TWI353580B - Acoustic device - Google Patents

Description

1353580 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 尤其涉及一種基於奈米 本發明涉及一種發聲裝置 碳管的發聲裝置。 【先前技術】 >發聲裝置-般由信號輸人裝置和發聲元件組成。通過 信號輸入裝置輸入電信號給發聲元件，進而發出聲音。先 籲前技術令的發聲元件-般爲—揚聲器。該揚聲器^種把 電=號轉換成聲音信號的電聲器件。具體地，揚聲器可將 一定範圍内的音頻電功率信號通過換能方式轉變爲失真小 並具有足够聲壓級的可聽聲音。 ^ 先前的揚聲器的種類很多，根據其工作原理分爲·· 電動式揚聲器、電磁式揚聲器、靜電式揚聲器及壓電式揚 聲器。_它們的工作方式不@，但一般均爲通過産生機 械振動推動周圍的空氣，使空氣介質産生波動從而實現“電 籲-力-聲”之轉換。其令，電動式揚聲器的應用最爲廣泛。 請參閱圖1，先前的電動式揚聲器100通常由三部分 組成：音圈102、磁鐵1〇4以及振膜106。音圈1〇2通常採 用通電導體’當音圈1〇2中輸入一個音頻電流信號時，音 圈102相當於一個載流導體。由於放在所述磁鐵1〇4産生 的磁場裏，根據載流導體在磁場中會受到力的作用而運動 的原理，音圈102會受到一個大小與音頻電流成正比、方 向隨音頻電流變化而變化的力。因此，音圈1〇2就會在所 述磁鐵104産生的磁場作用下産生振動，並帶動振膜1〇6 1353580 ‘振動，㈣106前後的空氣亦隨之振動，將電信號轉換成 '聲波向四周輻射。然而，該電動式揚聲器1GG的結構較爲 複雜，且其必須在有磁的條件下工作。 自九十年代初以來，以奈米碳管（請參見Helical microtubules of graphitic carbon, Nature, Sumio Iijima, vol 354, P56(1991))爲代表的奈米材料以其獨特的結構和性質 引起了人們極大的關沒。近幾年來，隨著奈米碳管及夺来 ♦材料研究料斷深人，其廣_應料景不斷顯現出Γ。、 例如由於奈米碳官所具有的獨特的電磁學、光學、力學、 化學等性能，大量有關其在場發射電子源、傳感器、新型 光學材^、軟鐵磁材料等領域的應用研究不斷被報道。然 而，先則技術中却尚未發現奈米碳管用於聲學領域。 有鑒於此，提供-種結構簡單，可在無磁的條件下工 作的發聲裝置實為必要。 【發明内容】 •種發聲裝置’其包括：_信號輸人裝置；以及一發 f元件’該發聲元件與所述信號輸人裝置的兩端電連接； 所述發聲元件至少部分設置在一支撑結構表面，該 聲元件G括至層奈米碳管薄膜該奈米碳管薄膜包 ^個擇優取向排列的奈米碳管，所述信號輸人裝置輸入 絡:號給該發聲疋件，通過該發聲元件加熱周圍氣體介質 赞出聲波。 下僖相較於先刖技術本技術方案提供的發聲裝置具有以 優點：其一，由於所述發聲裝置中的發聲元.件僅包括奈 1353580 米碳管薄膜，無需磁鐵等其它複雜結構，故該發聲裝置的 結構較爲簡單，有利於降低該發聲裝置的成本。其二，該 發聲装置利用輸入信號造成該發聲元件溫度變化，從而使 其周圍氣體介質迅速膨脹和收縮，進而發出聲波，無需振 膜，且該發聲元件組成的發聲裝置可在無磁的條件下工 作。其三，由於奈米碳管薄膜具有較小的熱容和大的比表 面積，且奈米碳管薄膜中的奈米碳管擇優取向排列，在輸 入信號後，根據信號强度（如電流强度）的變化，由至少 一層奈米碳管薄膜組成的發聲元件可㈣地加熱的氣 體介質、迅速升降溫、産生周期性的溫度變化，並和周圍 氣體介質進行快速熱交換’使周圍氣體介質迅速膨服和收 縮，發出人耳可感知的聲音，且所發出的聲音的頻率範圍 較寬、發聲效果較好。另外，當該發聲元件的厚度比較小 時’例如小於1〇微米，該發聲元件具有較高的透明度，故 所形成的發㈣置爲透明發聲裝置，可 ，置、手機顯示屏的顯示表面或油畫的表面= 種 ς =透明發聲裝置。其四，由於奈米碳管具有較好的機 和勒性，故由擇優取向排列的奈米碳管組成的奈米 奴官賴具有較好的频强度㈣性 :利於製備由奈米碳管薄膜組成的各種形狀、二= f，進而方便地應用於各種領域。其五，由於所述發聲 疋件至少部分設置在所述支撑結構表面，所述發聲元件可 =承焚强度較高的信號輸入’增强所述發聲裝置的發聲效 果0 1353580 【實施方式】 以下將結合_詳細說明本技術方案實施例的發聲裝

