TWI232891B

TWI232891B - SiC material, semiconductor device fabricating system and SiC material forming method

Info

Publication number: TWI232891B
Application number: TW089115639A
Authority: TW
Inventors: Hayashi Otsuki; Satoru Nogami
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; Toyo Tanso Co
Priority date: 1999-08-02
Filing date: 2000-08-02
Publication date: 2005-05-21
Also published as: US7410923B2; US6936102B1; WO2001009407A1; US20060011131A1

Description

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1 發明說明（）發明技術領域本發明係有關耐腐蚀性佳，以c VD獲得之s i C (以下稱 CVD_SiC)及使用其之半導體製造裝置及其製造方法。適用於本發明之C VD - SiC且要求耐腐蝕性的材料包括·· c VD裝置、用於蝕刻等的承受器（Susceptor)、覆膜（Shielding)、淋浴頭（Shower Head)、壓緊環（Clamp Ring)等。發明背景半導體裝置的製造方面，例如在半導體晶圓的製造上，有形成poly - Si層、A1、W、Cu等金屬層的步驟，形成這些金屬層的其中一種方法，即是使用CVD (化學蒸汽沉積 (Chemical Vapor Deposition))。訂---------線* 半導體晶圓上藉由葉片式CVD形成指定膜時，半導體晶圓是承載於配置在處理室（Chamber )内的承受器上。承載於承受器上之半導體晶圓的外側設置覆膜。過去多使用以 CVD_SiC被覆的非結晶形碳（Amorphous Carbon)、燒結 SiC、基礎材料構成這些承受器及覆膜。不過，CVD成膜時，由於反應氣體存在於整個處理室内’不僅在半導體晶圓上成膜，而且會在處理室内的承受器及覆膜等組件上形成與半導體晶圓上相同的膜。因此，對指定片數的半導體晶圓實施成膜處理後，還需要清洗沈積室内的組件。沈積室内的清洗處理，過去是採用酸性或驗性的溶劑實施濕式清洗，每次採濕式清洗時，必須使裝置暫停運轉，並將這些組件從沈積室内取出來清洗。不但清洗費事，而 -4 - 本紙張尺度適用中國國家標準（cns)a4規格（210 x 297公釐） A7 B7 1232891 i、發明說明（）且導致成膜效率降低。此外，將這些組件從沈積室内取出，清洗後，在半導體晶圓上成膜時，雜質會附著在半導月迁曰口圓上’對製品造成不良影響’縮短材料使用壽命。爲了解決這些濕式清洗的問題，最近是採用C1F3等含有卣素的氣體’進行乾式的in - situ清洗。亦即，不需要將承受器等組件從處理室取出，可將clFs等導入沈積室内進行清洗。然而’採用此種CIF3等的乾式清洗，在使用燒結Sic作爲承受器等的材料時，促使粒子間結合的燒結輔助劑因 C1F3而被姓刻，造成粒子剝落，降低耐腐蝕性，變得不耐用。此外’採用非晶形竣構成此種組件時，其耐腐蚀性雖然較燒結SiC爲佳，但是卻會與CIF3產生反應，使CF系的附著物附著在處理室内的淋浴頭等上，造成成膜物的剝落。此時，成膜物紛紛剝落附著在半導體晶圓上，導致成品率降低。過去使用以CVD-SiC被覆構成承受器等的材料時，雖然其耐腐姓性比燒結SiC更佳，而且不容易產生像非結晶碳之類的問題，但是材料表面容易蚀刻，縮短了材料的使用毒命。此外，S i C膜也容易蚀刻，s i C會紛紛剝落，導致成品率降低。此外’過去的C V D - S i C膜，其表面狀態的均勻性不算良好’有必要改良成表面狀態均勻的C V D · S i C膜。發明概述有鑑於上述的狀況，本發明的目的在提供一種利用含有 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------』—訂--------- (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 1232891 A7 B7 五、發明說明（） C1F3等鹵素氣體促使其不易蝕刻，且表面狀態均勻、耐腐蚀性佳的CVD_SiC，以及提供使用此種CVD_SiC的耐腐蝕性材料。