TWI345679B

TWI345679B - Method of repairing a polymer mask

Info

Publication number: TWI345679B
Application number: TW096117566A
Authority: TW
Inventors: Oug-Ki Lee; Jong-Kook Park
Original assignee: Phicom Corp
Priority date: 2006-05-18
Filing date: 2007-05-17
Publication date: 2011-07-21
Also published as: CN101410947B; JP2009537859A; KR100866499B1; TW200745741A; KR20070111964A; US20090095922A1; CN101410947A

Description

1345679 24420pif.doc 九、發明說铂：【發明所屬之技術領域】本發明之例不性貫施例是關於—種修補聚合物罩幕之 =°更特定言之’本發明之例示性實施例是關於一種使 =射修漏如斑肋及㈣L罩幕的製造缺陷的【先前技術】聚合物罩幕是-種用於接觸曝光或近場成像 (職-flelclimaging )之微影罩幕。聚合物罩幕可包括透明且可撓性聚合物基板上之非透3相案。聚合物在可撓性基板之整健域场成非翻層且隨後藉由^知微影製程。她。抑phypn)eess)來圖案化非透明層而製造。聚合鮮幕可為-種祕具有中轉析度之大區域微影之快速錄濟的解決方案。舉例而言，聚合物罩幕為用於達成高密度印刷電路板（high_density pdnted eimih board ’ PCB)之良好解決方案，此高密度印刷電路板需要快速且經濟方法來曝光大區域。聚合物罩幕之習知實例可包括在聚對苯二甲酸乙二脂（p〇lyethylene terephthalate， PET)基板上之圖案化紫外光固化墨水（UVcuringink)。為製造此’ UV固化墨水被喷塗在大的pet基板上，且隨後錯由彳政影製权將基板曝光於UV光，以選擇性地固化墨水，進而形成圖案。歸因於大區域之微影曝光之後的顯影過程，p丁E罩幕難以在不產生缺陷的情況下被製造。缺陷通常可包括由不 2442〇pif(j0( 適當曝光所產生之墨水圖宰 . 當顯影所產生之透明區域上的空隙’以及由不適用於執行微影之前修補j而内在使用聚合物罩幕 (manual touch-up) 了f,，纽。猎由使用諸如磨光tang)以及研磨決二機^方法來移除_缺陷可能亦不為實用解間吸ίιι之丨关Γ因於基於聚合物之墨水與聚合物基板之性翼藉由雷射剥蝕〇aSerablation)之選擇 rictive ink removal) ° ^ 而要的疋修補聚合物罩幕之缺陷的有效方法。【發明内容】幕之===示性實施例提供—種容易地修補聚合物罩、在根據本發明之第一態樣修補圖案化聚合物基板之方法中’提供具有第一以及第二表面之透明聚合物基板，以及在t 5物基板之第一表面上之圖案化層。隨後偵測圖案化層以及聚合物基板之第一表面之缺陷。此處，缺陷包括斑點缺陷以及空隙缺陷。藉由雷射輻射移除斑點缺陷。後修整空隙缺陷。在根據本發明之第二態樣修補用於執行微影製程之圖案化聚合物罩幕的方法中，提供具有第一以及第二表面之透明聚合物基板，以及在聚合物基板之第一表面上之非透明圖案化層。隨後偵測圖案化層以及聚合物基板之第一表 24420pif.doc •射二處，缺陷包括M點缺陷以及空隙缺陷。藉由之透明陷。祕，科細_聚合物基板來由雷射輔助修整0—祕〜在根據本發明之第三態樣修案化聚合物軍幕的缺陷的方法圖 ===:二遺後制聚合物基板之第-表面之斑 ==rf上刪合物基板之第= 至1二一：示性實施例，可使用輻射照度在約10 6 w/咖2 帝射㈣㈣射來執行用於有效剝钱之二射幸田射或者，可使用波長在約150nm至約⑽ t圍内的脈衝uv雷射來執行雷射騎。此外，可使用近 %成像來執行雷射輻射，所述 =陷上之射束二:像作練射，料射束騎具有高斯分根據另-例示性實施例，雷射輕射可形成深度為約 :至50，之陷口（ c膽r)。此外’陷口可具有—凹面形 ^口。此外’陷π可由折射率實質上類似於聚合物基之折射率的聚合物乳液覆蓋。反在根據本發明之第四態樣修補用於微影製程之圖案化 1345679 聚合物罩幕的方法中，提供具有第一以及第二表面之透明聚合物基板，以及在聚合物基板之第一表面上之非透明圖案化層。隨後偵測圖案化層之空隙缺陷。將雷射輻射至光隙缺陷以形成盲孔（blind hole)。隨後用非透明填充墨: 填充盲孔。根據一例示性實施例，所述方法可更包括移除盲孔周圍之過量的填充墨水以用墨水填充盲孔。根據另一例示性實施例’可使用輻射照度在約1〇6 W/cm2至i〇]5 w/cm2之範圍内的脈衝雷射來執行雷射輻射。或者’可使用波長在約150 nm至約400 nm之範圍内的脈衝UV雷射來執行雷射輻射。此外，可使用近場成像來執行雷射輻射，所述近場成像使用罩幕以形成入射於斑點缺陷上之射束點形狀。此外，可使用具有射束輪廓之遠場成像來執行雷射輻射，所述射束輪廓具有高斯分佈中的 TEM〇〇模式。根據又一例示性實施例，盲孔可具有介於約丨至 50 μπι之範圍内的深度。才艮才盧又一你丨丨壬香攸也1，田》4^ .

