TWI358248B - Embedded substrate having circuit layer device wit - Google Patents

Description

1358248 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 方法，詳言之， 埋式基板及其製 本發明係關於一種内埋式基板及其製造 係關於一種具有側斜面之線路層元件之内 造方法。 【先前技術】

參考圖1及圖2，顯示習知具有線路層元件之内埋式基板 之剖面7F意圖及其局部放大圖。該習知具有線路層元件之 内埋式基板1具有一芯層U、一第一鋼層12、一介電層U 及至少一線路層元件。該第一銅層12係位於該芯層u上。 該介電層13係位於該第一銅層12上。該介電層13具有一上 表面131及一容置槽132, 133, 134,該容置槽132, 133, 134 開口於該上表面131。該線路層元件（例如一導電跡線14、 一銲墊15或一穿導孔16)係位於該介電層13之容置槽^ 133, 134内。 該習知具有線路層元件之内埋式基板丨之缺點如下。該 線路層元件（例如該導電跡線14)於與該介電層13交界處形 成一尖角，導電時’因電子17本身的特性，其易聚集於該 尖角’致使該處電子17集中而產生熱，進而產生較高的電 阻值，而在訊號傳輸時減損該訊號之強度。 此外，在習知技術中，當欲形成一穿導孔丨6時，須先形 成一定位區塊18，以便確認該穿導孔16之位置後，才形成 該容置槽134，並增加該穿導孔16與一銲料（圖中未示）之接 觸面積及結合力。然而，為了形成該定位區塊18，須於設 139638.doc 计線路時多加考量，而造成不便。 因此’有必要提供-種具有側斜面之線路層元件之内埋 式基板及其製造方法，以解決上述問題。 【發明内容】 本發明提供-種具有側斜面之線路層元件之内埋式基 板。該内埋式基板包括-介電層及—線路層元件。該介電 層具有-上表面及一容置槽’該容置槽開口於該上表面。 該線路層元件位於該介電層之容置槽内。該線路層元件具 有一上表面、一化學銅層、一電鍍銅層及一側斜面。該上 表面係等高於或低於該介電層之上表面。該化學銅層位於 該容置槽之扎壁，且該化學銅層具有鈀（pd)e該電鍍銅層 位於該化學銅層上。該側斜面位於該線路層元件之上表面 靠近該容置槽之孔壁處，且由該線路層元件之上表面向下 延伸至該容置槽之孔壁。 本發明更提供一種具有側斜面之線路層元件之内埋式基 板之製造方法《該製造方法包括以下步驟：（a)提供一基 板，該基板包括一介電層，其具有一上表面；（b)從該介電 層之上表面移除部分該介電層，以形成至少一容置槽，該 容置槽開口於該上表面；（c)形成一化學銅層於該容置槽之 孔壁及該介電層之上表面’且該化學銅層具有纪（pd);(句 形成一電鍍銅層於該化學銅層上，且填滿該容置槽；（6)移 除位於該介電層之上表面之該化學銅層及該電鍍銅層，以 形成一線路層元件；及（f)利用一蝕刻液對該線路層元件進 行濕钱刻（Wet Etching)，以移除部分該線路層元件，而形 139638.doc 1358248 成該線路層元件之一上表面及一側斜面，其中該側斜面位 於該線路層元件之上表面靠近該容置槽之孔壁處，且由該 線路層元件之上表面向下延伸至該容置槽之孔壁，該線路 層元件之上表面係等高於或低於該介電層之上表面。 藉此，該線路層元件之侧斜面與該容置槽之孔壁間形成 一錯形空隙，可避免習知技術中電子聚集於該線路層元件 之尖角，而減損一訊號之強度。 【實施方式】 參考圖3至圖8，顯示本發明具有側斜面之線路層元件之 内埋式基板之製造方法之示意圖。參考圖3，提供一基板 2，該基板2包括一介電層23 ’其具有一上表面231。在本 實施例中，該基板2更包括一芯層21及一第一銅層22，該 第一銅層22係位於該芯層21上，該介電層23係位於該第一 銅層22上。 參考圖4，從該介電層23之上表面231移除部分該介電層 23，以形成至少一容置槽232，233，234，該等容置槽232, 233，234開口於該上表面231，且由俯視角度觀看，其具有 一圖案。在本實施例中，係利用雷射或電漿從該介電層23 之上表面231移除部分該介電層23，且該等容置槽之一（該 容置槽234)係貫穿該介電層23，且顯露部分該第一銅層 22 » 參考圖5，形成一化學銅層24於該容置槽232, 233, 234之 孔壁及該介電層23之上表面231，且該化學銅層24具有鈀 (Pd)。在本實施例中，係利用化學鍍方法形成該化學銅層 139638.doc 1358248 24 ’且該化學銅層24更形成於部分該第一銅層22上。 參考圖6’形成一電鍍銅層25於該化學銅層24上，且填 滿該容置槽232，233，234。在本實施例中，係利用電鍍方 法形成該電鍍銅層25。 參考圖7，移除位於該介電層23之上表面231之該化學銅 層24及該電鍍銅層25，以形成一線路層元件。在本實施例 中’係利用研磨、拋光、蝕刻或化學機械拋光（chemical_