本發明人經過反複研究，利用含有c1F3等鹵素氣體，以獲得不易蝕刻之CVD-SiC的結果，發現藉由包含具有特定定向性的卢_SiC結晶，比過去的cVD_SiC，對含有C1F3 等鹵素氣體的耐腐蝕性高。同時，藉由促使具.6H結構的從-S1C結晶與/? _ s i C結晶的共存，也比過去的c v D _ SiC，對含有CIF3等鹵素氣體的耐腐蝕性高。此外還發現這些C V D - S i C的膜質有很高的均句性。本發明爲含有- SiC結晶，利用CVD所獲得耐腐蝕性優的S i C材料，其特徵爲0 §丨c結晶之X線繞射（220 )面及 (311)面的峰値強度和，對（111)面、（2〇〇)面、（22〇)面、 (311)面、（222)面之各個峰値強度總和的比率在〇15以上0 本發明爲包含_SiC結晶及具有6H結構的從·Sic結晶，並利用CVD所獲得耐腐蚀性優異的Sic材料。本發明之SiC材料，還包含具有6H結構的a_Sic結晶。本發明之耐腐蝕性優異的SiC材料，係在Sic材料或碳材料所構成的基礎材料上形成。本發明之耐腐蝕性優異的c VD-SiC材料，係在c VR-SiC所構成的基礎材料上形成。本發明之耐腐蝕性優異的CVD-SiC材料，係在與siC材料之間的熱膨脹係數差在土 2·5 X l〇-6rc範園内的陶瓷基 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 訂----- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1232891 Α7 Β7 4 五、發明說明（礎材料上形成。本發明之耐腐蝕性優異的CVD-SiC材料，係在具有6H 結構之a - S i C結晶所構成的基礎材料上形成。本發明之處理裝置係由以下各部分所構成：處理容器，其係用於收容基板；及處理機構，其係在處理容器内的基板上實施指定的處理，處理容器内部的材料包括基礎材料及設置在基礎材料上，包含A-SiC結晶，利用CVD所獲得耐腐蚀性優異的Sic材料，該處理裝置的特徵爲，々_sic 結晶之X線繞射（220)面及（311)面的峰値強度和，對（111) 面、（200)面、（220)面、（311)面、（222)面之各個峰値強度總和的比率在0.15以上。本發明之處理裝置係由以下各部分所構成：處理容器，其係用於收容基板；及處理機構，其係在處理容器内的基板上實施指定的處理，處理容器内部的材料包括基礎材料、点-SiC結晶及包含具有6H結構之fSic結晶，利用 CVD所獲得耐腐蚀性優異之Sic材料。本發明之處理裝置，SSiC材料還包含具有611結構的^ Sic結晶。本發明之處理裝置，其基礎材料係包含Sic或是碳材料。本發明之處理裝置，其基礎材料係包含CVR_sic。本發明之處理裝置，其基礎材料爲與Sic材料之間的熱膨服係數差在±2.5x10 6/C範圍内的陶宪。本發明之處理裝置，其基礎材料係包含具有6h結構的以本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------— ------訂--------- (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1232891 A7 B7 5 五、發明說明（） -SiC結晶。本發明之處理裝置，前述處理機構具有氣體導入機構，並利用該氣體導入機構將含卣素氣體導入前述處理容器内。本發明之處理裝置，前述氣體導入機構’係將用於在基板上進行CVD成膜的成膜氣體及成膜後用於清洗之含鹵素氣體所構成的清洗氣體，導入前述處理容器内。本發明之處理裝置’前述氣體導入機構’係將用於對基板進行蝕刻的蝕刻氣體導入前述處理容器内。本發明之處理裝置，前述處理機構還具有在處理容器内形成電漿（Plasma)的電漿形成機構。本發明之處理裝置，係指LPCVD裝置、RTPCVD裝置、磊晶生長用CVD裝置、蚀刻器裝置或是塗敷裝置的任何一種裝置。本發明之SiC材料的製造方法包括··準備基礎材料步驟，及在減壓狀態下對基礎材料供應原料氣體，該原料氣體爲含Si氣體及含c氣體的混合氣體，同時使基礎材料加熱，在基礎材料上形成利用CVD所構成含-SiC結晶耐腐蝕性優異之S i C材料的步驟，其特徵爲，0 - S i C結晶之X 線繞射（220)面及（311)面的峰値強度和，對（111)面、（2〇0) 面、（220)面、（311)面、（222)面之各個峰値強度總和的比率在0.15以上。