TWI363575B - Organic light-emitting display device and method for fabricating the same - Google Patents

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1363575 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種有機發光顯示裝置及其製造方法。 更明確地說，本發明係關於一種有機發光顯示裝置及其製 . 造^法，能夠以熔接物囊封第一與第二基板而阻斷氧氣與 • 濕氣、等等之滲透，以簡化製程且有效防止光線洩漏。 【先前技術】 Φ 一種有機發光顯示裝置係一種平面顯示裝置，其中， ,有機發光層係位於彼此相對的電極之間且電壓係接著施加 於電極之間，使得自個別的電極所注入至有機發光層之電 7與電子耦合，且因此所產生的激發分子係返回至基態， 藉此以光形式發射能量。 有機發光顯示裝置於發光效率、亮度、視角、與反應 速度表現優異且可製造為^量輕及帛，因此已經引起竭目 為下—代的顯示器》 • 有機發光顯示裝置可包括一對基板，其藉由例如玻璃 •、:接物之材料接合在-起，該熔接物會將該等基板密封在 • 一起以保護材料免於暴露至濕氣及/或其他污染物。基板之 一者可為透明基板，可透過其觀看有機發光顯示裝置，而 基板之另一者可為非透明，較佳為包含黑色矩陣以防止光 線洩漏而免於干擾由像素所發射的光線。 熔接物可包含黑色吸收染劑以阻斷光線且作用為黑色 矩陣（BM) ’因而防止光線茂漏。光線茂漏係一種由顯示區 外部產生的光線反射所造成之現象’諸如：在後基板後方 6 1363575 產生且傳送通過後基板的光線、或自第二顯示區產生且反 射離開後基板的光線。當產生光線洩漏時，影像品質會异 化。然而，熔接物典型為僅施加至待囊封之顯示區域的外 側邊緣，即上方不形成有機發光像素元件的部分。因此， 熔接物係無效於作為黑色矩陣以阻斷來自顯示區外側的區 域之光線，諸如：自後基板後方傳送或自後基板的第二顯 示區反射。即，由於產生自像素區外側之光線沒漏無法有 鲁效阻斷，覆蓋後基板之光線屏蔽膜通常會形成於後基板 上，藉以防止自第二像素區之光線反射離開第二基板。因 而，光線茂漏無法有效防止，引起一些問題：製程係複雜 且製程時間延長。 因此，需要一種以熔接物囊封兩個基板的方法，其可 阻斷氧氣與濕氣滲透至兩個基板間的空間且簡化製程及有 效防止光線洩漏。 【發明内容】 本發明之一個觀點係提出一種有機發光裝置。該裝置 係包括：第一基板；第二基板，其包含面對第一基板之内 表面’該内表面係包含第—八你够、 宁匕3弟口 P7刀與第二部分；發光像素之 第一陣列’其係於第-基板與第二基板之m像素之 第一陣列，其係於第-基板與第二基板之間；溶接層，形 成於内表面的第一部分之上而不形成於内表面的第二部分 之上’其中，第一部分大致相對第一陣列，且第二部分大 第二陣列；溶接封條，互連第一與第二基板而環繞 第n俾使該炫接封條、第一基板、與第 7 -基板形成該第一陣列與第二陣列所在之包覆空間。 於上述赉罟，發· * π直第—陣列之像素可構成以發射光線實質 通過第I板。第二陣列之像素可構成以發射光線實質通 、第基板。該内表面的第一部分可相對於整個第一陣 列。炫接封條之一部分可附著至第一基板與第二基板。炫 接物可包含破璃材料與下列至少一者：用以調整吸收特性 ^充材料與用以調整熱膨脹特性的填充材料。第-基板 /、第二基板可為透明基板。 =之另—個觀點提出一種有機發光裝置。此種裝 表ί今内基板；第二基板，其包含面對第一基板之内 表面，該内表面包含第一部分與第二部分，其中，第二基 =於包：第—部分與第二部分之内部部分的厚度薄於“ 其係於第-基板與第二基板的第一陣列， ^ ^ <間，發光像素之第二酿利 其係於第一基板與第二基板之 ， 的第-部分之上而m 層，形成於内表面 办楚一 Μ㈣表面的第二部分之上，复 -陣Γ =大致相對第—陣列，且第二部分大致相對第 =而，封條’形成於外部部分之上，互連第-4 一基板而％繞第一陣列與第二 /、第 -基板、與第二基板形成^ 俾使絲接封條、第 覆空間。 第-陣列與第二陣列所在之包 於上述裝置，形成於該内表 形成於該外部部分之嫁接封條可具:同第接層與 第一部分可相對於整個第—陣列。 a。該内表面的 8 1363575 本發明之另一個觀點提 '玉衣适有機發光裝置之" 法。該種方法包括：提供未完成的裝置，其包含第-基板、 有機發光像素之第一陣列、與發光像素之第二陣列；提供 弟二基板、祕層、與周邊料物，丨巾，“基板包含 表面’其包含第-部分與第二部分，料層係形成於該表 面的第-部分之上而不形成於該表面的第二部分之上，周 邊熔接物係環繞第一部分與第二部分；置放第二基板於未 完成的裝置之上，俾使第一陣列與第二陣列係於第一基 板、第二基板、與熔接層之間，#中在置放之後，周邊 熔接物係環繞第一陣列與第二陣列，第一部分大致相對第 -陣列，i第二部分大致相對第二陣列；熔化且再凝固至 少部分的周邊熔接物，經由該周邊熔接物以互連該未完成 的裝置與第二基板。 於上述方法，周邊熔接物可厚於形成於第一部分上的 熔接層。熔化該周邊熔接物之步驟可包括以雷射或紅外線 照射。雷射或紅外線之波長可於範圍自約8〇〇nm至約12〇〇 。該種方法更可包括於照射時至少遮蔽第一部分與第二 #刀周邊熔接物係可以膠質形式施加至第一基板與第二 基板中至少一者，該熔接物包含玻璃材料與用以欲調整雷 射或紅外線之吸收特性的填充材料，且該種方法更可包括 將該周邊熔接物加熱至足以固化該熔接物膠質之溫度。加 熱該溶接物膠質之步驟係可包括以雷射或紅外線照射該溶 接物膠質。熔接物膠質可加熱至範圍從約攝氏300度至約 攝氏5〇〇度之溫度。該内表面的第一部分可相對於整個第 一陣列。 本：明之另一個觀點提出一種 包括··第一基板；第二基板，其 該農置 面，該内表面包含第一部分盘第對第一基板之内表 於第-基板與第二基板之間光像素，其係 -部分之上而不形成於内表二表面的第 乐一部分之上，炫垃ϋ ㈣互連第一與第二基板而環繞第一陣列與第二陣列，俾 使該熔接封條、第一基板、盥 俾 第二陣列所在之包覆空間。基板形成該第-陣列與 於上述裝置，該等發光像素可包括第一陣列與第二陣 列。第-陣列可構成以發射光線通過第—基板。第二陣列 可構成以發射光線通過第二基板。第一部分可大致相對第 一陣列，且第二部分可大致相對第二陣列。 【實施方式】 下文提出本發明之較佳實施例，以使得熟悉此技藝人 士可容易實施本發明，且將參照伴隨的圖2至6D而更為 洋細描述。本發明之此等及/或其他觀點與優點於下面較佳 實施例配合伴隨圖式之詳細說明將更顯著且更易於理解。 一種有機發光顯示器（OLED)係一種顯示裝置，其包含 有機發光二極體陣列。有機發光二極體係固態裝置，其包 括有機材料且被採用以於施加適當電位時產生及發射光 線。

