TWI235891B - Lithographic apparatus, device manufacturing method, and computer program - Google Patents

Description

1235891 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影投影裝置，其包括： -一輻射系統，其用以供應一輻射投影光束； -一支撐結構，其用以支撐圖案化構件，該圖案化構件用 來依據一所需圖案將該投影光束圖案化； -一基板台，其用於固持一基板； 一投影系統’其用以將該圖案化光束投影在該基板之— 目標部分上；以及 一干涉位移量測系統’其用以量測該裝置之一可移動电 件的位移，並包括將感應器量測與該可移動組件 聯的一模型。 砂關 【先前技術】 此處所用術語「圖案化構件」應廣義地解釋為可用以賦 對：=Γ光束一圖案化斷面的構件’該圖案化斷面係 =於要建立在基板之一目標部分中的一圖案； 下亦可使用術語「光閥一 月斤、 在目彳*邱八士 叙而g，該圖案將對應於建立 在目；^部分中的元件之一 盆他元件（表g下令〉 犯㈢，例如一積體電路或 一，下文）。此類圖案化構件之範例包括： -一遮罩。料的概念在微影術中為 括例如-i隹也丨-址 亚且其包 丨如-進制、父替位移及衰減位移之遮 種混合遮罩類型。將此、 及各 撞擊在避罩Η以4 卓敌置於輪射光束令，會導致 (在透射遮罩& _、W 圖案而進行選擇性透射 透射遮草的情況下）或反射（在反射遮罩的情況下）。在一 92186.doc 1235891 將為一遮罩台，其確保可在 固持該遮罩，並且若需要則 元件的一範例為具有一黏彈 陣可定址表面。此類裝置的 已定址區域將入射光反射為 入射光反射為非繞射光。採 中濾出該非繞射光，而僅留 即依據陣列矩陣可定址表面 一可程式反射鏡陣列之另外 之一矩陣配置，藉由施加一 動構件，各微型反射鏡可圍 ’反射鏡為矩陣可定址式， 將入射輪射光束反射至未定 矩陣可定址反射鏡之定址圖 用適當的電子構件實行所需 種情形下，圖案化構件可包 。有關此處所指的反射鏡陣 國專利第US5,296,891號及第 請案第WO 98/38597號及第 (引用的方式併入本文中。在 遮罩的情況下，支撐結構一般 入射輻射光束中的一所需位置 可相對於光束移動該遮罩。 -一可程式反射鏡陣列。此類 性控制層及一反射表面的一矩 基本原理為（例如）反射表面的 繞射光’然而未定址區域則將 用適當濾光器，可自反射光束 下繞射光；採用此方式，光束 的定址圖案變為圖案化光束。 具體實施例使用一微型反射鏡 適當的局部電場或使用壓電驅 繞一軸線個別傾斜。再次說明 因此定址反射鏡將以不同方向 址反射鏡；採用此方法，依據 案可將反射光束圖案化。可使 的矩陣定址。在以上說明的兩 括一或多個可程式反射鏡陣列 列之更多資訊，可從（例如）美 US 5,523，193號與PCT專利申 W0 98/33096號中收集，其係c 可程式反射鏡陣列之情況下，該支撐結構可具體化為（例如） 一框架或台面，其可根據需要為固定或移動。 -一可程式LCD陣列。此類構造之一範例係提供在美國專 92186.doc 1235891 利第US 5,229,872號中，其係以引用的方式併入本文中。如 以上所况明，在此情况下支撐結構可以具體化為（例如）一框 架或台面’其可根據需要為固定式或移動式。 