TWI360028B - Composition and method for photoresist removal - Google Patents

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1360028 九、發明說明： 相關申請介紹 本申請要求了 2006 60/809,085美國臨時專利 年5月26日提交的序列號爲 申請案的優先權。

發明所屬之技術領域 器件 本發明是一種爲了再加 丹力工基材上的光阻劑 基材上多層光阻劑層的組合物。 而除去電子 先前技術 電子製造工業中遇到的問 m 哺疋爲了再加工過程而溶解 雙層光阻劑，這需要使用單晶片卫具在低於价/3分鐘下 進仃。對於傳統的光阻劑剝離劑來說，該問題可 作溫度（>75°C )和長加工眸„ ,如 ^ ”間（超過1〇分鐘）下得以解 決。對於一些傳統的剝離劑， 劑先阻劑疋通過剝離被除去而 不疋通過溶解。非溶解或部分 合鮮的先阻劑可以阻塞再循 ί哀工具中的過濾器或者再沈 J阳月上，廷兩個結果都是 目前半導體用戶無法接受的。 因此，對於這種爲了再加工過 狂而溶解雙層光阻劑的 應用來說，傳統光阻劑剝離劑不是合適的選擇。 如同通過以下幾個優潠管古 馒選貫施方式所宣稱的那樣，本發 明克服了現有技術的缺陷。 發明内容 5 本發明是-種用於除去電子器件基材上的多層光阻劑 層的組合物’所述除去是爲了再加工基材上的光阻劑，該 組合物包括：⑴至少三種獨立溶劑所組成的溶劑混合物， (ii)至少一種有機磺酸，和（iii) 个、ill)至少一種蝕刻抑制劑。 了 本發明還是-種使用該組合物的方法。此組合物和方法成 功地在低⑨65。(：的溫度下和於三分鐘的接觸時間内除去 這種多層光阻劑，其在單晶片工具上提供了高通量。 實施方式 本發明公開了一種對爲了再加 刀 而除去多層光阻劑特 別有效的剝離劑組合物，其包含（、士_ 、^ 3 L a )由二種獨立溶劑所組 成的溶劑混合物（b )適當的有機磺酸，和 劑。 c)餘刻抑制 已經使用多層光阻劑以克服單層光阻劑不得不在單層 中執行多重功能的缺陷。這些多重功能包括：帛小化平： 印刷傳送電路圖案中的線寬度變化；#出現變化地 案特徵進行平坦的地形覆蓋；$備除去選定的光阻劑部 分’所述部分取決於它是負性還是正性光阻劑；光阻劑顯 影之後的蚀刻耐性以及反射抑制。 以單層光阻劑成功地獲得所有的那些特性是困難的 並且能夠導致在一種功能中出現不期望的折衷以在另一 功能中獲得可接受的性能。 ，並 中産 製造積體電路的半導體製造工業已經認識到這點 且對於一些平版印刷來說，已經製造出了在積體電路 1360028 生單一水平特徵的多層光阻劑，從而多層光阻劑的各光阻 劑層都能夠被最優化以執行選定的一種或多種功能。 半導體製造工業通常使用雙層光阻劑以避免額外光阻 劑層的加工時間、定位以及複雜性。即使使用雙層光阻劑， 雙層的沈積依然能夠充分地斷裂，典型地參考定位流，從 而需要除去雙層光阻劑（“再加工，，）並且再沈積它們， 同時節省了底層基材，由於其他電路平面已經製造在基材 上了因此這是有價值的。 因此，多層光阻劑剝離組合物需要滿足幾個在本發明 之前沒有被成功地實現的要求標準，包括：在底層基材上 保持圖案特徵，在單一剝離溶液中對超過一種的光阻劑聚 合物材料結構具有溶解能力，快速除去多層以及低溫有效 的操作從而能夠使用多種單晶片工具進行濕法清潔步驟。 本發月的剥離劑組合物溶液獨一無二地實現了那些目 標。剝離劑能夠通過溶解而除去光阻劑，並且適合於單晶 片工具爲了進行再加工的應用。組份在室溫下混合。 所述/谷劑疋乙—醇醚和/或多元醇混合物。乙二醇醚優 選乙二醇單-或二_醚。示例性的乙二醇醚包括：乙二醇單 甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、乙二醇二甲醚、乙 —醇二乙醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二 醇單丙醚、一乙二醇單異丙醚、二乙二醇單丁醚、二乙二 醇單異丁醚、二乙二醇單己醚、二乙二醇單苯甲醚'二乙 一醇一甲配—乙一醇甲基乙基驗、二乙二酵二乙趟、二 乙二醇二丁醚、三乙二醇單甲醚、三乙二醇二甲醚、丙二 7 1360028 醇單曱喊、丙二醇單乙謎、丙二醇二甲謎、丙二醇單丁喊 丙二醇單丙醚、二丙二醇單曱醚、二丙二醇單乙醚、_ „ 一而 一醇單丙越、二丙二醇單異丙醚、二丙二醇單丁醚、一 __ 丙 一醇單第三·丁醚、二丙二醇二異丙醚、二丙二醇二甲犍、 二丙二醇單甲醚、1-甲氧基-2-丁酵、2-甲氧基-1· 丁醇、2

