TWI238095B - Method for soldering two substrates and solder joints formed therein - Google Patents
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1238095 玖、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種無錯焊料,尤其有關—種表面上被 形成有-銦4或銦纟金層的無錯焊才斗。 【先前技術】 *軟焊是電子產品中最重要之連結技術。焊點品質之良 T ’亦是直接與電子產品之可靠度息息相關。然而基於環 境保護與工業安全之老旦 ^ 、、 之考里,取代傳統錫鉛合金之無鉛焊 科 成為目别電子工章Φ早'^ μ ^ 、菜中最重要之議題。目前最受重視的 …、錯焊料為Sn-Ag-Cu之J£曰命、a u . 之,、日日與近共晶合金。雖然Sn-Ag-cu a金具有良好之性質,铁 貝…、而與傳統之Sn_Pb共晶合金比較, 點南出三十多庚攝洋 又攝氏。而此高熔點之焊料之引進,勢 必引起電子工業在势藉I 士、 、, 隹I耘與成本上之諸多變動。Sn-In共晶焊 :亦為良好之無鉛焊料,而且其相對之熔點亦低。然而因 :銦之價格昂貴’且共晶之Sn_In合金含In量高達一, 仏格過高成為Sn_In焊料在使用上之主要缺點。 g Cu D金除了具有較高熔點之缺點外,值得特別 =意的是其為三元之合金。在近年來電子4之—項重要 ^ 又j重視。奴者技術之演進與高密度 裝之需求’目前之覆晶基板焊料凸塊之製備,已漸從傳 :厚膜印刷技術改變為電鍍之製程。毫無疑問的此三元合 :的电鍍製程’將會成為此技術發展巨大之瓶頸。更令人 擔憂的是最近關於Sn_Cu_Ag的探討中發現,與傳統的 1238095
Sn-Pb合金不同,使用 相種類,對Cu含量:g_Cu谭料時其所生成之介金屬 量之控制須要十八之:之敏感’也即是在製程上對Cu含 易二確。三元合金之電鑛原已十分不 易,在組成上希冀有精準十刀不 ,_ 4更將疋十分之困難。 本^明之一目的即是在 、 高炼點、且電鏟生成不易之難:目V:Ag-Cu焊料之 a ^ n ,, 、 以及若疋採用Sn-In共 曰曰知枓價格將過高之難題。 /、 :發明為在無錯焊料之表面上生長一層銦或銦合全 刊莖丁 η + 仗用電鑛、蒸鍍、印刷、沾 Μ、 生成。此含10之金屬層於焊接之製程十 ^並與上下的母材接觸龍,降溫凝固後形成可靠之 ^點。因為姻的溶點僅為156价,比Μ共晶之峨 更低’焊接將可於較低之溫度下操作。而於焊接之過程中, 姻會與其所包覆的含錫之無錯焊料合金反應,因為Sn_In 之共晶溫度為UOL所以在短暫之焊接時間内,焊料會 形成梯度,但其表面保持為液相,並與基材有良好之潤^ 於焊接之過程中不致於因溶入過多之錫,而產生液相溫度 上升之困擾。目前之相關技術中’並未見到任何相同之辦 法0 已知之應用中有於高鉛焊料外加共晶焊料之作法[Nah et al.,J〇Urnal 〇f Applied Physics, v〇 94〇2),pp 756〇 7566, 2003],以降低焊接所須之溫度。韓國漢城大學 of Seoul)之鄭在弼教授則提出,於Sn_3 5wt%Ag之共晶焊 料外,加上Sn-Bi共晶焊料之作法[2〇〇4 TMS annual 1238095 meeting, Charlotte,NC,usA]。與本案相似的部份在於此二 種作法之目的,主要皆在於降低軟焊操作之溫度。然而前 者因係為含鉛之焊料,所以並不符合目前無鉛之趨勢。而 後者則因為含Bi,所以在接點之性質上,並未能跳脫出含 Βι材料於接點脆化之問題。此外則因與朴頗為類似,其 對人類是否會有毒性,則尚屬於未經探討之未知。
FuerhaUpter [Fuerhaupter et al·,US532〇272,1994]提出於
