[go: up one dir, main page]

TWI343611B - Semiconductor package and method for discharging electronic devices on a substrate - Google Patents

Semiconductor package and method for discharging electronic devices on a substrate Download PDF

Info

Publication number
TWI343611B
TWI343611B TW96120685A TW96120685A TWI343611B TW I343611 B TWI343611 B TW I343611B TW 96120685 A TW96120685 A TW 96120685A TW 96120685 A TW96120685 A TW 96120685A TW I343611 B TWI343611 B TW I343611B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
wire
substrate
metal
electronic component
bonding
Prior art date
Application number
TW96120685A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200849424A (en
Inventor
Chihming Chou
Yujen Wang
Chaoyung Wang
Yuping Lin
Chen Ping Su
Original Assignee
Orient Semiconductor Elect Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Orient Semiconductor Elect Ltd filed Critical Orient Semiconductor Elect Ltd
Priority to TW96120685A priority Critical patent/TWI343611B/zh
Priority to US11/875,611 priority patent/US20080304245A1/en
Priority to JP2007302419A priority patent/JP2008306158A/ja
Publication of TW200849424A publication Critical patent/TW200849424A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI343611B publication Critical patent/TWI343611B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
    • B23K20/004—Wire welding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • H10W72/07141—
    • H10W72/07521—
    • H10W72/552—
    • H10W74/00—
    • H10W90/754—

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

1343611 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種對電子元件進行放電之方法，更特別 有關於一種對基板上的電子元件進行放電之方法；本發明還有 關於一種半導體封裝構造。 【先前技術】 在半導體的封裝製程中，在晶片固定於基板後，接著，即 籲進行一銲線作業，其係藉由銲線機來連接導線至晶片和基板， 以使晶片和基板間形成電性連接。 一般來說，為使銲線作業較為簡易，銲線的一端會先打在 晶片的銲墊上，另一端則再打到基板之相對應的銲線區（finger) 上。然而，在進行銲線作業之前，基板上可能早已設有若干充 滿電荷的電子元件，例如電容。若當銲線的一端先打在晶片的 某個銲墊上、另一端再打在基板之相對應的銲線區上時，電容 與BB片之間會形成一個導電迴路。由於導電迴路的形成，電容 修開始進打放電，此時若電容放電所產生的電流過大，有可能將 晶片燒毀。 有鑑於此，便有需要提出一種對基板上的電子元件進行放 • 電之方法，以解決上述問題。 【發明内容】 本發明之目的在於提供一種對基板上的電子元件進行放電 之方法，於銲線（wire bonding)之前將基板上之電子元件所儲存 的電荷釋放，以避免進行銲線程序時，電子元件放電所產生的 電流將晶片燒毁。
01258-TW/.A03-07002A 5 1343611 ，於實施例中’本發明之對基板上的電子元件進行放電之 〜匕括提t'銲線機，其具有一金屬針與銲線機電性連接。 人對基板上的電子元件進行放電時，將金屬針與基板上的一 特定輝線區電性接觸，而此特定銲線區與基板上之電子元件電 性連接’ & B夺電子元件所儲存的電荷會經由銲線區、通過金屬 針而傳導至銲線機，藉此將電子元件上所儲存的電荷釋放掉。 於另一實施例中，本發明之對基板上的電子元件進行放電
之方法係將從一銲線機之陶瓷銲嘴穿出的金屬銲線燒結成一 ，屬球，再移動銲嘴使金屬球與銲線區的第一部位電性連接， 藉此將电子7〇件所儲存的電荷經由金屬球及銲線傳導至銲線 機而釋放掉。 本發明還提供一種半導體封裝構造，係將銲線機所燒結成 7金屬球附著在銲線區上的第一部位後，再以另一金屬銲線將 日日片電性連接至銲線區的第二部位，最後並在基板上形成一封 膠體，包覆晶片、金屬球、金屬銲線與電子元件。 為了讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯， 下文將配合所附圖示，作詳細說明如下。 【實施方式】 參考第1圖’本發明第一實施例之對基板上的電子元件進 行放電之方法包括提供一銲線機U0，其具有一金屬針112與 銲線機11〇電性連接。欲對一基板12〇上的電子元件m，例 如電容進行放電時，將金屬針112與基板12〇上的—特定銲線 區122電性接觸’此特定銲線區122與電子元件13〇電性連接 此時電子儿件130所儲存的電荷會經由特定銲線區122、通過
01258-TW/A03-07002A 6 1343611 金屬針112而傳導至銲線機n〇，藉此將電子元件i3〇 的電荷釋放掉。 =+ 上述對基板上的電子元件進行放電之方法，可在晶片14〇 黏附於基板120上之前或之後執行，但須在進行銲線…丨^ b〇nding)之前，才能避免銲線製程中銲線電性連接晶片14〇與 特疋銲線區122時，電子元件13〇放電所產生的電流將晶片 燒毀。 參考第2a與2b圖，本發明第二實施例之對基板上的電子 兀件進行放電之方法係將從一銲線機21〇之陶瓷銲嘴 (CapiUary)212穿出的金屬銲線2M燒結成一金屬球2u，再移 動銲嘴212使金屬球216與銲線區122的某一部位，例如第一 部位122a電性連接’ II此將電子元件13〇所儲存的電荷經由 金屬球2 1 6及銲線2 14傳導至銲線機2 1 〇而釋放掉。 當電子元件130所儲存的電荷釋放掉之後，即可利用原來 的銲線機21〇與銲嘴212進行晶片14〇至銲線區122間的銲線 連結，因此可節省更換設備所需要的時間。此外，參考第2c 圖，當銲嘴212從銲線區122上移開後，金屬球216會遺留在 在f線區122上形成金屬球124。此時，再進行後續之晶片 與銲線區122間之銲線製程，可不須將金屬球124從銲線區122 上移除，只需將晶片140連接至銲線區122上的銲線打在銲線 區122上的其他部位，例如第二部位】22b即可。另外，本發 明第二實施例之對基板上的電子元件進行放電之方法，可不須 將k銲嘴2 1 2穿出的金屬銲線2丨4燒結成金屬球2 1 6，僅直接 將銲線214與銲線區122電性接觸亦可達到放電之目的。 參考第3 ®，本發明還提供一種半導體封裝構造3〇〇，係
01258-TW / A03-07002A 7 1343611 [圖式簡單說明】 第1圖：顯示本發明第一實施例之對基板上的電子元件進 行放電之方法。 第2a至2b圖：顯示本發明第二實施例之對基板上的電子 元件進行放電之方法。 第2c圖：顯示實行本發明第二實施例之放電方法後，一金 厲球遺留在鲜線區上。 第3圖：顯示本發明之半導體封裝構造之剖面圖。 【主要元件符號說明】 110 銲線機 112 金屬針 120 基板 122 銲線區 122a 第一部位 122b 第二部位 124 金屬球 130 電子元件 140 晶片 210 銲線機 212 銲嘴 214 銲線 216 金屬球 3 10 銲線 320 封膠體
01258-TW/A03-07002A

