TWI238405B

TWI238405B - Application of porphyrin on fluorescent multilayer recording medium and manufacturing method thereof

Info

Publication number: TWI238405B
Application number: TW091132429A
Authority: TW
Inventors: Ming-Chia Lee; Wen-Yih Liao; The Hu; Chien-Wen Chen; Chung-Chun Lee
Original assignee: Ind Tech Res Inst; Univ Tsinghua
Priority date: 2002-11-01
Filing date: 2002-11-01
Publication date: 2005-08-21
Also published as: TW200407878A; US20040085950A1; JP2004158164A

Description

1238405 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】曰本發明是關於一種螢光多層記錄媒體及其製造方法，特別疋f 種賴独短波長雷射進行存取之顧紫質化合物之螢光多層記錄媒體及其製造方法。【先前技術】

Ik著貝訊與多媒體世代的來臨，包括電腦、通訊、消費性 C〇mmunicatio^ Consumer Electronics) 的儲存密度及容量之需求也不斷的增加。就 ίΐί f f、而言，—般以紅光訪#讀喊源的光資訊儲 ΐ制。目十Γΐίΐί學^極限的問題，記錄密度相對受到有:ΐ提尚光資訊儲存媒體之記錄密度的原理及方包括有近期已成功開發其製程的技術射改為藍ΐΐδ; 如將雷射光源由紅光雷峨編碼^式或_胃超解析近場光學 ”、彔方式以及將資訊儲存媒體多声化以接古杳π抒六丄甘體(如光侧容量的技術，亦體發展，將儲存容量以整二助一度工間夕層化儲存媒儲存密度。 k升。以上的方法皆能有效提高〔H.ft乂細土短讀取雷射光源的波長方面，係有由日立九家公夏司辆齡触，透過利用存轉由此可知，、、、二度空間多層化儲存媒體技術受限於同頻破 1238405 ^生干涉效應，使其多層碟片結構之層數受到限制。年由D· A. Pathen〇P〇ul〇s等人首度提出利用偵測有材料在不同狀態受雷射激發的螢光放射強弱 ^ ，，並以此克服了多層碟片結構中同頻破壞性干涉的m Russell更進-步開發好層螢光綠錄媒體及= 路糸統’如美國第5278816號專利。並且，於_ ^美國的 onstellation 3D公司展示了以螢光多層 ^ (Flu〇rescent Multilayer Disc, FMD)技術研發製^的播放哭光多層光碟片係使用了螢光染料來當做=片的=| 土料。虽雷射光照射到螢光染料時’即釋放出一種頻率 & f射的螢光。光碟機中的谓測器會搜尋這種螢光而灰略兩射 ί於==同广f襄性干涉的問題，可堆疊多層:錄層於先碟片的早一面上。由上述技術發展可知，如社人雷射存取光源與螢光多層記錄題，即可再進—步提^單^ 【發明内容】本發明的目的係揭露一種應用造方法。利用紫質化合物(PGrphyri^g錯己子效率且對於波長小於500奈米之光線有著極大吸收本，十’來作為螢光多層記錄媒體的染料。以波長小於_夺 2物咖九^1長、4()5/米的藍光)之短波長雷射激發含紫質化 Λ分子薄膜時，其瞬間產生之榮光放射波長大於此妓放射強度即可作為記錄料ίΐΓί將紫質化合物用來作為螢光多層記錄媒體的染科’1質化合物化學結構以圖示方式表示如下： 1238405