甲氧基-2-甲基丁醇、U1•二甲氧基乙烷和2_(2_丁氧基乙& 基）乙醇。 I # 多π醇優選單_、二·或三·醇，例如KrCW鏈烷醇、 (C2_C2〇)鍵烧二醇和（CrC^)鏈烷三醇，環醇和取代醇。示 例性的醇包括：丙三醇、乙二醇、丙二醇、二乙二醇、_ ·· 丙二醇、己二醇、1,2-丁二醇、1，4-丁二醇、2,3_丁 二醇、 笨甲醇、四氫糠醇、1-辛醇、二丙酮醇和1，4-環己基二甲 醇。 可以存在有機溶劑。有機溶劑的例子包括，但不限於， 二曱基乙醯胺（DMAC)、N_曱基吡咯烷酮（NMp)、二甲 • 基亞礙（DMSO)、二甲基甲酿胺、N-甲基甲醯胺、甲醯胺、 二曱基-2-呱啶酮（DMPD)以及其他醯胺、醇或亞砜，或 者多官能化合物，例如羥基醯胺或胺基醇。 溶劑最優選二（丙二醇）單甲醚、苯甲醇、四氫糠醇、 1-辛醇和丙二醇。 重要的是具有一種溶劑混合物，以便該混合物的全部 溶解度參數與要被除去的多層光阻劑的參數相匹配，所述 混合物的溶解度參數由氫鍵合、極性和分散交互作用的三 維希爾登布蘭德（Hidenbrand )溶解度參數所決定。混合 8 1360028 :中=三種獨立的溶劑提供了適當的變化以滿足在單a 片工具處理的規定範圍内除去 疋隹早日曰 解度參數，工具或清潔設備在所述範圍内處理單晶片， 冋時除去它的光阻劑。當處理單晶片的時候，需要曰古曰通旦 因此要求最小的接觸時間。優選地，小於3分鐘的：片： 剝離劑組合物的接觸時間。工業還需要那些接觸在不超過 65°C的相對低溫下進行。 • 所述續酸優選由RlS〇3H(Rl表示具有“個碳的烧基 基團）代表的烧基續酸或者由r2_a_s〇3H(r2表示具有⑽ 個碳的烧基基團，並且A代表亞苯基或蔡基團）代表的炫 基笨㈣，其中具體實例包括甲績酸、乙續酸、㈣酸、 了錢、對Η料'4·乙基苯核、十二烧基苯績酸、 異丙基苯續酸、甲基乙基苯續酸、二甲苯續酸的異構體、 苯磺酸、羥基苯績酸、Μ_萘二續酸、2_蔡續酸、卜蔡磺酸。 所述磺酸更優選烷基苯磺酸，然而更優選對甲苯磺酸。 • 所述蝕刻抑制劑是至少一種巯基化合物，其包括ι_髄 基丙二醇（硫代甘油）、巯基乙醇、3-巯基-2-丁醇、1-毓基 -2-丙醇、3-巯基丙酸、巯基琥珀酸、2•巯基苯酚、2_巯基 本甲酸、2-毓基本并。惡咕、2-巯基苯并售唾、2_疏基苯并哺 唑（‘ΜΒΙ )、2-毓基咪唑、2-鲸基-5-曱基苯并咪唑、2-毓基煙酸、3-巯基丙基-三甲氧基矽烷和i_[(2_羥乙基）硫 代]-3-(辛氧基）-2-丙醇（HyTOP )。可以使用所屬領域已知 的用於相似應用的任何#刻抑制劑，例如可以使用美國專 利No. 5，417,877中公開的那些，該專利在此完全引入作爲 9 1360028 參考。蝕刻抑制劑可能是，例如，有 有機酸、有機酸鹽、笨 酚、三唑。具體蝕刻抑制劑的例子包 匕祜檸檬酸、鄰胺基苯 甲酸、沒食子酸、安息香酸、里酞酸 '、陂毆馬來酸、富馬酸、 D，L_蘋果酸、丙二酸、酞酸、馬來酸軒、酞酸針、笨并三 。坐（BZT)、曱基笨并三唾、I2,4·三4、間苯二紛、缓基 苯并三唑、二乙基羥胺及其乳酸和檸檬酸鹽，等等。可二 使用的㈣抑制劑進-步的例子包括兒茶盼、焦盼和沒食