寸疋王苜几I"貝堂貨嘴濾筒（inldet nozzle

δ 1345679 24420pif.doc ~~表面上之非透明圖案化層。隨後偵測圖案化層上之空隙缺陷。將第一雷射輕射至空隙缺陷以曝光聚合物基板的第一表面。隨後^第二雷射輻射至經曝光之第一表面以形成用於截獲入射光之Z 射結構。九根據一例示性實施例，可使用輻射照度在約丨〇 6 w/ c m 2 至10l3W/cm2之範圍内的脈衝雷射來執行第—雷射輻射。或者’可使用波長在約150 rnn至約_ nm之^圍内的脈衝UV雷射來執行第-雷射輕射以及第二雷射輕射。此外，可使用雷射能量密度在約〇.1 J/cm2至約⑽了/咖2之範圍内的193 nm的ArF準分子雷射來執行第一帝射。可使用雷射能量密度在約0.01 J/Cm2至約〇 5 範圍内的193 nm的ArF準分子雷射來執行第二雷射輕射根據另-例示性實施例，可使用近場成像來執行田，射輕射以及第二雷射㈣，所述近場成像制罩幕以妒成入射於斑點缺陷上之射束點形狀❶或者，可使用呈^ 束輪粒遠場成像來執行第—雷射賴射以及第二射，所述射束輪廓具有高斯分佈中的TEM⑻模式。田錐形根據又―例雜實關’繞較構可㈣ΐ個微型圓 -人ίΐίΐ發明之第六態樣修補用於微影製程之圖案化聚合物基板，以及在聚合物基板之第―表^；^面^明案化層。隨後侦測圖案化層上之空隙缺陷面== 1345679 24420pif.doc 感光粒子之透明感光層形成於空隙缺陷上。將雷射輻射至感光層以光化改變感光層之顏色。根據一例示性實施例，感光層可包括在聚合物乳液中之一氧化鈦粒子的混合物。此外，二氧化鈦粒子可具有約】nm至l，〇〇〇nm之平均大小。 '、' 根據又一例示性實施例’可使用輻射照度在約106 W/cm至l〇]5W/cm2之範圍内的脈衝雷射來執行雷射輕射。或者’可使用波長在約15〇nm至約彻咖之苑圍内執行雷_。此外’可使用近場成像田·輻射，所述近％成像使用罩幕以形成入射於射束點形狀。此外，可使用具有射束輪廓之遠場丁雷射輕射，所述射束輪靡具有高斯分佈中的 |人^ = ^發明之第七態樣修補用於微影製程之圖案化法中’提供具有第一以及第二表面之透明以及在聚合物基板之第一表面上之非透明圖偵測圖案化層之空隙缺陷。包括至少一種光射幸Γ射至=明光反應層形成於空隙缺陷之上。隨後將雷成碳化碎片。應層以使光反應粒子與雷射起反應，進而形中之列示性實施例，光反應層可包括在聚合物乳液亞胺（polyimide)粒子的混合物。根據另一例示性實施例，可” w/cm2至之範圍内的脈“射；;行雷射輻 1345679 24420pif.doc 射或者，可使用波長在約150 nm至約400 nm之範圍内，脈衝UV f射來執行雷射傭。此外，可使用近場成像來執行雷射輻射，所述近場成像使用罩幕以形成入射於在 ί反應層上之射束點形狀。此外，可使用具有射束輪廓之遇场成像來執行雷射輕射，所述射束輪#具有高斯分佈中的TEMoo模式。在根據本發明之第八態樣修補用於微影製程之圖案化的方法中，提供具有第—以及第二表面之透明 ^物基板，以及在聚合物基板之第—表面上之非透明圖案化層°隨後偵測圖案化層上之空隙缺陷。用於防止υν 透明墨樹覆至空隙缺陷。將雷射輻射至 3月墨水以修整超出聚合物基板之第—表面上之圖案化區域以外的非透明墨水的溢出。一根據-例示性實施例，可使㈣嘴來執行塗覆非嘴可包括用於將非透明墨水之小液滴傳送至空隙 =的：墨噴嘴濾筒，以及用於在接觸空隙缺陷針 g傳达非透明墨水之點的針型點標記器。卞 ^另―例示性實關，麵日月墨水可包括在聚二少—著色劑的混合物。此外，非透明墨水可包固化墨水，所述uv固化墨水在雷射輕射之前 I光於包括UV燈以及脈衝UV雷射之uv光來固化。" 根據又一例示性實施例，可使用輻射昭戶。 y/咖2至⑽w/cm2之範圍内的脈衝雷射來^雷10 射。或者’可使用波長在約150nm至約·之範= 1345679 2442〇pif.doc 的脈衝UV雷射來執行雷射輻射。此外，可使β 來執行雷射輻射，所述4g 琢成像出的非㈣Μ μ 成像使帛罩秦形成人射於溢透明墨水上之射束點形狀。此外，輪廓之遠場成像來執行+射，/、有射束分佈中的鹽束麵具有高斯在根據本發明之第九態樣修補用於微的方法中，提供具有第-以及第二=二 U物基板，叹在聚合物基板H =層:隨後_圖案化層之空隙缺陷。㈣= 土覆至二隙缺H uv雷射部分地輻駐uv固化畺水以將由_所輻射之uv固化墨水的區域轉 ^狀態。隨後移除未受uv雷射糾之UV固化墨水的區根據-例示性實施例，可使用墨水。喷嘴可包括用於將非透明墨水之小液滴 ::的筒’以及用於在接觸空隙缺陷時經過針 &傳达非透明墨水之點的針型點標記哭。约:據另’可使用波長在約150 -至 =400 run之關内的脈衝雷者，成像來執行Uv雷咖，=成二 :用射：W固化墨水上之射束點形狀。此 ΰ /、束輪廓之遠場成像來執行TJV雷射_ 射，所述射_具_分 y t 可使用觀量密度在 12 1345679 24420pif.doc 圍内的脈_uv雷射來執行uv雷射輕射。‘ 取入本發明之第十態樣修補用於微影製程之圖案化 t物罩I的方法中，提供具有第—以及第二表面之透明 h物基板，以及在聚合物基板之第—表面上之非透明圖案化層。隨後提供具有第—以及第二表面之翻塗覆層，以及形成於透明塗覆層之第二表面上以在透明塗覆層與墨水層之間形成界面的墨水層。偵測圖案化層上之空隙缺陷。用聚合絲板之_化層重疊透明塗覆相將墨水層與空隙缺陷接觸。實質上透射穿過透明塗覆層且實質上吸收於界面巾的局部化雷射織射至剌塗覆層之第一表面以將墨水層與透日脸覆層之第二表面分離。墨水層隨後自透明塗覆層轉錄（transcribe )至空隙缺陷。根據-例示性實施例，墨水層可包括在聚合物乳液中之至少一著色劑的混合物。此外，墨水層可包括有色光阻。根據另一例示性實施例，可使用波長在約15〇 nm至約400 nm之範圍内的脈衝uv雷射來執行雷射輻射。或者，可使用近場成像來執行雷射輻射，所述近場成像使用罩幕以形成入射於界面上之射束點形狀。此外，可使用具有射束輪廓之遠場成像來執行雷射輻射，所述射束輪廓具有高斯分佈中的TEM00模式。此外，可使用雷射能量密度在約0.001 J/cm2至約0.05 J/Cm2之範圍内的脈衝uv雷射來執行雷射輻射。根據本發明，可容易地移除透明聚合物罩幕中之缺陷 (例如，斑點缺陷、空隙缺陷等）。此外，本發明之方法可 13 1345679 24420pif.doc 容易地修補微型大小的空隙，此，可容易並有效地修補用於微影製程之聚合物罩幕的缺陷。【實施方式】在下文中參考展7F本發明之例示性實施例之所附圖式，充分地描述了本發明。然而，本發财赠多不同形式貫施且不應被轉為㈣於本騎陳述之解性實施例。相反’提侃等實_使得此揭露案將詳盡且完整，且將完全將本發明之範轉達給熟f此項技術者。在圖式中，為清晰起見’可放大層以及區域之大小以及相對大小。，，應瞭解’當，，—元件或層被稱為在另件或層“之上或it接至$-元件或層時，其可直接在其他元件或層之上或連接至其他元件或層，或可存在插入元件或層。“相反，當一元件被稱為“直接在另一元件或層之上” 或直接連接1 3-元件或層時，則不存在插入元件或層。在‘全文中相同參考數字表示相同元件。如本文所使用，術語“及/或”包括相關聯之所列項目之一或多者的任何以及所有組合。 …應瞭解’儘管術語第一、第二、第三等可用於本文以描述多種7G件、組件、區域、層及/或區段，但不應由該些術語限制此等元件、組件、區域、層及/或區段。該些術語僅用於區分-個元件、組件、區域、層或區段與另—區域、層，區段。因此，在不脫離本發明之教示的情況下，下文所論述之第-元件、组件、區域、層或區段可稱為第二元件、組件、區域、層或區段。 14 X S > 1345679 24420pif.doc 空間相對術語（例如，“下部，，' · “ 似物）可用於本文以使描述圖式中 ^部以及其類徵與另-⑴固)元件或(多個)特月:i件或特應瞭解，空間相對術語意慾涵罢除 ’、的描述容易。外的裝置使用或操作中的不同;:圖; 中之裝置顛倒’則描述為在其他元件或特圖；之下的讀隨後可被定向為在其他元件 ^ 方”。因此，實例術語“下方，，可涵蓋上方以的上位兩者。可以其他方式(旋轉90度或:其二口：裝置，且使財域社㈣姆料崎行城地來疋向本文所使用之術語僅為了^^行· &士 ^ — 心解釋文 > 欲PP岳丨丨太欲叫二田L寸疋貫施例之目的且並不思心限制本發明。如本文所使用，單數形‘一”、 “所述’’意慾同樣包括複數形式，除非本文另外明= 示H-步瞭解’術語“包括”在用於本說明 j 定所陳述之倾、紐、步驟、操作、元件辑組件的^ 在’但並不排斥其之一或多個其他特徵、整數、步驟作、元件、組件及/或群的存在或添加。本本文麥考作為本發明之理想化實施例（以及中士構）之圖解就明的橫截面說明來描述本發明的例示性實施例。因而’將預期（例如）由於製造技術及/或公差而】a 之説明的形狀變化。因此’不應將本發明之例示性解釋為限制本文所說明的特定形狀，而是包括（例如）由製造所產生之形狀偏差。圖式中所說明之區域為本質上為系意性的，且其形狀並不意慾說明裝置之一區域的實際形