基於簡單之目的，本文其餘部分將在特定位置專門探討有 關遮罩及遮罩台的範例，然❿，此類實例中所探討的通用 原理應適用於上述較廣域的圖案化構件中。 微影投影裝置可用於（例如）積體電路（integrated cnxuhs; 1C)的製造。在此情況下，圖案化構件可產生對應 於1C之-個別層的-電路圖案，並可將此圖案成像至已塗 佈一層對輻射敏感的材料（光阻劑）之一基板（矽晶圓）上的 一目標部分（例如包括一或多個晶粒）上。一般而言，一單一 晶圓將包含鄰近目標部分之一整個網路，該等部分係經由 投影系統連續加以照射，每次照射一部分。在本裝置中， 藉由遮罩台上的遮罩進行圖案化，可區分成兩種不同類型 的機器。在-類型的微影投影裝置中，—次操作中各目標 部分係#由將整個冑罩圖案曝光至目標部分上而加以照 射；此類裝置係通常稱為一晶圓步進器。在一替代裝置（通 常稱為-步進及掃描裝置）中’各目標部分係藉由在投影光 束下沿—給定參考方向（「掃描」方向）逐個掃描遮罩圖案， 同時同步掃描平行或反平行於此方向的基板台；因為一般 而言，投影系統將具有一放大因數M(_般而言<”，掃描基 板台所用的速度V將為-因數Μ乘以掃描遮罩台所用的速 度。關於此處說明的微影元件之更多資訊可從（例如）US M46,792中收集，其係以引用的方式併入本文中。 92186.doc 1235891 在採用微影投影裝置的製造方法中’將一圖案（例如在一 遮罩中）成像至至少部分由一層對輻射敏感的材料（光阻劑〕 所覆蓋的基板上。在此成像步驟之前，基板可經歷各種矛呈 序，例如打底、光阻劑塗佈及軟烘。曝光之後，該基板可 ，，-又八他私序，例如曝光後洪乾bake ; B)肩衫、硬烘及成像特徵之量測/檢查。此程序陣列係 用作一基礎，以圖案化一元件（例如IC)之一個別層。接著，' 此圖案化層可經歷各種處理，例如蝕刻、離子植入（摻雜）、 金屬化、氧化、化學機械拋光等，所有處理旨在完成—個 別層。若需要許多|，則必須為各新層重複整個程序，或 其一變化。最後，一元件陣列將呈現在基板（晶圓）上。接著 藉由一技術（例如切割或鋸開）將該等元件彼此分離，因此可 將個別7L件安裝在—載體上、與—接針連接等。關於此類 處理的進-步資訊可從以下書籍中獲得：「微晶片製造：半 導體處理之實用指南」，第三版，由 Zant提供，

McGraw Hlll出版公司於1997年出版，書號為is_ 〇-〇7-06725〇-4，其係以引用的方式併入本文中。 基於簡單之目的，投影系統以下可稱為「透鏡」；然而， 此術語應廣義地解釋為包括各種類型的投影I统，例如包 括折射光學部件、反射光學部件及反折射系統。韓射系統 亦可包括依據該等設計類型之任一者操作的組件，以引 導、成形或控制輻射投影光束，而且此類組件以下亦可統 稱或單獨稱為「透鏡」。此外，微影裝置可以為具有二或多 個基板台（及/或二或多個遮罩台）之一類型。在此類「多級 92186.doc -9- 1235891 元件中’可以並列使用額外台面，或在一或多個台面上實 行準備步驟，而一或多個其他台面則用於曝光。雙級微影 裝置係說明在（例如）1^ 5,969,441及评〇 98/40791中，其係 以引用的方式併入本文中。 為將用以形成一元件層的圖案精確地印刷至形成於基板 上的先前層之頂部上，必須瞭解整個曝光處理中遮罩（或圖 案化構件）以及基板的位置。為此目的，在許多賓也知的微影 裝置中，採用以干涉儀為基礎的系統來連續地量測遮罩台 及基板台的位移。