TWI354324B - Substrate processing apparatus and substrate proce - Google Patents

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1354324 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種在將處理液供給至基板表面且對於該 基板表面施以特定之濕式處理之後，將因為處理液而潤濕 之基板表面予以乾燥之基板處理裝置及基板處理方法者。 另外，在作為乾燥處理對象之基板中，係包含半導體晶 圓、光罩用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、電裝顯示用 玻璃基板、FED(Field Emission Display，場發射顯示器） 用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板等。 【先前技術】 自以往以來即提出許多乾燥方法，俾在藉由藥液之藥液 處理及藉由純水等之清洗（rinse)液之清洗處理之後，將附 著於基板表面之清洗液予以去除。作為其中之一之乾燥方 法已知有使用包含表面張力較純水更低之ipA(is〇pr〇pyl alcoho卜異丙醇）等之有機溶劑成分之液體（低表面張力溶 齊J)者。以此乾燥方法而言，例如有專利文獻丨所記載之乾 燥方法。在執行此乾燥方法之基板處理裝置中，係對於基 板表面進行氫氟酸之後，將純水供給至基板表面以施行洗 ，處理（清洗處理）。接著在純水之供給停止後不間斷地或 是在從供給純水之中途將脱供給至基板之表面。藉此， IPA即溶解於基板表面上之純水，而純水即由心所置換。 之後，藉由將基板高速旋轉而使IpA從基板表面去除，以 進行基板表面之乾燥處理。 卜在專利文獻2所記載之阻劑（resist)顯影方法中， I20581-20110624.doc 1354324 係以下列方式一面謀求基板表面上之微細之汙物之量之降 低，一面使基板表面乾燥。首先，在阻劑顯影後將純水供 給至基板以進行純水洗淨（清洗處理）^之後，將含有容量 比10%左右之IPA之純水（IPA水溶液）供給至基板以進行基 板之洗淨。接著，一面使基板高速旋轉一面使基板旋轉乾 燥。 [專利文獻1]曰本特開平9-38595號公報（圖5) [專利文獻2]日本特開平3-209715號公報（圖 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 然而’為了要在清洗處理後將基板表面上之純水置換為 IPA或IPA水溶液，必須將IPA或IPA水溶液送入基板表面之 各部。因此，若執行藉由IPA或IPA水溶液之置換處理，則 表面張力較該純水低之液體（低表面張力溶劑）就會被送入 附著於基板表面之純水之各部。如此一來，在基板表面上 之各部即會根據純水與低表面張力溶劑之間之表面張力差 而引起對流（馬諾哥尼（Marangoni)對流）。藉此，即助長基 板表面上之液體之攪拌’且使基板表面上之液體曝露於基 板表面之周圍氣體環境（空氣）之機會增加。其結果，附著 於基板表面之液體（IPA或IPA水溶液）之溶氧濃度會隨著置 換處理之進行而提高，而會有基板表面之全部或一部分氧 化’而於基板表面形成乳化膜，或產生水印（watermark)之 問題。 本發明係有鑑於上述問題而研創者，其目的為在使用 120581-20110624.doc 1354324 IPA等之低表面張力溶劑以使因為處理液而潤濕之基板表 面乾燥之基板處理裝置及基板處理方法中，一面防止基板 表面產生水印，一面使基板表面良好地乾燥。 [解決問題之技術手段] 本發明為一種基板處理裝置，係在將處理液供給至基板 表面以對於該基板表面施以特定之濕式處理之後，將表面 張力較處理液更低之低表面張力溶劑供給至基板表面之 後’再從基板表面將該低表面張力溶劑予以去除，藉此使 基板表面乾燥者，為了達成上述目的，其特徵為包含：基 板保持機構，以大致水平姿勢保持基板；基板旋轉機構， 使保持於基板保持機構之基板繞著特定之旋轉軸旋轉；遮 斷構件，其包含將處理液及低表面張力溶劑分別朝保持於 基板保持機構之基板之表面中央部喷出之處理液喷出口及 溶劑噴出口，一面與基板表面相對向，一面與基板表面分 離配置；及氣體供給機構，將惰性氣體供給至形成於遮斷 構件與基板表面之間之間隙空間；且從氣體供給機構一面 將惰性氣體供給至間隙空間，一面使處理液從處理液噴出 口喷出以執行濕式處理，並一面從氣體供給機構將惰性氣 體供給至間隙空間，一面使低表面張力溶劑從溶劑喷出口 噴出，以使附著於基板表面之處理液置換為低表面張力溶 劑。 此外，本發明之基板處理方法為了達成上述目的其特 徵為包含·遮斷構件配置步驟，一面將遮斷構件與基板表 面相對向，一面與基板表面分離配置，該遮斷構件包含將 120581-201 l〇624.doc 1354324 處理液及表面張力較該處理液更低之低表面張力溶劑分別 朝乂大致水平安勢保持之基板之表面中央部喷出之處理液 喷出口及溶劑喷出口；濕式處理步驟，一面使基板旋轉一 面使處理液從處理液喷出口噴出至基板表面以對於基板表 面施以特定之濕式處理；置換步驟，一面使基板旋轉一面 使低表面張力溶劑從溶劑喷出口喷出至因為處理液而潤濕 之基板表面以使附著於基板表面之處理液置換為低表面張 力溶劑；及乾燥步驟，在置換步驟後將低表面張力溶劑從 基板表面予以去除以使該基板表面乾燥；且在濕式處理步 驟及置換步驟中，係將惰性氣體供給至形成於在遮斷構件 配置步驟中所配置之遮斷構件與基板表面之間之間隙空 間。 在如此構成之發明（基板處理裝置及方法）中，係一面將 遮斷構件與基板表面相對向，—面與基板表面分離配置， 以將惰性氣體供給至形成於遮斷構件與基板表面之間之間 隙空間。再者，一面將惰性氣體供給至間隙空間，一面使 處理液從設於遮斷構件之處理液噴出口喷出以執行特定之 濕式處理，並一面將惰性氣體供給至間隙空間，一面使低 表面張力溶劑從設於遮斷構件之溶劑喷出口噴出而將附著 於基板表面之處理液置換為低表面張力溶劑。因此，一面 將基板表面之周圍氣體環境保持為低氧濃度環境，一面執 行藉由處理液之濕式處理與藉由低表面張力溶劑之置換處 理。因此’可降低附著於基板表面之處理液置換為低表面 張力溶劑之際，氧從基板表面之周圍氣體環境溶解至低表 120581-20110624.doc 1354324 面張力溶劑。其結果，即可抑制低表面張力溶劑之溶氧濃 度之上升，且可確實防止基板表面形成氧化膜或水印產 生。此外，由於一面使遮斷構件與基板表面相對向，一面 將間隙空間設為惰性氣體環境，因此可抑制從基板表面去 除之處理液或低表面張力溶劑反彈至基板表面。因此，可 降低微粒子附著於基板表面。 在此，一面將惰性氣體供給至間隙空間，一面使基板旋 轉以使附著於基板表面之低表面張力溶劑從基板表面甩脫 而使基板表面乾燥《•藉此，即可提升基板之乾燥速度，同 時可降低基板乾燥時之基板表面之周圍氣體環境之氧濃度 而有效防止水印產生。此外’由於—面將遮斷構件與基板 表面相對向’-面在將間隙空間設為惰性氣體環境之狀態 下執行一連串之處理（濕式處理、置換處理及乾燥處理）， 因此可一面防止圖案崩壞，一面確實防止水印產生。 此外，為了將惰性氣體供給至間隙空間，亦可將用以 來自氣體供給機構之惰性氣體朝基板表面之中央部喷出 氣體喷出口設於遮斷構件。如此，藉由設置氣體喷出口 遮斷構件，即可從遮斷構件朝基板表面之中央部分別喷 處理液、低表©張力溶劑及惰性氣體^因此，可在將遮 構件對向配置於基㈣面之狀態下，—面將惰性氣體供 至間隙空間面連讀執行濕式處理及置換處理。 此外’在藉由低表面張力溶劑之置換後亦即基板表面之 乾燥前’使低表面張力溶劑從溶劑喷出口喷出而於基板表 面整體形成積液（puddle)狀之由低表面張力溶劑所成之溶、 ^0581-20110624.000 •10· 1354324 劑層，進而使惰性氣體從氣體噴出口噴出至基板之表面中 央部而於溶劑層之中央部形成孔洞（h〇le)，並使孔洞朝基 板之端緣方向擴大亦可。依據此構成，則可防止基板乾燥 時低表面張力溶劑以液滴狀殘留於基板之表面中央部，成 為筋狀微粒子而產生水印。亦即，在使基板旋轉以去除附 著於基板表面之低表面張力溶劑使之乾燥之際，作用於低 表面張力溶劑之離心力係愈是位於基板之表面中央部之低 表面張力溶劑愈小，而從基板之表面端緣部乾燥起。此 時，會有液滴從基板之表面中央部殘留到其周圍，而該液 滴朝基板之端緣方向行進，於此液滴之移動軌跡產生水印 之情形。