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TWI355674B - Showerhead assembly and apparatus for manufacturin - Google Patents

Showerhead assembly and apparatus for manufacturin Download PDF

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TWI355674B
TWI355674B TW093114479A TW93114479A TWI355674B TW I355674 B TWI355674 B TW I355674B TW 093114479 A TW093114479 A TW 093114479A TW 93114479 A TW93114479 A TW 93114479A TW I355674 B TWI355674 B TW I355674B
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TW
Taiwan
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showerhead
backing plate
shower head
peripheral portion
mask
Prior art date
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TW093114479A
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English (en)
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TW200504800A (en
Inventor
Geun-Ha Jand
Chi-Wook Yu
Original Assignee
Jusung Eng Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jusung Eng Co Ltd filed Critical Jusung Eng Co Ltd
Publication of TW200504800A publication Critical patent/TW200504800A/zh
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Description

1355674 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種用於製造半導體元件的裝置，更特定 言之，係關於一種蓮蓬頭組裝及一種具有該蓮蓬頭組裝用 於製造半導體元件的裝置。 【先前技術】 一液晶顯示器（LCD)元件包含一陣列基板、一彩色濾光片 基板及插入其中的一液晶層，其藉由使用該液晶層之光學 特性來透射光線以顯示影像。 該陣列基板及該彩色濾光片基板係藉由在透明基板（如玻 璃基板）上重複沈積一薄膜，及藉由光微影術（photolithography) 處理圖案化該薄膜來製造。該薄膜可藉由從一處理腔室的 上部分下行（downstream)的方法供應氣相的及反應而.