15 1345679 24420pif.doc 狀且並不意慾限帝j本發明的範嘴v 〜非另外疋義，否則本文所使用之所有術語（包括技術術叩以及科學術語）具有與—般熟習本發明所屬領域技術者一，理解之綱含義。應進-步理解，諸如在常用辭典中所定義之卿術語應贿㈣財與情形中之含義含義，且將科理想化或過度正式丁意義來解釋除非本文明確如此定義。 =實施方式描述與處理與聚合物罩幕相關聯之問題的本揭露案-致之方法的例示性實補。本發明之應用不限制於以下例示性實施例。儘管-㈣示性實施例參考由193 nm之AriF準分子雷射所修_ pET基板上之麵明墨水，仁其他類$之非UV透明層以及聚合物基板可與熟習此項技術者所已知的其他類型之雷射一起使用。 ^用於微影曝光之聚合物罩幕由透明聚合物基板上之墨水圖案組成，將罩幕區分地劃分為圖案化區域以及透明區域（或者非透明以及透明區域）。在通常用11¥燈或uv雷射的微影曝轴間，圖案化區域崎人射光且剩透射光。飞，圖1A為說明聚合物罩幕之缺陷類型之平面圖，以及圖 1B為既明圖丨八中聚合物罩幕之缺陷類型的橫截面圖。參看圖1A，在聚合物罩幕10中存在兩種有區別的類型之缺陷。一者為在透明聚合物基板14中形成墨水斑點16，以及另一者為在圖案化區域12中形成墨水空隙18。缺陷（黑水斑點16以及墨水空隙18)之大小可在幾微米至幾毫米苑 16 1345679 24420pif.doc 圍中變化。在使用聚合物罩幕1〇用於微影曝光之電子裝置或印刷電路板中’透明聚合物基板14中之不當的墨水斑點 16可引起短路，以及圖案化區域12中之不當的墨水空隙18 可引起開路。圖1B說明展示墨水斑點16以及墨水空隙丨8之聚合物罩幕10的橫截面圖。、圖2 A至圖2 F為說明根據本發明之第一例示性實施例修補斑點缺陷之方法的橫截面圖以及照片。

一，看圖2A，將墨水斑點16曝光於雷射輻射2〇。在此例不性實施财’雷射騎可較佳使祕衝uv雷射。此外，脈，uv+雷射可包括157_奶準分子雷射、i93_々ArF =刀=田射、222 nm的KrCl準分子雷射、248 nm的KrF準分:雷射、308 nm的XeC1準分子雷射、351 的辦準分，田射以及355 nm(二倍頻）或266 nm(四倍頻）的Nd:YAG 或Nd.YV〇4)雷射等。以上提及之雷射之脈衝持續時間 2較佳在鮮、（femtG_nd)至奈秒（n__d)之範

内⑨田射輻射20可為近場成像，其使用罩幕以形成入射如目標墨水賴上之射束點形狀。遠場成像亦可用於輻 ^。f射輻射2G之射束輪廓可能足夠均―，例如高斯分佈中的TE1VU。 “ $射束對聚合物之油視聚合物之吸紐質以及雷矣一之特徵而定。聚合物之吸收性質可由吸收係數（⑽]) 心子物Ϊ料中之所吸收光子的深度4定。所吸制^丨货/、Λ 〇物之原子以及分子起反應以進而將聚合物材至用於瞬時汽化（‘㈣紙㈣vaporizatkm)之激 1345679 24420pif.doc 發態。具有強吸收性質之聚合物可具有較高吸收係數。雷射束之特徵主要視兩個性質而定，波長以及脈衝持續時間。此關係可由/4/㈣表達，其中/為輕射照度 [J/(cm2.Sec)]，五為雷射之脈衝能量（焦耳），j為雷射束之面積（on2)以及r為脈衝持續時間（秒）。當脈衝持續時間由雷射之類型確定時，關係可由= 表達，其中乃為雷射能量密度（J/cm2)。脈衝能量五可由普郎克之光子月b里方程式五= /7.(C·/又）描述，其中六為普郎克常數 # (6.62618x10·34 J.sec)，c為光的速度（m/sec)以及λ為波長（nm)。基於這些關係，短脈衝持續時間引起較高輻射照度，且減小了由快速吸收引起的熱轉移。較短波長增加了有助於改良的光學吸收之光子能量，且減小了吸收^度 (absorption depth)。當脈衝持續時間固定時，高度聚焦雷射束（產生較小面積之雷射束）顯著地增加了雷射能量密度。然而，雷射能量密度之溢出引起過量能量轉換成熱，從而導致對目標的熱損壞。通常，由於光學原因以及熱原 • 因兩者，有效的剝蝕受益於較小雷射波長以及較短脈衝持續時間。亦即，當適當選定之雷射的性質（例如，短脈衝持縯時間以及高光子能量）與聚合物材料之性質（例如，小吸收深度以及低熱導率）結合時，過量熱轉移藉由有效剝蝕而最小化，從而導致自小的熱影響區（heat_affected zone)較徹底的材料移除。舉例而5 ，聚曱基丙稀酸曱醋（polymethyl methacrylate，PMMA )在248 nm雷射束下具有約幾百cm-i 1345679 24420pif.doc 的低吸收系數值，其形成長的穿透深度。約248 nm雷“輻射之PMMA的吸收不良，進而使得PMMA難以具有有效剝蝕。相反，聚醯亞胺（p〇lyimide，PI)具有248nm雷射束下之超過105cm-i的高得多的吸收系數值。在所述波長下之穿，深度相對短，韻成為人射雷射束之良好吸收劑。利用最佳雷魏量密度，徹底的並有效_崎於248 n 長下的PI是可能的。