此類系統之一範例係揭示在「採用先進 度量系統在晶圓步進器中進行覆蓋式及逐區域水準量測」 中，其係由Μ·Α. vandenBrink等人在1992年3月於美國加州 王荷西在微影SPIE討論會上提出。其中所說明的六自由度 干涉儀系統使用雙路徑干涉儀以及較大光束尺寸，以便即 使當干涉儀旋轉時固定安裝在基板台上的量測反射鏡之變 化角度所引起的干涉儀之未對準情況下，纟量測光束與參 考光束之間仍保持有足夠的重疊。根據假定平面及並列波 刖的一簡化原理，此目的為因量測反射鏡之傾斜而引起的 光束到切之效應並不影響位移量測之結果，因為信號位準 可能存在減少，而非位移。然而，本發明者已決定在此量 測系統中，量測反射鏡之傾斜確實影響量測位移，例如因 波如彎曲而引起。 【發明内容】 本發明之一目的係提供一種干涉位移量測系統，其中可 移除或改善反射鏡傾斜之效應影響。 92186.doc -10- 1235891 達到此目的及苴# g k ，、他目的係依據本 -微影裝置，其特徵為該模型結合至規定的 表示干涉位移量測系統旦 X項，该項為 的一函數。 1測光束的光束剪切之一變數 本發明者已決定即使力旦 儀中採用…/ 射鏡之傾斜所影響的干涉 儀中知用沾知的位置或位移量測之配置 ^ 非準確地垂直於量測光束時，仍可引… 鏡亚 用平面反射鏡干涉儀中 大的㈣。在商 菸、、，3U i 吏用一角^鏡在量測路徑上兩次 發运置測光束可防止量測 人 =二反射率反射鏡之非垂直性而引起的幾何結 …的模型，係基於假定平面及並列波前的簡化原理。 任一平面性偏移（例如因為 l U為先束扣向中的誤差所導致的偏 ’或者-維或二維中的不對稱光束彎曲，可在光 之情況下引起定位誤差。因此依據本發明，將—校正引入 T /儀拉型中，該引入係以一或多個取決於光束剪切的校 正項之形式，該光束剪切即為量測反射鏡傾斜之效應。 在一較佳具體實施例中，校正項為與以下之至少一者（並 且車父佳為全部）成正比的一變數之函數：干涉儀之一固定部 分與量測反射鏡之間的光學路徑之長度、量測光束所形^ 的忒路搜之通行的數量、以及量測光束與量測反射鏡之間 的角度。採用此方法，變數表示量測光束與參考光束之間 的偏移，其中該等光束相互干擾並可精確地表現出誤 特徵。 亦為較佳地係二正交方向的分離校正受到影響，因為傾 92186.doc -11 - 1235891 斜誘導誤差之原因可能在不同方向有差別。此外，校正項 較佳為表示光束剪切之變數的例如二次或更高次多項式， 該多項式在機器的最初校準期間或週期性校準期間致動係 數的輕易配合。 在干涉儀系統量測數個線性自由度的情況下，較佳地在 所有自由度中進行校正並且較佳地考量從線性量測中導出 的旋轉自由度。 根據本發明之y 一 方面，楗仏一種採用一微影投影裝置 的兀件製造方法，該方法包括以下步驟： -提供至少部分由一層對輻射敏感的材料所覆蓋之一基 板； 才木用一輻射系統提供一輻射投影光束； -採用®案化構件在該投影光束之斷面上料該投影光 束一圖案； 將邊圖案化輻射光束投影至該層對輻射敏感的材料之 一目標部分上；以及 用干涉位移量測系統量測該微影投影裝置之一可 動、且件的位移’ f亥系統包括將感應器量測與該可移動組 之位移關聯的一模型； 其特徵為 ^ 型結合至少一校正項，其為表示該干涉位移量測系 、、’之—量測光束的光束剪切之一變數的一函數。 