Sn Bi外鑛上如金之材料薄層,但其目的為改進含則之脆 化問題,與本案之鍍銦與降低操作溫度並不相同。 與銦相關之文獻亦頗多[Krueger et al.,DE3306154, 1984; Weigenetal,Ep〇787818, 1997],但並無與本發明相 同之技術。IBM 之 Digiacomo Giulio [US6025649, 2000]亦 曰提生成柱狀Sn_Pb焊料,在於焊柱之一端鍍上銦,如此 之、纟。構於迴焊後可生成Pb_Sn-In之接點,以提升其焊點之 耐疲勞性質。此發明之重點在於使用銦較佳之耐疲勞性 貝而且其底材為Sn-Pb之焊料,與本案所提之為降低操 乍/JHL度且底材為無錯焊料之特徵完全不同。本發明因係 利用外鍍銦,而銦具有熔點低、抗疲勞特性佳、以及界面 反應較緩和等多項優點。而且更重要的是,因| In-Sn系 '從、、、屯In到共晶之組成,具有非長寬廣之組成範圍、與非 苇平、、爰的度與組成變化梯度。這將使得本發明可以於軟 知過転中’可以有較寬廣的組成變化操作區間。 除了上述之優點外,奥地利維也納大學之ipser教授, 指出了高錫焊料在低溫下,可能會有灰錫(Un pest)脆化之 1238095 問題[2004 TMS annual meeting,Charlotte,NC,USA]。lpser 指出引進銦於錫中,對灰錫之問題有明顯之改善,這亦會 是鍍銦所引起的優點。本發明鍍銦之濃度梯度焊料得以應 用,與銦是低熔點之金屬,以及Sn_In之共晶區域寬廣平 緩直接相關。Tamura 與 Murayam [Jp2〇〇1219267, 2⑻”於 年開為了以一道電鍍(Sn-In及Sn-Bi)之程序以製傷 Sn-In-Bi基之焊料。然而此目的為製備三元合金,與本發 明為利用In之低熔點及Sn_In之共晶區域寬廣平緩之特性 無關。無絡焊料已勢在必行,而隨著覆晶技術之漸成主流, 間距之縮小已使得電鍍技術成為必要,本發明具有立即商 業上應用之利基。 η q η分j 八本發明在含錫之無鉛焊料之表面上形成一銦層或銦 二層,此銦或銦合金層可以使用電鍍、蒸鍵、印刷、沾 ,不同之方法生成。此含銦之金屬層於焊接之製程中 蛐’:潤溼與其接觸的基材及該無鉛焊料,降溫凝固後 2可罪之:):干接點。因為銦的熔點僅為i56.6〇c,比 之183 C更低’焊接將可於較低之溫度下操作。而於 ,過私中’銦會與該含錫之無鉛焊料合金反應形成_ 區因為Sn~In之共晶溫度為12〇〇c,所以在短暫之焊 、間内’含銦之無錯焊料會形成梯度,但其表面保 相,並與基材有良好之潤澄。 馬 本發明因係利用Μ 用外鍍銦,而銦具有熔點低、抗疲勞 ί238〇95 个生杜 、以及界面反應較緩和等多項優點。而且更重要的是, 為1n-Sn系統從純Ιη到共晶之組成,具有非長寬廣之組 _JL> ^ 乾圍、與非常平緩的溫度與組成變化梯度。這將使得本 毛明可以於軟焊過程中,可以有較寬廣的組成變化操作區 間’於焊點形成濃度梯度。 【貫施方式】 本么月揭示一種連接兩基材的軟焊接點,至少包含: 附著於一第一基材的一表面上的一無鉛焊料層,該無 鉛焊料包含錫且實質上不含鉛; 、、、口 口於第一基材的一表面上的一含銦層,該含 為銦或熔點低於該無鉛焊料的銦合金;及 連接該無錯焊料層及該含銦層的梯度層,該梯度層具 有-沿該無錯焊料層向該含銦層方向改變的銦含量,且該 梯度層包含該無料料層與該含銦層的液相反應產物。 本各月亦揭示一種軟焊兩基材的方法,包含下列步驟: a)準備一具有含銦層無錯焊料點的第一基材,其中該含 姻層無錯焊料點包含一附著於該第一基材的一表面上 的,、、、乱焊料層及一附著於該無錯焊料層的含姻層,該 無錯焊料包含錫且實質上不含錯,及該含銦層為銦或 熔點低於該無鉛焊料的銦合金; b) 將該第-基材的該表面接觸 且加熱該含銦層無鉛焊料點 該含銦層和該無鉛焊料層蓋 一第二基材的一表面,並 ’使得該含銦層熔融,及 生一液相反應;及 1238095 c)冷卻介於該第一基材與第二基材的兩表面之間的焊料 點’於疋結合5亥第一基材與該第二基材。 較佳的,本發明方法步驟a)中的含銦層無鉛焊料點係 藉由電鍍、蒸鍍或印刷一無鉛焊料層於該第一基材的表面 上及電鍍、蒸鍍或印刷一含銦層於該無鉛焊料層上而形 成。更佳的,該含銦層係被電鍍於該無鉛焊料層上。 較佳的,該無鉛焊料為錫。 較佳的,該無鉛焊料為錫合金。更佳的,該錫合金為 Sn-Ag,Sn_Cii 或 Sn-Ag_Cii 合金。 較佳的,該含銦層為錮。 