TWI360375B - Carrier with embedded component and manufacturing - Google Patents

Description

1360375 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 特別係有關於一種具嵌 本發明係有關於一種承載器 入元件之承載器。 【先前技術】 如第1 ®戶斤示，習知具嵌 ^ Α 戟器10传本垂· 包s 一基板11及至少—嵌入元件12，該美 ”

開孔1U、至少一線路層112、 層rn，該嵌入元件12俾1…電層113及-黏膠 、 置該基板11之該開孔111， ….s 112係覆蓋該介電| 113，而該黏膠層"，係設 於該嵌入元件12與該開孔⑴及該介㈣113之間用 以固設該故入元件12於該基板11，，惟，習知之該介電層 113與該黏膠I 114之材料特性較容易吸濕或受潮，因此 在高溫製程（如壓合製程、烘烤製程或回銲製程）中，該介 電層U3與該黏膠層114所吸收的水分會形成水氣，又， 因該承載器10之該線路層112係為不透氣之金屬層，並 且又覆蓋該介電層113,使得該承載器10内部之水氣無法 順利向外排出，而導致該承載器1〇内部形成氣孔或發生 材料界面脫層現象（delamination)，嚴重影響該承載器1〇 .之可靠度，此外，習知之該嵌入元件12與該基板丨丨之間 的結合強度亦不佳，一旦遭遇外力衝擊或溫度循環測試， 該鼓入元件12與該基板U之間容易出現縫隙或裂痕其 可能影響該嵌入元件丨2與該基板u之間的電性連接。 【發明内容】 6 1^00375 本發月之主要目的係在於提供一種具丧入元件之承 载盗及其製作方法，該承载器係包含一基板及至少—嵌入 70件，該基板係具有至少一槽孔及一第一複合層，該嵌入 疋件係設置於該基板之該槽孔，該第一複合層係具有一排 氣結構（De-gassing structure)、至少一第一貫穿孔及至少一 第一固定件，該排氣結構係對應該槽孔，該第一貫穿孔係 顯露該嵌入元件，該第一固定件係形成於該第一貫穿孔， 該第固之件係可接觸該嵌入元件，本發明係利用該排 乳結構使處在高溫環境下之該承載器内部之水氣能順利 向外排出，且藉由該第一固定件接觸該嵌'元件，可增加 該嵌入元件與該基板之結合強度。 依據本發明之一種具嵌入元件之承載器，其包含一基 板及至少一嵌入元件，該基板係具有至少一槽孔及一第— 複合層，該嵌入元件係設置於該基板之該槽孔，該第—複 σ層係具有一排氣結構（De-gassing structure)，該排氣結構 係對應該槽孔。 依據本發明之一種具嵌入元件之承載器之製作方 法，其包含提供一基板，該基板係具有至少一槽孔；設置 至少一嵌入元件於該基板之_槽孔；以及形成一第一複厶 層於該基板上’該第一複合層係具有一排氣結構 (De-gwsing structure)，該排氣結構係對應該槽孔。 【實施方式】 請參閱第2及3圖，其係本發明之一較佳實施例，— 種具嵌入元件之承載器20係包含一基板21及至少一嵌入 7 1360375 外排出，且該些排氣孔232a可呈圓形狀、環形狀方形 狀或其它幾何形狀，又或者，請參閱第6及7圖，在又二 實施例中，戎排氣結構232係具有—排氣槽232b，該排氣 槽232b係對應該嵌入元件22,且該排氣槽232b係顯露該 第一介電層235’該排氣槽232b係可提供較大之排氣面 積，以增加排氣效率。 