針對此點，依據本發明，如上所述由於在基板表 面之乾燥前預先在形成於基板表面之積液狀之由低表面張 力溶劑所成之溶劑層之中央部形成孔润且使該孔洞擴大， 藉此而排除位於基板之表面中央部之低表面張力溶劑，因 此可確實防止水印之產生。 …將相對於處理液喷出口、溶劑喷出口及氣體喷出 口而於徑方向外側，而且以包圍處理液喷出σ、溶劑喷出 口及氣體喷出口之方式形成為環狀之外側氣體喷出口設於 遮斷構件，以從該外側氣體噴出口將來自氣體供給機構之 惰性氣體供給至間隙空間亦可。依據此構成，由於係將惰 性氣體朝基板表面噴出之2種氣體噴出口設於遮斷構件： 因此例如可以下列方式依據惰性氣體之料，而以適去之 流量及流速將惰性氣體朝基板表面供給。亦即，⑴為;要 將基板表面之周圍氣體環境保持為惰性氣體環境，係以^ 120581-20110624.doc 大极里且低速來供給惰性氣體俾使不致吹散基板表面上之 為較佳另方面’（2)在將基板表面上之由低表面張 劑所成之办劑層從基板表面去除之際以較小流量且 高速: 也將惰性氣體供給至基板之表面中央部為較佳。因 藉由將2種氣體噴出口，亦即將用以將惰性氣體朝基 表面中央。p喷出之氣體喷出口、及將相對於該氣體喷 於么方向外側且形成為環狀而將惰性氣體供給至間 隙空間之外側氣體喷出口設於遮斷構件，即可使流量及流 速相互不同之惰性氣體從各噴出口喷出。因此，在上述⑴ 及⑺之任-情形’均可以適#之流量及流速將惰性氣體朝 基板表面供給。 此外’在藉由處理液之濕式處理（濕式處理步驟）後、藉 由低表面張力溶劑之置換(置換步驟)前，以在將惰性氣體 供給至間隙空間的同時’一面使基板旋轉一面使附著於基 板表面之處理液之-部分殘留而將大部分從基板表面甩脫 去除之後，使低表面張力溶劑從遮斷構件之溶劑喷出口喷 出為較佳如此’即使因為在低表面張力溶劑之置換（置 換步驟）之前’先藉由將附著於基板表面之處理液之一部 分殘留而將大部分去除’而於基板表面形成微細圖案，亦 可使低表面張力溶劑有效率地進人圖㈣隙内部。、換言 之，藉由在將低表面張力溶劑送人圖案間隙方面會成為^ 礙之處理液之大部分從基板表面予以去除，即可使低表= 張力溶劑高效率地進入至圓案間隙内部。藉此，即可使美 板乾燥時產生於圖ffe1隙之負壓降低，而可有效防 = 120581-20110624.doc 12· 1354324 崩壞。另一方面，在以如此方式將基板表面上之處理液之 大部分從基板表面予以去除時，會有基板表面上之處理液 液膜之尽度變膜，甚至是基板表面之一部分露出之情 形。此時，若基板表面之周Ε氣體環境之氧濃度冑，則處 理液令之溶氧濃度會因為氧從周圍氣體環境溶解於處理液 =遽升高，基板表面將易於氧化。此外，基板表面之一 口p刀路出時，會有基板表面直接曝露於周圍氣體環境而氧 化之If形釺對此點，依據本發明，由於係在間隙空間設 為惰性氣體環境之狀態下將基板表面上之處理液之大部分 從基板表面予以去除，因此可抑制基板表面上之處理液中 之溶氧濃度急遽上升，且可確實防止基板表面之氧化或水 印產生。再者’即使是基板表面之一部分露出時，基板表 面之周圍氣體環境亦受到惰性氣體環境控制，因此可防止 基板表面直接氧化。 此外，洛劑喷出口之口徑，係以作成較處理液喷出口之 位小為車父佳。依據此構成，即可防止下列之缺失之產 生。亦即，低表面張力溶劑之表面張力較處理液低。因 此’在將低表面張力溶劑從與形成於處理液喷出用之口徑 :同口徑之溶劑嘴出口喷出時，會有在低表面張力溶劑之 噴出停止後’低表面張力溶劑從溶劑喷出口落下之虞。針 對此，’如本發明所示，藉由將溶劑喷出口之口徑形成為 小於處理液噴出口之口徑作為低表面張力溶劑嗔出之用， 即可防止低表面張力溶劑從溶劑噴出口落下之缺失。 此外’亦可使遮斷構件之中與基板表面相對向之基板對 120581 -20110624.doc •13- 1354324 向面繞著基板之旋轉軸旋轉。依據此構成，即可抑制間隙 空間產生捲入氣流。藉此，在執行濕式處理或置換處理之 際，可防止霧（mist)狀之處理液或低表面張力溶劑侵入間 隙空間而附著於基板表面。此外，在執行濕式處理或置換 處理之際，藉由使基板對向面旋轉以甩脫附著於基板對向 面之處理液或低表面張力溶劑，可防止處理液或低表面張 力溶劑滞留於基板對向面。 此外，亦可使混合液（以下簡稱「混合液」）作為低表面 張力溶劑而從溶劑喷出口喷出，該混合液係混合有與處理 液相同組成之液體或主成分與處理液相同之液體；及溶解 於该液體而使表面張力降低之有機溶劑成分。錢用此種 混合液時，係以混合液中之有機溶劑成分之體積百分率 (以下簡％「有機溶劑成分濃度」）為5〇%以下為較佳。藉 此，相較於將100%之有機溶劑成分供給至基板表面之^ 形可抑制有機溶劑成分之消耗量。此時，由於有機溶劑 成分濃度為50%以了 ’因此存在於圖案間隙之有機溶劑成 :之量可較使用議之有機溶劑成分之置換處理更為減 乂然而，如後述之實驗結果所示，即使是將有機溶劑成 分濃度設為大於㈣時，於混合液之表面張力亦不見較大 的降低’而無法預期在關於弓丨起圖案崩壞之力方面會有較 大之減>〇因此由如上所述設^有機溶劑成分濃度， 即^面抑制有機溶劑成分之消耗量—面有效率地防止圖 案^展#者’由此種觀點來看，係以將有機溶劑成分濃 度設為5%以上、且為1()%以下為較佳。 120581-20110624.doc 1JM324 另外’以使用於本發明之「低表面張力溶劑」而言，除 上逑之混合液之外’另亦可使用肌之有機溶劑成分。此 外，亦可使用必須含有界面活性劑之溶劑作為低表面張力 :劑，以取代含有有機溶劑成分之溶劑。在此，以「有機 溶劑成分」而言係可使用乙醇（alc〇h〇1)系有機溶劑。以乙 醇系有機溶劑而言，由安全性、價格f之觀點來看，雖可 使用異丙醇、乙基乙醇（ethyl alc〇h〇1)或甲醇 alcohol)，惟以異丙醇（IPA)為最佳。 【實施方式】 [發明之效果] 依據本發明，係於執行藉由處理液之濕式處理與藉由低 表面張力溶劑之置換處理之間，一面將遮斷構件與基板表 面相對向-面分離配置，以將惰性氣體供給至形成於遮斷 構件與基板表面之間之間隙空間。因此，在附著於基板表 面之處理液被置換為低表面張力溶劑之際，可減低氧從基 板表面之周圍氣體環境溶解至低表面張力溶劑，而降低低 表面張力溶劑之溶氧濃度。其結果，可確實防止基板表面 形成氧化膜，或產生水印。此外，由於一面將遮斷構件與 基板表面相對向，一面將間隙空間設為惰性氣體環境因 此可抑制處理液或低表面張力溶劑反彈至基板表面，而可 減低微粒子附著於基板表面。 <第1實施形態> 圖1係為顯示本發明之基板處理裝置之第1實施形態之 圖。此外，圖2係為顯示圖丨之基板處理裝置之主要之控制 120581-20110624.doc •15- 1354324 構成之區塊圖。此基板處理裝置係為使用於洗淨處理之枚 葉式之基板處理裝置’該洗淨處理係用以將附著於半導體 晶圓等之基板w之表面Wf之無用物加以去除。更具體而 5，係對於基板表面Wf施以藉由氫氟酸等之藥液之藥液處 理及藉由純水或DIW(deionized water，去離子水）等之、，青.先 液之清洗處理之後，使因為清洗液而潤濕之基板表面嬋£乾 燥之裝置。另外，在本實施形態中，所謂基板表面wf係形 成有由P〇ly-Si(多晶矽）等所組成之元件圖案之圖案形成 面。 此基板處理裝置係包含：旋轉夾盤（spin chuck)1，在將 基板表面Wf朝上方之狀態下使基板貿保持為大致水平姿勢 且使之旋轉；藥液噴出喷嘴3,將藥液朝保持於旋轉夾盤i 之基板W之表面Wf噴出；及遮斷構件9，配置於旋轉夾盤1 之上方位置。 旋轉爽盤1係旋轉支軸丨丨連結於包含馬達之夾盤旋轉機 構13之旋轉軸’藉由央盤旋轉機構13之驅動而成為可繞著 旋轉軸J(垂直軸）旋轉。此等旋轉支轴丨〗、夾盤旋轉機構13 係收容於圓筒狀之殼體（casing)2内。在旋轉支軸11之上端 部係藉由螺絲等緊固零件一體連結有圓盤狀之旋轉基台 (spm base)15。因此’藉由依據來自控制裝置整體之控制 單凡4之動作指令而驅動夾盤旋轉機構13，以使旋轉基台 15繞著旋轉軸j旋轉。如此，在本實施形態中，夾盤旋轉 機構13即發揮作為本㈣之「基板旋轉機構」之功能。 在旋轉基台15之周緣部附近，係立設有用以把持基板w 120581 -20110624.doc •16· 1354324 之周緣部之複數個夹盤銷（chuck pin) 17。夹盤銷17只要設 有3個以上用以確實保持圓形之基板w即可，係沿著旋轉 基台15之周緣部而以等角度間隔配置。夾盤銷17之各個係 包含：基板支撐部，從下方支撐基板W之周緣部；基板保 持部’將支撐於基板支撐部之基板W之外周端面予以推壓 以保持基板W。