TWI342392B - Ph-ion selective field effect transistor (ph-isfet) with a miniaturized silver chloride reference electrode - Google Patents

Description

1342392 九、發明說明：

【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種氫離子感測場效電晶體，詳言之，係 關於一種含微型氣化銀參考電極之單晶片氫離子感測場效 電晶體。 【先前技術】 客知之氫離子感測場效電晶體（pH_ISFET)微感測器設計 與製作傳統的pH-ISFET元件於商品化的過程中將必須面 臨下列二個主要的關鍵問題：⑴必須研發出適當的氫離子 選擇薄膜，否射存在有如高漂移電壓及低酸驗值感測靈 敏度的問題。⑻因為pH_ISFET元件操作時會與液體溶液 矣觸所以必須在封裝保護元件的同時允許其離子感應區 能棵露出纟’在微小化的有限區域内這將不是—件容易的 事。（ni)PH_ISFET量測系統中通常必須搭配一個參考電 極，但傳統的參考電極尺寸遠大於pH_ISFET晶片如此將 限制其於植入式生醫晶片或測試取樣量較小的應用性。 有必要提供一種創新且具進步性的含微型氣化銀 參考電極之單晶片氫離子感測場效電晶趙，以解決上述問 占苞〇 【發明内容】 曰本發月之目的在於提供—種含微型氣化銀參考電極之單 =離子感測場效電晶體，其包括：-場效電晶體與微 料二，曰片、一封裝晶片、-電極外接端組及-接合材 錢電晶體與微參考電極晶片包括：-基板、-絕 I21461.doc 1342392 緣層、一閘極氧化層、一離子感測薄膜以及一微參考電 極。該基板具有一源極、一汲極及一微參考電極導接區， 該及極位於該源極與該微參考電極導接區之間，且該源極 及该汲極之間界定一通道區。該絕緣層形成於該基板上， 其具有一第一槽孔及一第二槽孔，該第一槽孔顯露部分該 源極、部分該汲極及該通道區，該第二槽孔顯露部分該微 參考電極導接區。該閘極氧化層覆蓋該第一槽孔之部分該 源極、部分該汲極及該通道區。該離子感測薄膜覆蓋該閘 極氧化層並延伸覆蓋至該第一槽孔周緣之部分該閘極氧化 層上。該微參考電極形成於該汲極與該微參考電極導接區 之間上方相對位置之該絕緣層上，且電性連接該微參考電 極導接區。 遠封裝晶片設置於該場效電晶體與微參考電極晶片上， 其包括：一感測槽孔及一内凹部。該感測槽孔形成於該源 極與該汲極之間上方相對位置且顯露該離子感測薄膜。該 内凹部具有—多孔狀之玻璃切懸浮薄膜及-環牆，該懸 浮薄膜具有複數個可與測試液接觸之微孔洞，該環牆設置 於該汲極與該微參考電極導接區之間上方相對位置，該内 凹部覆蓋該微參考電極。該電極外接端組包括：_源極外 接鳊 /及極外接端及一微參考電極外接端。該源極外接 端電性連接該源極，該汲極外接端電性連接該汲極，該微 參考電極外接端電性連接該微參考電極導接區。 該接合村料設置於該場效電晶體與微參考電極晶片與該 ί ^ B曰片之間，以接合該場效電晶體與微參考電極晶片及 J2I461.doc 1342392 該封裝晶片，並密封該微型參考電極β 本發明之氫離子感測場效電晶體具有高線性感測靈敏度 與極低的遲滯性（hysteresis)，而該微參考電極具有高穩定 度、低補偏電位以及高再現性。並且’本發明之氫離子感 測％效電aa體為可應用於血液p Η值檢測’本發明之含微型 氣化銀參考電極之氩離子感測場效電晶體具有產品可縮小 化與可攜式化、檢測量可大幅減少、測試時間較短、精確 度較高、低製造成本以及高製程再現性（repr〇ducibiUty)等 優點。 