七電極441相對設 置,並相互配合圍成螺旋狀’第六電極423與第八電極 443相對设置,並相互配合圍成螺旋狀,其中,每一組螺 旋狀電極之相鄰兩同性電極之間距較佳為一個表面聲波 波長,相鄰兩異性電極之間距較佳為半個表面聲波波長 。電訊號輪出端46用於將第二換能器4〇之電訊號輸出, 接地端48用於將第二換能器4〇接地。 [0013]表面聲波元件1工作時,第一換能器30之電訊號輸入端36 接收外部之電訊號,由於壓電薄膜層2〇具有壓電特性, 第一換能器30之螺旋狀電極將接收之電訊號轉換成表面 聲波,該表面聲波沿著壓電薄膜層2〇傳播至第二換能器 1013090155-0 09413103#單编號A01〇l 第δ頁/共13頁 1.364225 101年.03月12日梭正替換頁 40,第二換能器40之螺旋狀電極將表面聲波轉換成電訊 號,由第二換能器40之電訊號輸出端46輸出。 [0014] 本發明較佳實施例公開之表面聲波元件之電極交互圍繞 成一螺旋狀,因而其重疊長度長,可有效降低插入損耗 。另,本表面聲波元件螺旋狀之電極之長短、寬度及間 距等參數,可在設計上不斷變化,從而控制表面聲波元 件之插入損耗、頻寬及表面聲波速度等參數,從而提高 表面聲波元件及其應用系統之設計自由度。 [0015] ,請參閱第二圖,該表面聲波元件1之製作方法包括以下步 驟: [0016] 首先提供一矽基片10 ;然後將該矽基片10置於真空腔内 ,以氧化鋅'(ZnOx)、銳酸裡(LiNbOx)、鈦酸裡 (LiTiOx)或组酸链(LiTaOx)為滅鐘乾材,以氬氣(Ar) 與氧氣為濺鍍氣體,於該矽基片10之表面濺鍍一壓電薄 膜層20,滅鐘方法可為反應性直流滅鑛(DC reactive sputtering)或反應性射頻減:鍍(RF reactive sputtering);於Μ電薄膜層20表面塗敷一層光阻層50 ;然後將一光罩(圖未示)箪於該光阻層50表面;用雷射 光或紫外光照射該光罩,於光阻表面形成一曝光區;取 下光罩後,將曝光之光阻層50置於顯影液内,去除曝光 區之曝光光阻501,露出部份壓電薄膜層201 ;接著利用 濺鍍法於剩餘光阻及露出之部份壓電薄膜層201表面鍍一 層導電金屬膜60,該金屬可為金、銀、銅或鋁;洗去剩 餘光阻及附著於其上之金屬膜層601,則剩餘之金屬膜層 即為第一換能器30及第二換能器40之電極,該第一換能 Q94131Q3产單編號Α0101 第7頁/共13頁 1013090155-0 1364225 __ 101年.03月12日核正替换頁 器30之四個電極兩兩相互並列圍成螺旋狀,該第二換能 器40之四個電極兩兩相互並列圍成螺旋狀,此時便已製 得所述之表面聲波元件1。 [0017] 綜上所述,本發明符合發明專利要件,爰依法提出專利 申請。惟,以上所述者僅為本發明之較佳實施例,舉凡 熟悉本案技藝之人士,在援依本案發明精神所作之等效 · 修飾或變化,皆應包含於以下之申請專利範圍内。 【圖式簡單說明】 [0018] 第一圖係本發明較佳實施例之表面聲波元件之立體結構 不意圖, [0019] 第二圖係本發明較佳實施例之表面聲波元件之製作流程 示意圖。 【主要元件符號說明】 [0020] 表面聲波元件:1 [0021] 壓電薄膜層:20 [0022] 第一電極母條:32 [0023] 電訊號輸入端:36 [0024] 第二換能器:40 [0025] 第四電極母條:44 [0026] 接地端:48 [0027] 金屬膜:60 [0028] 基片:10 09413103#單编號 A〇101 第8頁/共13頁 1013090155-0 1364225 [0029] 第一換能器: 30 [0030] 第二電極母條 :34 [0031] 接地端:38 [0032] 第三電極母條 :42 [0033] 電訊號輸出端 :46 [0034] 光阻層:50 09413103^^^ A〇101 第9頁/共13頁 101年.03月12日修正替換頁 1013090155-0

Claims (1)

1364225 101年03月12日核正替換頁 七、申請專利範圍: 1 . 一種表面聲波元件,其包括: 一壓電基板;及 ;換能器,該二換能器設於該壓電基板上,且其相互聲耦 合; 其中,至少一換能器包括一第一電極母條及一第二電極母 條,該第一電極母條及第二電極母條分別設有二電極,該 第一電極母條之二電極分別與該第二電極母條之二電極相 配合圍成螺旋狀。 2 .如申請專利範圍第1項所述之表面聲波元件,其中該壓電 基板包括一基月及一設於基片上之壓電薄膜層。 3.如申請專利範圍第2項所述之表面聲波元件,其中該基片 之材料為矽。 4 .如申請專利範圍第2項所述之表面聲波元件,其中該壓電 薄膜層之材料為氧化鋅、鈮酸鋰、鈦酸鋰或钽酸鋰中之一 種。 如申請專利範圍第1項所述之表面聲波元件,其中該電極 之材料為金、銀、銅或鋁中之一種。 如申請專利範圍第1項所述之表面聲波元件,其中該相鄰 兩同性電極之間距為一個表面聲波波長。 如申請專利範圍第1項所述之表面聲波元件,其中該相鄰 兩異性電極之間距為半個表面聲波波長。 如申請專利範圍第1項所述之表面聲波元件,其中該二換 能器均具有二電極母條,該二電極母條分別設有二電極, 一電極母條之二電極分別與另一電極母條之二電極相配合 09413103#單编號 A〇101 第10頁/共13頁 1013090155-0 1*364225 101·年.03月12日修正替換頁 圍成螺旋狀。 9 . 一種表面聲波元件製作方法,包括以下步驟: 提供一基片; 於該基片之表面濺鍍一壓電薄膜層; 於該壓電薄膜層表面塗敷一層光阻層; 將一光罩罩於該光阻層表面; 用光照射該光罩,於該光阻表面形成一曝光區; 取下該光罩後,去除該曝光區之曝光光阻,露出部份壓電 薄膜層,該露出之部份壓電薄膜層形成複數螺旋; 於剩餘光阻及露出之部份壓電薄膜層表面鍍一層導電金屬 膜;及 洗去該剩餘光阻及附著於其上之導電金屬膜層。 10 .如申請專利範圍第9項所述之表面聲波元件製作方法,其 中該基片之材料為碎。 11 .如申請專利範圍第9項所述之表面聲波元件製作方法,其 中該壓電薄膜層之材料為氧化鋅、鈮酸鋰、鈦酸鋰或鈕酸 裡中之一種。 12 .如申請專利範圍第9項所述之表面聲波元件製作方法,其 中該導電金屬膜之材料為金、銀、銅或鋁中之一種。 13 .如申請專利範圍第9項所述之表面聲波元件製作方法,其 中該濺鍍方法為反應性直流濺鍍或反應性射頻濺鍍。 094131G3#單編號 A_ 第11頁/共13頁 1013090155-0
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