TWI345135B - Method of fabricating a mold - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 61
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 3
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 206010036790 Productive cough Diseases 0.000 claims 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 1
- RPQRDASANLAFCM-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC1CO1 RPQRDASANLAFCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 210000003802 sputum Anatomy 0.000 claims 1
- 208000024794 sputum Diseases 0.000 claims 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N Butylmethacrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)=C SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 2-benzyl-2-(dimethylamino)-1-(4-morpholin-4-ylphenyl)butan-1-one Chemical compound C=1C=C(N2CCOCC2)C=CC=1C(=O)C(CC)(N(C)C)CC1=CC=CC=C1 UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000006040 Prunus persica var persica Nutrition 0.000 description 1
- 240000006413 Prunus persica var. persica Species 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/38—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
- B29C33/3842—Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/38—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
- B29C33/3842—Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining
- B29C33/3857—Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining by making impressions of one or more parts of models, e.g. shaped articles and including possible subsequent assembly of the parts
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/38—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
- B29C33/40—Plastics, e.g. foam or rubber
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0017—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor for the production of embossing, cutting or similar devices; for the production of casting means
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2012—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image using liquid photohardening compositions, e.g. for the production of reliefs such as flexographic plates or stamps
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1345135 九、發明說明·· 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種製造模具之方法,此模具應用於製造一半 導體積體電路及一平面顯示器中。 【先前技術】 一般積體電路及平面顯示器具有由複數個薄膜形成之複數個 電路,其中此複數個薄膜係由半導體材料所製成;一絕緣材料; V電材料以及一濾光yf材料。此複數個薄膜中的某些係在一基 板上進行圖案化。一種使用爛遮罩(即,光阻圖案)之圖案化 製程提供了此圖案化之_。透過將光崎料賴於待侧薄膜 上以形成-光阻_ ’接著曝光此細材料以及對此光阻材料進 行顯影程序。 所述曝光製程s要曝光光罩及曝光設備以選擇性地曝光此光 阻材料。因而,需魏行i外之處释驟(即,配置此曝光光 罩)。因此’包含有此絲製程之先阻材料的圖案化製程,具有複 雜之處理次序。因此,半導體積體電路晶片及平涵示器之產^ 將被大打折扣。此外,隨著所錢案要求更大的精確度及更少的 圖案面積’因而相對增加曝絲罩及曝光設備之價格。因此,、包 含有曝光製程之圖案化製程,增加了半導體積體電路晶片及平面 顯不器之製造成本。 為了解決上述問題,於是業界提出—種無曝光製程之平面印 1345135 刷如iane _lng ; !PP)方法。平面印刷方法透過將期望之圖 案轉印至圖案目標薄膜而形成圖案化薄膜。此外,面内印刷方法 能透過朗—模具職望之_轉印至_級材料而形成—光阻 圖案。此模具包含一壓印有精細圖案之彈性材料。 ^ 1Λ ® , ^ 1β 備之杈具之不意圖。請參閱「第1A圖」,— =—主基板11上’其中此嫩11上W圖孝3 ^如1板11係岭或賴所形成且第―圖案η係由A機材 -氧切、氮切及金屬其巾之_ 例如光阻及蝶其中之—所形成。 ♦次由有機材料 :基板η上之樹脂層15係透過加熱而固 熱固化之聚二甲基梦姐之分子鏈將被釋放 接•咖層15表面。如此將使樹脂層 二基, 恆定值。換句話的,樹㈣15呈有—心之表__持於-親油性)。 州曰層15具有.不變之表面特性(即, 如第1B圖」所示,熱固性之樹脂層 4 ‘分離之_旨層15在其底面具有_凹陷19,,、主基㈣相分 13之形狀所形成。相應地,具有鳴之二^ 模具17以圖案化—圖案目標薄膜或-光阻〇層15用以作為一 然而,視圖案目標薄膜之材料、製程條件以及期望圖案之需· 同表面能量之模具。為了滿足平面
、平面印刷方法需要具有不 印刷方法之不同需求,使用一 相應地,本發明係有關—種製造模具之方法,其能充分克服 由於先前技術之侷限及缺點所帶來之一或多個問題。 本發明-方面在於提供—種製造模具之方法,透過改變模具 之表面此量以獲得具有期望表面特性之模具。 本發明之另一目的在於提供一 模具之變形。 種製造核具之方法,其能防止 本發明其他的伽、目的和特徵將在如獨說明書中部分地 加以闡述,或者可以從本發明的實踐中得出。本發明的目的和其 他優點可以透過本發明所記載的說明書和申請專利範圍中特別指 明的結構並結合圖式部份,得以實現和獲得。 為了獲得本發明的這些目的和其他特徵,現對本發明作具體 化和概括性的描述,本發明之一種製造模具之方法包含有以下+ 驟··形成一光可聚合樹脂層於一主基板與一透明模具基板之間, 1345135 其中一第一圖案形成於此主基板上;藉由穿過透明模具基板之紫 外線曝光此光可聚合樹脂層以使其固化;以及透過將此光可聚合 樹脂層自主基板上分離以形成一具有第二圖案之模具,其中第二 圖案以凹陷形式存在於此光可聚合樹腊層上而與第一圖案相應, 且此光可聚合樹腊層係與透明模具基板相接合。 可以理解的是,如上所述的本發明之概括說明和隨後所述的 本發明之詳細說明均是具有代表性和解釋性的說明,並且是為了 進一步揭示本發明之申請專利範圍。 【實施方式】 以下’將結合圖式部齡体發明的較佳實施方式作詳細說明。 第2A圖至第%圖係為本發明一實施例之模具製造方法之橫 截面圖。如「第2A圖」所示,一光可聚合樹脂層25形成於形成 有一第-圖案23的主基板21之上。一模具基板27形成於光可聚 °樹^層2)之上。在本實施例中,柄聚合樹脂層25係透過在 •^有第圖术23之主基板21上塗覆一液態之光可聚合樹脂而形 成,然後’再將模具基板27黏附於光可聚合樹脂層25上。或者, 先將光可聚合樹脂層25形成於模具基板27上,其後,再將具有 弟一圖案23之主基板21黏附於光可聚合樹脂層25上。 主基板21可由石夕或玻璃材料形成且第-圖案23由-齡機 物形成’舉例而言’由二氧切、氮切以及金屬其中之一所形 成。模具基板27可由-種透明材料所形成,例如玻璃。光可聚^ 1345135 '十月曰層25包含一液化咼分子前驅物材料(即,聚胺酯丙婦酸酯、 丙烯酸%氧丙酯以及甲基丙烯酸丁酯其中之一)。此外,例如 irgaCure 369或irgacure 819之光起始劑可包含於液化高分子前驅 物材料之中。另一種形式下,光可聚合樹脂層25可包含一有機溶 W在此溶劑中光可聚合液化高分子前驅物材料能被稀釋。 如「第2B圖」所示,光可聚合樹脂層25藉由穿過透明的模 具基板27之紫外線而曝光。此紫外線係以3之光線 強度照射光可聚合_層25騎5至15秒。財外線照射光可 聚:樹月曰層25的較佳時間約為1〇秒鐘。紫外線之照射允許光可 聚合樹脂層25巾之光可料高分子前驅物透過改賴分子前驅物 或反應部份之射㈣發生㈣或·。可透過調節料線之光線 強度及照射日摘崎魏可聚合樹歸Μ之表面能倾。進一步 而。於光可聚合翻旨層25中之缺始财助於材聚合液 化高分_在斜線作訂精和緩的反應。 如「第2C圖」所示,透過紫外線固化之光可聚合樹脂層25 係與主基板21相分離。但光可聚合樹脂層%仍黏附於模具基板 27上㈣Μ形式存在之第二圖制配設於光可聚合樹脂層 表上光可聚合樹脂層25能被穿過模具基板27之紫外 線曝光且物第二次岐。透過此第二固化棘,光可聚合樹脂 層25之内部將如同表面—樣被固化。 在此第一固化過程中,係以光線強度3至2〇mW/咖2之紫外 1345135 - > 線照射光可聚合樹脂層25持續20秒至30分鐘。較佳情況下係以 光線強度大約3或n mWW之料賴们或1G分鐘。透過改 變光可聚合樹脂層25内部之交聯程度、反應部份或分子排列,第 -紫外線允許光可聚合樹脂層Μ具有不同之表面能量。此外,包 含於光可聚合_層25巾之光起始财祕光可聚合液化高分子 前驅物材料在紫外線作用下進行和緩的反應。
