TWI343615B - Measurement method of substrate, program, computer readable recording medium recorded with program, and measurement system of substrate - Google Patents

Description

1343615 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 記錄有程式之電腦吁 本發明係關於基板之測定方法、程式 讀取的記錄媒體，與基板之測定系統。 【先前技術】 體設備之製造的光蝴製程中，依序進行以下之 且塗佈製程，在例如晶圓上塗佈光_，且形成 $之九、烤處理），曝光後，使光阻咖之化學反敏進；剌制 ，’ ^所曝光之光阻賴影。完成上述複數製程，晶 理系統中，將例如上 曰曰圓面内之處理傾向，必須在晶圓處理後測J ^ : ΐ 理測定係例如於塗佈顯影處理系、ί 例如===搭;丄且該測定藉ί 之複^阳㈣處理狀態而進行(請參照專利文晶圓面 L專利文獻2】日本專利特開2〇G3_2_93號公報 【發明内容】 發一明所欲解決之譯顳 出-，用成品晶圓而直接測定處^狀態“此’業者研發 但疋，成品晶圓於塗佈顯影處理系統中，係每批次複數片地 5 I343615 對；片列如1片成品晶圓完成最後的製程後， =4片成扣日日0之多數點進行測定時，由於在其測定上花費時更 =此械後面的成品晶圓等待處理之情況。其結果，導致所 、·只運送的成品晶圓運送不順’而降低晶圓處理之生產量。 本發明係有於此種情況而構成，其目的為：於不致使生 降低的情況下，進行連續運送之成品晶圓的測定。 夏 解決讓顳之丰鉛 為達j上述目的，本發明提出—縣板之測定方法，用 理狀態；該處理狀態係將複數之基板連續地運送，且 對各《板進行纽，並完成其處理、^ •ίίίΐ i所分割之各動技點，每各該啦點即採 g冋基板而進行測定；再將各該基板之測定點的測定結果加^ ，本發明’由於將基板面内之複數取點分割，且對八 ^ΐΐΓ定點，每各該測定點即採用不同基板而進行測定，i )時間。其結果’於將複數之基板連續運送而處理時，可防止、j 片基板由於前基板進行測定而料處理 定從而’可使基板處理的生產量不致降^ = 依據。又， 連續jnii:之特定製程的處理裝置有複數台；當上述 f、二運^減基板被分配壯述各處理裝—！時，可採用 :列[ΐίϊ=ί:里之複數基板’對所分割之各該測定點進行 測疋並將该複數基板之測定點的測定結果加以合成。 於上述處理内，包含熱處理製程，其將基板&置於熱處理板 6 上，進行熱處理。該熱處理板劃分成複數之區域，且各該區域可 ，行溫度设定。又，可將該基板面内之複數測定點對應於上述埶 處理板之劃分圖案而分割。 …、 易§之，於該處理内，包含將基板載置於熱處理板上而進行 ，處理的熱處理製程；且該熱處_劃分成複數之區域，各該區 V可進打溫度設定。又，進行上述基板之處理狀態的測定，係用 j調整該熱處理板之各區_設定溫度；且依據縣板面内之複 =定點_定結果，可計#出該熱處理板之各輯之設定溫度 的修正值。 招一觀點所形成之本發明，提供一種程式，用以使電腦實 現上述基板之測定方法。 鉢拔η另2點所形成之本發明，提供—種電腦可讀取的記 錄媒體’其_者用以使電腦實現上述基板之測定方法的程式。 =另-，點所形成之本發明，係—種基板之浙系統，用以 理狀態；該處理狀態係將複數之基板連續地運送， 統的特ϋ板t處理，並完成其處理的狀態。此基板之測定系 =的特㈣·具有—浙部，測定基板㈣之概測定 ^理狀態；與-控制部，於藉由 進$ 嫩測定點分割好，=== 上述定點’可設有於基板間共通的測定點。又， 依據料通測定點之败結果，而修正基板間的測 連續ϊϊϊίϊίΓΐ之特定製程的處理農置有複數台；當上述 ======彻編咖，可採用 測定，並二 數基板，對所分割之各該測定點進行 於2;:;基測定結果加以合成。 ，、、、處理製程，其將基板載置於熱處理板 1343615 上而進行熱處理。而該熱處理板劃分成複數之區域，且各該區域 可進行溫度設定。又，可使該基板面内之複數測定點對應於上述 熱處理板之劃分圖案而分割。 易言之，於該處理内，包含將基板載置於熱處理板上而進行 ί處理的熱處理製裎；且健處理㈣分成複數之區域，各該區 域J進，溫度設定又，進行上述基板之處理狀態_定，係用 ^整雜處理板之各區域的奴溫度；且上述控制部可依據該 土内之複數晰點的測定結果，計算出該熱處理板之各區域 之设定溫度的修正值。 