各夾盤銷17係構成為可在基板保持部推壓 基板W之外局端面之按壓狀態、及基板保持部從基板％之 外周端面離開之解放狀態之間切換。 將基板W交付於旋轉基台15之際，係將複數個夾盤銷17 δ又為解放狀態’而在對於基板W進行洗淨處理之際，係將 複數個夾盤鎖17設為按塵狀態。藉由設為按壓狀態，複數 個夾盤銷17即可把持基板w之周緣部而將該基板w與旋轉 基台15隔以特定間隔而保持為大致水平姿勢。藉此，基板 w係以將其表面（圖案形成面）wf朝向上方、背面Wb朝向下 方之狀態下予以支撐。如此，在本實施形態中，夹盤銷i 7 即發揮作為本發明之「基板保持機構」之功能。另外，以 基板保持機構而言並不以炎盤銷17為限，亦可使用吸引基 板背面Wb以支撐基板w之真空夾盤。 藥液噴出喷嘴3係經由藥液閥（valve)3 i而與藥液供給源 連接。因此，若根據來自控制單元4之控制指令而開閉藥 液閥3 1，則從藥液供給源朝藥液噴出喷嘴3壓送藥液，且 從藥液噴出喷嘴3噴出藥液。另外，藥液中係使用氫氟酸 或 BHF(Buffered Hydrofluoric Acid，氫氟酸緩衝液）等。此 外，藥液噴出噴嘴3係連接有噴嘴移動機構33(圖2)，藉由 120581_20110624.doc •17· 1354324 依據來自控制單元4之動作指令而使喷嘴移動機構33驅 動，即可使藥液喷出噴嘴3往返移動於基板W之旋轉中心 之上方之喷出位置與從喷出位置退避至側方之待機位置之 間。 遮斷構件9係具有板狀構件9〇 ;旋轉支軸91，内部加工 成中空’用以支撐板狀構件9〇 ;及内插轴95，插通於旋轉 支軸91之中空部β板狀構件9〇係為於中心部具有開口部之 圓盤狀之構件，對向配置在保持於旋轉夾盤丨之基板w之 表面Wf。板狀構件9〇係其下面（底面）9(^形成以與基板表 面Wf大致平行地對向之基板對向面，其平面尺寸係形成為 與基板W之直徑相等以上之大小。板狀構件9〇係大致水平 女裝於具有大致圓筒形狀之旋轉支軸91之下端部，且旋轉 支轴91係藉由朝水平方向延伸之臂（arm)92而保持為可繞 著用以通過基板W之中心之旋轉轴j旋轉。在内插軸95之 外周面與旋轉支軸91之内周面之間係夾介安裝有軸承 (bearing)(未圖示广在臂92係連接有遮斷構件旋轉機構％ 與遮斷構件升降機構94。 遮斷構件旋轉機構93係根據來自控制單元4之動作指令 而使旋轉支軸91繞著旋轉軸j旋轉。若旋轉支轴91旋轉， 則板狀構件90亦與旋轉支轴91一同一體旋轉。遮斷構件旋 轉機構93係以根據保持於旋轉夾盤丨之基板w之旋轉而以 與基板W相狀旋轉方向且錢相同之旋轉速度使板狀構 件90(下面90a)旋轉之方式構成。如此，在本實施形態中， 遮斷構件旋轉機構93即發揮作為本發明之「遮斷構件旋轉 120581-20110624.doc •18· 1354324 機構」之功能。 此外’遮斷構件升降機構94係可根據來自控制單元4之 動作指令而使遮斷構件9近接對向於旋轉基台15,或反之 使/、刀離具體而έ，控制單元顿藉由使遮斷構件升降 機構94動作，而於將基板謂基板處理裝置搬出入之際， 使遮斷構件9上升至旋轉夾⑴之上方之分離位置。另一方 面，在對於基板W施以特定之處理之際，係使遮斷構件9 一直下降到特定之對向位置（圖！所示之位置），該特定之對 向位置係設定在保持於旋轉央盤i之基板w之表面^之择 附近。在本實施形態中，係在清洗處理開始後，使遮斷構 件9從分離位置下降到對向位置’且直到乾燥處理結束為 止繼續使遮斷構件9位於對向位置。 圖3係為顯示配備於圖丨之基板處理裝置之遮斷構件之主 要部分之縱剖面圖。此外，圖4係為圖3之八_八，線剖面圖 (橫剖面圖）。内插於旋轉支軸91之中空部之内插軸％係橫 面形成為圓形。此係因為將内插軸95(非旋轉側構件）與 旋轉支軸91(旋轉側構件）之間隙之間隔遍及全周設成均等 之故’而藉由將密封氣體導入於該間隙間，將内插轴95與 旋轉支軸9〗之間隙設為從外部被密封之狀態。在内插軸^ 係以3條流體供給管路朝垂錄方向延伸之方式形成。亦 即’於内插軸95形成有作為清洗液之管路之清洗液供給管 路96、作為混合液(相當於本發明之「低表面張力溶劑」） 之管路之混合液供給管路97及作為氮氣等之惰性氣體之管 路之氣體#給管路98 ’該混合液係混合有與清洗液相同組 i205Sl-20H0624.doc •19· 1354324 成之液體與溶解於該液體而使表面張力降低之有機溶劑成 分者。清洗液供給管路96、混合液供給管路97及氣體供給 管路 98係藉由分別將 PFA(perfluoroalkoxy vinyl ether 共聚 物）製之管（tube)96b、97b、98b朝軸方向插入於内插抽95 而形成，該内插轴 95 為由 PTFE(polytetrafluoroethylene， 聚四氟乙烯）所組成。 再者，清洗液供給管路96、混合液供給管路97及氣體供 給管路98之下端分別成為清洗液噴出口 96a(相當於本發明 之「處理液噴出口」）、混合液噴出口 97a(相當於本發明之 「溶劑喷出口」及氣體喷出口 98a而與保持於旋轉夾盤1之 基板W之表面Wf相對向。在本實施形態中，内插軸之直徑 係形成為18至20 mm。此外，清洗液喷出口 96a、混合液喷 出口 97a及氣體喷出口 98a之口徑係分別形成為4 mm、2至3 mm、4 mm。如此，在本實施形態中，係成為混合液喷出 口 97a之口徑較清洗液噴出口 96a之口徑更小。藉此，即可 防止以下所示之缺失。亦即，混合液（IPA+DIW)相較於清 洗液（DIW)，表面張力變低。因此，在使混合液從與作為 清洗液噴出用所形成之口徑相同口徑之混合液喷出口喷出 時，係有混合液之喷出停止後，混合液從混合液噴出口落 下之虞。另一方面，在使清洗液從與作為混合液噴出用所 形成之口徑相同口徑之清洗液噴出口喷出時，清洗液之噴 出速度將變快。其結果，由於屬於電性絕緣體之清洗液 (DIW)會以較高速撞擊基板表面Wf，而會有直接供給有清 洗液之基板表面Wf之供給部位帶電而氧化之虞。針對此 120581-20110624.doc -20- 1354324 點，在本實施形態中，係個別設置混合液與清洗液之喷出 口，並將混合液喷出口 97a之口徑設成較清洗液噴出口 96a 之口徑更小。因此，可防止混合液從混合液喷出口落下， 並可抑制來自清洗液噴出口之清洗液之喷出速度變快，且 抑制由於基板表面Wf之帶電引起之氧化。 此外’在本實施形態中’係將清洗液噴出口 96a設於遮 斷構件9之中心軸，亦即從基板W之旋轉軸J朝徑方向外側 偏離之位置。藉此，即可避免從清洗液噴出口 96a喷出之 清洗液集中供給至基板表面Wf之一點（基板w之旋轉中心 W0)。其結果’可使基板表面wf之帶電部位分散，且可降 低因為基板w之帶電引起之氧化。另一方面，若清洗液喷 出口 96a過於偏離旋轉轴J，則將難以使清洗液到達基板表 面Wf上之旋轉中心w〇。因此，在本實施形態中，係將從 水平方向之旋轉軸j至清洗液喷出口 96a(喷出口中心）之距 離L設為4 mm左右。在此’作為可將清洗液（DIW)供給至 基板表面Wf上之旋轉中心W0之距離L之上限值，係於以下 所示之條件下為20 mm。 DIW之流量：2 L/min 基板旋轉數：1500 rpm 基板表面之狀態：表面中央部為疏水面 此外，至於從旋轉軸J到混合液喷出口 97a(喷出口中心） 之距離之上限值，亦只要將基板旋轉數設定為1500 rpm， 基本上與上述之從旋轉轴J到清洗液喷出口 96a(喷出口中 心）之距離L之上限值（20 mm)相同。 120581-20110624.doc -21- 1354324 另一方面，針對從旋轉轴j到氣體喷出口 98a(喷出口中 心）之距離，只要是可將氮氣供給至形成在定位於對向位 置之遮斷構件9(板狀構件90)與基板表面Wf之間之間隙空 間SP ’則並無特別限制，可任意設定。然而，從以後述方 式將氮氣喷附於由形成於基板表面Wf上之混合液所成之溶 劑層，以將該溶劑層從基板W排出之觀點而言，氣體喷出 口 98a係以設於旋轉軸J上或其附近位置為較佳。 此外，形成於旋轉支軸91之内壁面與内插軸95之外壁面 之間之空間部分係構成外側氣體供給管路99，而外側氣體 供給管路99之下端成為環狀之外側氣體噴出口 99&。換言 之，在遮斷構件9係除了設有朝基板表面冒£之十央部喷出 氮氣之氣體喷出口 98a之外，尚以相對於清洗液噴出口 96a、混合液喷出口 97a及氣體喷出口 98a為徑方向外側， 而且包圍清洗液喷出口 96a、混合液喷出口 97a及氣體喷出 口 98a之方式設有外側氣體纟出口 99a。此外側氣體喷出口 99a之開口面積係形成為遠大於氣體噴出口 9仏之開口面 積。