子酸酷。㈣其他適合的蝕刻抑制劑的例子包括果糖、硫 代硫酸銨、胺基乙酸、乳酸、四甲基胍、亞胺基二乙酸二 二甲基乙醯乙酸胺。所述蝕刻抑制劑更優冑【酼基两二醇 (硫代甘油）。 本發明的組合物和方法避免了含有無機氟化物的化合 物’因爲含有氟化物的化合物’特別是在酸性介質中，能 夠破壞低k絕緣電介質膜。

因爲本發明是除去聚合物光阻劑而不是除去無機材料 (灰化和蝕刻殘渣），優選不具有任何明顯的水相，不然所 述水相會改變溶劑混合物的整體溶解度參數，這會導致光 阻劑聚合物産生相反的溶解性。#同本發明中所使用的， 無水意味著排除任何有意地加入水或任何明顯的水相，這 將使與光阻劑聚合物相關聯的溶劑混合物的溶解特性改變 到光阻劑聚合物不能在65t和三分鐘或更短的接觸時間内 基本上完全除去單晶片工具上的光阻劑聚合物的程度。偶 然的和微量的水是可以被允許的’例如由磺酸的加入（對 甲笨磺酸-水合物）而引人的水，或者未徹底乾燥的溶劑 10 1-360028 中的微小含量。優選較少的水（<5%)並且更優選基本上 不含水（< 1 % )。 用於産生表1和2中資料的組合物實施例是： 實施例1 化合物 wt% 二（丙二醇）曱醚 51.7 0 對甲苯磺酸 1〇 四氫糠醇 10.3 苯曱醇 26 硫代甘油 2 •， 實施例2 化合物 wt% 二（丙二醇）曱醚 45.9 _ 對曱笨磺酸 20 四氫糠醇 9.1 苯甲醇 23 硫代甘油 2 1360028

實施例3 化合物 wt% 二（丙二醇）曱醚 45.9 對甲苯磺酸 20 1-辛醇 9.1 苯曱醇 23 硫代甘油 2 實施例4 化合物 wt% 二（丙二醇）曱醚 48.8 對甲苯磺酸 15