蒼有圖2B

ns ,1 ^….PET用於透明基板14，其由來自具有約25 ^脈衝持續時間以及2細2之雷射能量密度的248咖準分子雷射的直徑刚_的圓形光點輕射。儘管ρΕτ在· =具有相對高的錄細.&丨q w，但娜並非 23吊石山H’ h受輕射區域2U周圍的溶融材料的重鑄亦形成於綠純助a之底部之上。值降，在受_域213 另一方面，虽增加雷射能量密度時，

2二===射區杨周圍較明顯。此為使用低效剝_證^。耻修補4水職16之ρετ基板的相反’如圖2C所*，當用具有縯時間以及雷射能量密 =質上_之脈衝持 PET基板時，剝蝕又、nm準为子雷射輕射相同潔的底部，且在有效，從而產生受轄射區域21b之清下的PET之增加的二園热顯者重鑄。193 nm 此使得193 nm準八不/數要有助於增加的剝钱效率。每射成為用於修補製程之較佳選擇。 19 1345679 24420pif.doc

參看圖2ϋ’繼雷射輻射20之後，透明聚合物墓板14上之經修補位點22a需要為微影曝光25保持良好的光學透射。為了保持透明聚合物基板14之光學透射，需要有效剝钱以達成最小化碳化以及小的熱影響區。較佳使經修補位點22a之光滑邊緣24a朝向聚合物基板表面26。舉例而言，經修補位點22a可形成具有凹面形狀。凹面形狀陷口之深度較佳為淺的’特定言之小於50 μπι。在微影曝光25期間，光滑邊緣24a將直接在經修補位點22a之邊緣24a下方的目標27之上的邊緣遮蔽的形成最小化。相反，當經修補位點22b具有如圖2E中所說明之尖銳且有區別的邊緣24b時，用於微影曝光25之入射uv光傾向於在邊緣24b處被反射或折射開。此導致在邊緣24b下方之目標上形成遮蔽，此在微影曝光25期間形成缺陷。因此 — 吾，，至修補位點22b具有邊緣24b時，此邊緣遮蔽可藉由如圖2F所示在經修補位點2烈上形成透明層28而減小。透明層28可為較佳具有匹配折射率（恤咖哗硫乂 re—之聚合物乳液。聚合物魏可包滅體中聚合，粒子的料液。當贿時，懸浮之聚合物粒子聚集起且組合㈣成較大的鏈，進而形成透明層％。此外: = =28亦：形成於凹面成形之經修補位點22&上，以增強臧影製程25令之光透射。 M ’ 2當用於有效剥蝕之雷射輻射使用輻射 :、:、度低於約H) W/em之脈衝雷射订斑點缺陷16之有效顺。相反，當用於有效雜之雷射 20 丄 24420pif.doc :射Γ照度高於約1〇13 W/cm2之脈衝雷射來執行損的有㈣推可5丨起對透㈣合物基板14的 r〇4c；i；^tf 主约10 w/cnr的脈衝雷射來執行。使用說明根據本發明H雜實施例的炉# I目㈣騎之墨水注射來個^隙缺陷之方法的杈戳面圖以及照片。

银。，進行f射輻射20用於墨水空隙18之有效剝 :丨射20形成圖3B中之盲孔3〇。在此例示性實施例、〇具有較佳大於1 pm但小於聚合物基板14之厚度开；亡為了適§匹配包括墨水空隙18之圖案化區域12的二、’ @孔3〇之形狀可採取多種形式，例如，方形、矩形以及三㈣。㈣圖3C展示填充墨水32在盲孔3〇上的塗覆。填充墨水％

3^黏ί可視為適#潤濕^'填充盲㈣。高黏度之填充墨水 y能不潤濕小的盲孔以及填充内部用於修補。填充墨水可為任何類型之墨水，其可在微影曝光時阻斷入射口乂钮’，括但不限於溶劑或基於水的溶液中之顏料或基於染 H著色劑。此外，填充墨水32可藉由手動方法或小的喷 =塗覆。存在㈣將填充墨水％傳妓局部倾域之市 ^ A嘴，包括但不限於噴墨喷嘴濾筒以及針型點標記器。嘴墨喷嘴濾筒可具有一或多個噴嘴，其注射填充墨水32之】液/商（參見，例如，M. Gilliland的WoodglenPress (2005 年），Inkjet Applications”中的市售喷墨濾筒的操縱）。 2] 1345679 24420pif.doc 針型點標§己存可在接觸罩幕表面上時經過小的針管傳送填充墨水32的點。舉例而言，一種市售針型點標記器為購自日本’ Toyko 的Hugle Electronics Inc.的 DIMARK®。參看圖3D，可擦去盲孔30周圍之過量填充墨水，留下一層剩餘墨水34在盲孔30之底部。麥看圖3E，PET基板用於透明基板14。將雷射輻射至 PET基板以形成盲孔3〇。雷射輻射2〇是由來自具有約⑽ 之脈衝持續時間以及2 J/cm2之雷射能量密度的M3 準分子雷射的直徑100μιη之圓形光點來執行。繼雷射輕射2〇用填充墨水32填充盲。盲⑽關之填充墨水 32的-部分讓剩餘墨水34留在盲孔3〇中。亦即空隙缺陷，具有墨水34之結構是藉由僅财^ 及移除填充墨水如及藉由雷肺如上文所提及’當用於修補空隙缺用輻射照度低於約1 〇6 W/Cm2 之田射輻射使易地進行空瞻不能容射輻射使賴射照度高於約1()15 w ^於有—之雷時，空隙缺陷18之修補可引起職14J=來執行於娜i，之雷射幸㈣用輻用 1015 W/cm2之脈衝雷射來執行。又、，，）1〇 W/Cm2至約圖4A至圖4E為說明根據本發明使用由雷射減所誘發之繞射結構來修性貫施例的橫截面圖以及照片。南二咏缺陷之方法特定言之，圖4A至圖4E之製程表示使用微型紋理 22 1345679 24420pif.doc (micro-scaled texture)(亦即，雷射輻射之繞射結構）修補空隙缺陷的方法。由雷射剝蝕適當形成之紋理可充當繞射格栅（diffraction grating)，其在微影曝光期間截獲入射光。光截獲之程度以及所截獲光之光譜範圍視繞射結構的幾何因素而定（參見，M. Niggemann等人的“Trapping Light in Organic Plastic Solar Cells with Integrated