其中’化學結構式之組成為：

Ri、R2、r3、r4、r5、r6、r7、m Rii 及 Ri2 可分別為相同或不同之基團，係選自氫原子、鹵素原子、含取代基之 Cw之烷基、不含取代基之Cl_8之烷基、含取代基之Ci8之烷氧基、不含取代基之Cl_8之烧氧基、Cl-8之烧酯基、含氮雜環、叛基、硝基(nitro group)、金剛烷羰基(adamantyl carbonyl group)、金剛烷基（adamantyl group)、烯基（alkenyl group)、炔基(alkyny 1 group)、氨基(amino group)、偶氮基（azo group)、芳香基(aryl group)、經基苯(aryloxy group)、羧基本(aryl car bony 1 group)、經基苯幾基(aryl oxy carbonyl group)、羰基苯經基(arylcarbonyloxy group)、經基苯叛基 (aryloxycarbonyloxy group)、烷羰基（alkylcarbonyl group)、烷羧基(alkylcarbonyloxy group)、烧氧羧基 (alkoxycarbonyloxy group)、烧氧幾基（alkoxycarbonyl group)、氨基曱酸基(carbamoyl group)、氰酯基(cyanate group)、氰基(cyano group)、曱醯基（formyl group)、曱醯氧基（formyloxy group)、雜環基(heterocyclic group)、異硫代氰酯基（isothiocyanate group)、異氰基（isocyano group)、異氰酯基（isocyanate group)、亞硝基（nitroso group)、全氟烧基(perfluoroalkyl group)、全氟烧氧基 (perfluoroalkoxy group)、績胺基（sulfinyl group)、磺醯基(sulfonyl group)、石夕烧基(silyl group)和硫代氰S旨基 1238405 (thiocyanate group)所組成的族群之其中之一。而Μ係為氫分子(¾)、鐘(Li2)、納（N&)、鎂（Mg)、舞（Ca)、銃(Sc)、鈦(Ti)、鈒⑺、鉻(cr)、錮（M〇)、鐘(Μη)、鐵(Fe)、锇（〇s)、姑(Co)、鍺(Rh)、銥（ir)、鎳（Ni)、鈀(Pd)、鉑（pt)、銅（Cu)、銀(Ag)、金(Au)、鋅(Zn)、鍺(Ge)、錫（Sn)、銻（Sb) 所組成的族群之其中之一。本發明所揭露之應用紫質化合物之螢光多層記錄媒體及其製造方法，則是以紫質化合物所形成的螢光薄膜來作為記錄層。由於紫質化合物具有相當大的史托克轉移（St〇ke，s shift)，史托克轉移即螢光物質於受激態返回基態時，其釋放 $具有能量的光子（即螢光），因為在溶液或固體狀態下的能量扣失’所放出的螢光通常具有比入射激發光較低的能量及較長的波長，二者間的差異稱為史托克轉移。所以，具有較大史托克轉移的螢光_記錄層，可輕祕由濾光片而將人射雷射光與螢光的波長關，如此，免人射㈣触光放制的干擾 ^oss-talk)，而可正確無誤的只彳貞測職級射強度作為資和埶，化合物染料之高分子_具有極佳的光 it 波長（小於500奈米）之雷射光源進行激發時，可不需添加任何光安定劑。 ^吏^發明的目的、構造特徵及其功能有進一解，炫配合圖示詳細說明如下：【實施方式】及且合物之妓乡層記錄媒體中紫=== =合物的受激放射性質，列舉數個紫^=量=12 率、入射激發光的最大吸收位置與螢光放射波長，其^象 1238405 (1)至（5)分別為： (1)5,10,15, 20-Tetrapheny；l-21H，23H-Porphyrin(簡稱 TPP)，其結構式如下所示：

(2)5,10,15, 20-Tetrakis(4-hydroxyphenyl)-21H，23H-Porph yrin (簡稱TPP-OH )，其結構式如下所示：

OH

(3)5,10,15, 20-Tetrakis(4-carboxyphenyl)-21H，23H-Porph yrin(簡稱TPP-COOH)，其結構式如下所示：

C〇〇H

C〇〇H 1238405 (4)5, 10, 15, 20-Tetrakis(4-adamantyl-carbonyl)-21H，23H-porphyrin (簡稱TPP-ADMT )，其結構式如下所示：