四氫糠醇 24.5 PG 9.7 硫代甘油 2 實施例5 化合物 wt% 二（丙二醇）曱鍵 51.7 對甲苯磺酸 10 PG 10.3 苯甲醇 26 疏代甘油 2 12 1360028 實施例6 化合物 wt% 二（丙二醇）曱醚 51.7 對曱苯磺酸 10 四氫糠醇 26 PG 10.3 硫代甘油 2 實施例7 (對照實施例i ) 化合物 二（丙二酵）曱醚 對曱苯績酸 硫代甘油

wt% 88 10 2 隹Lu/低Jc槓體甲蝕刻/灰化處理之前，、生 研漯組合物對 於除去雙層光阻劑層（雙層光阻劑的重作）β y疋有效的。所 述清潔組合物被設計成能夠用於單晶片工且 τ " ，、的加工中。 本發明的配製物在燒杯試驗中進行評僧，甘 1只再中將具有 銅金屬和/或多種二氧化矽電介質膜的試樣浸入配製物以 測定配製物的蝕刻速率，基材上的光阻劑被清除而基材2 的特徵不希望被破壞、蝕刻或除去。覆蓋的鋼和低=電介 質的蝕刻速率摘要在表！中給出，所述低k電介質例如源 自四乙基原石夕酸醋（FTE0S)的I化二氧化矽以及黑金剛 石（Black DiamondTM)膜（BDI， 可以從 Applied Materials

13 1360028

Inc.，Santa Clara，CA獲得）。在以下所古以 。 幻在下所有的㈣速率中， 、里疋在60C的溫度下和5、1〇、20、4〇^„ 、 和60分鐘的曝

、曰下進行的。厚度的測量是在每個時間間隔下測定的 士且使用“最小二乘法擬合，，模型對每個示例性組合物的 結果給出折線圖。每—組合物的“最小二乘法擬合”模型 的計算斜率就是以埃/分鐘（A/min)給出的作爲結果的姓 刻速率。在銅蝕刻速率或電介質蝕刻率的測定中，晶片具 有沈積切（Si) ^片上的已知厚度的覆蓋層。對於銅姓 刻速率來說，㈣CDE ResMap 273四探針敎晶片的起 始厚度。在測定起始厚度之後，將試驗晶片浸人示例性組 口物中。五分鐘以後，將試驗晶片從試驗溶液中移出，用 去離子水漂洗三分鐘並且在氮氣下完全乾燥。測量每個晶 片的厚度並且如果需要在試驗晶片上重復此過程。對於

FTE〇S和BDI触刻速率來說，使用FilmTek 2000 SE

Sepectroscopic Ellips〇meter/Reflect〇mer 測定起始厚度。將 大約200mls的試驗溶液置於具有攪拌和加熱，如果需要， 以達到規定的溫度的250ml燒杯中。如果僅有一個晶片被 置於含有溶液的燒杯中，則將虛擬晶片也置於燒杯中。五 分鐘之後’移出每個試驗晶片，用去離子水清洗三分鐘並 且在氮氣下乾燥。然後將基材在u〇«>c的溫度下烘烤大約 10分鐘。進行每個晶片的測量並且如果需要重復該過程。 表1表明了本發明的各種配製物沒有一點蝕刻或損壞 銅’用在積體電路中的導線的主要金屬；FTE0S，用作積 體電路中圖樣堆或銅導線之間的絕緣層的典型電介質；和 1360028 BDI’用作積體電路中圖樣堆或銅導線之間的絕緣層的另一 種一氧化矽電介質。表1表明本發明配製物對於不破壞積 體電路圖樣層堆結構中的希望材料，而除去光阻劑的強烈 的選擇性。 表 相容性：Cu FTEOS和BDI钱刻速率資料