發明之效果 依本發明，可使生產量不致降低，而進行成品基板的測定。 【實施方式】 复施發明之最#裉能 柿么’說明本發明之触實施形態。圖1細示麵顯影處 定，其進行依本實施形態之基板的測 處理系統^後視ί 糸統1的前視圖；圖3係塗佈顯影 如圖1所示，塗佈顯影處理系統1具 的結構:晶盒站2，以例如25片之晶、圓有w。日2體1妾， ίΐϊ晶^從外部對塗佈顯影處理系統1送人送^，心將曰 的處理單元，用以在紐刻製程中置有魏而多種類 處理；介面站4，用以與接鄰^處理^曰曰固W 一片片地進行既定 置間，傳遞晶圓W。 3而㈣的未11示之曝光裝 日日.圓匡盒站2设有晶圓！盒> 5中，將複數之晶_盒(；沿r方载向h 晶隨盒載置台 置成-列。於晶盒站2設有晶圓ί送:7，/方向 移動於運送麟6上。該晶岐雜W著Hi c方= 8 1343615 、納之晶圓W的晶圓排列方向Γ7.丧古+丄、 能選擇性γ 方向，垂直方向）’而自由移動；且 接觸 向所排列之各晶_盒C内的晶圓W進行 處理軸之Θ方向轉動，且可對屬於後述 進行置群G3的調溫裝置6G或傳送裝置61， 群的處理站3中’包含例如5個處理裝置 二1 G5，此尊稷數之處理裝置呈多段配置 ： 向的反向（圖1中的下方）側，從晶 ^站3，X方 有第1處理裝置和、第2處理f ；:占=為始，依序配置 第3處理裝置群G3、第4處理裝 j為，依序配置有 3=裝Γ G3、第4處理裝置群G4二二St 運送裝置10。該第1運送裝詈】n 百]»又有第1 處理裝置群G3及第4處理裝置群G4内的，=置群G卜第3 進行接觸，而運送晶圓W。又，在第、^1里裂置’選擇性地 二者間，設有第2運送褒置、第5處理 對第2處理裝置群G2、第4處理裝 j U綠置i 1可 内的各處雜置，騎⑽柿接 ^ 5處理裝置群G5 如圖2所示，於第i處理裝置群〇1而中運，曰;0 W。 上呈5段重疊：光阻塗佈裝置2〇、Μ 下裝置依序由下而 圓W而進行處理的液體處理，、“，將既定液體供應至晶 佈裝置23、24，形成反射防止膜，^塗佈到晶圓W;底部塗 的反射。於第2處理裝置群兕中，顯旦，老+光處理時所產生之光 下而上呈5段重#，該等裝置係液體處^理30〜34依序由 應至晶圓W ’以進行顯影處理。此，置’例如將顯影劑供 2處理裝轉G2的最下段分顺有化=财置群G1及第 種處理劑供應到各處理裝置群G卜G2^q1工室4Q、41，用以將各 如圖3所示，於第3處理装置群=液體處理裝置。 以下裝置依序由下而 9 1343615 理後之晶圓w:熱處^ ;與後二、yjf 71;74將:字光阻塗佈處 晶圓W加熱處理。，、似、烤裝置75〜79，將顯影處理後之 ，第5處理裝置群G5中’以下裝置依序由下而上 噓.向精度調溫裝置80〜83，係複數之埶;^理租罢又重 仃，處理；複數之曝光後之烘烤處理裝置（町&「_」^圓置= 〜89，對曝光後且顯影前的晶圓⑺進行加熱處理。 、 …如圖1所示，於第1運送裝置10之X方向的正向伽，阶罢古 iiitTii置由下且如圖3所示，用以將晶圓Μ水化處理的附 ? in 依序呈2段重疊。又，如圖1所示，於第 用以H置11之X方向的正向側’例如配置有邊緣曝光裝置92， 用以僅將晶圓w之邊緣部加以選擇性地曝光。 如圖1所示，於介面站4設有晶圓運送體1〇1，豆 伸的運送路線⑽上；與緩衝晶随金1G2。晶圓運i ίϋί 移動，亦可沿0方向轉動；並且，可對接鄰於該 二面站4而設置的未圖示之曝光裝置、緩衝晶圓 乂篦 處理裂置群G5進行接觸，以運送晶圓W。 皿⑽及第5 例如，於晶圓匣盒站2設有線寬測定裝置110，作A用w ^々 上之光阻圖案之線寬的測定部。線寬败裝置 :如圖4所*，將晶圓w水平載置；與光學式表面形狀測 121。載置台120係如χ_γ台，且可進行水平方向之？文元 『向的移動。而光學式表面形狀測定儀12丨則包含例如光照射邛 ^從斜向對晶圓W照射出光；光檢測部123，將從光照射部1°22 W所反射的光，加以檢測出；計算部124，依據該光 才双測。卩123之受光資訊，以計算出晶圓W上之光阻圖案的尺寸。 1343615 依本實施形態之線寬測定裝置110，係使用例如散射量測 (Scatteronietir)法而測定光阻圖案的線寬d於計算部124 光檢測部123制出之晶圓面内的絲度分布與 光強度分布二者’加以對照：且計算出對應於該對^ 強度分布的光阻圖案的線寬，而藉此可測定光阻圖荦 了 又，於線寬測定裝置110 t，使晶圓w對著光照射部122及 ，檢測部123 ’相對地水平移動；藉此，可測定晶圓面内之 =即如^所示之複制定點㈣線寬物収裝置則 測疋結果，可例如從計算部124輸㈣魏之控卿13〇。

