TWI357845B - Polishing surfaces - Google Patents

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九、發明說明： 【發月所屬之技術領域】 本發明涉及半導體元件製造領域。 【先前技術】 月涉及用於化學機械研磨基材的設備和方法。 ，體電路是通常藉由在發晶圓上順序沉積導體層、半導 或者絕緣層而形成。其製造步驟包括在'經圖案化的终 终上 >儿積填料層，並對該填料層㈣平坦化處理直到暴露 ;止層為止。例如，可藉由導體層填充絕緣層中的凹槽或者 孔。在平坦化之後，絕緣層突起圖案之間剩餘的部分導電層 會在基材上薄膜電路之間形成通?L、插|和連線以提供 電路徑。 化學機械研磨（CMP)是一種可接受的平坦化方法。該 平坦化方法通常需要將基材安裝在載體或者研磨頭上。該基 材的暴露面係放置靠抵旋轉研磨墊。該研磨墊可為標準研磨 墊或固定研磨墊》標準墊具有耐用的粗糙表面，而固定研磨 塾具有保持在容納媒介中的研磨劑顆粒。承載頭可在基材上 提供可控制的負載’亦即壓力’以將之推抵研磨墊。研磨塾 的表面可施加研磨溶液，例如使用標準塾時研磨溶液可包括 至少一種化學反應劑和研磨劑顆粒。 有效的CMP製程不但可提供較高的研磨速率，也可提 供經拋光（無小的粗糙度）以及平坦（無大的起伏）的基材 表面。其中研磨速率、拋光度和平垣度係由塾和聚體混合 5 1357845 物、基材和墊之間的相對速度和基材壓抵墊的壓力決定。該 研磨速率決定了研磨一層所需的時間，進而決定研磨層CMP 設借的最大產量。 【發明内容】 在一實施態樣中，描述一種研磨物。該研磨物包括： 一具有線性透明部分的線性研磨片，其中該線性透明部分 係由彈性材料形成，以在約2 · 5英吋的半徑範圍分佈時不 會造成破裂。 本發明的實施方式包括下列一或多個特徵。研磨片的 上表面與該線性透明部分的上表面基本共平面。該線性透 明部分由聚氨酯材料形成。該材料在蕭式硬度D尺規上具 有約60的硬度。該材料具有約50密爾的厚度。該線性研 磨片的上表面是由一充分耐用以耐受鑽石塗層調整工具之 調整的材料形成。該線性研磨片的上表面由一非固定 (non-fixed)研磨性研磨材料形成。該線性研磨片包括頂層 和底層。該線性研磨片更包括在該頂層和底層之間的黏結 層。該研磨片包括一研磨層，且該透明部分係經模塑至該 研磨層。 在另一實施態樣中，描述一種研磨匣（P〇丨ishing cartridge)。該研磨匣包括：兩個滾轴，送料滾軸（feed roller) 和捲取滚軸（take-up roller);以及線性研磨片，其中該線 性研磨片的第一端纏繞該送料滚軸，且該線性研磨片的第 二端纏繞該捲取滾軸》 包地在 備增位 設漸， 磨向墊 研方副 該性 \ 。 線； 備以台 設於平 磨用該 研，過 種構通 一機片 述動磨 描驅研 ，一 的 中 ·，面 樣厶〇表 態平磨 施轉研 實旋有 1 可具 在一 1 :進 括推 6 1357845 該平台上，用於支撐該研磨片，該副墊具有形成於其中的 凹槽；以及一真空源，其與該副墊的凹槽相連接並且配置 用於提供足以將部分該研磨片吸入該副墊的凹槽中的真 空，以在該研磨表面形成凹槽。

本發明的實施方式包括下列一或多個特徵。該副墊包 括多個凹槽。該凹槽形成為同心圓形、同心橢圓形或螺旋 形。該凹槽可形成為數條平行線或數條垂直線。該研磨設 備更包括該研磨片。該研磨片在研磨表面中具有多個凹 槽。該研磨片具有一寬度和一長度，其中該長度大於該寬 度，且形成在該研磨片中之該等凹槽包括數個大致延伸垂 直該研磨片之該長度的凹槽。形成在該研磨片中的該多個 凹槽包括數個大致延伸平行該研磨片之該長度的凹槽。該 副墊比該研磨片更可壓縮。該副墊具可壓縮性。 在另一實施態樣中，描述一種方法。該方法包括：將 一具有研磨表面的研磨另支撐在一副墊上，該副墊具有一 凹槽形成其中；以及提供真空予該凹槽，該真空足以將該 部分研磨片吸入該該凹槽中，以在該研磨表面形成凹槽。

本發明的實施方式包括下列一或多個特徵。該方法可 包括旋轉支撐該研磨片的平台以旋轉該研磨片。該方法可 包括使基材與該研磨片接觸並對該基材研磨。該方法可包 括使該研磨片與該平台脫離，並且以線性方法漸增地推進 該研磨片通過該平台的上表面。該副墊包括多個凹槽。該 凹槽形成為同心圓形、同心橢圓形或螺旋形。 在一實施態樣中，描述了 一種研磨系統。該研磨系統 包括：一研磨層；以及一支撐該研磨層的副墊，該副墊具 有一螺旋形凹槽形成其中。 本發明的實施方式包括下列一或多個特徵。該副墊由 1357845 多層材料形成。該副墊包括聚氨酯材料的上層和泡沫材料 的下層。該上層具有在約60密爾到1 00密爾之間的厚度， 並且該下層具有在約40密爾到60密爾之間的厚度。該螺 旋形凹槽具有在約3 5密爾到4 0密爾之間的深度。該螺旋 形凹槽完全延伸通過該副墊的上層。該螺旋形凹槽具有在 約3 5密爾到4 0密爾之間的深度。該副墊具有約1 5 0密爾 的厚度。該螺旋形凹槽具有約50密爾的深度和約500密爾 的寬度。該副墊包括多個螺旋形凹槽，且各螺旋形凹槽起 點源自該副墊的中心。該副墊比該研磨層更可壓縮。

在另一實施態樣中，描述一種研磨系統。該研磨系統 包括：一可旋轉平台；一驅動機構，用於以線性方向遞增 地推進研磨片通過該平台；以及一副墊，位在該平台上， 用於支撐該研磨片，該副墊具有一螺旋形凹槽形成其中。 本發明的實施方式包括下列一或多個特徵。該研磨系 統可包括旋轉該平台的馬達和控制該馬達的控制器，該控 制器經配置以使該平台以該螺旋形凹槽的漸增半徑的方向 旋轉。該研磨系統可包括旋轉該平台的馬達和控制該馬達 的控制器，該控制器經配置以使該平台以該螺旋形凹槽漸 減半徑的方向旋轉。