凊參閱圖2,本技術方案第一實施例提供一種發聲裝 置10，該發聲裝置10包括一信號輸入農i 12，-發聲元 件H，一支撑結構16，一第一電極142以及一第:電極 ，所述發聲元件14設置於所述支撑結構16表面。所述 第一電極142和第=電極⑷間隔設置在所述發聲元件14 的兩端或表面’且與所述發聲元件14電連接。所述第一電 ，142和第二電極144通過外接導線149與所述信號輸入 裝置12的兩端電連接’用於將所述信號輸人裝置η中的 電信號輸入到所述發聲元件14中。 所述支撑結構16主要起支撑作用，其形狀不限，任何 具有確定形㈣物體，如―墙壁或桌面，均可作爲本技術 方案第-實施财的支撐結構16。具體地，所述支撑結構 16可以爲一平面結構或一曲面結構並具有一表面。此 時’該發聲元件14直接設置並貼合於該支撑結構Μ的表 面。由於該發聲元件14整體通過支撑結構16支撑，因此 ^發聲元件14可以承受强度較高的信缝人，從而具有較 尚的發聲强度。 該支撑結構16的材料不限，可以爲一硬性材料，如金 剛石、玻璃或石英。另外，所述支撑結構16還可爲-柔性 材料，如塑料或樹脂。優選地，該支撑結構16的材料應具 有較好的絕熱性能’從而防止該發聲元件14産生的熱量過 1353580 度的被該支撑結構16吸收’無法達到加熱周圍氣體介質進 而發聲的目的。另外，該支撑結構16應具有—較爲粗㈣ 表面，從而可以使設置於上述支撑結構16表面的發聲元件 14^空氣或其他外界介質具有更大的接觸面積，進而可在 疋程度上改善所述發聲裝置10的發聲效果。 、所述發聲元件14包括至少一層奈米碳管薄膜。該奈米 石反管薄膜包括多個擇優取向排列的奈米碳管。所述奈米碳 鲁f薄膜可通過從一奈米碳管陣列中直接拉取而獲得。請參 閱圖3及圖4，進一步地，所述奈米碳管薄膜141包括多 個首尾相連且定向排列的奈米碳管束143，每個奈米碳管 束143具有大致相等的長度，且奈米碳管束143兩端通過 凡德瓦爾力相互連接。該奈米碳管束143包括多個長度相 等且相互平行排列的奈米峻官14 5。上述從一奈米碳管陣 列中直接拉取而獲得的奈米碳管薄膜141可進一步經過揮 發性有機溶劑處理，處理後的奈米碳管薄膜141的表面體 #積比减小’黏性降低，且其機械强度及韌性得到增强。所 述奈米碳管薄膜141的厚度爲0.5奈米〜1〇〇毫米。所述發 聲元件14的厚度爲0.5奈米〜1毫米。進一步地，所述發 聲元件14包括至少兩層重叠設置的奈米碳管薄膜141，相 鄰的奈米碳管薄膜141之間通過凡德瓦爾力緊密結合。該 發聲元件14中的奈米碳管薄膜141的層數.不限，且相鄰兩. 層奈米碳管薄膜141中的奈米碳管145的排列方向之間具 有一交叉角度α，α大於等於0度且小於等於9〇度，具體 可依據實際需求製備。當所述發聲元件14包括多層奈米碳 1353580 管薄膜時，由於相鄰兩層奈米碳管薄膜之間通過凡德瓦爾 力緊岔結合，故所述發聲元件14本身具有很好的自支撐性 能。所述奈米碳管薄膜141中的奈米碳管145可爲單壁奈 米碳管、雙壁奈米碳管及多壁奈米碳管中的一種或多種。 所述單壁奈米碳管的直徑爲〇·5奈米~5〇奈米，所述雙壁 奈米碳管的直徑爲1.0奈米〜5〇奈米，所述多壁奈米碳管 的直徑爲1.5奈米〜50奈米。所述由至少一層奈米碳管薄 籲，組成的發聲元件14的長度及寬度不限，具體可根據實際 而求製備。本技術方案實施例中，所述發聲元件14的長度 爲3厘米，寬度爲3厘米，厚度爲5〇奈米。當由該發聲元 件14的厚度比較小時，例如小於1〇微米，該發聲元件具 有較1^3的透明度，故採用該發聲元件的發聲裝置 透明發聲裝置1G，可以直接安裝在各種顯示裝置、手機顯 不屏的顯示表面或油畫的表面作爲節省空間的透明發 置10。