OR

(5)5, 10,15, 20-Tetraphenyl-21H，23H-porphyrin zinc (簡稱Zn-TPP )，其結構式如下所示：

上述化合物係溶於丙二醇曱醚（Propylene Glycol Monomethyl Ether, PM)溶劑以進行測量。其測量結果如表一： 1238405 表一化合物簡稱紫外光(U V)最大吸收位置螢光放射位置螢光效率 (1) TPP 415奈米 •----— 651奈米 0.22 (2) ΤΡΡ-0Η 421奈米 658奈米 0.18 (3) TPP-COOH 419. 5奈米 653. 5奈米 0.19 (4) TPP-ADMT 421奈米 659奈米 0.24 (5) Zn-TPP 423奈米 603奈米 0.18 由紫質化合物之紫外光（uv)最大吸收位置與螢光放射位置可知，應用紫質化合物之螢光多層記錄媒體適用於以小於 500奈米之短波長雷射來進行存取，特別是目前已開發出的短波長藍光雷射（波長405奈米）。 ^同時，進一步將上述之化合物（2)(即TPP-OH)製成螢光薄 f以其^貝，將TPP-⑽溶解於高分子溶液中以形成體積莫耳/辰度10 Μ之染料溶液，其高分子溶液係為含百分之2 〇重量百分率(wt%)聚乙烯醇縮丁醛（polyvinylbutyral，pVB) 之乙酸丙二醇單甲基醚酯(卿ylene glyc〇1麵此邮 acetate，PGMEA)。將染料溶液利用塗佈方式，塗佈於聚碳酸 ^旨之透明基板上並進行烘乾製程，以形成—$絲錄層薄膜，溥膜之紫外光最大吸收位置波長為425奈米（Amax=425nm)，而以波長為權奈麵藍光f射激發，錢光最大放射位置波長為662奈米（又⑽=662nm)，如第i圖所示，其為τρρ_〇Η 成膜於聚碳酸酯基板之螢光圖。以及，利用波長奈米之銘 J雷射激發此縣_所得之紅㈣光放射，如第2,圖所示二 ”為榮光賴>}受波長4G5nm藍光雷射激發後產生之紅色螢光訊號光點照片（圖中紅色光點處）。為洋細說明本發明所闡述之榮光多層記錄媒體結構，請參 _ ^ 3圖’其為本發明之應用紫質化合物之榮光多層記錄媒體 =圖。其結構包含有··第-基板⑽，其為一透明基板(含溝執或預刻之訊號坑）；記錄疊層11G，其覆蓋於第一基板刚 12 1238405 )表面—，記錄疊層110係由第一螢光薄膜U1、第一隔一、第二螢光薄膜113和第二隔離層114所組成，第一二，膜111和第二螢光薄膜113係由紫質化合物所形成；及，土板200，係覆蓋於記錄疊層以作為保護層。其中’透明基板所含之溝執或預刻之訊號坑係作為以提供讀取頭的雷射循執之用。記錄疊層可由多“ 薄膜顺成，-層螢·狀厚射為5G奈紅麵^先而螢光薄膜之間係間隔有一隔離層。从制日収包種應用紫質化合物之螢光多層記錄媒體的衣k方法，請參考第4圖，其為本發明之製作流程圖。豆步驟包含有：首先，提供含溝軌或預刻之訊號坑的第一基板'(步鲁驟310)，同時地，加入高分子材料於有機溶劑配置成透明高，分子溶液(步驟320);將一紫質化合物溶解於透明高分子溶液，中，以形成染料溶液（步驟330);再將染料溶液塗佈於該第一基板上並進行烘乾，以形成一螢光薄膜（步驟340);塗上一隔離層於螢光薄膜表面（步驟350);最後，將第二基板貼合於隔離層以作為保護層（步驟36〇)。其中，本發明更包含於步驟360之前依序重複進行一次以上步驟340到步驟350，即重複於第一基板表面形成多層之螢光薄膜及隔離層。而本發明所使用之高分子材料可選自甲殼素春 (chitin)、醋酸纖維素類或聚乙烯樹脂類。有機溶劑則可選自 Ci-6之醇類（alcohol)、Ci-6之酮類（ketone)、Ci-6之醚類 (ether)、二丁_ (dibutyl ether，DBE)、_素化合物或酿胺（amide)。可使用之有機溶劑中，Ci-6之醇類可為甲醇（methanol)、 : 乙醇（ethanol)、異丙醇（iSOpr〇panol)、二丙酮醇 - (diacetonalchol ; DAA)、2, 2, 3, 3-四氟丙醇 · (2, 2, 3, 3-tetrafluoropropanol)、三氣乙醇 (trichloroethanol)、2-氯乙醇（2-chloroethanol)、八氟 13 1238405 戍醇（octafluoropentanol)或六氟丁醇 (hexafluorobutanol) ; Ci-6之酮類係選自丙酮（acetone)、甲基異丁酮（methyl isobutyl ketone ;MIBK)、曱基乙基酮 (methyl ethyl ketone ； MEK) - propylene glycol monoethyl ether、propylene glycol monoethyl acetate 矛口 3—經基一3— 曱基-2-丁酮（3-hydroxy-3-methyl-2-butanone)所組成的族群其中之一；鹵素化合物可為氣仿（chloroform)、二氯曱;J：完 (dichloromethane)或 1-氯丁烷（1-chlorobutane);醯胺可為二曱基曱醯胺（dimethylformamide，DMF)、二甲基乙醯胺（dimethylacetamide，DMA)或甲基環己烧