Mechanical Polishing，CMP)方法移除該化學銅層24及該電 鑛銅層25。該線路層元件係為一銲墊26、一導電跡線27或 一穿導孔28 » 參考圖8 ’利用一蝕刻液對該線路層元件進行濕蝕刻 (Wet Etching) ’以移除部分該線路層元件，而形成該線路 層元件之一上表面261，271，281及一側斜面262，272, 282 ’同時形成本發明具有側斜面之線路層元件之内埋式 基板3。該側斜面262, 272, 282位於該線路層元件之上表面 261，271, 281靠近該容置槽232，233, 234之孔壁處，且由 該線路層元件之上表面261，271，281向下延伸至該容置槽 232，233，234之孔壁，該線路層元件之上表面261，271， 281係等高於或低於該介電層23之上表面231。 在本實施例中，該蝕刻液係包含硫酸、雙氧水及安定 劑。參考圖9，該穿導孔28之側斜面282之形狀係為弧狀， 使得該線路層元件之侧斜面262，272, 282與該容置槽232, 233，234之孔壁間形成一錨形空隙。然而，在其他應用 中，當蝕刻時間久一點，該線路層元件（例如一導電跡線 139638.doc 1358248 27 A)之剖面形狀係可形成為類長方形，如圖10所示。較佳 地，該線路層元件之上表面261，271, 281與該介電層23之 上表面231之間距係小於10 μιη。較佳地，在該濕蝕刻步驟 之後，更包括一填入一銲料於該線路層元件之側斜面262, 272，282與該容置槽232，233, 234之孔壁間之空隙之步 驟。 由於該化學銅層24之鈀元素會與該蝕刻液之安定劑起反 應，使得該化學銅層24與該蝕刻液之反應速度較該電鍍銅 層25與該蝕刻液之反應速度來得快《因此，該蝕刻液同時 蝕刻該化學鋼層24及該電鍍銅層25時，位於外圍之化學銅 層24之蝕刻位置較該電鍍銅層25來得深，而形成該側斜面 262, 272, 282 〇 藉此’該線路層元件之側斜面262，272，282，可避免習 知技術中電子聚集於該線路層元件之尖角，而減損一訊號 之強度。此外’該線路層元件之側銲面262，272，282與該 谷置槽232，233，234之孔壁間形成一錨形空隙，其增加該 線路層元件與一銲料之接觸面積及結合力，進而可將習知 技術中之疋位區塊18(圖1)之面積縮小，甚至不設計該定位 區塊18，使本發明之穿導孔28形成一無環接墊 (Landless) ’以提升設計線路之彈性。 再參考圖8及圖9，顯示本發明具有側斜面之線路層元件 之内埋式基板之剖面示意圖及其局部放大圖。該具有側斜 面之線路層元件之内埋式基板3包括一介電層23及一線路 層元件。該介電層23具有一上表面231及一容置槽232 139638.doc 1358248 23 3，234，該容置槽232, 233, 234開口於該上表面231。該 線路層元件（例如一銲墊26、一導電跡線27或一穿導孔28) 位於該介電層23之容置槽232, 233, 234内。該線路層元件 具有一上表面261, 271，281、一化學銅層24、一電鍍銅層 25及一側斜面262，272, 282。該上表面261，271，281其係 等高於或低於該介電層23之上表面231。該化學銅層24位 於該容置槽232，233, 234之孔壁，且該化學銅層24具有鈀 (Pd)。該電錄銅層25位於該化學銅層24上。該側斜面262, 272, 282位於該線路層元件之上表面261，271，281靠近該 容置槽232, 233，234之孔壁處，且由該線路層元件之上表 面261, 271，281向下延伸至該容置槽232，233，234之孔 壁。 在本實施例中，該具有側斜面之線路層元件之内埋式基 板3更包括一芯層21及一第一銅層22。該第一銅層22係位 於該芯層21上，該介電層23係位於該第一銅層22上。該介 電層23之該等容置槽232，233，234之一係貫穿該介電層 23，顯露部分該第一銅層22，且該化學銅層24更形成於部 分該第一銅層22。 較佳地，該線路層元件之上表面261，271，281與該介電 層23之上表面23 1之間距係小於1 Ο μιη，且該線路層元件之 側斜面262，272，282之形狀係為弧狀。然而，在其他應用 中，該線路層元件之剖面形狀係為類長方形，如圖10所 示，且該内埋式基板更包括一銲料，該銲料填入該線路層 元件之側斜面262，272，282與該容置槽232，233，234之孔 139638.doc rI358248 壁間之空隙。 惟上述實施例僅為說明本發明之原理及其功效，而非用 以限制本發明。因習於此技術之人士對上述實施例進 行修改及變化仍不脫本發明之精神。本發明之權利範圍應 如後述之申請專利範圍所列。 【圖式簡單說明】 圖1顯示習知具有線路層元件之内埋式基板之剖面示意