不 發"明_ X ^ ^ —万面提供一種包括程式編碼構件的電腦r 工’當在-電腦系統上得以執行時，該程式指示該電腦: 92186.doc -12- 1235891 位移量測系統之感應器量測，計算-微影投 構件，用以物件的位移’其特徵為該程式包括編碼 系站s 項’其為表示該干涉位移量測 …之一 m束的光束剪切 < 一變數的一函數。 本發明之電腦程式可安裝在現有微影機器以及新賴機哭 上，以致動將本發明「翻新」為一升級形式。 σ。 雖然本文提供使用依據本發明之裝置來製造ic的特定夫 考’但是應清楚瞭解此類裝置具有許多其他可能的應用: 例如’其可用以製造積體光學系统、磁轉記憶體之導引及 摘測圖案、液晶顯示器面板、薄膜磁頭等。熟習此項技術 者將瞭解在此類替代應用之背景下，此文中使用的任一術 語「主光罩」、「晶圓」或「晶粒」應視為分別由更通用術 浯「遮罩」、「基板」及「目標部分」取代。 在本文件中，術語「輻射」及「光束」係用以包括所有 類型的電磁輻射，包括紫外線輻射（例如具有波長365、 248、193、157或126 nm)及EUV(遠紫外線輻射，例如具有 範圍在5至20 nm内的波長），以及粒子光束，例如離子光束 或電子光束。 【實施方式】 具體實施例1 圖1示意性描述依據本發明之一特定具體實施例的一微 影投影裝置。該裝置包括： 一輻射系統Ex、IL，用以供應一輻射（例如EUV輻射）投 影光束PB，其在此特定情況下亦包括一輻射源LA ; 92186.doc -13- 1235891 -第-物件台(遮罩台)Μτ，其具有一遮罩固持器用以固 斜=遮罩MA(例如—主光罩），並且與第—定位構件連接以 、’項目PL·而精確地定位該遮罩； :第二物件台（基板台）WT，其具有-基板固持器用以固 、一基板W(例如一光阻劑塗佈矽晶圓），並且與第二定位構 件連接以針對項目PL而精確地定位該基板； 才又影系統（「透鏡」）PL(例如反射透鏡群組），其用以將 遮罩MA之一照射部分成像至基板w之目標部分c(例如包 括一或多個晶粒）上。 如此處所描述，該裝置為一透射類型（例如具有一透射遮 罩）。然而，一般而言，其亦可為（例如）一反射類型（例如具 有一反射遮單）。或者，該裝置可使用另一種圖案化構件， 例如以上所指一類型的可程式反射鏡陣列。 輻射源LA(例如一 Hg燈）產生一輻射光束。此光束係直接 或在穿過調節構件之後饋入一照明系統（照明器）IL，例如一 光束擴展器Ex。知、明器IL可以包括調整構件am，用以設定 光束中的強度分配之外側及/或内側逕向範圍（通常分別稱 為外側光線及内側光線）。此外，其一般將包括各種其他組 件’例如一積分器IN及一聚光器C0。採用此方式，撞擊在 遮罩MA上的光束PB在其斷面上具有一所需均勻度及強度 分配。 應注意針對圖1，輻射源LA可位於微影投影裝置的外殼 中（當輻射源LA為例如一水銀燈時，情況常如此），但它亦 可遠離微影投影裝置’其產生的輪射光束係導入裝置中（例 92186.doc -14- 1235891 如借助適合的引導反射鏡）；當輻射源lA為一同核複合分子 Μ射，情況通常為此後者情形。本發明及申請專利範圍 包含该寻兩種情形。 光束PB後來截取固持在一遮罩台Μτ上的遮罩ma。已由 遮罩MA穿過之後，光束PB穿過透鏡？!^，其將光束pB聚焦 至基板W之一目標部分C上。借助於第二定位構件（及干涉 儀量測構件IF)，可精確地移動基板台WT，例如藉以定位光 束之路徑中的不同目標部分c。