如此，由於在遮斷構件9設有2種氣體喷出口，因此可 從各噴出口喷出流量及流速相互不同之氮氣。例如⑴為了 要將基板表面Wf之周圍氣體環境保持為惰性氣體環境，係 期望以較大流量且低速來供給氮氣俾使不致吹散基板表面 Wf上之液體^另__方面，⑺在將基板表面^上之由混合 液所成之溶劑層從基板表面Wf予以去除之際，係期望以較 小流量且高速將氮氣供給至基板w之表面中央部。因此， 在上述⑴之情形’主要係藉由從外侧氣體喷出口99a喷出 120581 -20110624.doc -22- 1354324 氮氣，而在上述（2)之情形，主要係藉由從氣體喷出口 98a 噴出氮氣即可依據氮氣之用途而以適當之流量及流速將 氮氣朝基板表面Wf供給。 此外，内插軸95之前端（下端）並未成為與板狀構件 90之 下面90a為同一面，而從包含下面9〇a之相同平面退避至上 方側（圖3)。若藉由此種構成，則可在從氣體喷出口 98a所 喷出之氮氣到達基板表面Wf為止使該氮氣擴散且可使氣 亂之流速減少某程度。亦即，若來自氣體噴出口 98&之氮 氣之流速過快，則會與來自外側氣體喷出口 9%之氮氣相 互干擾而難以將由基板表面Wf上之混合液所成之溶劑層從 基板W予以排出。其結果，液滴將會殘留於基板表面听 上。針對此點，絲據上述構成，則可緩和來自氣體喷出 口 98a之氮氣之流速，且可將由基板表面上之混合液所 成之溶劑層予以確實地從基板w排出。 回到圖1繼續說明。清洗液供給管路96之上端部係經由 清洗液閥83而連接於由工廠之公用設備⑽㈣等所構成 之DIW供給源’藉由打開清洗液閥幻，即得以從清洗液喷 出口 96a喷出DIW作為清洗液。 此外，混合液供給管路97之±端料連接於混合液供給 單疋7。·’昆合液供給單元7係包含用以產生混合液（有機溶 媒成分+DIW)之箱體部（cabinet)7〇，可將由箱體部％所產 生之混合液壓送至混合液供給管路97。以有機溶媒成分而 言，係使用溶解於DIW(表面張力：72 mN/m)而使表面張力 降低之物質’例如異丙醇（表面張力：21至23碰㈣。另 120581-20U0624.doc -23 · 1354324 外，有機溶媒成分並不以異丙醇（IPA)為限，亦可使用乙 基乙醇、曱醇之各種有機溶媒成分。此外，有機溶媒成分 並不以液體為限，亦可使各種乙醇之蒸氣作為有機溶媒成 分溶解於DIW而產生混合液。 箱體部70係包含用以儲留DIW與IPA之混合液之儲留槽 72。在此儲留槽72係供用以供給DIW至儲留槽72内之DIW 導入管73之一端取入，而另一端則經由開閉閥73a而連接 於DIW供給源。再者，在DIW導入管73之路徑途中係介裝 有流量計73b，流量計73b係用以測量從DIW供給源導入至 儲留槽72之DIW之流量。再者，控制單元4係根據由流量 計73b所測量之流量，以將流通於DIW導入管73之DIW之 流量設為目標之流量（目標值）之方式，將開閉閥73a予以開 閉控制。 同樣地，在儲留槽72係供用以將IPA液體供給至儲留槽 72内之IPA導入管74之一端取入，而另一端則經由開閉閥 74a而連接於IPA供給源。再者，在IPA導入管74之路徑途 中係介裝有流量計74b，流量計74b係用以測量從IPA供給 源導入至儲留槽72之IPA液體之流量。再者，控制單元4係 根據由流量計74b所測量之流量，以將流通於IPA導入管74 之IPA液體之流量設為目標之流量（目標值）之方式，將開 閉閥74a予以開閉控制。 在本實施形態令，係以混合液中之IPA之體積百分率（以 下稱「IPA濃度」）成為屬於50%以下之範圍内之特定值，例 如IPA濃度成為10%之方式而將導入於儲留槽72内之IPA液 120581-20110624.doc -24· 1354324 體及DIW之流量進行調整。如此，藉由設定IPA濃度，即 可如後所述一面抑制IPA之消耗量一面有效率地防止形成 於基板表面Wf之圖案崩壞。此外，相較於100%之IPA，可 簡化裝置對於IPA之防曝對策。 在儲留槽72中係供將其一端連接於混合液供給管路97之 混合液供給管75之另一端插入，且以可經由混合液閥76將 儲留於儲留槽72之混合液供給至混合液供給管路97之方式 構成。在混合液供給管75係設有：定量泵77，將儲留於儲 留槽72之混合液送出至混合液供給管75 ;溫調器78，將藉 由定量泵（pump)77送出至混合液供給管75之混合液之溫度 進行調整；及過濾器79，將混合液中之異物予以去除。再 者，在混合液供給管75係介裝有用以監視IPA濃度之濃度 計80。 此外，在混合液供給管75係於混合液閥76與濃度計80之 間分歧連接有混合液循環管8 1之一端，另一方面混合液循 環管81之另一端係連接於儲留槽72。在此混合液循環管81 係介裝有循環用閥82。再者，在裝置運轉中，定量泵77及 溫調器78總是被驅動，且在未將混合液供給至基板W之 間，關閉混合液閥76，另一方面打開循環用閥82。藉此， 從儲留槽72送出至定量泵77之混合液即通過混合液循環管 8 1而回到儲留槽72。換言之，在未供給混合液至基板W之 間，係由混合液循環於由儲留槽72、混合液供給管75及混 合液循環管81所組成之循環路徑。另一方面，若為將混合 液供給至基板W之時間點（timing)，則打開混合液閥76， 120581-20110624.doc -25- 1354324 另一方面關閉循環用閥82。藉此，從儲留槽72送出之混合 液即供給至混合液供給管路97。如此，在未將混合液供給 至基板w之間，係可藉由先使混合液循環，將DIW與IpA 攪拌’以將DIW與IPA作成充分混合之狀態。此外，在混 合液閥76之開成後’可調整為特定之溫度，並可將已去除 異物之混合液迅速供給至混合液供給管路97。 氣體供給管路98及外側氣體供給管路99之上端部係分別 與氣體供給單元18(圖2)連接，得以依據控制單元4之動作 指令從氣體供給單元1 8個別將氮氣壓送至氣體供給管路％ 及外側氣體供給管路99。藉此，即可將氮氣供給至形成在 定位於對向位置之遮斷構件9(板狀構件9〇)與基板表面wf 之間之間隙空間SP。如此，在本實施形態中，氣體供給單 元18即可發揮作為本發明之「氣體供給機構」之功能。 在殼體2之周圍係以固定方式安裝有承接構件21。在承 接構件21係立設有圓筒狀之分隔構件23a、23b、23c。殼 體2之外壁與分隔構件23a之内壁之間之空間係形成第i排 液槽25a，分隔構件23a之外壁與分隔構件23b之内壁之間 之空間係形成第2排液槽25b，分隔構件23b之外壁與分隔 構件23C之内壁之間之空間係形成第3排液槽25β。 在第1排液槽25a、第2排液槽25b及第3排液槽25c之底部 係分別形成有排出口 27a、27b、27c，各排出口係連接於 相互不同之導管（drain)。例如在本實施形態中，第i排液 槽25a係為用以回收使用結束之藥液之槽，連通於用以將 藥液回收而加以再利用之回收導管。此外，第2排液槽25b 120581-20110624.doc •26· 1354324 係為用以將使用結束之清洗液予以排液之槽，連通於供廢 棄處理之廢棄導管。再者，第3排液槽25c係為用以將使用 結束之混合液予以排液之槽，連通於供廢棄處理之廢棄導 管。 在各排液槽25a至25c之上方係設有防濺護罩（spiash guard)6。防濺護罩6係以將以水平姿勢保持於旋轉夾盤丨之 基板W之周圍予以包圍之方式而相對於旋轉夾盤丨之旋轉 軸J設成可自由升降。此防濺護罩6係具有相對於旋轉軸】 大致旋轉對稱之形狀，包含有以與旋轉夾盤丨同心形狀方 式從徑方向内侧朝外側配置之3個護罩61、62、63。3個護 罩61、62、63係從最外部之護罩63朝最内部之護罩61，以 高度依序變低之方式設置，且各護罩61、62、63之上端部 係以收斂於朝垂直方向延伸之面内之方式配置。 防濺護罩6係藉由與護罩升降機構65連接，且依據來自 控制皁元4之動作指令使護罩升降機構65之升降驅動用致 動器（actuator)(例如汽缸（air cyHnder)等）動作，即可使防 濺護罩6相對於旋轉夾盤丨升降。在本實施形態中，係藉由 護罩升降機構65之驅動使防濺護罩6階段性升降，即可使 從旋轉之基板w飛散之處理液分類至第丨至第3排液槽25& 至25c而加以排液。 在濩罩61之上部係形成有以剖面〈之字形在内方打開之 溝狀之第1導引部61a。再者，藉由在藥液處理時使防濺護 罩6位於最高之位置（以下稱「第】高度位置」），使從旋轉 之基板w飛散之藥液在第丨導引部61a被承接，且導引至第 120581-20110624.doc •27· 1354324 1排液槽25a。