在一實施態樣中，描述一種研磨系統。該研磨系統包 括：一研磨層，其具有一設有第一凹槽圖案的研磨表面； 以及一支撐該研磨層的副墊，該副墊具有不同於該第一凹 槽圖案的第二凹槽圖案。 在另一實施態樣申，描述一種研磨物。該研磨物包括： 一伸長的研磨層；以及一支撐該研磨層的透明承載層，該 透明承載層具有一突起（projection)延伸至該研磨層中之 一孔徑，以在該研磨層中提供透明窗口。 8 1357845 本發明的實施方式包括下列一或多個特徵。該承載層 與該透明窗口形成一個整體。該承載層與該透明窗口由聚 合物材料形成。該伸長的研磨層具有一長度和一寬度，並 且該突起係以平行於該長度的方向伸長。該窗口大致在該 研磨層的整個長度上延伸。該研磨層和該承載層是相互黏 著或焊接。該透明窗口之一暴露表面與該研磨層之一暴露 表面大致上共平面。該突起的兩側接觸該研磨層的相鄰 側。該承載層延伸橫跨該研磨層之一寬度。該承載層和該 突起在該承載層和該突起之接合處不具有接缝。

在一實施態樣中，描述一種方法。該方法包括：在具 有凸起的透明部分的承載層上形成研磨層，其中該透明部 分未被該研磨層覆蓋。 本發明的實施方式包括下列一或多個特徵。該形成具 有凸起的透明部分的研磨層的步驟包括包括模塑、擠壓、 澆鑄、壓帶輪成形、切除或者機械碾磨成型中一或多個。 該在承載層上形成研磨層的步驟包括在該研磨層的上表面 形成凹槽。該方法可包括在研磨層上製造承載層之前乾燥 或者固化研磨層》 在另一實施態樣中，描述一種方法。該方法包括：形 φ 成一具有一凸起透明部分的承載層，該凸起透明部份突出 至一研磨層之一孔徑中，其中該透明部分沒有被該研磨層 覆蓋。 本發明的實施方式包括下列一或多個特徵。該形成該 承載層的步驟包括製造一包括一承載部分和該凸起透明部 分之整體塊，該凸起透明部分在研磨層中提供一透明窗 口，其中該承載部分暴露在一主表面上且被與該主表面之 一相對表面上的研磨層所覆蓋，而該透明窗口暴露在一與 9 1357845 研磨層的之一表面大致共平面的表面以及一與該承 之主表面大致共平面的表面上。製造該塊體的步驟 除覆蓋該透明窗口之研磨層材料。形成承載層的步 模塑、擠壓、澆鑄、壓帶輪成形、切除或者機械碾 中一或多個》該方法可包括在研磨層上製造承載層 燥或者固化研磨層。 在一實施態樣中，插述一種方法。該方法包括 非固體材料接觸一研磨材料片之一非線性邊緣；以 非固體材料凝固以形成一可接觸該研磨材料之該非 緣的窗口。 本發明的實施方式包括下列一或多個特徵。該 包括使該非固體材料接觸研磨材料之一第二片的一 第二邊緣’且使該非固體材料凝固形成一可接觸該 料之該第二片的第二非線性邊緣的窗口。該方法可 該第一片和第二片之間具有一間隙的方式支撐該第 該第二片’且在該間隙内沈積該非固體材料。該窗 在研磨墊的整個長度上延伸。該使非固體材料接觸 材料片的邊緣以及研磨材料的該第二片的第二邊緣 包括在該邊緣和該第二邊緣之間注入液體先驅物材 凝固的液體先驅物材料可形成多個與該研磨材料之 結（interlock)的突起。該窗口係沿一主轴延伸。該 邊緣包括多個與主軸垂直的突起。使非固體材料凝 成窗口 ，該窗口係以接榫狀接點與該片相配合。該 暴露出的表面和該研磨材料的暴露出的表面基本 面。該研磨材料片係藉由切割該研磨材料片或從塊 材料上削除薄片的方式形成。該窗口係在該研磨片 和該研磨片的中心之間的該研磨片長度上延伸。 載部分 包括去 驟包括 磨成型 之前乾 •使一 及使該 線性邊 方法可 非線性 研磨材 包括以 —片及 口大致 該研磨 的步驟 料。該 突起連 非線性 固可形 窗口的 上共平 狀研磨 的邊緣 10 1357845 在另一實施態樣中，描述一種研磨物。該研磨物包括： 一研磨片；以及一固體透光窗口 ，設在該研磨片中，該研 磨片具有一主軸以及一與該主軸平行延伸的非線性邊緣。

本發明的實施方式包括下列一或多個特徵。該研磨片 以一長度和一寬度伸長，其中該長度大於該寬度，且該主 軸與該長度平行。該窗口大致在該研磨片的整個長度上延 伸。該非線性邊緣包括多個與該主軸垂直的突起。該多個 突起與該研磨材料的突起連結。該窗口係以接榫狀接點與 該片相配合。該窗口之一暴露表面和該研磨材料的暴露表 面基本上共平面。