同樣，第一定位構件可 用以針對光束PB之路徑而精確地定位遮罩MA，例如在從一 遮罩室機械地擷取該遮罩MA之後或在一掃描期間。一般而 言，將借助於圖1中未清楚描述的一長衝程模組（粗略定 位），及一短衝程模組（精細定位）來實現物件MT、WT之移 動。然而，在一晶圓步進器（與一步進及掃描裝置對立）的情 況下，遮罩台ΜΤ可僅與一短衝程驅動器連接，或可固定。 所描述的裝置可用於二種不同的模式： 1·在步進杈式中，實質上將遮罩台Μτ保持固定，而在一 -人操作中將一整個遮罩影像投影至一目標部分C上（即一單 一「快閃」）。基板台WT接著係在\及/或y方向偏移以便一 不同目標部分C可由光束！>3照射； 2^在掃描模式中，實質上適用相同情形，除—給定目標部 分C並未在-單一「快閃」中曝光以外。相反，遮罩台逍 可在一給定方向（所謂的「掃描方向」，例如y方向）上以一速 度v移動’以便引起投影光束PB在-遮罩影像上掃描；同 日τ ’基板台wt係在相同或相反方向以一速度v = 同時移 92186.doc -15- 1235891 動’其中Μ為透鏡PL之放大率（通常，m = 1/4或1/5)。採用 此方式’可以曝光一相對較大目標部分C，而不必折衷解析 度。 圖2為量測基板台WT之位移的干涉儀系統IF-W之一部分 的示意圖。所示的為X及γ干涉儀IF-WX、IF_WY，各干涉 儀將三量測光束導向與基板台wt之側面固定的平面反射 鏡’為此原因該平面反射鏡有時稱反射鏡組塊。光束係入 射在圖3所示圖案中的平面反射鏡上。應注意顯示六光束 點因為各畺測光束係從感應器模組中的光束源引向量測 反射鏡以實質上正交地入射在其上，返回光束係接著由感 應器模組中的三角稜鏡反射回至量測反射鏡，並最後由平 面反射鏡反射回至感應器模組以干擾一參考光束。基板台 之移動改變夏測光束的路徑之長度，以便量測光束與參考 光束重噓處的干擾邊緣會偏移。位置信號因此係藉由採用 固疋摘測器計數邊緣來導出。 夏測光束形成從感應器模組至量測反射鏡的四通行距 離，以便量測反射鏡的移動之效應係放大為四倍於邊緣計 數。此外，二角稜鏡確保因干擾而返回至感應器模組的光 束係平行於原始人射光束，而不管量測反射鏡的傾斜。因 此基板σ的傾斜導致量測光束的橫向偏移，其可減少與 參考光束的重疊並因此減小信號位準，但是路徑長度無變 化因此在一理論簡化模式中無相位變化及無位置信號變 化。然而，本發明者已決定信號變化係由光束剪切引起， 並且依據本發明，此點在度量模型中得到考量，該模型為 92186.doc -16- 1235891 用以將干涉儀系統之邊緣計數轉換為級位置資訊的數學模 型。 首先，參考圖4至6提供某些變數的定義。該等圖式解說 對應的X干涉儀及Y干涉儀。 圖4顯示六光束點如何與三χ量測軸線XI、χ2及μ關 聯。各軸線有效地量測其二光束點之間的中心線上量測反 射鏡之X方向的位置。該等點的位置係由圖5所示的常數 ax、bx及cx定義，相對於投影透鏡之光學軸〇Α，以及對準 感應器及投影透鏡的聚焦平面F p。基板台位置係相對於原 始RP(稱為旋轉點）量測，該旋轉點為光學軸〇A與對準系統 或投影系統的聚焦平面砰之交叉點。在χ平面上感應器模組 與此點的距離為Κχ，而基板台的寬度為匕。為以向定義 對應的常數。接著定義χ方向的基板台位置χ，如圖7所示。 干涉儀使用平面反射鏡，並且因波前缺陷（例如光束平行 度中的誤差、1維或2維中的不對稱光束f曲以及其他效 應，結合相對於參考光束的量測光束之光束剪 遭受精確度問題。