由於奈米妷官具有極大的比表面積，在凡德瓦爾力的 作用下’該奈米碳f薄膜本身有很好的黏附性，故採用該 至少-層奈来碳管薄膜作發聲元# 14時，所述 Μ與所述支撑結構16之間可以直接黏_定。進一步地牛 在所述發聲元件U與所述支撑結構16之間還可以進一步 =括黏結層（圖未示）。所述黏結層可設置於所述發聲元 =4的表面。所述黏結層可以將所述發聲元件w更好地 2 =所述支撑結構16的表面。所述黏結層的材料可爲絕 ’；，也可爲具有一定導電性能的材料。本實施例中，

11 所述點結層爲-層銀膠。 並呈:述第一電極142和第二電極144由導電材料形成， \、八·形狀結構不限。具體地，所述第一電極142和第二 2極144可選擇爲層狀、棒狀、塊狀或其它形狀。所述第 一電極142 *第二電極144的材料可選擇爲金屬、導電膠、 金屬性奈求碳管、銦錫氧化物（ITO)等。所述第一電極 ⑷和第二電極144用於實現所述信號輸人裝置η與所述 發聲元件14之間的電連接。所述第—電極142和第二電極 ^4分別與所述發聲元件14電連接。由於所述發聲元件14 "又置在所述支撑結構16表面，所述第一電極和第二電 極144也可間隔设置固定在所述發聲元件兩端或表面。 所述第-電極142和第二電極144的設置與所述發聲元件 14中的奈米碳管的排列方向有關，至少部分奈米碳管沿所 述第-電極142至第二電極144的方向延伸。本技術方案 實施例中，戶斤述第一電極142和第二電極144爲棒狀金屬 電極’所述第-電極142和第二電極144間隔設置固定在 所述發聲元件14兩端’且所述發聲元件中的全部奈米碳管 沿所述第一電極142至第二電極144的方向延伸。由於所 述第一電極142和第二電極144間隔設置，所述發聲元件 14應用於發聲裝置1〇時能接入一定的阻值避免短路現象 産生。由於奈米碳管具有極大的比表面積，在凡德瓦爾力 的作用下，該奈米碳管薄膜本身有很好的黏附性，故採用 該至少一層奈米碳管薄膜作發聲元件14時，所述第一電極 142和第二電極144與所述發聲元件14之間可以直接黏附

12 固定，並形成报好的電接觸。 ^步：，所述第一電極142和第二電極144與所述 ”所還可以進一步包括一導電黏結層(圖未 Γ。所黏結層可設置於所述發聲元…表面 二=黏結層在實現第一電極142和第二電極⑷ 142純 4電接觸的同時’還可以將所述第一電極

第-電極144更好_定於所述發聲元件14的表面 。本實施例令’所述導電黏結層爲一層銀膠。 可以理解，本技術方案第—實施例可進—步設置多個 電極於所述發聲科14表面，其數量不限，只需確保任意 兩個相鄰的電極均間隔設置、與所述發聲元件Μ電連接， 且均分別與所述信號輸入裝置12的兩端電連接即可。

可以理解，由於所述發聲元件14設置在所述支撑結構 16表面，故所述第一電極142與第二電極144爲可選擇的 結構。所述信號輸入裝置12可直接通過導線149或電極引 線等方式與所述發聲元件14電連接。只需確保所述信號輸 入裝置12能將電信號輸入給所述發聲元件14即可。任何 可實現所述信號輸入裝置12與所述發聲元件14之間電連 接的方式都在本技術方案的保護範圍之内。 所述信號输入裝置12輸入的信號包括交流電信號或 音頻電信號等。所述信號輸入裝置12通過導線149與所述 第一電極142和第二電極144電連接’並通過所述第一電 極142和第二電極144將電信號輸入到所述發聲元件14 中。

