TWI360529B - Methods of finishing quartz glass surfaces and com - Google Patents

Description

1360529 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於處理石央玻璃表面之方法及由此方法製得 之組件。 【先前技術】 使用電漿處理裝置來執行以下過程，其包含：對由具有 半導體特性、介電及金屬材料製得之基板進行電漿鞋刻、 物理氣相沈積、化學氣相沈積（CVD)、離子植入及移除抗姓 劑。 電漿處理裝置包含曝露於電漿環境下的組件。鑒於增加 過程產3：的需要，需要用於能降低該等電漿環境中之微粒 污染的曝露於電漿下的組件。 【發明内容】 提供了用於處理石英玻璃表面的方法。該等方法可產生 石英玻璃表面處理，其在用於電漿處理裝置中時能降低石 英及金屬微粒的發生率及分子金屬污染。亦提供了具有該 專纪處理之石英玻璃表面的組件。 一種對包含至少-個石英玻璃表面之組件進行表面處理 =方法的一較佳實施例包括機械研磨該組件之至少一個石 ’玻璃表φ A學似彳該經機械研磨之石英玻璃表面、及 清潔該經银刻之石英玻璃表面以自該表面來移除金屬污染 藉由㈣方法之較佳實施例來進行處理的組件包含至少 個曝路於電漿下之石英玻璃表面。該等組件亦可包含至 93595.doc 1360529 少-個非曝詩電漿下之石英玻璃表面，諸如真空密封表 面。該等組件之曝露於電褒下的表面可處理成與非曝露於 電漿下之表面不同的表面形態。經處理之組件可用於電聚 處理裝置中以提供降低之基板的污染。 表面處理組件的方法可較佳達成石英玻璃表面上具有低 含量的金屬污染。當用於電漿處理裝置"，組件較佳可 提供降低之基板的金屬微粒及分子金屬污染。 該等方法之較㈣關可詩處理先前已曝露或未曝露 於電漿處理裝置中之電漿下的組件。 亦提供了在電衆處理裝置之電聚腔室中來轴料導體基 板的方法的較佳實施例，其包含如上文所描述之已處理的 一個或多個組件。 【實施方式】 八微粒效能在電漿處理裝置中所進行的諸如半導體材料、 介電材料及金屬之各種材料的處理方面係有意義的。黏附 於在電漿反應器中經處理的基板的微粒污染物可降低產品 良率。電漿反應器中之微粒污染的一個來源為組件之一曝 露於電漿下的表面。 包合曝露於電漿下之表面的組件可由包含燒結及/或機 械加工組件之一個或多個表面的過程而製得。此等步驟可 造成對表面的損傷，從而造成表面破裂及中止。此等破裂 係電水處理期間生成微粒之一潛在來源。研磨漿研磨可減 2微粒尺寸；然而，其並不會消除微粒。圖丨為已經受研磨 漿研磨的石英玻璃介電窗之表面的掃描電子顯微鏡（sem) 93595.doc 1360529 貝微，居片。已藉由其它技術而得以機械加工之石英玻璃表 面具有與圖1所示之相似的損傷。 亦已判定可將由石英玻璃製得之組件安裝於電漿反應器 内並於在電漿反應器内達成用於半導體基板之生產條件前 對其進行調節，以降低基板之與石英相關的微粒污染的發 生率。可在調節期間將調節晶圓安裝於電漿反應器内。電 漿藉由蝕刻自組件之曝露於電漿下的表面移除材料。曝露 於電漿下之表面較佳具有一能減少石英及金屬微粒的形 態。最終，藉由調節處理來移除足夠的石英材料以達成可 接受之表面石英微粒含量。圓2為石英玻璃介電窗之表面的 SEM顯微照片，該表面已經受研磨漿研磨並且隨後在電衆 反應器内已藉由電漿曝露（5〇小時）經受了調節。 然而，調節處理需要損失許多小時的生產時間，並可需 要多達十天或更多的天數，以在用於電襞過程的組件之曝 露於電襞下的表面上產生適當之表面處理。