配製物 溫度。C 钱刻速率（A/分鐘） Cu FTEOS BDI 1 <1 <1 2 <1 <1 1 nt nt 1 nt nt 1 nt nt 1 <1 <1 FTEOS是由四乙基正矽酸鹽沈積的氟化二氧化矽電介質。

例例例例例例 施施施施施施 貫實實實實實I oooooo 6 6 6 6 6 6 BDI 是由 Applied Materials，lnc·，Santa Clara，CA 的前驅 物和方法沈積的二氧化矽電介質。 nt表示未測試。 表2以變溫函數的形式表明了本發明的配製物在從電 子器件基材或半導體基材上除去光阻劑的效力，所述變溫 函數都是在65 °C以下並且在小於3分鐘的接觸時間下進行 的’其表明了它在低溫和短接觸時間下完全除去光阻劑的 驚人效果’這是以前未被光阻劑剝離工業和積體電格製造 工業商業性實踐的。所述晶片具有雙層光阻劑層以及包括 FTEOS層、BDI層、二氧化矽層、氮化鈦阻擋層和銅金屬 化層的底層基材。將頂層光阻劑層曝光並顯影，將下層光 15 1360028 阻劑烘乾。然後通過將基材浸入到優選組合物中來處理基 材。在此工序中，將一種或多種試驗晶片置於含有4〇〇inls 各種組合物的600毫升（ml)的燒杯中。所述600ml燒杯 進一步包括以每分鐘400轉的速度旋轉的1英寸攪拌棒。 然後將其中含有晶片的組合物以表2中列出的時間和溫度 進行加熱。在暴露於優選組合物中之後，用去離子水漂洗 晶片並用氮氣乾燥。晶片堅持到曝光邊緣然後用掃描電子 顯微鏡（SEM )對晶片上的各個預_測試位置進行檢查。通 過表2中的說明可看出清潔性能的結果。實施例7是比較 實施例，其沒有使用如實施例的溶劑混合物。實施例7 不適於在期望溫度下在單晶片光阻劑剝離工具中使用。 表2 清潔性能 配製物 實施例 1 實施例 2 實施例 3 實施例 4 實施例 5 實施例 6 實施例7 “+ + + ”完全溶解 “ ”幾乎完全溶解 的清潔性能（°c )

16 1360028 +”部分溶解 不溶 nt”未測試

太麻8Β人& ^•乃武和沒有 本發月王。ρ待徵的那虺操 ， — 你讣攸阳顯不包含那些特徵 化些額外的操作也表明在不改變本發明及其性，夕 夕種溶劑、磺酸和蝕刻抑制劑可以被替代。 括 重 的 化合物 c u侵钱組合物 實施例8 (對照實施例2 ) wt%

二（丙二醇）甲醚 對甲笨磺酸 四氫糠醇 笨曱醇 52.9 10 10.5 26.6 化合物 二（丙二醇）曱醚 對甲笨磺酸 四氫糠醇 笨甲醇 苯并三唑 實施例9 wt% 51.7 10 10.3 26 17 2 1360028

實施例ίο 化合物 wt% 二（丙二醇）曱醚 51.7 對曱苯磺酸 10 ra氫糠醇 10.3 苯甲醇 26 曱基苯并三唑 2 實施例11 化合物 wt% 二（丙二醇）曱醚 52.85 對甲苯磺酸 10 四氫糠醇 10.3 苯曱醇 26 1-[(2-經乙基）硫代]-3-(辛氧基）-2 -丙醇 0.85 實施例12 化合物 wt% 二（丙二醇）曱醚 51.7 對甲苯磺酸 10 四氫糠醇 10.3 苯曱醇 26 沒食子酸 2 18 1360028 實施例1 3 (對照實施例