(Methylcyclohexane，MCH)。並且，其透明高分子溶液的濃度為百分之0.1至20重量百分比(wt%)，其濃度較佳值為百分之 1至5重量百分比（wt%)。而紫質化合物與透明高分子溶液所配成的染料溶液之濃度係為ΗΓ7至1〇_2體積莫耳濃度(M)。更進一步說明其製程步驟，其塗佈染料溶液於基板上並進行烘乾，以形成一螢光薄膜的步驟，係以旋轉塗佈、滾壓塗佈、含浸及喷墨（injet printing)，其中之一方法進行塗佈。而將弟^一基板貼合於隔離層以作為保護層的步驟，其貼合方式係選自旋轉塗佈法、網印、熱融膠法及雙面膠帶貼合法其中之一^

另外，本發明所揭露的應用紫質化合物之螢光多'層記掸體及其製作方法’其第-基板與第二基板的材料可為聚酿類? 聚碳酸酯（Polycarbonate, PC)、聚甲基丙烯酸甲’ (Polymethylmethacrylate，P_)或環聚烴共聚= (Metallocene Catalyzed Cyclo 〇iefin ㈣吻财二⑶

以及，隔離層可以選用50奈米至200奈米的介電層或丨至20微米的高分子層。而其介電層材料可選自硫化二惫^ 石夕(ZnS-Si〇2)、硫化辞(ZnS)、氮化銘(A1N)、氮二氧化矽氣凝膠（Siiicaaerogel)。而且，為立夕shiN) J 光強度及增加碟片之保存壽命，亦可於第二基板與記錄g之 14 1238405 ，鍍上50奈米至300奈米之反射層；其反射 ,、紐合金、雜合纽金其雖然本發明之較佳實施例揭露如上所述，鈇i 定本發明，任何熟習相關技藝者，在不脫^本巧 =内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之專利須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。’、已圍【圖式簡單說明】第1圖為TPP-OH成膜於聚碳酸酯基板之螢光圖；第2圖為螢光光碟片受波長4〇5nm藍光雷射激發後產生之紅色螢光訊號光點照片第3圖為本發明之應用紫質化合物之螢光多層記錄媒體示意圖；及第4圖為本發明之製作流程圖。【主要元件符號說明】 100 苐一基板 110 記錄疊層 111 第一螢光薄膜 112 第一隔離層 113 第二螢光薄膜 114 第二隔離層 200 弟二基板參 15

Claims

1238405 十、申請專利範圍： 1· 一種紫質化合物，係用來作為以小於5〇〇奈米之短波長雷射來進行存取之螢光多層記錄媒體的染料，其具有如下之化學結構式··

該化學結構式之組成為： Rl、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、Rig、Rii 及 Ri2 分別為相同或不同之基團，係選自氳原子、鹵素原子、含取代基之 Ci-8之烷基、不含取代基之C1_8之烷基、含取代基之C18之烷氧基、不含取代基之Cm之烷氧基、G-8之烷酯基、含氮雜環、