述結構之塗侧影處理纽1所進行之晶圓處理，係 藉由如圖1所不的控制部13〇所控制。而控制 圓W之線寬測定。X，控制部13〇由例如包含中央處二：日日 ”ml P聰ssing Unit)或記龍等之通用性電腦所構(成，\ 丁所儲存之程式P，而控制晶圓處理或線寬測定。此外中制 1:1刈的程式P亦可藉由電腦可讀取之記錄媒體，而裝入控 線寬基板之_㈣㈣麵及

声採ίί ’針ΐϊΐ述結構之塗佈顯影處理系統1所進行的晶圓 以及晶圓面内的線寬測定製程，加以說明。 由圖1所示之晶圓運送體7，從晶圓度各葡二 ^ 内，將同樣處方之複數成品㈣s π ^ / 纟mBJII盒C _ μ μ ^ 7 战〇口用的日日® Wn(n係1以上的自狄數）加 片片取出’且依序運送到屬於處理站 由ί r調溫裝置60之晶圓至 iit =裝運s高溫㈣ 阻塗佈裝置加，二日疋其後’晶圓Wn依序運送到光 於日曰0 Wn上形成光阻骐以後，藉由第1運送裝 1343615 83，且在各裝置進行既定處 ： 问」精度凋溫裝置 圓m㈣獅相示的晶 π成曝光處理之晶圓Wn，藉由 =曝九 置η而運相高精度調溫裝置8卜 ^㈣2運道裝