光束剪切可由其位置得以量測的 疋轉引起，並因此由量測反射鏡的傾斜引起。 加發明’補償此光束剪切係11由在干涉儀模型中添 ，欠、二向項’其包含作為光束剪切「BS」之-函數的一 之後:而更::：。光束剪切為一反射鏡角度變化(旋轉) 中，光二::::二r距離l。在㈣ 長度乘《級角度:相二：射镜的干涉儀之光束路徑 ^直於反射鏡位置的光束）成正 92186.doc -17- 1235891 比，並且可以為2維。例如，對於χ干涉儀而言，會出現因 Rz旋轉而在γ方向引起量測光束的剪切，以及因圍繞虛擬 方疋轉點的Ry旋轉而在Z方向引起光束剪切。γ方向的BS約為 4*RZ*L，其中L為級反射鏡與干涉儀之間的光學路徑長 度。亦可添加較小的内部干涉儀偏移項。光束剪切亦可包 含其他用於干涉儀模型的參數。對於Y方向的光束剪切而 言，額外模型項具有以下形式：

Ay*(BS m Y)+By*(BS 1η γ)、+更高次項。 亦為Ζ方向的光束剪切添加類似項，並且對於丫方向干涉 儀而言，為X及ζ方向的光束添加類似項。 在校準干涉儀模型期間，決定作為級旋轉與級位置的一 函數之位置偏移。可採用一最小二乘配合來校準干涉儀模 型參數及光束剪切係數，或者可採用參數估計及/或信號處 理領域中熟知的估計/計算技術來計算參數及係數。 本發明者已識別到的干涉位移量測系統之一系統故障來 源為達到感應器的環境光。調適干涉儀感應器及相關電子 以偵測振盪彳δ號，尤其係當基板台移動時計數通過感應 器的邊緣處理。做到此點可藉由在各光亮邊緣通過偵測器 呀偵測感應器信號中的前緣。干涉儀因此相對不易受恆定 或緩慢變化的背景照明之影響。然而，本發明者已決定當 使用一脈衝輻射源時，從投影光束散射的光之相對短暫而 光亮的快閃可能會擾亂邊緣計數電子。為解決此問題，將 一濾光器定位在量測光束之路徑上的一方便點處，較佳地 接近於感應器。遽光器可以為一帶通或長通攄光器，以允 92186.doc -18- 1235891 口争里測光束穿過而阻塞來自 y 却以七 目^又衫先束或任一其他輻射源的 放射輻射（雜散光）。任一直 r 直接或經由熒光的具有足夠強度之 間歇光源可引起問題。 雖然以上已說明本發明 6 之特疋具體實施例，但是應瞭解 可採用除以上說明的方法 外之其他方法實施本發明。例 如，本發明可在用以量測遮 皁、，及或哀置中任一其他可移動 位置的一干涉儀系統中加以實施。-般而言，當可 ^定光束剪切時，本發明可用於H線干涉儀，或一 夕軸干涉儀’例如決以士…的—浪線系統或決定乂、 X及Ry的5轴線系統。不希望該說明限制本發明。 【圖式簡單說明】 上文已參考附屬示意圖，僅藉由範例說明本發明之具體 實施例，其中： ^ 圖1說明依據本發明之—目μ金^ /、體實施例的一微影投影梦罟. 圖2說明圖i中的裝置之其姑么 杈如衷置， 表置之基板台以及一干涉位移量測系統 中的量測光束之配置； 圖3說明入射在該基板台上的光束之圖案；以及 圖4、5、6及7顯示用於該干涉儀模型的各種變數之定義 在該等圖式中，對應的參考符號指示對應的零件。 【圖式代表符號說明] AM 調整構件 ax 常數 BS 光束剪切 bx 常數 92186.doc -19- 1235891 c 目標部分 CO 聚光器 cx 常數 Ex 輻射系統/光束擴展器 FP 聚焦平面 IF 干涉儀量測構件 IN 積分器 kx 寬度 Kx 距離 L 距離 LA 輻射源 MA 遮罩 MT 遮罩台 〇A 光學軸 PB 投影光束 PL 項目/投影系統 RP 旋轉點 W 基板 WT 基板台 X 方向 XI 量測軸線 X2 量測軸線 X3 量測軸線 Y 方向 z 方向 92186.doc -20-

