TWI354871B - Novel photoresist material and photolithography pr - Google Patents

Description

1354871 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種光微影技術，且特別是有關於— 種新的光阻材質以及微影製程。 【先前技術】 當積體電路中的圖型尺寸已經縮到25〇奈米甚至更 小，習知的光微影技術在光阻圖案化製程中欲達到更高的 解析度即遇到了挑戰。舉例來說’氟化氪準分子雷射所產 生的具有248奈米紫外線以及氬氟準分子雷射所產生的具 有193奈米紫外線之深紫外線（DUV)，應用這類短波長之光 源可在積體電路上形成更小的圖形尺寸，# m奈米、9〇 奈米以及65奈米。然而，深紫外放射線與許多不同形式之 光阻並未具有可相容性。因此…種新的光阻材質，如化 學增幅型阻劑，被運用在深紫外線的技術上。但在化學增 幅劑中’光會在曝光的區域產生酸’並且擴散至未曝 光之區域造成潛影模糊以及曝光影像的橫向偏壓。 因此，如何能提供一種全新改良後的系統以及穿程來 輔助深紫外線技術以及其他形式的光微影技術；並:提供 新的光阻材質以解決習知光阻材質所產生的問題，及成 為追求之目標。 【發明内容] 因此’本揭露提出一材質可應用在微影製輕令。此材 1354871 99年6月30日修正替換頁 質包含了在與酸反應的狀態下可溶解於基本溶劑的聚合 物；以及複數個磁性增幅產生劑（MAGs)，其中每一磁性增 Ί>田產生劑具有一磁性單元（magnetic yement)並且與放射能 反應分解形成與磁性單元連結之酸。 在實施例中，磁性單元可以是含鐵之磁性化學族群也 可以包含了至少一摻雜有過度金屬離子的磁鐵礦（FqOj以 及赤鐵礦（Fe2〇3)。磁性單元是選自由鐵（Fe)、鈷（Co)、鎳 _ (Nl)、銃（Sc)、鈦（Ti)、釩（V)、鉻（Cr)、錳（Μη)、鋼（cu)、 辞（Zn)、鈉（Na)、鉀（K)、鎂（Mg)、鈣（Ca)、鋁（A1)、鎵（Ga) 所組成之群組、上述元素之混合物以及化合物。磁性單元 之線性尺寸係介於〇.1微米至1〇微米間之範圍。另外，磁 性單元具有一複合結構（c〇mposite structure)且可用化學的 . 方式連接於複數個電磁增幅產生劑的其中之—。結構之材 質為複數個可中和酸性元素的抑制劑。這些抑制劑包含了 與其連結之第二磁性單元。每一個磁性增幅產生劑具有一 B 多環芳香族。 本揭露同時提出一微影製程的方法。此方法包含了在 基材上形成一光感層。此光感層具有一聚合物以及複數個 磁性增幅產生劑。此聚合物在與酸進行反應時可溶解於基 本溶劑中，而磁性增幅產生劑在與放射能進行反應時會分 解形成與磁性單元結合之酸。本方法更包含了將此光感層 曝光於放射能中’且對此位於基材上之光感層導入一磁 場’然後進行顯影以及曝光。 在實施例中，可在與基材垂直之方向上導入一在預設 7 1354871 99年6月30日修正替換頁 頻率上改變振幅以及方向性之間隔性磁場。另外，可利用 夕層結構的方式來形成光感層。本發明之方法更可包含在 曝光與顯影的步驟之間對光感層進行供烤之步驟。此烘烤 的步驟可和磁場的導入同時進行。使用之基材可以是半導 體基材、光罩基材或者TFT_LCD基材。此光感層之曝光製 程可利用浸潤式微影的方式完成。 本揭露更提出了一微影製程設備。此設備具有一反應 # 至、一基材座檯以及一磁性模組。基材座檯位於反應室内 且供一基材置放，而磁性模組提供一磁場至位於基材座檯 上之基材。此設備更包含一放射源以及一聚焦鏡。聚焦鏡 可接收由放射源所產生之放射能，並且將此放射能導入位 •於基材座檯上之基材。磁性模組可產生一具有可調性以及 、週期性之磁場，且此磁場的方向是和位於基材座檯上之基 材呈垂直。此設備更具有可對位於基材座檯上之基材加熱 之烘烤模組。此設備更包含一提供流體之流體模組，且此 0 流體在浸潤式微影製程中容置於此流體模組。 