沈積 或蝕刻，及一蓮蓬頭組裝.安置在該基板上方以將反應及源 氣體均勻地分配在該基板的上表面。該蓮蓬頭組裝包含一 具有複數個通孔的蓮蓬頭。 近來，電漿增強式化學氣相沈積（PECVD)方法廣泛地用 以沈積該薄膜。該PECVD方法使用高電壓來激發處理氣體 以形成電漿，及因此增強處理氣體間的化學反應。 用於PECVD方法之薄膜沈積裝置將參閱附圖在下文中加 以描述。 圖1係例示一相關技術PECVD裝置的示意圖，及圖2係圖1 93380.doc 1355674 之”A"部分的放大圖。如圖1及圖2所示，該pEc VD裝置包含 一處理腔室10，處理腔室丨〇與外部相隔離以形成反應空 間。處理腔室10包含一上蓋i 2及一腔室體14。在上蓋12與 腔至體14之間插入一 〇-形環16以使處理腔室丨〇内部與外部 相密封。 藉由一蓋板22將上蓋12與外部相隔離，且在蓋板22的 中’穿過其内部配備一背墊板34及一蓮蓬頭3〇β 來自外部氣體供應器（未圖示）的處理氣體通過氣體管線 (未展示），然後藉由穿過背墊板34中心的氣體入口 7〇注入背 墊板34下的空間。經注入的處理氣體首先藉由背墊板“下 方的擋板（未展示）加以擴散，且在該擋板及背墊板34的下 方’該經/主入的處理氣體藉由該蓮蓬頭3 〇之複數個通孔3 2 均勻地噴向安置在基座60上的基板s之上表面。 將供應旎量以激發該經注入的處理氣體的射頻（RF)動力 源80連接至背墊板34及蓮蓬頭30，從而藉由蓮蓬頭3〇激活 s玄經注入的處理氣體，借此沈積薄膜。因此背墊板3 *及蓮 蓬頭30用作上電極。 將腔室體14的側面同上蓋12之蓋板22相組合，並如上所 述，將〇-形環16插入腔室體14與上蓋12之板蓋22之間。將 基座60安置在腔室體14中。將基座6〇隔開且朝向蓮蓬頭 30,且將基板S置於基座6〇的上表面上。一加熱器以置於基 93380.doc 1355674 座終且在沈積過程中將基座60上的基板3加熱至用於沈 積的適當溫度。此外，基座60接地，用作下電極。為防止 該處理材料沈積在基板s的邊緣上，將邊框64裝備在基座6〇 的上表面上且覆蓋基板s的邊緣。 出口 52形成在基座60的下方的腔室體14下側，以便當完 成該沈積處理時排出該處理氣體。 將處理氣體喷射至基板S的上表面上及充當該上電極的 蓮蓬頭30及背墊板34在其邊緣藉由螺栓42加以組合且相互 電連接。將複數個絕緣體44、46和48插入週邊部分（蓮蓬頭 3〇及背墊板34組合處）及一側蓋20之間，以將該蓮蓬頭3〇及 該彦塾板3 4與側盖2 0加以絕緣及保持該處理腔室内部真 空。將0-形環49插在該絕緣體48及該背墊板34之間以及在 該絕緣體48及該蓋板20之間。 在相關技術PEVCE裝置中，為藉由該處理氣體之熱分解 從而將薄膜沈積在該基板的上表面上，歸因於加熱器62之 操作該基座60的溫度維持在約3 00至400攝氏溫度下《因 此’儘管該蓮蓬頭30與基座60間隔大約1〇至3〇釐米，該蓮 蓬頭30的溫度同樣會上升。 然而，因為該處理腔室10的外壁會從該蓮蓬頭3〇的週邊 部分帶走熱，所以蓮蓬頭30的週邊部分及中心部分溫度不 相同以致熱失衡。意即’由於蓮蓬頭30週邊部分的熱損耗， 93380.doc 所以蓮蓬頭30週邊部分的溫度低於蓮蓬頭3〇中心部分的溫 度。因此’因為根據熱分解該處理氣體不發生反應，所以 在蓮蓬頭30週邊部分中，該處理氣體仍為粉末狀，其導致 顆粗。 特別的是，蓮蓮頭30的週邊部分藉由其上表面接觸背墊 板Μ的下表面，而且，如圖2所示，蓮蓬頭3〇的週邊部分與 該月墊板相組合，厚度與其他部分（意即中心部分）相同。