OLED係可概括分組為二個基本型式，取決於所提供 的激發電流之配置。圖7A所示係一種被動矩陣型〇LED 1363575 1000之簡化結構的分解圖。圖7B所示係一種主動矩陣型 OLED 1001之簡化結構。於兩種架構，〇LED 1〇〇〇、ι〇〇ι 包括建立於基板1002之OLED像素，且0LED像素包括 陽極1004、陰極1006、與有機層1〇1(^當施加適當的電 流至陽極1004，電流係流通過該等像素且可見光會自該有 機層發射。 參考圖7A，被動矩陣OLED (PMOLED)設計包括陽極 1004的延長條帶，其配置為概括垂直於陰極1〇〇6的延長 條帶且有機層置入於其間。陰極1〇〇6與陽極ι〇〇4的延長 條帶之相交處界定了個別的OLED像素，該等像素會在適 當激發對應的陽極1004與陰極1〇〇6延長條帶時產生及發 射光。PMOLED提供相當簡單製造之優點。 參考圖7B，主動矩陣〇leD (AMOLED)包括驅動電路

1012,其配置於基板1〇〇2與OLED像素陣列之間。Am〇LED 之個別的像素係界定於共同的陰極1〇〇6與一陽極1〇〇4(其 為電氣隔離自其他陽極）之間。各個驅動電路1〇12係耦接 於OLED像素之一陽極1〇〇4且進而為麵接於一資料線1〇16 與一掃描線1018 »於實施例中，掃描線ι〇18係供應掃描 訊號’其選擇數列驅動電路，且資料線1 0 i 6係供應資料 訊號給特定的驅動電路。資料訊號與掃描訊號會刺激局部 驅動電路1012’其激發陽極1〇〇4，藉以自其對應的像素 發射光線。 於圖示的AMOLED，局部驅動電路1〇12、資料線1〇16、 與掃描線1018係埋入於平坦化層ι〇14中，其置入於像素 1363575 陣列與基板1002之間。平坦化層1014提供平垣頂部表面， 有機發光像素陣列係形成於其上。平坦化層1〇14可由有 機或無機材料所形成，且雖然圖示為單一層，但可由兩層 或多層所形成。局部驅動電路1〇12通常以薄膜電晶體（tft) 形成且於OLED像素陣之下方配置為格網或陣列。局部驅 動電路1012可至少部分由有機材料（包括有機TFT)所作 成。AMOLED具有反應時間快之優點，以改良用於顯示資 料訊號之合意性。此外，AM〇LED耗電量少於被動矩陣 OLED之優點。 參考PMOLED與AMOLED設計之共同特點，基板丨〇〇2 為OLED像素與電路提供結構支撐。於種種實施例基板 1002係可包含剛性或彈性的材料以及不透明或透明的材 料，諸如：塑膠、玻璃、及/或箔片。如上所述，各個〇LED 像素或二極體係形成具有陽極1004、陰極1006、與置入 其間的有機層1 0 1 0。當施加適當的電流至陽極1 〇〇4，陰 極1006注入電子而陽極i 004注入電洞。於某些實施例， 陽極1004與陰極1〇06係倒置；即陰極係形成於基板1〇〇2 上而陽極係相對配置。 一或多個有機層置入於陰極1006與陽極1004之間。 更明確而言’至少一個發射性或發光層係置入於陰極1〇〇6 與陽極1004之間。發光層可包含一或多種發光有機化合 物。典型而言’發光層係配置以發射於諸如藍色、綠色、 紅色、或白色之單色的可見光《於圖示的實施例，一有機 層】〇10係形成於陰極1006與陽極1004之間且作用為發 12 1363575 光層。可形成於陽極1004與陰極10〇6之間的另外的諸層 係可包括電洞傳輸層、電洞注入層、電子傳輸層、與電子 注入層。