【實施方式】 下述的揭露當令提出了許多能實現本發明各種不同特 徵之實施例或者範例。在實施例中，有關成分以及排列方 式的揭露能夠清楚簡潔地闡明本發明。範圍並未限定在所 揭露之實施例。舉例來說，第一特徵與第二特徵之結構是 相互重疊’因此可包含兩種實施情況，一為第一特徵與第 二特徵為直接接觸重疊之第一實施例，第二實施例為有一 8 1354871 99年6月30日修正替換頁 新特徵插入位於第一特徵與第二特徵之間，此第二實施例 之第一特徵與第二特徵並未直接接觸重疊。此外，揭露在 各實施例中之參考數字以及字母係用以簡潔地闡明本發 明，並非限定實施例或者排列間之關係β 第1圖係本發明利用磁性增幅型阻劑的微影圖案化方法 100之實施例之流程圖》第2至5圖係一利用磁性增幅型阻 劑的半導趙元件200在光微影製程各階段之剖面圖。第6 φ 圖係一處理磁性增幅型阻劑並且應用在第1圖中方法1〇〇 之微影設備300之示意圖。藉由參照第1圖至第6圖，本 發明之方法100、利用此方法1〇〇之半導體元件2〇〇、微影 設備300以及磁性增幅型阻劑22〇(magneticallyampHfied . resist，MAR)都共同地揭露在當中。 . 參照第1圖以及第2圖。方法1〇〇之起始步驟係在 半導體元件200之基材210上形成一磁性增幅型阻劑22〇。 此半導體元件200可為一半導體晶圓或其他適當之元件。 φ 在本實施例中，基材210為矽晶片。基材之材質也可為其 他適合的半導體材質，如鍺（Ge)、矽鍺（siGe)或是砷化鎵 (GaAs)。另外’基材210可為一非半導體之材質，如薄膜 電晶體液晶顯示器所使用之玻璃基板。更可是其他如低介 電材質、氧化物或導體。而且基材21〇可包含一個或一個 以上用以圖案化之材質層。此外，基材210更可是一底部 抗反射薄膜層（bottom anti reflecting coating，BARC)。 磁性增幅型阻劑220在基材210上形成。舉例來說， 磁性增幅型阻劑22〇可形成於基材21〇之底部抗反射薄膜 9 1354871 99年6月30日修正替換頁 層（BARC)上。在本實施例中，磁性增幅型阻劑220之厚度 大約介於50埃至5000埃的範圍當中。而在另一實施例中， 磁性增幅型阻劑220之厚度大約介於500埃至2000埃的範 圍當中。磁性增幅型阻劑220可藉由如旋塗式覆蓋之技術 來形成，而此步驟可接續在軟烤製程之後進行。 磁性增幅型阻劑220含有一聚合材質，而當此聚合材質 與酸起反應時，其係可溶於顯影劑這類基本溶劑當中。磁 性增幅型阻劑220之聚合物中填滿了溶劑，而部分的溶劑 會在先前之烘烤製程中揮發。磁性增幅型阻劑220也包含 了一磁性增幅產生劑 230(magnetically-amplified generator, MAG)，而磁性增幅產生劑230分子貝1散佈在溶劑或者是聚 合物當中。當吸收光能（或者放射能）時，磁性增幅產生 劑230分解形成少量與磁性單元（magnetic elemrnt)結合之 酸（請參考磁酸化合物）。在本實施例當中，磁性增幅產生 劑230含有一多環芳香族（polycyclic aromatic group)。磁性 增幅產生劑230的濃度是介於磁性增幅型阻劑220的lwt %至20wt%濃度之間。磁性增幅產生劑230在本實施例當 中是用來取代光酸產生劑（photo-aci'd generator, PAG)並且 與聚合物共同組成磁性增幅阻劑。磁性單元可以化學或是 其它的方式結合於磁性增幅產生劑230。在吸收光能之後， 磁性單元與磁性增幅產生劑230所形成之酸對應結合。 磁性單元可以是一含鐵之磁性化學基群。在其中一實 施例中，磁性單元具有至少一磁鐵礦（Fe304)以及赤鐵礦 (Fe2〇3)。在另一實施例中，磁性單元包含一過渡金屬，如 1354871 99年6月30日修正替換頁 摻雜有過渡金屬離子之磁鐵礦（Fe304)或赤鐵礦（Fe203)。在 其他實施例中，磁性單元包含了元素週期表中1A、2A或 3A族中的原子，如鈉（Na)、鉀（K)、鎂（Mg)、鈣（Ca)、鋁（A1) 或鎵（Ga)。