圖2顯示圖1之局部放大圖； 圖3至圖8顯示本發明具有側斜面之線路層元件之内埋式 基板之製造方法之示意圖； 圖9顯示圖8之局部放大圖；及 圖10顯示本發明具有侧斜面之線路層元件之内埋式基板 之線路層元件之較佳實施例之局部放大圖。 【主要元件符號說明】

1 習知具有線路層元件之内埋式基板 2 基板 3 本發明具有側斜面之線路層元件之内埋式基板 11 芯層 12 第一銅層 13 介電層 14 線路層元件 15 線路層元件 16 線路層兀件 139638.doc -10- 1358248 電子 定位區塊 芯層 第一銅層 介電層 化學銅層 電鍍銅層 銲墊 導電跡線 導電跡線 穿導孔 上表面 容置槽 容置槽 容置槽 上表面 容置槽 容置槽 容置槽 上表面 侧斜面 上表面 側斜面 上表面 侧斜面 139638.doc

Claims (1)

1. 七、申請專利範園： 1. 一種具有侧斜面之線路層元件之内埋式基板，包括： 一介電層’具有一上表面及一容置槽，該容置槽開口 於該上表面；及 一線路層元件，位於該介電層之容置槽内，該線路層 元件具有： 一上表面’其係等高於或低於該介電層之上表面； 一化學銅層’位於該容置槽之孔壁，且該化學銅層 具有鈀（Pd); 一電鍍銅層，位於該化學銅層上；及 一側斜面’位於該線路層元件之上表面靠近該容置 槽之孔壁處’且由該線路層元件之上表面向下延伸至 該容置槽之孔壁。 2. 如請求項1之内埋式基板，更包括一芯層及一第一鋼 層’該第一銅層係位於該芯層上，該介電層係位於該第 一銅層上。 3. 如請求項1之内埋式基板，其中該線路層元件之上表面 與該介電層之上表面之間距係小於 10 μηι。 4·如請求項2之内埋式基板，其中該介電層之容置槽係貫 穿該介電層，顯露部分該第一銅層，且該化學銅層更形 成於部分該第一銅層。 5·如請求項丨之内埋式基板，其中該線路層元件係為一銲 墊、一導電跡線或一穿導孔。 6.如請求項丨之内埋式基板，其中該線路層元件之側斜面 139638.doc 之形狀係為弧狀。 7. 如請求項1之内埋式基板，其中該線路層元件之剖面形 狀係為類長方形。 8. 如請求項1之内埋式基板，更包括一銲料，填入該線路 層元件之侧斜面與該容置槽之孔壁間之空隙。 9. 