因 此，自該基座60至該蓮蓬頭30週邊部分所透射的熱傳導至 該背墊板34，因此與該中心部分相比，該週邊部分上發生 更多的熱損耗。 在該狀況下，絕緣體48及〇_形環49可能會受到損壞及不 起作用，其中絕緣體48插在背墊板34及蓋板22之間以電隔 離背墊板34及蓋板22進行，〇_形環49安置在絕緣體48上方 及下方以維持處理腔室1〇内的真空狀態。絕緣體48可由 PTFE(聚四氣乙稀）製造。 因為存在視部分而定的熱失衡，蓮蓬頭3〇週邊部分溫度 低於中心部分，所以自外部注入的處理氣體不會完全地熱 刀解且具有粉末形狀，其導致顆粒。這將污染處理腔室1〇 的内P因此，處理器1 〇的清理週期增加，從而製造過程 的生產率下降。 為了防止由於蓮蓬頭30的熱傳導而引起背墊板34的溫度 93380.doc 1355674 上升，可將背墊板34的内部連接至一外部的熱交換器以降 低背墊板34的溫度。 然而，這會增加製造成本並引起控制該裝置的複雜性。 而且’可能會損失通過介質傳輸至該上電極（即背塾板34及 蓮蓬頭30)的RF能量，因此可能會改變電漿而對製造的裝置 產生不良影響。 此外’隨著背塾板34的溫度的下降，與背墊板34接觸的 蓮蓬頭30週邊部分的溫度也下降。該處理氣體仍不發生反 應且具有粉末开>狀。因此，因朝向蓮蓬頭的基座具有 不均勻溫度’從而生成顆粒及產生劣質的元件。 同時，蓮蓬頭30通常由鋁製成，及歸因於自基座6〇及基 座60上基板S所輻射的熱，蓮蓬頭3〇易膨脹。近來該基板尺 寸較大，因而蓮蓬頭30尺寸增加，且歸因於上升的溫度， s亥車父大尺寸的蓮蓬頭更加膨脹。 如上所述，因為各部分具有不同溫度，所以蓮蓬頭之 中“邓刀及週邊部分之間溫度膨脹存在差異，及該中心部 分的熱膨脹係數大於該週邊部分的熱膨脹係數。因此，蓮 蓬頭30的熱轉變率改變，且蓮蓬頭可能會被扭曲變形。 因為藉由螺栓42將蓮蓬頭30週邊部分與背墊板34相組 合’及該週邊部分的膨脹受到抑制，戶斤以，由於各部分的 ·，.、略服率不同，蓮蓬頭3G更會受到扭曲。0此，充當上電 93380.doc 1355674 極的蓮蓬頭30的下表面及安置在基座6〇上表面上的基板5 之間的距離並非處處均勻，而且該處理材料在基板s上的沈 積率也不相等。 最後，沈積薄膜的退化及顆粒的形成仍為實質上需要解 決的問題。該沈積薄膜的退化及顆粒的形成係藉由：歸因 於該有限的熱膨脹而引起的週邊部分的轉換；蓮蓬頭儿各 部分的不同溫度；及由傳.導至背墊板34的熱產生。 【發明内容】 因此，本發明係關於一種蓮蓬頭組裝及一種具有該蓮蓬 頭組裝的用於製造半導體元件的裝置，該裝置大體上排除 了由於相關技術的侷限和不足引起的一個或多個問題。 本發明的優勢係提供了-種蓮蓬頭組裝及—種具有該蓮 逄頭組裝的用於製造半導體元件的裝置，該裝置最大限度 地降低了熱膨脹誘發的變形且形成均勻特性的薄膜。 另-優勢係提供了-種蓮蓬頭組裝及—種具有該蓮蓬頭 組裂的用於製造半導體元件的裝置，該裝置補償由於該蓮 蓬頭週邊部分之熱損失而引起的熱失衡。 另一優勢係提供了 —種料頭組裝及-種具有該蓮蓬頭 組裝的用於製造半導體元件的裝置，該裝置最大限度降低 了自蓮蓬頭至背墊板傳導的鈦。 另一優勢係 '提供了—種蓮蓬頭組裝及-種具有該蓮蓬頭 組裝的用於製造半導體元件的裝置，該裝置抑制在該蓮蓬 93380.doc 1355674 頭週邊部分形成粉末及顆粒以提高生產率。 本發明之附加特點及優勢將在下文描述中給出，部分特 點和優勢從該描述中顯而易見或可從本發明的實施中獐 悉。