、被紫外線固化之光可聚合樹脂層25在-平面印刷方法中係用 二作為-模具29。由於光可聚合樹脂層25被紫外軸化兩次,使 得光可聚合樹騎25之内部及外部表面被完全細㈣(或 作用部)得以轉。因而,可防止模具四產生變形。黏附於模具 基板27上之光可聚合樹脂層25允許__無需透過曝光過程. 成同L光阻圖案亦無需經由曝光過程而可 之薄膜圖案係用於製 ^ 錢桃裝置,而此光關案_作-钱刻 核具29之表面能量會根據第一及第二照射條件而改變。因 爾崎魏峨㈣娜。實際上, =?表面能量較大時’模具29具有-親水表面特性。另 特性^模具29之表面能量較小時,模具29具有—親油表面 ,。蚀具29形成之後則不再需要額外之紫外線則p 表—下列「表―」係表示由實驗所獲得之模具29的表面能量。
丄J J 丄J J 固化條件
第一照射條件 ------ 光線強度 (mW/cm2) 士在本貝把例中’係利用不同之紫外線強度及照射時間作斥 樹月曰層25 H、射條件下之―種情況係為紫外線強度大^ 功WW且照射時間大約為1Q秒。第—照射條件下之另一御 係為紫外線強度大約為llmwW且照射時間大約為丨〇秒 T射條件下之—種情崎鱗外_度大約為3 mWem2且的 ^大約為!或5分鐘。第二照射條件下之另—種情況係為紫 相度大約為11 mW/em2且照射時間大約為}或$分鐘。 在第-種情況下,僅執行強度為3 mww之第一照射⑺ 丄345135 鐘(即’沒有第二照射)’其結果為分佈D = 41 〇、極性、 總值T=5G.3以及D/P比率%。在第二種情況下,執行強度為 之第一照射10秒鐘且執行強度為3mwcm2之第二照射 60秒鐘,其結杲為分佈D==314、極性9、總值乂
及D/P比率=4.5。在第三種情况下,執行強度為3續咖2之第 一照射㈣鐘且執行強度為3爾cm2之第二照射秒鐘,且 結果為分佈D=26.4、極性一 ' 總值Tf比率I H 二騎叫鐘,其絲為分佈^ t月況下,執行強度為3mW/ 2 ^
一 2之第二照射3〇。秒鐘=:=_行強度為 = 5.0、總值T=2S.1K及D/p比率〜6。'.刀$ =23.卜極性P 由表」可見,當不執行第二昭 最大。而在執行同—第-照射之條打矣八29之表面能量 照射中紫外線之強度及/或照辦、面能量輯著在第二 定相同之第1射條叙在第_射絲。此外,在給 情況下,模具29之表面能量將外t有相同照射時間的 3 mw/cm^ 5 ^ 果,模具29之表喊量的分仙、極之弟―照射條件下的結 皆相對減少。舉例+ ^ 總值T以及D/P比率 田僅執订強度為11讀/cm2之第-照射
c S 12 1345135 10 1½%,其結果為分佈D = 394、極性2、總值Τ=47 6 以及D/P比率二4 8。換句話而言,當執行強度為iimw/cm2之第 …、射1〇私鐘或執行強度為3或11 mW/cm2之第二照射1或5 分鐘時’其分佈D、極性P、總值以及D/p比率之值皆低於執行強 度為3 mw/cm2之第一照射1〇秒鐘及執行強度為3或u mW/cm2 之第一照射1或5分鐘的情況下之結果。 如上所述根據第一及第二照射條件,模具Μ之表面能量可 /、有23至50之不同數值。通常,如果模具29的表面能量較大, ,模具29具有一親水表面特性。相反地,如果模具29的表面能 里車乂小’職具29具有—親油表面雜。因而,如果在給定同樣 之第-照射條件下’第二紫外線之強度較小且第二照射時間縮 短,則使模具29具有親水性。另—方面,當第二紫外線之強度較 ^且第二照射時間較長時,則使模具29具有親油性。此外,在給 定同樣之第二照射條件下,如果在第一照射中之紫外線強度較 小’則使模具29具有親水性;如果在第—照射中之紫外線強度較 大,則使模具29具有親油性。 如上所述,樹脂層係透過在形成有第_圖案之主基板上塗覆 具有先可聚合特性之樹脂而形成。此樹脂層係_於_透明_ 具基板上,錢’樹脂層之表面透過第—紫外線之照射而得以固 匕。換具則係透過將固化之樹脂層自主基板上分離而形成,此主 基板具有黏附於模具基板上之樹脂層。 13 < S ) 1345135 在本發明之實施例中,可額外照射一紫外線至經第一照射之 知十月曰層上。此樹脂層之内部能透過兩次的紫外線照射而得以固 化。因此,模具形狀之變形能得以防止。進一步而言,由於透過 改又第一及第二照射條件,模具之表面能量能得以調節,因而模 具之表面特性可被輕易地選擇。
本領域之技術人員應當意識到本發明之製造模具之方法在不 脫離本&明之精神和範圍的情況下,所作之更動與潤飾,均屬本 發明之專利保護範圍之内。因此本發明之專利保護範圍須視本說 明書所附之申請專利範騎界定者為準。 【圖式簡單說明】 第1A圖至第iB圖 圖;以及 係為先前技術之製造模具之方法之橫截面