Diffraction Gratings”，17th European Photovoltaic Solar Energy Conference Proceedings’ 第 284-287 頁（2002年）中的幾何因素的模型化）。形成錐形之微型山的錐形變形已被熟知，以有效地截獲入射光。參看圖4A ’墨水空隙18在雷射輻射2〇之下。參看圖 4B，雷射輻射20藉由有效剝蝕來曝光聚合物表面4〇，其蝕刻圖案化區域12直至聚合物表面40被曝光。參看圖4匸，再次由受控雷射輻射20a來曝光經雷射曝光之聚合物表面 40。此處，受控雷射輻射20&可不同於上文所提及的雷^輻麥看圖4D ’受控輻射20a形成微紋理42，其充告在微影曝光時截獲入射光之繞射格柵。受控輻射2〇a意謂具有二控雷射參數之雷射輻射，所述參數包括但不限於雷射能= 密度、脈衝之數目、波長以及脈衝持續時間。舉例而二里當PTE基板在193 nm的ArF準分子雷射之下輻射時，義^产之雷射能量密度為形成不同表面紋理的控制因素。二处初始雷射輻射20 (約20個脈衝）可在1 j/cm2以上執即乂自圖案化區域12有效地移除墨水來曝光表面用 23 1345679 24420pif.doc 0‘01 J/cnr與約0.5 J/Cm2之間的受控雷射能量密度來再次輕射經曝光之聚合物表面4〇，進而形成錐形紋理。形成錐形紋理所需脈衝之數目視雷射能量密度而定。舉例而言，在0.05 J/cm2下，需要至少約2〇個脈衝來形成紋理（參見， B. Ή〇ΡΡ 等人的 “Formation of the surface structure of polyethylene-terephthalate (PET) due to ArF excimer laser ablation ’Appiiecj Surface Science 96-8，第 611-616 頁 ( 1996年）_的紋理之形態學）。參看圖4E，三個盲孔分別曝光於具有三個不同雷射能里岔度0.05 J/cm2、〇.i j/cm2以及 j J/cm2的受控輻射2〇a( nm的20個脈衝），從而形成不同微紋理42a、42b以及42c。 0.05 J/cm2下之微紋理42a形成最暗的盲孔，其展示形成有效繞射格栅以截獲入射光。相反，〗J/cm2下之微紋理42c 形成幾乎透明的盲孔。此展示產生微紋理42〇之丨J/cm2的雷射能量密度未形成有效繞射格柵。圖5 A至圖5 F為說明根據本發明之第四例示性實施例使用打印（photo-printing)來修補空隙缺陷之方法的橫截面圖。芩看圖5A，透明感光層5〇局部地形成於墨水空隙以上。感光層50可在塗覆溶液巾包括—種或多種感光粒子。感光粒子（例如，氧化鈦、高嶺土（ka〇Un)以及雲母（_〇) 在其曝光於具有特定波長之光時，由於光化 (photochemical)反應而改變其顏色（關於詳情，參見美國專利第6,924，G77號）。或者，諸如銀奈米粉末之熱敏感 24420pif.doc 粒子可用於熱敏感粒子之顏色由發的熱而改變的情況中。自田射切20之雷射誘 ⑽==層，為聚合物撕之二氧化録特定士' 氧化鈦之粒子大小較佳為小的，在微影曝光期間，乳液中之之奈未粉+。 f多入粉次/ 卡大小的粒子比大粒子透射汾H、先。礼液較佳具有與透明聚合物基板14匹配之折 50:: it:之Ϊ米二氧化鈦的體積百分比可自1%變化至。上覆於聚合物罩幕1〇之上的混合乳液之厚度可介塗二圍内:二氧化鈦之體積百分比可視所二θ又而定。通常’較厚之乳液層可需要較小之 7.. 積百分比。熟習此項技術者熟知，二氧化鈦在本光於脈衝UV雷射時，光化地將顏色自無色改變成黑色。 i看圖5β ’感光層5〇曝光於雷射輪射2〇。在此例示性實施例中，雷射可包括脈衝UV雷射。參看圖5C，感光層5〇之曝光區域52光化地改變其顏色，以防止在微影曝光期間入射UV光之透射。圖6Α至圖6C為說明根據本發明之第五例示性實施例使用雷射誘發碳化來修補空隙缺陷之方法的橫截面圖。參看圖6Α，透明光反應層60局部地形成於墨水空隙 18上。在此例示性實施例中，光反應層6〇可在塗覆溶液中包括一種或多種光反應粒子。光反應粒子與入射雷射束起反應’且產生使受輻射區域變暗之碳化碎片。光反應粒子較佳為透明的且強烈吸收的聚合物（例如，聚醯亞胺）。 2442〇pif.doc 舉，而s ’在脈衝uv輻射下受輻射之聚醯亞胺產生沈積 J又輪射區域之多晶碳（polycrystalline carbon )。形成於又輻射區域之底部上的多晶碳可使透明聚醯亞胺顯著變暗。可將聚醯亞胺粒子混合在聚合物乳液中。聚醯亞胺之粒子大小較佳為小的，在幾奈米至幾微米之範圍内。乳液車乂佳具有與透明聚合物基板14匹配之折射率。乳液中之聚蕴亞胺粒子的體積百分比可自1%變化至50%，且塗覆於聚合物罩幕10上之混合乳液之厚度可介於丨與5〇〇 pm 之範圍内。聚醯亞胺粒子之體積百分比可視所塗覆乳液塗層之厚度而定。通常，較厚之乳液塗層可需要較小之聚醯亞胺粒子體積百分比。熟習此項技術者熟知，聚醯亞胺在脈衝UV雷射輕射下產生碳化碎片（舉例而言，參見， Raimondi 等人的 “Quantification 〇f P〇lyimide Carbonization after Laser Ablation" ，Journal of Applied