在一實施態樣中，描述一種研磨設備。該研磨設備包 括：一平台；一位在平台上的副墊，用於支撐具有研磨表 面的研磨片，該副墊具有一凹陷形成其中；一真空源，與 該副墊的凹陷連接，且經配置以提供足以將部分研磨片吸 入該副墊凹陷的真空，以於該研磨表面形成凹陷；一承載 頭，用於保持基材靠著該研磨表面以及將基材舉離開該研 磨表面；一馬達，用於在該研磨表面上移動該承載頭；以 及一控制器，與該承載頭和該馬達結合，且經配置以將該 基材定位在該研磨表面中的凹陷上方，以及使該承載頭將 該基材舉離該研磨表面。 本發明的實施方式包括下列一或多個特徵。該平台為 可旋轉的。該研磨設備可包括驅動機構，用於以線性方向 漸增地推進該研磨片通過平台。該控制器配置以在研磨該 基材期間定位該基材離開該凹陷。該凹陷含有一凹槽。該 研磨設備可包括研磨片。該副墊比該研磨片更具可壓縮性。 在一實施態樣中，描述一種方法。該方法包括：將具 有研磨表面的研磨片支撐在副墊上，該副墊具有一凹陷形 11 1357845 2中·，向該凹槽施加足以將部分研磨片吸入該凹陷中之 該研磨表面中產生凹m ;將該承載頭中的基材 磨表面°、磨表面中的凹陷上方：以及將該基材舉離開研 磨表面，同時該基材定位在該凹陷上方。 包括：Γ:的實施方式包括下列—或多個特徵。該方法可 4括乂一知棕該研磨片的平台以旋轉該研磨片。該方法可 兮=:=對於該副塾之線性方向増量地推進該研磨片。 通凹陷含有一凹橹。 女多者》=實施方式中的-些可以包括下述優點中的一 :匕：：研磨片中的一體式窗口條能夠以可"且可 以讓合成的研磨片佈繞在小的脊曲半徑 裂、分層或者分開。利用凹槽式的副塾： 同時仍然以小的增量推進在利形成於研磨表面中的 墊可在上枝塾材料中形成2具有深凹槽的螺旋凹槽副 槽圖案除了提供局部後料=凹槽圖案，其中產生的凹 或者從平台和晶圓排出磨更能保留平台上的默料 體式窗口條的研磨片將可產物等。製造具有整 研磨片和一體式窗口以Λ使材枓數量減少至兩《。另外， 料製成。…窗口 Λ承：件可以具相似化學特性的材 (d咖n-nkej〇rnt)，^至;1磨片可形成一接祥狀接點 觸面機械強度。利用旦有：？口材料和研磨片之間的接 可使該線性片在研以=特徵的副墊來支料性研磨片 增量推進。該副塾的特徵…’仍然以小的 卡盤上取下。 做能夠用於幫.助基材在研磨之後從 在如下的附圖和說明書中 施方式的細節。藉由說明書和 闡述了本發明一或者多個實 附圖以及申請專利範圍的描 12 1357845 述將讓本發明的特m、目的和優點更加顧而易見 【實施方式】 參照第1和第2圖， T、错由化學機械讲 磨設備20研磨。例示性的研磨設備20包括且 械底座22，該底座22支撐一系列的研磨站，研磨站包碼 一研磨站25a、第二研磨站25b、最终研庖砼^ 第 W磨站25c和傳輸站

27。傳輸站27可提供多個功能，其包括從載入設備（未八 出）上接受單-基材10、清洗基材 '將基材載入到承載: 上 '從承載頭上接收基材、#次清洗基材，最後將基材傳 輸回載入設備上。在美國專利>}0.5,73 8,574中可以找到類 似研磨設備的說明’在此引入其全部内容作為參考。 每個研磨站包括可旋轉平台。該等研磨站之至少一 者，例如研磨站25a，係包括設置用於旋轉的研磨匣1〇2和 矩形平台100。研磨£ 102包括可線性推進（Uneariy advanceable)之固定研磨性研磨材料的片（sheet)或帶 (belt)。其他諸如第二研磨站25b、最終研磨站25c的研磨站

分別包括研磨塾32和34，各研磨墊均接附於圓形平台3〇 上。每個平台均與平台驅動馬達（未示出）連接，而該平 台驅動馬達以每分鐘30到200轉的速率旋轉該平台，然而也 可以採用更低或者更高的轉速。假設基材1〇為直徑為 300mm的盤面，則矩形平台100表面可以為約3〇英吋，而圓 形平台30和研磨墊32和34直徑約為30英叫·。 每個研磨站25a、25b和25c更包括一組合漿體/清洗臂 52’凸出該相連之研磨表面。每個漿體/清洗臂52可包括兩 個或者多個的漿體供給管，以向研磨墊表面提供研磨液 體、漿體或者清洗液體《例如，在第一研磨站25&分佈在固 13 1357845 定研磨劑研磨片上的研磨液體可不包括研磨劑顆粒，而在 第二研磨站25b分佈在標準研磨片上的漿體則可包括研磨 劑顆粒。如果採用第一研磨站25a進行研磨，則分佈在該研 磨站的研磨墊上的研磨液不會包括研磨劑顆粒。通常，會 提供充足的液體覆蓋並浸潰整個研磨墊。每個漿體/清洗臂 52更包括用於在研磨和清理週期結束時提供高壓清洗的幾 個噴射嘴（未示出）。 研磨站可以包括一選擇性連結之墊調節設備40。該等 研磨站包括研磨墊，亦即，研磨站25a可包括一圖中未示出 的選擇性清洗設備’以從研磨片的表面上去除粗砂或者研 磨碎片。清洗設備可以包括用於清掃研磨片表面的可旋轉 刷和/或用於在研磨片表面上噴射壓缩清洗液（即，去離子 水）的喷嘴。可以連續或者在研磨操作之間操作該清洗設 備。此外’該清洗设備可以是固定的’或者可以動態清掃 研磨片的整個表面。 此外，選擇性清洗台45可以設置在研磨站25a和25b之 間、研磨站25c和25b之間、研磨站25(5和傳輸站27之間以及 傳輸站27和研磨站25a之間，藉以在其移動於該等站台之間 時清洗基材。 在例示性研磨系統中，一可旋轉多頭轉台（muni_head carousel) 60可藉由中心柱62支撐在研磨站上並藉轉台 馬達組件（未示出）繞一轉台轴64旋轉。可旋轉多頭轉台6〇 包括四個以等角度間隔圍繞圓盤傳動軸64安裝在轉台支樓 板66上的承載頭系統。其中三個承載頭系統^容納:保持 基材，並藉由將承載頭壓在站台25a的研磨片以及站台25b 和25c的研磨墊之方式進行研磨。該等承載頭系統之一者可 從傳輸站2 7接收基材或將基材送至該傳輸站27。 14 1357845 每個承載頭系統包括載體或者承載頭8〇。承載頭驅動 轴78與承載頭旋轉馬達76連接（圖中所示係去除四分之一 的轉台外殼），以使每個承載頭能夠繞各自的轴獨立旋轉。 此外，每個承載頭80在轉台支撐板66中形成的徑向槽72中 獨立地橫向擺動。 承載頭可以執行多個機械功能.通常，承載頭可保持 基材使其緊靠研磨表面，在基材的背面上均勻分配下壓 力’以從驅動軸向基材轉移扭距，並確保在研磨操作期 基材不會從承載頭底部滑出。1997年5月21日申請之美 ^