電洞傳輸及/或注入層可置入於發光層1〇1〇與陽極 004之間。電子傳輸及/或注入層可置入於陰極1 〇〇6與發 光層1010之間。電子注入層促使來自陰極1〇〇6的電子朝 向發光層1010注入，其係藉由降低用以自陰極〗006注入 電子之功函數來達成。同理，電洞注入層促使來自陽極1004 的電洞朝向發光層1010注入。電洞與電子傳輸層促使自 個別的電極注入的載體朝向發光層之移動。 於一些實施例，單一層可同時作為電子注入及傳輸作 用或電洞注入及傳輸作用。於一些實施例，不具有此等層 之-或多纟。於一些實施例’ 一或多個有機層係摻雜有助 於載體之注入及/或傳輸的一或多種材料。於陰極與陽極間 僅形成一有機層的實施例，有機層可不僅包括有機發光化 合物而且於該層内還包括有助於載體之注入或傳輸的某些 功能性材料。 諸夕的有機材料已經開發 … w扣I%赝之此等 渚層。此外，用於此等諸層之諸多其他的有機材料係正在 :發。於-些實施例’…機材料可為包括寡聚物盘聚 合物之大分子。於一些實施例，用於此等諸 可為相當小的分子。熟悉此技藝人士將能夠繁於各= 希功^選擇此等諸層各自的適#材料以及特 鄰層的材料。 ^中相 13 1363575 1 ;運作時，電路會提供適當電位於陰極1006與陽極 之間。此係造成電流自陽極丨〇〇4經過陰陽極間的有 機層流至陰極100卜於一個實施例，陰極1〇〇6提供電子 至相鄰的有機層1010。陽極1004注入電洞至有機層1〇1〇。 • 電/同與電子重新結合於有機層1010中且產生稱為「激子」 之能量粒子。激子會將其能量轉移至有機層1010中的有 機發光材料，且該能量係用以自有機發光材料發出可見 鲁光由OLED1000、1001所產生及發射的光線之頻譜特性 係取決於有機層之有機分子的性質與組成。熟悉此技藝人 士可選擇一或多個有機層之組成以符合特定應用之需要。 OLED裝置係亦可基於光線發射之方向而分類。於稱 為「上發光」型之一種型式，OLED裝置係透過陰極或上 電極1006以發射光線及顯示影像。於此等實施例，陰極1〇〇6 係由對於可見光為透明或至少部分透明之材料所作成。於 某些實施例，欲避免喪失任何可通過陽極或下電極1〇〇4 φ 之光線’陽極係可由實質反射可見光之材料所作成。第二 型式之OLED裝置係透過陽極或下電極ι〇〇4以發射光線 且稱為「下發光」型。於下發光型OLED裝置，陽極1〇〇4 • 係由對於可見光為至少部分透明之材料所作成。於下發光 型OLED裝置，陰極1006通常係由實質反射可見光之材 料所作成。第三型式之OLED裝置係發射光線於二個方向， 例如：透過陽極1004及陰極1006。取決於光線發射之方 向，基板係可由對於可見光為透明、不透明、或反射性之 材料所形成。 1363575 於諸多實施例’包含複數個有機發光像素之〇LEE)像 素陣列1021係配置於基板1002之上，如圖7C所示。於 實施例中，於陣列丨02丨中之像素係由驅動電路（未顯示）來 控制其開與關，且複數個像素係整體於陣列1 021上顯示 資訊或影像。於某些實施例，OLED像素陣列1〇21的排列 係關於其他構件，如驅動及控制電子元件，以界錢示區 與非顯示區。於此等實施例，顯示區係指基板1〇〇2的形 成0㈣像素陣列1021的區域。非顯示區係指基板1002 的其餘區域。於實施例中’非顯示區可含有邏輯及/或電源 供應電路。將為瞭解的是：至少部份的控制/驅動電路元件 係配置於顯示區之内。舉例而言，於PMOLED，導電構件 將延伸至顯示區中以提供適當電位至陽極與陰極。於 AMOLED，@部驅動電路與耗接於驅動電路的資料/掃描線 將延伸至顯示區中以驅動及控制AMOLED之個別的像素。 於0LED裝置之一個設計與製造考量係在於：0LED ϋ =有機材料層會由於暴露至水、氧氣、或其他的 ;到損壞或加速劣化如，一般可瞭解:〇led :“封或囊封以防止其暴露至發現於 中之濕氣與氧氣或其他有害氣體1 7D 圖7C佈局且沿著目7c的線d d所取得 置1011的剖而国 表裝 J面圖。於此實施例，概括為平 或基板咖 <系與封條·接合，該封條進平板 或基板1002 & A w h s 4 | 、 /、底部平板 接合以包覆或囊封OLED像音瞌& , 其他實施例，一# β 、 1〇21。於 或多層係形成於頂部平板1〇61或底部平 15 1363575 板002之上，且封條1〇71係經該層而與底部或頂部基板 1002、1〇61耦接。於圖示的實施例封條1〇7丨係沿著〇LED 像素陣列H)21或底部或頂部平板職、1()61之周邊延伸。 於實施例中，封條1〇71係由熔接材料所作成其為進 ^响述於後文。於種種實施例，頂部或底部平板1061、 刪包含諸如塑勝、玻璃、及/或金屬片之材料其可 提供對於氧氣及/或水之通過的障壁，因而保護〇led像素 陣列1021不暴露至此等物質。於實施例中，頂部平板刚1 與底部平板1〇〇2之至少—去# 士香：新οιι y 者係由實質透明材料所形成。 欲加長OLED裝置i〇1 i| ^ 之哥命時間，一般需要的是： 封條1 0 71及頂部盘麻ιπ/ci ^ 丨^、底0p千板1061、1002對於氧氣與水蒸 氣知：供貫質不可滲透的封條 條且挺供實質密封的包覆空間 咖。於某些應用中指出：料材料之封條1G71與頂部 與底部平板1〇6卜1002會聯合起來提供對氧及水的障壁， 使氧小於約10-3cc/m2_day而水小於i〇.Vm2，。假使一 些氧氣與濕氣係可滲透至包覆办 4 土 g復工間1081中，於一些實施 例，會於包覆空間1081之内 m形成可移去氧氣及/或濕氣之 材料。 封條1071具有切·， 有見度W其為於平行於頂部或底部基

板1061、1002差而沾士士 L 的方向上之厚度，如圖7D所示。該寬 度隨實施例不同而蠻化，A r & 變化其範圍自約300微米至約3000 微米，視情況可為約5〇〇糌半 微未至約1500微米。此外，該 寬度係可變化於封條1〇71 > V , * 同位置。一些實施例中， 於封條1071與底部盘頂部《起 ”貝丨暴板1002、1〇61的一者接觸處 16

/ J 或與該等基板上形成之 最大。於封停1。71接觸條1071之寬度可為 條1071 - 4， 丨者之處’寬度可為最小。封 - 1早一橫截面的寬度變化禆關於公冷 形狀與其他的設計參數。係關於封條則之橫截面

⑽、〇71具有问度1^ ’其為於垂直於頂部或底部基板 —、1〇〇2表面方向上之厚度’如圖7D丨示。該高度隨 …列不同而變化，其範圍自約2微米至約30微米，視 :況可為約！〇微米至約15微米一般而言，該高度於封 仏1071之不同位置不會有明顯變化。然而，於某些實施 例，封條1071之高度於其不同位置可有變化。

