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TWI351545B - Pixel structure and pixel structure of display app - Google Patents

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TWI351545B
TWI351545B TW095140317A TW95140317A TWI351545B TW I351545 B TWI351545 B TW I351545B TW 095140317 A TW095140317 A TW 095140317A TW 95140317 A TW95140317 A TW 95140317A TW I351545 B TWI351545 B TW I351545B
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Taiwan
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metal
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electrode
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TW095140317A
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TW200819831A (en
Inventor
Yu Hsin Ting
Ya Chun Lee
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Au Optronics Corp
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    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • G—PHYSICS
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Description

1351545
TW3203PA 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於-種顯示I置之晝素結構，且特別是 有關於-種將第-金屬板與第二金屬板減以形成儲存 電容之晝素結構。 【先前技術】
第1A圖係緣示傳統顯示面板中晝素結構之部分示意 圖。其中，晝素100係受控於掃描線SC1，並接收由資料 線im傳送而來之資料訊號。帛1B圖繪示畫素1〇〇之剖 面結構圖，其中’此剖面結構圖係為第1A圖中的Αΐ、βι 至Cl方向之剖面。 如第1B圖所示’晝素1〇〇的晝素結構係由姻踢氧化 層（no)、保護層（passivation)、兩金屬板、層間介電 層（interUyer dielectric，ILD)、氧化層、多晶矽層 所形成。晝素1〇〇包括電晶體11〇與儲存電容cpi與⑽。 電晶體11G之閘極係由多㈣區⑽構成，接收掃 之訊號。電_ U0之祕係連接至 層150所構成’並連接至金屬 。 :2連接至銦錫氧化層12。。金屬板14〇位於金： 3 ::雜多晶矽層150間，用以接收共同電壓VComl。 金屬板⑽金屬板13〇a與捧雜多晶石夕層150之電位相等。 “ a與金屬板140間係形成儲存電容Cpl;金屬板 5 1351545·
TW3203PA 140與摻雜多晶矽層150間係形成儲存電容Cp2。當掃描 線SCI致能時，與資料線DT1之資料訊號相關的晝素電壓 係儲存於儲存電容Cpl與Cp2中。 然而，因製程上的問題，常導致在金屬板130a與140 之間殘留金屬微粒（part icle)，而意外地將金屬板130a 與140短路。如此將使得位於金屬板130a與140間的儲 存電容Cpl消失，而造成晝素100產生亮點。 【發明内容】 有鑑於此，本發明的目的就是在提供一種晝素結構， 藉由將用以產生儲存電容之兩金屬板電性連接，於兩金屬 板上方或下方形成儲存電容。即使因製程問題於兩金屬板 間產生金屬微粒，亦不會影響此晝素結構所形成之儲存電 容，進一步提高製程上的良率。 根據本發明的目的，提出一種晝素結構，用於一顯示 裝置中。該晝素結構包括一第一金屬板、一第二金屬板與 一電晶體。第二金屬板係與第一金屬板電性連接。電晶體 之閘極接收一掃描訊號。電晶體之第一電極接收一資料訊 號。電晶體之第二電極具有二延伸部分，此二延伸部分係 為面狀結構。此二延伸部分與第一金屬板以及第二金屬板 之間係形成一儲存電容。 為讓本發明之上述目的、特徵、和優點能更明顯易 懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說 明如下： 6 1351545 ·
TW3203PA 【實施方式】 本發明之畫素結構，包括兩金屬板與一電晶體。此二 金屬板係彼此電性連接。電晶體之閘極接收一掃描訊號。 電晶體之汲極接收一資料訊號。電晶體之源極具有二延伸 部分。此二延伸部分與此二金屬板之間係形成一儲存電 容’其中，此二延伸部分係為面狀結構。 第2A圖係繪示由具有本發明實施例之晝素結構之晝 素所形成之顯示面板之部分示意圖。其中，畫素200具有 鲁 本發明實施例之晝素結構。晝素200受控於掃描線SC2， 並接收由資料線DT2傳送而來之資料訊號。第2B圖繪示 本發明實施例之畫素結構剖面圖。其中，此晝面結構剖面 圖係以晝素2〇〇為例作說明，此剖面結構圖係為第2A圖 中沿著A2、B2至C2方向之剖面。 如第2B圖所示，本發明實施例之晝素結構由上而下 係為姻錫氧化層（ITO) 220、保護層（passivation) 230、 • 一第一金屬層、一第二金屬層、層間介電層（interlayer dielectric，ILD) 250、氧化層270與多晶矽層所形成。 上述之銦錫氧化層230例如為透明電極。 旦素200包括電晶體21〇與儲存電容與cst2。 • 電晶體210之閘極係由多晶矽區280b構成，接收、掃描線 SC2之訊號。電晶體21〇之汲極係經貫孔（^3)281連接至 =屬板240c。金屬板24〇c接收由資料線傳送而來之 f料訊號1晶體210之源極由摻雜多晶㈣2術所構 成’並經貫孔282連接至金屬板雇。摻雜多晶石夕層驗 7 13.51545-.