利1^〇.6，1 83,354和6,857,945中可以找到適用承載頭的專 述，在此引入其全部内容作為參考。 1 參照第3A、3B和3C圖，研磨匣1〇2係以可拆卸的方 固定到研磨站25a的矩形平台1〇〇上。研磨g 1〇2包括__、，' 一堤料 滾軸130、捲取滾軸（take-up roller) 132以及通常由听 墊材料構成的線性片或者帶110。研磨片未使用或新的磨 口|5 分 係圍繞送料滾轴130’而研磨片使用的部分122則是樹α &固緣捲 取滾軸132»研磨片矩形暴露部分124(用於研磨基材）係 矩形平台100之一頂表面140上方已使用及未使用部乂 120,122之間延伸。 77

矩形平台100 (如在第3Α圖中以虛線箭頭Α所示、1 可作 旋轉以旋轉研磨片的暴露部分，並藉以於研磨期間在&# 和研磨片之間提供相對運動。在該等研磨操作之間，π 研磨 片（如在第3Α圖中以虛線箭頭Β所示）可推進以接觸_ 片的未使用部分。當研磨材料向前推進時，研磨片11〇&、 料滚軸130展開，移動經過矩形平台100的整個上表面 ' 由捲取滾轴132捲取（如第14圖中所示）。 參照第4圖，在某些實施方式中，研磨片11〇可句 15 1357845 層。上研磨層119由研磨材料形成而下研磨層u6(例如背部 層或者承載層）係由薄膜形成。上研磨層119可以由一樹脂 形成，諸如酚類樹脂、聚氨酯、尿素甲醛、三聚氰胺甲醛 樹脂、丙烯酸聚氨脂、丙烯酸環氧樹脂、乙炫•基不链和化 合物（ethylenically unsaturated compound)、具有至少一

種對丙烯酸基的氨基塑膠衍生物、具有至少一種對丙烯酸 基、乙烯基、環氧樹脂的異氰尿酸酯衍生物’及其混合物。 該研磨片也可以包括裝填物’諸如中空的微球體或者孔 洞。下研磨層11 6為由例如聚合薄膜材料構成的背部層’例 如聚乙烯對苯二酸鹽（PET)、紙、布料、金屬膜等。在某些 實施方式中，兩層藉由諸如環氧樹脂或者黏合劑（例如壓 感式黏合劑）或者藉由焊接的方式黏合在一起°研磨層厚 度在10和150密爾之間，諸如在20到80密爾之間’例如在40 密爾附近。該研磨層110寬度可以約為20、25或者30英吋。

參照第11A至第11C圖，在某些實施方式中’研磨片110 的上研磨層在頂表面具有凹槽。這些凹槽可為任何配置， 但是可為旋轉不變且轉移不變（rotati〇nally and translationally invariant)。該凹槽可以為 X槽’如第 11B 圖 中所示，即，垂直於片運行方向設置的槽；χγ槽，如第11A 圖中所示，即垂直且平行於片運行方向的槽：對角槽或者 適合的凹槽圖案。在第11Α至第UB圖中，箭頭指示運行的 方向。該凹槽深度可以在约45到5密爾之間諸如在約35和15 密爾之間，例如約25密爾。在某些實施方式中，緊密間隔 該凹槽以協助彎曲研磨片。 再次參照第3 A、3 Β和3 C圖，透明帶1 1 8可沿研磨片11 〇 的長度方向形成。該透明帶118或者窗口可設於該片的中 心，亦即，該窗口可延伸於研磨墊的長度方向’且幾乎與 16 J357845 聲個塾邊緣等距離’且其寬度可介約0.2至1英叫之間，例 如在約〇·4至0·8英叶或為約0.6英叫。該透明帶會與矩形平 台1〇〇中的一孔徑或者透明窗口 154對齊，以光學監控基材 表面來進行终點檢測，如下文將進行詳細描述》透明帶118 的頂表面可與研磨片110研磨部分的頂表面平齊。此配置可 避免漿體聚集在透明帶118上，並避免不利的影響透過透明 _ 11 8執亍的測量。 送料滾轴和捲取滚轴130和132應該比研磨片u〇的表 面略長。滾轴1 3 0和1 3 2可以是約2 0英吋長、直徑在2英吋到 2.5英叫之間的塑膠或者金屬柱體。由於研磨片u〇會圍繞 滾钟130和132許多次，因此透明帶U8係由不易破裂、分原 成者不易在塾/帶截面處分離的材料形成。理想情況下，該 逸明帶由足以阻擋塗敷鑽石的檢測工具的限定條件的材料 形成β在某些實施方式中’透明帶n8與背部層一體形成， 即透明帶和背部材料由同—材料形成，二者為單獨單元。 在〆些實施方式中’透明帶可以模制在研磨層上。在一些 實施方式中’透明帶118的上表面與研磨片110的上表面基 本在同一平面上β 已可晴得且具許多所欲透明帶特性之材料為Calthane N D 3 2 〇 〇聚氨輯.(.加利福尼亞長難C a 1 Ρ 〇 1 y m e r s公司）。這 種材料疋兩。卩分清透且非破珀色（non-ambering)的聚氨 画日彈&體並且其對350nm或更大波長（超出約700nm時可 見光光譜端部）具有至少80%的透射率（對於片厚度150密 爾者而= )>在不受任何特定理論限制下，我們相信這種聚 氨醋材料的高透射率（與當前可得的聚氨酯窗口材料相比） 是使用基$無内部缺陷的聚氨酯材料。儘管當前使用於窗 口的聚氨通常不需要添加劑，但是這種材料可包括會擴 17 1357845 散或者散射光的内部缺陷’例如氣泡或者空隙、裂緩 微域（例如，結晶結構或取向不同的小區域）。藉由形成基 本上無内部缺陷的聚氨酯，將能夠實現高光學清晰度β在 一些實施方式中，透明帶118由聚氨酯材料形成，例如

Calthane ND 3200。形成透明帶的材料可具有蕭式0範固在 約50至80(例如60)的硬度。在一些實施方式中，形山 〜成透 明帶的材料具有約50密爾至55密爾之間的厚度。 矩形平台100包括通常為平面的矩形頂表面14〇, # , 兵係