具體而言，作為第1高度位置，係藉由配置 防賤護罩6俾使第1導引部61a包圍保持於旋轉夾盤1之基板 W之周圍，而使從旋轉之基板w飛散之藥液經由護罩61而 導引至第1排液槽25a。 此外，在護罩62之上部係形成有從徑方向外側朝内侧往 斜上方傾斜之傾斜部62a。再者，藉由在清洗液處理時使 防濺護罩6位於較第1高度位置更低之位置（以下稱「第2高 度位置」，使從旋轉之基板W飛散之清洗液在傾斜部62a被 承接，且導引至第2排液槽25b。具體而言，作為第2高度 位置’係籍由配置防滅護罩6俾使傾斜部6 2 a包圍保持於旋 轉夾盤1之基板W之周圍’而使從旋轉之基板w飛散之清洗 液穿越護罩61之上端部與護罩62之上端部之間而導引至第 2排液槽25b。 同樣地，於護罩63之上部係形成有從徑方向外側朝内側 往斜上方傾斜之傾斜部63a。再者，藉由在置換處理時使 防錢6蒦罩6位於較苐2兩度位置更低之位置（以下稱「第3高 度位置」’使從旋轉之基板W飛散之混合液在傾斜部633被 承接’且導引至第3排液槽25c。具體而言，作為第3高度 位置，係藉由配置防濺護罩6俾使傾斜部63a包圍保持於旋 轉夾盤1之基板W之周圍，而使從旋轉之基板w飛散之混合 液穿越護罩62之上端部與護罩63之上端部之間而導引至第 3排液槽25c。 再者，藉由位於較第3高度位置更低之位置（以下稱「退 避位置」），使旋轉夾盤1從防濺護罩6之上端部突出，即 120581-20110624.doc • 28· 1354324 可使基板搬運機構（未圖示）將未處理之基板霄承載於旋轉 夾盤1，或將處理完成之基板w從旋轉夾盤丨加以接收。 接著，參照圖5至圖8詳述由上述方式所構成之基板處理 裝置之動作。圖5係為顯示圖丨之基板處理裝置之動作之流 程圖。此外，圖6係為顯示圖丨之基板處理裝置之動作之時 序圖。此外，圖7及圖8係為顯示圖1之基板處理裝置之動 作之模式圖*>首先，控制單元4係使防濺護罩6位於退避位 置，以使旋轉夾盤1從防濺護罩6之上端部突出。再者，若 在此狀態下藉由基板搬運機構（未圖示）將未處理之基板貿 搬入至裝置内（步驟S1)，則對基板评執行洗淨處理（藥液處 理+清洗處理+置換處理+乾燥前處理+乾燥處理在基板 表面wf係形成有例如由poly_Si所組成之微細圖案。因 此在本貫施形痛中，係在將基板表面w f朝上方之狀態下 將基板W搬入至裝置内，且保持於旋轉夾盤丨。另外，遮 斷構件9係位於旋轉夾盤1之上方之分離位置，防止與基板 W之干擾。 接著，控制單元4係將防濺護罩6配置於第丨高度位置（如 圖1所示之位置），以對於基板w執行藥液處理。亦即，使 藥液噴出喷嘴3移動至喷出位置，並藉由夾盤旋轉機構13 之驅動使保持於旋轉夾盤1之基板w以特定之旋轉速度（例 如500 rpm)旋轉（步驟S2)e再者，打開藥液閥31從藥液喷出 喷嘴3將氫氟酸作為藥液供給至基板表面wf。供給至基板 表面wf之氫氟酸藉由離心力擴展，而基板表面整體藉 由氫氟酸進行藥液處理（步驟S3)。從基板w被甩脫之氫氟 120581-20110624.doc -29· 1354324 酸係被導引至第1排液槽25a，且予以適當地再利用。 若藥液處理結束，則藥液噴出喷嘴3移動至待機位置。 再者’防^蒦罩6係配置於第2高度位置，對於基板w執行 清洗處理作為本發明之「濕式處理」。亦即，打開清洗液 閥83，使清洗液（DIW)從位於分離位置之遮斷構件9之清洗 液喷出口 96a噴出。此外，與清洗液之喷出同時使遮斷構 件9朝對向位置下降’以定位於該對向位置（遮斷構件配置 步驟如此，藥液處理後，立即藉由將清洗液供給至基 板表面Wf而將基板表面貨广繼續保持為潤濕之狀態。此係 基於以下之理由。亦即，藥液處理後，若氫氟酸從基板w 被甩脫，則基板表面Wf之乾燥即開始。其結果，會有基板 表面\\^局。卩乾燥，且於基板表面Wf產生斑點等之情形。 因此，為了防止此種基板表面Wf之局部乾燥，將基板表面 Wf保持為潤濕狀態即變得重要。此外，從遮斷構件9之氣 體喷出口 98a及外側氣體喷出口 9%喷出氮氣。在此，主要 係使氮氣從外側氣體喷出口 99a喷出。換言之，使較大流 量之氣氣從外側氣體嗔出口 99a喷出，另一方面以使從氣 體喷出口 98a喷出之氮氣之流量成為微小量之方式，調整 從兩喷出口喷出之氮氣之流量均衡。 從清洗液喷出口 96a供給至基板表面貿『之清洗液係藉由 隨著基板w之旋轉而擴& ’而^吏基板表面Wf整體被清洗處 理（步驟S4;濕式處理步驟）。換言之，殘留附著於基板表 面wf之氫氟酸係藉由清洗液沖洗且從基板表面wf予以去 除。從基板w被甩脫之使用畢之清洗液係被導引至第2排 120581-20U0624.doc •30· 1354324 液槽25b予以廢棄。此外，藉由將氮氣供給至間隙空間sp 使基板表面W f之周圍氣體環境保持於低氧濃度環境（圖 7(a))。因此，可抑制清洗液之溶氧濃度之上升。另外清 洗處理時之基板W之旋轉速度係例如設定為1〇〇至1〇〇〇 rpm 〇 此外於執行上述之清洗處理及後述之置換處理及乾燥 處理之際，係使遮斷構件9之板狀構件9〇以與基板W相同 之旋轉方向且大致相同旋轉速度旋轉。藉此，即可防止板 狀構件90之下面9〇a與基板表面Wf之間產生相對之旋轉速 度差，以抑制在間隙空間sp產生捲入氣流。因此，可防止 霧狀之清洗液及混合液侵入間隙空間sp而附著於基板表面

Wf。此外’藉由使板狀構件90旋轉將附著於下面9〇a之清 洗液或混合液甩脫，可防止清洗液或混合液滯留於下面 90a ° 右特定時間之清洗處理結束，則關閉清洗液閥83而停止 清洗液從清洗液喷出口 96a喷出。再者，控制單元4係將基 板W之旋轉速度設定為500至1〇〇〇 rpm，並將防濺護罩6配 置於第3鬲度位置。接著，打開混合液閥76使混合液 (IPA+DIW)從混合液喷出〇 97a喷出。在此，係在箱體部7〇 預先產生IPA濃度例如調整為1〇%之混合液，而該混合液 係從混合液噴出口 97a朝基板表面wf喷出。供給至基板表 面Wf之混合液係藉由作用於該混合液之離心力而使混合液 /爪動，以使混合液流入至形成於基板表面wf之微細圖案 FP之間隙内部。藉此，即從例如圖7⑷所示之狀態成為該 120581-20110624.doc -31- 1354324 圖（b)所示之狀態，而附著於微細圖案FP之間隙之清洗液 (DIW)被確實地置換為混合液（步驟S5 ;置換步驟）。另 外，從基板W被甩脫之使用畢之混合液係被導引至第3排 液槽25c予以廢棄。 在此，茲詳細說明基板表面Wf上之清洗液被混合液置 換時之動作如下。若對於基板表面Wf上之清洗液執行藉由 混合液之置換處理，則表面張力較該清洗液更低之液體 (混合液）將會被送入至附著於基板表面Wf之清洗液（DIW) 之各部。如此一來，如「發明所欲解決之問題」之項中所 說明，在基板表面Wf上之各部會根據清洗液與混合液之間 之表面張力差而引起對流（馬諾哥尼對流）。因此，會助長 基板表面Wf上之液體之攪拌，而使基板表面Wf上之液體 曝露於基板表面Wf之周圍氣體環境之機會增加。其結果， 在周圍氣體環境之氧濃度較高時，附著於基板表面Wf之混 合液中之溶氧濃度會隨著置換處理之進行而升高，會有基 板表面Wf之一部分或全部氧化而於基板表面Wf形成氧化 膜，或產生水印之情形。針對此點，在本實施形態中，係 在將間隙空間SP保持為惰性氣體環境之狀態下將基板表面 Wf上之清洗液置換為混合液。因此，可降低氧溶解於混合 液而抑制混合液之溶氧濃度之上升。 接著，在本實施形態中，執行以下所示之乾燥前處理步 驟以使基板表面Wf上之混合液從基板W排出（步驟S6)。首 先，控制單元4係在打開混合液閥76之狀態下，直接停止 基板W之旋轉或將基板W之旋轉速度設定為100 rpm以下。 120581-20n0624.doc -32- 1354324 如此，藉由在使基板…靜止或以較低速旋轉之狀態下將混 合液供給至基板表面wf，如圖8⑷所示將由積液狀之現合 液所成之溶劑層41形成於基板表㈣之整體。藉由將：‘ 積液狀之溶劑層41形成於基板表(積液處理），即可抑 制微粒子附著於基板表面wf。接著，停止混合液之供給， 並從氣體嘴出口 98a朝基板w之表面中央部喷附氮氣‘。。換 言之，以相較於從外側氣體喷出口 99a噴出之氮氣之流量 相對提高從氣體嘴出口 98a喷出之氮氣之流量之方式調整 從兩喷出口喷出之氮氣之流量均衡。如此一來，如圖8(匕） 所示，藉由從氣體噴出口 983喷附至基板表面Wf2氮氣， 冷劑層41之令央部之混(合液即被推壓至基板w之徑方向外 側而於溶劑層41之中央部形成孔洞42，而使其表面部分乾 燥。