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TWI351701B - Polymer particles, conductive particles and an ani - Google Patents

Polymer particles, conductive particles and an ani Download PDF

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TWI351701B
TWI351701B TW094122120A TW94122120A TWI351701B TW I351701 B TWI351701 B TW I351701B TW 094122120 A TW094122120 A TW 094122120A TW 94122120 A TW94122120 A TW 94122120A TW I351701 B TWI351701 B TW I351701B
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TW
Taiwan
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acrylate
meth
particles
polymer
conductive
Prior art date
Application number
TW094122120A
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English (en)
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TW200623151A (en
Inventor
Jung Bae Jun
Jin Gyu Park
Jae Ho Lee
Tae Sub Bae
Original Assignee
Cheil Ind Inc
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Publication date
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Publication of TW200623151A publication Critical patent/TW200623151A/zh
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Publication of TWI351701B publication Critical patent/TWI351701B/zh

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Description

絕緣_劑中)的存在,故在垂直該擠壓方向的方向上,維 持一絕緣狀態。 於LCD封裝(於此係需各向異性傳導性連接)中,LCD 技術中之近來的發展係帶來連接間距的緊密度、^突形物 的微小化、以及印刷於基板上之導線數目的增加。再者, 對於改良之電氣連接的可靠性已有—未完的需求。為了滿 足此等技術需求,故該包含於各向異性傳導性膜中的傳導 性顆粒係歧地被要求以具有―均―且小的顆粒直徑。再 者’當傳導性顆粒被插置且歸於連接基板之間時,就與 連接基板之增加的接觸面積而言,傳導性顆粒係嚴格地被 要求’以在不破裂下具有増加的傳導特性、以及適當的壓 縮變形性與變形的回復性。金屬顆粒(諸如,錄 '金與銀顆 粒)以及心塗佈之金屬為主之雌可制以作為傳導性 顆粒,,,、而&於金屬顆粒具有非均-的形狀且具有比- 谬黏劑樹脂更高的比重,故其具有於膠黏劑樹脂中之差的 分散性的問題。 由於此等原因,於對於微電極之較佳連接性與改良之 連接可靠性有所需求的安裝領域中,其廣泛地使用具有均 形狀、相衫之顺直徑分佈與增加之傳導特性的傳導 ㈣粒i其中—成於基礎聚合物顆粒上。 至7已於傳導性顆粒(其中聚合物顆粒係被電链)上進