【實施方式】 參考圖1，其顯示本發明第一實施例之含微型氣化銀參 考電極之單晶片氫離子感測場效電晶體（Ion Selective Field Effect Transistor ’ iSFET)。該氫離子感測場效電晶 體1包括：一場效電晶體與微參考電極晶片1 〇、一封裝晶 片20、一電極外接端組30及一接合材料40〇該場效電晶體 晶片與微參考電極1 〇包括：一基板11、一絕緣層12、一問 極氧化層13、一離子感測薄膜14以及一微參考電極15。該 基板11具有一源極111、一汲極11 2及一微參考電極導接區 Π3，其中該汲極112位於該源極in與該微參考電極導接 區113之間，且該源極π 1及該汲極112之間界定一通道區 114。較佳地，該基板丨丨係為一矽基板，在其他應用中， 該基板11亦可為一玻璃基板。 該絕緣層12形成於該基板η上，其具有—第一槽孔丨21 及一第二槽孔122。該第一槽孔12〗顯露部分該源極丨11、 I2I46I.doc 1342392 部分該汲極m及該通道區U4,該第二槽孔122顯露部分 該參考電極導接區113。在本實施例中，該絕緣層12係為 一二氧化矽/氮化矽層。 该閘極氧化層13覆蓋該第一槽孔121中之部分該源極 、部分該汲極112及該通道區U4e較佳地，該問極氧 化層13係為二氧化矽所形成。該離子感測薄膜“覆蓋該閘 極氧化層13並延伸覆蓋至該第一槽孔121周緣之部分該氧 化層13上。較佳地，該離子感測薄膜M係為一離子選擇性 薄膜（ISM)，在本實施例中’該離子感測薄膜丨锡為氧化 钽（Ta2〇5)所形成，或亦可為氧化鋁（Abo3)或氮化矽 (Si3N4) 〇 該微參考電極15形成於該汲極112與該微參考電極導接 區1丨3之間上方相對位置之該絕緣層丨2上，且電性連接該 微參考電極導接區U3。在該實施例中，該微參考電極15 具有一準參考電極151及一膠體層152。該膠體層ι52形成 於該準參考電極151上。該微參考電極15係為—微型氣化 銀參考電極’在本實施例中，該微參考電極15係 — 、田—缺/ 把/銀/氣化銀/氣化鉀膠體等多層薄膜所組成。其 上 欽、纪、銀及氣化銀組成該準參考電極15丨，而該膠體層 ^2(氣化鉀膠體）係由飽合氣化鉀洋菜膠所組成。 該封裝晶片20設置於該場效電晶體與微參考電極晶片^ 上’其包括：一感測槽孔21及内凹部22 ^較佳地，談封裝 晶片20係為一矽基板，或者，該封裝晶片2〇亦可為一 121461.doc 1342392 該感測槽孔21形成於該源極111與該汲極112之間上方相 對位置且顯露該離子感測薄膜丨4(在本實施例中，該感測 槽孔21顯露該離子感測薄膜14且顯露部分該絕緣層12)。 該内凹部22具有一多孔狀之玻璃或矽懸浮薄膜221及一環 牆222。該多孔狀之玻璃或矽懸浮薄膜221具有複數個可與 測試液接觸之微型測試液接觸孔223，該環牆222設置於該 /及極112與該微參考電極導接區丨13之間上方相對位置之該 絕緣層12上，且該内凹部22覆蓋該微參考電極15。 該電極外接端組30包括：一源極外接端31、一汲極外接 端32及一微參考電極外接端33。其中，該源極外接端3丨電 性連接該源極111，該汲極外接端32電性連接該汲極丨12， 該微參考電極外接端33電性連接該微參考電極導接區 113。 在本實施例中，該基板丨丨另包括一第一接觸孔丨丨5、一 第二接觸孔Π6及一第三接觸孔117。