請再參閱第2圖’該第二複合層24係形成於該基板 21之該第二表面21b，該第二複合層24係具有一第二線 路層241、複數個導通孔242、至少一第二貫穿孔243、至 少一第二固定件244及一第二介電層245,該些導通孔242 係對應該嵌入元件22，該第二貫穿孔243係貫穿該第二複 5層24，且該第二貫穿孔243係顯露該嵌入元件22，該 第二固定件244係形成於該第二貫穿孔243，且該第二固 疋件2 4 4係可接觸該欲入元件2 2，以增加該嵌入元件2 2 與该基板21之結合強度，較佳地’該第二固定件2 4 4係 為金屬鍍層，該第二介電層245係形成於該第二線路層241 與該基板21之該第二表面21b之間’在本實施例中，該 些導通孔242係電性連接該嵌入元件22，且該嵌入元件 22係為被動元件，如電阻、電容或電感，或者，請參閲第 8圖’在另一實施例中，該嵌入元件22係可為主動元件， 如半導體晶片或1C。 請參閱第9圖，在另一實施例中，該基板21另具有 一黏膠層25及一防銲層26，該黏膠層25係形成於該嵌入 元件22與該槽孔211之間，較佳地，該黏膠層25亦形成 9 1360375 可接觸該嵌入元件22，以祕上 千 U增加該嵌入元件22與該基板2 1 之結合強度，該第一介雪恳。， 曰235係形成於該第一線路層231 與。玄基板21之該第一表面2ia之間，較佳地，該第一線 路層231與該排氣結構232係_體形成，且該排氣結構加 係主’耽狀’以顯露該第—介電I⑶之複數個顯露面 235a而該承載器2G内部之水氣係可經由該第—介電層 235之該些顯露面235a順利向外排出。 凊再參閱第10C圖，在本實施例中，該第二複合層24 係具有一第二線路層241、複數個導通孔242、至少—第 一貝牙孔243、至少一第二固定件2斗4及一第二介電層 245，該些導通孔242係對應該嵌入元件22，該第二貫穿 孔243係貫穿該第二複合層24，且該第二貫穿孔243係顯 露該嵌入元件22 ’該第二固定件244係形成於該第二貫穿 孔243 ’且該第二固定件244係可接觸該嵌入元件22，以 增加該嵌入元件22與該基板21之結合強度，該第二介電 層245係形成於該第二線路層241與該基板21之該第二 表面21 b之間’在本實施例中，該些導通孔242係電性連 接該嵌入元件22，此外，該第一複合層23之該第一貫穿 孔233與該第二複合層24之該第二貫穿孔243係可以雷 射鑽孔（Laser Drilling)、機械鑽孔（Machine Drilling)或光 微影術（Photography)方式形成，且該第一固定件234與該 第二固定件244係可以電鍍或無電鍍方式形成。 另外，請參閱第10D圖’在另一實施例中，其另包含 形成一黏膠層25於該嵌入元件22與該槽孔2丨丨之間，較 11 1360375 佳地’該黏膠層25亦形成於該嵌入元件2 層23之間’且該第一貫穿孔233係貫穿該㈣二二: 使形成於該第一貫穿孔233之該第一固定件m能順利可 接觸該欲人4 22。請參閱第刚圖，在又_實施例中， 其另包含形成_防辉層26 ’該防鲜層…系覆蓋該第一複 合磨2\之該排氣結構232，以防止環境中之污染物（如灰 塵）污染該排氣結構232,在本實施例中，該防銲層％ 身之材質亦可讓該承載器2〇内部之水氣順利向外排出。 另一方面’為了增加該第-固定件…或該第二固定件244 與該嵌二件22之接合強度’可另包含進行一表面處理 步驟，，、係對4嵌人元# 22進行表面處理，以增加該嵌 入元件22之表面粗縫度，在本實施例中，表面處理之二 法係可為物理性表面處理或化學性表面處理，較佳地，表 面處理之方法係為電毅表面處理。此外，在另一實施例 中，該嵌入元件22無需電性連接之部分電極區域係可 進行棕化處理，以增加該黏膠層25與該嵌人元件2 著強度。 