磁性單元也可以是鐵（Fe)、鈷（Co)、鎳（Ni)、釩 (Sc)、鈦（Ti)、釩（V)、鉻（Cr)、錳（Μη)、銅（Cu)、鋅（Zn)、 鈉（Na)、鉀（K)、鎂（Mg)、鈣（Ca)、鋁（A1)、鎵（Ga)以及上述 元素所組成之混合物或者化合物。另外，磁性單元之線性 尺寸係介於0.1微米至10微米間之範圍。磁性單元具有一 複合結構（composite structure)，如氧化鐵以物理或其他方 式結合於機化合物上或為有機化合物所封閉之結構。 另一方面，磁性增幅型阻劑220也具有一分佈於溶劑以 及聚合物内之抑制材質（未顯示於圖中）。抑制材質 (quencher material)可為基本的樣式並可中和酸性。抑制劑 可全體或部分地抑制磁性增幅型阻劑220中其他的主動成 分，如磁性增幅產生劑230以及酸。抑制劑的濃度範圍是 介於磁性增幅型阻劑220的0.5 wt%至10wt%濃度之間。 在實施例中，抑制劑具有一與其結合之磁性單元，如同與 磁性增幅產生劑230結合之磁性單元。 請參照第1圖以及第3圖。方法100之步驟104是將 磁性增幅產生劑230用光能進行曝光。當微影圖案化製程 進行到步驟104時，磁性增幅型阻劑220透過一個設計有 預設圖型之光罩暴露於放射能中，如深紫外線（deep ultra-violet，DUV)。因此在磁性增幅型阻劑220上會產生複 數個未曝光之圖案220a以及複數個曝光之圖案220b。放射 1354871 99年6月30日修正替換頁 能可為由氬氟準分子雷射（Argon Fluoride excimer lasers)所 產生之波長為193nm之光束，或者是由氟化物準分子雷射 (Fluoride excimer lasers)所產生之波長為157nm之光束。在 磁性增幅型阻劑220上曝光之磁性增幅產生劑230被分解 成陰離子以及酸240，因此造成曝光之磁性增幅型阻劑比其 他未曝光之磁性增幅型阻劑更容易溶解於水。在曝光的區 塊220a中，由光能與磁性增幅產生劑230作用所產生之酸 240具有一與其結合之磁性單元，參照前述之磁酸化合物 (magnetic acid, MC)。曝光製程可使用了微影製程設備，如 掃描器、步進機、濕式微影工具機，或者是集束型製程設 備。這兩種類型的設備可進行曝光製程並將磁場導入磁性 增幅型阻劑220中（容後詳述）。 請參照第1圖以及第4圖。方法100之步驟106是將一 磁場250導入磁性增幅型阻劑220中。因此，在磁性增幅 型阻劑220上曝光區塊大量的磁酸240被磁場所驅動且沿 著一與基材210表面垂直之Z轴上下移動。在本實施例中， 磁場250週期性或任意地改變向上或向下移動的方向，且 沿著Z軸具有一斜度範圍（gradient in magnitude)。因此， 磁酸在磁性增幅型阻劑220的曝光區塊上沿著Z軸上下運 動進而產生化學增幅效應，也在曝光區塊上形成更多的酸 245。此外，當磁性增幅型阻劑220置於顯影劑當中，化學 增幅效應所產生的酸245增加了曝光區塊中磁性增幅產生 劑230的溶解度。因為化學增幅效應是由磁場250所產生 並且取代了高溫烘烤的製程，所以酸240在阻劑上的橫向 12 13M871 99年6月30日修正替換頁 擴散也隨之減少。此外，化學增幅效應所持續的時間也被 縮短。舉例來說’應用在磁性增幅型阻劑22〇之磁場㈣ 可維持—短週期的時間，例如介於1G秒至6〇秒之間。因 為時間的縮短，所以因化學增幅效應所產生之磁酸以 及酸245的擴散也減少。因此’微影圖案化的解析度就被 提高。 磁場250可以係由一磁性裝置或者一集束設備所產生， •如第6圖中所繪示之集束微影設備則。集束微影設備3〇〇 係用來提供一磁場（如磁場25〇)，且包含了-基材座檯310 用以固定-基材320使其能夠被集束微影設備3〇〇進行圖 案化製程。基材座檯31〇可因應集束微影設備3〇〇來移動 基材例如’基材座檯31〇可以移動或轉動的動作來完成 .基材的自對準、步進以及掃瞒製程。基材座檯則可包含 了各種適合執行精確移動之裝置。