該第一接觸孔115、 該第二接觸孔116及該第三接觸孔丨17與該封裝晶片2〇分別 形成於該基板1 1之二相對側邊，且該第一接觸孔n5、該 第二接觸孔116及該第三接觸孔117分別顯露部分該源極 111、部分該汲極112及部分該微參考電極導接區113。其 中’該源極外接端3卜該祕外接端32及該微參考電極外 接端33分別覆蓋該第—接觸孔115、該第二接觸孔μ及該 第三接觸孔H7,且分別電性連接該源極⑴、該沒極ιι2 及該微參考電極導接區⑴。其巾，該源極外接端31、該 没極外接端32及該微參考電極外接端33與該封裝晶片μ分 I21461.doc •11 - 1342392 別形成於忒基板1 1之二相對側邊，故所製作完成之該第一 實施例之含微型氣化銀參考電極之氫離子感測場效電晶體 1為一背接式氫離子感測場效電晶體。 較佳地’該接合材料40設置於該場效電晶體與微參考電 極bb片10與β玄封裝晶片2〇之間，以接合該場效電晶體與微 參考電極晶片1 〇及該封裝晶片2〇，並密封該微型參考電極 15 其中’違接合材料40可為環氧樹脂（ep0Xy)或石夕膠 (silicon rubber)。 參考圖2，其顯示本發明第二實施例之含微型氣化銀參 考電極之單晶片氫離子感測場效電晶體。該含微型氣化銀 參考電極之氫離子感測場效電晶體5包括：一場效電晶體 與镟參考電極晶片50、一封裝晶片60、一電極外接端組7〇 及一封膠與接合材料8〇。該第二實施例之氫離子感測場效 電晶體5與上述圖丨該第一實施例之氫離子感測場效電晶體 1不同之處在於’該第一實施例之氫離子感測場效電晶體1 之該電極外接端組30與該封裝晶片2〇，分別形成於該基板 11之一相對平面，而為一電極外接端組3〇在背面之背接式 氫離子感測場效電晶體，該第二實施例之氫離子感測場效 電晶體5之該封裝晶片6〇及該電極外接端組7〇，形成於基 板5 1之相同平面（正面）而為一前接式氫離子感測場效電晶 體0 在該第二實施例中’該絕緣層52具有一第一接觸孔 521、一第二接觸孔522、一第三接觸孔523及一第四接觸 孔524(相當於第一實施例中之該第二槽孔122),分別顯露 121461 .doc •12· 1342392

該場效電晶體與微參考電極晶片50之部分源極511、部分 汲極512及部分微參考電極導接區513。該封裝晶片6〇具有 一第一通孔61、一第二通孔62及一第三通孔63，分別形成 於該絕緣層52之該第一接觸孔521、該第二接觸孔522及該 第三接觸孔523上方之相對位置（在該第一實施例中，該基 板11之該第一接觸孔115、該第二接觸孔116及該第三接觸 孔117與該封裝晶片2 0分別形成於該基板11之二相對平 面）。該第二實施例之氫離子感測場效電晶體5其他部分之 結構與該第一實施例之氫離子感測場效電晶體1相同（請參 閱上述圖1之敛述）’在此不再詳加賢述。 在該第二實施例中’該電極外接端組70之源極外接端 71、汲極外接端72及微參考電極外接端73分別設置於該第

接觸孔521、该第·一接觸孔522及該第三接觸孔523，且 分別電性連接該場效電晶體晶片50之該源極511、該沒極 512及該微參考電極導接區513。其中，該微參考電極外接 端73可包括一内接端731及一外接端732 ’該内接端73丨設 置於該場效電晶體與微參考電極晶片5〇之第四接觸孔524 中，並且電性連接該微參考電極55與該微參考電極導接區 513 ’該外接端732設置於該第三接觸孔523中且電性連接 該微參考電極導接區513。 另外，分別利用複數條導線74以電性連接該源極外接端 71、該汲極外接端72及該微參考電極外接端73之該外接端 732,並使得該等導線74顯露於該封裝晶片⑽外，用以與 -外部電路電性連接(圖未示出）。較佳地，再以該封膠與

