TWI352841B - Thin film transistor array panel and manufacturing - Google Patents

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1352841 第9M06835號專利申請案 發明專利說明書替換本 修正日期：100年06月22曰 玫、發明說明：

【發明所屬之技術領域：J 發明領域 本發明係有關薄膜電晶體陣列面板及其製造方法。 5 【先前技術】 發明背景 薄膜電晶體(TFT)陣列面板係用來驅動諸如液晶顯示 (LCD)或有機電激發光(EL)顯示裝置。該TFT陣列面板包括 數個傳輸掃瞄信號之閘極線，數個傳輸數據信號之數據 10 線，數個連接至該閘極線及該數據線之TFTs，數個連接至 該TFTs之畫素電極，一覆蓋該閘極線之閘極絕緣層，及一 覆蓋該數據線之鈍態層。該TFT陣列面板對該掃瞄信號做反 應，選擇性地傳輸該數據信號至該畫素電極。該TFT包括由 非晶質矽或多晶矽製造之半導體層。 15 非晶質矽TFT陣列面板之傳統方法需數個沉積步驟及 微影步驟形成該上述元件。增加該步驟數目會降低產量並 增加產品成本。此外，該非晶質矽TFT在產速上較多晶矽來 的低。 t 明内穷3 20 發明概要 提供一薄膜電晶體陣列面板，其係包括〔一基材；一 閘極，纟5亥閘極上形成之絕緣看；一在閉極、絕緣層上形 成，且包括一對摻雜導電雜質之歐姆接觸區域之多晶矽 層；在該歐姆接觸區域上形成至少部分源極及及極；一在 5 1352841 第93106835號專利申請案 發明專利說明書替換本 修正日期：100年06月22曰 該源極及汲極上形成，且具有至少部分暴露於該汲極之接 觸孔洞之鈍態層；及一在鈍態層上形成，且經由該接觸孔 洞連接至該汲極之畫素電極。 該導電雜質可包括硼或磷，且該雜質濃度範圍可由約 5 lxio14份/立方公分至約lxio16份/立方公分。 該薄膜電晶體陣列面板可更包括：配置於該基材及該 閘極絕緣層間，且連接至該閘極之閘極線；及配置於該閘 極絕緣層及該鈍態層間，且連接至該源極之數據線。 提供一種製造薄膜電晶體陣列面板之方法，其係包 10 括：形成一閘極；依序沉積一閘極絕緣層及一多晶碎層於 該閘極上；在該多晶矽層上形成一具第一部分及較第一部 分薄之第二部分之光阻；利用該光阻圖案化該多晶矽層形 成一半導體層；移除該光阻之第二部分；利用光阻為遮蔽 在半導體層進行雜質植入形成歐姆接觸區域；移除該光阻 15 之第一部分；在該歐姆電極接觸區域形成源及汲極；在該 汲極上形成一具接觸孔洞之鈍態層；及在該鈍態層上形成 一畫素電極。 該光阻之形成可包括：鍍一光阻薄膜於多晶矽層上； 經由朝向該光阻第二部分之具狹縫圖案或半透光部分之光 20 罩，曝光該光阻薄膜；及顯影該光阻薄膜形成該光阻。 該雜質可包括p型導電雜質。 圖式簡單說明 本發明將伴隨參照圖示詳細說明該具體例而更為清 楚，其中： 6 1352841 · 第93106835號專利申請案 發明專利說明書替換本 修正日期：100年06月22曰 第1A圖為根據本發明具體例之TFT陣列面板之配置 圖。 第1B圖為顯示於第1A圖之TFT陣列面板沿線I B-I B， 之橫截面圖。 5 第2A圖為根據本發明具體例顯示於第1A及1B圖之 TFT陣列面板，其製造方法之初期步驟配置圖 第2B圖為顯示於第2A圖之TFT陣列面板沿線Π B- Π B’ 之橫截面圖。 第3圖為顯示於第2A圖之TFT陣列面板沿線Π B- Π B， 10 之橫截面圖，並接續顯示於第2B圖之步驟。 第4圖為顯示於第2A圖之TFT陣列面板沿線Π B- Π B ’ 之橫截面圖，並接續顯示於第3圖之步驟。 第5A圖為顯示於第1A及1B圖之TFT陣列面板圖，並接 續顯示於第4圖之步驟。 15 第5 B圖為顯示於第5 A圖之T F T陣列面板沿線V B - V B， 之橫截面圖。 