13 1353580 . 上述發聲裝置10在使用時，由於奈米碳管薄膜具有較 小的熱容和大的比表面積，且奈米碳管薄膜中的奈米碳管 擇優取向排列，在輸入信號後，根據信號强度（如電㈣ 度）的變化，由至少一層奈米碳管薄膜組成的發聲元件Μ 可均勻地加熱周圍的氣體介質、迅速升降溫、産生周期性 的溫度變化，並和周圍氣體介質進行快速熱交換，使周圍 氣體介質迅速膨脹和收縮，發出人耳可感知的聲音，且所 鲁發出的聲音的頻率範圍較寬、發聲效果較好。故本技術方 案實施例中，所述發聲元件14的發聲原理爲“電熱聲” 的轉換，具有廣泛的應用範圍。 圖5爲採用長寬均爲3〇毫米的四層奈米碳管薄膜用作 所述發聲元件14時，所述發聲裝置1〇的頻率響應特性曲 線。從圖5中可以看出，所述發聲裝置1〇的發聲强度可達 105分貝聲壓級，發聲頻率範圍爲丄赫兹至1〇萬赫兹（即 1Hz〜l〇0kHz)，所述發聲裝置1〇具有較好的發聲效果。另 •外’本技術方案實施例中的發聲元件14具有較好的韌性和 機械强度’所述發聲元件14可方便地製成各種形狀和尺寸 的發聲裝置10,該發聲裝置1〇可方便地應用於各種可發 聲的裝置中，如音響、手機、MP3、MP4、電視、 等電子領域及其它發聲裳置中。 請參閱圖6,本技術方案第二實施例提供一種發聲裝 置20,該發聲裝置20包括一信號輸入裝置22、一發聲^ 件24、一支撑結構26、一第一電極242、一第二電極244、 一第三電極246以及一第四電極248。 1353580 本技術方案第二實施例中的發聲裝置20與第一實施 例中的發聲裝置10的結構基本相同，區別在於，本技術方 案第二實施例中的發聲元件24環繞所述支撑結構26設 置’形成一環形發聲元件24。所述支撑結構26的形狀不 限’可爲任何立體結構。優選地，所述支撑結構26爲一立 方體、一圓錐體或一圓柱體。本技術方案實施例中，所述 支撑結構26爲一圓柱體。所述第一電極242、第二電極 籲2料、第三電極2从和第四電極248間隔設置在所述發聲元 件24表面並與所述發聲元件24電連接。任意兩個相鄰的 電極均分別與所述信號輸入裝置22的兩端電連接，以使位 於相鄰電極之間的發聲元件24接入輸入信號。具體地，先 將不相鄰的兩個電極用導線249連接後與所述信號輸入裝 置22的一端電連接，剩下的兩個電極用導線249連接後與 所述信號輸入裝置22的另一端電連接。本技術方案實施例 中，可先將所述第一電極242和第三電極246用導線249 #連接後與所述信號輸入裝置22的一端電連接，再將所述第 二電極244 *第四電極料線謂連接後與所述信號 輸入裝置22的另-端電連接。上述連接方式可實現相鄰電 極之間的奈米碳管薄臈的並聯。並聯後的奈米碳管薄膜且 有較小的電阻，可降低工作電壓。且，上述連接方式可使 所述發聲元件24具有較大的輻射面積，且發聲强度得到增 强’從而實現環繞發聲效果。 可以理解，本技術方案可設置多個電極，其數量不限， 只需確保任意兩個相鄰的電極均間隔設置、與所述發聲元

15 c S 1353580 件24電連接，且均分別與所述信號輸入裝置22的兩端電 連接即可。 凊參閱圖7,本技術方案第三實施例提供—種發聲裝 置30，該發聲裝置3〇包括一信號輪入裝置、一發聲元 件34、一支撑結構36、一第一電極342、一第二電極344。 本技術方案第二實施例中的發聲裝置3〇與第一實施 例中的發聲裝置10的結構基本相同，區別在於，本技術方 籲案第二實施例中的發聲元件34部分設置在所述支撑結構 36表面，從而在所述發聲元件34表面至支撑結構％之間 形成一攏音空間。所形成的攏音空間可爲一封閉空間或一 開放空間。所述支撑結構36可爲一 V型或U型結構或一 具有狹窄開口的腔體。當所述支撑結構36爲一具有狹窄開 口的腔體時’該發聲元件34可平鋪固定設置於該腔體的開 口上，從而形成一亥姆霍茲共振腔。該支撐結構36的材料 爲木質、塑料、金屬或玻璃等。本技術方案實施例中，所 _述支撑結構36爲一 V型結構^所述發聲元件34設置在所 述V型結構的兩端，即從v型結構的一端延伸至另一端， 使所述發聲元件34部分懸空設置，從而在所述發聲元件 34表面至支撑結構36之間形成一攏音空間。所述第一電 極342和第二電極344間隔設置在所述發聲元件34表面。 所述第一電極342和第二電極344連接導線349後與所述 信號輸入裝置32的兩端電連接。所述v型支撑結構36可 反射所述發聲元件34位於所述支撑結構36 一側的聲波， 增强所述發聲裝置30的發聲效果。

