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TWI342611B - Active device array substrate - Google Patents

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TWI342611B
TWI342611B TW096129972A TW96129972A TWI342611B TW I342611 B TWI342611 B TW I342611B TW 096129972 A TW096129972 A TW 096129972A TW 96129972 A TW96129972 A TW 96129972A TW I342611 B TWI342611 B TW I342611B
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10D89/00Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
    • H10D89/60Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD]
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136204Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures

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Description

0710093ITW 24915twf.doc/n 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種主動元件陣列基板,且特別是有 關於一種具有靜電放電(Electronic Static Discharge,ESD) 保護電路的主動元件陣列基板。 【先前技術】 在曰常生活環境中,靜電放電的現象隨處可見。基本 上,由於電子對於各種物體的親和力不同,故任何兩個物 體接觸之後再分開,便很容易產生物體間電荷轉移的現 象,造成靜電之累積。一旦物體中的靜電累積到一定程度, 當此f靜電的物體觸碰或接近另一個與其電位不同的物體 時,便會發生瞬間電荷轉移的現象,即是所謂的靜電放電。 一般而έ,電子產品在製造、生產、組裝、運送、甚 至消費者購買後的使用過程中,遭受到靜電放電傷害的可 能性很高。因此,電子產品必須具備靜電放電的防護設計, 才月b夠有效延長其使用壽命。尤其是利用先進半導體製程 所製作的產品,如液晶顯示器的主動元件陣列基板等,由 於^組成元件的尺寸很小,因此#元件遭受獅間高電壓 的靜電放電時,主動元件㈣基㈣部的線路㈣被永久 性地毀損,而導致元件失效。 近年來,在主動元件陣列基板的每一個畫素中,大多 會將,晝素分割為主晝素(main pixd)與次晝素(㈣ P 且彳j用兩個薄膜電晶體分別力σ以控制,此即為雙 0710093ITW 24915twf.doc/n 薄膜電晶體型(TFT-TFT type)的畫素。為了提供此種畫 素穩定的儲存電容’而必須在主動元件陣列基板上對應製 作多條獨立的共通配線。然而,這些共通配線大多形成為 大面積的金屬線,因此,靜電容易累積在這些共通配線上 而產生靜電放電。結果是,共通配線、以及位於這些共通 配線附近的元件與線路,將會被靜電放電毀損。 【發明内容】 有鑑於此,本發明提供一種主動元件陣列基板,其具 有良好的靜電放電防護措施。 基於上述,本發明提出一種主動元件陣列基板,包括 基板、多個晝素單元、多條驅動配線、多條共通配線、靜 電放電保護電_及?個開關元件。基板具有顯示區域以 及周邊區域,此周邊區域與顯示區域鄰接。畫素單元陣列 排列於基板的顯示區域内。驅動配線配置於顯示區域以及 ,邊區域,並與晝素單元電性連接。共通配線配置於顯示 區域且延伸到周邊區域中。靜電放電保護電路配置於基板 上的周邊區域。多個開關元件配置於周邊電路區,每一開 關元件是電性連接於每一共通配線與靜電放電保護電路之 間。 