行大規模的研究,且胜&丨β A 且荷別疋於與電極之改良性接觸與連接 可靠性方㈣縮變形後之顆粒特性的研究。 +例。之日本專利早期公開案No. S63-l〇7l88係揭露 具有500 kg/cm2之壓縮強度與8〇 x 1〇3 kg/cm2或更高之壓縮 彈性模數之高強度高彈性之傳導性顆粒的使用。再者,pcT 申凊案WO 92/06402係揭露一種用於 — lcd之間隔物以及 使用單一散佈樹脂顆粒作為基礎顆粒的傳導性顆粒。依據 此申請案’為了於親縮且使用傳導性顆㈣將電極互相 連接時’ ^於控制電極(Φ向彼此)間賴隔,樹賴粒較佳 具有於ίο%壓縮變形(10% κ值)時之25〇至· kgf/mm^ 壓縮硬度。此外’為了增加壓職傳導性顆粒與電極間的 接觸面積,㈣縮變形後,樹脂顆粒較佳具有⑽至8〇%之 回復因子。 再者,曰本專利早期公開案No· H07-256231揭露一種 傳導性顆粒,其在20°C下具有1G%壓縮變形之·至1〇〇〇 kgf/mm2的K值與壓縮變形後之幻%至%%的回復因子以 改良因電極間之溫度變化、摺疊、機械衝料所造成之差 的傳導性。 更者’曰本專利早期公開案No. H11-125953與No. 2003-3133〇4揭示—種料性顆粒,其具有齡壓縮變形時 之250 kgf/mm2或更低的K值以及於壓縮變形後之30%或更 大的回復因子’以具有之連接可靠性。 此等專利申請案係揭示於傳導性顆粒之壓縮變形後當 回復因子增加-大範圍硬度時,傳導性顆粒之傳導特性 (如,與電極之增加的接觸面積)係增加。 ”、;'而田此傳導性顆粒散佈於一固_型黏合樹脂中且於 加熱下被壓縮以連接至電極時,固化合樹脂之滕黏力量 以及與電極之接觸通常係*足。近來,已漸漸地應用於低 成下短犄間内之各向異性傳導性膠黏劑膜的快速固化製 程此短時期之連接條件係使一黏合樹脂快速固化,但卻 造成傳導性顆粒與電極之不足的接觸。 此外,於各向異性傳導性材料(如,用於玻璃覆晶封裝 (COG)的連接膜’其具有—大量增加之傳導性顆粒含量(數 十))中大里之咼彈性傳導性顆粒係插置於電極間,其部 份或完全惡化連接之黏著性,而造成長時狀差的連接可 靠性。 除了電極模之微小化與連接間距之緊密度外,亦需要 純壓下之肖於連接相纽社佈線圖案(如 ’ ΙΤΌ電極)的 製私以不才貝害佈線圖案。然而,低壓連接條件係顯著地 惡化高彈_導性祕之雜力量與連接可靠性。 【發明内容】 發明概要 匕本發明係針對前述問題而進行改良,且本發明 之-目的係在提供—種料性齡其具有均—形狀窄 的顆粒分佈、以及適#的㈣可變形性與變形之回復 眭,且提供—種傳導性顆粒,其於插置且愿縮於連接基板 在不破訂具有㈣之料特性,藉此達成顆粒與 運接基板間之足夠的接觸面積。 中 本發明之另—目的係在提供—種❹於傳導性顆粒 之聚合物顆粒。 之電氣連接 本發明之再—目的係在提供—種具有改良 1351701
本發明係提供一種傳導性顆粒,其係由聚合物顆粒與 至少一金屬層所組成,該金屬層係塗佈於聚合物顆粒的表 面上。本發明之傳導性顆粒可使用於電路板安裝領域中之 微電極、各向異性傳導性膠黏劑膜等的電氣連接結構中。 為了顯示當聚合物顆粒(使用於本發明之傳導性顆粒 中)使用於前述電氣封裝材料中時增強的傳導特性,聚合物 顆粒必須具有在最適範圍中之κ值、壓縮變形後之回復因子 與壓縮斷裂變形。 κ值係使用一微-壓縮測試器(MCTW系列,由曰本