於圖示的實施例，封條则具有概括為矩形的橫戴 面。然而於其他實施例中，封條則可具有其他種種的 橫截面形狀’諸如：概括為方形的橫截面、概括為梯形的 橫截面、具有一或多個圓形邊緣之橫截面、或於特定應用 中需要而指定的其他架構。欲改良密封性，一般會期望增 大4封條1071直接接觸底部或頂部基板1〇〇2、1〇61或接 觸該等基板上形成層介面面積。於一些實施例，封條之形 狀可設計以使介面面積可增大。 封條1071可配置為緊鄰於〇LED陣列1〇21，而於其 他實施例中，封條1071會與0LED陣列1〇21間隔某距離。 於某些實施例，封條1071係包含連接在一起以環繞〇Led 陣列1021之大致線性線段。於某些實施例，封條1〇7ι之 該等線性線段可大致平行於〇LED陣列丨〇2丨之個別邊界 延伸。於其他實施例，封條1〇71之一或多個線性線段係 17 1363575 配置為非平行於OLED陣列1021之個別邊界。於另外其 他的實施例，至少部份的封條1〇71會以曲線方式於頂部 平板1061與底部平板1〇〇2之間延伸。 如上所述，於某些實施例，封條1〇71係以熔接材料或 稱為「熔接物」或「玻璃炫接物」的材料形成，其包括細 微玻璃粒子。熔接粒子包括下列一或多者：氧化鎮（Mg〇)、 氧㈣（CaG)、氧化鋇（祕）、氧㈣（U2〇)、氧㈣（Na2〇)、 氧化鉀（κ2〇)、氧化领（b2〇3)、氧化釩（V2〇5)、氧化鋅（Zn〇)、 氧化碲（Te〇2)、氧化銘（A丨2〇3)、二氧化碎（si〇2)、氧化船 (Pb〇)、氧化錫（Sn0)、氧化磷（p2〇5)、氧化釕、氧化 铷（Rb2〇)、氧化錢（Rh2〇)、氧化鐵（Fe2〇3)、氧化銅（Cu〇)、 氧化鈥（Ti〇2)、氧化鎢（w〇3)、A化叙（Bi2〇3)、氧化録 (Sb2〇3)、《錯玻璃、料錫玻璃、域鹽玻璃 '與财 酸鹽、等等。於實施例中，此等粒子尺寸範圍為約2微米 至約30微米，視情況可為約5微米至約10微米，雖缺並 不限於此。該等粒子係可大到如同頂部與底部基板難、 腕間的距離或是該等基板上所形成直接接觸溶接封條 1071的任何層之間的距離。 用以形成封條則之熔接材料亦可包括一或多種填充 物或添加材料。填充物或添加材料可提供以調整封條1071 =熱膨腸特性及/或針對入射放射能量之選定頻率而調 〃、1071之吸收特性。填充物或添加材料亦可包括倒 f及/或添加填充物以調整溶接物之熱膨腺係數。舉例而 s ’填充物或添加材料可包括過渡金屬，諸如：鉻(⑺、 1363575 鐵（Fe)、錳（Μη)、鈷（Co)、銅（Cu)、及/或釩（v)。用於填充 物或添加物之另外的材料包括：ZnSi〇4、PbTi03、Ζι·〇2、 鋰霞石。 於實施例中，乾性組成之熔接材料含有約2〇至9〇wt% . (重量百分比）之玻璃粒子，而其餘部份則包括填充物及/或 添加物。於一些實施例，熔接膠質含有約10至30 wt%的 有機材料與約70至90 wt%的無機材料。於一些實施例， φ 熔接膠質含有約20 Wt°/❶的有機材料與約80 Wt%的無機材 料。於一些實施例，有機材料可包括約〇至3〇 wt%的黏合 劑及約70至100 wt%的溶劑。於一些實施例，有機材料中 約10 wt%係黏合劑且約9〇 wt%係溶劑。於一些實施例， 無機材料係可包括約〇至10 wt%的添加物、約20至4〇 wt% 的填充物、與約50至80 wt%的玻璃粉末。於一些實施例， 無機材料中約〇至5 wt%係添加物、約25至3〇係填 充物、且約65至75 wt%係玻璃粉末。 Φ 於形成熔接封條，液體材料係添加至乾燥的熔接材料 •以形成熔接膠質。具有添加物或否之任何有機或無機溶劑 . 係可運用作為該液體材料。於實施例中，溶劑係包括一或 多種有機化合物。舉例而言，可應用的有機化合物係：乙 基纖維、硝基纖維、羥基丙基纖維、丁基卡必醇醋酸鹽、 松油醇、乙二醇單丁醚（溶劑）、丙烯酸酯化合物。然後， 因此形成的熔接膠質可施加以於頂部及/或底部平板、 1002成形封條1071。 於一個示範的實施例，封條1071的成形一開始係由熔 19 接膠質所形成且置入於頂部平板1〇61與底部平板⑽2之 間。於某些實施例，封條1〇71會預先固化或預先燒社至 頂部平板與底部平板1〇61、1〇〇2之一者。頂部平板讓 與底部平板_2及置入於其間的密封1〇71之組裝完成 .後’部份的封條_會被選擇性加熱，俾使形成封條ι〇7ι .之炫接材料至少部分炼化。封條1G71係接著可再凝固以 於頂部平板1061與底部平板1〇〇2之間形成牢固接合因 _ ❿禁止包覆的OLED像素陣列1〇21暴露至氧氣或水。 於實施例，熔接封條之選擇性加熱係由光（如雷射或導 向J·生的紅外線燈）之照射而實施。如前所述，形成封條1 〇71 之熔接材料可結合一或多個添加物或填充物（如選擇用以改 良照射光線之吸收性的種類），以利於熔接材料之加熱及 化以形成封條1071。 於一些實施例，0LED裝置1〇11係大量製造。於圖Μ 所示之實施例，複數個分離的〇LED陣列1〇21係形成於 • 共同底部基板1101上。於圖示的實施例，各個0LED陣 , 列1021係由成形的熔接物所環繞以形成封條1〇71。於實 施例，共同頂部基板（未顯示）係置放於共同底部基板u〇1 與形成於其上的結構之上，俾使〇LED陣列1〇21與成形 的熔接膠質置入於共同底部基板11〇1與共同頂部基板之 間。OLED陣列1〇21係囊封及密封，如經由前述針對單一 OLED顯示裝置之包覆過程。成品係包括藉由共同底部基 板與共同頂部基板所保持在一起之複數個〇LED裝置。然 後，成品係切割成為複數個件，其各者係構成圖7D之 20 1363575 裝置1011。於某些實施例，個別的OLED裝置1011係接 著進一步經歷另外的封裝作業，以進一步改良由熔接封條 1071及頂部與底部基板1〇61、1〇〇2所形成之密封。 圖1係一種有機發光顯示裝置之剖面圖。圖1之顯示 裝置係雙視式有機發光顯示裝置，其具有於不同的方向發 射光線之兩個像素區（例如前端面對顯示區與後端面對顯示 區）。 種有機發光顯示裝置係構成 參考圖1 為彼此相對之第一基板10與第二基板20,且第一與第 土板10 /、20係以囊封材料3〇而彼此附著，且其内側係 因此被囊封。 第一基板10包含第一像素區u、第二像素區12、及 非像素區第與第二像素區"與^設有複數個像素， 該等像素具有至少-個有機發光二極體（未顯示）。非像素 區設有驅動電路，其包含第一掃描驅動器13與第二掃描 驅動Is 14。於并營也丨，够 /A ^ 貫j第一像素區1 1係上發光型像素區， 其發光穿過第-其& ^咕 * 第二像素區12係、下發光型 像素區，其發光穿透第—基板1G。第―掃描驅動器13供 應掃描訊號至第—像素區u，且第二掃描 應 掃描訊號至第二像素區12。因此，於圖i之：：裝= 夠於兩個方向中顯示，於此實例為向前與向後。 此 第二基板20附著於第一基板1〇，第 11 '、弟一像素區 基板、iG，m 板上。第二基板2G係附著至第一 俾使第一基板1〇之至少一個區域（特别是第-與 21 1363575 第二像素區11與12)係囊封於第一基板1〇、第二基板2〇、 與囊封材料30之間。於此實例，光線屏蔽膜係形成於第 二基板20的外侧上位在第二像素區12之上方，用於防止 外部光線或光線洩漏的傳送。黑色膠帶、等等係可作為光 . 線屏蔽臈22。於其他不設置光線屏蔽膜22的實施例，面 - 對第二基板20之像素區12的背側可作成不透明。 囊封材料30 (如環氧樹脂）係沿著第一基板1〇與第二 φ 基板2〇之邊緣施加。囊封材料係藉由例如紫外線、等等 之照射而熔化，且因此固化，並將第一基板1〇附著至第 二基板20。囊封材料3〇係用以防止氧氣與濕氣、等等滲 透至包含第一與第二像素區n與12之於第一基板1〇與 第二基板20之間的區域。 然而，即使施加囊封材料30，氧氣與濕氣、等等可透 過於囊封材料及/或基板的細微裂縫滲透而無法完全阻斷。 為了防止此，於先前技藝，水分吸收材料（未顯示）、等等 • 可塗覆於第二基板20上且接著燃燒。然而，當燃燒水分 吸收材料時會產生漏氣，其會造成於囊封材料30及基板10 與20之間的黏著性劣化，引起問題在於：第一與第二像 素區11與12容易暴露至氧氣與濕氣。 美國專利公開公告第2004-0207314號係揭示一種結構 以囊封包括第一基板1〇之第一與第二像素區u與12的 至少一個區域，其係藉由施加熔接物至玻璃基板而不具有 水为吸收材料。根據此專利公告，由於兩個基板之間的空 間係藉由固化熔化的熔接物而完全囊封，水分吸收材料係 22 1363575 不需要且因此第一與第二像素區η與12係可較有效保 護0 圖2係根據—個實施例的一種有機發光顯示裝置之平 面圖圖係圖2所示之顯示裝置所含有之像素的主要 4刀之面圖圖2係顯示一種兩側發光型主動矩陣有機 發光顯不裝置。各個像素係有至少一個薄膜電晶體與有機 發光二極體，然而，本發明不受限於其。