本發明的目的及其他優勢將以書面描述及權利要求及 附圖中特別指出的結構而體現和完成。 為實現該等及其他優勢’根據本發明的目的，如實施例 及概略描述，用於製造半導體元件的裝置的蓮蓬頭組裝包 含：一具有一氣體入口的背墊板；一在其末端部分與該背墊 板組合的蓮蓬頭，其中該蓮蓬頭具有複數個孔；及—裝備 在S玄蓮蓬頭週邊部分的子加熱器。 在另一方面，用於製造半導體元件的裝置包含：一腔室； 一在該腔室中用以固持基板的基座；向該腔室提供氣體的 蓮蓬頭組裝，其中該蓮蓬頭組裝包含一具有氣體入口的背 墊板、一在其末端部分與該背墊板組合的蓮蓬頭、具有複 數個孔的蓮蓬頭及一裝備在該蓮蓬頭週邊部分的子加熱 器；及一控制該腔室内部壓力的泵系統。 應瞭解前文概述及以下之詳述係示例性及解釋性的，且 欲提供本發明權利要求内容的進一步解釋。 【實施方式】 現將對附圖中說明的本發明例示的實施例進行詳細參 閱。只要可能’將在所有圖紙中使用相同參閱數字來指代 該相同或類似部件。 93380.doc 1355674 圖3為展示了根據本發明之第一實施例用於製造半導體 元件及例如沈積薄膜的PECVD裝置的示意圖。 在圖3的裝置中，在處理腔室100内執行薄獏的沈積處 理，該處理腔室100與外部相隔離且在其令形成真空的反應 工間°亥處理腔室100包含一上蓋112及一腔室體i i 4。將例 如〇-形環等密封材料116插入上蓋112及腔室體114之間，以 使處理腔室100内部與外部相密封。 藉由蓋板122將上蓋U 2與外部相隔離，且在蓋板J 22 内，穿過其内部裝備一背墊板134及一蓮蓬頭13〇。 來自外邛氣體供應器（未展示）的處理氣體通過氣體管線 (未展示），然後藉由穿過背墊板134中心的氣體入口 17〇注入 背墊板134下方的空間。該經注入的處理氣體首先藉由背墊 板134下方的擋板（未展示）加以擴散，然後通過蓮蓬頭130 的複數個通孔132均勻地喷向安置在基座16〇上的基板5的 上表面。 將供應能量以激發該經注入的處理氣體的射頻（RF)動力 源180連接至背墊板134及蓮蓬頭13〇上，藉由將該經注入的 處理氣體激活穿過蓮蓬頭130而生成電漿，由此沈積薄膜。 因此’背墊板134及蓮蓬頭130用作上電極。 將腔室體114的側面與上蓋112的蓋板122組合起來，且如 上所述，將密封材料116插入腔室體114及上蓋112的蓋板 122之間。將基座160安置在腔室體114内。基座16〇經隔開 及朝向蓮蓬頭丨30,且將基板S置於基座i6〇的上表面上。將 加熱器162置於基座160内，並在沈積處理中將基座16〇上的 93380.doc 1355674 基板s加熱至適當溫度以進行沈積。此外，基座160接地， 且用作下電極。為防止處理材料沈積在基板3的邊缘及處理 腔室100的側壁上且將基板S緊密地黏附在基座160上，邊框 164裝備在基座16〇的上表面及基板s的側面上，且使之覆蓋 基板S的邊緣。 將起模（lifting)工具（未展示）連接至基座16〇的下部且根 據基板S之載入及卸出處理腔室ι〇〇而上下移動基座16〇。 一出口 152形成於基座160下方的腔室體114的下側，以便 在完成沈積處理時將處理氣體排放到外部。 圖4係圖3ΠΒ"部分的放大圖，其展示了符合第一實施例的 蓮蓬頭組裝的週邊部分。 在圖4中，與具有複數個通孔132的蓮蓬頭13〇的中心部分 相比，與背塾板134的連接部分135b相組合的蓮蓬頭13〇的 末端部分13 la具有一薄板形，意即水平方向薄而長的外 形。