12l461.doc •13· 1342392 接合材料80密封該第一通孔61、該第二通孔62及該第三通 孔63 ’且接合該場效電晶體與微參考電極晶片5〇及該封裝 晶片60，以製作完成該含微型氣化銀參考電極之氫離子感 測場效電晶體5 »在本實施例中，該封膠與接合材料8〇係 與第一實施例中之該接合材料4〇相同材質，其可為環氧樹 脂（epoxy)或矽膠（Siiic(m rubber)。 參考圖3，其顯示氣化鉀膠體的沉積對鈦/鈀/銀/氣化銀 層之電極電位的影響之量測結果圖。其中，L丨表示表面未 形成氣化卸層之一準參考電極（缺/纪/銀/氣化銀）之電位變 化曲線’其係浸入濃度〇〇 1 M的氣化鉀溶液中，以量測其 電位穩疋性。由L1可以發現，在起初的1 〇分鐘内，其漂移 電位高達16 mV，而之後1〇-60分鐘也有9 mV的變化，此 結果顯示該準參考電極之電位並不穩定，另外值得注意的 是其補偏電位高達18〇 mv，上述皆是嚴重的缺點。 L2及L3分別表示本發明二種具有氣化鉀膠體之參考電極 之電位變化曲線。由！^2及L3可知，本發明之參考電極在起 初的1 0分鐘其電位約減少6 5 mV，而之後1 〇 6〇分鐘則只 有士 〇·9〜1.4 mV的電位變化，而且其補償電位也十分低（約 〇_45 mV)。 圖4顯不氣化鉀膠體的沉積對鈦/鈀/銀/氣化銀層之電極 電位在不同pH值溶液下的影響之量測結果圖。在圖4中， L1表示不具有氣化鉀膠體之參考電極之電位變化曲線；[a 表示本發明具有氣化鉀膠體之參考電極之電位變化曲線。 圖5顯示氣化鉀膠體的沉積對鈦/鈀/銀/氣化銀層之電極電 12l46l.doc -14- 1342392 位在不同氣化鉀濃度溶液下的影響之量測結果圖。在圖5 中，L1表示不具有氣化鉀膠體之參考電極之電位變化曲 線，L2表示本發明具有氣化鉀膠體之參考電極之電位變化 曲線。 配合參考圖4及圖5，標準的參考電極不僅須在相同濃度 的/則δ式’谷液下維持一穩定的電極電位，在不同的pH值或不 同的氣離子濃度下也必須能維持固定的電位。由圖4之u 及圖5之L1可知，該不具有氣化鉀膠體之參考電極（鈦/鈀/ 銀/氣化銀層之準參考電極）之電位在ρΗ 4·ρΗ 1〇的變化下 幾乎不隨pH值而改變，但卻會明顯的隨氣離子濃度的不同 而改變其電極電位。 由圖4之L2及圖5之L2可知，本發明具有氣化鉀膠體之參 考電極（銥/纪/銀/氣化銀/氣化鉀電極）之電位皆不會受到氫 離子及氣離子濃度變化之影響，所以電位輸出十分趨近於 一穩定值：在pH 4-pH 1 〇的濃度變化下其電位改變量僅小 於2 mV , g氣化卸溶液濃度從〇 μ變化至0.6 μ其電極電位 改變十分微小，約為0.02-0.25 mV/pCh 參考圖6,其顯示本發明三種具有氣化鉀膠體之參考電 極（鈦/鈀/銀/氣化銀/氣化鉀電極）的再現性之量測結果圖。 其中，LI、L2及L3分別表示本發明三種具有氣化鉀膠體 之參考電極之電位變化曲線。由L1、L2&L3可知，將不 同批次製造的相同參考電極晶片浸入氣化鉀溶液（約 40ml ’ pH-7)中作再現性（repr〇ducibility)的量測，發現其 電極電位輸出的誤差在士5 mV以内，所以證明本發明之微 121461.doc 15 參考電極之製程穩定性相當高，這對產品之商品化十分有 利。 