全本f明再提出一種主動元件陣列基板,包括基板、多 個晝素單疋、多條驅動配線、多條共通配線以及多個開關 兀,。、基板具有顯示區域以及周邊區域,此周邊區域與顯 不區域鄰接。畫素單元陣列排列於基板的顯示區域内。驅 0710093ITW 24915twf.doc/n 動配線配置於顯不區域以及周邊區域,並與書素單元電J·生 連接。共通配線配置於顯示區域且延伸到周邊區域中。多 個開關元件配置於周邊電路區,每一開關元件是電性連接 於相鄰的兩共通配線之間。 在本發明之一實施例中’上述之開關元件包括雙向開 關元件(Bidirectional Switch Element)。 在本發明之一實施例中,上述之每一開關元件包括第 一薄膜電晶體以及第二薄膜電晶體。第一薄膜電晶體具有 第一閘極與第一源極/汲極,第二薄膜電晶體具有第二閘極 與第二源極/汲極,其中,第一閘極電性連接 _ 汲極’而第二閘極電性連接於第一源極/汲極。 “、 在本發明之一實施例中,上述之每一開關元件包括第 -—極體以及第二二極體。第—二極體具有第—輸出端斑 第一輸入端,第二二極體具有第二輸出端與第二 了 其中’第-輸出端電性連接於第二輸入端,而第二輸:端 電性連接於第一輸入端。 在本發明之-實施例中,上述之主動元件陣列基板的 靜電放電保護電路為接地或浮置(fl〇ating)。 在本發明之一實施例中,上述之畫素單元包括多個主 ,元件以及彡健素電極。絲元件分顺龍之駆動配 、’電性連接。晝素電極分別與對應之主動元件電性連接。 本發明因使開關元件電性連接於每一共通配線盘靜電 放電保護魏m使μ元件·連接於相鄰的 兩共通配線之間。藉此,即使共通配線形成為大面積金屬 1342611 07100931TW 24915twf.doc/n 時,將l以使累積在共通配線上的靜電散逸,而避免靜電 放電破壞共通配線或其附近的元件與線路。 為讓本發明之上述特徵和優點能更日摘易懂,下文特 舉較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下。 【實施方式】 第一實施例 干發明第一實施例的主動元件陣列基板的 此主動元件陣列基板刚包括基板 夕個旦素早7L 120、多條驅動配線13〇、多 柘140、靜電放電保護電路15〇以及多個開關元件、湖。基 具有顯示區域112以及周邊區域114,此周邊區域 )與顯示區域m鄰接。畫素單幻20 p車列排列於基板 、的顯不區域112内。驅動配線13〇配置於顯示區域112 =及周邊區域114,並與晝素單元120電性連接。共通配 雷140配置於顯不區域112且延伸到周邊區域…中。靜 夕放電保護電路150配置於基板110上的周邊區域114。 ^個f關兀件16G配置於周邊電路區U4,每—開關元件 =0疋電性連接於每一共通配線14〇與靜電放電保護電路 150之間。 凊繼續參照圖1,驅動配線130在顯示區域112中可 ^其配置位置與特性再細分為掃描配線132以及資料配線 4。另外,在主動元件陣列基板1〇〇中,每一個畫素單元 〇包括一個主動元件122以及一個畫素電極124,而每一 0710093ITW 24915twf.doc/n 個^動元件l22力別與細對應的掃描配線I%以及資料 配線134電性連接,而晝錢極124肖主動元件122電性 連接。當然’本實施例並不限定晝素單元12〇的構成,在 另外的實關巾’畫素單元12()心包括1做動元件 (未繪示)、以及_兩魅動元件而分別驅動的主晝素 電極(未繪不)與次晝素電極(未緣示)。 在本實施例中,基板110的材質可為玻璃,而驅動配 線130的材質可為具有良好導電性之金屬。畫素電極124 的材質可為銦錫氧化物_)、銦鋅氧化物_)或其他透 明,電材料。主動元件m則可為薄膜電晶體或是其他具 有三端子(tri-terminal)的主動元件。 圖2繪示為圖1的主動元件陣列基板的共通配線附近 的局部電路不意圖。請同時參照圖i與圖2,共通配線14〇 是用以在晝素單元120中形成儲存電容。值得注意的是, 於每一條共通配線140上設置開關元件16〇,並且使每一 條共通配線140藉由開關元件160而電性連接到靜電放電 保護電路150。特別是,而靜電放電保護電路15〇例如為 接地或浮置(floating),而開關元件16〇例如是雙向開關 元件。以下說明此開關元件16〇可能的實施形態。 圖3A與圖3B繪示為圖2中的開關元件的兩個實施例 的示意圖。請先參照圖3A,此開關元件200包括第一薄膜 電晶體210以及第二薄膜電晶體22〇。第一薄膜電晶體21〇 具有第一閘極212與第一源極/汲極214,第二薄獏電晶體 220具有第二閘極222與第二源極/汲極224,其中,第一