Wn被運送到顯影處理裝置3() 仃广度伽。其後，晶圓 接著，晶圓Wn藉由第2運送裝置====進行顯影。 行後烘堵。夕你曰同，丨， 丨而運送到後烘烤裝置75，谁

.·© ^r ^日日n則被運送到高精度調溫裝置63,以進扞 :度5周即。再來，晶圓Wn又藉由第 ^订 裝置6卜且藉由晶圓運送體7 1 〇 到傳送 的晶圓處理。 日日W匣盒C，而完成一連串 依序ϊίϋΐιίΐί81處理的晶111 Wn ’ _藉由晶圓運送體7而 序運迗到BB圓匣盒站2的線寬測定裝置〖〖ο。 定^ =先日，數之晶圓Μ，將第1片晶《運送到線寬測 122 則計算出_上之““ ==而；’且對 在本能6中處的測疋點Q，測疋其中—部份測定點Ql的線寬。 在本貫祕料’例如將晶_成為6等份之細彡後 士 處測定點Ql⑽寬。而對該晶圓^斤為之線 寬'測疋結果’係輸出到控制部130。 $ = =Wl之線寬赃完成時，將下1晶圓w2運送到線寬測 晶圓W1相異地，測定圖5所示之晶圓區綱^ 23山寬。而對該所為之線寬測定結果，亦輸出 到k制郤130。當晶圓Wz之線寬測定完成時，將下一片晶圓％運 1343615 測定裝置11G，且與晶圓Wi、％相異地 W5 ^ W, ^ a« ，圓區軌、R5、R:的 ==4以 加以各；測定片以:圓 Q帽的、&^圓面内之全部測定點⑽♦㈣作 2線寬測定之各晶圓Wl〜W6，依序被送回晶圓Ε盒站2的晶 ιϊ於f出線ί測定結細空制部130中，如圖6所示地將各 的線寬測定結果合計而合成，以計算出 曰日圓王面之36處測定點Q的線寬測定結果。 採用的w實施t態’由於晶圓面内之36處的線寬測定係 ill 開進行’因此相較於採用1片晶圓^而進 ΙΙΓΛ 測定的情況，各晶圓Wi〜We之測定時間縮短。從而， 運送複數之晶圓Wn的晶圓處理中，可防止在前-片晶圓Wn ^線寬測定上花費時間’料後一片晶圓Wn產生等待處理的情 而防止晶圓Wn運送不順之現象。其結果，即使採用品 而進行-連串處理與線寬測定，仍不致降低晶圓處理的生產量。 上述之實施形態中，晶圓Wl〜We之間僅以相異的測定點進 仃線寬測定；但晶圓Ψϋ亦可設置共通關定點。在 況’如圖7所示，晶圓W之中心設有共通的測定點Qfl。又， 上述晶圓w,〜w6的線寬測定時，即每晶圓Wi〜Ws地測定共通的測 點^的線寬。再將每_ Wi〜w6_定點_線寬測定結果，加 =輪出到控制部130。於控制部130中，採用如圖8所示之各晶 ^〜队之測定點Qe的線寬測定值心p2、p3、p4、p5、p6，而 鼻出其等之平均值pa。此外’將其平均值pa與各晶圓W|〜We之線 13 1343615 寬測Pi 〜p6 間的差 Apl、Δρ2、Λρ3、Λρ4、Δρ5、Λρ6， ^以计算出。其後，將上述各晶圓1〜飢之各測定點各Qi〜Q6的測 修士達△ρ1〜Δρ6之差異量，而修正晶圓面内之測定點Q的 f測定結果。在此情況’由於可修正晶圓1〜队間所產生之測 疋决差，因此可正確地進行晶圓面内的線寬測定。又，共通的測 ^點Q。並不限於中心位置，亦可設於晶圓面内之其他位置，且共 通的測定點亦可採用複數處。 於上述之貫施形態中，以複數之處理裝置使用於相同處理製 二t將連續觀之晶® Wn分配龍複數之處理裝置而進行處理 _二1知用在同—處理裝置所處理之複數晶圓^，以對上述分 〉則定點Qi〜Qe進行線寬測定，且使該晶圓Wn間之測定結 果曰成。例如，如上所述，PEB裝置84〜89有6台，且如圖9所 二片以上之晶圓Wn依序被分配到PEB裝置84〜89時， 二si *裝置所處理而每隔6片之合計6片的晶圓Wn(如PEB 、4 中’係 Wl、W7、Wl3、Wi9、W25、W31)依序在各測定點 Qi、&、 乂 '、Q5 ' 定線寬。然後’對於該等相同pEB裝置所處理之 於上述實施形態所記載之晶圓面内的结宮，玎田以坰蚊你u 熱處理裝置之熱纽板的設定的線寬可用以调整例如 先^月作為熱處雜置之例如農置84的結構。 如圖10、圖11所示，PFR驴署W 部151，將曰鬥w裝置84於框體150内包含：加熱 i中處理；與冷卻部152，將晶圓w冷卻處理。 可自^ -V、1· .如圖10所不地，包含蓋體160，位於上側， 工 ;’與熱板收納部161，位於下側，與該蓋體160 14 成為一體而形成處理室S。 於蓋體160之頂部的中央，設有排氣部160a，且可將處理室 S内之環境氣體從排氣部160a平均地排出。 而於熱板收納部161的中央，設有作為熱處理板之熱板17〇， 用以載置晶圓W而加熱。該熱板170具厚度而略呈圓盤形。 熱板170如圖12所示，劃分成複數之例如6個熱板區域J,、 J2、J3、J/1、J5、J6。熱板區域上〜】6係例如從平面觀之，將熱板 170加以扇形劃分成6等分。 於熱板170之各熱板區域ji〜J6 ’分別内建著藉由供電而散熱 之加熱器171 ’且可每熱板區域j,〜j6地進行加熱。而各熱板區域