參考圖2與3，根據一個實施例，一種有機發光顯示 裝置係包含·第一基板1〇〇 ;第二基板2〇〇，配置於第一 基板100之上，以重疊於第一基板之至少一個區域。熔接 物300係施加於第一基板1〇〇與第二基板2〇〇之間的至少 一個區域，且第一基板1〇〇與第二基板2〇〇係藉由施加的 炫接物300之至少一部分而彼此附著。 於第一基板100上’第一像素區1〇5與第二像素區ι〇6 各包含複數個像素110。用於供應驅動訊號至第一像素區 105之第一掃描驅動器12〇與第一資料驅動器13〇係形成 於基板100上。用於供應驅動訊號至第二像素區1〇6之第 二掃描驅動器121與第二資料驅動器13ι亦形成於第一基 板100上。包含複數個導電接腳墊以供應控制訊號至第一 與第二掃描驅動器120與121及至第一與第二資料掃描器 130與131之接腳塾區102係形成於第一基板上。 第一與第二像素區105與1〇6至少包含配置於列方向 的掃描線（S1至Sn與S1，至Sn’）與配置於行方向的資料線 (D1至Dm與D1至Dm )相乂之區域。定位在於掃描線（以 23 1363575 至Sn與S1’至Sn’）與資料線（D1至Dm與〇1，至心，）相交 處之諸點的複數個像素11〇係形成於第一與第二像素區 與1〇6中。個別的像素11〇產生光線，其具有對應於供應 至掃描線（S1至Sn與S1，至Sn，）的掃描訊號與供應至資料 • 線（D1至Dm與D1’至Dm’）的資料訊號之預定亮度。藉此， 一預定影像（或多個影像）係顯示於第一與第二像素區1〇5 與1〇6上。於此實例，第一像素區1〇5係以第二基板2〇〇 • 方向發射光線穿過第二基板200之上發光型像素區，而第 二像素區106係於相反方向發射光線穿過第一基板1〇〇之 下發光型像素區。即，根據本實施例之有機發光顯示裝置 提出一種兩側發光型有機發光顯示裝置。因此，影像係顯 示於其前端與後端上。欲達成此，第一與第二基板1〇〇與 2〇〇係由透明材料所作成。 第一與第一像素區105與106所包含之像素11〇各包 括有機發光二極體118。有機發光二極體118係發光元件， • 且至少一個薄膜電晶體係連接至有機發光二極體11 8，如 . 圖3所示。然而’像素11 〇之結構可以種種方式修改，且 可包含於一種主動矩陣型有機發光顯示裝置中或一種被動 矩陣型有機發光顯示裝置中。 溥膜電晶體包含：緩衝層111，形成於第一基板1〇〇 之上；半導體層112’形成於緩衝層m之上且包括通道 區112a及源極與汲極區112b ;閘極絕緣膜113，形成於半 導體層112之上；閘極電極114，形成於閘極絕緣膜113 之上；層間絕緣膜115 ’形成於閘極電極1丨4之上；源極 24 ^363575 與汲極電極116,形成於層間絕緣膜115之上且連接至源 極與沒極區112 b。 具有暴露汲極電極116至少一個區域的通孔117&之 平坦化膜117係形成於層間絕緣膜115及源極與汲極電極 . U6之上。有機發光二極體ι18透過通孔117a而連接至薄 . 膜電晶體，且該二極體係形成於平坦化膜117之上。有機 發光二極體118包含第一電極118a、第二電極U8c、與 Φ 位於其間的有機發光層118b。第一電極118a係形成於平 坦化膜117之上且透過通孔U7a連接至薄膜電晶體之汲 極電極。假使像素構成自其頂部發射光線，如位於第一像 素區105之像素，第一電極n8a可進而設有反射膜以改 良反射光線穿過第二基板200之光效率。像素界定膜n9 係形成於第一電極ll8a之上且具有一開口部分，以暴露第 一電極11 8a之至少一部分。有機發光層！ 18b係形成於像 素界定膜119之開口部分中。第二電極118c係形成於有機 # 發光層n8b之上。假使像素110構成自後部發射光線， 如第二像素區106所包含之像素，第二電極118c可進而 設有反射膜以改良發射的光線反射穿過第一基板1〇〇之 效率。純化層以及其他層（未顯示）可進而形成於第二電極 118c之上。如上所述的有機發光二極體118產生具有預定 亮度的光線’該亮度係對應於薄膜電晶體供應的電流位 準。 第一與第二掃描驅動器120與121、第一與第二資料 驅動器130與131、及接腳墊區1〇2係形成於環繞第一與 25 1363575 第二像素區105與106之非像素區。第一與第二掃描驅動 器120與121係產生對應於由接腳墊區102之導電塾所供 應（例如由外部訊號源所供應）的控制訊號之掃描訊號，並 將其分別供應至第一像素區105之掃描線（S1至Sn)及第二 像素區106之掃描線（S1’至Sn，）。第一與第二資料驅動器 130與131係產生對應於由接腳墊區1〇2之導電墊所供應 (例如由外部資料源所供應）的資料與控制訊號之資料訊 號，且將其分別供應至第一像素區1〇5之資料線（〇1至Dm) 及第二像素區106之資料線（D1’至Dm，）。接腳墊區係 將外部來源所供應的控制訊號供應至第一與第二掃描驅動 器12〇與121及第一與第上資料驅動器13〇與ηι。 第一基板200係定位於第一基板丨〇〇之上部，藉以重 疊至少第一與第二像素區105與1〇6。形成於第一基板100 之上的像f 11〇包括有機發光I U8b，因此當氧氣與濕 氣渗透於第-與第二基板1〇〇與2〇〇之間的區域會造成不 利影響。因此’為了防止氧氣與濕氣滲人其中形成像素ιι〇 之第一與第二像素區1〇5與1〇6，第二基板2〇〇係藉由環 繞第一與第二像素區105肖1〇6之溶接物300的至少一部 分而附者至第一基板。於圖2所示的實施例，第二基板· 亦構成以囊封第一與第二掃描驅動器12〇肖i2i，缺而， 本發明係不限於其。即’第二基板_係位於第-基板刚 :上部’藉以重疊第一基板100包括第一與第二像素區1〇5 。1〇6之至少一部分，且接著藉由溶接物300的至少- 部分而附著至第一基板1〇〇 如义 板100如刖文中參照圖1所論述， 26 1363575 一些有機發光顯示器包括不透明層或黑色矩陣層，如光線 屏蔽膜22，其位在第二像素區1〇6之上的第二基板2〇〇之 一部分。光線屏蔽膜22防止自第二像素區1〇6發射的光 線發射通過或反射出第二基板2〇〇,纟中，帛二像素區1〇6 . 係構成以發射光線穿過第一基板1〇〇。然而，於其他實施 例’第二基板200可包含透明材'料。於此等其他實施例， 熔接物300係非透明材料（如染黑劑）且施加至面對第二像 鲁素區106之第二基板200的内側，因此，溶接物3〇〇係作 用為黏著材料以及作為黑色矩陣，以防止第二像素發射的 光線反射出或穿過第二基板200 〇較佳而言，熔接物3〇〇 包含包括過渡金屬之材料，將其染黑以防止光線通過或反 射出第二基板200，因而作用為防止光線洩漏之黑色矩陣 (BM)。 熔接物300之熔接封條部分可施加至第一與第二基板 1〇〇與200之部分者且接著黏結在一起，藉以完全將^ 一 # 與第一基板100與200彼此黏結。熔接物300之另一部分 可施加以重疊於面對第二像素區106之區域的第二基板之 内側。是以，熔接物3〇〇之内部係重疊於第二像素區1〇6， 該内部係作用為黑色矩陣以阻斷第二像素區1〇6中所產生 的光線而不允許其第二像素區1〇6發射及傳輸通過或反射 出第二基板200。不需要專用於阻斷光線之附加的黑色矩 陣層’因而簡化製程以及有效防止光線洩漏。然而，由於 第一像素區105應自頂部發射光線且通過第二基板2〇〇, 熔接物300係不形成於第一像素區1〇5之上方。藉由環繞 27 «1363575 第一像素區105周邊部分形成炫接物3〇〇之炫接封條部 分，例如藉以包含第一掃描驅動器120，產生自第—像^ 區105之光線茂漏可有效阻斷而免於進入第一像素區 周邊的外側區域。即，熔接物300係形成於第二基板上， • 其形成第一像素區105之外的區域且構成以環繞至少第一 像素區ios’因而有效防止光線洩漏。 