』3426JJ 〇710093ITW 24915twf.doc/n 閘極212電性連接於第二源極/沒極224,而第二間極瓜 電性連接於第一源極/;:及極214。
、請再參照圖3B,此開關元件300包括第—二極體31〇 =第二二極體32〇。第一二極體31G具有第_輸出端 了弟-輸入端314’第二二極體謂具有第二輪出端您 ;_、第二輸入端324 ’其中’第-輸出端312電性連接於第 二輸入1 324,而第二輸出端322電性連接於第—輸入端 3^4。換言之,如圖】與圖2中所繪示的開關元件〗仞可以 採用如圖3Α或圖3Β所繪示的開關元件2〇〇、3〇〇。 特別是,藉由靜電放電保護電路15〇與開關元件16〇 的設置,將可以避紐電累積在形成為大面積金屬的共通 配線140上。更詳細而言,請繼續參照圖2,在共通配線 Η0處於正常操作電壓的範圍時,開關元件16〇是斷開 j〇ff)狀態,因此,共通配線14〇能夠正常地使各個畫素 單元120形成儲存電容。
曰,而,當在共通配線140上累積了大量的靜電,或者 是大菫的靜電流入共通配線14〇時,並且,此靜電的數值 超過了開關元件160的截止電壓(threshold voltage)時, 開關元件160即會呈開啟(〇n)狀態,所以,靜電將可以 導入到靜電玫電保護電路150而散逸,藉此,可保護共通 配線140及其附近的元件、線路不被靜電損壞。並且,可 提昇主動元件陣列基板的使用壽命。 第二實施例 0710093ITW 24915twf. doc/n 圖4繪示為本發明第二實施例的主動元件陣列基板的 不意圖。請參照圖4,本實施例之主動元件陣列基板2〇〇 的主要構件以及其對應之連接關係與第一實施例的主動元 件陣列基板100相類似,並標示以相同的標號,此處僅針 對兩實施狀差祕進行㈣,其輯件與相對應的連接 關係便不再重述。值得注意的是,在本實施例中,多個開 關元件160配置於周邊電路區114,每—開關元件16〇是 電性連接於相鄰的兩共通配線14〇之間。 圖5繪示為圖4的主動元件陣列基板的共通配線附近 的局部電路示意圖。請同時參照圖4與圖5,於相鄰的共 通配線140之間設置開關元件16〇,此開關元件16〇例如 是雙向開關元件。同樣地,開關元件16〇可以是如圖3A 或圖3B所繪示的實施形態。 更洋、··曰而。,在共通配線14〇處於正常操作電壓的範 圍時,開關元件160是斷開(0ff)狀態,因此,共通配線 140能夠正常地使各個畫素單元12〇形成儲存電容。然而, 當在共通配線140上累積了大量的靜電,或者是大量的靜 電流入共通配線140時,並且,此靜電的數值超過了開關 兀件160的截止電壓(thresh〇ld v〇ltage)時,開關元件丨⑼ 即會呈開啟(Gn)狀態,所以,靜電將可以導人到相鄰的 共通配線140而散逸,藉此,可保護共通配線14〇及其附 近的元件、線路不被靜電損壞。並且,可提昇主動元件 列基板的使用壽命。 綜上所述,本發明的主動元件陣列基板包括下列優點·· 1342611 0710093ITW 24915twf.doc/n 即使共通配線為大面積金屬而容易產生靜電,但由於 開關元件電性連接於每—共通配線與靜電放電保護電路之 間;或是,使開關元件電性連接於相鄰的兩共通配線之間, 因此,可以容㈣使累積在共通配線上的靜電散逸 可避免靜電放電破壞共触線或細近的元件與線路 且’可提昇主動元件陣職板的使財命。 、
