TWI342075B - Ceramic package for led - Google Patents

Description

1342075 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本技藝係有關於發光二極體之封裝結構，尤其是一種使用 陶資*做為基材且具有不連續的兩個相對的反光邊壁的發光 二極體封裝結構。 【先前技術】 圖1是習知技藝 &知技藝如圖1所示’為中國專利公開號CN1588652所揭露之發光二 極體封裝。其揭露第-層陶瓷基材11上面安置有發光二極體12，第- 曰陶曼基材11側邊有一對垂直導通孔131，垂直導通孔131之孔壁具 有金屬用以將第1絲材11上面的金躲電性齡至第-陶究基材 11下面的金層區。

第a Π究基材14具有鏤空區⑷，第二層陶究基材14疊合至第一陶 曼基材11上方，鏤空區⑷容納發光二極體12。 圖2是圖1的ΑΛ’剖面圖 其揭露第一層陶瓷基材 112。第一層陶瓷基材u 11上面具有第一金屬區U1與第二金屬區 下面具有第三金屬區113與第四金屬區114， 第一垂直導通孔131將第—么 金屬區111電性耦合至第三金屬區1丨3 ;第 二垂直導通孔132將第二仝®拓， —金屬Ε 112電性耦合至第四金屬區U4。發光 5 1342075 二極體安置於第二金屬區112上方，發光二極體12具有底面電極電 性搞合至第二金屬區U2;發光二極體12具有表面電極，以打線η電 性搞合至第-金屬區丨n。第二層陶曼基材14具有鏤空區⑷，第二層 陶究基材14疊合至第—喊基材n上方，啦區⑷容納發光二極體 12。第一金屬區11丨經由導通孔13丨之孔壁金屬電性耦合至第三金屬區 113 ;第二金屬區112經由導通孔132之孔壁金屬電性耗合至第四金屬 區 114。 【發明内容】 本技藝揭露一種使用陶瓷做為基材且具有不連續的兩個相 對的反光邊壁的發光二極體封裝結構。提供光源以扇形出 光之發光二極體封裝裝置。 【實施方式】 圖3〜圖7本技藝之製程 圖3顯示準備第一片陶瓷基材2卜沿著水平線H製作第一組通孔231， 沿著垂直線V製作第二組通孔232。 圖4A顯示在第一陶瓷基材21上表面(第一面），製作第一金屬區221 與第二金屬區222;且在通孔孔壁製作導通金屬；第—金屬區221與第 二金屬區222電性耦合至相鄰的導通孔之孔壁金層。 6 1342075

上面與下面之 ’電性耦合第 通孔231以及232以孔壁金屬電性耦合第一陶曼基材21 金屬區；通孔231以及232也可以採用金屬填充的方式 一陶瓷基材2丨上面之金屬區與下面之金屬區。 圖9本技藝單顆產品立體圖 顯示當第一組垂直導通孔231安置於水平切割線H上時，且當第一組 垂直導通孔232不安置於垂直切割、線V上時，可以產出長邊具有下方 缺口的產品如圖9Α所示。 當第一組垂直導通礼231不安置於水平切割線η上時，且當第二組垂 直導通孔232安置於垂直切割線V上時，可以產出短邊具有下方缺口 的產品如圖9Β所示。 當第一組垂直導通孔231不安置於水平切割線Η上時，且當第二組垂 直導通孔232也不安置於垂直切割線V上時，可以產出短邊、長邊皆 不具有下方缺口的產品如圖9C所示。 圖10本技藝串聯產品立體圖 顯示當第一組垂直導通孔231安置於水平切割線Η上時，且當第二組 垂直導通孔232不安置於垂直切割線V上時，可以產出長邊具有下方 缺口的產品如圖10Α所示。 當第一組垂直導通孔231不安置於水平切割線Η上時，且當第二組垂 9 1342075

直導通孔232安置於垂直切割線v上時，可以產出短邊具有下方缺口 的產品如圖10B所示。 當第-組垂直導通孔231不安置於水平切割線H上時，且當第二組垂 直導通孔232也不安置於垂直切割線v上時，可以產出短邊、長邊皆 不具有下方缺口的產品如圖10C所示。 前述描述揭示了本技藝之雛實施_及設計m紐實施例 以及設計圖式僅是舉峨明，並_於關本郷之個範圍於此， 凡疋以均等之技^•手段I施本技藝者、或是以下述之「巾請專利範圍」 所涵蓋之糊制而實施者，科麟本技藝之精神而為申請人之權 利範圍。 1342075 【圖式簡單說明】 圖1習知技藝 圖2是圖1的載面圖 圖3〜圖7本技藝之製程 圖8本技藝單顆產品透視圖 圖9本技藝單顆產品立體圖 圖10本技藝串聯產品立體圖 【主要元件符號說明】 第一陶瓷基材21 發光二極體22 金屬區 221,222,223,224 打線23 導通孔231,232 第二陶瓷基材24 鏤空區241 反光壁2411,2412 膠體25 切割線H,V，