熔接物300可包含玻璃原料與一或多種粉末形式的添 • 加物。抑或，熔接物3⑼可為在熔化後且接著允許凝固之 後的固態。於此實例，熔接物3〇〇之熔接封條部分係點結 至第一與第二基板100與200，以完全環繞第一與第二基 板100與200間包括第一與第二像素區1〇5與1〇6 (及掃 描驅動器120與121)之空間。位在非像素區中的熔接封條 部份係構成以環繞第一與第二像素區1〇5與1〇6,且其係 由雷射或紅外線所熔化且可再重新凝固，因而可有效將第 一與第二像素區囊封於包覆空間且阻斷氧氣與濕氣之滲入 • 該包覆空間。然而’僅有位在非像素區中的熔接物的熔接 • 封條部份會用以黏結第一與第二基板1 0 〇與2 0 0，該非像 素區圍繞著包含第一與第二像素區105與1〇6及第一與第 二掃描驅動器120與121之顯示元件的非像素區。一種藉 由施加熔接物300以囊封第一與第二像素區1〇5與106之 方法的詳細解說會參照圖6A至6D描述於下文。 圖4係沿著圖2之A-A’線所取得的一種有機發光顯 示裝置之剖面圖。形成於第一基板100上之第一像素區1〇5 於第二基板200之方向發射光線，而第二像素區1〇6則於 28 1363575 相反方向朝第一基板100發射光線。如上所述，第一與 第二像素區105與106係被包覆於由第一與第二基板1〇〇 與200及熔接物300所界定的空間.在此，熔接物3〇〇包 含對可見光為不透明之材料（如染為黑色）且位於第二基板 • 200之内表面而與第二像素區1〇6相對之區域，因而有效 阻斷光線洩漏。然而，熔接物300之周邊熔接封條部分係 形成為厚於内部熔接物300 ，且構成以環繞第一與第二像 φ 素區105與106 (見圖4 )。 於一些實施例，熔接物300包含玻璃材料、用於調整 吸收特性之添加物或填充材料、與用於調整熔接物3〇〇的 熱膨脹係數之添加物或填充材料。熔接材料可以夥質形式 施加至第二基板200且接著藉由如雷射或紅外線所熔化， 且可重新凝固於第一與第二基板1〇〇與200之間，因而附 著第一基板100至第二基板200。於照射過程期間，若雷 射或紅外線照射至位於鄰近於第一及/或第二像素區丨〇5與 鲁 1〇6及第一與第二掃描驅動器120與121之區域的熔接物 300，第一與第二像素區105與1〇6及第一與第二掃描驅 動器120與121之内部電路將受損。因此，雷射或紅外線 係應僅照射至施加至基板不形成此等元件的部分的熔接物 3 00，如藉由運用遮罩、等等。即，藉由沿著其中不形成 第一與第二像素區1〇5與106及第一與第二掃描驅動器12〇 與121之熔接物300的邊緣來照射雷射或紅外線，溶接 物300會黏結及囊封第一與第二基板100與2〇〇。沿著吸 收雷射或紅外線之非像素區的邊緣放置之炼接物3 〇 〇係溶 29 1363575 化且可重新凝固，因而包覆第一與第二像素區1〇5與1〇6 於第一與第二基板100與200及熔接物300之間。然而， 施加至形成第二像素區106及第一與第二掃描驅動器12〇 與121之區域的熔接物300不經照射且因而為並未附著 至第二像素區106及第一與第二掃描驅動器12〇與121， 其中，熔接物300並不作用為黏著源而僅作用為黑色矩陣 以防止光線洩漏。 圖4所示的實例係顯示第二基板2〇〇為一平面面板， 然而，第二基板200亦可包括内部的蝕刻部分，其中，内 部之厚度係薄於環繞内部蝕刻部分之外部邊緣部分之厚 度。於此情形，熔接物300可以相同厚度形成於第二基板 200之整個内側（除了位在第一像素區i 〇5對面的部分之 外）。舉例而言，環繞第一與第二像素區1〇5與1〇6及第一 與第二掃描驅動器120與121之熔接物3〇〇的熔接封條部 分與面對第二像素g 106的内部溶接部分可以相同厚度形 成。圖5係顯示包括钱刻的第二基板2〇〇，之一種有機發光 顯示裝置的剖面圖。由於#刻的第二基板2⑼，於像素區ι〇5 對面及掃描驅動器12G肖121肖面之區域的具有較薄内 部，炫接物300可以相同厚度施加於第二基板200，。溶接 物则之外部邊緣將接著為黏結第一基板1〇〇與第二基板 200’之僅有部分。 圖6A至6D係剖面圖，顯示圖4中所示之有機發光 顯示裝置的_種製造過程之種種階段。參考圖^至印， -種製造圖4戶斤示的有機發光顯示裝置之方法係將詳述。 30 1363575 為了方便，雖然圖6A至6D係顯示個別有機發光顯示裝 置之製造方法，實際上，複數個顯示裝置單元可製造於薄 片單元且隨後切割成為個別的顯示裝置。 參考圖6A，首先，熔接物3〇〇係施加至第二基板2〇〇 的面對第一基板1〇〇之内側。熔接物3〇〇係施加至基板 之面對第二像素區106之内部中且熔接封條部份係形成於 %為第一與第二像素區j 〇5與i 〇6之非像素區中。第一像 素區105之區域中，熔接層不形成於第二基板的内側上， 藉以使得發射自第一像素區1〇5之光線可通過第二基板 2〇〇。於對應於黑體中至少一者的區域中之溶接物3〇〇的 熔接封條邛为（即其中不形成顯示元件的邊緣部分）係作成 厚於將重疊於第二像素區1〇6及第一與第二掃描驅動器12〇 與121之熔接物3〇〇的内部部份。熔接物3〇〇係以膠質狀 態施加至第二基板綱，且可包括添加物或填充物以調整 該封條之包含吸收雷射或紅外線的吸收特性，該封條係用 於選定頻率人射照射能量。纟包含於膠質中的水分或有機 結合材料移除後，㈣接著炼化且可再凝固。熔接膠質可 轉變成為凝膠狀態’其係藉由添加氧化物粉末與有機物質 =玻璃粉末中，提高嫁接膠f 3⑽之溫度，較佳至介於約 攝氏_度至約攝以⑽的溫度。較佳而言炫接物扇 又係自約1G微米至約2G微米。絲接封條係約 =米或更厚’以雷射密封時可能會需要大量的能量，使得 ^接物所需要之雷射的功率可能為過高，或是雷射之 ^逮度可能為過慢，對於溶接物、基板、及/或顯示元件 31 •1363575 可能會造成熱損壞。若熔接封條係約為l 〇微米或更薄， 則熔接材料之不均勻沉積所造成的缺陷可能對達到不可接 受的發生率。 於一個實施例，包含第一與第二像素區105與1〇6及 . 第一與第二掃描驅動器120與121之第一基板1〇〇係提供 . 作為未完成品。形成於第一基板100上之未完成的裝置係 置放於第二基板2〇〇之上。第一基板1〇〇與第二基板 • 係由熔接物300而彼此黏結，使得第一與第二像素區1〇5 與106囊封於由第一與第二基板100與2〇〇及熔接物 所界定的空間中。此時，熔接物300係位於第一與第二基 板100與200之間。 在圖0Β所示放置第一與第二基板之後，雷射或紅外 線係照射至位於基板外部區域中的熔接封條内的熔接物 300，其中不會形成任何易受照射所損壞的元件，如圖 所示。雷射或紅外線所照射之熔接物300的熔接封條部分 • 係藉由吸收雷射或紅外線之能量而熔化。較佳而言，雷射 • 或紅外線之波長係介於約800nm至約1200nm之範圍（更佳 為約810nm)。較佳而言，光束尺寸係構成為直徑約〇 lnm 至約3.0nm，且輸出電功率係構成約25瓦至約45瓦。基 板不被雷射或紅外線照射之部分可加以遮蔽。即，位於第 一與第二像素區105與1〇6及第一與第二掃描驅動器12〇 與12 1之間的接線（未顯示）可被遮蔽而不受雷射或紅外線 所照射。以此方式，可防止容易受到照射損壞之接線與元 件受到雷射或紅外線的不利影響。於一個實施例，可使用 32 1363575 包含銅與鋁雙層膜的遮罩β 炼接物300之照射會炫化其環繞像素區ι〇5的外部溶 接料’該像素區1〇5包含有機發光像料列。溶接封條 係接者可再凝固，因而僅以冰加 值以外部熔接封條部分將第一基板 1〇0黏結至第二練2〇°。作為黑色遮罩之内部炼接層實 質未受到照射過程所影響，由於其為遮罩而免於照射束。