本發明之SiC材料的製造方法，在形成SiC材料的步驟中，對基礎材料供應含Si之SiCl4氣體及含C之C3H8氣體 -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公t ) ----------------------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1232891 A7 B7 五、發明說明（ 6 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製的混合氣體。本發明之sic材料的製造方法，在形成Sic材料的步驟中，將基礎材料加熱至1400°C以上。圖式概述圖1爲適用於本發明第一種實施例所示之CVD-SiC被覆材料之CVD成膜裝置的剖面圖。圖2爲適用於本發明之cVD-SiC被覆材料之CVD成膜裝置其他實施例的剖面圖。圖3爲適用於本發明之CVD-SiC被覆材料之CVD成膜裝置其他實施例的剖面圖。圖4顯示試樣Ν〇·5的拉曼（Raman)分光光譜。圖5顯示試樣N 〇.6的拉曼分光光譜。圖6顯示試樣ν〇·7的拉曼分光光譜。圖7顯示試樣Ν 〇 . 8的拉曼分光光譜。圖8顯示實際的CVD成膜及其後以C1F3氣體進行in-situ 清洗後的R値與蝕刻率的關係。圖9顯示在800 °C的C1F3氣體環境中進行耐腐蝕試驗時， R値與蝕刻率的關係。圖1 0爲C V D - S i C膜兩個邊緣及中心的X線繞射圖。圖1 1爲顯示本發明第二種實施例之等離子蝕刻裝置的剖面簡圖。圖12爲RTP裝置的剖面簡圖。圖13爲其他RTP裝置的剖面圖。圖1 4爲加熱處理裝置的剖面圖。 -9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----r 訂---- 1232891 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（）圖1 5爲其他加熱處理裝置的剖面圖。圖1 6顯示以Kapton膜被覆試樣的狀態。圖1 7顯示試樣的形狀變化。圖18顯示試樣之R値與等離子蝕刻量的關係。較佳之具體實施例第一種實施例本發明第一種實施例説明如下。本發明之耐腐蝕性優異的Sic材料，含；3 -Sic結晶，同時是利用cVD(Chemical Vapor Deposition)獲得〇亦即，第一，利用C VD所獲得的SiC材料（以下也稱 C VD-SiC)包含定向成X線繞射（220)面及（311)面的峰値 (Peak)強度，對（m)面、（200)面、（22〇)面、（311)面、 (222)面之各個峰値強度總和的比率，在〇 15以上的0 -SiC結晶。 S i C大致上有六方晶的“型結晶及立方晶的卢型結晶兩種’通常- SiC結晶在高溫下的化學穩定性要比沒_Sic結晶爲佳，因此，過去以CVD形成的0 -Sic結晶來被覆基礎材料的組件多用於CVD成膜裝置（半導體製造裝置）的承受器等上。亦即’承受器等的組件具有基礎材料及設置在該基礎材料上，利用CVD所獲得的SiC材料（CVD-SiC)。但是如上所述，過去的C VD-SiC對C1F3等含鹵素氣體的耐腐蚀性差。爲了獲得對C1F3等含鹵素氣體的耐腐蝕性高的CVD- -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------Η I--· ----u----訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 1232891 ___ _B7 8 五、發明說明（） S i C，經過反複研咒結果，證實若卢-s i C結晶表面的（220 ) 面及（311)面的存在比率高，則對ciF3等含鹵素氣體的耐腐蚀性佳。亦即，過去的型S i C結晶的主要面雖然是（丨丨丨）面及 (222)面，而在本發明中爲使（220)面及（311)面的存在比率超過0.15，藉由使y5-SiC結晶定向，以提高對ciF3等含鹵素氣體的耐腐蚀性。此外，本發明之CVD-SiC並不需要全部由此種_SiC結晶構成。本發明是以X線繞射來掌握此種結晶的定向性。亦即，可以藉由X線繞射來確認的Θ · S i C結晶繞射峰値者，爲 (111)面、（200)面、（220)面、（311)面、（222)面，其中 (220 )面及（3 11 )面的峰値強度和對上述全部之峰値強度總和的比率在0.15以上。 