由送料邊緣142、捲取邊緣144和兩個平行的側邊緣ι46所界 定。槽150係形成在頂表面140中（在第3A和3C圖中用虛線 示出）。該槽150通常為沿頂表面140的邊緣142-146延伸的 矩形圖案。經過平台100的通道152將槽150與真空源200連 接（見第5圖）《當對通道152抽真空時，研磨片no暴露部 分124會真空吸附至平台1〇〇頂表面140。該真空吸附有助於 確保研磨期間因基材和研磨片間之摩擦所導致的橫向力不 會迫使該研磨片離開平台。如上所述，孔徑1 54係形成在矩 形平台100的頂表面140中》在平台100的頂表面上可設置可 壓縮副墊300，以缓衝基材靠抵研磨墊（如第丨2和14圖所示） 的衝擊。此外，平台100可以包括圖中未示出的墊板。可以 將不同厚度的墊板接附到平台上以調節平台頂表面的垂直 位置。該可壓縮副墊可以接附到墊板上》 副墊可以和研磨片分離，即與研磨片不是一個整體或 者沒有黏合在一起》該副墊300可以由單一材料形成或者可 以由多種材料構成的多層形成》由多種材料構成的多層形

成的副墊為層疊墊。在一實施方式中，層疊副墊具有一 1C 研磨材料層層疊在一泡沫層上，例如軟泡沫如由位於

Delaware 的 Newark 的 Rohm and Haas 公司出售的 SUBA 18 1357845 IV和 墊 疊 層 =0 ο ο 6 7 如到 諸3 ’ 為 間約 之度 爾厚 密層 ο 下 2 -1 的 4 副 約。 為爾 度密 - ο 厚8 層如 上例 的， 間 之 爾 密 ο 的 5 約層 如磨 例研 ，和 間有 之具 爾以 密可 ο ο 6 ο 41· 約， 如圖 t 5 窝 1 ， 第 間照 之參 爾 密 密 凹 或 榇 0 一 爾槽 ,螺抽 圖者上 13或墊 第形副 照圓在 參心以 〇 偏， 槽、度 凹形深 的圓和 同橢度 不、寬 者形的 塾 1' 在 C時 形空 旋真 圓分片 為充磨 以有研 可具的 槽以加 凹可疊 的槽使 中凹即 00該， 沒有凹槽，該.凹槽也可傳到研磨片。凹槽可以具有約30至 50密爾，例如約35至40密爾的深度。在某些實施方式中， 副墊中的凹槽具有比研磨表面的凹槽更大的寬度和/或深 度。在某些實施方式中，研磨表面的凹槽圖案與副墊的凹 槽圖案不同。該副墊300可以為圓形、矩形或者適於平台100 應用的任意形狀。 參照第20-2 1圖，凹槽3 06的圖案係形成在支撐研磨表 面302之一或多層副墊材料中。研磨表面302係藉由真空吸 入凹槽圖案中（如垂直箭頭所示）。因此，研磨表面302會 形成凹槽圖案。該凹槽圖案有助於在晶圓和研磨表面302 之間進行漿體分佈，並且因此提高了研磨設備的製程特 性。因此，該研磨表面也並不一定需要凹槽。在副墊300 中形成凹槽的優點在於網形墊或者線性片能夠在研磨表面 中呈現、或形成圓形或螺旋凹槽圖案，且仍可在不改變凹 槽圖案位置的情況下少量推進9 副墊具有不需要研磨層的表面。即，副墊不一定要有 充分的表面粗糙度或者摩擦係數來研磨基材表面。此外， 該研磨墊或者研磨片本身可以不具有更大的結構硬度。副 墊可提供結構硬度。研磨片或者墊的研磨性會受副墊機械 特性的影響。堅硬的副墊和柔軟的副墊在以同一研磨片或 19 1357845 者研磨墊時會有不同的研磨結果。由於副墊不會向研磨片 或者研磨墊磨損那麼快。因此’當研磨片推進或改變時， 可以繼續使用同一副塾。 如第5圖所示，矩形平台100係固定到可旋轉平台底座 170上。可以藉由幾個反向陷入平台底座1 70底部的週邊螺 絲1 7 4連接至矩形平台1 〇 〇和平台底座1 7 〇。螺絲1 7 8可將第 • 一軸環176連接到平台底座170的底部，以得環形軸承180 的内環（inner race)。藉由一組螺絲183可將第二軸環182連 接到台面23，以得環形軸承180的外環。環形軸承180可支 φ 撐位於台面23上的矩形平台丨00’同時藉平台驅動馬達旋轉 平台。 平台馬達元件184孫經由固定支架186螺接到台面23的 底部。平台馬達元件184包括一具有輸出驅動轴1 90的馬達 188。輸出軸190係固定至一實心馬達護套192上。驅動帶194 係纏繞馬達護套192和輪轂套196。輪轂套196通過平台輪轂 198連接到平台底座丨70。因此’馬達188便可旋轉矩形平台 100。平台輪轂198係密封至下平台底座17〇及密封至輪轂套 196。 氣動控制線172延伸經過矩形平台100以將通道152以 Φ 及槽150連接到真空或者壓力源上。該氣動控制線172可用 於真空吸附研磨片以及供電或啟動研磨片推進機制，其在 1999年4月30曰申請的美國專利6,135,859中有進一步描 述，於此藉由參考的方式援引其全部内容》 平台真空吸附裝置可藉由固定氣動源200(諸如泵或者 加壓氣體源）啟動。氣動源200通過流體線202與電腦控制閥 204連接。電腦控制閥204通過第二流體線206與旋轉連接器 208連接。該旋轉連接器208將氣動源2 00與位於旋轉轴中的 %、 20 1357845 軸通道21 0連接，並且連接器214將軸通道21〇連接到氣動線 216 上。 真空吸附通道152可以經由氣動線172穿過矩形平台 1〇〇、平台底座170中的通道220、平台輪轂198中的垂直通 道222以及輪轂套196中的通道224和柔性氣動線216連接。 採用0圈密封每個通道。 將通用可程式化數位電腦28〇與閥Μ 204、平台驅動馬 達188、承載頭旋轉馬達76和承载頭徑向驅動馬達（未示出） 適當連接。電腦280可以打開或者關閉閥門204、旋轉平台 1 00、旋轉承載頭8〇並沿著縫隙72移動承載頭。 參照第6圖’在某些實施例中平台1 〇 〇中可形成一孔徑 或札洞154’並與研磨片η〇中的透明帶η8對齊。孔徑ι54 和透明帶1 1 8係經定位，以使其在平台部分旋轉期間不論研 磨頭的位置如何都可u觀察到基材1〇。光學監控系統9〇係 λ於平。100下方並作固定，例如設置在矩形平台1〇〇和平 台底座170之間，以使其隨著平台旋轉。該光學監控系統包 括光源94和監測器96»先源可產生光束92通過孔徑1 54和透 明帶118,以照射在基材1〇的暴露表面上。 參照第9Β和10Β圖，在某些實施方式中，在研磨片u〇 中用於形成透明帶118的材料也形成了研磨片11〇的下層 116倒如’材料可為聚合物材料。參照第9 Α圖，在某些 實施方式中，透明帶118和下層116 一起形成。構成研磨層 119的材料接著會以如澆鑄的方式形成在下層116上。如果 任何研磨層材料覆蓋該透明帶118，則此材料可由透明帶 Π8上去除。透明帶118的暴露表面可與研磨層119的暴露表 面為同一平面。 參照第1 Ο A圖，在某些實施方式中，研磨層u 9係在下 21 1357845 層116之前製造。凹陷形成在研磨層119中或該研磨層119 係由兩個分離的構件形成。研磨層119上會接著形成下層 116和透明帶118。因此透明帶ι18可以和下層n6同時形成 且與下層Π6形成一整體。在下層ι16與透明帶ns的接合處 可能以沒有接缝。研磨層119、或下層116可以藉由模塑、 擠壓、澆鑄、壓帶輪成形、切除或者機械碾磨成型等方式