第6A圖為顯示於第1A及1B圖之TFT陣列面板圖，並接 續顯示於第5A圖及第5B圖之步驟。 第6 B圖為顯示於第6 A圖之T F T陣列面板沿線VIB - VIB ’ 20 之橫截面圖。 第7A圖為顯示於第1A及1B圖之TFT陣列面板圖，並接 續顯示於第6A及6B圖之步驟。 第7B圖為顯示於第5A圖之TFT陣列面板沿線WB-WB， 之橫截面圖。 7 第93106835號專利申請案發明專利說明書替換本㈣ ^ 〇 λ ® θε - 、 L 正日期· 100 年 06 月 第副為顯不於第心⑺圖之m陣歹 年月 續顯示於第7A及7B圖之步驟。 圖，並接 MB’ 之橫=為顯W8A圖之TFT陣列面板沿 【實施方式】 較佳實施例之詳細說明 本發月現在將伴隨參照 τW丹菔例之圖示，

下文更完整地說明。㈣本發明可以多種體 化且不應受限於在此料之諸例。 H 於圖不中，為清楚表示而誇大了層，薄膜及區域之厚 度。在全文巾_之峨仙_之元件1瞭解當提及 諸如-層、_、區域絲料元件在其他元件之『上』， 其係可以直接在其他元件之上，或可存在介於中間之』元 件。相對的，當提及-元件『直接在其他元件之上』時， 不會存在介於中間之元件。 現在，根據本發明具體例之薄媒電晶體陣列面板將參 照伴隨之圖示來說明。 > 根據本發明具體例之TFT陣列面板將參照第^及⑴圖 詳細說明。 第1A圖為根據本發明具體例之TFT陣列面板之配置 圖’而第1B圖為顯示於第1A圖之TFT陣列面板沿線IBib， 之橫截面圖。 在一絕緣基材110上形成數個用來傳輸閘極信號之閘 極線121，及一大幅度沿縱向延伸之閘極短路棒。各閘極線 1352841 第93106835號專利申請案發明專利說明書替換本修正日期：100年06月22日 121大幅度沿橫向延伸，且各閘極線121數個部分形成數個 閘極123。各閘極線包括數個向下突出之突出體且其可具 有較寬寬度之擴大體來和其他層或外界裝置接觸。 該閘極線121較佳地由諸如八丨及八丨合金之含八丨金屬，諸 5如Ag及Ag合金之含Ag金屬，諸如Cu及Cu合金之含Cu金 屬’ Cr ’ Mo ’ Mo合金’ ^及^製成。該閘極線121可包括 具不同物理性質之兩薄膜，一為較低薄膜而一為較高薄 膜。該較高薄膜較佳地由包括諸如入丨及八丨合金之含八丨金屬 等之低電阻金屬製成，來降低閘極線121中之訊號遲滯或電 10壓降。另一方面，該較低薄膜較佳地由具良好之物理、化 學及和諸如氧化銦錫（ΓΓΟ)及氧化銦鋅(IZ〇)材料之電接觸 性質良好之材料製成，諸如Cr、M〇、Mo合金、Ta及Ti。一 較低薄膜材料及較高薄膜材料之良好結合範例為Cr&

Al-Nd合金。 15 此外’該閘極線121之側面逐漸變窄，且該側面相對於 該基材110表面之傾斜角度範圍約30-80度。 一閘極絕緣層140較佳地由氮化矽（SiNx)製成並於該 閘極線121上形成。 數個半導體154較佳地由多晶矽製成，並於該閘極絕緣 20 層140上相對於該閘極123形成。各半導體154包括一對在頂 表面摻雜諸如硼(B)及磷(P)之η型或p型雜質及被互相分開 之歐姆接觸區域163及165。 s玄半導體154之側面逐漸變窄，且該傾斜角度較佳地範 圍約介於30-80度。 9 1352841 22日 第93106835號專利申請案 發明專利說明書替換本修正日期：100年 數個數據線171，數個汲極175及數個儲存電容電極177 形成於該歐姆接觸區域163及165及該閘極絕緣層14〇上。 用來傳輸數據電壓之數據線大幅度沿縱向延伸且與該 閘極線121相交。各數據線171可包括具較寬寬度之擴大體 5 來和其他層或外界裝置接觸。 數個數據線171朝向該汲極175突出之分枝形成數個源 極173。各對源極173及汲極175相對於一閘極123相互分開 且相對。沿一半導體154之一閘極123，一源極173，及一沒 極175在該半導體154中，形成配置於該源極Π3及該汲極 1〇 Π5間具通道之TFT。 