Shimadzu Corporation Ltd·所製造)而量測。詳言之,〖值 係藉下列方式量測:將一單一顆粒固定於一平滑上壓力 測定儀(直徑:50 μηι)與—下壓力板之間 '在〇 2275 gf/sec 之壓縮速度與5 gf之最大測試負載力下,壓縮該單一顆 粒,以獲得一負載值與一壓縮位移、並將所得數值代入 下列方程式1中: 方程式1 K = (-~)-F-S~2-R^ 其中,?為义%壓縮變形時之負載值(kg),;§為乂%壓縮 變形時之壓縮位移(咖)’ 為顆粒的半徑(mm)。 如刖述’聚合物顆粒較佳具有在1〇%壓縮變形時之25〇 至700 kgf/mm的K值。使用界定於前述κ值範圍中之聚合物 顆粒係使聚合物顆粒插置於電極間時,相向電極間之連接 係在一固定間隔尺寸,且不破壞電極。傳導性顆粒之1〇% κ 12 1351701 值更佳係在350至600 kgf/mm2的範圍間。當1〇% κ值超出 700 kgf/mm2,該插置於電極間之傳導性顆粒係難以變形, 因此’電極表面與傳導性顆粒間之接觸面積係未充分地增 加’此使其難以降低連接抗性。再者,落於前述範圍中之 5聚合物顆粒係太硬,以致於當該施加之壓縮應力增加(以用 於降低連接抗性之目的)時,其可能傷害電極表面。另一方 面,當10% K值低於250 kgf/mm2時,可能因施加之壓力而 發生過度的變形,且因此,傳導性層係自顆粒剝落,或可 能發生過度平坦現象,且因此未充分確保上與下電極間的 10距離,此可能造成差的膠黏力量與連接可靠性的問題。 一般而言,10% K值普遍上且數量上表示顆粒的硬 度,但顆粒的壓縮可變形性無法藉10% κ值而準確地評 定。因此,20%與30%壓縮變形時之Κ值必須同時被考慮。 第1圖係為電氣連接結構之橫截面圖.,其中,本發明之 15傳導性顆粒1係散佈於一各向異性傳導性膜3中,且插置於 電路板2之各別電極與一玻璃基板4之間。如第丨圖所示,為 了賦予傳導性顆粒1之黏著性至電極,且於變形後穩定地最 大化傳導性顆粒1與電極間之接觸面積並均一且充分地維 持傳導性顆粒1與電極間之固定間隔,於壓縮之初始階段, 2〇顆粒1必須堅硬至一程度,且必須於壓縮期間持續變形。 因此,聚合物顆粒Ui2〇%與30% K值較佳係為10% κ 值的70%或更低,其為壓縮時之初始硬度的代表值❶就足 夠之壓縮可變形性而言,顆粒之2〇%與3〇% κ值更佳係維持 在10% Κ值的60%或更低。 13 /壓縮回復因子係藉取得施加負載重與壓縮位移間之關 :、、同時於微-壓縮測試器中壓縮顆粒至一 10gf的高峰負 載、去壓縮至G.l gf的初始負載而量測。詳言之,顆粒之壓 縮回仙子係界M_L2/L1(%),其巾u係為負載期間 到達高峰_的位移,且⑽為去負載期間自高峰負載回 到初始負載的位移。負載與去負載係纽1517沙娜之壓縮 速度下進行。 於本發明中’聚合物顆粒u之壓縮回復因子較佳係限 制至30%或更低,且就穩定_著性、與電極之最大接觸 面積以及改良之連接可靠性而言,較佳係在。假若 U勿顆粒11之回復因子接近〇,則該根據溫度變化之顆粒 彈!·生與膠黏劑樹脂間之差異係過大,因此,有差的傳導特 I*生威脅的危險。當顆粒之壓縮可變形性隨回復性納入考量 時’此-對於自顆粒變形之回復性的限制係非常顯著(雖然 非普遍)。 C縮斷裂變形係使用與量測κ值相同的微·壓縮測試器 而量測。詳言之,顆粒的壓縮斷裂變形係界定為比例1^/]〇 (%)其中Ld係為顆粒破裂之時間點的位移,而〇為顆粒直 徑。由於本發明之傳導性顆粒1必須不易於因壓縮而破裂, 以達成足夠之變形與低的連接抗性,故聚合物顆粒11之壓 縮斷裂變形係限制為3〇%或更大。更詳言之,聚合物顆粒 11之壓縮斷裂變形係為40%或更大。 本發明之聚合物顆粒11較佳具有〇1至2〇〇 μιη之顆粒 直徑,更佳係1至20 μπι。當顆粒具有小於〇1 μπΐ2顆粒直 技時其傾向於聚集。同時,當顆粒具有超過細哗之顆 粒直k時,於其等之應用上係對該用於近來之微安裳技術 的材料無利β 聚合物顆粒11較佳具有低於1.5之|寬比以及20%或更 5低之顆粒直徑的變異係數_,以不降低連接可靠性。