TW3203PA 係視為電晶體210之源極之一延伸部分。其中，多晶石夕區 280a與摻雜多晶矽層28〇b係由上述多晶矽層所構成。金 屬板240b與240c係由上述第一金屬層所構成。 金屬板240b係經貫孔241連接至銦錫氧化層22〇， 使得銦錫氧化層220為電晶體210之源極之另一延伸部 分。上述第一金屬層更另外形成金屬板24〇&，且金屬板 240a與金屬板24〇b係為電性隔離。金屬板26〇位於金屬 板240a與摻雜多晶矽層28〇3間，並經貫孔261電性連接 攀至金屬板2術，用以接收共同電壓Vc〇m2e金屬板26〇係 由上述第二金屬層所構成。另外，銦錫氧化層22〇與此第 一金屬層間具有保護層230。第一金屬層與第二金屬層間 係具有層間介電層250。第二金屬層與多晶矽層間具有氧 化層270。 由於銦錫氧化層220與金屬板240&之間具有保護層 230，銦錫氧化層220與金屬板24〇a之間係形成儲存電容 # Cst1。同樣地，由於金屬板260與摻雜多晶矽280a間具 有氧化層270’金屬板260與掺雜多晶矽28〇a間係形成儲 存電谷Cst2。銦錫氧化層220與摻雜多晶矽層280a係均 與電晶體211之源極耦接，且金屬板24〇a與26〇均接收 . 共同電壓Vc〇m2。因此，當資料線DT2之資料訊號係傳送 至金屬板240c時，與資料訊號相關的晝素電壓會储存於 儲存電容Cstl與Cst2中。 在第2B圖之畫素200中，由於本發明實施例之晝素 結構，將金屬板240a與260電性連接，因此無論此二金 8 1151545· TW3203PA 屬板之間是否由於製程問題產生金屬微粒 ，而將此二金屬 板導通，均不影響儲存電容Cstl與Cst2。當資料線DT2 傳送貝料訊號至晝素2GG時，與資料訊號相_畫素電 壓，得以正確地儲存於儲存電容Cstl#Cst2。因此，本 發明實施例之晝素結構，藉由將用以產生儲存電容之兩金 屬板電性連接’分別於銦錫氧化層、兩金屬板與摻雜多晶 石夕層間形祕存電容，得以克服兩金屬板_金屬微粒的 影響。
此外’本發明實施例之晝素結構中的保護層230較傳 統畫素結構的保護層薄，形成於銦錫氧化層22()與金屬板 240a之間的儲存電容Cstl較大，故可藉此縮小電容面積， 擴大開口率。 本發明實施例之晝素結構中，金屬板24〇&、2娜與 2 4 0 c係以由上述第-金屬層所構成為#卜實際應用上金 屬板2術可以與f晶體之祕和源極所難之金屬板， 位於不同金屬層。 本發明實施例之畫素結構，其電晶體之源極之兩延伸 部分係以祕氧化層與雜多晶♦層為例㈣與兩 連接之金屬板形㈣存電容1際應用上，本發明之 結構中的電晶體之源極之兩延伸部分並^限純。任= 素結構’具有-電晶體與兩電性連接之金屬板，且: 體之源極的兩延伸部分與此二金屬 ： 本發明之範圍内。 租仔电谷均在 本發明之晝素結構，將用以形成儲存電容之兩金屬板 Π51545
TW3203PA 電性連接，並與電晶體之源極之兩延伸部分間形成儲存電 容。即使因製程問題使兩金屬板間產生金屬微粒，此畫素 結構所形成的儲存電容亦不受影響，進一步提高製程上之 良率。 綜上所述，雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上， 然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通 常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍内，當可作各種 之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請 專利範圍所界定者為準。