置放在基材座檯31〇上 且被集束微影設備300進行處理的基材32〇可以是一半導 _ 體晶圓，如半導體元件2〇〇β 集束微影設備300包含了 一個或多個的影像透鏡系統 33〇 (凊參照透鏡系統）。基材32〇可位於基材座檯31〇之 上以及透鏡系統330之下。透鏡系統33〇更包含一個光源 系統（例如聚光器），也可與和光源系統成為一體。光源系 統具有單一或複數個透鏡或者其它的透鏡元件。舉例來 說，光源系統包含了微透鏡陣列、遮罩或者其它的結構。 透鏡系統330更包含一個具有單一透鏡元件或者複數個透 鏡疋件之聚焦鏡。其中每一個透鏡元件包含一透明基材以 13 1354871 99年6月30日修正替換頁 及複數個覆蓋層。此透明基材可為一習用之聚焦鏡，也可 是由二氧化矽（Si〇2)、氟化鈣（CaF2)、氟化鋰（LiF)、氟化鋇 (BaF2)或者是其他適合之材質所製成。應用於每一個透鏡元 件上之材質視光的波長而決定，目的是在微影製程中減少 光之吸收以及散射。 集束微影設備300包含了 一浸潤流體容置模組340用以 容納一浸潤流體350或是其他適當之流體，如一清潔液。 浸潤流體容置模組340位於透鏡系統330周圍，除了容納 浸潤流體外更具有其他之功能。應用於集束微影設備300 之浸潤流體可以是水（水溶液或者是解離水de-ionized water, DIW)、氣體或是其他適合之流體。浸潤流體容置模 組340具有不同的孔洞（或者是喷嘴）用以在曝光製程中 供給浸潤流體或者執行其它的功能。如圖6所示，浸潤流 體容置模組340具有供流體輸入之孔洞342用以將浸潤流 體輸導入位於透鏡系統330與基材座檯310上基材320之 間之容室。 集束微影設備300更具有一放射源。此放射源可以是 紫外線（UV)或者是深紫外線（EUV)之放射源，如放射線之波 長為436nm(G-line)或365nm(I-line)之水銀燈；放射線之波 長為 248nm之亂化氣準分子雷射（Krypton Fluoride excimer laser);放射線之波長為193nm之氬氟準分子雷射 (Argon Fluoride);放射線之波長為157nm之氟化物準分子 雷射或者其他具有理想波長之光源（波長約在100nm以 下）。集束微影設備300具有一反應室用以提供各種元件以 1354871 99年6月30日修正替換頁 及基材進行加工處理。此反應室可為一真空的環境或者是 含有惰性氣體之低壓環境。 集束微影設備300可在微影製程當中提供一光罩。光罩 可以是透明的基材或圖案化之吸收層。此透明基材可使用 良率較高之二氧化石夕，如娃棚酸玻璃（borosilicate glass)以 及鈉約玻璃（soda-lime glass)。也可由氟化約（calcium fluoride)或其他適合的材質所製成。圖案化之吸收層是由許 多材質組合並並經過多道製程後所產生，如沉積一層成分 為鉻（Cr)以及氧化鐵（iron oxide)之金屬薄膜層，或者是成分 為矽化鉬（MoSi)、锆英石（ZrSio)、氮化矽（SiN)或氮化鈦（TiN) 之無機薄膜層。 在本實施例中，集束微影設備300具有一磁性模組360 用以提供磁場至基材座檯310上之基材320(如第4圖中所 示之磁場250)。磁性模組360可以磁性地鄰接於集束微影 設備300。在本實施例中磁性模組360是鄰接於浸潤流體容 置模組340。磁性模組360中的導體或者導線可根據磁場 250不同的要求而設計。磁性模組360更包含一供電裝置用 以提供一具有適當磁性以及頻率之電流至導體或導線來產 生磁場250。舉例來說，第6圖中環繞浸潤流體容置模組 340之導線為一磁性螺線管。集束微影設備300在步驟106 中可導入一磁場250至磁性增幅型阻劑220曝光區塊上之 磁酸240,另外在步驟104中對磁性增幅型阻劑220進行一 曝光製程。磁性增幅型阻劑220在製程當中可同時進行步 驟104以及步驟106。集束微影設備300更包含一提供高溫 15 1354871 99年6月30曰修正替換頁 烘烤模組用以烘烤基材座檯31〇上之基材32〇。 