16 1353580 本技術方案實施例提供的發聲裝置具有以下優點：其 一’由於所述發聲裝置中的發聲元件僅包括奈米碳管薄 膜，無需磁鐵等其它複雜結構，故該發聲裝置的結構較爲 簡單，有利於降低該發聲裝置的成本。其二，該發聲農置 利用輸入信號造成該發聲元件溫度變化，從而使其周圍氣 體介質迅速膨脹和收縮，進而發出聲波，無需振膜，且該 發聲元件組成的發聲裝置可在無磁的條件下工作。其三， 由於奈米碳管薄膜具有較小的熱容和大的比表面積，且奈 米碳管薄膜中的奈米碳管擇優取向排列且部分奈米碳管= 排列方向沿從所述第一電極至第二電極的方向延伸在輸 入信號後，根據信號强度（如電流强度）的變化，由至少 -層奈米碳管薄膜組成的發聲元件可均勻地加熱周圍的氣 體介質、迅速升降溫、產生周期性的溫度變化，並和周圍 氣體介質進行快速熱交換’使周圍氣體介質迅速膨服和收 縮，發出人耳可感知的聲音，且所發出的聲音的頻率範圍 =寬⑽卜驗叫、發聲效果較好。另外，當該發聲元 牛的厚度比較小時，例如小於1G微米，該發聲元件且有較 局的透明度’故所形成的發聲裝置爲透明發聲褒置:、可以 2安裝在各種顯示裝置、手機顯示屏的顯示表 查 =表面作爲節省^間的透明發聲裝置。其四，由於去二 官具有較好的機械强度和款性，則由至少兩層由沿;同、二 =優取向排列的奈米碳管組成的奈米碳管薄膜:有較好 的機械强度和純，耐祕較好，從而有利 碳管薄臈組成的各種形狀、尺寸的 、備由不未 丰衮置進而方便地

17 c S 1353580 應用於各種領域。其五，由於奈米碳管薄膜爲從直接一奈 米碳管陣列中拉取獲得，故所述奈米碳管薄膜具有較好的 黏陡’從而有利於製備大面積的發聲元件及發聲裝置。其 :、’當所述支撑結構爲—平面時，所述發聲元件直接設置 並貼口於該支撑結構的表面，故該發聲元件可以承受强度 較高的信號輸人，從而具有較高的發聲强度；#所述支撑 L構爲一 V型、U型結構或一具有狹窄開口的腔體時，所 鲁述發聲元件部分設置於所述支撑結構表面，形成一攏音空 間’所述支撑結構可反射所述發_元件發出的_波，增强 所述發聲裝置的發聲效果。 θ综上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法 提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例， 自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡習知本案技藝 之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵 蓋於以下申請專利範圍内。 鲁【圖式簡單說明】 圖1係現有技術中揚聲器的結構示意圖。 圖2係本技術方案第一實施例發聲裝置的結構示意 圖〇 圖3係本技術方案第一實施例發聲裝置中奈米碳管薄 膜的結構示意圖。 圖4係本技術方案第一實施例發聲裝置中奈米碳管薄 膜的掃描電鏡照片。 圖5係本技術方案第一實施例發聲裝置的頻率響應特 (S ) 18 1353580 性曲線。 圖6係本技術方案第二實施例發聲裝置的結構示意 圖。 圖7係本技術方案第三實施例發聲裝置的結構示意 圖。

【主要元件符號說明】 揚聲器 100 音圈 102 磁鐵 104 振膜 106 發聲裝置 10, 20, 30 信號輸入裝置 12, 22, 32 發聲元件 14, 24, 34 支撐結構 16, 26, 36 奈米碳管薄膜 141 奈米碳管束 143 奈米碳管 145 第一電極 142, 242, 342 第二電極 144, 244, 344 導線 149, 249, 349 第三電極 246 第四電極 248 (S ) 19