形成。在某些實例中，先形成的層可進行烘乾或者固化。 然後在先形成的層上製造第二層。在某些實施方式中，是 分别形成該兩層並黏合或者焊接在一起。在任一種實施方 式中，透明帶118是從研磨片的頂表面延伸到研磨片的底表 面以形成一窗口》研磨層的頂表面大致上不存有研磨劑。 凹槽可在形成表面的同時或之後形成在研磨表面。透明帶 118可以不設置凹槽。然而，在某些實施方式中，也可以在 透明帶118中設置凹槽。在一些實施方式中，窗口在研磨層 的整個長度上延伸。在一些實施方式中，承載層在研磨層 的寬度上延彳申β 參照第22-24圖’其示出了研磨片中形成之窗 .....—…a· τ\

法。參照第22圖，研磨片是由適於研磨基材的材料形成 f由成模、切割或者擠壓方式可形成研磨片。多個楔形開 ^ 402、裂缝或者凹槽可在研磨片中形成。兩個半部（halves) 二藉由預定寬度的窗口 404分離。參照第23圖，材料可以乾 :口：化或者硬化的方式插入槽十（如箭頭所示）。而例如 I研廢？之液體先驅物材料可接箸乾燥、固化或者硬化形 的突起I參照第24圖，藉由窗口材料的突起與研磨材料 合。窗J結（未示出V該窗口材料可與研磨材料緊密黏 或-：地:料可作選擇使得合成研磨片的研磨材料能均句 地磨損並且圍繞窗口材料t曲而不會有分層的情 22 1357845 況。也可能需要其他步驟，諸如切割片或者從墊材料的澆 鑄塊上削磨片。窗口可以位於中心且與片邊緣大致等距離 或者位於研磨片邊緣和中心之間，如第23圖中所示。窗口 大致可在研磨片的整個長度上延伸。在一些實施方式中， 窗口的表面可以與研磨片的表面大致在同一平面上。 在操作時’ CMP設備20係採用光學監控系統90以確定 基材上之層厚度，從而確定從基材上去除的材料量、或確 定表面何時已變得平坦。電腦280可與光源94和監測器96 連接。可以藉由旋轉連接器2 08在電腦和光學監控系統之間 形成電性連接。正如在1998年11月2日申請的美國專利 Ν〇·6,159,073和Νο·6,280,289中所述，電腦可經程式化以當 基材覆蓋窗口時起動光源，以存儲來自監測器的測量結 果’而在輸出設備9 8上顯示測量結果，並檢測研磨終點《 其全文係合併於此以供參考。 在操作時，可藉由向通道152施加真空的方式將研磨片 110或者副墊的暴露部分124真空吸附到矩形平台1〇〇。基材 係藉承栽頭80降低而與研磨片110接觸，且平台1〇〇和承載 頭80兩者同時旋轉以研磨基材的暴露表面。在研磨後，再 以承栽碩將基材舉離研磨墊，並移除通道152的真空。並藉 由施加正壓力予氣動線172的方式啟動推進裝置推進研磨 片。亦可選擇的是，採用正向氣壓向該片吹氣使其脫離平 0以便於片的推進β如此可暴露研磨片的新鮮部分。研磨 片接著真空吸附至矩形平台上，且新的基材會降低接觸研 磨片因此，在每個研磨操作之間’研磨片可以逐漸推進。 如果研磨站包括清洗設備’則 < 以在每次研磨操作之間. 洗研磨片。 、 研磨片的推進量取決於所需的研磨岣勻性以及研磨片 23 叫845 待性’但是每次研磨操作推進量應該在0.05英吋到1英吋的 範園内’例如0.4英吋。假設研磨片的暴露部分124長度為 20英吋並且該研磨片在每次研磨操作推進〇4英吋，則在約 50吠研磨操作後會更換研磨片的整個暴露部分。

當基材研磨完成時，該承載頭會從研磨層去除基材， p ’該承載頭從研磨表面上解除對於基材的吸附。可以藉 由向承載頭的背部施加吸力（sucti〇n )並提起以從研磨表 面上去除基材。由於存在很強的表面張力，因此與平坦晶 圓結合的漿體液會使基材更難從研磨表面去除。 在某些實施方式中，研磨片、研磨墊或者副墊具有諸 如槽狀圖形或者壓印圄拟认Λ 丨圄形的特徵。在研磨期間’基材會與 不包含、或不在特微' 做上方的部分研磨表面接觸。在研磨後， 备材邊緣會移動到該转％ u + ^ 特徵上方，而該特徵在此處扮演解除 參照第1 6 -1 9圖，名甘&也 於幫助A奸紐心 在某些實施方式中，副墊300具有適 «助基材解除吸附的牲 研磨矣的特徵304。當沒有施加平台真空時，