叛基、硝基(nitro group)、金剛烷羰基（adamantyl carbonyl group)、金剛烷基（adamantyl group)、浠基（alkenyl group)、炔基(alkyny 1 group)、氨基（amino group)、偶氮基(azo group)、方香基(aryl group)、經基苯(aryloxy group)、羰基苯(arylcarbonyl group)、羥基苯羰基 (aryloxycarbonyl group)、羰基苯羥基(aryicarb〇nyl〇xy group)、羥基苯羧基(aryloxycarbonyloxy group)、烷羰基 (alkylcarbonyl group)、烷羧基(alkylcarbonyloxy 16 1238405 group)、烧氧緩基（alkoxycarbonyloxy group)、烧氧幾基 (alkoxycarbonyl group)、氨基曱酸基（carbamoyl group)、氰酯基(cyanate group)、氰基(cyano group)、甲醯基（f〇rmyl ， group)、曱醯氧基（formyloxy group)、雜環基(heterocyclic group)、異硫代氰酯基（isothiocyanate group)、異氰基 (isocyano group)、異氰酯基（isocyanate group)、亞硝基 (nitroso group)、全氟烷基(perfluoroalkyl group)、全氟烷氧基（perfluoroalkoxy group)、磺胺基（sulfinyl 參 group)、石黃醯基（sulfonyl group)、矽烧基(si lyl group)和硫代氰酯基(thiocyanate group)所組成的族群之其中之一；及 Μ係為氳分子(H2)、鋰(Li2)、鈉(to)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鏡(Sc)、鈦(Ti)、飢(V)、鉻(Cr)、I目（Mo)、猛(Μη)、鐵(Fe)、餓(Os)、鈷(Co)、铑(Rh)、銥（Ir)、鎳（Ni)、鈀(Pd)、鉑（Pt)、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、鋅(Zn)、鍺(Ge)、錫(Sn)、銻(Sb)籲所組成的族群之其中之一。 2. —種應用紫質化合物之螢光多層記錄媒體，係適用於以小於 500奈米之短波長雷射來進行存取，其包含有：一第一基板，係為具有一訊號表面之透明基板；、一記錄疊層，其覆蓋於該訊號表面，該記錄疊層係由一 · 層以上的螢光薄膜所組成，該螢光薄膜係由一紫質化合物所 17 1238405 幵y成母螢光薄膜之間係間隔有一隔離層，其中該紫質化合物，具有如下之化學結構式：

私、R2、R3、R4、R5、Re、R?、R8、R9、Rl。、心及 Ri2 分別為相同或不同之基團，係選自氫原子、鹵素原子、含取代基之 C!-8之烷基、不含取代基之Gy之烷基、含取代基之之烷氧基、不含取代基之G-8之烷氧基、Q-8之烷酯基、含氮雜環、羧基、硝基(nitro group)、金剛烷羰基（adamantyl carbonyl group)、金剛烷基（adamantyl group)、烯基（alkenyl group)、快基(alkyny 1 group)、氨基(amino group)、偶氮籲基(azo group)、芳香基(aryl group)、羥基苯（aryloxy group)、幾基苯(arylcarbonyl group)、經基苯幾基 (aryloxycarbonyl group)、羰基苯羥基(aryicarbonyloxy group)、羥基苯羧基(aryloxycarbonyloxy group)、烷羰基 · (alkylcarbonyl group)、烷羧基(alkylcarbonyloxy . group)、烷氧羧基（alkoxycarbonyloxy