該儲存電容電極177與該閘極線121之突出體重疊。 該數據線171，該汲極175，及該儲存電容電極177較佳 地由諸如Mo、Mo合金或Cr等難熔金屬製成。然而，他們可 更包括一位於其上之額外薄膜，其係較佳地由含A1金屬或 15含Ag金屬製成。 如同該閘極線121，該數據線17卜該汲極175及該儲存 電容電極177具逐漸變窄之側面，且該傾斜角度範圍約 30-80度。 該歐姆接觸區域163及165降低了介於其下之半導體 20 154及其上之數據線171，及其上之汲極175間之接觸電阻。 該半導體154包括諸如位於源極Π3及汲極175間之數個暴 露部分，其係不被該數據線171及該汲極175覆蓋。 一鈍態層180形成於該數據線丨7卜該汲極175、該儲存 電極177及該半導體154之暴露部分。該鈍態層180較佳地由 10 1352841 發明專利S兒明書替換本修正日期：100年06月22曰 第93106835號專利申請案 感光有機材料製成，其係具有良好平坦化性f、具介電常 數低於4·0之低介電絕緣材料，諸如由電漿輔助化學氣相沉 積(PECVD)形成之Si : c : 〇及& : 〇 : F，或由諸如氮化石夕 之無機材料製成。 5 該鈍歸18G具數個暴露於職極m及該儲存電極 177之接觸孔洞181及182。該鈍態層⑽可更具數個暴露於 該數據線171擴大體之接觸孔洞（未顯示）。該純態層180及 該閘極絕緣層14〇可具數個暴露於該_線121擴大體❹ 觸孔洞（未顯示）。 10 形成數個較佳地由1το或IZO製成之畫素電極⑼，及 較佳地由數個接觸輔助（未顯示）於該鈍態層18〇上。 該晝素電極19G實質且電性地經由該接觸孔洞⑻連接 至該沒極185，且經由該接觸孔賴2連接至贿存電容電 極Π7如上β玄畫素電極19〇由該沒極⑺接收數據電壓，並 15傳輸接文之该數據電壓至該儲存電容電極177。 該晝素電極19〇接受該數據電壓產生電場，並和另—面 板（未顯示)上一共同電極（未顯示）配合，來改變配置於其中 之液晶層（未顯示）中之液晶分子方向。 畫素電極19〇及一共同電極形成一液晶電容，其係在 2〇賴該TFT後儲存提供之電壓。提供一平行連接至該液晶電 容’且稱為『儲存電容』之額外電容來增加其電壓儲存能 力，6亥儲存電容係利用重疊該畫素電極19〇及鄰近隨附之該 間極121(稱為Γ先前閘極』）來運作。該錯存電容之容量， 即儲存電谷里之增加，係由在該閘極121上提供該突出體來 11 1352841 第93106835號專利申請案發明專利說明書替換本修正日期：1〇〇年06月22日 增加重疊區域，及在該畫素電極19〇下提供連接至該畫素電 極190及重疊該突出體之儲存電容電極177，來降低兩終端 距離。 該畫素電極190與該閘極121及該數據線171重疊來增 5 加窄孔比率，但其為非必要。 該接觸輔助經由該接觸孔洞連接至暴露之該閘極線 121擴大體及暴露之該數據線171擴大體。該輔助電極保護 了暴露部分，並補充了暴露部分及外部裝置之附著性。 根據顯示於第1 -4圖之本發明具體例之一種製造該tft 10陣列面板的方法，現在將如同第1A及1B圖般參照第2 A至8 A 圖來詳細說明。 第2A、5A、6A、7A及8A圖為根據顯示於第以及旧圖 之本發明具體例之一種製造該TFT陣列面板的方法之中間 步驟，而第2B、5B、6B、7B及8B圖為顯示於第2A、5A、 15 6A、7A及8A圖之該TFT陣列面板中，分別沿線jj Β-Π B，、 VB-VB’、VIB-VIB’、WB-WB’及MB-VIIIB，之橫截面圖。 參照第2A及2B圖，一（數)個較佳地由Ai、Cr或Mo製成 之導電薄膜被濺鍍於一諸如透光玻璃之絕緣基材11〇上。該 導電薄膜被圖案化形成數個包括數個閘極123之閘極線 20 121。該閘極線121之傾斜側面促進後續薄膜對閘極線丨2丨之 連接。 參照第3圖，一閘極絕緣層140隨後被沉積於該閘極線 121及該基材11 〇上。