Physics ’ vol. 88 no.6 第 3659-3666 頁（2000 年）中的聚醯亞胺中碳化的產生）。參看圖6B，光反應層60曝光於雷射輻射2〇。在此例示性實施例中，雷射可包括脈衝UV雷射。參看圖6C ’由雷射輪射20曝光之光反應粒子產生碳化碎片62。具有碳化碎片62之變暗底部防止在微影曝光期間入射UV光的透射。圖7A至圖7D為說明根據本發明之第六例示性實施例使用由雷射修整所誘發的局部化墨水塗覆來修補空隙缺陷之方法的橫截面圖。 1345679 24420pif.doc 圖7A說明墨水空隙18，以及圖7B說明在墨水空隙18 之上的非透明墨水70的局部化塗覆。非透明墨水70可為任何類型之墨水，其可在微影曝光期間阻斷入射UV光，包括但不限於溶劑或基於水的溶液中之顏料或基於染料的著色劑。非透明墨水70亦可為UV固化墨水，其在被曝光於UV 光時固化，且變成不溶性的。#透明墨水70之塗覆可藉由手動方式或藉由前述小喷嘴來達成，所述小噴嘴包括但不限於噴墨噴嘴濾筒以及針型點標記器。在局部化塗覆之後，可在周圍空氣中固化或藉由包括但不限於空氣/氣體流動以及熱的其他處理來使墨水70變乾。在UV固化墨水之情況下，可藉由全面性曝光於UV燈/LED或藉由受控曝光於前述脈衝UV雷射來固化。參看圖7C，非透明的溢出（其中溢出意謂墨水流動至聚合物基板14之圖案化區域12的外部）由雷射輻射2〇轄射以修整。亦即，可由雷射輻射20修整來自過塗覆之固化黑水70a之過量部分。土此處，當使用輻射照度低於1 〇6 w/cm2之脈衝雷射執疒雷，射時，我容㈣進行修整。相反，當錢輻射3 度高於1015 W/cm2之脈衝雷射執行雷射輻射時，修整可'引、起基，14之損壞。因此，雷射輻射可使用輻射照度約 W/cm至約l〇】5w/cm2之脈衝雷射來執行。參看嶋’自透明聚合物表面72選擇性地移除水70a之溢出，以暴露透明聚合物表面72。 t 然而’當選擇性移除歸因於固化墨水7〇a與聚合物表面 27 1345679 24420pif.doc 72之間的吸收係數的微小差異而無法實施時/雷射輻射2〇可藉由前述有效剝蝕穿過聚合物表面72剝蝕高達小於100 μιη的某一深度。圖8 Α至圖8 D為說明根據本發明之第七例示性實施例使用由雷射輻射所誘發之UV固化墨水的局部化曝光來修補空隙缺陷之方法的橫截面圖。圖8A說明墨水空隙18，以及圖8B說明在墨水空隙18 上之UV固化墨水80之塗覆。一旦曝光於UV光’ UV固化墨 ® 水80就被固化且變成不溶性的。UV固化墨水80之塗覆可藉由手動方式或藉由前述小喷嘴來達成，所述小噴嘴包括但不限於噴墨喷嘴濾筒以及針型點標記器。 ' 參看圖8C，在UV固化墨水80的塗覆之後，僅將墨水空隙18上方之局部化區域曝光於uv雷射輻射2〇以固化墨水80。輻射20可較佳來自UV脈衝雷射，且較佳藉由近場成像’所述近場成像使用罩幕以形成入射於目標區域上之射束點形狀。遠場成像亦可用於輻射2〇，其中輻射2〇之射束 • 輪廓足夠均—，例如高斯分佈中的TEM0〇qUV雷射輕射2〇可需要低於有效剝姓之雷射能量密度的雷射能量密度，佳小於50 mJ/cm2。 ^ 參看圖8D，在輻射20之後，移除固化墨水8〇&以區域上的過量墨水’以修補空隙缺陷18。圖9A至圖9D為說明根據本發明之第八例示性實使用雷射誘發的墨水轉錄來修補空隙缺陷之方法的橫截面圖。 ’、 »· 28 24420pif.doc 圖9A說明墨水空隙18。圖兕中，盥墨舛之透明基板90置放於墨水空隙18^曰92“有界面可稱為透明塗覆層。尺工㈣上。此處，透明基板9〇起’實質上彼此】:層隨曝光於較佳來自脈衝uv雷射中之—者m匕區域罩幕以形成入射於目標區域上近=像使用之射束輪_=成:: -的高透:率：;而;= m 火玻璃（S〇da Hme glass)損失i井與浐射i i⑵當雷射輻射20來自 %可為=^:^"：可用於透明基板9〇。墨水層 ϋν光，所水、可在微影曝光期間阻斷入射 ====== 由手動方法或藉由旋塗(二界面％處被吸收Λ界二透明基板90且在擇性輕射利用透明基板90 uv雷射脈衝之此選射率（或吸收）差1 、墨水層之_uv光的透於透明基板9G之吸收= 選擇以傳送正好低收^限的施置密度’從而允許其透射穿 ί. £ 29 1345679 24420pif.doc 過而不會導致任何損壞。栺反，雷射能量足夠高以引起在界面94處墨水層92之雷射誘發分解，此引起墨水層92 與透明基板90分離。此處，墨水層92之分離可藉由使用雷射能量密度在約〇·〇1 J/cm2至約10 J/cm2之範圍内之脈衝UV雷射的雷射輻射來達成。參看圖9D ’在墨水空隙18上轉移分離之墨水層96。分離之墨水層96可在微影曝光期間充分阻斷入射uv光。

根據本發明，可使用雷射容易地移除透明聚合物罩幕中之缺陷，例如斑點缺陷、空隙缺陷等。因此，由於可快速且精確修補上文所提及之缺陷’因此本發明之方法可有效地可用於修補聚合物罩幕。儘管此揭露案根據例示性實施例來描述本發明，但本發明不限於彼等實施例。相反’熟習此項技術者將廣泛解釋附加之申請專利範圍，包括熟習此項技術者可在不脫離本發明之均等物之範如及範_情沉下製造紐用的本發明之其他變體以及實施例。

【圖式簡單說明】圖1A為朗聚合物罩幕上之缺陷類型的平面圖。圖為說日中聚合物罩幕上之缺鐘型的橫截修補斑點缺根據本發明之第—例雜實施例使用由雷㈣祕本糾之»二解性實施例、誘發的墨水注射來修補空隙缺陷之方法

30 1345679 24420pif.doc 的橫截面圖以及照片。圖4A至圖4E為說明根據本發明之第三例示性實施例使用由雷射輻射所誘發的繞射結構來修補空隙缺陷之方法的橫截面圖.以及照片。圖5A至圖5C為說明根據本發明之第四例示性實施例使用打印來修補空隙缺陷之方法的橫截面圖。圖6A至圖6C為說明根據本發明之第五例示性實施例使用雷射誘發碳化來修補空隙缺陷之方法的橫截面圖。 • 圖7A至圖7D為說明根據本發明之第六例示性實施例使用由雷射修整所誘發的局部化墨水塗覆來修補空隙缺陷之方法的橫截面圖。 - 圖8A至圖8D為說明根據本發明之第七例示性實施例使用由雷射輻射所誘發之UV固化墨水的局部化曝光來修補空隙缺陷之方法的橫截面圖。圖9A至圖9D為說明根據本發明之第八例示性實施例使用雷射誘發墨水轉錄來修補空隙缺陷之方法的橫截面 • 圖。【主要元件符號說明】 10 :聚合物罩幕 12 :圖案化區域 14 :透明聚合物基板 16 _墨水斑點 18 :墨水空隙 20 .雷射輕射 31 1345679 24420pif.doc ’ 20a :受控雷射輻射 21a :受輻射區域 21b :受輻射區域 22a :經修補位點 22b :經修補位點 23 :重鑄 24a :光滑邊緣 24b :邊緣 • 25 :微影曝光 26 :聚合物基板表面 ' 27 :目標 - 28 :透明層 30 :盲孔 32 :填充墨水 34 :剩餘墨水 40 :聚合物表面 φ 42 :微紋理 42a :微紋理 42b :微紋理 42c :微紋理 50 透明感光層 52 曝光區域 60 光反應層 62 碳化碎片 1345679 24420pif.doc 70:非透明墨水· 70a :固化墨水 72 :透明聚合物表面 80 : UV固化墨水 80a :固化墨水 90 :透明基板 92 :墨水層 94 :界面 • 96:分離之墨水層