較佳的,該軟焊接點具有小於49重量%的銦,以該軟 焊接點的總重量為基準’以小於30重量%的銦為更佳:人 本發明可藉下列實施例被進一步 用於% 〆啄解該專貫施例僅 用於说明,而非用於限制本發明範 實施例一: 於硫酸銦之酸性電鍵液使用 電流衆疮馬陽極 又 A/dm及40°c,在錫基材之表面進行铲銦 經過1小時之眭„铋π w琨仃鍍銦 …夺間後,可以得到均勾的銦層 如圖1所示。 υ μιη与 實例—· 以類似於實施例一 之迴¥。銦層之厚度為 的鍍銦錫基材,與鎳基材進行170oc 5〇〇_ ’迴焊時間為2分鐘。結果 1238095 良好之接點。在銦與錫之接觸面上,顯示有液相反應 之口P份。除了銦於焊 ^ 〜接過Μ為液相外’亦可以見到部份 在:解’以及固化後之多相區。此固化後之多相區, 2之二固Γ前為包含液相及界面反應生成相之區域。如圖 、相妝片所示,多相區域約為8〇 μιη。 實施例三: 、」類似於實施例-的鍍銦錫基材,與鋼基材進行 之迴焊。銦層之厚度為500 μηι,迴焊時間為5分鐘。結 生成良好之接點。在銦與錫之接 、° 之部份。除了銦於焊接過程中為、夜心^有❹反應 々n、 甲馮,夜相外,亦可以見到部份 之錫被溶解,以及固化後之多 扃l门 匕便之夕相£。此固化後之多相區, 在^固化前為包含液相及界面反應生成相之區域。其多 相區域約為8 Ο μηι,如圖3所示。 實施例四: 170QC之迴焊。銦 。結果生成良好之 以鍍銦之錫銀基材,與鎳基材進行 層之厚度為500 μπι,迴焊時間為2分鐘 接點。 實施例五: 進行i7〇°c之迴焊。銦 分鐘。結果生成良好之 以鍍銦之錫銀基材,與銅基材 層之厚度為500 μπι,迴焊時間為2 接點。 1238095 實施例六: ”碌卷材進杆 、 銦層之厚度為500 μιη,迴焊時間為 之迴焊。 之接點。 、刀鐘。結果生成良好 實施例七: 以鍍銦之錫銀銅基材,與銅基材進行17以之迴卜 銦層之厚度為_ μιη,迴焊時間為干 之接點。 、-果生成良好 【圖式簡單說明】 圖1為依本發明實施例一所完成的鍍銦錫基材的剖面 之光學顯微鏡金相照片。 圖2為依本發明實施例二所完成的鍍銦錫基材與鎳基 材的焊接點的剖面的光學顯微鏡金相照片。 圖3為依本發明實施例三所完成的鍍銦錫基材與鋼基 材的焊接點的剖面的光學顯微鏡金相照片。 12
Claims (1)
1238095 拾、申請專利範圍·· 種連接兩基材的軟焊接點,至少包含: 附著於帛一基材的一表面上的一無錯焊料層,該無 鉛焊料包含錫且實質上不含鉛,· t合於—第二基材的_表面上的—含銦層,該含姻層 為銦或熔點低於該無鉛焊料的銦合金;及 連接該無錯焊料層及該含銦層的梯度層,該梯度層具 =一沿該無鉛焊料層向該含銦層方向改變的銦含^ 量,且該梯度層包含該無錯焊料層與該含鋼層的液相 反應產物。 2、如申請專利範圍第!項的軟焊接點,其中該無錯焊料 為錫。 如申請專利範圍第丨項的軟焊接點,纟中該無錯焊料 為錫合金。 4、
如申請專利範圍第3項的軟焊接點,其中該錫合金為 Sn-Ag,Sn-Cu 或 Sn-Ag-Cu 合金。 6、
如申請專利範圍第1至4 點’其中該含銦層為銦。 如申請專利範圍第1至4 點,其中該軟焊接點具有小 焊接點的總重量為基準。 如申請專利範圍第5項中的 點具有小於49重量%的銦, 基準。 項中任一項所述的軟焊接 項中任一項所述的軟焊接 於49重量%的銦,以該軟 軟焊接點,其中該軟焊接 以該軟焊接點的總重量為
13 ϊ238〇95 如申請專利範圍第6項中的軟焊接點,其中該軟焊接 點具有小於30重量%的銦,以該軟焊接點的總重量為 基準。 如申請專利範圍第7項中的軟焊接點,其中該軟悍接 點具有小於30重量%的銦,以該軟焊接點的總重量為 基準。 、一種軟焊兩基材的方法,包含下列步驟··
a) 準備一具有含銦層無鉛焊料點的第一基材,其中 該含銦層無錯焊料點包含一附著於該第一基材的一表 面上的無鉛焊料層及一附著於該無鉛焊料層的含銦 層’該無錯焊料包含錫且實質上不含錯,及該含鋼層 為銦或熔點低於該無鉛焊料的銦合金; b) 將該第一基材的該表面接觸一第二基材的一表 面,並且加熱該含銦層無鉛焊料點,使得該含銦層熔 融,及該含銦層和該無鉛焊料層產生一液相反應及