group)、烷氧羰基 18 1238405 (alkoxycarbonyl group)、氨基曱酸基(carbamoyl group)、氰酯基（cyanate group)、氰基（cyano group)、甲蕴基（formyl group)、甲醯氧基（formyloxy group)、雜環基(heterocyclic group)、異硫代氰酯基（isothiocyanate group)、異氰基 (isocyano group)、異氰酯基（isocyanate group)、亞靖基 (nitroso group)、全氟院基(perfluoroalkyl group)、全氟烧氧基(perfluoroalkoxy group)、石黃胺基（sulfinyl group)、續醯基(sulfonyl group)、矽烧基(silyl group)和硫代氰酯基(thiocyanate group)所組成的族群之其中之一； Μ係為氫分子(¾)、鋰(Li2)、鈉(Na2)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、銃(Sc)、鈦(Ti )、釩(V)、鉻(Cr)、鉬（Mo)、錳(Μη)、鐵(Fe)、餓(Os)、始(Co)、姥(Rh)、銥（Ir)、鎳（Ni)、鈀(Pd)、翻（Pt)、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、鋅(Zn)、鍺(Ge)、錫（Sn)、録(Sb) 所組成的族群之其中之一；及一第二基板，係覆蓋於該記錄疊層以作為保護層。 3. 如申請專利範圍第2項所述之應用紫質化合物之螢光多層記錄媒體，其中該第二基板係為一透明基板。 4. 如申請專利範圍第2項所述之應用紫質化合物之螢光多層記錄媒體’其中該第一基板與該第二基板的材料係選自聚酯類、聚碳酸酯（Polycarbonate, PC)、聚曱基丙稀酸曱酯 (Po 1 ymethy 1 methacry 1 ate，PMMA)及環聚烴共聚物 1238405 (Metallocene Catalyzed Cyclo Olefin Copolymer, mCOC) 所組成的族群其中之一。 5·如申請專利範圍第2項所述之應用紫質化合物之螢光多層記、錄媒體，該螢光薄膜之厚度係為5〇奈米至1〇〇〇奈米。 6·如申請專利範圍第2項所述之應用紫質化合物之螢光多層記錄媒體，其中該隔離層係選自一介電層與一高分子層其中之 ^- 〇 7. 如申請專利範圍第6項所述之應用紫質化合物之螢光多層記擊錄媒體，其中該介電層的厚度係為5〇奈米至2〇〇奈米。 8. 如申請專利範圍第6項所述之應用紫質化合物之螢光多層記錄媒體’其中該介f層材料係選自硫化鋅_二氧化石夕 CSi〇2)、硫化鋅(ZnS)、氮化⑽1N)、氮化糾⑽和二氧化石夕氣娜(Siliea aerogel)所組成的族群其中之一。 9. 如申請專利範圍第6項所述之應用紫質化合物之營光多層記錄媒體’其中該高分子層的厚度係為i微米至微米。參 10. 如申請專利範圍第2項所述之應用紫質化合物之勞光多層記錄媒體’其中更包含於該第二基板與該記錄疊層之間設二反射層。 11·如申請專利範圍第H)項所述之應用紫質化合物之營光多層記錄媒體’其中該反射層材料係選自金、銀、紹、石夕、銅、銀，、鈦合金、銀鉻合金及賴合麵組成職戦中之一。 20 1238405 12. 13. 麵10項所述之應用紫質化合物之勞光多層錄某體’其中該反射層的厚度係為50奈米至3〇〇太米 :種應用紫質化合物之螢光多層記錄媒體的製造=法，其包 a)提供-第-基板’其為具有—訊號表面之透明基板 ⑹加入-高分子材料於—有機溶劑配置成—透明高分子溶液；以形成 (C)將-紫質化合物溶解於麵明高分子溶液中，一染料溶液；以形成一 (d)將該染料溶液塗佈於該基板上並進行烘乾，螢光薄膜； (e) 塗上一隔離層於該螢光薄膜表面；及 (f) 將第一基板貼合於該隔離層以作為保護層。 14. 如申請專利範圍第13項所述之應用紫質化合物之榮光多層記