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Claims

1345679 24420pifl 爲第96117566號中文_範醜劃線修正本修正日期:99年12月9日十、申請專利範圍： 1· 一種修補圖案化聚合物罩幕上之缺陷的方法 3影製程，所述修補圖案化聚合物罩幕上之缺陷:方3 提供具有第一表面以及第二表面之透明聚合物基板， ==所述透明聚合物基板之所述第—表面上之非透明圖杀"it層， • 偵測所述非透明圖案化層上之空隙缺陷；將雷射輻射至所述空隙缺陷以形成盲孔；以及將非透明填充墨水填充於所述盲孔中。 2. 如申請專利範圍第1項所述之修補圖案化聚合物罩幕上之缺陷的方法，更包括移除所述盲孔周圍之過量的所述非透明填充墨水，以用所述非透明填充墨水僅填充盲孔。、 3. 如申請專利範圍第1項所述之修補圖案化聚合物罩 • 幕上之缺陷的方法，其中使用波長在150 nm至400 nm之範圍内的脈衝紫外光雷射來執行所述雷射之輻射。 4·如申請專利範圍第1項所述之修補圖案化聚合物罩幕上之缺陷的方法，其中所述盲孔具有介於 1 μπι 至 50 μιη 之範圍内的深度。 5.如申請專利範圍第1項所述之修補圖案化聚合物罩幕上之缺陷的方法’其中使用近場成像來執行所述雷射之輻射’所述近場成像使用罩幕以形成入射於所述空隙缺陷上之射束點形狀。 34 1^679 24420pifl .. 爲第96117566嫩辫__線瓣修删辦12月9日 6·如申專利範圍第1項所述之修補®案化聚合物罩幕ΐ之缺陷的方法’其巾使用具有射束輪狀遠場成像來執行所述f射之輻射，所述射束輪廓具有高斯分佈中的 TEMqq模式。 7.如申請專利範㈣1項所狀修姻#化聚合物罩幕上之缺陷的方法’其巾使时嘴來執行⑽述非透明填充墨水填充所述盲孔。、

8·如申請專利範圍第7項所述之修棚案化聚合物罩幕上之缺陷的方法’其中所述喷嘴包括用於將所述非透明填充墨水之λ!、㈣傳送至所述盲孔之喷墨喷嘴滤筒。 9. 如申請專利範圍第7項所述之修補圖案化聚合物罩幕上之缺陷的方法，其中所述喷嘴包括用於將所述填充墨水之點傳送經過相鄰於所述盲孔之針管的針型點標記器。 10. —種修補圖案化聚合物罩幕上之缺陷的方法，用於微影製程，所述修補圖案化聚合物罩幕上之缺陷的方法包括：提供具有第一表面以及第二表面之透明聚合物基板，以及在所述透明聚合物基板之所述第一表面上之非透明圖案化層；偵測所述非透明圖案化層上之空隙缺陷；將第一雷射輕射至所述空隙缺陷，以曝光所述透明聚合物基板之所述第一表面；以及將第二雷射輻射至經曝光之所述第一表面，以形成用於截獲入射光之繞射結構。 35 丄 M5679 24420pifl 修正曰期:99年12月9日 ' 爲第96117灣中文專利範圍無劃線修正本 11. 如申請專利範圍第1〇項所述之修補圖案化聚合物罩f上之缺心的方法’其中使用波長在15〇 nm至400 nm 之㈣⑽崎紫外光雷射來執賴述第-雷射之輻射以及所述第二雷射之輻射。 12. 如申請專利範圍第1〇項所述之修補圖案化聚合物罩幕上之缺陷的方法，其中使用近場成像來執行所述第一雷射之輻射以及所述第二雷射之輻射，所述找成像使用鲁 i幕以形成入射於所述空隙缺陷上之射束點形狀。 13. 如申請專利範圍第1〇項所述之修補圖案化聚合物罩幕上之缺陷的方法，其中使用具有射束輪廓之遠場成像來執行所述第雷射之輻射以及第二雷射之輻射，所述射束輪廓具有高斯分佈中的TEM〇〇模式。 14. 如申請專利範圍第1〇項所述之修補圖案化聚合物罩幕上之缺陷的方法，其中所述繞射結構具有多個微型錐形物。 15. —種修補圖案化聚合物罩幕上之缺陷的方法，用於 =影製程，所述修補圖案化聚合物罩幕上之缺陷的方法包、提供具有第一表面以及第二表面之透明聚合物基板，以及在所述透明聚合物基板之所述第一表面上之非透明案化層；谓測所述非透明圖案化層上之空隙缺陷； ^將透明感光層塗覆至所述空隙缺陷，其中所述透明感光層包括至少一種感光粒子；以及 36 1345679 24420pifl 修正曰期:99年12月9日 * 爲第96117566號中文專利範圍無割線修正本將雷射輕射至所述透明感光層，以光化改變所述透明感光層之顏色。 16. 如申請專利範圍第15項所述之修補圖案化聚合物，幕上之缺陷的方法’其情述透明感光層包括在聚合物乳液中之一氧化欽粒子的混合物。 17. 如申請專利範圍第16項所述之修補圖案化聚合物罩幕上之缺陷的方法，其中所述二氧化鈦粒子具有丨至1,000 nm之平均大小。 18. 如申請專利範圍第15項所述之修補圖案化聚合物罩幕上之缺陷的方法，其中使用波長在15〇11111至4〇〇11111 之範圍内的脈衝紫外光雷射來執行所述雷射之輻射。 19. 如申請專利範圍第15項所述之修補圖案化聚合物罩幕上之缺陷的方法，其中使用近場成像來執行所述雷射之輻射，所述近場成像使用罩幕以形成入射於所述透明感光層上之射束點形狀。 20. 如申凊專利範圍第15項所述之修補圖案化聚合物罩幕亡之缺陷的方法，其中使用具有射束輪廓之遠場成像來執行所述雷射之輻射，所述射束輪廟具有高 TEM0Q模式。 / 21. 一種修補圓案化聚合物罩幕上之缺陷的方法，用於微影製程’所述修補圖案化聚合物罩幕上之缺陷的方法包括：、提供具有第一表面以及第二表面之透明聚合物基板，、在所迷透明聚合物基板之所述第一表面上之非透明圖 37 U45679 24420pifl 修正日期:99年12月9日爲第96丨1?566號中文專利範圍無劃線修正本案化層；偵測所述非透明圖案化層上之空隙缺陷；、將透明光反應層塗覆至所述空隙缺陷，其中所述透明光反應層包括至少一種光反應粒子；以及將雷射輻射至所述透明光反應層，以使所述透明光反應層與所述雷射起反應，進而產生碳化碎片。

22. 如申請專利範圍第21項所述之修補圖案化聚合物罩幕上之缺陷的方法，其中所述透明光反應層包括在聚合物乳液中之聚醯亞胺粒子的混合物。 23. 如申請專利範㈣21項所述之修補圖案化聚合物罩f上之缺陷的方法，其中使用波長在15〇11111至4〇()11111 之範圍内的脈衝紫外光雷射來執行所述雷射之輻射。 24. 如申請專利範圍第21項所述之修補圖案化聚合物罩幕上之缺陷的方法，其中使用近場成像來執行所述雷射之輻射，所述近場成像使用罩幕以形成入射於所述透明光反應層上之射束點形狀。