Claims (1)

1342075 99年8月27日修正替換 ' 十、申請專利範園： -—- ， 1. 一種陶瓷封裝發光二極體，包含： (1) 第一層陶瓷基材，更包含： (a) 第一面，具有第一金屬區與第二金屬區； (b) 第二面，具有第三金屬區與第四金屬區，可供表面黏著用； (c) 第-纽導通金J，柄合前述之第—金歧至前述之第三金屬區； 以及 (d) 第二組導通金屬，耦合前述之第二金屬區與前述之第四金屬區； (2) 第二層陶瓷基材，疊合於前述之第一陶瓷基材上方，具有鏤空區，該 鏤空區更包含： 一組相對的反光壁及一組相對的開放區，前述之反光壁位於前述之鏤空 區之相對兩側’前述之開放區位於前述之鏤空區之另相對兩側；以及 (3) 發光二極體，安置於前述之第一陶瓷基材上方，電性分別搞合至前述 之第一金屬區以及第二金屬區；且安置於前述之相對的反光壁之間。 2. 如申請專利範圍第1項所述之陶瓷封裝發光二極體，其令所述之發 光二極體之電性耦合至前述之第一金屬區以及第二金屬區，係指打線耦 合(wire bonding) 〇 3. 如中請專利範圍第1項所述之陶瓷封裝發光二極體，其中所述之發 光二極體之電性柄合至前述之第一金屬區以及第二金屬區，係指接觸耦 合(flip chip bonding)。 4. 如申請專利範圍第丨項所述之陶瓷封裝發光二極體，其中所述之反 光壁，係呈斜面狀。 12 1342075 99命8月27曰修，镇 5. 如恤·M 1 _述之卩_嶋光：極 材料安置於t切目_反版m，_物輸以光二極體 以及電路。 6. 如申請專利範圍第！項所述之陶究封裝發光二極體係莫多顆串聯 狀者。 7. 如申請專利範圍第1項所述之陶究封裝發光二極體，係#顆並聯 狀者。 8. 如申請專利範圍第1項所述之陶究封餅光二極體，其中所述之導 通金屬’係指具有金屬壁之通孔。 9. 如申-月專利把圍第1項所述之陶究封裝發光二極體，其中所述之導 通金屬’係指填充金屬之通孔。 1〇.如申請專利範圍第1項所述之陶軸發光二極體，对所述之第 -組導通金屬，係安置於前述之第基材之邊緣。 U·如申綱麵1酬物：勝其帽述之第 二組導通金屬，縣置於前述之第1絲材之邊緣。 12. —種陶瓷封裝發光二極體之製作方去 人 、 包含♦ (1)準備第一層陶瓷基材，包含： ⑻第-面，製作第-金屬區與第二金屬區. ⑼第二面’製作第三金屬區與第四金㈣’，可供表面黏著用； (c)製作第-組導通金屬，_合前 區；以及 奴*-金舰讀述之第三金屬 13 99年8月27日修正替換 (d)製作第二組導通金屬，耦合前述之第二金輕^述_____ 區； (2) 準備具有一組相對的反光壁及一組相對的開放區之第二層陶瓷戎 付’疊合於前述之第一陶瓷基材上方；以及 (3) 準備發光二極體，安置於前述之第一陶瓷基材上方’電性分別耦合至 前述之第一金屬區以及第二金屬區；且安置於前述之相對的反光壁之 間。 13.如申請專利範圍第12項所述之陶瓷封裝發光二極體之製作方法， 更包含透光膠體封裝步驟，封裝保護前述之發光二極體以及電路。 μ.如申請專利範圍第12項所述之陶瓷封裝發光二極體之製作方法， 其中所述之導通金屬，係指製作有金屬層於通孔孔壁者。 15. 如申請專利範圍第I2項所述之陶瓷封裝發光二極體之製作方法， 其中所述之導通金屬’係指將金屬填充於通孔中者。 16. 如申請專利範圍第12項或13項所述之陶瓷封裝發光二極體之製作 方法，更包含切割步驟於最後，將產品切割成為多顆串聯狀。 17. 如申請專利範圍第12項或13項所述之陶瓷封裳發光二極體之製作 方法，更包含切割步驟於最後，將產品切割成為多顆並聯狀。 18. 如申請專利範圍第16項所述之陶瓷封裝發光二極體之製作方法， 其中所述之切割’其切割線通過部份前述之第一導通金屬。 19，如申請專利範圍第16項所述之陶瓷封裝發光二極體之製作方法， 其中户斤述之切割，其切割線通過部份前述之第二導通金屬。 14 1342075 . __ . 99年8月27日修正替換 20. 如申請專利範圍第17項所述之陶瓷封裝發光二極體之製作方法， 其中所述之切割，其切割線通過部份前述之第一導通金屬。 21. 如申請專利範圍第17項所述之陶瓷封裝發光二極體之製作方法， 其中所述之切割，其切割線通過部份前述之第二導通金屬。 15