i η - situ清洗方式除了用於C1F3之外，也用於清洗cif5、 NF3、HC1、Ch、HF等含有鹵素的化合物，以具有上述定向性之/? - S i C結晶爲主體的C VD - S i C，對以上各化合物均有足夠的耐腐蚀性（耐蚀刻性）。第二，本發明之CVD-SiC，其具有6H結構的從- Sic結晶與冷-SiC結晶共存。從- SiC結晶中存在許多2H、4H、6H、15R等聚合元素 (Poly Type)，其中6H結構的泛-SiC結晶在高溫下穩定，藉由使此種6H結構的從-SiC結晶與-SiC結晶共存，可以對CIF3等含鹵素氣體有足夠的耐腐蝕性。第三’本發明之CVD-SiC爲定向成表面經過X線繞射之 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------^----； ----------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^_I____ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1232891 A7 A7 一 B7 9 發明說明（） (220)面及（311 )面之峰値強度比率在〇 15以上的0 _sic結晶及具有6 Η結構之從_ S i C結晶共存。如上所述，由於此種具有定向性的A - S i C結晶，對C 1F 3 等含卣素氣體的耐腐蝕性高，藉由與在高溫下穩定之6H結構的從_ S i C結晶共存，可以獲得足夠的耐腐触性。且本發明之C V D - S i C的膜値均勻性高於過去的c V D -SiC 〇以本發明之CVD-SiC被覆的基礎材料，可以採用siC及碳。構成基礎材料的S i C可以採用從石墨轉化的s i C、燒結 SiC、CVD-SiC。其中從石墨轉化成的Sic是使石墨在硅酸氣中反應，轉化成SiC，成爲多孔質的〇：\^11-

SiC (Chemical Vapor Reaction_SiC)。而燒結 SiC 則是在 S i C粉末中適切添加燒結輔助劑，並在丨6〇〇以上的高溫燒結而成，通常是以6 Η結構的泛_ s i C結晶所構成。此外也可以使用CVD-SiC構成基礎材料。此種CVD-SiC是在石墨板上以CVD被覆SiC後，除去石墨板，僅保留CVD-S i C而成。此外，構成基礎材料的碳，可以採用石墨（黑鉛) 及非晶形碳。其他的基礎材料還可以採用與卢· s i C結昂之熱膨脹係數差在土 2.5 X 1 〇 -6厂C範圍内的陶瓷。亦即，因0 s i C結晶的熱膨脹係數爲4.6 X 1 0-6厂C，因此可以採用熱膨脹係數爲2· 1 X 1 (T 6厂C〜7.1 X 1 (Γ 6 / °C範園内的陶瓷。此種陶瓷，如AlN(熱膨脹係數4_6xlO-6パC)及BN(熱膨脹係數2.5x 10_6厂C) 〇 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ,! ! —耆！ —訂！——豢 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1232891 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 ^ 10 五、發明說明（）本發明之CVD-SiC在此種基礎材料上成膜時，係將原料氣體（如含Si氣體的SiCl4及含C氣體的C3H8)導入C VD裝置内’使基礎材料加熱至指定的溫度。成膜之CVD-SiC的結構，由於在成膜時會受到基礎材料種類、成膜溫度、原料氣體及爐内壓力等的影響，因此需要藉由適切設定上述各因素，方能獲得所需結構的CVD-SiC。其中尤以基礎材料的種類及成膜溫度的影響較大。由於SiC材料爲具有6H結構之α-SiC結晶與/?-SiC結晶共存的結構，因此基礎材料宜採用具有611結構之從_Sic 結晶的燒結S i C。如此，即使成膜溫度低於1 4 0 0 °C，仍然能夠生長6H結構的以_SiC結晶。爲了形成定向成表面經過X線繞射之（220)面及（3 11)面之峰値強度比率在0.15以上之卢-SiC結晶爲主體的CVD-SiC(SiC材料），成膜溫度宜在1450°C以上。此外，根據本發明人的實驗，使用石墨構成基礎材料，在較低的溫度成膜時，雖然還發現到卢_ S i C結晶與2 Η結構的泛-s i c結晶共存’但是由於2 Η結構的沈-S i C結晶在高溫下較不穩定，且低溫時，上述_SiC結晶需要的定向性較不易定向’導致對C1F 3等含鹵素氣體的耐腐钱性減低。