25. 如申請專利範圍第21項所述之修補圖案化聚合物罩幕上之缺陷的方法，其中使用具有射束輪廓之遠場成像來執行所述雷射之輻射，所述射束輪廓具有高斯分佈中的 TEM〇〇模式。 26. —種修補圖案化聚合物罩幕上之缺陷的方法，用於微影製程，所述修補圖案化聚合物罩幕上之缺陷的方法包括：提供具有第一表面以及第二表面之透明聚合物基板， 38 1345679 24420pifl ’ 爲第96117566號中文糊範圍細線修正本修正日期:99年12月9日以及在所述透明聚合物基板之所述第一表面上之非透明圖案化層；偵測所述非透明圖案化層上之空隙缺陷；將非透明墨水塗覆至所述空隙缺陷，以防止紫外光光之透射；以及將雷射輻射至所述非透明墨水，以修整超出所述透明

聚合物基板之所述第一表面上之圖案化區域以外的所述非透明墨水的溢出。 27. 如申凊專利範圍第26項所述之修補圖案化聚合物罩幕上之缺陷的方法，其中使用喷嘴來執行塗覆所述明墨水。 28. 如申請專利範圍第27項所述之修補圖案化聚合物罩幕上之缺陷的方法，其中所述噴嘴包括用於將所述非透明墨水之小液滴傳送至所述空隙缺陷之噴墨噴嘴濾筒。 29. 如申請專利範圍第27項所述之修補圖案=聚合物罩幕上之細的方法’其巾贿喷嘴包括祕經過相鄰於所，空隙缺陷之針管傳送所述非透明墨水之點的針型點標 έ 己。 I暮3上0咖第％賴述之修_案化聚合物罩幕上之缺的方法，其中所述非透明墨水包括乳液中之至少一著色劑的混合物。〇二如:5利範圍第26項所述之修補圖案化聚合物罩幕上之缺陷的方法，其+所述非透明墨水包括化墨水’所述紫外光固化墨水在所述雷射之細之前藉由 39 修正日期:99年12月9曰 24420pifl 爲第96117566號中曝光於包括紫外光燈以及脈衝紫外光雷射之紫外光來固化。 32. 如申睛專利範圍第26項所述之修補圖案化聚合物罩幕上之缺陷的方法，其中使用波長在150 nm 至 400 nm 之範圍_脈衝紫外光雷射來執行所述雷射之輕射。 33. 如申請專利範圍第26項所述之修補圖案化聚合物罩幕上之缺陷的方法’其中使用近場成像來執行所述雷射之輻射’所述近場成像使用罩幕以形成人射於溢出之所述非透明墨水上之射束點形狀。 34. 如申請專利範圍帛％項所述之修補随化聚合物罩幕^之缺陷的方法，其中使用具有射束輪廓之遠場成像來執行所述雷射之輻射，所述射束輪廓具有高斯分佈中的 TEMqo模式。 / >35.一種修補圖案化聚合物罩幕上之缺陷的方法，用於微影製程，所述修補圖案化聚合物罩幕上之缺陷的方法包括：提供具有第一表面以及第二表面之透明聚合物基板，以及在所述透明聚合物基板之所述第一表面上之非透明圖案化層；偵測所述非透明圖案化層上之空隙缺陷；將紫外光固化墨水塗覆至所述空隙缺陷；將局部化紫外光雷射輻射至所述紫外光固化墨水，以將所述紫外光固化墨水之受輻射部分改變成不溶性狀態； 24420pifl 爲第96117566號卿__正本修酬辦12月9日移除所述紫外光固化墨水之未受輕射部分。 36.如f請專利範圍第％項所罩幕上之缺陷的方法，甘茱化t合物光固化墨水。，、巾使时嘴來執行塗覆所述紫外罩幕第％賴収修_ 聚合物其+所述喷嘴包括將所述紫外筒。·水之小液滴傳送至所述空隙缺陷之喷墨喷嘴濾 !簋J8如Γ請專利範圍第36項所述之修補圖案化聚合物送所述i外其中所ί喷嘴包括用於經過針管傳墨水之點以與所述空隙缺陷接觸之針型 •點係S己器。 39. 如申料鄕圍第35摘述之修姻案化聚合物 ^之缺陷的方法，其中使用波長在15〇腿至腿内的脈衝紫外光雷射來執行所述局部化紫外光雷射之賴射。 40, 如中請專利範圍第％項所述之修補圖案化聚合物化= = =’其中使用近場成像來執行所述局部斤^尤寄射之輻射，所述近場成像使用罩幕以形成入射 ;所述紫外光IU化墨水上之射束點形狀。覃41.如申凊專利範圍第35項所述之修補圖案化聚合物來^之缺_方法，其中使用具有射束㈣之遠場成像古仃所述局部化紫外光雷射之輻射，所述射束輪廓具有 -斯分佈中的TEM〇〇模式。 1345679 '2442〇pifl 爲第96117566號中文專利範圍無割線修正本修正日期:99年12月9日 42· —種修補圖案化聚合物罩幕上之缺陷的方法，用於微影製程，所述修補圖案化聚合物罩幕上之缺陷的方法包括：提供具有第一表面以及第二表面之透明聚合物基板，以及在所述透明聚合物基板之第一表面上之非透明圖案化層； ~ 提供具有第一表面以及第二表面之透明塗覆層，以及

形成於所述透明塗覆層之第二表面上之墨水層，其中所述墨水層允許在所述透明塗覆層與所述墨水層之間形成界面；偵測所述非透明圖案化層上之空隙缺陷；用所述透明聚合物基板之所述非透明圖案化層重疊所述透明塗覆廣’以將所述墨水層與所述空隙缺陷接觸；將所匕f射輻射至所述透明塗覆層之第-表面，以將所边墨水層與所述透明 ====射穿過所述透鐵= 中。Ί &層自所述透明塗覆層轉錄至所述空隙缺陷 43.如申請專利簕囹罩幕上之缺_方法^ 42項所述之修翻案化聚合物中之至少-著色_混=所述墨水層包括在聚合物乳液 44_如申請專利範圍罩幕上之缺陷㈣法\第42項所述之修補圖案化聚合物 ’其中所述墨水層包括有色光阻。 42 1345679 24420pifl 修正日期:99年12月9日爲第 96117566 號中文__#_^1£：$： 45. 如申請專利範圍第42項所述之修補圖案化聚合物罩幕上之缺陷的方法，其中使用波長在150 nm 至 400 nm 之範圍内的脈衝紫外光雷射來執行所述局部化雷射之輻射。 46. 如申請專利範圍第42項所述之修補圖案化聚合物罩幕上之缺陷的方法，其中使用近場成像來執行所述局部化雷射之轄射’所述近場成像使用罩幕以形成入射於所述界面上之射束點形狀。 47. 如申請專利範圍第4.2項所述之修補圖案化聚合物罩幕士之缺陷的方法，其中使用具有射束輪廓之遠場成像來執行所述局部化雷射之H射，所述射束輪廓具有高斯分佈中的TEM00模式。 43