使 用於此之長寬比係指單一顆粒之直徑的最長柏對最短轴的 比例,且CV值係指以顆粒直徑之標準差除以平均顆粒直徑 所得的百分比(%)。顆粒更佳具有_低於13之長寬比以及 不大於10%之CV值。 10 如前所述,本發明之傳導性顆粒具有一結構,其中一 金屬層12係塗佈於基礎聚合物顆粒^之表面上。因此,傳 導性顆粒1之壓縮可變形性與壓縮回復性係主要取決於傳 導性顆粒之基礎聚合物顆粒11。 s亥以聚合物树脂為主之顆粒11較佳係由至少一選自於 15由下列所構成之組群中之材料所製成:聚乙烯、聚丙烯、 聚氯乙婦、聚本乙稀、聚四氟乙婦、聚對笨二甲酸乙二酯、 聚對苯二曱酸丁一酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚礙、聚苯醚、 聚縮醛、胺基曱酸酯樹脂、不飽和聚酯樹脂、(甲基)丙烯酸 酯樹脂、以苯乙烯為主之樹脂、丁二烯樹脂、環氧樹脂樹 20 脂、酌樹脂、與三聚氰胺樹脂。 於此等中’以笨乙烯為主之樹脂與(甲基)丙烯酸酯樹脂 係為較佳,且含有至少一交聯可聚合單體之聚合物樹脂係 為更佳。 交聯可聚合單體較佳係選自於由下列所構成之組群 15 5 5
10 15
20 聚合物齡可藉懸浮聚合法、乳化聚合法(蜂_ =lymeriZatiGn)、沈料合法、種子聚合法與無4乳狀聚合 一而製備。於本發明中,種子聚合法係使用以製備具有均 一顆粒直徑分佈的聚合物顆粒。 種子聚合法係藉下列特定步驟而進行。首先,具有均 :顆粒直#之聚合物種子顆粒係散佈於—水性溶液中。於 分舰中加人—(交聯)可聚合㈣和單體的水性乳狀物,-油溶性起始_溶解於其巾。藉此添加步驟,單體係被吸 附於種:難的内部。而後,含有種子軸之(交聯)可聚合 不飽和單體係、被聚合,以製備聚合物_。由於聚合物種 子顆粒的分子量主要影響聚合物齡(由種子聚合法所製 備)的相分離與物理性質’故其較佳係限制在厲哉_ 的範_ ’且更佳係在5,_~2〇,_。此外,(交聯)可聚合 不飽和早體較佳係被吸隨.重量份的量(以聚合物種 子顆粒之1重量份為基礎)。 該使用於製備聚合物顆粒的起始劑係為一普遍之油溶 性基團起始劑’其之特別的實施例包括以過氧化物為主之 二合物’如’過氧化苯甲酿、月桂基過氧化物,。·氣過氧化 ^曱酿、。·甲氧基過氧化苯甲酿、【·丁基過氧化·2·乙基己酸 s曰’t-丁基過氧化異丁_,u,3,3四曱基丁基過氧化_2·乙 基己4過氧化三辛醯與過氧化三癸酿、以及偶氮化合 物’如,2,2’·偶氣二異丁腈,2,2,-偶氮二(2-甲基丁腈)與2’2,_ 偶氮一(2’4·二曱基戊腈)。起始劑較佳使用0.1〜20%之重量 (以單體為主)。 17
在聚合物顆粒聚合化的過程中,若有需要的話m 用-界面活性劑與-分散穩定劑,以確保乳勝的穩定性。 穩定之界面活性劑的例子包括通用之界面活性劑,諸如陰 離子、陽離子、與非離子性界面活性劑。 U 5 分散穩定劑係為可溶解或散佈於聚合介質中的材料, 且其特定之例子包括水溶性聚合物,如,明膠、殿粉、甲 基纖維素、乙基纖維素、羥乙基纖維素、羧甲基纖維素、 聚乙烯基吡咯烷酮、聚乙烯烷基醚、聚乙烯醇、聚丙烯酸、 聚丙烯醯胺、聚氧化乙烯與聚甲基丙烯酸鈉、硫酸鋇、硫 10酸鈣、碳酸鈣、磷酸鈣、硫酸鋁、雲母、黏土、矽藻土與 金屬氧化物粉末。此等材料可單獨或組合使用。分散穩定 劑係使用可抑制聚合反應期間所形成之聚合物顆粒之沈降 (因重力與顆粒聚集而致)的量。分散穩定劑較佳之使用量係 約為0.01至約15重量份(以10 0重量份之所有反應物為基 15 礎)。 傳導性顆粒1係藉於聚合物顆粒11上形成金屬層12而 製付。可使用以形成金屬層12的金屬例子包括(但不限於此) 鎳(Ni)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、鈷(Co)、 錫(Sn)、鋼(in)、氧化銦錫(IT〇)以及含有一或多種此等金屬 20 作為主要組份的多層復合金屬。