再者，繼續藉由將氮氣喷附於基板w之表面中央部， 如圖8⑷所*，先前形成之制Μ朝基板w之端緣方向（同 圖之左右方向）一直擴大，而溶劑層4丨之中央側之混合液 從中央側漸漸被推壓至基板端緣側而使乾燥區域擴展開。 藉此，不會在基板w之表面中央部殘留混合液，而可將附 著於基板W之表面巾央部之混合液予以去除。 藉由執行如上所述之乾燥前處理步驟，可防止混合液於 後述之乾燥步驟（旋轉乾燥（spin d⑽之間以液滴狀殘留於 土板W之表面中央部’成為筋狀微粒子而於基板表面贤形 成k P亦即’在使基板W旋轉以去除附著於基板表面Wf 之混合液使之乾燥（旋轉乾燥）之際，作用於混合液之離心 力係愈位於基板〜之表面中央部之混合液愈小，而從基板 120581 -20110624.doc •33· 1354324 w之表面端緣部乾燥起。此時，會有液滴從基板w之表面 中央部殘留到其周圍，而該液滴朝基板w之端緣方向行 進，於此液滴之移動軌跡產生水印之情形。針對此點，依 據本實施形態，由於在乾燥步驟前預先在形成於基板表面 Wf之積液狀之由混合層41之中央部形成孔洞42且使該孔洞 42擴大，藉此而排除位於基板w之表面中央部之混合液， 因此可4實防止水印之產生。 如此，若乾燥前處理步驟結束，控制單元4則提高夾盤 紅轉機構13之％轉速度而使基板w高速旋轉（例如2〇〇〇至 3000 rpm)。藉此，使附著於基板表面Wf之混合液被甩 脫，以執行基板w之乾燥處理（旋轉乾燥）（步驟S7 ;乾燥步 驟）。此時’由於混合液係進入圖案之間隙，因此可防止 圖案崩壞或水印產生。此外’由於間隙空間sp係由從氣體 喷出口 98a及外側氣體喷出口 99a所供給之氮氣所充滿，因 此可縮短乾燥時間’並可降低被氧化物質溶出至附著於基 板W之液體成分（混合液），而可更有效抑制水印之產生。 若基板W之乾燥處理結束，則控制單元4係用以控制夾盤 旋轉機構13而使基板W之旋轉停止（步驟S8)。再者，使防 濺護罩6位於退避位置’以使旋轉夹盤1從防錢護罩6之上 方突出。之後’由基板搬運機構將處理完成之基板W從裝 置搬出’結束對於1片基板W之一連串之洗淨處理（步驟 S9)。 如上所述’依據本實施形態’一面將氮氣供給至形成於 遮斷構件9(板狀構件90)與基板表面Wf之間之間隙空間 120581-20110624.doc -34- 1354324 SP 面執行清洗處理，並一面將氮氣供給至間隙空間 s:.，一面執行置換處理。因此，將附著於基板表面资之 清洗液置換為混合液之際，可降低氧從基板表面资之周圍 氣體環境溶解至以液。因& ,可抑制混合液之溶氧濃度 之上升，且可確實防止基板表面Wf形成氧化膜或產生= 印。此外，由於一面使遮斷構件9(板狀構件90)與基板表面 wf相對向，—面將間隙空間sp設為惰性氣體環境，因此 可抑制從基板表面Wf*除之清洗液或混合液反彈至基板表 面Wf因此，可降低微粒子附著於基板表面Wf。 再者，依據本實施形態，由於一面將氮氣供給至間隙空 間SP，一面執行乾燥處理，因此可提升基板|之乾燥速 度，並可降低基板乾燥時之基板表面Wf之周圍氣體環境之 氧濃度而有效防止水印產生。此外，由於在一面將遮斷構 件9與基板表面Wf相對向，一面將間隙空間sp設為惰性氣 體壞境之狀態下，執行從清洗處理到乾燥處理之一連串之 處理，因此可將基板表面Wf2周圍氣體環境穩定地維持於 低氧濃度環境》因此，可一面防止圖案崩壞，一面確實防 止水印產生。再者，由於無須使遮斷構件9移動（上下移動） 即可執行從清洗處理到乾燥處理之一連串之處理，因此可 縮短處理時間而使裝置之生產能力升。 此外，依據本實施形態，由於將卩八濃度設定為5〇%以 下，因此如下所述可一面抑制IPA消耗量，一面有效防止 圖案崩壞。圖9係顯示IPA濃度與表面張力γ之關係之曲線 圖。圖9所記載之橫轴係顯示ΙρΑ濃度，而ΙΡΑ濃度為 12058l-20H0624.doc •35· 1354324 O(vol%)係顯示為DIW單體，IPA濃度為100(vol%)則顯示為 IPA液體單體。表面張力γ之測量係藉由懸滴法（pendant drop method法），使用協和界面科學股份有限公司製LCD-400S來進行。由圖9可明瞭，若一直增加對於DIW之IPA混 合量，則在IPA濃度到10%附近為止，混合液之表面張力γ 會隨著對於DIW之IPA混合量之增加而急遽降低。再者， 可明瞭在IPA濃度為50°/。以上，混合液之表面張力並未見 較大之降低，而顯示與IPA液體單體大致相同之表面張 力。 在此，為了有效防止圖案崩壞，將附著於圖案間隙之清 洗液（DIW)藉由表面張力較該清洗液更小之物質（低表面張 力溶劑）加以置換即變得重要。此時，雖亦可使用1 〇〇%之 IPA執行上述之置換處理，惟若是將100%IPA供給至基板 表面Wf，則需要較多量之IPA。因此，使用100°/〇IPA時， 從抑制IPA之消耗量之觀點而言，可考慮供給較少量之 IPA，且將該IPA混入於DIW中。然而，若僅將較少量之 IPA供給至基板W，縱使使IPA混入至附著於基板表面Wf之 DIW之表層部分，亦難以將IPA送入至圖案間隙之内部。 針對此點，藉由將IPA濃度為50°/。以下之混合液供給至 基板W，則可一面抑制IPA之消耗量一面將附著於圖案間 隙之DIW置換為混合液。此時，存在於圖案間隙之IPA之 量係將較使用IPA1 00%之置換處理變得更小。然而，相較 於圖9所示之評價效果，縱使將IPA濃度設為大於50%時， 在混合液之表面張力亦未見較大之降低，而無法預期在關 120581-20110624.doc -36- 1354324 於引起圖案崩壞之力（產生於圖案間隙之負壓）方面會有較 大之減少。換言之，只會增加IPA消耗量，關於圖案崩壞 防止效果方面無法預期較大之提升。因此，藉由將IPA濃 度設定為50%以下’即可一面抑制IPA之消耗量一面有效 防止圖案崩壞。再者，由此種觀點而言，係以將IPA濃度 設為5%以上且為10%以下為較佳。 <第2實施形態> 圖10係為顯示本發明之第2實施形態之基板處理裝置之 動作之時序圖。此外’圖11係為顯示本發明之第2實施形 態之基板處理裝置之動作之模式圖。此第2實施形態之基 板處理裝置與第1實施形態較大不同之點，係為在清洗步 驟後且於置換步驟前將附著於基板表面Wf上之清洗液之一 部分殘留而將大部分從基板表面Wf甩脫而加以去除之點。 另外，其他構成及動作係與第1實施形態相同，在此係省 略說明。 在此實施形態中，若清洗處理結束，則控制單元4係將 基板W之旋轉速度設定為300至500 rpm ^在清洗處理後之 基板表面Wf雖附著有較多量之清洗液（DIW)(圖n(a))，惟 藉由將基板W旋轉預先所設定之特定之設定時間，將基板 表面Wf上之清洗液之一部分殘留，而使大部分從基板表面 Wf被甩脫而加以去除（液體去除步驟）。具體而言，係成為 一面將清洗液殘留於微細圖案FP之間隙内部，一面僅將表 層部之清洗液從基板表面Wf予以去除之狀態（表層部去除 狀態）（圖11(b))。其結果，以相較於附著於清洗處理後之 120581-20110624.doc -37· 1354324 基板表面Wf之液膜（由清洗液構成之液膜）之厚度較薄之液 臈將基板表面Wf整體予以覆蓋。若依據上述之基板w之旋 轉速度，則可在較短時間時間而且一面防止基板表面wf2 乾燥一面實現表層部去除狀態。因此，以液體去除步驟之 執行期間而言，係例如設定為〇5至1 sec。如此在藉由 混合液（IPA+DIW)之置換（置換步驟）之前就先將附著於基 板表面Wf之清洗液之一部分殘留而使大部分被去除，即使 基板表面Wf形成有微細圖案Fp，亦可在置換處理中將混 合液有效率地送入至圖案間隙内部（圖丨1(c))。換言之，藉 由在將混合液送入圖案間隙方面會成為障礙之清洗液之大 部分從基板表面Wf予以去除，即可將混合液高效率地送入 至圖案間隙内部。藉此，可使在基板乾燥時於圖案間隙產 生之負壓降低，而有效防止圖案崩壞。 另方面，如上所述在將基板表面wf上之清洗液大致 攸基板表面Wf予以去除時，基板表面Wf上之清洗液之液 膜之厚度會變得非常薄。再者，例如在基板表面Wf存在有 呈現疏水性之圖案時，會有基板表面Wf之一部分露出之情 =。此時’基板表面Wf之周圍氣體環境之氧濃度較高時， 清洗液中之氧濃度會因為氧從周圍氣體環境溶解至清洗液