Claims (1)

1351545 100年8月17日修正替換頁 十、申請專利範圍： 1. 一種晝素結構，用於一顯示裝置中，該晝素結構 包括： 一第一金屬板，由一第一金屬層所形成； 一第二金屬板，由一第二金屬層所形成，該第二金屬 層不同於該第一金屬層，該第二金屬板與該第一金屬板電 性連接；以及 '—電晶體5該電晶體之閘極接收 '一掃描訊號*該電晶 體之第一電極接收一資料訊號，該電晶體之第二電極具有 二延伸部分，該二延伸部分係為面狀結構，該二延伸部分 與該第一金屬板以及該第二金屬板之間係形成一儲存電 容。 2. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，其中，該 第二電極之第一端係電性連接該二延伸部分之一第一延 伸部分，該第二電極之第二端係電性連接該二延伸部分之 一第二延伸部分，該儲存電容包括一第一儲存電容與一第 二儲存電容，該第一金屬板與該第一延伸部分之間係形成 該第一儲存電容，該第二金屬板與該第二延伸部分之間係 形成該第二儲存電容。 3. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，其中，該 第二電極之第一延伸部分係一銦錫氧化層。 4. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構，其中，該 第二電極之第二延伸部分係一摻雜多晶石夕層（doped po 1 y layer ) ° 12 100年8月17曰修正替換頁 # 一5八如申請專利範圍第1項所述之晝素結構，其申，該 弟一金屬板與該第二金屬板係接收一共同電壓。 6.如申請專利範圍第丨項所述之晝素結構，其中， 3二第盃屬板與該第二金屬板之間更具有一絕緣層，該第 金屬极係藉由-貫孔與該第二金屬板電性連接。 ^ 7·如申請專利範圍第β項所述之晝素結構，其中， ^緣層係為一層間介電層（interlayer dielec计、ic， 1LD ) 〇 • 種液晶顯示器之畫素結構，包括： 第一金屬板，由一第一金屬層所形成； —第二金屬板，由一第二金屬層所形成，該第二金屬 於=一金屬層’該第二金屬板與該第-金屬板電 —電晶體，包括·· —閘極，用以接收一掃描訊號； —第一電極，用以接收一資料訊號；及 ^ 一第二電極，具有一第一延伸部份及一第二延 伸部分’該第-延伸部份及該第二延伸部分與該第一金 板及該第二金屬板之間係形成一儲存電容。 9. 如申請專利範圍帛8項所述之晝素結構，其中， 該第-延伸部分係—銦錫氧化層，該第二延伸部分係一換 雜^晶石夕層（d〇PedPQly layer)，且該第一延伸部份及’ 該第二延伸部份係以一貫孔電性連接。 10. 如申請專利範圍帛9項所述之晝素結構，其中， 13 1351545 |〇〇年8月17日修正替換頁 該第一延伸部分係一透明電極。 14 1351545 · · _ * 畔別/7曰修正替換頁 T參餚卜IC0HS0城餚骓贫«-¥玲 001
1351545 i
知年岔月/7日修正替換頁 ，：1 C~5
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