因此，在末端部分131&中，蓮蓬頭13〇的下表面接近其 上表面。雖然蓮蓬頭130的末端部分131a高於蓮蓬頭丨3〇的 中刀’但疋末端部分131a的位置可變。 如果蓮蓬頭130的末端部分131a具有薄而長的外形，那麼 蓮蓬頭130的末端部分1313及背墊板134的連接部分13讣組 5可此不穩固。為了穩固地組合蓮蓬頭i 3 〇和背墊板13 4， 在蓮蓬頭130末端部分1313下方裝配一夾持桿138，用其來 支撐蓮蓬頭130的末端部分13ia β 藉由一連接構件142如螺栓將背墊板134的連接部分 ⑴b、蓮蓬頭13G的末端部分⑶认夹持桿丨38組合起來並 93380.doc 14 1355674 進行電連接。 有益的是’在與背墊板134的連接部分135b相組合的蓮蓬 頭130的末端部分i3ia内，一凹面131c形成於噴淋頭130的 上表面上。然後，一垂直部分131b形成於蓮蓬頭13〇的末端 部分131a及凹面i31c之間，且連接蓮蓮頭13〇的末端部分 13 la及凹面13 lc。 垂直部分13 lb與夾持條138隔開，以便凹面131c向外部膨 服。 將複數個絕緣體144、146和148插入週邊部分（蓮蓬頭13 0 及背墊板134之組合處）及一側蓋12〇之間，用以自側蓋u〇 中電隔離蓮蓬頭130及背墊板丨34，及用以保持處理腔室100 内部為真空。例如，為防止在側蓋120及該上電極（即蓮蓬 頭130背墊板134)之間生成電漿，在背墊板134的連接部分 13 5b、蓮蓬頭130的末端部分131a及夹持桿138的外部形成 一陶瓷絕緣體144，從而自側蓋丨2〇中電隔離該上電極。沿 該末端部分13 la下方的夾持桿138之下表面及陶瓷絕緣體 144之下表面安置—陶瓷膨脹部件146，並使其穿過側蓋12〇 的部分下表面。將一PTFE(聚四氟乙烯）絕緣體148安置在背 墊板134的末端部分135a及側蓋120之間，且電隔離背墊板 134的末端部分135a及側蓋12〇。在PTFE絕緣體148及背墊板 134的末端部分135a之間及在PTFE絕緣體ι48及側蓋12〇之 間插入一 0-形環149用以保持處理腔室1〇〇真空及與外部相 隔離。 圖5根據本發明第一實施例示例了歸因於自基座傳導之 93380.doc -15- 1355674 熱而膨脹的蓮蓬頭截面圖。如圖5中所示，在與背墊板i34 的連接部分135b組合的末端部分13_，在蓮蓬頭i3〇上表 面上形成凹面13 lc^若蓮蓬頭自基座（未展示）中吸熱，則凹 面131c會向外膨脹。因此，既使歸因於 存在熱膨騰差異，包括了末端部分131a的蓮蓬頭13^ = 部分也不會扭曲變形。因此，可在該基板之全部區域均勻 地控制该基板之上表面上的沈積速率。 特別的是，因為插在凹面131(：及蓮蓬頭13〇的末端部分 131&之間的垂直部分1311>與夾持桿138相隔開，所以垂直部 分131b可.自然地向外膨脹β因此，可有效控制因熱應力引 起的蓮蓬頭130的變形，且因為連接至背墊板134的末端部 分131a未受到蓮蓮頭13〇膨脹力的影響，所以大大地減少了 末端部分131a周圍的摩擦力。 同時’自基座（未展示）及基板（未展示）輻射至蓮蓬頭13〇 的熱能中，蓮蓬頭130週邊部分的熱能藉由蓮蓬頭丨30的末 端部分13 1 a傳導至背墊板134上。在本發明中，因為蓮蓬頭 13 0的末端部分丨3 1 a於蓮蓬頭丨3 〇中心部分具有一薄板外 形，所以極大地減少了傳導至背墊板Π4的熱，且有效地擋 止了傳導至背墊板134的熱。