Claims (1)

  1. )0 )0 1343611 厂.-·…，.............·...·· 十、申請專利範圍： :c的電子元件進行放電之方法，係執行於-繂 η則’該基板上設有與該電子元件電性連接之—銲 、·表& ’遠方法包含下列步驟： 及 提供一銲線機’其具有-金屬針與該銲線機電性連接; ==與該基板上的銲線區電性接觸，藉此將該電 掉。請存的電荷通過該金屬針傳導至該銲線機而釋敌 申請專利範㈣μ之方法，以該電子元件係為—電 3、-種對基板上的電子元件進行放電之方法> 線製程之前，嗲其杧 本執仃於一銲 線區，該方法包含下列步驟： 们生連接之一銲 提供一鮮線機，I另 屬銲線；及 …、有-輝嘴以及從該銲嘴穿出之-金 將k仏嘴穿出的金屬銲線與該 將該電子元件所储存的電荷通過該金屬 機而釋放掉。 e t水浔導至忒鋅線 4 '如申請專利範圍第3 線區電性接觸之步驟包^法’其中將該金屬鲜線與該銲 將從該錦嘴穿“金4銲線燒結成—金 球與該銲線區電性連接。 k μ金屬 01258-TW/A03-07002Α 10 1343611 5、如申請專利範圍第3項之方法，其中該電子元件係為一電 容。 6 '如申請專利範圍第4項之方法，其中該電子元件係為一電 容。 7、如申請專利範圍第4項之方法，更包含： 將該銲嘴移開，使該金屬球遺留在該銲線區上。
    01258-TW/A03-07002A 11
TW96120685A 2007-06-08 2007-06-08 Semiconductor package and method for discharging electronic devices on a substrate TWI343611B (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW96120685A TWI343611B (en) 2007-06-08 2007-06-08 Semiconductor package and method for discharging electronic devices on a substrate
US11/875,611 US20080304245A1 (en) 2007-06-08 2007-10-19 Semiconductor package and method for discharging electronic devices on a substrate
JP2007302419A JP2008306158A (ja) 2007-06-08 2007-11-22 半導体パッケージ及び基板上の電子素子を放電する方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW96120685A TWI343611B (en) 2007-06-08 2007-06-08 Semiconductor package and method for discharging electronic devices on a substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200849424A TW200849424A (en) 2008-12-16
TWI343611B true TWI343611B (en) 2011-06-11