w遽升尚而使基板表面Wf易於氧化。此外，基板表面 Wf之一部分露出_，會有基板表面Wf直接曝露於周圍氣 體壤境而氧化之情形。針對此點，依據本實施形態，由於 係在將間隙m sp設為氮氣環境之狀態下將基板表面W 之'月洗液之大部分予以去除，因此可抑制基板表面Wf上 120581 -20110624.doc •38- 1354324 之β洗液中之溶氧濃度急遽上升。因此，可確實防止基板 表面Wf之氧化或水印之產纟。再纟，即使基板表面听之 一部分露出時’由於基板表面Wf之周圍氣體環境受到惰性 氣體環境所控制，因此可防止基板表面听直接氧化。 此外，依據本實施形態，由於係將基板表面Wf上之清 洗液之大部分予以去除，因此微粒子等之異物即成為容易 附著於基板表面Wf之狀態。然而，由於一面使遮斷構件9 與基板表面Wf相對向，一面將間隙空間sp設為惰性氣體 環境，因此可降低微粒子附著於基板表面Wf。 <第3實施形態> 圖12係為顯示本發明之基板處理裝置之第3實施形態之 圖。此第3實施形態之基板處理裝置與第.丨及第2實施形態 較大不同之點為，在第1及第2實施形態中係使遮斷構件9 之板狀構件90隨基板W之旋轉一同旋轉，相對於此，在此 第3實施形態中，係在不使遮斷構件旋轉而使之靜止之狀 態下一面與基板表面Wf相對向，一面分離配置之點。另 外’其他之構成及動作係與上述第丨及第2實施形態相同， 故省略說明。 在此實施形態中’遮斷構件1〇〇係設成可在設定在保持 於旋轉夾盤之基板W之表面Wf之附近之對向位置、及與基 板表面Wf之上方充分分離之分離位置之間升降，且藉由遮 斷構件升降機構（未圖示）之驅動升降。 遮斷構件100係具有：圓盤狀之板狀構件i 0 1，於中心部 具有開口部；及支軸102’用以支撐安裝於板狀構件1〇1之 120581 -20110624.doc •39· 1354324 上面之該板狀構件101。板狀構件l〇i係其下面（底面）101a 形成以與基板表面贾£大致平行地對向之基板對向面，其平 面尺寸係成為與基板W之直徑相等以上之大小。支轴1〇2 係成為下面側開口之有底筒狀體，於支轴1〇2之内部區域 與板狀構件101之開口部，形成上面側填塞之圓筒狀之内 部空間IS。在支軸102之上面102a係朝基板表面Wf插通有3 支噴嘴、亦即為用以喷出清洗液（DIW)之清洗液喷嘴1〇3、 用以噴出混合液（IPA+DIW)之混合液喷嘴104及用以喷出氮 氣等之惰性氣體之氣體喷嘴1 〇5。清洗液喷嘴1 〇3、混合液 喷嘴104及氣體喷嘴1〇5係分別具有朝基板w之表面中央部 開口之清洗液噴出口 l〇3a(相當於本發明之「處理液喷出 口」）、混合液噴出口 1 〇4a(相當於本發明之「溶劑喷出 口」）及氣體喷出口 105a。 關於從清洗液喷出口 1 〇3a及混合液喷出口 1 〇4a之水平方 向之旋轉轴J起之距離之上限值，係與上述第1及第2實施 形態相同。至於清洗液喷出口 1 〇3a及混合液噴出口丨04a只 要可將清洗液（DIW)供給至基板W之旋轉中心WO，則以配 置於從旋轉軸J朝徑方向分離之位置為較佳。尤其關於清 洗液喷出口 103a ’從防止因為基板w之帶電導致之氧化之 觀點而言’係以配置於從旋轉轴j分離之位置為較佳。另 一方面，關於氣體噴出口 l〇5a，為了藉由氮氣將由基板表 面Wf上之混合液所成之溶劑層確實地從基板w加以排出， 係以配置於旋轉轴J上或其附近為較佳。 此外’可從板狀構件101之開口部、亦即3支喷嘴之周圍 120581-20110624.doc -40· 空間（内部空間IS)朝基板表面Wf#給氮氣。具體而言在 支軸102(在此實施形態令係支轴1〇2之側壁）係設有將來自 氣體供給單元（未圖示）之氮氣供給至内部空間13之氣體供 給管路106。因此，若氮氣從氣體供給單元被壓送至内部 空間is，則氮氣即供給至形成於遮斷構件1〇〇(板狀構件 1〇1)與基板表面Wf之間之間隙空間SP。 依據上述之構成，不須使遮斷構件100(板狀構件10”旋 轉，而在靜止狀態下一面將遮斷構件100與基板表面貿^目 對向，一面分離配置，而執行從清洗處理到乾燥處理之一 連串之處理。因此，相較於使板狀構件旋轉之情形，可將 裝置構成予以簡化。尤其依據本實施形態，可提高3支喷 嘴、亦即清洗液喷嘴1〇3、混合液喷嘴1〇4及氣體喷嘴1〇5 之喷嘴口徑及喷嘴配置之自由度。亦即，如上述第丨及第2 實施形態所示使板狀構件9〇旋轉時，須將旋轉支轴91(旋 轉側構件）與内插軸95(非旋轉側構件）之間隙保持為從外部 选封之狀態’而内插軸95之直徑係限定為特定尺寸。亦 即’若内插軸95之直徑過大，則難以從外部將旋轉支軸91 /、内插軸95之間隙加以密封。其結果，形成於内插軸95之 喷嘴（流體供給管路）之口徑及配置就會受到一定之限制。 針對此點’若依據本實施形態，則不會有受到如上所述之 限制之情形，而可較自由設定3支喷嘴之口徑及配置。因 此’藉由將例如3支喷嘴之中氣體喷嘴105之口徑設成較 大’亦可將氣體供給管路106加以刪除。亦即，藉由來自 氣體噴嘴105之氮氣，亦可（1)將基板表面Wf之周圍氣體環 12058l-20H0624.doc •41 · 1354324 境保持為惰性氣體環境，且（2)使由基板表面Wf上之混合 液所成之溶劑層從基板w予以排出。藉此，即可謀求裝置 構成之進一步之簡化。 <其他> 另外，本發明並不以上述之實施形態為限，只要不脫離 其主旨，除以上所述者之外，均可進行各種之變更。例如 在上述實施形態中，雖係以清洗液喷出口作為本發明之 「處理液噴出口」而僅將清洗液從清洗液喷出口喷出，惟 以將清洗液與藥液從相同之喷出口喷出之方式構成亦可。 依據此構成，使用從設於遮斷構件之處理液喷出口所喷出 之藥液及清洗液而分別執行藥液處理及清洗處理，另一方 面使用從溶㈣出口嗔出之混合液而執行置換處理。此 時’藥液及清洗液相當於本發明之「處理液」，而藥液處 理及清洗處則目當財發明之「料之濕式處理」。 此外’在上述實施形態中，雖係於遮斷構件分別各形成 一個處理液噴出口、溶劑喷出口 久矾體噴出口，惟此等喷 出口之個數係可為任意數。例如， .^ 』如在上述第1實施形態 中，雖於内插軸95僅設一個混合@ 4 狀 成赁出口 97a(混合液供給 官路97)(圖4)，惟以旋轉軸j為中 Q7 ^ , 勹T〜而在該混合液喷出口 97a之相反位置再設置一個混合 之燼忐p社* 噴出口亦可。依據此種 之構成，即使為了防止混合液 τ二的 嗔出停止時之混合液之落 下而將各混合液喷出口之口經形成為較小 於内插轴95之總計（2個份）之嘴出 7 n ’形成 罢，之開口面積增大。A结 果，可增加每單位時間之混合液 八、，〇 〈供給1。因此，例如在 12058U20110624.doc -42· 1354324 基板表面Wf上形成由混合液所成之溶劑層之際，可於較短 時間形成溶劑層，且可提升裝置之生產能力。 此外，在上述實施形態中，雖係藉由在箱體部7〇將與處 理液相同組成之液體（DIW)與有機溶劑成分（IPA)予以混合 而產生混合液，惟混合液之產生方法並不以此為限。例 如，在將DIW朝遮斷構件之液供給管路（或喷嘴）送液之送 液路徑上，於線上（in-line)混合有機溶劑媒成分產生混合 液亦可。此外，箱體部等之混合液產生機構並不以設於基 板處理裝置内之情形為限，亦可經由設於基板處理裝置内 之遮斷構件’將在與基板處理裝置另行設置之其他裝置所 產生之混合液供給至基板表面Wf亦可。 此外，在上述實施形態中，雖可使用混合液（IPA+mw) 作為低表面張力溶劑，惟使用1 〇〇%IPA亦可。再者，亦可 使用必須含有界面活性濟之溶劑以取代含有IPA等之有機 溶劑成分之溶劑。 此外，在上述實施形態中，雖係使用DIW作為清洗液， 惟亦可使用碳酸水（DIW+C02)等含有對於基板表面wf不具 有化學性洗淨作用之成分之液體作為清洗液。此時，將與 附著於基板表面Wf之清洗液相同組成之液體（碳酸水）與有 機溶媒成分加以混合者作為混合液來使用亦可。此外，亦 可使用碳酸水作為清洗液，另一方面混合液則使用將碳酸 水之主成分之DIW與有機溶媒成分加以混合者。再者，亦 可使用DIW作為清洗液，另一方面混合液則使用將碳酸水 與有機溶媒成分加以混合者。總之，只要是將主成分與附 120581-201I0624.doc -43- 1354324 著於基板表面Wf之液體相同之液體與有機溶媒成分加以混 合者作為混合液來使用即可。此外，作為清洗液，除 DIW、碳酸水以外’另亦可使用氫水、稀薄濃度（例如i ppm左右）之氨（ammonia)水、稀薄濃度之鹽酸等。 [產業上之可利用性] 本發明係可適用於針對包含有半導體晶圓、光罩用玻璃 基板、液晶顯示用玻璃基板、電漿顯示用玻璃基板、 FED(Field Emission Display，場發射顯示器）用基板、光 碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板等之基板整體表面 施以乾燥處理之基板處理裝置及基板處理方法。 【圖式簡單說明】 圖1係為顯示本發明之基板處理裝置之第1實施形態之 圖。 