參考圖7 ’其顯示本發明在pH=10的溶液下量測氫離子 感測場效電晶體（PH-ISFET)K汲極電流與電壓特性曲線 圖如圖7所不’含積體化微參考電極之pH-ISFET特性量 測與利用半導體參數分析儀（HP-4145)量測pH-ISFET的輸 出電机/電壓特性，由圖7顯示之結果可以明顯看出其具 有基本的P通道金屬氧化物場效電晶體（MOSFET)的電晶體 特性’且當沒極的電位設定為_〇1 V、最大的互導 (transconductance)為 3.1 mA/V，而臨界電壓（threshold voltage)為-1.38 V。 參考圖8，其顯示本發明以氮化矽和氧化鈕為氫離子選 擇薄膜的pH值感測靈敏度之量測結果圖。其中，u表示 以氧化鈕為氫離子選擇薄膜之閘極電壓變化曲線；L2表示 以虱化矽為氫離子選擇薄膜之閘極電壓變化曲線。實驗結 果顯示，不同pH值對ISFET閘極電位有不同之影響。參考 L1，當該離子選擇性薄膜為氧化钽（Ta2〇5)時，其感測靈 敏度則高達56 mV/ρΗ，此值十分吻合於理論值（59 mV/ρΗ卜參考L2，當離子選擇性薄膜（ISM)為氮化矽 (Si3N4)時，其感測靈敏度僅為5〇 mWpH。 圓9顯示本發明含微型氣化銀參考電極之單晶片氫離子 感測場效電晶體之動態響應圖。如圖9所示，當待測的溶 液濃度以pH 7-pH 4-pH 7-pH 10-pH 7的次序變化，發現其 閘極電位不僅會隨之變化，而且比較兩週期之同一 pH值下 I21461.doc 1342392 的閘極電位差值（亦即遲滯度）十分小，證明本發明之氫離 子感測場效電晶體具有相當良好之動態響應。 綜合上述’本發明之氫離子感測場效電晶體昇有高線性 感測靈敏度（約56 mV/pH)與極低的遲滞性邙”…以⑷，而 鈦/鈀/銀/氣化銀/氣化鉀電極（微固態參考電極）具有高穩定 度（漂移（drift)=±0.9〜1.4 mV)、低補偏電位（Offset=〇.45 mV)以及高再現性（repr〇ducibility)小於〇·5 mV)。本發明之 氫#子感測場效電晶韹為可應用於金液pH值檢測，本發明 之含微型乳化銀參考電極之氫離子感測場效電晶體具有產 品可縮小化與可攜式化、檢測量可大幅減少、測試時間較 短、精確度較高、低製造成本以及高製程再現性 (reproducibility)等優點。 惟上述實施例僅為說明本發明之原理及其功效，而非用 以限制本發明。因此’習於此技術之人士對上述實施例進 行修改及變化仍不脫本發明之精神。本發明之權利範圍應 如後述之申請專利範圍所列。 【圖式簡單說明】 圖1顯示本發明第一實施例之含微型氣化銀參考電極之 單晶片氫離子感測場效電晶體； 圖2顯示本發明第二實施例之含微型氣化銀參考電極之 單晶片氫離子感測場效電晶體； 圖3顯示氣化鉀膠體的沉積對鈦/鈀/銀/氣化銀層之電極 電位的影響之量測結果圖； 圖4顯示氣化鉀膠體的沉積對鈦/鈀/銀/氣化銀層之電極 121461.doc 17 1342392 電位在不同pH值溶液下的影響之量測結果圖； 圖5顯示氣化鉀膠體的沉積對鈦/鈀/銀/氣化銀層之電極 電位在不同氣化鉀濃度溶液下的影響之量測結果圖； 圖6顯示本發明參考電極的再現性之量測結果圖； 圖7顯示本發明在p Η =丨〇的溶液下量測氫離子感測場效 電晶體的汲極電流與電壓特性曲線圖； 圖8顯示本發明以氮化矽和氧化鈕為氫離子選擇薄膜的 pH值感測靈敏度之量測結果圖；及 圖9顯示本發明含微型氣化銀參考電極之單晶片氫離子 感測場效電晶體之動態響應圖。 【主要元件符號說明】 本發明第一實施例之含微參考電極之氫離子感 測場效電晶體 5 10 12 13 14 15 20 21 22 30 本發明第二實施例之氫離子感測場效電晶體 場效電晶體與微參考電極晶片 基板 絕緣層 閘極氧化層 離子感測薄膜 微參考電極 封裝晶片 感測槽孔 内凹部 電極外接端組 12l46l.doc • 18- 1342392