化合物 二（丙二醇）甲醚 對曱苯磺酸 四氫糠醇 丙二醇 化合物 二（丙二醇）甲醚 對曱苯磺酸 四氫糠醇 丙二醇 2-毓基苯并咪唑 化合物 二（丙二醇）甲謎 對甲苯磺酸 四氫糠醇 丙二醇 沒食子酸 wt% 52.9 10 26.6 10.5 實施例14 wt% 51.7 10 26 10.3 2 實施例15 wt% 51.7 10 26 10.3 2 19 1360028

化合物 二（丙二醇）曱醚 甲續酸 四氫糠醇 丙二醇 硫代甘油 化合物 二（丙二醇）甲驗 1，5-萘二磺酸 四氫糠醇 丙二醇 硫代甘油 化合物 二（丙二醇）曱轉 2 -奈績酸 四氫糠醇 丙二醇 硫代甘油 續酸組合物 實施例16 wt% 51.7 10 26 10.3 2 實施例17 wt% 51.7 10 26 10.3 2 實施例1 8 wt% 51.7 10 26 10.3 2 20 1360028 實施例19 化合物 wt% 二（丙二醇）曱醚 51.7 1 -萘續酸 10 四氫糠醇 26 丙二醇 10.3 硫代甘油 2 乙二醇醚溶劑組合物 實施例20

化合物 wt% 二乙二醇單丁醚 51.7 對甲苯磺酸 10 四氫糠醇 26 丙二醇 10.3 硫代甘油 2 實施例21 化合物 wt% 三丙二醇單曱醚 5 1.7 對甲苯磺酸 10 四氫糠醇 26 丙二醇 10.3 硫代甘油 2

21 1360028

實施例22 化合物 wt% 二丙二醇單丁醚. 51.7 對曱笨磺酸 10 四氫糠醇 26 丙二醇 10.3 硫代甘油 實施例23 2 化合物 wt% 二丙二醇單丁醚 31.5 對甲苯磺酸 10 四氫糠醇 38.5 丙二醇 18 硫代甘油 實施例24 2 化合物 wt% 三丙二醇單丁醚 51.7 對曱苯磺酸 10 四氫糠醇 26 丙二醇 10.3 硫代甘油 2 22 1360028 實施例25 化合物 wt% 三丙二醇單丁醚 39.5 對甲苯磺酸 10 四氫糠醇 33.5 丙二醇 15 硫代甘油 2

實施例2 6 化合物 wt% 二乙二醇單丁醚 51.7 對甲苯磺酸 10 四氫糠醇 10.3 苯甲醇 26 硫代甘油 2 實施例27 化合物 wt% 三丙二醇單曱醚 51.7 對甲苯磺酸 10 四氫糠醇 10.3 苯曱醇 26 硫代甘油 2 23 1360028 組合物範圍： 溶劑混合物 40-98.9% 續酸 1-30% 姓刻抑制劑 0.1-10% 優選範圍： 溶劑混合物 75-94.5% 確酸 5-20% 钱刻抑制劑 0.5-5% 表3 配製物 蝕刻抑制 劑 清潔性能 時間 分鐘 溫度 5 5〇C 60°C 實施例11 HyTOP 2 + + + + + 實施例1 2 沒食子酸 2 + + + 實施例1 5 沒食子酸 2 + + + +