在本發明中，在未使用熱交換 器時’可以降低背墊板134的溫度，且不損壞PTFE絕緣體 148和〇-形環149。 圖6係根據本發明之第二實施例例示一 PECVD裝置的截 面示意圖，及圖7為圖6"B"部分的放大圖。省略了與第一實 施例相同的部分的解釋。 93380.doc -16- 1355674 在圖6及圖7中，因為一蓮蓬頭130週邊部分131的溫度通 常低於蓮蓬頭130中心部分的溫度，所以將一子加熱器2〇〇 裝備在蓮蓬頭130週邊部分131内，以便增加蓮蓬頭130的週 邊部分13 1的溫度。將子加熱器200插入溝槽130a中，溝槽 l3〇a形成於蓮蓬頭130週邊部分131内蓮蓬頭130的上表面 -上’且使子加熱器200穿過背墊板134及蓮蓬頭130上方的上 . 蓋板122以與處理腔室1〇〇外的動力源（未展示）相連接。有益 的是，在子加熱器200分別穿過的上蓋板122及背墊板134的 上表面上安裝一子加熱器夾持桿212及一密封托架214以固 ® 定子加熱器200。 子加熱器200包含一加熱管線202、一第一遮罩204及一第 二遮罩206。加熱管線202安置在第一遮罩204内，且第一遮 罩204藉由第二遮罩206包圍。意即，第一遮罩204形成於加 - 熱S 202之外及第·—遮罩206形成於第一遮罩204之外。第一 及第二遮罩204及206可分為兩層。 第一遮罩204短於加熱管線202,及第二遮罩206短於第一 · 遮罩204。因此’第一遮罩204穿過蓮蓬頭130中的背墊板134 - 及上蓋板122’及第二遮罩206僅穿過蓮蓬頭130中的背墊 板。然而，第一遮罩204和第二遮罩206可變。 圖8 A係本發明之子加熱器的垂直切割圖，及圖8B為沿圖 8A VIII-VIII的裁面圖。在圖8A及圖8B中，如上所述，子加 熱器200包含中心的加熱管線2〇2、依次封裝加熱管線202的 第一遮罩204及第二遮罩206。第一遮罩204及第二遮罩206 可分為兩層’意即，内部的絕緣芯2〇4a及206a以及外部的 93380.doc 1355674 金屬鞘2〇4b和2〇6b。金屬鞘2(Mb和206b可用相同材料成形 或可用不同材料成形《理想地，第一遮罩2〇4的金屬鞘2〇4b 用不銹鋼成形而第二遮罩206的金屬鞘206b用鋁成形。加熱 管線202可用鎳或鎳鉻鐵合金成形，而絕緣芯2〇43和2〇6&可 用氧化鎮（MgO)成形。 子加熱器200經彎曲且將子加熱器200的下部分插入圖6 的蓮蓬頭130中。意即，將子加熱器2〇〇的下部分安置在圖7 蓮蓬頭130的溝槽130a中。子加熱器2〇〇的上部分穿過圖6的 背墊板134及上蓋板122。 圖9A至9D根據本發明展示了將子加熱器插入該蓮蓬頭 上表面的過程。 在圖9A中，一溝槽i30a成形於蓮蓬頭13〇的上表面上其一 端的週邊部分131内。溝槽i30a可沿蓮蓬頭13〇的週邊部分 131成形，其可為正方形狀。每個溝槽13〇&可成形於蓮蓬頭 中心部分的兩側，且相互面對。有益的是中心部分兩側的 凹面130可相互隔開。 在圖9B中，子加熱器2〇〇插在溝槽13〇&中。如果若干溝槽 130a相對於中心部分相互面對地成形，那麼若干子加熱器 200可分別插在溝槽i3〇a申。在該種狀況下，蓮蓬頭13〇週 邊部分13 1的溫度會更均勻。 在圖9C中，一鋁條220安置在溝槽13〇a中的子加熱器2〇〇 上，且與溝槽130a的上區和週邊區相焊接（圖9D，23〇)。