相應地，此調 節處理需要顯著的電衆反應器停工時間以藉由組 適當之微粒效能。此外’該調節處理需要相關費用，包含 調節晶圓、操作員監視及干預的花費。 此外，石英玻璃組件之表面（意即 钳封表面（例如 環支持面)需要於電聚反應器内提供真空密封以避免在胥 聚處理腔室内產生空氣流路徑’該石英麵組件之表面功 需要具有一能提供適當之真空密封效能的光潔度。此等兹 封表面並非為曝露於電漿下之表面。然而，所要之真空兹 封表面光潔度可顯著不同於所要之曝露於電漿下的表面’ 93595.doc 丄360529 已判定同時具有曝露於電毁下之表面與真空密封表面兩者 的組件在同-組件之此等不同位置處較佳應具有顯著不同 之表面光潔度。 圖3展示了-種用於表面處理石英玻璃之方法的第一較 佳實施例之流程圖。可實踐該方法以對一用於電激處理裝 f之組件的-個或多個石英玻璃表面進行處理。當將組件 女裝於電漿反應器内時，一個或多個已經受處理之表面較 佳包含曝露於電聚下之至少一個表面。該組件可為一用於 電漿反應器的氣體喷射器、介電窗、電極、視埠 邊緣環、聚焦環、限制環或其類似物。 處理石英玻璃之方法的較佳實施例可用於處理由石英玻 璃製得之組件的石英玻璃表面，以及可包括除石英玻璃之 外的材料的組件之石英玻璃表面（例如，塗層）。 該方法較佳包含機械研磨、化學㈣及清潔步驟以在植 件上產生所要之表面光潔度。可由該方法處理之組件可具 有各種形狀，諸如板形、碟形、環形（例如’介電窗、視槔 邊緣環及其類似物）及圓柱形，以及具有不同形狀之組合的 表面。該等組件可具有各種尺寸。 石英破璃組件較佳由火焰炫化之天然石英製得。火焰熔 化之天然石英通常可以，形人造寶石之形式獲得，可將其 處理成所要㈣狀及尺寸。W英玻射或者為（例如）電弧 炫化之天然石英或合成石英。 在執行精整處理之前，石英玻璃材料較佳具有對於任意 金屬之低於約10 ppm的表體純度。石英破璃内之此金屬純 93595.doc I360529 度可提供由表體產生的金屬含詈，立 曰 屬3里其遏低於表面金屬含

量。降低石英玻璃材料内之令属沾她挤A 竹門夂金屬的雜質含量能降低與金屬 相關之微粒的發生率及/或基板上的缺陷。 可藉由本方法之較佳實施例來處理的石英玻璃組件可處 的條件„例如’板形石英玻璃组件可 自梨形人造寳石切下並將其機械加卫成所要的形狀。可使 用任意適當之過程（諸如金剛石碼磨或其類似過程）將已機 械加工及/或已燒結之組件機械加工成所要的組態及表面 條件。 較佳將石英玻璃組件機械研磨成一所要的表面光潔度。 該機械研磨較佳涉及將組件之-個或多個表面研磨聚研磨 成所要的表面光潔度。該研磨漿可包含一適當之研磨材 料，其包含（例如）氧化紹、碳化石夕、金剛石、氧化飾、氧化 鍅或其類似物。該研磨材料較佳具有一可在組件之經研磨 桌研磨的表面上產生所要之表面光潔度的微粒尺寸。 石英玻璃組件之機械研磨較佳可在組件之不同表面位置 處達成相同的表面光潔度，或可達成不同之表面光潔度。 例如，可將組件之一個或多個曝露於電漿下的表面機械研 磨成與一個或多個非曝露於電漿下之表面（例如，密封表面） 不同的表面光潔度。 機械研磨較佳在化學蝕刻前達成所要的石英玻璃表面形 態’使得該蝕刻可達成與曝露於電漿下之表面相似的.表面 形態。例如，已經受蝕刻之表面較佳具有相同的有效表面 積，且大體上無損傷及無破裂。舉例而言，可藉由算術構 93595.doc •10· 1360529 件粗趟度1來量化已經受機械研磨之表面形態。在 實施例卜該⑷已經受機械研磨之表面的 微英卿抓。.75微米)，且更佳為約⑽微二 =微米二對於給定組件而言，不同的表面可機械研磨 ^的光冰度。