雖然參照圖6Α i 6D &論述的實例製程包含形成炫 接物於第二基& 200之上，該製程係不受限於其。舉例而 言，炫接物可首先施加至其上形成第―與第二像素區 105與106之第一基板1〇〇,或可同時施加至第一盥第二 基板1〇0與鳩，附著第-與第二基板刚與200。I外， 當第二基板剔係構成為银刻的玻璃，如圖5圖所示，炫 接物300可以相同厚度施加至第二基板_。此可進而簡 化形成熔接物之步驟，炫接物包含充當第二像素 區l〇6t黑色矩陣的内部部分與充當溶接封條之外部部 分0 於上述的有機發光顯示裝置及其製造方法，第一與第 二基板100與200係藉由熔接物300而附著，會造成可有 效阻斷氧氣與濕氣、料滲透至包括第_與第」象素區ι〇5 與_之内部空間。此外，兩側發光型有機發光顯示裝置 包含向上發光的第-像素區105與向下發光的第二像素區 106 ，染黑之熔接物300可形成於鄰近第二像素區1〇6之 第二基板200的内側，且形成於環繞第一與第二基板1〇〇 與200之非像素區中，因而藉由有效防止光線;隹漏以改良 33 1363575

影像品質。於此情形，由於第m iG6之黑色矩陣與 用以囊封第一與第二基板100與2〇〇之熔接封條可於相同 步驟製成’不需要於第二步驟中使得第二基板彻為部分 不透明或於其上形成光線屏蔽膜。因此可簡化製程且減少 其處理時間。在形成顯示元件的部分的鄰近處所形成之炫 接=’其區域（如第一與第二像素區1〇5與1〇6及第一與第 -掃猫驅動器12G# 121)會被遮蔽且因此不受#射或紅外 線照射。僅有炫接物遍之外側溶接封條部分會被雷射或 紅外線所照射，因而防止對於顯示元件之損壞。 如上所述，根據該種有機發光顯示裝置及其製造方法， 第-與第二基板係藉由溶接力3〇〇所附著，造成可有效阻 斷氧氣與濕氣、等等之滲透至包括像素區之内部空間。此 外，兩側發光型有機發光顯示裝置包含向上發光的第一像 素區與向後發光的第二像素區之，染黑之溶接物可形成以 重疊於第二像素區與環繞第一與第二像素區之非像素區， 因而可藉由有效防止光線浅漏以改良影像品質。於此情 形，黑色矩陣可於形成用於囊封第一與第二基板的溶接^ 條時形成，可簡化其製程且減少其處理時間。 雖然本發明之一些實施例已經顯示及說明熟悉此技 衣之人士所將理解可於此實施例中改變而不脫離本發明之 原理與精# ’本發明之範_係界定於中請專利範圍盘 效範圍。 一、 【圖式簡單說明】 圖1係一般的有機發光顯示裝置之剖面圖。 34 1363575 圖2係根據本發明實施例的—種有機發光顯示裝置之 平面圖。 圖3係圖2中所示之像素的主要部分之剖面圖。 圖4與5係沿著圖2之八_八，線所取得的一種有機發 光顯示裝置之刳面圖。 圖6A至6D係圖4 中所不之有機發光顯示裝置的製 程剖面圖。

圖7A #根據-個實施例之—種被動矩陣型有機發光 顯示裝置的分解示意圖。 種主動矩陣型有機發光 種有機發光顯示器的俯 所取得之有機發光顯示 圖7B係根據一個實施例之— 顯示裝置的分解示意圓。 圖7 C係根據一個實施例之一 視平面圖。