錄媒體的製造方法，其中更包含於步驟(e)之後，依序重覆— 次以上步驟(d)到步驟(e)。 15. 如申請專利範圍第13項所述之應用紫質化合物之螢光多層記錄媒體的製造方法，其中該第二基板係為一透明基板。

16·如申請專利範圍第13項所述之應用紫質化合物之螢光多層記錄媒體的製造方法，其中該第一基板與該第二基板的材料係選自聚酯類、聚碳酸酯（p〇lyCarb〇nate，pc)、聚甲基丙烯酸 21 1238405 甲酯（Po 1 ymethy 1 methacry 1 ate，PMMA)及環聚烴共聚物 (Metallocene Catalyzed Cyclo Olefin Copolymer, mCOC) 所組成的族群其中之一。 Π ·如申請專利範圍第13項所述之應用紫質化合物之螢光多層記錄媒體的製造方法，其中該高分子材料係選自甲殼素 (chitin)、醋酸纖維素類和聚乙烯樹脂類所組成的族群其中〇 18·如申請專利範圍第16項所述之應用紫質化合物之螢光多層記錄媒體的製造方法，其中該有機溶劑係選自一 Cw之醇類 (alcohol )、一 Ci-6之酮類（ketone)、一 Ci-6之醚類（ether)、一二丁醚（dibutyl ether，DBE)、一 _素化合物和一醯胺 (amide)所組成的族群其中之一。 19·如申請專利範圍第18項所述之應用紫質化合物之螢光多層記錄媒體的製造方法，其中該Cl-6之醇類係選自曱醇 (methanol )、乙醇（ethanol )、異丙醇（isopropan〇1)、二丙酮醇（diacetonalchol ;DAA)、2,2,3,3-四氟丙醇 (2, 2, 3, 3-tetraf luoropropanol )、三氯乙醇 (trichloroethanol)、2-氯乙醇（2〜chloroethanol)、八氟戍醇（octafluoropentanol)和六氟丁醇 (hexafluorobutanol)所組成的方矣君_其中之一。 2〇·如申請專利範圍第18項所述之應用紫質化合物之螢光多層記 22 1238405 錄媒體的製造方法，其中該G-6之酮類係選自丙酮 (acetone)、曱基異丁酮（methyl isobutyl ketone ; MIBK)、 · 曱基乙基_( methyl ethyl ketone ;MEK)、propylene glycol -monoethyl ether、propylene glycol monoethyl acetate 和3-羥基-3-曱基-2-丁酮 (3-1^(11'(^7-3-11^也71-2-1)111^11〇116)所組成的族群其中之 —〇 21. 如申請專利範圍第18項所述之應用紫質化合物之螢光多層記 _ 錄媒體的製造方法，其中該函素化合物係選自氯仿 (chloroform)、二氯曱烷（dichloromethane)和 1 -氯丁烧 (1 -chlorobutane)所組成的族群其中之一。 22. 如申請專利範圍第18項所述之應用紫質化合物之螢光多層記錄媒體的製造方法，其中該醯胺係選自二甲基甲醯胺 (dimethylformamide，DMF)、二曱基乙醯胺 (dimethylacetamide，DMA)和曱基環己烧 φ (Methylcyclohexane，MCH)所組成的族群其中之一。 23·如申請專利範圍第13項所述之應用紫質化合物之螢光多層記錄媒體的製造方法’其中該透㈣分子溶液的濃度係為百分之0· 1至20重量百分比（wt%)。 ’ 24.如申請專利範圍第13項所述之應用紫質化合物之榮光多層記，· 錄媒體的製造方法，其巾該翻高分子溶液的濃度較佳值係 23 1238405 為百分之1至5重量百分比（wt%)。 25·如申請專利範圍第13項所述之應用紫質化合物之螢光多層記錄媒體的製造方法，其中該染料溶液之濃度係為1〇-7至1〇-2 體積莫耳濃度(M)。 26. 如申請專利範圍第13項所述之應用紫質化合物之螢光多層記錄媒體的製造方法，其中該將该染料溶液塗佈於該基板上並進行烘乾，以形成一螢光薄膜的步驟，係以旋轉塗佈、滾壓塗佈、含浸及喷墨（ink-jet printing)其中之一方法進行塗佈。 27. 如申請專利範圍第13項所述之應用紫質化合物之螢光多層記錄媒體的製造方法，該螢光薄膜之厚度係為5〇奈米至1〇〇〇奈米。 28. 如申請專利範圍第13項所述之應用紫質化合物之螢光多層記錄媒體的製造方法，其中該隔離層係選自一介電層與一高分子層其中之一。 29. 如申請專利範圍第28項所述之應用紫質化合物之螢光多層記錄媒體的製造方法，其中該介電層的厚度係為5〇奈米至2〇〇奈米。 30. 如申請專利範圍第28項所述之應用紫質化合物之螢光多層記錄媒體的製造方法，其中該介電層材料係選自硫化鋅—二氧化矽（ZnS-Si〇2)、硫化鋅（ZnS)、氮化鋁（A1N)、氮化矽（SiN)和 24 1238405 一氧化石夕氣凝膠(S i 1 i ca aeroge 1)所組成的族群其中之— 31.如申請專利範圍第28項所述之應用紫質化合物之螢光多層吃錄媒體的製造方法，其中該高分子層的厚度係為丨微米至劭微米。 · 32·如申請專利範圍第13項所述之應用紫質化合物之螢光多層艽錄媒體的製造方法，其中更包含於步驟（f)之前，進行_於兮第二基板表面鍍上一反射層的步驟。 33. 如申請專利範圍第32項所述之應用紫質化合物之螢光多層記 · 錄媒體的製造方法，其中該反射層材料係選自金、銀、鋁、矽、銅、銀鈦合金、銀鉻合金及銀銅合金所組成的族群其中 ~ ° 34. 如申請專利範圍第32項所述之應用紫質化合物之榮光多層記錄媒體的製造方法，其中該反射層的厚度係為50奈米至300 奈米。 35. 如申請專利範圍第I3項所述之應用紫質化合物之螢光多層記 · 錄媒體的製造方法，其中該將第二基板貼合於該隔離層以作為保護層的步驟，其貼合方式係選自旋轉塗佈法、網印、孰融夥法及雙面膠帶貼合法其中之一。 … 25