例如’可將曝露於電許之表面機械研 磨成比非曝露於電漿下之表面低的〜值（意即，更為平滑之 光潔度)，對於該等非曝露於電衆下之表面而言，在電漿處 理期間所進行的微粒移除具有較小意義。 機械加工及機械研磨步驟可導致產生破裂表面，其為組 件之已經受機械加工及/或機械研磨之表面上的石英玻璃 及’或金屬微粒的來源。在電槳處理基板期間所附著的微粒 可為微粒污染之—來源。相應地，需要在處理基板前（其中 件已存在於電漿反應器中）將所附著之微粒的數目減少 至適當低的計數。如上文所描述，可藉由電漿調節技術將 所附著之微粒自電漿反應器組件而移除，·然而，此等技術 並非完全令人滿意。 相應地，蝕刻步驟較佳自該（等）已經受處理之組件表面 來移除所附著之石英玻璃及金屬污染物微粒，並且較佳達 成與曝露於電漿下之表面的表面形態相似的表面形態。該 蝕刻步驟較佳使用可有效蝕刻石英玻璃的含氟蝕刻液。例 如，含氟蝕刻液可為一種含有氫氟酸（HF)、氟化錄 (NHsHF)、氟化氫銨（nhjhf)的蝕刻溶液，或其混合溶液。 S亥蝕刻液亦可含有添加劑，諸如硝酸（ΗΝ〇3)或其它酸。可 對蝕刻液之濃度、溫度及pH值、蝕刻時間及蝕刻液及蝕刻 93595.doc 1360529 =的其它參數Μ轉1料將表面 所要的比率及深度。 ^ % :經受㈣之表面的表面形態可由(例如)該表面之Μ =特徵化。該敍刻步驟較佳在組件之-個或多個選定 英·.°25—_。如下 以 疋之組件表面所要的Ra值可視組件類型 =表面處理之類型(例如，曝露於電浆下之表面對 曝露於電漿下之表面）而變化。 表2以㈣來改變組件之表面形態’可改變組件之實際 。組件之標稱表面積由其物理尺寸判定。此外，組 f表面積會考·慮到表面粗键度。增加表面粗縫度會 ^面且件之實際表面積。化學餘刻步驟較佳達成組件之實 ㈣標稱表面積的一比率’其近似於曝露於電激(或經 = :):之:件可具有的比率。該化學崎驟較佳達 的比率 積/標稱表面積約⑴且更佳約 :該蝕刻步驟所引起的組件之表面形態亦 ::長度而得以特徵化，該特點長度提供表面二 =率的量測。組件之已經受飯刻的表面之特點長度較 佳為約㈣微米。料表面之所要的特點長度值可視所1 ==的類型以及表面類型(例如，曝露於《下之表面 對比於非曝露於電漿下之表面）而定。 ==驟自已經受钱刻之石英玻璃組件的表面來移除金 屬心物。該清潔步驟包括使石英玻璃組件與對金屬具有 93595.doc 1360529 適虽尚之溶解度的液體接觸，若存在該等金屬，則較佳藉 由清潔步驟自該組件移除該等金屬。此等金屬包含（但不限 於）鋁（A1)、硼（B)、鈣（Ca)、鉻（Cr)、鋼（Cu)、鐵（Fe)、鐘（Li)、 鎮（Mg)、鎳（Ni)、鉀（K)、納（Na)、鈦（Ti)及 /或辞（Zn)。可 使用適當之溶劑來清潔石英玻璃以移除此等金屬，該等溶 劑包含（但不限於）靖酸（HNO3)、氫氟酸（hf)、鱗酸（h3P〇4)、 草酸（(COOH)2)、甲酸（HCOOH)、過氧化氫（h2〇2)、鹽酸 (HC1)、乙酸（CH3COOH)、檸檬酸（C6h8〇7)及其混合溶劑。 此外，為達成石英玻璃部件之所要的清潔度，較佳需小 〜操縱部件、使用超高純溶劑（例如，含有低於約丨〇 金 屬雜質的溶劑）及控制環境（諸如使用1〇〇等級的清潔室來用 於乾燥及封裝）。 對於一種或多種A卜 B、Ca、Cr、Cu、Fe、u、Mg、Ni、 K、Na、Ti及Zn而言，清潔步驟會將石英玻璃組件之表面 金屬污染度降低至所要的低污染度，該低污染度較佳低於 約i，oo〇xio1Q原子/平方公分，更佳低於約1〇〇xl〇1G原子/平 方公分’且最佳低於約1〇x1〇ig原子/平方公分。。 