請參照方法1〇〇之步驟106，步驟1〇6是導入一磁場25〇 至磁性增幅型阻劑220，另外也可於步驟1〇6導入磁場25〇 之前 '之間或者之後施以一烘烤製程。與習知的曝光後烘 烤製程相較之下’導入磁場250時同步進行烘烤製程會有 低溫以及低耐度之功效，因此可提高性能並加速生產能力。 "月參照第1圖以及第5圖。在步驟丨時磁性增幅型 • 阻劑層220在顯影劑令進行顯影。位於曝光區塊之磁性增 幅型阻劑層則被溶解。顯影劑可以是主成分為氫氧化四曱 銨（tetramethylammonium hydroxide, TMAH)的溶劑。磁性單 元可化學或者離子的結合於顯影劑用以中和或減少顯影製 .程後磁性增幅型阻劑層220中的磁性單元。方法1〇〇可在 步驟1〇8後進行其它的製程步驟，如烘烤、蝕刻/離子佈植 以及磁性增幅型阻劑層的剝除。 本揭露提供一應用於微影圖案化製程的材質、方法以 φ 及3又備。本發明可在不脫離本揭露之精神下做各種的變 化。在實施例中，集束微影設備300只提供一磁場並且進 行方法100令的步驟106;或者只提供一高溫以及一磁場至 基材上之磁性增幅型阻劑層。在其他應用本揭露材質、方 法或者設備的實施例令’並未限制於在半導體的基材上進 行圖案化，其它的基材，如TFT-LCD的玻璃基材或者應用 於光罩的透明基材（如熔凝石英）也可應用本揭露之材質、 方法或者設備進行圖案化。另一方面，本發明中步驟1〇4 的曝光製程也可利用其它的技術’如無光罩微影技術、χ 16 1354871 99年6月30日修正替換頁 射線微影技術、電子束寫入或者離子束寫人之技術來完成。 本揭露之材質、方法以及設備中也可以利用鐵電材質。 其它的材質’如電力増幅型阻劑，具有聚合物材質，因此 可使聚合物與酸起反應時溶解於顯影劑卜此外，電力增 幅型阻劑更包含-位於聚合物中的溶劑以及一電力增幅產 生劑（electrically-amplified generat〇r，EAG)。電力增幅產 生劑分子是分佈於溶劑或者聚合物當中。當接收光能時， φ 電力增巾曰產生劑分解开^成少量帶電的酸（如電酸）。除了鐵 電材質外，電元素可為其他具有電偶極的適當材質，且此 材質可藉由化學或其它的方法結合於電力增幅產生劑。在 其匕的方法中，將電場導入電力增幅型阻劑來取代步驟 106。此電場是要驅動電酸沿著與基材表面垂直的2轴做上 - 下的運動，因而產生了化學增幅效應並且在電力增幅型阻 劑上的曝光區域形成更多的酸。另一設備提供一沿著Z轴 且具有適當磁性以及頻率之電場取代電酸並且用以驅動電 酸。 上述之内容已概要敘述本發明實施例中各技術特徵， 因此該領域所屬技術領域人員應能依據後述之詳細内容充 分瞭解本發明。該領域所屬技術領域人員應能輕易地依據 本發明揭露之内容變更或設計能達到與本發明相同功能以 及目的之製程或結構。該領域所屬技術領域人員也可在不 脫離本發明揭露内容的精神以及範圍内完成等效之結構， 或者作各種更動與潤飾。 17 1354871 99年6月30日修正替換頁 【圖式簡單說明】 ~~~· 為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例 月b更明顯易懂，所附圖式之詳細說明如下。此外在業界 標準的實務上’並未限定於各揭露之特徵。實際上各特徵 之尺寸大小可任意地增加或者減少以達到清楚闡述之目 的。 第1圖係繪示依照本發明利用磁性增幅型阻劑的微影 圖案化方法之實施例之流程圖。 第2至5圖係繪示一利用磁性增幅型阻劑的半導體元 件在光微影製程各階段之剖面圖。 第6圖係繪示一處理磁性增幅型阻劑並且應用在第^ 圖中方法之微影設備之示意圖。 【主要元件符號說明】 102 :步驟 106 :步驟 200 :半導體元件 220 :磁性增幅型阻劑 220b :曝光區 230 :磁性增幅產生劑 245 :酸 300 :微影設備 320 :基材 340 :浸潤流體容置模組 100 :方法 104 :步驟 108 :步驟 210 :基材 220a :未曝光區 225 :未曝光區 240 :酸 250 .磁場 310 :基材座檯 330 ·‘透鏡系統 1354871 99年6月3〇日修正替換頁 350 :浸潤流體 360 :磁性模組