主基板 第一圖案 樹脂層 光可聚合樹脂層 模具 【主要元件符號說明】 11 >21 13 '23 15 25 17、29 14 1345135 19、31 27 凹陷 模具基板
15
Claims (1)
1345135
十、申請專利範圍·· 1. 一種製造模具之方法,其包含有以下步驟·· 形成一光可聚合樹脂層於一主基板與一透明模具基板之 間’其中一第一圖案形成於該主基板上; 藉由穿透該透明模具基板之一第一紫外線照射該光可聚 合樹脂層以使其第一次固化; 藉由自該主基板上分離該固化之光可聚合樹脂層以形成 一第二圖案,其中該第二圖案係以凹陷形式存在於該光可聚合 樹脂層上而與該第一圖案相應,且該光可聚合樹脂層係與該透 明模具基板相接合;以及 藉由一第二紫外線直接照射該固化之光可聚合樹脂層以 使其第一次固化,藉以使該光可聚合樹脂層之内部完全固化, 由此獲得一模具, 其中該光可聚合樹脂層之表面能量係透過調整該第一固 化步驟及辦二固化步财之該料_強度與照射時間至 少其中之一而改變。 2. 如申請專利範圍帛1項所述之方法,其中該光可聚合樹脂層具 有一光可聚合液化高分子前驅物。 3. 如申請專利範圍第1項所述之方法’其中於該第一固化步驟中 更包含: 以強度大約為2至20 mW/em2之該料線照射該光可聚合 16 99年12月3日替換頁- 樹脂層大約5至15秒鐘。 如申晴專利範圍第3項所述之方法,其中於該第一固化步驟中 更包含: 以強度大約為3 mW/cm2之該紫外線照射該光可聚合樹脂 層大約10秒鐘。 如申睛專利範圍第3項所述之方法,其中於該第一固化步驟中 更包含: 以強度大約為11 mW/cm2之該紫外線照射該光可聚合樹隹 脂層大約10秒鐘。 如申請專利範圍第2項所述之方法,其中該光可聚合樹脂層包 含聚胺醋丙烯酸酯(p〇lyUrethane acrylate)、丙烯酸環氧丙酯 (glycidyl acrylate)以及曱基丙烯酸丁酉旨(butyi methacrylate)其中 之一。 如申請專利範圍第6項所述之方法,其中該光可聚合樹脂層更 包含一光起始劑。 _ 如申請專利範圍第2項所述之方法,其中於形成該光可聚合樹 脂屬之步驟更包含: 塗覆一樹脂於該主基板上且將塗覆有該樹脂之該主基板 黏附於該透明模具基板上。 如申請專利範圍第2項所述之方法,其中於形成該光可聚合樹 脂層之步驟更包含:
99年12月3日替換頁 透明於該翻模具基板上且將塗財該樹脂之該 透明拉具基板_於該主基板上。 其中該主基板包含石夕及玻 1〇’如申請專利_第2項所述之方法, 璃其中之一。 u.==r範圍第丨項所述之方法,其中該第-圖案包含下歹 她、之·—乳化石夕'氮化石夕與金屬之無機材料以及光13 與蠟之有機材料。 12. ^申睛專利範圍第丨項所述之方法,其中在該第二固化步驟中 a射至該光可聚合樹脂層之蹄外、_射咖較該第一固化 步驟中之該紫外線照射時間為長。 13. 如申”請專利範圍第12項所述之方法,其中在該第二固化步驟 中知射至該光可聚合樹脂層之該紫外線照射時間大約係為該 第一固化步驟中之該紫外線照射時間的6至3〇倍。 14. 如申請專利範圍第13項所述之方法,其中在該第—及第二固 化步驟中照射至該光可聚合樹脂層之該紫外線具有相同之紫 外線強度。 15·如申請專利範圍第14項所述之方法,其中該紫外線強度係為 大約3 mW/cm2及大約11 mW/cm2其中之一。 16.如申請專利範圍第14項所述之方法,其中在該第一固化步驟 中照射至該光可聚合樹脂層之該紫外線強度大約3 mW/cm2, 並且在該第二固化步驟中照射至該光可聚合樹脂層之該紫外 1345135 99年12月3日替換頁- 線強度大約11 mW/cm2。 17.如申請專利範圍第14項所述之方法,其中在該第一固化步驟 中照射至該光可聚合樹脂層之該紫外線強度大約11 mW/cm2,並且在該第二固化步驟中照射至該光可聚合樹脂層 之該紫外線強度大約3 mW/cm2。
19
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060061020A KR101284943B1 (ko) | 2006-06-30 | 2006-06-30 | 몰드의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200801806A TW200801806A (en) | 2008-01-01 |
| TWI345135B true TWI345135B (en) | 2011-07-11 |
Family
ID=37671726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW095150087A TWI345135B (en) | 2006-06-30 | 2006-12-29 | Method of fabricating a mold |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8480936B2 (zh) |
| JP (1) | JP4625445B2 (zh) |
| KR (1) | KR101284943B1 (zh) |
| CN (1) | CN101097399B (zh) |
| GB (1) | GB2439600B (zh) |