圖4為石英玻璃介電窗之表面的SEM顯微照片，該表面已 根據一較佳實施例藉由機械研磨、触刻及清潔步驟而加以 處理。 圖5展不了測試結果，其可論證根據一較佳實施例而加以 處理之石奂玻璃窗（”□")與經研磨漿研磨之石英玻璃窗（"♦，·） 相比的微粒污染度（在電漿蝕刻過程期間添加至矽晶圓的 尺寸大於0.16 μηι之微粒的數目在曲線中，零RF小時對 93595.doc -13· 1360529 應於在電漿反應器内安裝該窗。曲線展示：在整個測試週 期中，藉由以較佳實施例來處理的石英玻璃窗而添加的微 粒數目遠低於由經研磨襞研磨之石英玻璃窗所添加的微粒 數目。在約開始的兩個RF小時期間，由經研磨聚研磨之石 英玻璃窗所添加的大多數微粒為石英微粒。雖然由經研磨 聚研磨之石英玻璃窗所添加的微粒數目由於曝露於電漿下 而得以減少，但是此等微粒之數目在測試週期期間並未達 到由較佳貫施例來處理之石英玻璃窗所添加的較低微粒數 目。 相應地，圖5中所示之測試結果可論證：精整處理可產生 用於具有已處理之表面的電|處理裝置的組件，其特徵在 於：當用於電聚環境中時’與經研磨聚研磨之石英玻璃窗 相比，其所添加的粒子數目小得多^此外，該測試結果展 示：根據本方法之較佳實施例來處理之組件可僅需要短時 間之RF處理（例如約V2小時）以達成穩態微粒量（例如，添加 約10個大於0.16㈣的微粒）。相應地，裝置停工時間及與電 漿調節有關的費用可藉由使用由本方法之較佳實施例來處 理的組件而顯著減少。 圖6分別展不了存在於未曝露於電漿下之經研磨漿研磨 的石英玻璃組件上（A")、存在於經受了曝露於電漿下之過 程的經研磨漿研磨的石英玻璃組件上（"B")以及根據較佳實 施例來處理之石英玻璃組件上（"c，，WAh B、Ca、&、&、 Fe、Li、Mg、Νι、K、Na、Ti及Zn的每平方公分之原子數 目的測試結果。與經研磨漿研磨之石英玻璃組件及經研磨 93595.doc 14 1360529 漿研磨並曝露於電漿下之石英玻璃組件相比，根據較佳實 施例之精整處理顯著減少了每一種金屬的表面金屬污染 度。金屬污染係不良的，因為其可在於含有被污染之石英 玻璃的電漿反應器腔室中所處理的積體電路中產生缺陷，、 該π染可為沈積於晶圓表面上的微粒與擴散進入晶圓並引 入不良雜質的分子污㈣兩者巾之任H巾該等不良 雜質對換雜分佈以及晶圓特性具有不利影響。相應地，用 於處理石英玻璃之方法的較佳實施例可減輕此問題。 根據較佳實施例，可對先前已曝露於電聚反應器腔室中 =電漿的修㈣件（即”已㈣件”)執賴整處理， 與可藉由對新部件（即p録與接奴+ 取月b 期門田 丨件(即已經文精整處理但尚未在電聚處理 之：；電漿反應器腔室中的部件)進行精整處理而達成 僅經相當的量。在此等實施例中，該等部件較佳 1里趾文清潔步驟。 施^展/ 了用於表面處理石英㈣之方法的第二較佳實 施例的步驟。可執行該方法以對 *實 璃組件的-個或多個曝露於電漿 央破 或多個石英玻項真空密封 、面及一個 漿下之表面芬古+ 仃處理。可具有曝露於電 真工密封表面的纟且件包人 應器的氣體脅射器、視#及介電窗。匕3(例如）用於電聚反 如圖7所示，第-私处—t 之—個或多個表^例包含機械研磨石英玻璃組件 述。表面’如上文所描述之第一較佳實施例中所 在第二較佳實施例中，將 Α夕個石央玻璃密封表面 93595.doc -15- 1360529 處理成所要的光潔度。圓8展示了可藉由機械研磨(例如， 研磨聚礙磨)而形成於石英破璃組件上的表面之例示性光 潔度。該機械研磨過程能產生具有同心圓凹槽圖案之密封 ί面。該等同心凹槽能減少並較佳避免Μ通過以在密封 表面處維持所要的真空完整性。 