接 本發明係利用該排氣結構232使處在高溫環境下之該 =載态20内部之水氣能順利向外排出’且藉由該第—固 定件234及該第二固定件244可接觸該嵌人元件，可增力 該嵌入元件22與該基板21之結合強度。。 S 口 本發明之保護範圍當視後附之申請專刮範圍所界定 者為準，任何熟知此項技藝者，在不脫離本發明之精神^ 範圍内所作之任何變化與修改，均屬於本發明之保護範 12 1360375 10 承載器 11 基板 111 開孔 112 線路層 113 介電層 114. 黏膠層 12 嵌入元件 20 承載器 21 基板 21a 第一表面 21b 第二表面 211 槽孔 22 嵌入元件 23 第一複合層 23 1 第一線路層 232 排氣結構 232a 排氣孔 232b 排氣槽 233 第一貫穿孔 234 第一固定件 235 第一介電層 235a 顯露面 24 第二複合.層 241 第二線路層 242 導通孔 243 第二貫穿孔 244 第二固定件 245 第二介電層 25 黏膠層 26 防銲層 14

Claims (1)

1360375 26 a 案號96111122 100年12月26日修正 十、申請專利範圍： 種具敢入元件之承載器，其包含： 基板，其係具有第一表面、第二表面與形成於該地 一表面上之至少—槽孔及一第一複合層，該第一複合 層係具有一排氣結構（De-gassing structure)及至少一 第—貫穿孔，該排氣結構係對應該槽孔；以及 至少一嵌入元件，其係設置於該基板之該槽孔，且該 第一貫穿孔係顯露該嵌入元件。 2、 如申請專利範圉第丨項所述之具嵌入元件之承載器， 其中該第一複合層係具有一第一線路層，該第一線路 層與該排氣結構係一體形成。 3、 如申請專利範園第2項所述之具嵌入元件之承載器， 其中該排氣結構係具有複數個排氣孔，該些排氣孔係 貫穿該第一線路屬。 4、 如申請專利範圍第2項所述之具嵌入元件之承載器， 其中該些排氣孔係可呈圓形狀、環形狀、方形狀或其 它幾何形狀。

如申β專利轮圍第2項所述之具嵌入元件之承載器， 其中該排滅> 結構係呈網格狀。 如申請專利範圍第3項所述之具嵌入元件之承載器， 其中該排氣、、Ό構係具有一排氣槽，該排氣槽係對應該 嵌入元件。 7、如申請專利範圍第2 jg 、+. a . 啤乐z項所述之具嵌入元件之承載器， 其中該第一複合岸择】 曰係具有一第一介電層，該第一介電 0961.111:22 15 1003481822-0 丄湖375 100年12月26日按正替換頁 案號96111122 100年12月26日修正 層係形成於該第一線路層與該基板之該第一表面之 間。 8如申凊專利範圍第1項所述之具嵌入元件之承載器， 其中該第一複合層係具有至少一第一固定件，該第一 固定件係形成於該第一貫穿孔。 9、如申請專利範圍第8項所述之具嵌入元件之承載器， 其中該第一固定件係接觸該嵌入元件。 10、 如申請專利範圍第丨項所述之具嵌入元件之承載器， 其中該基板係具有一黏膠層，該黏醪層係形成於該嵌 入元件與該第一複合層之間。 11、 如申請專利範圍第10項所述之具嵌入元件之承載器， 其中該第一貫穿孔係貫穿該黏膠層。 12、 如申請專利範圍第丨項所述之具嵌入元件之承載器， 其中該槽孔係連通該第一表面與該第二表面。 U、如申請專利範圍第丨項所述之具嵌入元件之承載器， 其中該基板係具有一第二複合層，該第二複合層係形 成於該基板之該第二表面。 14、 如申請專利範圍第13項所述之具嵌入元件之承載器， 其中該第二複合層係具有一第二線路層及一第二介 電層’該第二介電層係形成於該第二線路層與該基板 之該第二表面之間。 