Claims (1)

1. 、申請專利範圍 一種發聲裝置，其包括： 一信號輸入裝置；以及 一發聲元件’該發聲元件與所述信號輸入裝置的兩端 電連接；其改良在於， 所述發聲元件至少部分設置在一支撑結構表面，該發 聲元件包括至少一層奈米碳管薄膜，該奈米碳管薄膜 包括多個擇優取向排列的奈米碳管，所述信號輸入裝 置輸入電信號給該發聲元件，通過該發聲元件加熱周 圍氣體介質發出聲波。 如申請專利範圍第1項所述的發聲裝置，其中，所述 發聲元件的厚度爲0.5奈米〜；L毫米。 如申凊專利範圍第1項所述的發聲裝置，其中，所述 奈米碳管薄膜進一步包括多個首尾相連的奈米碳管 束每個奈米石反官束具有大致相等的|度，奈米碳管 束兩端通過凡德瓦爾力相互連接。 如申請專利範圍第3項所述的發聲震置，1中，每伯 束由多個相互平行的奈米碳管構成。 專利乾圍第1項所述的發聲裝置，其中，所过 膜中的奈米碳管爲單壁奈米碳管、雙壁奈 米…多壁奈米碳管中的-種或多種。 如申請專利範圍第5項所诚沾& 口口辟太上山& 所述的發聲裝置，1中，所过 早壁奈未碳管的直徑爲〇 奈米碳管的直徑爲4::〜50奈米，所述雙璧 “ 50奈米，所述多璧奈米 1353580 碳管的直徑爲1.5奈米~5〇奈米。 7.如申請專利範圍第i項所述的發聲裝置，其中，所逃 發聲元件包括至少兩層重叠設置的奈米碳管薄膜，且 相鄰兩層奈米碳管薄膜之間通過凡德瓦爾力緊密级 合。 、" 8. 如申請專利範圍第7項所述的發聲裝置，其中，所述 發聲兀件中相鄰兩層奈米碳管薄膜中的奈米碳管之間 具有一交又角度α，〇£α$9〇度。 9. 如申請專利範圍第1項所述的發聲裝置，其中，所述 發聲70件直接設置並貼合於該支撑結構的表面。 1〇.如申請專利範圍第1項所述的發聲裝置，其中，所述 支撑結構的材料爲金剛石、玻璃、石英、塑料或樹脂。 I如申請專利範圍第i項所述的發聲裝置，其中，所述 支撑結構爲一 V型、u型結構或一具有狹窄開口的腔 體，所述發聲元件通過該支撐結構部分懸空設置，在 所述發聲元件至支撑結構之間形成一攏音空間。 12.如申請專利範圍第1項所述的發聲裝置，其中，所述 支撑結構爲一立體結構，所述發聲元件環繞所述支撑 結構設置。 13.如申請專利範圍第i項所述的發聲裝置，其中，所对 =聲裝置進-步包括至少兩電極，該至少兩電極間隔 置於所述發聲元件表面且與所豸發聲元件電連接。 •如中請專利範圍第13項所述的發聲裝置，其中，所述 發聲褒置包括-第-電極和—第二電極，所述第一電

   21 1353580 • 極和第二電極間隔設置在所述發聲元件表面。 .I5.如申請專利範圍第14項所述的發聲裝置其中，所述 發聲元件中的奈米碳管沿所述第一電極至第二電極的 方向延伸。 16.如申請專利範圍第13項所述的發聲裝置，其中，所述 至少兩電極進一步通過導線與所述信號輸入裝置的兩 端電連接。 _ 17.如申請專利範圍第16項所述的發聲裝置，其中，所述 發聲裝置包括多個電極，該多個電極間隔設置且均與 所述發聲7G件電連接，且該多個電極中任意兩個相鄰 的電極分別與所述信號輸入装置的兩端電連接。 18.如申請專利範圍第17項所述的發聲裝置，其中，所述 電極的材料爲金屬、導電膠、金屬性奈米碳管或銦錫 氧化物。 19·如申請專利範圍第13項所述的發聲裝置其中， • 發聲裝置進一步包括一導電黏紝厗π番 守电黏、.，口層s又置在所述至少兩 電極和發聲元件之間。 20.如申請專利範圍第i項所述的發聲襄置，其中，所述 信號輸入裝置輸入的信號包括交流電信號或音頻電信 22 < S