根據第二較佳實施例’已在勤刻步驟前將石英破璃組件 或多個機械研磨密封表面用遮罩遮住以避免該（等） 于表面亦被截刻。相應地，執行叙刻步驟以_該组件 :除了该(等)密封表面之外的表面。可使用任何適當之遮罩 材科來遮住石英玻璃組件的該（等）密封表面，諸如可使用無 污染物的帶及/或蝶。 在第二較佳實施例中，於則步驟之後，自該（等）密封 表面來移除遮罩並清潔組件，如以上對第—較佳實施例的 描述。該清潔步驟自已經受钱刻之石英玻璃組件的表面來 移除金屬污染物，該等表面包含密封表面與非密封表面(意 即，曝露於電漿下之表面）兩者。 圖9至1〇展示了例示性介電窗2〇,其包含平行之平坦表面 22側面24及直達通道26。圖1()為直達通道％的放大視圖， 其展不了真空密封表面28及曝露於電毁下之平坦表面 例如’真空密封表面28可為〇_環密封表面。介電窗可具 有個以上的密封表面。可藉由以下較佳程序來處理由石 英玻璃所製得之介電窗（諸如介電窗20)。 對介電窗20之曝露於電浆下的平坦表面（例如，平坦表面 22)進订機械加工及機械研磨。該等經機械研磨並曝露於電 93595.doc * 16 - 1360529 漿下之表面較佳具有約5,微英时((M 25_〇 5微们… 12-20微英吋（〇3 n ^ u.5试未），更佳約 使用入^ ·、米)的匕值。密封表面以被遮罩遮住。 3鼠刻液來濕式蝕刻曝露於 所要的表面形離。存“ - 托卜之表面以達成 可使用HF蝕刻溶漭氺、去1 表面而a , 且更佳為W _1〇(>微英叶（約〇.5·2·5微米） 刻==她75·1·25微米)的 、下的表面具有實際表面積與標稱表面積之 車乂佳、力1.1 ·4且更佳約j 2 ..^ 率。曝露於電漿下之表面 之特徵性特點長度較佳為約2·3()微米，更佳為 約5-20微米。例如，對於曝露於電浆下之表面而言，平均 特點長度可為約1 0微米。 將未，呈飯刻之欲封表面28研磨成約1〇_2峨英 微米）的較佳Ra值。密封表面之 之表面積並無忍義，因為其並 非為曝露於電漿下之矣 表面狁封表面之特徵性特點長度較 佳為約5-25微米。 自密封表面28來移除遮罩並清潔介電窗2〇以自曝露於電 漿下之表面及其它表面來移除金屬污染物。對於一種或多 種 A卜 B、Ca、Cr、Cu'Fe、Li、Mg、NiK、m Zn而言’清潔步驟會降低介電窗之已清潔表面的金屬量， 其較佳小於約UOOxH^原？/平方公分，更佳小於約ι〇〇χ 10〗G原子/平方公分，且最佳小於約1〇xl〇1G原子/平方公分。 作為另一實例，圖11展示了包含真空密封表面42、44及 曝露於電漿下之表面46的氣體噴射器40。該氣體喷射器4〇 亦包含曝露於電漿下之内表面，諸如内孔（未圖示）。真空密 93595.doc 1360529 封表面42、44可為（例如）〇_環密封表面。氣體喷射器可包 含其它密封表面（未圖示）。可藉由以下較佳程序來處理由石 英玻璃製得之氣體喷射器（例如，氣體喷射器4〇)。 對曝露於電聚下之表面46進行機械加工並使其經受機械 研磨以達成約7-20微英对（0 〇25_〇 5微来），較佳約7·12微英 吋（0.075-0.3微米）之1值。氣體喷射器4〇之曝露於電漿下的 表面46足夠小，從而使得其並不會顯著影響電漿化學。相 應地，曝露於t漿下之表面46在機械加工後較佳盡可能地 平滑，以允許於蝕刻步驟期間在所要之mHF濃度及蝕刻時 間下來移除已損傷之表面材料。 可使用含氟蝕刻液（諸如^^蝕刻溶液）來蝕刻曝露於電漿 下之表面46以達成所要之表面光潔度。例如，該表面可具 有約1-100微英吋（約0.025_2.5微米），較佳4〇6〇微英吋（約 1-1.5微米）的1值。