| TW (1) | TWI345135B (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL2005263A (en) * | 2009-09-29 | 2011-03-30 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography. |
| US8651849B2 (en) * | 2011-01-10 | 2014-02-18 | Xerox Corporation | Digitally prepared stamp masters and methods of making the same |
| JP5754965B2 (ja) * | 2011-02-07 | 2015-07-29 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、および、物品の製造方法 |
| CN104345966A (zh) * | 2014-05-31 | 2015-02-11 | 深圳市骏达光电股份有限公司 | 一种触摸屏用感应组件及其制作方法 |
| CN105856888B (zh) | 2016-04-01 | 2018-11-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种转印方法和重复转印方法 |
| KR102233625B1 (ko) * | 2016-08-23 | 2021-03-31 | 캐논 가부시끼가이샤 | 3차원 조형 장치 및 3차원 조형물의 제조 방법 |
| KR101941640B1 (ko) * | 2017-11-30 | 2019-01-24 | 서강대학교산학협력단 | 고분자 공진 구조물 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (70)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100568581B1 (ko) * | 2003-04-14 | 2006-04-07 | 주식회사 미뉴타텍 | 미세패턴 형성 몰드용 조성물 및 이로부터 제작된 몰드 |
| KR100483848B1 (ko) * | 2003-05-29 | 2005-04-15 | 삼성전자주식회사 | 평형 임피던스 소자의 편차 보상회로 및 이를 이용한주파수 혼합회로 |
| EP1660240A2 (en) * | 2003-08-19 | 2006-05-31 | Nanoopto Corporation | Sub-micron-scale patterning method and system |
| JP4268910B2 (ja) * | 2003-09-17 | 2009-05-27 | 大日本印刷株式会社 | 微細凹凸パターンの形成方法 |
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| JP2006026973A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Keiwa Inc | 耐熱性基板及びこれを用いた光学シート |
-
2006
- 2006-06-30 KR KR1020060061020A patent/KR101284943B1/ko active Active
- 2006-12-01 GB GB0624072A patent/GB2439600B/en active Active
- 2006-12-05 CN CN2006101618789A patent/CN101097399B/zh active Active
- 2006-12-22 JP JP2006346785A patent/JP4625445B2/ja active Active
- 2006-12-26 US US11/645,034 patent/US8480936B2/en active Active
- 2006-12-29 TW TW095150087A patent/TWI345135B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2008015462A (ja) | 2008-01-24 |
| TW200801806A (en) | 2008-01-01 |
| GB2439600B (en) | 2008-06-04 |
| JP4625445B2 (ja) | 2011-02-02 |
| US8480936B2 (en) | 2013-07-09 |
| US20080001332A1 (en) | 2008-01-03 |
| KR101284943B1 (ko) | 2013-07-10 |
| GB2439600A (en) | 2008-01-02 |
| CN101097399A (zh) | 2008-01-02 |
| KR20080002288A (ko) | 2008-01-04 |
| GB0624072D0 (en) | 2007-01-10 |
| CN101097399B (zh) | 2012-01-04 |
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