限定=發= 交佳實施例揭露如上’然其並非用以 因此本發關内’當可作些許之更動與潤都, 為準。 果4轨圍當視後附之申請專利範圍所界定者 【圖式簡單說明】 示意^。曰丁為本發明第一實施例的主動元件陣列基板的 • ”局:的主動元件陣列基板的共通配線附近 的示意圖。/、. 、3示為圖2中的開關元件的兩個實施例 示意圖。騎發明第二實關的主動元件陣列基板的 的局;電路的主動元件陣列基板的共通配線附近 12 1342611 0710093ITW 24915twf.doc/n 【主要元件符號說明】 100、200 :主動元件陣列基板 ' 110:基板 112 :顯示區域 • 114 :周邊區域 120 :畫素單元 122 :主動元件 124 :畫素電極 φ 13〇:驅動配線 132 :掃描配線 134 ··資料配線 140 :共通配線 150 :靜電放電保護電路 160、200、300 :開關元件 210 :第一薄膜電晶體 212 :第一閘極 214 :第一源極/汲極 • 220:第二薄膜電晶體 222 :第二閘極 224 :第二源極/汲極 310 :第一二極體 312 :第一輸出端 314 :第一輸入端 320 :第二二極體 322 :第二輸出端 324 :第二輸入端 13

Claims (1)

  1. 0710093ITW 24915twf.doc/n 十、申請專利範圍: 1.—種主動元件陣列基板,包括·· 地料ί板顯示區域以及—周邊區域,該周邊區 域與该顯不區域鄰接; 單:’陣列排列於該基板的該顯示區域内; 並與該些畫素單元紐域以及邊區域’ 域中f条/、极線gq於觸示區域且延伸到該周邊區 域;以$電放電㈣電路,配置於該基板上的該周邊區 多個開關元件,配置於兮 元件是電性遠接於I ί 周邊電路區’每一該些開關 則連接於母—該些共通喊與該靜電放電保 路之間。 描專利範圍$1項所述之主動元件陣列基 ^ 5Λ~開關70件包括雙向開關元件(Bidirectional Switch Element)。 如申:月專利乾圍$ 1項所述之主動元件陣列基 板,其中,母一開關元件包括: ϋ臈電晶體,具有—第—閘極、與 /汲極,以及 -第二薄膜電晶體’具有—第二閘極、與—第二源極 /汲極, “中該第卩雜電性連接於該第二源極/没極,該第 1342611 0710093ITW 24915twf.d〇c/n 二閘極電性連接於該第一源極/汲極。 4. 如申請專利範圍第1項所述之主動元件陣列基 板’其中’每一開關元件包括: 一第一二極體,具有一第一輸出端與一第一輸入端; 以及 一第二二極體,具有一第二輸出端與一第二輸入端; 其中,該第一輸出端電性連接於該第二輸入端,該第 二輸出端電性連接於該第一輪入端。 5. 如申請專利範圍第1項所述之主動元件陣列基 板/、中使該靜電放電保遵電路接地或浮置。 6. 如申請專利範圍第1項所述之主動元件陣列基板, 其中該些晝素單元包括: 多個主動元件,分別與對應之該些驅動配線電性連 接,以及 多個晝素電極,分別與對應之該主動元件電性連接。 7. —種主動元件陣列基板,包括: 一基板,具有一顯示區域以及一周邊區域,該周邊區 域與該顯示區域鄰接; 多個晝素單元,陣列排列於該基板的該顯示區域内; 多條驅動配線,配置於該顯示區域以及該周邊區域, 並與該些畫素單元電性連接; — 多條共通配線,配置於該顯示區域且延伸到該周邊區 域中;以及 多個開關元件,配置於該周邊電路區,每一該些開關 15 0710093ITW 24915twf.doc/n 元件是電性連接於相_兩該些 8.如申諳畧刺铲 、^配、、桌之間。 板,豆中,哕此門關6 7項所述之主動元件陣列基 极兴T A些開關兀件包括雒 Switch Element)。 又 $ 關凡件(Bidirectional 9·如申請專利範圍第7 板,其中,每元件包括所14之主動元件陣列基 一第一薄膜電晶體,且右一 /没極;以及 -有—弟一間極、與一第一源極 /汲極 第膜電晶體,具有—第二閘極、與—第二源極 門間極電性連接於該第二源臟極,該第 閘極電性連接於該第-源極/沒極。 拉,二如!請專利範圍第7項所述之主動元件陣列基 板,,、中,每一開關元件包括: 第一極體,具有一第一輸出端與一第一輸入端; 以及 二極體’具有一第二輸出端與一第二輸入端; 一 /、山,該第一輸出端電性連接於該第二輸入端,該第 二輸出端電性連接於該第一輪入端。 U’如申請專利範圍第7項所述之主動元件陣列基 板’其中該些晝素單元包括: 户個主動元件,分別與對應之該些驅動配線電性連 接;以及 夕個畫素電極,分別與對應之該主動元件電性連接。 16
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