因 此，除了加熱器200穿過圖7中背墊板134及上蓋板122的區 域外，子加熱器200不會曝露在蓮蓬頭13〇的外部。 93380.doc •18· 1355674 因此，在本發明中，因.為該子加熱器裝備在蓮蓬頭週邊 部分（連蓬頭在此處與背墊板組合）内的上表面上，所以眈使 相對於中心部分該蓮蓬頭週邊部分的溫度降低了，但該蓮 蓬頭週邊部分的溫度增加了。因此阻止了顆料的形成，且 歸因於_心及週邊部分的熱膨脹率大大致相等該蓮篷頭 的熱應力得以控制。 圖為根據本發明之第三實施例例示了一部分蓮蓬頭組 裝的視圖。與圖6和圖7第二實施例不同，第三實施例的蓮 蓬頭組裝具有一外圍，其内蓮蓬頭130和背墊板134相互組 合。 意即，在第三實施例中，如第一實施例中所述，蓮蓬頭 130的週邊部分131a具有薄而長的外形，並且如第二實施例 中所述，子加熱器2〇〇插在蓮蓬頭13〇週邊部分131&的内 部。由此補償了週邊部分131a低於蓮蓬頭13〇中心部分的溫 度，及因此阻止了由於不同熱膨脹率而導致的蓮蓬頭13〇週 邊部分13 1 a的扭曲變形β 因此，根據第三實施例該蓮蓬頭可同時解決各種問題， 諸如薄膜的不均勻沈積及由於轉換及蓮蓬頭組裝週邊部分 的溫度下降而導致污染物的形成。 藉由控制蓮蓮頭各部分的差異熱損耗所引起的熱失衡， 本發明PECVD裝置的蓮蓬頭具有下列優勢。 第一，補償了蓮蓬頭週邊部分（其溫度低於中心部分的溫 度）的熱損耗，且抑制了粉末和顆粒的形成。因此，由於更 短的清理週期頻率，所以更大地提高了生產率。 93380.doc 1355674 隨著基板尺寸的增大該蓮蓬頭具有大尺 儘官迷逢頭的溫度升高，該蓮蓬頭仍可側向膨脹而不會扭 曲變形。因此，在所右F β & 曰 β 因此在所有Q域中，基板和蓮蓬頭之間的距離 是均勻的，及形成一均勻薄膜。 第-ϋ為具有薄板外形的蓮蓮頭的末端部分極大地減 少了自該蓮蓬頭至該背墊板傳導的熱，所以*須要熱交換 器。從而降低裝置的費用，且因為降低了蓮蓬頭週邊部分 中的熱損耗，所以在所有區域中維持了熱平衡。 因為最大限度地降低了由於蓮蓬頭各部分及基座的溫度 差異而引起的基板溫度失衡’所以該基板邊緣的不平穩溫 度及該基板傾向熱膨脹得以抑制。因此，薄膜得以均勻地 沈積於該基板的各區域，從而獲得優質薄獏。 熟悉此項技術者明瞭在本發明的製作及應用中產生的各 種修正型及變型不脫離本發明的精神或範疇。因此，本發 明欲涵蓋該等修正型及變型且將其提供在所附專利申請範 圍及其均等物中。 【圖式簡單說明】 圖1為例示了相關技術PECVD裝置的示意圖。 圖2為圖ι"Α"部分的放大圖。 圖3為顯示根據本發明之第一實施例展示的用於製造半 導體元件的PECVD裝置的示意圖。 圖4為圖3”Β”部分的放大圖。 圖5為根據本發明之第一實施例例示的歸因於自基座傳 93380.doc -20· 1355674 導的熱而膨脹的一蓮蓬頭的截面圖。 圖6為根據本發明之第二實施例例示了 _ PECvd裝置的 戴面示意圖。 圖7係圖6"B"部分的放大圖。 圖8A為本發明之子加熱器的垂直切割圖，及圖8b為沿圖 8A VIII-VIII的戴面圖。 圖9A至9D為展示了根據本發明將子加熱器插入該蓮蓬 頭上表面過程的視圖。 圖10為例示了根據本發明之第三實施例的一部分蓮蓬頭 組裝的視圖。 