圖）。當施加真空時，m墊中的特徵304的輪廓（見第b ^ ^ Π AM M y- 研磨表面3 02會依循該特徵3 04。在研 部位於該特徵的上部上方。在接觸吸附期間，基材則局 吸附期間的基材平面圖_19圖分別示出研磨期間和解除 在研磨片中，接趨 線、邊緣或者研磨片祕附特徵可沿該片的研磨片的中心 參照第7圖，在第緣與令心線之間形成。 有粗糙表面262 '上層2一研磨站25b處，圓形平台可支撐具 266藉由壓感式黏合64和丁層266的圓形研磨墊32。下層 層266更硬。例如I 268接附至平台30。上層264可以比下 層264可以由多微孔聚氨酯或者混合 24 1357845 填料的聚氨酯構成，而下層266可由氨基甲酸酯過濾之壓縮 性氈製纖維組成。而此種兩層研磨墊（由1C 1000或IC-1400 組成的上層及由SUBA IV組成的下層）係由德拉威州的 Rohm及 Haas of Newark上市（IC1000、IC-1400和 SUBA IV 為Rohm and Haas公司的產品）。透明窗口 269可形成在平台 30中一孔徑36上方的研磨墊32中。 參照第8圖，在最终研磨站25c處，平台可以支撐研磨 墊34，其通常具有平滑表面272和單一軟層274。層274可以 藉由壓感式黏合層278接附到平台30上。層274可以由絨毛 ® 多孔合成材料構成。適用的軟研磨墊係由Rohm and Haas 公司出售’其商標名稱為p〇UtexTM。研磨墊32和34可以圖 案浮雕或者壓印以改善漿體在整個基材表面上的分佈。研 磨站25c在其他方面和研磨站25b一樣。 在孔徑36上方研磨墊34中β 了也成 在某些實施方式中，圓形研磨墊32、34可以具有一或 者多個螺旋形槽，諸如兩個初始相差丨8〇度的螺旋形槽，在 徑向方向上給定槽與槽之間的距離，或者三個四 更多螺旋形槽。 儘管此處CMP設備係描述將研磨片真空吸附到平台 j，但是在研磨期間可以採用其他技術將研磨片固定到平 台上。例如，可以藉由一組夾具將研磨片的邊緣夹持到平 台的側面〇 7樣的，儘管該等滾轴係以數個銷（插入孔徑）連接到 固定器上，但其他多種可轉動地將滾軸連接至該平台的方 式亦為可能。例如，在固定器的内表面上可形成凹陷以與 滾轴的端面突出的銷接合。固定器160可輕微彎曲且滾軸 可以和固定器搭扣配合。或者，固定器内表面的凹陷可形 25 1357845 成錯综路徑以藉張力限制滾轴。或者，該固定器可以樞軸 連接到平台上，且一旦鎖定固定器滾軸則可與固定器接合。

此外，儘管該CMP設備係插述具有一具有槽狀表面的 矩形平台以及兩個具有圓形研磨墊的圓形平台，但是其他 結構也是可能的。例如，該裝置可以包括一個、兩個或者 二個矩形平台。此處所述墊、片以及副墊的實施方式可以 適用於連續帶、非旋轉平台系統和僅具有一研磨站的研磨 系統。實際上，CMP設備的優點在於每個平台底座17〇都適 於接收矩形平台或者圓形平台。在每個矩形平台上的研磨 片可為固定研磨劑或者非固定研磨劑研磨材料。研磨片可 以包括多個相結合的層。同樣地，在圓形平台上的每個研 磨片可為固定研磨劑或者非固定研磨劑研磨材料。標準研 磨塾可以具有單一硬層（例如1C-1000 )、單一軟層（例如 Polytex™墊中）或者兩個層疊層（例如，於一經結合之 1C-100 0/SUB A IV研磨墊中）》在不同研磨站上可採用不同 漿體和不同的研磨參數，諸如載體頭旋轉速率、平台旋轉 速率、載體頭壓力。

CMP設備的一實施方式可以包括兩個具有固定研磨劑 研磨片的矩形平台，以用於主研磨；以及具有軟研磨墊的 圓形平台’以用於拋光（buffing)。可以選擇研磨參數、墊 組成分以及漿體成分使得第一研磨片的研磨速率大於第二 研磨片。 當—起使用副墊和研磨片110時，研磨片110會在研磨 期間或之間滑過副墊。 此處所述若干研磨片、一些及各晶圓會由部分研磨片 (先前未研磨其他墊）所研磨。或者，研磨片可以逐漸移動 (moved increnientally)，而非在每個基材研磨之間全長度 26 1357845 (full length)移動。在研磨後續晶圓時，墊磨損將不是主要 因素，由於每個晶圓基本暴露於同樣的研磨墊條件下。墊 表面的穩定狀態會在該片已增量的距離等於研磨面積之直 徑時發生。

研磨片上表面中的凹槽（垂直於研磨片運行方向）在到 達晶圓前捲繞或伸展過該送料滾輪1 3 0之小半徑時可協助 研磨片的彎曲。如果系統在副墊中有凹槽，該副墊可以在 研磨表面中形成暫時凹槽，協助漿體傳輸以及流過墊的表 面。在施加真空予副墊•時，該暫時凹槽會更加明顯。或此 外，研磨墊的研磨表面可具有數個凹槽。

墊或副墊的凹槽可為螺旋形。螺旋形凹槽可將漿體抽 向研磨表面。螺旋形凹槽始自墊或副墊的中心並朝外缘向 外移動。隨著平台旋轉，螺旋形會聚集朝向或者遠離該研 磨區域中心。該等凹槽可進行維繫平台上之漿體或將漿體 及/或研磨浪費的副產物移除並移離晶圓等全面性的動 作。如果平台是以增加螺旋凹槽半徑的方向旋轉以讓螺旋 聚集（即移向中心），則漿體會轉移到中心處。如果平台是 以減少螺旋凹槽半徑的方向旋轉以讓螺旋擴展，則用過的 漿體與廢棄產物將以較單獨使用離心力為快的速度脫離平 台。'具有多個螺旋（例如兩個螺旋）的墊或者副墊其移動漿 體較僅具有單一凹槽者為快。 除了任意漿體傳送和抽吸動作外，研磨層或副墊中的 螺旋形凹槽可控制研磨起伏或將材料移除晶圓表面的同質 性。在一些實施方式中，副墊可具有約150密爾的厚度。在 一些實施方式中，螺旋凹槽具有約40密爾至60密爾的深 度，例如約50密爾，以及約400密爾至600密爾的寬度，例 如500密爾。凹槽的高度可為約1英吋。 27 1357845 平台的替代實施方式可具有無凹槽的頂表面中心區 域，以防止研磨片進入凹槽的潛在偏斜干擾了研磨均勻性。 以上係經描述本發明的多個實施方式。但是，應該理 解在不脫離本發明的精神和範圍内可以對本發明進行各種 變化。因此，其他實施方式包括在如下申請專利範圍之内。 【圖式簡單說明】 第1圖所示為化學機械研磨設備的分解透視圖；