Ji〜Je之加熱器171的散熱量，可藉由例如溫度控制裝置172以調 i又，/jm•度控制裝置172之溫度設定係藉由例如控制部13〇戶/ 進行。 如圖10所示，於熱板17〇之下方設有第丨升降銷18〇，用以 =晶，W從下方支持而升降。該第丨升降銷⑽藉由升降驅動機 ’可上下移動。又，於熱板170之中央部附近形成通孔182， 二沿旱度方向貫穿熱板170。而該第1升降銷18〇從熱板17〇之 方上升，通過通孔182，且可突出到熱板17〇之上方。 拷孰1=納1161具有環狀固持構件19°，以收納熱板17〇而固 it部;與微筒狀支持環19卜環繞該固持構件190 可將處理^力Λ體。4由心㈣出口191a^出惰性氣體， 孰;te收细邮〗κι σ人淨(PUrge)。又，在支持環191的外側設有成為 …板收、.，内。卩161之外周的圓筒狀殼體192。 為 在接鄰於加熱部151之冷卻部15 冷卻的冷卻板。該冷卻謂如^ L"： ；〇^1° _ierel二部__耳帖元件 #々部構件200a，且可將冷卻板調整到咣 1343615 定之設定溫度。 卻板係錯由,_指2而移動於 熱部151側之熱板170的上方。 υι上且·)秒勒則加 如圖11所不’於冷部板200形成沿χ方向狹縫2〇3 縫203 ΐ從冷f反咖於加熱部⑸側的端面到冷卻板 J 央部附近所械。错由該狹縫咖，對於移動至加熱部151側 卻板200以及突出至熱板170上的第】升降鎖18〇互相干涉之情 況，可加以防止。如圖10所示，於冷卻板2〇〇之下方設有第2升

降銷204。第2升降銷204藉由升降驅動部205，可進行升降。又， 第2升降銷204從冷卻板200之下方上升，且通過狹縫2〇3，而可 突出至冷卻板200的上方。 如圖11所示，於隔著冷卻板200之框體15〇的兩側壁，形成 用以送入送出晶圓W的送入送出口 210。