氣體喷射器外表面在蝕刻後盡可能變得 平滑。可使HF濃度及蝕刻時間發生變化以達成所要之曝露 於電漿下的表面的平滑度。 將密封表面42、44研磨成較佳約12·2〇微英吋3_〇·5微米） 的Ra值。密封表面42、44之特徵性特點長度較佳約5-25微 米。 自密封表面42、44來移除遮罩並清潔氣體噴射器4〇以自 外表面來移除金屬污染物。對於一種或多種A卜b、Ca、 Cr、Cu、Fe、Li、Mg、Ni、K、Na、Ti及 Zn 而言，該清潔 步驟會降低氣體喷射器4 〇之表面金屬污染度，其較佳小於 約1，000χ101ΰ原子/平方公分，更佳小於約1〇〇xl〇U)原子/平 93595.doc .18- 1360529 方公分，且最佳小於約1 〇χ 1 0 1 〇原子/平方公分。 相應地’可使U於處理石英玻璃之方法的較佳實施例 以對用於具有各種尺寸及形狀之電t處理裝置的組件進行 處理，並在㈣之不同表面處提供π的表面光潔度。該 等方法之較佳實施例可於相同組件上提供具有用於電浆反 應器之改良的微粒效能的曝露於電漿下之表面以及具有高 真空完整性的密封表面。 雖然已藉由參考本發明之特定實施例料細描述了本發 明’但是熟習此項技術者將明白：可在不背離附加之申請 專利範圍之料的情況τ，作出各種改變及修正並採用均 等物。 【圖式簡單說明】 圖1為研磨榮研磨之石英玻璃表面的SEM顯微照片（於 1OOOx下）。 圖2為已經受研磨聚研磨及電襞調節之石英玻璃表面的 SEM顯微照片（於1〇〇〇}^下）。 圖3展示了石英玻璃處理過程之第一較佳實施例的流程 圖。 圖4為根據石英玻璃處理過程之—較佳實施例而加以處 理的石英玻璃表面的随顯微照片（於1〇晰下）。 圖5展示了根據一較佳實施例而加以處理之石英玻璃窗 ("□”)與研磨漿研磨之石英玻璃窗(，，♦”)於電衆蝕刻過程中 被添加至矽晶圓的微粒數目之間的關係。 圖6展示了未曝露於電毅下之經研磨聚研磨的石英玻璃 93595.doc •19- 1360529 組件（A)、已曝露於電漿下之經研磨漿研磨的石英玻璃 (B )及根據一較佳實施例而加以處理的石英玻璃組件（"c") 上之不同金屬的原子數目/cm2。 圖7展不了石英玻璃處理過程之第二較佳實施例的流程 圖。 圖8展示了石英玻璃組件之經研磨毅研磨的密封表面。 *圖9展示了包含曝露於錢下且密封之表面的介電窗，該 等表面可藉由石英玻璃處理方法而加以處理。 圖10為圖9所示之介電窗的放大部分視圖。 圖U展示了 —包含曝露於錢下且密封之表面的氣體喷 射器，該等表面可藉由石英玻璃處理方法而加以處理。 【主要元件符號說明】 20 介電窗 22 平行之平坦表面 24 側面 26 直達通道 28 真空密封表面 40 氣體噴射器 42、44 密封表面 46 表面 93595.doc -20

Claims (1)

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用於一電漿處理裝置的組件的方 第〇9311539〇號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(100年6月） 十、申請專利範圍： I 一種用於表面處理一 法，其包括： 機械研磨用於-電毁處理裂置之一組件的至少一個曝 露於電漿下之石英玻璃表面，其中該機械研磨包括⑴將 至夕冑露於t聚下之石》玻璃表面機械研磨成—第一 表面形態’及（ii)將該组件之至少—真空密封石英麵表 Φ機;械研磨成一與該筮一矣 藉由—含氟银刻液來化學姓刻該經機械研磨之石 璃表面；及 藉由—清潔液來清潔該經蝕刻之石英玻璃表面以自該 表面來移除金屬污染物。 