較佳係為鎳/金之雙金屬 層’其中聚合物顆粒η的表面係依序以鎳與金電鍍。另一 傳導性金屬(諸如,鉑(Pt)或銀(Ag))可使用以取代金。 用於形成基礎顆粒上之金屬層之方法的例子包括(但 不限於此)無電電鍍、使用金屬粉末之塗佈法、真空沈積、 18 離子電鍍與離子濺鍍。 而進:藉第無電電鑛之傳導性顆粒的製備係經下列三個步驟 步驟(基礎顆粒表面的預處理)-去脂詞 " 催化、以—還原劑處理等;第-步驟" 雷舻祐.、主冰. 弟一步驟-無電鎳(Ni) 又’心’以及第三步驟·金(Au)取代電鑛。 無電電鍍係依下列特定製程而進行。首先 粒係浸泡於—具有適當濃度的界面活性射,心^ ^ 脂顆粒表面。而後,使祕酸與硫酸之混合溶液進;;則去 =2難表面切成織物。經表面處理之基礎顆粒 '、〜、絲錫與虱化㈣溶液巾,以催化並活化顆粒表 卜因此,催化劑之微細晶㈣形成基礎顆粒的表面上。 而後’使用次亞碟酸納、硼氫化納、二甲胺做、聯胺等 進行一還原反應,以於祕上形成均—心日核。所得之義 礎顆粒係散佈於-無電難賴液巾,於後使用次亞碟& 納還原錄鹽,崎基礎顆粒上形成—鎳_錢層。該錄電^ 基礎顆粒係加至-具有特定濃度之無電金電鑛溶液中,以 绣發-金取代紐反應,藉此於最外層上形成―金 層。 頁 本發明之傳導性顆粒丨的傳導性金屬I?具有〇〇1至5 μ的厚度。s金屬層的厚度低於〇 〇1時,其難以獲得所 机之傳導性。另-方面,當金屬層的厚度超過5网時顆 粒的變形性、雜與回復性係因厚的金屬層而無法令人滿 思,且當使用於電極封裝材料中時,顆粒傾向於聚集,此 使其難以顯現出增加的傳導特性。 1351701 本發明將參照下列的實施例而更詳細說明。然而此 等實施例係用於例示說明之目的,而非解釋為限制本發明 之範疇。 [發明態樣] 5 <實施例1> (1) 種子顆粒的製備 30重量份之苯乙缔單體、6重量份之作為起始劑的Μ,-偶氮二(2’4-二曱基戍腈)、187重量份之聚乙稀基鱗㈣ • (分子量:40,000)、以及190重量份之曱醇與15重量份之超純 10水(作為反應介質)係混合在一起、定量並加至一反應器中。 而後,反應混合物係在7(Tc下,於氮大氣中進行聚合反應 24個小時’以製備聚笨乙;^種子顆粒。種子顆粒係以超純 水與曱醇清洗數次,並在真空冷凍乾燥機中乾燥,以獲得 一粉末。種子顆粒係被量測,以具有115 μιη之平均顆粒直 15徑、4.1%之CV值、以及15,5〇〇的分子量。 (2) 以聚合物樹脂為基礎之顆粒的製備與評估 # 2重篁份之種子顆粒係均質地散佈於45〇重量份的水性 十二烷基硫酸鈉(SLS)溶液(〇.2 wt%)中。一由9〇重量份之笨 乙烯與10重量份之二己烯基苯所構成之單體混合物(其中 2〇加入1重量份之苯乙稀以作為起始劑)係各別地加 入至300 重量份的水性SLS溶液(〇.2 wt%)中。所得之混合物係使用一 均質劑而乳化10分鐘。單體乳狀物係加人至種子分散液, 以在室溫下’膨脹種子顆粒内部之單體。於膨服完全後, 加入500重里份之具有約88%之皂化程度的水性聚乙烯醇 20 溶液(5 wt%)。於反應器溫度上升至叨它後,進行聚合反 應所製知*之笨乙稀-二乙稀基苯共聚物樹脂顆粒係以超純 水與乙醇清洗數次’並在室溫下,於真空中乾燥。量測傳 導性顆粒之κ值與壓縮回復因子,所得結果係顯示於第1表 5 中。 (3) 傳導性顆粒之製備與評估 聚合物顆粒係在水性氫氧化鈉溶液中蝕刻、浸泡於氣 化他溶液+、並還原以於基礎齡表面上形舰之微細晶 核。而後,依序進行無電鎳電鍍與金取代電鍍,以獲得傳 10導性顆粒’其中一鎳/金金屬層係形成於基礎顆粒上。 (4) 各向異性傳導性連接結構的製造與評估 15重量份之雙酚a環氧樹脂樹脂(具有6 〇〇〇之環氧當 量)與作為固化劑之7重量份的2_甲基蛛。坐係溶於甲苯與甲 基乙基酮之混合溶劑中,而後,1〇%重量之傳導性顆粒與 15 X夕烧為主之麵合劑係散佈於該溶液卜所得之分散液 係塗佈於-PET離形膜上,並乾燥以產生一25叫厚之各 向異性傳導性膠黏劑膜。 