+ + + ”完全溶解 + + ”幾乎完全溶解 + ”部分溶解 - 不溶 表3比較了數位所代表實施例的清潔性能。表3證明 24 1360028 本發明能夠使用多種姓刻抑制劑，並且在單晶片工要求 的參數下仍然獲得再加工多層光阻劑所期望的光阻劑溶解 和除去》 表4 磺酸性能 清潔性能 配製物 磺酸 時間 溫度 分鐘 5 5〇C 60°C 實施例1 6 甲績酸 2 + + + + + + 實施例17 1，5 -萘二橫酸 2 - + + 實施例1 8 2-萘磺酸 2 + + +++ 實施例1 9 1-萘續酸 2 + + + + + ---1 “ ”幾乎完全溶解 “+”部分溶解 不溶 表4比較了數位所代表實施例的清潔性能。表4證明 本發明能夠使用廣泛的磺酸，並且在單晶片工具要求的參 數下仍然獲得再加工多層光阻劑所期望的光阻劑溶解和除 去。 雖然不希望被任何特別的化學活性理論所束缚，但本 發明人相信磺酸，作爲強酸，能夠攻擊光阻劑聚合物中的 25 1360028 官能團並且阻斷分子間鍵從而破壞光阻劑的聚合結構。 表5 乙二醇醚溶劑性能 清潔性能 配製物 乙二醇醚 時間 溫度 分鐘 55〇C 60°C 實施例20 二乙二醇單丁醚 2 + + + + + 實施例2 1 三丙二醇單曱醚 2 + + + + + 實施例23 二丙二醇單丁醚 2 + + + + 實施例25 三丙二醇單丁醚 2 + + + + + 實施例26 二乙二醇單丁醚 2 + + + + + + 實施例27 三丙二醇單曱醚 2 + + + +

++ + ”完全溶解 ++”幾乎完全溶解 + ”部分溶解 不溶 表5比較了數位所代表實施例各種溶劑的清潔性能。 表5證明本發明能夠使用廣泛的乙二醇醚，並且在單晶片 工具要求的參數下仍然獲得再加工多層光阻劑所期望的光 阻劑溶解和除去。 雖然不希望被任何特別的化學活性理論所束缚，但本 發明人相信乙二醇醚對聚合光阻劑具有強溶解作用。另 外，當使用其他溶劑或醇的溶劑混合物時，溶劑能夠溶解 26 1360028 各種聚合物和聚合物的混合物以及共聚物。 圖1和圖2每一個都顯示了在光阻劑剝離劑配製物中 含有各種銅蝕刻抑制劑的益處，這使得其在剝離不需要的 光阻劑聚合物時保護了銅導線1丨比較了不具有姓刻抑 制劑的實施例13和使用設定溶劑組合並具有多種蝕刻抑 制劑的實施例6、14#15。圖2表示沒有蝕刻抑制劑的實 施例8的銅腐蝕抑制和具有多種蝕刻抑制劑的實施例i、 9、10、11和12的類似比較，但是使用了與圖丨中所選擇 實施例不同的溶劑組合。 圖式簡單説明 圖1是無蝕刻抑制劑的比較實施例和本發明的幾個具 有設定溶劑缸合的示例性實施例的折線圖。 圖2是另一個無蝕刻抑制劑的比較實施例和本發明的 幾個具有與圖1中不同的設定溶劑組合的示例性實施例的 折線圖。 27

Claims (1)

1360028 申請專利範圍 月<&曰修正本 (2012年1月修正) 1. 一種不含有水、氟化物的組合物，其能夠爲了再加 工基材上的光阻劑而在不超過65〇c和接觸時間不超過3分 鐘的條件下除去電子器件基材上的多層光阻劑層，所述組 合物含有少於5 wt%的水及所述組合物包括：（i)至少一種 非聚合一醇 _(n〇n_P〇lymericglyc〇lether)溶劑（U)至少 一種非芳香醇溶劑，（Hi)至少一種選自芳香醇和二醇

(glycol)的溶劑（iv)至少一種有機磺酸，和（V)至少一種 蝕刻抑制劑，其中所述組合物包括5_20 wt%的有機磺酸， 0.5-5 wt%蝕刻抑制劑，及75_94 5 wt%的上述溶劑的混合 物。 2.如申請專利範圍第1項所述的組合物，其中該溶劑 (iii)選自丙二醇和苯甲醇。 3.如申請專利範圍第1項所述的組合物，其中有機續 酸選自： r1so3h 其中R表不具有1-4個碳的院基基團； R2-A-S03H 其中r2表示具有1-16個碳的烷基基團，並且A代表亞 苯基或萘基；及其混合物。 4.如申請專利範圍第1項所述的組合物，其中有機續 28 !360〇28 (2012年1月修正) 酸選自甲磺酸、乙磺酸、丙磺酸、丁磺酸、對甲苯磺酸、 4 -乙基苯續酸、十二院基苯續酸、異丙基苯續酸、甲基乙 基苯磺酸、二甲苯磺酸的異構體、苯磺酸、羥基苯磺酸、 萘磺酸及其混合物。