該閘極絕緣層14〇較佳地由二氧化石夕 (Si〇2)或氮化矽(SiNx)製成。 12 1352841 第931〇68l細蝴發明專利說明書替換本修正曰期：_年06月22曰 …、人/儿積一非晶質石夕層並利用雷射或加熱爐熱處理 形成一多晶石夕層150。兮炙曰办a , , μ夕日日矽層150可直接由沉積多晶矽 形成。 參照第4圖’鍍_光阻薄膜於該多晶石夕層15〇上，暴露 ;於-光罩並顯影形成具有位置相關厚度之光阻pR。顯示於 第4圖之該光阻PR包括數個被減低厚度之第—及第二部 分。標示該第-部分位於通道區域B，而該第二部分位於接 觸區域A。 15 20 該光阻之位置相關厚度係由數個技術得到，例如 1在曝光光罩300上’提供如同透光區域和不透光區域之半透 光區域。該半透光區域可為一具狹縫圖案，格拇圖案且 半透性或中間厚度之薄膜。當使用狹縫圖案，該狹縫或該 狹縫間距寬度較微影用曝照光線之解析度小者為佳。另一 實施例係利用可回填光阻。詳細地說，當可回填光阻㈣ 利用只具透光和不透光區域之普通光罩來形成—光阻圖 案，隨後經由回填製程回填至無該光阻之區域，因此形成 薄區域。 參照第5A及5B圖’該多晶石夕層15〇係利用該光阻伙為 蝕刻遮蔽，圖案化形成數個半導體島15〇A〇在該接觸區域 A上之光阻之第二部分係由灰化移除。此時，該光阻伙之 第—部分厚度可被減低。 參照第6A及6B圖，利用該光阻pr之第一部分為植入遮 蔽，對該多晶石夕層15〇A之暴露部分植入雜質來形成數^ 姆接觸區域163及165。該雜質之濃度較佳地約等於 13 1352841 第93106835號專利申請案 發明專利說明書替換本修正曰期：100年〇6月22曰 份/立方公分至lxl〇16份/立方公分。 參照第7A及7B圖’在該光阻PR之第一部分移除後，較 佳地由Al、Cr或Mo製成之一（數)個導電薄膜被滅鑛及圖案 化’形成數個包含數個源極173之數據線171，數個汲極及 5 數個儲存電容電極177。 參照第8A及8B圖，一較隹地由諸如氮化矽之無機材料 或低介電有機絕緣材料製成之鈍態層刚，沿該閘極絕緣層 140被濺鍍及圖案化形成數個接觸孔洞181及該鈍態層 可包括兩或多層薄膜。 1〇 最後’如第1八及⑴圖所示，在鈍態層康上藉由濺鑛 及紐刻-助或IZO層，形成數個畫素電極19〇及數個接 觸辅助（未顯示）。 該多晶石夕通道層改善了 TFT性質，且使用該具有位置 相關厚度之光阻簡化了製造製程。 15 儘管本發明參照該較佳具體例已詳細說明，但熟習此 藝者可理解在不背離本發明附加之專利申請範圍提出之精 神及範_下’可做出各種不同形式之修改及替代。 【圖式簡單說明】 第1A圖為根據本發明具體例之丁^陣列面板之配置 20 圖。 第1B圖為顯示於第1A圖之TFT陣列面板沿線 之橫戴面圖。 第2A圖為根據本發明具體例顯示於第丨八及比圖之 TFT陣列面板’其製造方法之初期步驟配置圖 14 1352841 第93106835號專利申請案 發明專利說明書替換本 修正曰期：100年06月22曰 第2B圖為顯示於第2A圖之TFT陣列面板沿線Π B- Π B， 之橫截面圖。 第3圖為顯示於第2A圖之TFT陣列面板沿線Π B- Π B， 之橫截面圖，並接續顯示於第2B圖之步驟。 5 第4圖為顯示於第2A圖之TFT陣列面板沿線Π B- Π B， 之橫截面圖，並接續顯示於第3圖之步驟。 第5A圖為顯示於第1A及1B圖之TFT陣列面板圖，並接 續顯示於第4圖之步驟。 第5B圖為顯示於第5A圖之TFT陣列面板沿線V B-V B， 10 之橫截面圖。 第6A圖為顯示於第1A及1B圖之TFT陣列面板圖，並接 續顯示於第5A圖及第5B圖之步驟。 第6B圖為顯示於第6A圖之TFT陣列面板沿線VIB-VIB， 之橫截面圖。 15 第7A圖為顯示於第1A及1B圖之TFT陣列面板圖，並接 續顯示於第6A及6B圖之步驟。 第7 B圖為顯示於第5 A圖之T F T陣列面板沿線ΥΠ B - W B， 之橫截面圖。 