19

Claims (1)

1354871 修制4曰修正替換頁 100 ·' 年，1—a 十、申請專利範圍： - i.—應用於微影製程之材質，包含： —聚合物’與酸反應時可溶解於一基本溶劑當中；以 及 複數個磁性增幅產生劑，其中每一磁性增幅產生劑具 有磁性單元以及一光酸產生劑’且每一該些磁性增幅產 生劑包含一多環芳香族，當磁性增幅產生劑與一放射能反 應，將分解成一與該磁性單元結合的酸 其中該磁性單元包含一成分，且該成分係選自由鐵、 鈷、鎳、銃、鈦、釩、鉻、錳、銅、鋅、鈉、鉀、鎂、鈣、 鋁、鎵、上述TG素之混合物以及上述元素之化合物所組成 之群組。 _ 2·如中請專利範圍帛i項所述之材f，其中該磁性單 元包含一含鐵之磁性化學族群。

3.如申請專利範圍第i項所述之材f，其中該磁性單 凡包含至少一磁鐵礦或赤鐵礦。 (如申請專職圍第i項所述之材t，其中該磁 4含至少-摻雜有過渡金屬離子之磁鐵礦或赤鐵礦。 -且1·如申請專利範圍帛1項所述之材質，其中該磁性單 I有-線性尺寸’且該線性尺寸之範圍介於01微米至 20 1354871 100年3月24日修正替換頁 1 〇微米之間。 6·如申請專利範圍第1項所述之材質 元匕 3 複合結構（composite structure)。 7.如申請專利範圍第1項所述之材質，其t該磁性單 元係化予地結合於其中一該些磁性增幅產生劑。

，其中該磁性單 8.如申凊專利範圍第1項所述之材質，更包含複數個 抑制劑’且該些抑制劑可中和睃性。 9.如申請專利範圍第8項所述之材質，其中該些抑制 劑包含第二磁性單元，且該第二磁性單元與該些抑制劑相 結合。 10.一應用於微影製程之方法，包含： 形成一光感層在一基材上，且該光感層含有： 一聚合物，與酸反應時可溶解於一基本溶劑當中； 以及 複數個磁性增幅產生劑，其中每一磁性增幅產生劑 具有一磁性單元以及一光酸產生劑，且每一該些磁性增幅 產生劑包含一多環芳香族，當磁性增幅產生劑與一放射能 反應，將分解成一與該磁性單元結合的酸，其中該磁性單 凡包含一成分，且該成分係選自由鐵、鈷、鎳、銃、鈦、 21 1354871 100年3月24日修正替換頁 訊、絡、猛、銅、鋅、納、_、鎮、約、铭、鎵、上述元 素之混合物以及上述元素之化合物所組成之群組； 將該光感層曝光於該放射能； 導入一磁場至該基材上之該光感層；以及 將曝光之該光感層進行顯影處理。 11. 如申請專利範圍第1〇項所述之方法，其中該導入 φ 磁場至該基材上該光感層之步驟包含導入一垂直於該基材 之磁場。 12. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中該導入 磁場至該基材上該光感層之步驟包含導入一在預設頻率上 改變振幅以及方向性之間隔性磁場。 13. 如申請專利範圍第1〇項所述之方法，其中形成該 錢層在該基材上之步驟包含形成—具有多層結構之光感 層。 14. 如申請專利範圍第1〇項所述之方法更包含： 在該曝光步驟以及該顯影步驟之間供烤該光感層。 15.如申請專利範圍第14項所述之方法 步驟可和該導入磁場之步驟同時進行。 ’其中該烘烤 22 1354871 100年3月24日修正替換頁

16.如申請專利範圍第10項所述之方法 係選自由一半導體基材、一光罩基材以及一 所組成之群組。 17·如申請專利範圍第 該光感層之步驟包含在一 ，其中該基材 TFT-LCD 基材 10項所述之方法，其中該曝光 浸潤式微影之環境中進行曝光。 23 1354871 七、指定代表圖·· (一） 、本案指定代表圖為··第（1 )圖 (二） 、本案代表圖之元件符號簡單說明： 100 :方法 102 :步驟 104 :步驟 106 :步驟 108 :步驟 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明 特徵的化學式：