20 各向異1±傳導性膜係由各向異性傳導性膠黏劑膜所 製成’以具有下列尺寸。突形物電極之高度·御瓜,疋晶 月尺寸:6 mm X 6 mm,BT樹脂基板厚度:〇 7咖,該以 銅與金電娜成於基板上之佈線圖案的厚度8畔,間隔· 1〇0叫。各向異性傳導性膜係插置於K:晶片與基板之間, 而後加£至3 MPa並在18〇°c下加熱卿,以製造一電氣連 接結構。 21 1351701 為了量測連接樣品之上與下電極間的電氣抗性,故量 測相鄰之20個上與下電極間的電氣抗性並平均之。結果係 以連接抗性表示而顯示於第1表中。再者,於連接樣品在85 °C與85% RH下熟化1,000個小時後’連接可靠性係依據抗性 5 增加量而估算,如下: ◎ : S 0.1Ω,△: 0.1 Ω〜0.3 Ω,X: > 0.3Ω <實施例2> 除了使用由80重量份之苯乙稀與20重量份之1,4· 丁二 醇二丙烯酸酯所構成的單體混合物取代由90重量份之笨乙 10烯與10重量份之二乙烯基苯所構成的單體混合物外,聚合 物顆粒與傳導性顆粒係以與實施例1相同之方式製備。一連 接結構係使用傳導性顆粒而製造。基礎聚合物顆粒與連接 結構的特性係以與實施例1相同之製程而估算。結果係顯示 於第1表中。 15 <實施例3> 除了使用由80重量份之笨乙烯與20重量份之1,6-己二 醇二甲基丙烯酸酯所構成的單體混合物取代由90重量份之 苯乙稀與10重量份之二乙烯基苯所構成的單體混合物外, ♦合物顆粒與傳導性顆粒係以與實施例1相同之方式製 備。—連接結構係使用傳導性顆粒而製造。基礎聚合物顆 粒與連接結構的特性係以與實施例1相同之製程而估算。結 果係顯示於第1表中。 〈實施例 除了使用由8〇重量份之苯乙烯與20重量份之二曱基丙 22 1351701 烯酸乙二醇酯所構成的單體混合物取代由90重量份之笨乙 稀與10重量份之二乙稀基苯所構成的單體混合物外,聚合 物顆粒與傳導性顆粒係以與實施例1相同之方式製備…連 接結構係使用傳導性顆粒而製造。基礎聚合物顆粒與連接 5結構的特性係以與實施例!相同之製程而估算。結果係顯示 於第1表中》 <比較性實施例1> ★除了使用1GG重量份之二乙烯基笨取代由9()重量份之 笨乙稀與10重量份之二乙稀基苯所構成的單體混合物外, 1〇聚合物顆粒與傳導性顆粒係以與實施例1相同之方式製 備。—連接結構係使用傳導性顆粒而製造。基礎聚合物顆 粒與連接結構的特性係以與實施例i相同之製程而估算。結 果係顯示於第1表中。 〈比較性實施例2> 除了使用由80重量份之四經甲基丙院四丙稀酸醋與 重讀之丙稀腈所構成的單體混合物取代由9〇重量份之苯 乙稀與U)重量份之二乙稀基笨所構成的單體混合物外聚 合物顆粒與傳導性馳係以與實施例〗相同之方式製備… 連接結構係使用傳導性顆粒而製造。基礎聚合物顆粒盘連 20接結構的特性係以與實施例i相同之製程而估算。結果 示於第1表中。 ‘” 甶弟1表所示之數據可知 .丹w to权性貫施例1與2所譽 備之具有滅«舰高之__料性顆粒: 及使用該料性顆_生產之各向異性料_黏劑膜相 23

Claims (1)

1351701 第94122120號專利申請案申請專利範圍修正本修正a期:100年6月29 卜、申請專利範圍:
1. 一種供用於各向異性傳導性封裝材料之聚合物顆 粒,其具有250至700 kgf/mm2之10% K值(即,當顆粒 直徑變形為10%時的K值)、30%或更低的壓縮回復因 子、以及30%或更高的壓縮斷裂變形,其中該聚合物 顆粒係至少一交聯可聚合單體與至少一可聚合不飽 和單體之聚合物,其中該聚合物顆粒具有於20%與 10 30%之壓縮變形的K值,該K值係不高於10% K值的 70%。 2. 如申請專利範圍第1項之聚合物顆粒,其中該聚合物 顆粒具有350至600 kgf/mm2之10% K值。 3. 