於如上述所構成之PEB裝置84中，首先，從送入送出口 210 送入晶圓W，且載置到冷卻板200上。接著，移動冷卻板2〇〇，將 晶圓W移動至熱板170的上方。將冷卻板2〇〇上之晶圓故傳遞到 第1升降銷180 ’且藉由該第1升降銷180以載置到熱板170上， 而加熱晶圓W。經過既定時間後，再將晶圓w從熱板no傳遞到冷 卻板200冷卻，且從該冷卻板200通過送入送出口 21〇而送出到 PEB裝置84的外部，以完成一連串的熱處理。 於如上述所構成之PEB裝置84中，熱板170之設定溫度的調 整係採用如上述之控制部130而進行。例如控制部130係如圖10 及圖12所示，連接於熱板HO的溫度控制裝置172。 接著，針對採用上述線寬測定結果之PEB裝置84的溫度設定 製程，加以說明。 首先，如上所述，將例如線寬測定裝置110之6片晶圓Wi〜 队的線寬測定結果輸出到控制部130,且於控制部13〇將該等線寬 測定結果合成，而檢測出晶圓面内之36處的線寬。接著，於控制 16 1343615 區域R〜ί?’於例如對應於熱板區域L〜】6之劃分圖案的各晶圓 計算屮〜[，平均、線寬浙值GDl、⑶2、H 0)5、0)6，加以 的各、、計1 "Γ均線寬測定值⑶1〜⑶6係藉由將各晶®區域Rl〜Re SC〜Qe之線寬取值平均所計算出。其後，依據晶圓 二;苴1 Φ j各平均線寬測定值CD1〜⑶6’藉由下面之關係式⑴， 而汁异出各熱板區域L〜Je之最佳溫度修正值。 .(1) ACD=M · ΔΤ 二心^係平均線寬測定值CDl〜CDe以及事先設定之既定目標 、八日的差異’亦即線寬變化量。Μ係由事先計算出之線寬變化量 今CD以及最佳溫度修正值ΔΤ二者的相關所取得的相關模式。此 外’於控^ 130中，採用關係式⑴，而從各平均線寬測定值吼 〜6 ’汁算出各熱板區域:^〜七之溫度修正值ΔΤ|、八丁2、、 、ΛΤ5、從。 其後’將各溫度修正值△Τι〜ΛΤβ的資訊從控制部i3〇輸出到 溫度控制裝置172,且將溫度控制裝置172之熱板17〇的各熱板區 域L〜J6之設定溫度加以變更，而調整為新的設定溫度。 於此例中，由於可將成品晶圓之線寬測定結果，&用在對於 影響線寬之PEB裝置84之熱板170的設定溫度調整，因此例如可 使生產量不致降低之同時，進一步改善其線寬。 又，於此例中，由於調整設定溫度之熱板區域上〜^的劃分 圖案’以及分割有複數之測定點Q的晶圓區域Rl〜Re相對應1因 此在各晶圓區域R,〜Re所測定之線寬測定結果，亦可用於計算出 各熱板區域Ji〜J6的溫度修正值，而可使熱板17〇之設定溫度的 調整易於進行。 此外’ #亥例係依據晶圓面内之線寬測定結果，而調整PER果 置84之熱板170的設定溫度之一例；但本發明亦可適用於在預& 烤裝置或後烘烤裝置等進行其他熱處理之熱板的設定溫度調整， 17 或者進行在用以冷卻晶圓W之冷卻處理裝置之冷卻板的設定溫度 調整。 以上，一邊參照附加圖式，一邊說明本發明之最佳實施形態； 但本發明並不限定於此等提示之例。