2. 如請求们之方法，其中該石英玻璃表面係為一選自由下 列各物組成之群的材料：火焰熔化之天然石英、電弧溶 化之天然石英及合成石英。 3. 如凊求項！之方法，其令該石英玻璃表面為一已機械加工 及/或燒結的表面。 4. 如凊求項1之方法，其中該曝露於電漿下之石英玻璃表面 具有20-100微英吋的算術平均表面粗糙度Ra。 5. 如吻求項1之方法，其中在該機械研磨步驟之前，該石英 玻璃表面具有一小於約1 〇 ppm的金屬雜質含量。 6. 如請求項1之方法，其中該經機械研磨之真空密封石英破 璃表面具有約5-30微英吋的算術平均粗糙度&。 93595-1000603.doc 7. 如請求項1之方法，其中該蝕刻液包括選自由下列各物組 成之群的至少一種含氟化學物質：氫氟酸、氟化銨、氟 化氫銨及其混合物。 8. 如請求項1之方法，其中該經蝕刻之曝露於電漿下之石英 玻璃表面具有約20_100微英吋的算術平均粗糙度Ra及約 • 1至4之只際表面積/標稱表面積之比率。 月求項1之方法，其中該清潔液包括⑴選自下列各物組 成群的至乂―種酸：石肖酸、氫氟酸、填酸、草酸、曱 酸:鹽酸、乙酸、檸檬酸及其混合物，及/或（ii)過氧化氫。 青长項1之方法，其中該等金屬污染物係選自由下列各 物組成之群：A卜 B、Ca、Cr、Cu、Fe、u、Mg、Ni、K、 Tl及Zn，且該經清潔之石英玻璃表面 1，00〇χΐ〇ι〇毋工，丁，一、、 β 原子/平方公分之至少一該等金屬污染物之含 置° ❿ 11::二Γ之方法’其中該真空密封石英玻璃表面在該機 磨後具有一同心圓凹槽圖案。 12.如請求項1之方法’其進-步包括： 面於該化”収制料遮㈣真α衫英玻璃表 空密封石英玻璃表面移除該遮罩;及 -如請求項真空密封石英破璃表面。 該經件為一介電窗； 化學蝕刻該曝露於電漿下之 圾螭表面以產生下列 93595-1000603.doc 1360529 之至少一者：（i)約20-100微英吋的算術平均粗糙度Ra，（u) 約1.1-4之實際表面積/標稱表面積之比率，以及（丨丨丨）約 2-30微米之特徵化特點長度；及 該真空密封石英玻璃表面未經化學蝕刻，且其在機械 研磨後具有下列之至少一者：⑴約10_20微英吋的算術平 均粗經度Ra及（ii)約5-25微米的特徵化特點長度。 1 4 如請求項1之方法，其中： 該组件為一氣體喷射器； 化學蝕刻該曝露於電漿下之石英玻璃表面，以產生約 1-100微英吋的算術平均粗糙度Ra;及 该真空密封石英玻璃表面未經化學蝕刻，且其在該機 械研磨後具有約12-20微英吋的算術平均粗縫度Ra。 15. 如請求項丨之方法，其中該曝露於電漿下之石英玻璃表面 具有小於約lOOxlOW原子/平方公分之選自由下列各物組 成之群之至少一種金屬的含量：A卜b、Ca、Cr、Cu、Fe、 Li、Mg、Ni、K、Na、Ti及 Zn。 16. 如請求項1之方法，其中該曝露於電漿下之石英玻璃表面 具有小於約10x10^原子/平方公分之選自由下列各物組 成之群之至少一種金屬的含量：A卜B、Ca、Cr、Cu、Fe、 Li、Mg ' Ni、K、Na、Ti及 Zn。 種用於在電漿處理裝置内钱刻一半導體基板的方 法’其包括： 將已藉由如請求項1之方法來進行表面處理的至少一 、件文裝於一電漿處理裝置之一電漿腔室内；及 93595-l〇〇〇6〇3.d〇c 在該電漿腔室内來電毀鞋办丨s ,丨、t 水电浆蝕刻至少—個半導體基板。 18.如請求項17之方法，立進一击白紅+ /、進步包括在電漿蝕刻該半導體 基板前來錢調節該組件歷經小於約半小時。 