【主要元件符號說明】 10、 100 處理腔室 12、 '112 上蓋 14、 114 腔室體 16、 49 、 149 0-形環 20、 120 側蓋 22、 122 蓋板 30、 130 蓮蓬頭 32、 132 通孑L 34、 134 背墊板 42 螺栓 44、 46 、 48 、 144 、 146 、 148 絕緣體 52、 152 出口 93380.doc -21 · 1355674 60 ' 160 基座 62 、 162 加熱器 64 、 164 邊框 70 > 170 氣體入口 80 ' 180 射頻（RF)動力源 116 密封材料 130a 溝槽 131 週邊部分 131a ' 135a 末端部分 131b 垂直部分 131c 凹面 135b 連接部分 138 、 212 夹持桿 142 連接構件 200 子加熱器 202 管線 204 第一遮罩 204a ' 206a 絕緣芯 204b 、 206b 金屬鞘 206 第二遮罩 214 密封托架 220 1呂條 230 焊接 93380.doc • 11 ·

Claims (1)

  1. 號專利申請案 專丨利範圍替換本(99年12月） 十、申請專利範圍： 1. 一種用於製造一半導體元件的一裝置的蓮蓬頭組裝，其 包括： 一具有一氣體入口的背墊板； 一蓮蓬頭’其包含具有複數個孔之一中央部份及環繞 該中央部份且不具有孔之一週邊部分，其中該蓮蓬頭在 該週邊部分之一區塊與該背墊板組合，且該中央部份及 該週邊部分係為一體的；及 一裝設在該蓮蓮頭週邊部分且穿過該背墊板的子加熱 2.如請求項1之蓮蓬頭組裝，其中該子加熱器包含一加熱管 線、一封裝該加熱管線的第一遮罩， 之第二遮罩D 及一環繞該第一鞘 3·如請求項2之蓮蓬頭組裝， 一個係由一絕緣芯及一金屬鞘組成。
    (Mg〇) 〇 ，其中該第一和第二遮罩中之每
    不銹鋼形成。
    鋁形成。 6.如 如請求項2之蓮蓬頭組裝，其中該第 線，及該第二遮罩短於該第—遮軍。 遮罩短於該加熱管
    93380-99l208.doc 1355674 其中形成該等複數個孔的部分薄。 ?·如凊求項8之蓮蓬頭組裝，其中該蓮蓮頭包含一在該末端 部分與該等複數個孔之間的凹面。 ίο. —種用於製造—半導體元件之裝置，包括： 一腔室； 一在該腔室t用以將一基板固持在其上之基座； 向该腔室提供氣體的蓮蓮頭組裝，該蓮蓮頭組裝包 括： 、’ • 一具有一氣體入口的背墊板； 蓮蓮頭其包含具有複數個孔之一中央部份及環繞 該甲央。P份且不具有孔之—週邊部分，其中該蓮蓬頭在 該週邊部分之一區塊與該背墊板組纟，且該中央部份及 . 該週邊部分係為一體的；及 一裝設在該蓮蓬頭週邊部分且穿過該背墊板的子加埶 器；及 …
    —控制該腔室之内部壓力的泵系統。 月求項10之裝置，其中該子加熱器包含一加熱管線、 第；遮罩及-第H該第-料封裝該加熱管 線，垓第二遮罩環繞該第一鞘。 12.如請求項^之裝置， 具f該第一及苐二遮罩之每一個係 由一絕緣芯及一金屬鞘構成。 13. 如請求項12之裝置 14. 如請求項12之裝置 鋼形成。 其中該絕緣芯包含氧化鎂（MgO)。 其中該第一遮罩的金屬鞘可由不銹 93380-991208.doc 1355674 . _. -一—-—. ·~ , m替麵 .丨丨铧》«…ί ^ 」 15. 如請求項12之裝置，其中該第二遮罩的金屬鞘可由鋁形 成。 16. 如請求項10之裝置，其中該蓮蓬頭的該末端部分比其中 形成該等複數個孔的部分薄。 17. 如請求項16之裝置，其中該蓮蓬頭包括一在該末端部分 及該複數個孔之間的凹面。 93380-991208.doc
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