15、 如申請專利範圍第13項所述之具嵌入元件之承載器， 其中該第二複合層係具有複數個導通孔，該些導通孔 係對應該喪入元件β Ρ96111122- 16 1003481822-0 .·* ·· 1360375 100年1Z月26日垵正备換頁 案號96111122 1〇〇年12月26曰修正 16、 如申請專利範圍第15項所述之具嵌入元件之承載器， 其中該些導通孔係電性連接該嵌入元件。 17、 如申凊專利範圍第13項所述之具嵌入元件之承載器， 其中該第二複合層係具有至少一第二貫穿孔，該第二 貫穿孔係顯露該嵌入元件。 18、 如申清專利範圍第17項所述之具嵌入元件之承載器’ 其中s玄弟二複合層係具有至少一第二固定件，該第二 固定件係形成於該第二貫穿孔。 19、 如申請專利範園第18項所述之具嵌入元件之承載器， 其中該第二固定件係接鱗該嵌入元件。 20、 如申請專利範圍第1項所述之具嵌入元件之承載器， 其中該嵌入元件係為被動元件，如電阻、電容或電感》 21、 如申請專利範園第1項所述之具嵌入元件之承載器’ 其中·該嵌入元件係為主動元件，如半導體晶片或1C。 22、 如申請專利範圍第1項所述之具嵌入元件之承載器’ 其中-該基板係具有一黏膠層，該黏膠層係形成於該嵌 入元件與該槽孔之間。 23、 如申請專利範圍第1項所述之具嵌入元件之承載器， 其中該基板係具有一防鋅層，該.防銲層係覆蓋該第一 複合層之該排氣結構。 24、 一種具嵌入元件之承載器之製作方法，其包含： 提供一基板’該基板係具有一第一表面、一第二表面 與至少一槽孔； 設置至少一嵌入元件於該基板之該槽孔；以及 0961111:22. 100348182^-0 17 100年12月26日接正替換頁 案號96111122 100年12月26日修正 形成一第一複合層於該第一表面上，該第一複合層係 、有—排氣結構（De-gassing structure)及至少一第一 貝穿孔，該排氣結構係對應該槽孔，該第一貫穿孔係 類路該嵌入元件。 如申請專利範圍第24項所述之具嵌入元件之承載器 之製作方法，其中該第一複合層係具有一第一線路 層，該第一線路層與該排氣結構係一體形成。 如申明專利範圍第25項所述之具嵌入元件之承載器 之製作方法，其中該排氣結構係具有複數個排氣孔， 該些排氣孔係貫穿該第一線路層。 如：請專利範圍第25項所述之具嵌入元件之承載器 之氣作方法，其中該些排氣孔係可呈圓形狀、環形 狀、方形狀或其它幾何形狀。 申明專利範圍第25項所述之具嵌入元件之承載器 之製作方法，其中該排氣結構係呈網格狀。 申凊專利範圍第25項所述之具嵌入元件之承載器 作方法，其中該排氣結構係具有一排氣槽，該排 氣槽係對應該嵌入元件。 申月專利範圍第25項所述之具嵌入元件之承載器 裝作方法’其中該第-複合層係具有一第一介電 二“第”電層係形成於該第一線路層與該基板之 該第—表面之間。 3 1、如申請專利範圍第2 4 ts 項所述之具叙入元件之承載器 之製作方法，其中兮笛 办 、第一貝穿孔係可以雷射鑽孔 25 26 27 28 29 30 096111122 1003481822-0 1360375 100年12月26日梭正替換頁 案號96111122 1〇〇年12月26曰修正 (Laser Drilling)、機械鑽孔（Machine Drilling)或光微 影術（Photography)方式形成。 32、 如申請專利範圍第24項所述之具嵌入元件之承載器 之製作方法’其中該第一複合層係具有至少一第一固 定件，該第一固定件係形成於該第一貫穿孔。 33、 如申請專利範圍第32項所述之具嵌入元件之承載器 之製作方法’其中該第一固定件係可以電鍍或無電鍍 方式形成。 