31 源極外接端 32 汲極外接端 33 微參考電極外接端 40 接合材料 50 場效電晶體與微參考電極 51 基板 52 絕緣層 55 微參考電極 60 封裝晶片 61 第一通孔 62 第二通孔 63 第三通孔 70 電極外接端組 71 源極外接端 72 汲極外接端 73 微參考電極外接端 74 導線 80 封膠與接合材料 111 源極 112 汲極 113 微參考電極導接區 114 通道區 115 第一接觸孔 116 第二接觸孔 121461.doc -19- 1342392

117 第三接觸孔 121 第一槽孔 122 第二槽孔 151 準參考電極金屬層 152 膠體層 221 多孔狀之玻璃或矽懸浮薄膜 222 環牆 223 、測試液之接觸孔 511 源極 512 汲極 513 微參考電極導接區 521 第一接觸孔 522 第二接觸孔 523 第三接觸孔 524 第四接觸孔 731 内接端 732 外接端 121461.doc ·20·

Claims (1)

1. 第096123832號專利申請案 中文說明書替換本(99年1〇月） 十、申請專利範圍： I.—種含微型氣化銀參者雷朽·» 〇。n u " /哼罨極之早晶片氫離子感測場效電 晶體，包括： —場效電晶體與微參考電極晶片，包括·· —基板’具有—源極、m及—微參考電極導接 區，該汲極位於該源極與該微參考電極導接區之間， 且該源極及該汲極之間界定一通道區； :絕緣層’形成於該基板上，其具有—第_槽孔及 —第二槽孔，該第一槽孔顯露部分該源極、部分該汲 極及該通道區，該第二槽孔顯露部分該微參考電極導 接區： π饮礼1G增，覆蓋該第一槽孔之部分 分該汲極及該通道區；及 一離子感測薄膜，覆蓋該閘極氧化層並延伸覆蓋至 泫第一槽孔周緣之部分該閘極氧化層上；及 一微參考電極，形成於該汲極與該微參考電極導接 區之間上方相對位置之該絕緣層上，且電性連接該微 參考電極導接區： 一封裝晶片，設置於該場效電晶體與微參考電極晶片 ’其包括： 一感測槽孔，形成於該源極與該汲極之間上方相對 位置且顯露該離子感測薄膜；及 —内凹部，具有一多孔狀之玻璃或矽懸浮薄膜及— 環牆，該多孔狀之玻璃或矽懸浮薄膜具有複數個測試 121461-991025 不丨现寻刊甲請案 中文s兒明書替換本(99年】'〇'月） 液之接觸孔，該環牆 接區之間上方相對位置，:二及極與爾考電極導 極： 卞位置’该内凹部覆蓋該微參考電 一電極外接端組，包括·· 一源極外接端，電性連接該源極； -邊極外接端’電性連接該沒極；及 區1參考電極外接端，電性連接該微參考電極導接 與該=2 ’設置於該場效電晶體與微參考電極晶片 晶片”曰之間’以接合該場效電晶體與微參考電極 日日 〜封裝晶片，並密封該微型參考電極； 絕緣層另包括一第一接觸孔、一第二接觸孔及 分”“：孔’分別顯露部分該源極、部分該汲極及部 參考電極導接區；該封裝晶片具有—第—通孔、 2. 3. ’繁—通孔及一第三通孔’分別形成於該第-接觸孔、 接觸孔及該第三接觸孔上方之相對位置。 ::二们之含微型氣化銀參考電極之氫離子感測場效 明，其中該場效電晶體與微參考電極晶片之基板 為一矽基板。 ’、 電^項1之含微型氣化銀參考電極之氫離子感測場效 曰曰，其中該場效電晶體與微參考電極晶片之基板係 马—破螭基板。 =求項1之含微型氣化銀參考電極之氣離子感測場效 日曰體’其中該場效電晶體與微參考電極晶片之絕緣層 121461-991025 1342392 係為一二氧化矽/氮化矽層β 5. 如=求項丨之含微型氣化銀參考電極之氫離子感測場效 電阳體，其中該場效電晶體與微參考電極晶片之閘極氧 化層係為二氡化矽。 6. 如，求項r含微型氣化銀參考電極之氩離子感測場效 電aa體，其中該場效電晶體與微參考電極晶片之感測薄 膜係為一離子選擇性薄膜。 7. 如請求項丨之含微型氣化銀參考電極之氫離子感測場效 電晶體，其中該場效電晶體與微參考電極晶片之離子感 測薄骐係為氡化妲（Ta2〇5)。 如=求们之含微型氣化銀參考電極之氫離子感測場效 電曰曰體’其中該場效電晶體晶片之離子感測薄膜 化鋁（Al2〇3)。 勹礼 9 Ir求項1之含微型氣化銀參考電極之氫離子感測場效 電晶體’其中該場效電晶體晶 化石夕⑻心）。 ^離子感㈣膜係為I 10. 如請求項丨之含微型氣化銀 雷曰麯^ 勹电桠之虱離子感測場效 電曰曰體’其中該封裝晶片係為一矽基板。 11. 如請求項i之含微型氣化 雷曰許b 4電極之II離子感測場效 體’其_該封裝晶片係為-玻璃基板。 12. 如請求们之含微型氣化銀參考電極 β 電晶I*廿J- 氣離子感測場效 電日曰體，其t該微參考電極具有一 戶，寸、^旱參考電極及一膠體 曰""準參考電極形成於該汲極與1Μ A 之間上方相對位置之該絕緣导保 W上且於6玄環牆内，且電性 121461.doc 1342392 . 第096】23832號專利申請案 中文說明書替換本(99年丨〇月） 連接該微參考電極導接區，該膠體層形成於該準參考電 • 極上。 ]3·如請求項丨2之含微型氣化銀參考電極之氫離子感測場效 電明體，其中钂準參考電極係由鈦、鈀、銀及氣化銀所 組成。 4.如β求項丨2之含微型氣化銀參考電極之氫離子感測場效 電晶體，其中該膠體層係為飽合氣化鉀洋菜膠所組成。 15· ^求項12之含微型氣化銀參考電極之氫離子感測場效 电a曰體，其中該參考電極包括欽/纪/銀/氯化銀/氣化鉀a 16如=求項1之含㈣氣化銀參考f極之氫離子感測場效 電a曰體，其中4接合材料係為環氧樹脂（epoxy)。 17!求項1之含微型氣化銀參考電極之氫離子感測場效 6曰體’其中該源極外接端、該汲極外接端及該微來考 接端分別設置於該第一接觸孔、該第二接觸孔及 第二接觸孔，且分別電性i隶3 :15 4·χι 參考電極導接區。 。“、。、該汲極及該微 An:項：之含微型氣化銀參考電極之氫離子感測場效 :體’其中爾考電極外接端包括一内接端及一外 該㈣料置於Μ二以中^㈣微夭者雷 極與該微參考電極導接區之間， "' 電極與該微參考電極導接區q外端性連接該微參考 觸=中且電性連接該微參考電㈣^^設置於該第三接 1 9 .々#求jp」8之含微型氣化銀參考電 電晶體，另包括㈣條導線， 11離子感测場效 々別用以電性連接該源極 I2I46I-99I025 1342392 ‘ ， ' 第096123832號專利申請案 ； 中文說明書替換本(99年〗〇月） 20. 外接端、 該汲極外接端及該參考電 極外接端。 如請求項1 9之含微型氣化銀 電晶體，另包括一封膠材料 第二通孔及該第三通孔。 參考電極之氫離子感測場 ，用以密封該第一通孔、 效 該 2].如請求項2〇之含微型氣化銀參考電極之氮離子感測場效 電晶體，其中該封膠材料係與該接合材料相同材質。 22.如請求項21之含微型氣化銀參考電極之氫離子感測場效 電晶體，其中該封膠材料係為環氧樹脂(ep〇xy)。 121461-991025