Claims (1)

1235891 拾、申請專利範園： 1 ·—種微影投影裝置，其包括·· _一輻射系統，其係用於提供一輻射投影光束. -支撐結構，其係用於支撐圖案化構件先二化構 件係用來依據-所需圖案將該投影光束圖案化； -一基板台，其係用於固持一基板； --投影系統，其係用於將該圖案化光束投影至 之—目標部分上；以及 土双 一干涉位移量測系統，其係用以量測該裝置之—可移 動組件的位移’並包括將感應器量測與該可移動組件之 位移關聯的一模型；其特徵為 /該模型：合至少一校正項，其為表示該干涉位移量測 系統之一量測光束的光束剪切之一變數的一函數。 2·如申請專利範圍第丄項之裝置，其中該量測光束穿過該干 涉位移量測系統之一固定部分與固定於該可移動組件的 一量測反射鏡之間的一光學路徑，並且表示光束剪切的 該變數係與以下纟項之至少一者並且較佳為全部成正 比： -該光學路徑之長度； •由該量測光束形成的該光學路徑之通道的數量； _該篁測光束與該量測反射鏡的法線之間的角度。 3 .如申巧專利範圍第丨或2項之裝置，其中該模型包括校正 項，其為表示至少二正交方向上的光束剪切之變數的函 數0 92186.doc 1235891 4. 如申請專利範圍第1或2項之裝置，其中該校正項為表八 光束剪切的該變數之一多項式。 5. 如申請專利範圍第4項之裝置，其中該多項式為至少二 次。 6. 如申請專利範圍帛15戈2項之裝置，其中該干涉儀系統被 调適以量測至少二線性自由度中的位移，並且該模型包 括各個該等線性自由度之個別校正項。 7·如申請專利範圍第1或2項之裝置，其中其位移係由該干 涉位移量測系統所量測的該可移動組件，為用於支撐该 圖案化構件的該支撐結構及該基板台之一者。 8· 一種採用一微影投影裝置之元件製造方法，該方法勺 以下步驟： 匕 -提供至少部分由一層對輻射敏感的材料所覆蓋之一 板； 现土 -採用 輻射系統提供一輻射投影光束； -採用圖案化構件在該投影光束之斷面上賦予該投影为 束一圖案； -將該圖案化韓射光束投影至該層對輻射敏感的 一目標部分上，以及 -採用一干涉位移量測系統量測該微 移動組件的位移，該系統包括將感應器量:=二 組件之位移關聯的一模型；其特徵為 、 -該模型結合至少一校正項，直 貝其為表不該干涉位移量消丨 系統之-量測光束的光束剪切之一變數的一函數。、 92186.doc -2- 1235891 1235891 9. -種包括程式編碼構件之一 侍以執行時，該程式 王"，备在一電腦系統上 、'貝丨丨么 W曰不該電腦系統採用工、止 利系統之感應器量測’外首/ 木用—干涉位移量 物件的位移，1特忾Λ "'冑影投影裝置卜可移動 一符徵為该程式包括飨派姚 計算至少-校正項，Μ二：括，扁碼構件，其係用以 曰 一為表不该干涉位移量測糸访々 10, !測光束的光束剪切之—變數的一函數。…之- -種用以量測-微影投影裝置中—可移動物件的位移之 干涉儀之权準方法，該方法包括以下步驟： 決定作為級旋轉與級位置的—函數之位移；以及 採用-最小二乘配合決定干涉儀模型參數，包括與表 示一量測光束的光束剪切之一變數相關的項之係數。、 92186.doc 3-