圖2係為顯示圖1之基板處理裝置之主要之控制構成之區 塊圖》 圖3係為顯示裝備於圖〗之基板處理裝置之遮斷構件之主 要部分之縱剖面圓。 圖4係為圖3之Α，Α，線剖面圖（橫剖面圖）。 圖5係為顯示圖丨之基板處理裝置之動作之流程圖。 圖6係為顯示圖丨之基板處理裝置之動作之時序圖。 圖7(a)、（b)係為顯示圖丨之基板處理裝置之動作之模式 圖。 圖8(a)至（c)係為顯示圖丨之基板處理裝置之動作之模式 圖0 120581-20110624.doc 丄354324 圖9係為顯示IPA濃度與表面張力γ之關係之曲線圖。 圖10係為顯示本發明之第2實施形態之基板處理裝置之 動作之時序圖。 圖11(a)至（c)係為顯示本發明之第2實施形態之基板處理 裝置之動作之模式圖。 圖12係為顯示本發明之基板處理裝置之第3實施形態之 圖。 【主要元件符號說明】 9 > 1〇〇 遮斷構件 13 夹盤旋轉機構（基板旋轉機構） 17 夹盤銷（基板保持機構） 18 氣體供給單元（氣體供給機構） 41 溶劑層. 42 孔洞 90a、 101a (板狀構件之）下面（基板對向面） 93 遮斷構件旋轉機構 96a、103a 清洗液噴出口（處理液噴出口） 97a、104a 混合液嘴出口（溶劑嘴出口） 98a ' 105a 氣體噴出口 99a 外側氣體噴出口 J 旋轉軸 SP 間隙空間 W 基板 Wf 基板表面 120581-20110624.doc •45-

Claims (1)

1354324 申請專利範圍 1. 種基板處理裝置，其係在將處理液供給至基板表面而 對該基板表面施以特玄·怎斗 · 士 乂苻疋濕式處理之後，將表面張力較前 述處理液更低之低表面張力溶劑供給至前述基板表面之 後，再從前述基板表面您#& ± 衣面將该低表面張力溶劑去除，藉此 使前述基板表面乾操者，其特徵為包含： 基板保持機構，其係以大致水平姿勢保持基板； 土，旋轉機構’其係使保持於前述基板保持機構之基 板繞著特定旋轉軸旋轉； 遮斷構件’其係設置有：處理液供給管路，里係包含 將前述處理液朝保持於前述基㈣持機構之前述基板之 表面中央部喷出的處理液噴出口；及溶劑供給管路，其 =包ΐ將前述低表面張力溶劑朝保持於前述基板保持機 之則述基板之表面中央部噴出的溶劑喷出口；， 該遮斷構件既與前述基板表面相對向，又與 面分離配置；及 低衣 f體供給機構’其係將惰性氣體供給至前述遮斷構件 與則述基板表面之間所形成之間隙空間； 前述溶劑喷出口之σ徑小於前述處理液 徑； < 口 且從前述氣體供給機構-面將惰性氣體供 丨卓二間，—面使處理液從前述處理液喷出口噴出以執疒 刖述濕式處理H使惰性氣體從#述氣體供給機^ 供給至前述間隙空間，一面使前述低表面張力溶劍從前 12058l-20110624.doc 1354324 述溶劑噴出口噴出，以使附著於前述基板表面之處理液 置換為前述低表面張力溶劑。 2. 如請求項1之基板處理裝置，其中 一面從前述氣體供給機構將惰性氣體供給至前述間隙 空間，前述基板旋轉機構一面使前述基板旋轉以將附著 於前述基板表面之前述低表面張力溶劑從前述基板表面 予以甩脫’而使前述基板表面乾燥。 3. 如請求項1之基板處理裝置，其中 耵述遮斷構件進而包含氣體噴出口，將來自前述氣體 供給機構之惰性氣體朝前述基板表面之中央部噴出。 4. 如請求項3之基板處理裝置，其中 在藉由前述低表面張力溶劑之置換後、前述基板表面 之乾燥前，使前述低表面張力溶劑從前述溶劑噴出口噴 出而於前述基板表面整體形成積液狀之由前述低表面張 力溶劑所成之溶劑層，進而使惰性氣體從前述氣體喷出 口喷出至前述基板之表面中央部而於前述溶劑層之中央 部形成孔洞，並使前述孔洞朝前述基板之端緣方向擴 5.如請求項3之基板處理裝置，其中 前述遮斷構件進而包含外側氣體噴出口， ^ 所求自朝 氣體供給機構之惰性氣體供給至前述間隙空間· 前述外側氣體噴出口係相對於前述處理液噴出口 述溶劑噴出π及前述氣體嘴出口而於經方向外側口而 以包圍前述處理液喷出口、前述溶劑嘴出口及前述氣 J20581-20110624.doc • 2 - 1354324 噴出口之方式形成為環狀。 6.如請求項1之基板處理裝置，其中 在藉由前述處理液之前述濕式處理後、藉由前述低表 面張力溶劑之前述置換前，在從前述氣體供給機構將惰 性氣體供給至前述間㉟空間的同肖，前述基板旋轉機構 —面使前述基板旋轉，一面使附著於前述基板表面之處 理液之一部分殘留而將大部分從前述基板表面甩脫去 除。 7_如請求項1至6中任一項之基板處理裝置，其中 前述遮斷構件具有與前述基板表面相對向之基板對向 面二進而包含遮斷構件旋轉機構，使前述基板對向面 繞著前述基板之旋轉軸旋轉。 8. -種基板處理裝置，其係在將處理液供給至基板表面而 對該基板表面施以特㈣式處理之後，將表面張力較前 述處理液更低之低表面張力溶劑供給至前述基板表面之 後丄再從前述基板表面將該低表面張力溶劑去除，藉此 使前述基板表面乾燥者，其特徵為包含： 基板保持機構，其係以大致水平姿勢保持基板； 基，旋轉機構’其係使保持於前述基板保持機構之基 板繞著特定旋轉軸旋轉； 遮斷構件’其传母番亡 丹诉”又置有.處理液供給管路，其係包含 將前述處理液朝保拉 、；别达基板保持機構之前述基板之 表面中央:嗔出的處理液噴出口；及溶劑供給管路，其 係包3將别述低表面張力溶劑朝保持於前述基板保持機 120581-20110624.doc 構 該 之前述基板之表面中央部嘴出的溶劑喷出口； 遮斷構件既盥前址其 時 面分離配置;及 表面相對向’又與前述基板表 4=構，其係將惰性氣體供給至前述遮斷構件 述基板表面之間所形成之間隙空間； 前斷構件係包含：板狀構件’其係'具有與保持於 及内^保持機構之前述基板之表面相對向之對向面； a插軸’其係插通於設置於該板狀構件之開口 則述處理液喷出口、前述溶劑噴出口、及 給機構喷出惰性氣體之氣體嘴出口係形成於下端= 插軸之下编係較前述板狀構件之下面退避至上方； 且從則述乳體供給機構經由前述氣體喷出口—面 性氣體供給至前沭問陏处„ 月 芏別边間隙工間，一面使處理液從前述處理 出口喷出以執行前述濕式處理，並一面使惰性氣體 “述氣體供給機構供給至前述間隙空間，-面使前述 低表面張力溶劑從前述溶劑噴出口喷出，以使附著於前 9· 隸板表面之處理液置換為前述低表面張力溶劑。 一種基板處理方法，其特徵為包含： 遮斷構件配置步驟，其係—面將遮斷構件與前述基板 表面相對向，—面使之與前述基板表面分離配置，該遮 斷構件係設置有：處理液供給管路，其係包含將前述處 理液朝保持於前述基板保持機構之前述基板之表面中央 部噴出的處理液喷出口；及溶劑供給管路，其係包含將 前述低表面張力㈣朝保持於前述基板保持機構之前述 】2058】 -201 】0624.doc 基板之表面中央部喷出的溶劑喷出口； 濕式處理步驟，其係一 j述基板旋轉，一面使處 ⑯^出口嗔出至前述基板表面，對前述 基板表面施以特定之濕式處理； 置換步驟’其係一面使前 更jiL基板鉍轉，一面使前述低 表面張力溶劑從前述溶劍嗜屮山E z 、^ 合d赁出口賀出至經前述處理液潤 者、刖述基板表面之處理液置換為 前述低表面張力溶劑；及 乾無步驟，其係在前述置換步驟後將前述低表面張力 溶劑從前述基板表面切，使該基板表面乾燥； 前述溶劑喷出口之口徑小於前述處理液喷出口之口 徑； 且在前述濕式處理步驟及前述置換步驟中，將惰性氣 體供給至在前述麵構件配置步射所配置之前述遮斷 構件與前述基板表面之間所形成之間隙空間。 10.如凊求項9之基板處理方法，其中 在前述乾燥步驟中’ 一面將惰性氣體供給至前述間隙 空間，-面使前述基板旋轉而將附著於前述基板表面之 前述低表面張力溶劑從前述基板表面甩脫M吏前述基板 表面乾燥。 11.如請求項9之基板處理方法，其中 進而包含液體去除步驟，於前述濕式處理步驟後、且 於前述置換步驟前，使附著於前述基板表面之處理液之 一部分殘留而將大部分從前述基板表面去除；且 120581-20110624.doc 12. 在則述液體去除步驟中，蔣样 7咪甲將惰性氣體供給至前述間隙 空間β ηψ' 如請求項9至11中任一項之基板處理方法，其中 在前述置換步驟中，使混合液作為前述低表面張力溶 劑而從前述溶劑噴出σ嘴出；該混合液係混合有與前述 處理液相同組成之液體、或主成分與前述處理液相同之 液體’及溶解於該液體而使表面張力降低之有機溶劑成 分者。 13. 14. 如凊求項12之基板處理方法，其中 刖述混合液中之前述有機溶媒成分之體積百分率為 5 0%以下。 如請求頊1‘3之基板處理方法，其中 前述混合液中之前述有機.溶蝶成吩之體積百分率為5% 以上、且為10%以下。 120581-201l0624.doc