一種具有側斜面之線路層元件之内埋式基板之製造方 法，包括： (a) 提供一基板，該基板包括一介電層，其具有一上表 面； (b) 從該介電層之上表面移除部分該介電層，以形成至 少一容置槽，該容置槽開口於該上表面； (c) 形成一化學銅層於該容置槽之孔壁及該介電層之上 表面，且該化學銅層具有把（Pd); (d) 形成一電鑛銅層於該化學銅層上，且填滿該容置 槽； (e) 移除位於該介電層之上表面之該化學銅層及該電錄 銅層，以形成一線路層元件；及 (f) 利用一银刻液對該線路層元件進行濕蝕刻（Wet Etching)，以移除部分該線路層元件，而形成該線路 層元件之一上表面及一側斜面，其中該側斜面位於 該線路層元件之上表面靠近該容置槽之孔壁處，且 由該線路層兀件之上表面向下延伸至該容置槽之孔 壁，該線路層70件之上表面係等高於或低於該介電 層之上表面。 139638.doc 10.如請求項9之方法，苴令 芯層及-第-鮮二 (a)中’該基板更包括- 曰，該第一銅層係位 電層係位於該第於該心層上’該介 11. 如請求項9之方法，盆令 漿從該介4 ()巾，係利用雷射或電 ”電層之上表面移除部分該介電層。 12. 如請求項1〇之方法， ^ ^ ^ 甲这步驟（b)中，該容置槽係貫穿 該介電層，且顯露部分 爯如成* 弟銅層，該步驟中，該化 予銅層更形成於部分該第一銅層上。 係利用化學鍍方 13. 如請求項9之方法’其中該步驟⑷中 法形成該化學鋼層。 其中該步驟（d)中，係利用電鍍方法 其中該步驟（e)中，該線路層元件係 14. 如請求項9之方法 形成該電鍍鋼層。 15. 如凊求項9之方法 為-銲墊、_導電跡線或一穿導孔。 係利用研磨、抛 16·如明求項9之方法’其中該步驟⑷中 々^ 光餘刻或化學機械拋光（Chemical Mechanicai Pohshmg’CMp)方法移除該化學銅層及該電鍍銅層。 17.如請求項9之古.土 ^ 、弋方法，其中該步驟（f)中，該線路層元件之 側斜面之形狀係為弧狀。 月求項9之方法，其中該步驟（f)中該線路層元件之 剖面形狀係為類長方形。 19·如μ求項9之方法’其中該步驟⑴中，該線路層元件之 上表面與該介電層之上表面之間距係小於10 μπι。 20·如請求+ $y之方法’其中該步驟⑴中，該蝕刻液係包含 139638.doc 1358248

   硫酸、雙氧水及安定劑。 21.如請求項9之方法，其中該步驟（f)後，更包括一填入一 銲料於該線路層元件之側斜面與該容置槽之孔壁間之空 隙之步驟。 139638.doc 4-