34、 如申請專利範圍第32項所述之具嵌入元件之承載器 之製作方法，其中該第一固定件係接觸該嵌入元件。 35、 如申清專利範圍第24項所述之具嵌入元件之承载器 之製作方法’另包含形成一黏膠層於該嵌入元件與該 第一複合層之間。 36 '如申'請專利範圍第35項所述之具嵌入元件之承載器 之製作方法.，其中該第一貫穿孔係貫穿該黏膠層。 37如申請專利範圍第24項所述之具嵌入元件之承載器 之製作方法，其中該槽孔係連通該第一表面與該第二 表面。 申叫’專利圍第24項所述之具嵌入元件之承載器 之製作方法，另包含形成—第二複合層於該基板之該 第二表面。 39如申°月專利範圍第38項所述之具喪入元件之承載器 ,作方法，其中該第二複合層係具有一第二線路層 第一介電層’該第二介電層係形成於該第二線路 0961111:22 19 ’ 1003481822-0 1360375 1100年12月26日後 案號 96111122 100 J 12 月 26 B 修正 '^ 層與該基板之該第二表面之間。 40、 如申請專利範圍第38項所述之具嵌入元件之承載器 之製作方法，其中該第二複合層係具有複數個導通 孔’該些導通孔係對應該嵌入元件。 41、 如申請專利範圍第4〇項所述之具嵌入元件之承載器 之製作方法，其中該些導通孔係電性連接該嵌入元 件。 42、 如申請專利範圍第38項所述之具嵌入元件之承載器 之製作方法’其中該第二複令層係具有至少一第二貫 穿孔’該第二貫穿孔係顯露該嵌入元件。 43、 如申請專利範圍第42項所述之具嵌入元件之承载器 之製作方法，其中該第二貫穿孔係可以雷射鑽孔 (Laser Drilling)、機械鑽孔（Machine Drilling)或光微 影術（Photography)方式形成。 44、 如申請專利範圍第42項所述之具嵌入元件之承載器 之製作方法，其中該第二複合層係具有至少一第二固 定件，該第二固定件係形成於該第二貫穿孔。 45、 如申請專利範圍第44項所述之具嵌入元件之承載器 之製作方法’其中該第二固定件係可以電鍍或無電鍍 方式形成。 46、 如申清專利範圍第44項所述之具嵌入元件之承載器 之製作方法’其中該第二固定件係接觸該嵌入元件。 47、 如申明專利範圍第24項所述之具嵌入元件之承載器 之製作方法，另包含進行一表面處理步驟，其係對該 096111122 1003481822-0 100年12月26日梭正 案號96111122 1〇〇年12月26日修正 嵌入元件進行表面處理。 48如申請專利範圍第47項所述之具嵌入元件之承載器 之製作方法，其中表面處理之方法係可為物理性表面 處理或化學性表面處理。 如申请專利範圍第48項所述之具嵌入元件之承載器 之製作方法，其中表面處理之方法係為電漿表面處 理。 50、 如申請專利範圍第 之製作方法，其中 阻、電容或電感。 24項所述之具嵌入元件之承載器 該嵌入元件係為被動元件，如電 51、 52、 申。月專利範圍第24項所述之真嵌入元件之承栽器 之製作方法，其中該嵌入元件係為主動元件，如半導 體晶片或IC。 申凊專利範面第24項所述之具嵌入元件之承載器 之製作方 次’另包含形成一黏膠層於該嵌入元件與該 槽孔之間。 53 "月寻利範圍第 ，、厂/|地六职/υ ττ〜/言、執n 之製作古法’另包含形成一防銲層，該防銲層係覆蓋 β玄第一-A „複合層 < 該排氣結構。 096111122. , - 1003481822-0 21 1360375 ' · — ----------— 修(走)正替療頁 c

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