19·—種用於表面處理一用於一 电采蜃理裝置之組件的方 法，其包括： —組件的至少一個曝 機械研磨用於一電漿處理裝置 露於電漿下之石英玻璃表面； 機械研磨S亥組件之至少一伽吉—^ ^個真空密封石英玻璃表面； 用遮罩遮住該真空密封石英玻璃表面； 藉由一含氟蝕刻液來化學斂刿 ^ ^ 于蚀則该經機械研磨之曝露於 電槳下的石英玻璃表面；及 藉由一清潔液來清潔該經 ’ 」之石央玻璃的曝露於電 漿下的表面及該真空密封石英 可々央破璃表面以自其來移除金 屬污染物； 其中該曝露於電激下$ π# 央坡璃表面在該清潔步驟後 具有一與該真空密封石英玻璃 嘴表面之表面形態不同的表 面形態。 2〇. —種用於在一電漿處理裝置 衣置円來蝕刻—半導體基板的方 法，其包括： 將已藉由如請求項19之方法來- 求進仃表面處理的至少一 個組件安裝於一電漿處理裝 衣直之一電漿腔室内；及 於該電漿腔室内來電漿姓刻 . 罙蚀到至；一個半導體基板。 21.如請求項20之方法，其進一步 匕括在電漿钱刻該半導體 基板前來電漿調節該組件歷經小於約半小時。 93595-1000603.doc 22. —種用於一電漿處理裝置的組件，其包括： 具有一第一算術表面粗糙度Ra的至少一個曝露於電漿 下之石英玻璃表面；及 具有一與該第一算術表面粗糙度Ra不同之第二算術表 面粗糙度1的至少一個真空密封石英玻璃表面。 23. 如請求項22之組件，其中該曝露於電漿下之石英玻璃表 面與該真空密封石英玻璃表面係為一選自由下列各物組 成之群的材料：火焰熔化之天然石英、電弧熔化之天然 石英及合成石英。 24·如請求項22之組件，其中該曝露於電漿下之石英玻璃表 面具有⑴約20-100微英吋的算術平均粗糙度&，及約 1.1-4的實際表面積/標稱表面積之比率。 25. 如請求項22之組件，其中該曝露於電漿下之石英玻璃表 面具有小於約1，〇0〇x1〇ig原子/平方公分之選自由下列各 物組成之群之至少一種金屬的含量：AhB、Ca (：r、Cu、 Fe、Li、Mg、Ni、K、Na、Ti 及 Zn。 26. 如請求項22之組件，其中： 該組件為一介電窗； 該曝露於電漿下之石英玻璃表面具有下列之至少— 者：⑴約2〇-10〇微英时的算術平均粗縫度Ra，⑼約工W 的實際表面積/標稱表面積之比率，及（iH)約2_3G微米 徵性特點長度；且 ^ 該真空密封石英玻璃表面具有下列之至少一者：⑴約 10-20微英吋的算術平均粗糙度&及（⑴約5_25微米的特 93595-10〇〇6〇3.doc 1300529 « * , 徵性特點長度。 27.如請求項22之組件，其中： 該組件為一氣體喷射器； • 該曝露於電漿下之石英玻璃表面具有約M00微英时的 算術平均粗糙度Ra值；且 *亥真空密封石英破璃表面具有約122()微英叶的算術平 均粗糙度Ra。 • 28.如請求項22之組件’其中該曝露於電漿下之石英玻璃表 面具有小於約100xl〇|〇原子/平方公分之選自由下列各物 組成之群之至少一種金屬的含量：A卜B、Ca、. Cr、Cu、 Fe、Li、Mg、Ni、K、Na、Ti及 Zn。 29·如請求項22之組件，其中該曝露於電漿下之石:矣，玻.璃表 面具有小於約1〇x1〇w原子/平方公分之選自由下列各物 組成之群之至少一種条屬的貪量：义、B、Ca、Cr、Cu、 Fe、Li、Mg、Ni、K、Na、Ti及 Zn。 鲁30. —種用於在一電漿處理裝置内蝕刻一半導體基板的方 法’其包括： 將如請求項22之一組件安裝於一電漿處理裝置之一電 漿腔室内；及 於該電漿腔室内來電漿钱刻至少一個半導體基板。 31.如請求項30之方法，其進一步包括在電漿蝕刻該半導體 基板前來電漿調節該組件歷經小於約半小時。 93595-1000603.doc