很明顯地，只要是熟悉本項 ，術之業者，在記載於申請專利範圍的思想範圍内可思及各種之 變形例或修正例，該等變形例或修正例，當然也屬於本發明之技 術性範圍。 例如，於上述實施形態中，將晶圓面内之複數測定點Q對應 於6個晶圓區域仏〜!^而分割，但該分割數可任意選擇。又，晶 圓區域匕〜仏之劃分圖案亦可採其他圖案。此外，並非必須劃分 晶圓區域而分割測定點，亦可將晶圓面内之複數測定點隨機抽出 而分割。 再說，於以上之實施形態中，係測定晶圓面内的線寬；但亦 可測定晶圓面内的其他處理狀態，例如光阻圖案之溝槽的側璧角 度（Sidewall angle)或光阻圖案的膜厚。而且，本發明亦可適用 於測定晶圓以外的例如FPD(平面顯示器）等之其他基板。 產業上利用性 八 本發明在使成品基板之處理的生產量不致降低，而進行 基板的測定時，相當具有效益。 ° 【圖式簡單說明】 圖1係顯示塗佈顯影處理系統之概略結構的俯視圖。 圖2係圖1之塗佈顯影處理系統的前視圖。 圖3係圖1之塗佈顯影處理系統的後視圖。 圖4係顯示線寬測定裝置之概略結構的縱剖面圖。 圖5係顯示晶圓面内之複數測定點之分割區域的說明圖。 圖6係顯示將6 晶圓之測定結果合成之例的說明圖。 圖7係顯示晶圓面内之中心之共通測定點的說明圖。 圖8係顯示6片晶圓之共通測定點之測定值的圖表。 1343615 圖9係顯示所送入各PEB裝置之晶圓的表。 圖10係顯示PEB裝置之概略結構之縱剖面的說明圖。 圖11係顯示PEB裝置之概略結構之橫剖面的說明圖。 圖12係顯示PEB裝置之熱板結構的俯視圖。 【主要元件符號說明】 1〜塗佈顯影處理系統 2〜晶圓匣盒站 3〜處理站 4〜介面站 5〜晶圓匣盒載置台 6〜運送路線 7〜晶圓運送體 10〜第1運送裝置 11〜第2運送裝置 20、2卜22〜光阻塗佈裝置 23、24〜底部塗佈裝置 30、3卜32、33、34〜顯影處理裝置 40、41〜化學加工室 60〜調溫裝置 61〜傳送裝置 62、63、64、70〜高精度調溫裝置 65、66、67、68〜高溫熱處理裝置 71、72、73、74〜預烘烤裝置 75、76、77、78、79〜後烘烤裝置 80、81、82、83〜高精度調溫裝置 84、85、86、87、88、89〜曝光後之烘烤處理裝置（PEB裝置) 90、91〜附著裝置 92〜邊緣曝光裝置 19 1343615 100〜運送路線 101〜晶圓運送體 - 102〜緩衝晶圓匣盒 . 110〜線寬測定裝置 120〜載置台 121〜光學式表面形狀測定儀 . 122〜光照射部 123〜光檢測部 124〜計算部 130〜控制部 • 150〜框體 151〜加熱部 152〜冷卻部 160〜蓋體 160a〜排氣部 161〜熱板收納部 170〜熱板 171〜加熱器 172〜溫度控制裝置 φ 180〜第1升降銷 181〜升降驅動機構 182〜通孔 190〜固持構件 191〜支持環 ’ 191a〜喷出口 ' 192〜殼體 200〜冷卻板 201〜執道 202〜驅動部 20 1343615 203〜狹縫 204〜第2升降銷 205〜升降驅動部 210〜送入送出口 C〜晶圓匣盒