Family

ID=40095694

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW96120685A TWI343611B (en) 2007-06-08 2007-06-08 Semiconductor package and method for discharging electronic devices on a substrate

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20080304245A1 (zh)
JP (1) JP2008306158A (zh)
TW (1) TWI343611B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US12428255B2 (en) * 2022-12-21 2025-09-30 Glory Ltd. Sheet transport mechanism and sheet handling apparatus
CN115831935B (zh) * 2023-02-15 2023-05-23 甬矽电子(宁波)股份有限公司 芯片封装结构和芯片封装方法
CN116564988A (zh) * 2023-06-13 2023-08-08 业泓科技(成都)有限公司 影像传感器封装结构及封装方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4171477A (en) * 1976-03-16 1979-10-16 International Business Machines Corporation Micro-surface welding
US4388512A (en) * 1981-03-09 1983-06-14 Raytheon Company Aluminum wire ball bonding apparatus and method
JPS61241936A (ja) * 1985-04-19 1986-10-28 Hitachi Ltd ワイヤボンデイング装置
JPS63131128A (ja) * 1986-11-21 1988-06-03 Yokogawa Electric Corp 光ａ／ｄ変換器
US4950866A (en) * 1987-12-08 1990-08-21 Hitachi, Ltd. Method and apparatus of bonding insulated and coated wire
JP3425510B2 (ja) * 1996-09-27 2003-07-14 松下電器産業株式会社 バンプボンダー形成方法
JP3769128B2 (ja) * 1998-08-25 2006-04-19 三菱電機株式会社 半導体装置のパターン配線へのワイヤボンディング方法
JP2000294595A (ja) * 1999-04-05 2000-10-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd ワイヤボンディング方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW200849424A (en) 2008-12-16
JP2008306158A (ja) 2008-12-18
US20080304245A1 (en) 2008-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104205328B (zh) 半导体装置及其制造方法
JP2003243436A (ja) バンプの形成方法、バンプ付き半導体素子及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
TW454285B (en) Semiconductor device and method for manufacturing same
TW200829106A (en) Mounting method using thermal contact bonding head
TWI635548B (zh) 打線接合的方法以及封裝結構
US20100295180A1 (en) Wire bonding structure and manufacturing method thereof
TWI343611B (en) Semiconductor package and method for discharging electronic devices on a substrate
CN104112681A (zh) 一种基于铜微针锥的固态超声键合方法
CN107175400B (zh) 一种金丝焊接方法
CN104241152B (zh) 基于铜球预压平的芯片封装方法
JP2008192984A (ja) 半導体装置及びその製造方法
KR100808613B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
CN104112684A (zh) 一种基于镍微针锥的固态超声键合方法
CN101346033A (zh) 半导体封装结构以及对基板上的电子组件进行放电的方法
JP2012204768A (ja) 発光素子搭載基板の製造方法
JP3966516B2 (ja) 実装方法および装置
WO2015024597A1 (en) Method for wire bonding and device produced thereby
TWI604543B (zh) 引線接合方法
CA2786882C (en) Flip-chip mounting structure and flip-chip mounting method
JPH1174315A (ja) ボンディング装置及びボンディング方法
JP6172058B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2010186926A (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
CN110838477A (zh) 电子封装件及其制法
CN101969033A (zh) 将导线电连接至集成电路芯片的焊盘的方法及电子器件
JP2001230272A (ja) 鉛フリーはんだ多層バンプを有するフリップチップ及び鉛フリー・フリップチップアセンブリ