如申請專利範圍第1項之聚合物顆粒,其中該聚合物 顆粒具有0.1〜200 μηι的平均顆粒直徑。 15 4·如申請專利範圍第1項之聚合物顆粒,其中該聚合物 顆粒具有一低於1.5之長寬比以及一不高於20%的變 異係數(CV)。 5.如申請專利範圍第1項之聚合物顆粒,其中該交聯可 聚合單體係選自由下列所構成之組群中:烯丙基化合 2〇 物,包括二乙烯基苯、丨,4·丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、 i,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙 稀酸醋、甲基丙烯酸烯丙酯、二乙烯基砜、鄰苯二甲 酸二烯丙酯、二烯丙基丙烯醯胺、異氰脲酸三烯丙 西曰與本偏二酸三稀丙醋(triallyl trimellitate);(聚)院 25 第94122120號專利申請案申請專利範圍修正本修正曰期:1〇〇年6月29日 撐一醇一(甲基)丙稀酸醋’包括(聚)乙二醇二(曱基)丙 稀酸醋、與(聚)丙一醇一(曱基)丙稀酸g旨;以及四(甲 基)丙烯酸季戊四醇酯、三(甲基)丙烯酸季戊四醇酯、 二(曱基)丙烯酸季戊四醇酯、三羥曱基丙烧三(甲基) 丙烯酸酯、二三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、四經 甲基丙院四(甲基)丙稀酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙稀 酸醋、二季戊四醇戊(曱基)丙烯酸g旨、與甘油三(甲基) 丙稀酸醋。 如申請專利範圍第1項之聚合物顆粒,其中該可聚合 不飽和單體係選自由下列所構成之組群中:以苯乙稀 為主之单體’包括本乙稀、乙基乙烤基苯、α-曱基苯 乙稀、與m-氯甲基苯乙稀;以丙稀酸醋為主之單體, 如,(曱基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙 烯酸丙酯、(曱基)丙烯酸正丁酯、(曱基)丙烯酸異丁 酯、(甲基)丙烯酸t-丁酯、2-乙基己基(甲基)丙稀酸酯、 η-(甲基)丙稀酸辛酯、(甲基)丙稀酸月桂酯、(甲基)丙 烯酸硬脂醯酯、乙二醇(甲基)丙烯酸酯、與(曱基)丙稀 酸縮水甘油醋;氣乙婦基、丙稀酸醋、丙烯腈、醋酸 乙稀醋、丙酸乙烯醋、丁酸乙稀醋、乙稀基峻、稀丙 基丁醚、丁二烯、與異戊二烯。 如申請專利範圍第1項之聚合物顆粒,其中該聚合物 顆粒係藉種子聚合法而製備,其中一聚合物種子顆粒 係具有1,000至30,000的分子量。 如申請專利範圍第1項之聚合物顆粒,其中該使用於 1351701 第94122120號專利申請案申請專利範圍修正本修正日期:100年6月29曰 種子聚合法中之可聚合單體的總量係為以1重量份之 聚合物種子顆粒為基礎的10〜300重量份。 9. 一種傳導性顆粒,其係由申請專利範圍第1至8項中之 任一項的聚合物顆粒以及至少一形成於該聚合物顆 5 粒表面上的傳導性金屬層所構成。 10. 如申請專利範圍第9項之傳導性顆粒,其中該傳導性 金屬層係由至少一金屬所構成,該金屬係選自由下列 所構成之組群中:鎳(Ni)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、 鉑(Pt)、鈀(Pd)、鈷(Co)、錫(Sn)、铟(In)、與氧化銦 10 錫(ITO)。 11. 如申請專利範圍第9項之傳導性顆粒,其中該傳導性 金屬層係為至少一選自由鎳/金、鎳/#、與鎳/銀所構 成之组群中的雙層。 12. 如申請專利範圍第9項的傳導性顆粒,其中該傳導性 15 金屬層具有0.01至5 μπι的厚度。 13. 一種各向異性傳導性封裝材料,其含有如申請專利範 圍第9項的傳導性顆粒。 27
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