P〜控制部所儲存之程式 G1〜第1處理裝置群 G2〜第2處理裝置群 G3〜第3處理裝置群 G4〜第4處理裝置群 G5〜第5處理裝置群 W、Wn〜晶圓 W!〜W6〜各晶圓 Ri〜晶回區域

Ji〜Je〜熱板區域

Qi〜Qe〜晶圓區域之6處測定點 Q〜測定點

Qo〜共通測定點 p 1〜p 6〜共通測定點之線寬測定值 pa〜共通測定點之線寬測定值的平均值 pi〜〜平均值阳與各㈣之魏測定簡線寬測定值 CDi〜CDe〜各晶圓區域之平均線寬測定值 △CD〜各晶圓區域之平均線寬測定值與既定目標 異，即線寬變化f 糾的差 關所製作 △Τι〜ΔΤ6〜各熱板區域之溫度修正值 △Τ〜各熱板區域之最佳溫度修正值 的才1寬變化量ACD及最佳溫度修正值二者之相 1343615 S〜處理室

Claims (1)

1. 十、申請專利範圍： 1.—種基板之測定方 狀態係將複數之基板連用以測絲板之處理狀態；該處理 成其處理的狀態； β也運送，且對各該基板進行處理，並完 其特徵為：. 理狀態；、定基板面内之複數測定點的基板之處 事先分時，將基板面内之該複數測定點 定點採用不同基板而進;;測定’係對逐-該測 果加以合成。 订利疋，再將各該基板之測定點的測定結 基板專！項的基板之測定方法，其中’在各該 基板間共通的測定點。 共通測第2項蝴反之測定方法，其中，依據該 4二ίΐ ΐ果，以修正基板間的測定誤差。 其中，°月_圍第1至3項中任-項的基板之測定方法， 該處理内之特定製程的處理裝置有複數台； 時，運ΐ之複數基板被分配到各該處理裝置進行處理 定點處理裝置所處理之複數基板，對所分割之各制 疋.，、占進仃敎；並龍複數基板之測定關測定結果加以合成。 其中5，·如巾請專利範圍第丨至3項中任—項的基板之測定方法， ，包含減理製程，訪基板載置於熱處理板上 仃熱處理，而賴處理板财錢數之區域，且 艰仃溫度設定； a 案而^割將該基板面内之複數測定點對應於該熱處理板之劃分圖 6.如申請專利範圍第！至3項中任—項的基板之測定方法， 23 1343615 其中， 於該處理内，包含將基板載置於熱處理板上而進行熱處理的 二处理製裎；而該熱處理板劃分成複數之區域，且各該區域可進 行溫度設定； f ’、進行該基板之處理狀態的測定，係用以調整該熱處理板 f 的设定溫度；且依據該基板面内之複數測定點的測定結 ，汁算出該熱處理板之各區域之設定溫度的修正值。 7.—種程式，其特徵為：用以使電腦實現申請專利範圍第1 至6項中任一項的基板之測定方法。 8.種電腦可讀取的記錄媒體，其特徵為：記錄著用 =實現申請專利範圍第i至6項中任一項的基板 種基板之測定系統，用以測定基板之處理狀態；該處理 將複數之基板連續地運送，且對各縣板進 成其處理的狀態； 其特徵為具有： 一測定部’測定基板面内之複數測定點的基板處理狀態 -控制部’於藉由該測定部f十複數測定點進行測定時 ，曰曰圓面_複數測定點分·，且對於所分狀各 母各該測定點採用不同基板進行測定； 疋^ 再將各該基板之測定點的測定結果加以合成。 10:如^青專利範圍第9項的基板之測定系統，其中， 土板之測疋點，設有於基板間共通的測定點。 11.如申請專利範圍第1〇項的基板之測定系統，1中 ㈣=該共通啦點之败結果，而修正基板間的測差4 統，^中如申請專利範圍第9至u項中任一項的基板之測定系 Siii該處理内之特定製程的處理裝置有複數台； 田W ，.貝運送之複數基板被分配到各該處理裝置而處理時， 24 木用於同一處理裝置所處理之複數基板，對所分割之各測定 订測定；並將該複數基板之測定點的測定結果加以合成。' 13. 如申請專利範圍第9至u項中任一項的基板之測定系 統，其中， 、 、^該處理内，包含熱處理製程，其將基板載置於熱處理板上 而進行熱處理；而該熱處理板劃分成複數之區域，且各該區域 進行溫度設定； 又，將該基板面内之複數測定點對應於該熱處理板之劃分圖 案而分割。 14. 如申請專利範圍第9至n項中任一項的基板之測定 統，其中， 於該處理内，包含將基板載置於熱處理板上而進行熱處理的 ，'，、地理製程；且該熱處理板劃分成複數之區域，各該區域可進行 溫度設定； ^ ’進行該基板之處理狀態的測定，係用以調整該熱處理板 之，，域的設定溫度；且該控制部依據該基板面内之複數測定點 的測疋結果’計算出該熱處理板之各區域之設定溫度的修正值。 十一、囷式：