圖7D係沿著圖7C的線D-D 器的剖面圖。 圖7E係用以說明根據一個實施例之 量產的立體示意圖。 之 【主要元件符號說明】 10 第一基板 11 第一像素區 12 第二像素區 13 第一掃描驅動器 14 第二掃描驅動器 20 第二基板 35 1363575 22 30 100 102 105 106 110

112 112a 112b 113 114 115 116

117a 118 118a 118b 1 18c 119 120 121 光線屏蔽膜 囊封材料 第一基板 接腳墊區 第一像素區 第二像素區 像素 緩衝層 半導體層 通道區 源極與沒極區 閘極絕緣膜 閘極電極 層間絕緣膜 源極與汲極電極 平坦化膜 通孔 有機發光二極體 第一電極 有機發光層 第二電極 像素界定膜 第一掃描驅動器 第二掃描驅動器 36 J363575 130 第一資料驅動器 131 第二資料驅動器 200 第二基板 200’ 蝕刻的第二基板 300 熔接物

1000 被動矩陣型OLED

1001 主動矩陣型OLED

1002 底部基板 1004 陽極 1006 陰極 1010 有機層（發光層） 1011 OLED 裝置

1012 驅動電路 1014 平坦化層 1016 資料線 1018 掃描線 1021 OLED像素陣列 1061 頂部基板 1071 封條 1081 包覆空間 1101 共同底部基板 37

Claims (1)

1. 十、申請專利範圓： κ一種有機發光裝置，其包含： 第一基板； 第二基板，包含面對第— 含第-部分與第二部分；基板之内表面’該内表面包 之第一陣列，位於第-基板與第二基板之間; 之第二陣列，位於第一基板與第二基板之間； 表面Μ，形成於内表面㈣—部分之上而不形成於内 表面的第二部分之卜，甘 /、中，第一部分大致相對第一陣列， 且第二部分大致相對第二陣列； —溶接封條，其互連第一與第二基板且環繞第一陣列斑 第二陣列’俾使該溶接封條、第—基板、與第二基板形成 乂第陣列與第二陣列所在之包覆空間。 2·如申請專利範圍第1項之裝置，其中 之像素係構細發射光線實f通過第—基板 3. 如申§青專利範圍第丨項之裝置其中 之像素係構成以發射光線實質通過第二基板， 4. 如申請專利範圍第3項之裝置其中 第一部分係相對於整個第一陣列。 5. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中 該第一陣列 該第二陣列 該内表面的 之一部分係黏結至第一基板與第二基板 該熔接封條 6.如申請專利範圍第1項之裝置，其令，該熔接物包 含玻璃材料以及下列至少一種：用以調整吸收特性的填充 材料與用以調整熱膨脹特性的填充材料。 38 .1363575 7. 如申請專利_ i項之裝置，其中 與第二基板係透明基板。 D 基板 8. —種有機發光裝置，其包含 第一基板； 第二基板’包含面對第一基板之内表面 含第-部分與第二部分，其中，第二基板在包二表= 與第二部分之内部部分的厚度係薄於在環 二： 外部部分的厚度； 門。卩部分之 發光像素之第-陣列，位於第__基板與第二基 發光像素之第二陣列，位於第—基板與第 a， 熔接層，形成於内表面的第一部分之〜板之間； 表面的第二部分之上，Μ Z ^之上而不形成於内 而篦-邱v 、中，第一部分大致相對第一陣列， 而第一 4为大致相對第二陣列； 熔接封條，形成於外部部分之上且苴 二基板並環繞第一陣列盘第；4第-與第 ，、第-陣列’俾使該嫁接封條、第 土 、、第二基板形成該第一陣列與第 覆空間。 于N所在之包 9.如申請專利範圍第8項之裝置，其中 表面的篦—加八， V 。刀上之溶接層與形成於該外部部分上之溶接 封條具相同厚度。 如申請專利範圍第8項之裝置，其中，該内表面的 乐—冲分係相對於整個第一陣列。 種製造有機發光裝置之方法，該種方法係包含： '、未凡成的裝置’其包含第一基板、有機發光像素 39 1363575 之第一陣列、與發光像素之第二陣列； =第二基板、溶接層、與周邊溶接物” 基板包3表面，其包含第一部 一 形成於該表面的第-部分之上^ ^ 接層係 、 上而不形成於該表面的第二部 /刀之上，該周邊溶接物係環繞第—部分與第二部分 置放第二基板於該未完成的裝 刀， 與第二陣列係位於第一 A ，俾使第一陣列 "，在署Γ: 基板、與該溶接層之間， '在置放之後’該周邊熔接物係環繞該第一陣列與第 一陣列，第一部分大致相對第一 、 對第二陣列，· ㈣而第二部分大致相 溶化且重新凝固該周邊炫 用，套…， 门遺熔接物之至少部分者，經由該 周逄熔接物以互連該朱完成的裝置與第二基板。 α如申請專利範圍第u項之方法，其中，該周邊溶 接物係厚於第一部分之上的熔接層。 13.如申請專利範圍第 邊炼接物之步驟包含以雷射或紅外線H中1化該周 如申請專利範圍第13項之方法，其中，該雷射或 外線之波長約介於800nm至約1200 nm。 :广如申請專利範圍第13項之方法，其更包含於照射 夺至夕遮蔽第一部分與第二部分。 A如申請專利範圍第n項之方法，其令，該周邊炫 係以膠質形式施加至第一基板與第二基板之至少一 者’該溶接物包含破璃材料與用以調整雷射或紅外線之吸 收特性的填充材料，該種方法更包含將該周邊溶接物加熱 至足以固化該熔接膠質之溫度。 接腺Γ如申請專利範圍第16項之方法，其中，加熱該溶 /之步驟包含以雷射或紅外線照射該炫接谬質。 18. 如申請專利範圍第16項之方法其中，該溶接谬 、加熱至介於約攝氏300度至約攝氏5〇〇度之溫度。 19. 如申請專利範圍第^項之方法其中，該内表面 叩第—部分係相對於整個第一陣列。 20. —種有機發光裝置，其包含： 第一基板； 第二基板，其包含面對第一基板之内表面該内表面 包含第一部分與第二部分； 發光像素，介於第一基板與第二基板之間； ’溶接層’形成於内表面的第一部分之上而不形成於内 表面的第二部分之上； 溶接封條’互連第一與第二基板並環繞第一陣列與第 〜陣列，俾使該熔接封條、第一基板、與第二基板形成該 第—陣列與第二陣列所在之包覆空間。 21. 如申請專利範圍第2〇項之裝置，其中，該等發光 像素包含第一陣列與第二陣列。 22. 如申請專利範圍第21項之裝置，其中，該第一陣 列係構成以發射光線通過第—基板。 23. 如申請專利範圍第21項之裝置，其中，該第二陣 列係構成以發射光線通過第二基板。 24·如申請專利範圍第21項之裝置，其中，該第一部 1363575 分大致相對於第一陣列，且該第二部分大致相對於第二陣 列0 十一、圖式： 如次頁

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