但是，成膜溫度超過150(TC時，卢- SiC結晶幾乎爲單相，且因θ S i C結晶適宜的定向性較高，因此對c 1F 3等含鹵素氣體的耐腐蝕性更高。此外，雖然可以確認利用X線繞射時“ _sic結晶與卢_ S i C結晶疋否共存’但是由於X線繞射時，0 $丨c纟士晶主 • 13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐 ------------K—訂--------- (請先閱讀背面之注杳P事項再填寫本頁) 1232891 A7

五、發明說明（）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製要峰値的（111)面及a_SiC結晶的主要峰値重疊，因此並不容易確定利用X線繞射時，以-Sic結晶與A-WC結晶是否共存。若是改用拉曼分光分析，就可以正確的掌握。因此，如以後之實施例中的説明，本發明宜對試樣進行拉曼分光分析，來對π-Sic結晶的存在加以確認。又對上述含卣素氣體耐腐蝕性優異的CVD_sic適用實例説明如下：圖1爲適用被覆本發明之CVD_Sic組件的半導體製造裝置，如CVD(chemieal vaporDeposition)成膜裝= 的剖面圖。該CVD成膜裝置丨爲…。成膜用，具有鋁等金屬所構成的處理罜2，在該處理室丨内，設有用於承載半導體晶圓 W(被處理體）的承受器3。承受器3利用圓筒狀的支撑組件 4來支撑。並設覆膜5，覆蓋晶圓…的外側上方。覆膜5由支撑組件4支#，防止在承受器玲内側等下方成膜，並防止後述之_素燈7的熱射線照射到上方，同時具有在清洗時保持清洗氣體通路的功能。承受器3正下方的處理室底部設有由石英等熱射線穿透材料所構成的穿透窗6，在其下万設有容納鹵素燈7的加熱室8。卣素燈7所釋放出的埶射線透過穿透窗6，照射到承受器3的下方，使其加熱。處理室2的頂部設有用於導人處理氣體及清洗氣體等的淋浴頭9。在該淋浴頭9的下方形成許多氣體排放孔ι〇，並在其上方連接氣體導入管Η。該氣體導入管"上連接分別供應 WF6氣體及Sit^Ch氣體的處理氣體源12、13，並連接供應cif3氣體等含㈣之清洗氣體的清洗氣體供應源14。此 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------1—^ .—訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1232891 A7 B7 12 五、發明說明（）外，在處理室2底部附近設置排氣口！ 5，利用圖上未顯示的眞空泵，經由該排氣口 15排放處理室2内的氣體，使處理室内保持如〇.7Torr的眞空度。該C V D成膜裝置1的承受器3、覆膜5及淋浴頭9等内部組件90係由基礎材料91及設置在基礎材料91上的cVD_ Sic(以CVD所獲得的Sic材料）92所構成。這些組件90雖然會接觸CIF3氣體等含鹵素氣體，但是該組件a對含卣素氣體的耐腐蚀性高。因此，藉由處理氣體進行成膜處理後’切換成C1F3氣體所構成的清洗氣體，將該清洗氣體導入處理室2内，in - situ清洗處理室2内時，這些組件9 〇不容易被蚀刻。此外，圖2顯示在處理室2 ’内設置以支撑組件2 2支撑電阻加熱型承受器2 1的狀態下，藉由壓緊環24將晶圓w固定在該承受器21上，與圖1同樣的進行成膜處理及清洗處理的RTPC VD成膜裝置Γ。在承受器21内埋設pg( Pyr〇iytic graphite)加熱器23。該CVD成膜裝置1，之承受器2i及壓緊還24等組件90亦由基礎材料91及設置在基礎材料91上之 C VD· SiC92所構成。因此，這些組件對cif3氣體等含鹵素氣體的耐腐蚀性高。同樣的，這些組件在進行清洗處理時，不容易被蚀刻。此外，使用在圖3所示之可以進行線上清洗（Inline

Cleaning)的整批式直立型 LPCVD(Low Pressure Chemical