〇冷卻介於該第-基材與第二基材的兩表面:間的 焊料點’於是結合該第一基材與該第二基材。 11、如申請專利範圍第10項的方法, $ π万忐,其中該含銦層無鉛焊 料點係藉由電鑛、蒸鍍或印刷_無錯焊料層於該第一 土材的表面上及電鍍、蒸鍍或印刷一含鋼層於該無錯 焊料層上而形成。 12、 如申凊專利範圍第丨丨項的 貝幻万凌,其中該含銦層係被電 鍍於該無鉛焊料層上。 13、 如申請專利範圍第項的 $ J乃居,其中該無鉛焊料為 14 1238095 錫。 14、 15、 16、 17、 18 > 19、 20 \ 如申請專利範圍第10項的方生甘^ 合金。 去,其中該無鉛焊料為錫 如申請專利範圍第14 Cn Λ , , , ^方法,其中該錫合金為 g Sn_Cu 或 Sn-Ag-Cu。 如申晴專利範圍第丨〇至丨5 A 項中任一項所述的方法, 其中该含銦層為銦。 如申请專利範圍第10至15頊由乂 t 項中任一項所述的方法, 共T該含銦層無鉛焊料點 #人△ 叶點具有小於49重量%的銦,以 鑪a銦層無鉛焊料點的總重量為美準。 如申請專利範圍第項 认土 > 錯焊料點具有小於49重旦^方法’其中該含姻層無 料點的總重量為基準。的銦,以該含銦層無錯焊 如申請專利範圍第17項中 、〒的方法,其中該含銦層無鉛 坪科點具有小於3 〇重晋 % ^ , 。的銦,以該含銦層無鉛焊料 點的總重量為基準。 卞7卞 如申請專利範圍第18項中 焊M κ目+ , 、的方法,其中該含銦層無鉛 料點具有小於3 〇重蜃 1J: ^ ^ 里。的銦,以該含銦層無鉛焊料 點的總重量為基準。 卞7卞 15
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| TWI238095B true TWI238095B (en) | 2005-08-21 |
| TW200534948A TW200534948A (en) | 2005-11-01 |
Family
ID=37000190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW93112072A TWI238095B (en) | 2004-04-29 | 2004-04-29 | Method for soldering two substrates and solder joints formed therein |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWI238095B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8763884B2 (en) | 2006-09-29 | 2014-07-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Joint with first and second members with a joining layer located therebetween containing Sn metal and another metallic material; methods for forming the same joint |
-
2004
- 2004-04-29 TW TW93112072A patent/TWI238095B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8763884B2 (en) | 2006-09-29 | 2014-07-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Joint with first and second members with a joining layer located therebetween containing Sn metal and another metallic material; methods for forming the same joint |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200534948A (en) | 2005-11-01 |
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