第8A圖為顯示於第1A及1B圖之TFT陣列面板圖，並接 20 續顯示於第7A及7B圖之步驟。 第8B圖為顯示於第8A圖之TFT陣列面板沿線Vffl B-MB， 之橫截面圖。 【圖式之主要元件代表符號表】 110…絕緣基材 121·.·閘極線 15 1352841 第93106835號專利申請案 123.. .閘極 140.. .閘極絕緣層 150.. .多晶矽層 150A...半導體層 154.. .半導體 163.. .歐姆接觸區域 165.. .歐姆接觸區域 171.. .數據線 發明專利說明書替換本 修正日期：100年06月22曰 173.. .源極 175.. .汲極 177.. .儲存電容電極 180.. .鈍態層 181.. .接觸孔洞 182.. .接觸孔洞 190.. .畫素電極

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Claims (1)

1352841 第93麵35號專利申請案申請專利範圍替換 拾、申請專利範®·· ^θ^·1〇〇^〇6,22 1. 一種薄棋電晶體陣列面板，包含： 一基材； 一閘極，其在該基材上形成； 5 一閛極絕緣層，其在該閘極上形成； 一半導體，其在該閘極絕緣層上形成且包括_對摻雜 電雜質之歐姆接觸區域，其中該半導體包含多晶石夕/雜導 在該歐姆接觸區域上形成至少部分源極及汲極； 一鈍態層，其在該源極及汲極上形成，且具有—至少部 10 分地暴露出該汲極之接觸孔洞；以及 畫素電極，其在該鈍態層上形成，且經由該接觸孔洞 連接至該及極。 2·如申凊專利範圍第1項之薄膜電晶體陣列面板，其中該導 電雜質包含硼或磷。 15 3.如申請專利範圍第！項之薄膜電晶體陣列面板，其中該雜 寊濃度係位在約1χ1〇14份/立方公分至約1χ1〇!6份/立方 公分之範圍内。 4. 如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體陣列面板，更包含： 一間極線’其設於該基材和該閘極絕緣層之間，且 20 被連接至該閘極；以及 一數據線’其設於該閘極絕緣層和該鈍態層間，且 被連接至該源極。 5. —種製造薄膜電晶體陣列面板的方法，該方法包含： 形成一閘極； 17 1352841 第93106835號專利申請案申請專利範圍替換本修正日期：100年06月22曰 依序沉積一閘極絕緣層及一多晶矽層於該閘極上； 在該多晶矽層上形成一具第一部分及較該第一部 分為薄之第二部分之光阻； 利用該光阻作為罩體，以圖案化該多晶矽層而形成 5 一半導體； 移除該光阻之第二部分； 利用光阻之第一部分作為罩體，在該半導體中進行 雜質植入以形成數個歐姆接觸區域； 移除該光阻之第一部分； 10 在該等歐姆電極接觸區域上形成源極及汲極； 在該汲極上形成一具接觸孔洞之鈍態層；及 在該純態層上形成一畫素電極。 6. 根據申請專利範圍第5項之方法，其中該光阻之形成包 含： 15 鍍佈一光阻薄膜於該多晶矽層上； 經由具有面向該光阻之第二部分之狹缝圖案或半 透光部分的光罩，曝光該光阻薄膜；及 顯影該光阻薄膜形成該光阻。 7. 根據申請專利範圍第5項之方法，其中該雜質可包含p型 20 導電雜質。 18 1352841 第93106835號專利申請案發明專利說明書替換本 修正日期：100年06月22曰 柒、指定代表圊： (一) 本案指定代表圖為：第（1B )圖。 (二) 本代表圖之元件代表符號簡單說明：

110.. .絕緣基材 121.. .閘極線 123.. .閘極 140.. .閘極絕緣層 154.. .半導體 163.. .歐姆接觸區域 165.. .歐姆接觸區域 173.. .源極 175.. .汲極 177.. .儲存電容電極 181.. .接觸孔洞 182.. .接觸孔洞 190.. .畫素電極 捌、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：