第2圖所示為第1圖的CMP裝置的俯視圖； 第3A圖所示為第1圖的CMP裝置的第一研磨站的俯 視圖； 第3B圖所示為矩形平台和研磨匣（cartridge )的分解 透視示意圖； 第3C圖所示與矩形平台連接的的研磨匣（cartridge) 的透視示意圖； 第4圖為固定研磨劑研磨片的截面示意圖； 第5圖為第3A圖的研磨站的截面示意圖； 第6圖為具有光學終點檢測系統的研磨站的截面示意

園， 第7圖為平台和第二研磨站的研磨墊的截面示意圖； 第8圖為平台和最終研磨站的研磨墊的截面示意圖； 第9Α、9Β、10Α和10Β圖所示為具有整體窗口的研磨 片； 第11 A-11C圖所示為具有凹槽的研磨墊； 第12圓所示為位於矩形平台上具有凹槽的副墊； 第13圖所示為設置有凹槽副墊的變形； 第14圖所示為位於矩形平台上的研磨墊的側視圖； -S： > 28 1357845 第1 5圖所示為設置有凹槽副墊的側視圖； 第16-19圖所示為用於解吸附的特徵的表面； 第 20-21圖所示為設置有凹槽副墊和無凹槽的研磨表 面； 第22-24圖所示為用於形成具有窗口的研磨片的方法。 在不同附圖中同樣的附圖標記表示同樣的元件。

【主要元件符號說明】 10 基材 20 化學機械研磨設備 22 底座 23 台面 25a, b,c 第一、二、三研磨站 27 傳輸站 30 圓形平台 32 研磨墊 34 研磨墊 36 孔徑 40 墊調節設備 52 漿體/清洗臂 45 清洗台· 60 多頭轉台 62 中心枉 64 轉台軸 66 轉台支撐板 72 徑向槽 76 承載頭旋轉馬達 78 承載頭驅動軸 80 承載頭 90 光學監控系統 92 光束 94 光源 96 監測器 102 研磨匣 100 矩形平台 110 研磨片/帶 116 下研磨層 118 透明帶 119 上研磨層 124 暴露部分 130 送料滚軸 132 捲取滚轴 29 1357845

140 頂表面 142- 146 邊緣 150 槽 152 通道 154 孔徑 160 固定器 1 70 平台底座 172 氣動控制線 174 螺絲 176 軸環 178 螺絲 180 環形轴承 182 轴環 183 螺絲 1 84 平台馬達元件 186 支架 188 馬達 190 驅動轴 192 護套 194 驅動帶 196 輪轂套 198 輪轂 200 氣動源 202 流體線 204 控制閥 206 流體線 208 連接器 210 軸通道 214 連接器 216 氣動線 222 通道 224 通道 262 粗縫表面 264 上層 266 下層 268 黏合層 269 透明窗口 272 平滑表面 274 軟層 278 黏合層 279 透明窗口 280 電腦 300 副墊 302 研磨表面 304 特徵 306 凹槽 402 開口 404 窗口 30

Claims (1)

1357845 十、申請專利範圍：年？月2曰修(豕)正本 1. 一種研磨物，其至少包括： 一研磨片；以及 一固體透光窗口，設在該研磨片中以及一與一主軸平 行延伸的非線性邊緣，其中該非線性邊緣包括多個與該主 轴垂直的平行突起，該等多個平行突起係與該研磨片的多 個突起連結。

2.如申請專利範圍第1項所述之研磨物，其中該研磨片以一 長度和一寬度伸長，其中該長度大於該寬度，且該主軸與 該長度平行。 3.如申請專利範圍第2項所述之研磨物，其中該窗口大致在 該研磨片的整個長度上延伸。 4.如申請專利範圍第1項所述之研磨物，其中該主軸係與 該研磨片的一研磨表面平行。 5 ·如申請專利範圍第1項所述之研磨物，其中該窗口以一 一接榫狀接點安裝至該片内。 6.如申請專利範圍第1項所述之研磨物，其中該窗口之一 暴露表面以及該研磨片之一暴露表面係實質地共平面。 7.如申請專利範圍第1項所述之研磨物，其中該窗口係與 該研磨片之邊緣大致等距離。 31 1357845 8. 如申請專利範圍第1項所述之研磨物，其中該窗口係位 於該研磨片之一邊緣和該研磨片之中心之間。 9. 如申請專利範圍第1項所述之研磨物，其中多個突起係 沿著該主轴彼此間隔開。

10.如申請專利範圍第1項所述之研磨物，其中該窗口更包 含一第二非線性邊緣，該第二非線性邊緣包括一與該主軸 垂直的第二多個平行突起，該等第二多個平行突起係與該 研磨片的一第二多個突起連結。 11. 一種製造一研磨物的方法，其至少包括以下步驟·· 使一非固體材料接觸一研磨材料之一片之一非線性邊 緣；以及 使該非固體材料凝固以形成一可接觸該研磨材料之該 非線性邊緣的窗口 ，其中該非線性邊緣包括多個與一主軸 垂直的突起，以及該凝固的液體先驅物材料可形成多個與 該研磨材料之突起連結的突起。 12.如申請專利範圍第11項所述之方法，其t更包括使該非 固體材料接觸研磨材料之一第二片的一非線性第二邊緣， 以及使該非固體材料凝固形成一可接觸該研磨材料之該第 二片的非線性第二邊緣的窗口。 13.如申請專利範圍第12項所述之方法，其中更包括以該第 一片和第二片之間具有一間隙的方式支撐該第一片及該第 二片，且在該間隙内沈積該非固體材料。 32 1357845 14.如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該窗口大致在 研磨物的整個長度上延伸。 15.如申請專利範圍第13項所述之方法，其中使一非固體材 料接觸該研磨材料之該片的邊緣以及研磨材料之該第二片 的第二邊緣的步驟包括在該邊緣和該第二邊緣之間注入一 液體先驅物材料。

16.如申請專利範圍第11項所述之方法，其中使該非固體材 料凝固可形成一窗口 ，該窗口係以一接榫狀接點與該片相 配合。 17.如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該窗口之一暴 露表面和該研磨材料之一暴露表面大致上共平面。 18.如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該研磨材料片 係藉由切割該研磨材料之該片或從塊狀研磨材料上削除該 片的方式形成。

19.如申請專利範圍第11項所述之方法，其令該窗口係在該 研磨片的邊綠和該研磨片的中心之間的該研磨片長度上延 伸。 20.如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該主軸係與 該研磨片之一研磨表面平行。 33