5.如申請專利範圍第1項所述的組合物，其中蝕刻抑 制劑選自硫代甘油、疏基乙醇、疏基本并二唾、沒食子酸、 1-[(2-羥乙基）硫代]-3-(辛氧基）_2_丙醇及其混合物。 6.如申請專利範圍第1項所述的組合物，其包括：二（丙 二醇）甲醚、對甲苯磺酸、四氫糠醇、苯甲醇、^[(2羥乙 基）硫代]-3-(辛氧基）-2-丙醇和沒食子酸。 7.如申請專利範圍第1項所述的組合物，其包括：二（丙 一醇）曱醚、對甲苯磺酸、四氫糠醇、丙二醇和硫代甘油。 如申請專利範圍第1項所述的組合物，其包括：二（丙 -醇）甲_、對甲苯續酸、四氫糠醇、丙二醇和沒食子酸。 9. 一種爲了再加工基材上的光阻劑而除去電子器件基 :上多層光阻劑層的方法，其包括在不超過机的溫度下 不超過3分鐘的接觸時間之内將電子器件基材上的多層 光阻劑層與不含水、 氟化物的光阻劑剝離劑組合物接觸， 所述組合物含右，丨、& t 有乂於5 wt%的水及所述組合物包括（i)至 29 1360028 (2012年1月修正) ^ 種非心。一醇越（non-P〇lymeric glyc〇l ether)溶劑 ’（ϋ) 至少一種非芳香醇溶劑，（出）至少-種選自芳香醇和二醇 (glycol)的溶劍’（iv)至少一種有機磺酸，和（v)至少一 種蝕刻抑制劑’其中所述組合物包括5·2〇 wt%的有機磺 酸’ 0.5-5 wt%蝕刻抑制劑，及75_94 5糾％的上述溶劑的混 合物。

10.如申請專利範圍第9項所述的方法，其中所述接觸 是在單晶片工具上進行的。 11. 如申請專利範圍第9項所述的方法，其中第（iH) 溶劑選自丙二醇和苯甲醇。 12. 如申請專利範圍第9項所述的方法，其中有機續酸 選自：

其中R1表示具有1_4個碳的炫基基團； r2-a-so3h 其中R2表示具有1·16個碳的烷基基團，並且A代表亞 苯基或萘基；及其混合物。 13·如申請專利範圍第9項所述的方法，其中有機確酸 選自甲磺酸、乙磺酸、丙磺酸、丁磺酸、對曱苯磺酸、4_ 乙基苯磺酸、十二烷基苯磺酸、異丙基笨磺酸、甲基乙基 30 1360028 (2012年1月修正) 苯磺酸、二甲苯磺酸的異構體、苯磺酸、羥基苯磺酸、萘 磺酸及其混合物。 14.如申請專利範圍第9項所述的方法，其中蝕刻抑制 劑選自硫代甘油、巯基乙醇、酼基苯并二唑、1[(2羥乙夹） 硫代]·3·(辛氧基）·2-丙醇、沒食子酸及其混合物。 土

15.如申請專利範圍第9項所述的 物包括二（丙二醇）甲醚、對甲苯磺酸 和硫代甘油。 方法’其中所述組合 ’四氫糠醇、苯甲醇 行寸剰犯囷乐V項所迅的方法，甘木 物包含古’其中所述 —（丙二醇）甲醚、對甲苯磺酸、四 足 和硫代甘油。 虱糠醇、丙 和硫代甘油 醇

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