Vapor Deposition)成膜裝置的組件也可以適用於本發明。如圖3所示，直立型CVD成膜裝置3 0在筐體31内設有由外 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210><297公釐） " (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂--- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 Ϊ232891 13 五、發明說明（）管3 2 a及内管3 2 b所構成的反應管3 2，在反應管3 2的外側設有加熱器34。反應管32支撑在筒狀的歧管37上，歧管 37的下端開口部可以用罩蓋（Cap)43封閉。反應管32内設有保溫筒36，在其上承載容納數片晶圓的晶舟35。歧管 37内設有導入成膜用處理氣體及清洗氣體的氣體導入管38 及促使反應管3 2内排氣成指定減壓狀態的排氣管4 1。氣體導入管38上連接供應SiH4氣體的處理氣體源39，並連接供應CIF3氣體等含鹵素之清洗氣體的清洗氣體供應源4〇。此外，還設置用於晶舟35搬入搬出的晶舟升降機42。該直立型CVD成膜裝置30中的晶舟35及内管32b等組件 90係由基礎材料91及設置在基礎材料pi上的cVD-SiC92 所構成。因而這些組件對C1F3氣體等含自素氣體的耐腐蝕性高。因此，藉由處理氣體成膜處理後，切換成C1F3氣體所構成的清洗氣體，將該清洗氣體導入反應管3 2内，線上清洗反應管3 2内時，這些組件不容易被蚀刻。本發明的具體實施例説明如下：在CVD裝置内設置20x2〇x3(mm)之形狀各向同性石墨材料構成基礎材料91，使用SiCl4及C3H8作爲原料氣體’爐内壓力爲250Torr，基礎材料溫度分別爲13〇〇、 1400 °C、1500 °C的條件下，在基礎材料表面形成Sic膜 92(Νο·1〜3)。再將同樣的石墨材料設置在cvd裝置内，爐内溫度爲1800 °C，使金屬Si昇華氣體及碳酸氣體產生反應，在其表面被覆SiC作爲基礎材料91，爐内壓力爲 250Torr基礎材料溫度爲1400 C的條件下，在基礎材料 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1232891 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 14 五、發明說明（） 91表面形成SiC膜92(Νο·4)。此外，將同樣的形狀各向同性石墨材料或是多孔質燒、结 SiC設置在其他的CVD裝置内，構成基礎材料91，原料氣體同樣的使用SiCl4及C3H8，在基礎溫度爲1300〜1500°C 的條件下，在基礎材料91的表面形成SiC膜92。試樣]Sfo.5 的基礎材料91是使用石墨，並在1300°C條件下成膜，試樣 Νο·6的基礎材料91是使用石墨，並在1400 °C條件下成膜，試樣No· 7的基礎材料9 1是使用多孔質燒結SiC，並在 1400 °C條件下成膜，試樣Νο·8的基礎材料91是使用石墨’並在1500 C條件下成膜。此外，使用同樣的形狀各向同性石墨材料作爲基礎材料 91，設置在其他的CVD裝置内，原料氣體同樣的使用 SiCU及C3H8，在基礎溫度爲1400°C的條件下，在基礎材料的表面形成SiC膜92(No.9，10)。對這些N 〇 . 1〜1 0的S i C膜9 2表面進行X線繞射。測量對應於出現之 0 -SiC 結晶之（111)、（200)、（220)、（311)、 (222)各面的繞射峰値強度，求出以下所示之（220)及（311) 的比率R値。 R = { (220)+(311)} /((111)+(200)+(220)+(311)+(222)} 計算結果，No· 1的値爲0.004，No .2的値爲0.168， No.3的値爲0.349，No.4的値爲0.561，No.5的値爲 0.002，Νο·6 的値爲 0.005，No.7 的値爲 0.17，Νο·8 的値爲 0.286，Νο·9 的値爲 0.095，No.10 的値爲 0.178。同時’ Νο·5〜8還進行拉曼分光分析。分析結果的這些拉 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------：-----------訂--------- C請先閲讀背面Μ涑意事頊#填寫本頁) A7 B7 1232891 15 五、發明說明（）曼分光光譜如圖4〜7所示。這些圖中對應於ν〇· 5及No· 6的圖4及圖5上，對應A - S i C結晶之頻率795 cm-1附近及對應 2 Η結構之從-S i C結晶之頻率762〜763 cni_i上出現峰俊。可知A S i C結晶與2 Η的從-S i C結晶共存。另外如圖6中所示，採用多孔質Sic基礎材料的N〇 7 上’對應- S i C結晶之頻率795 cm -1附近及對應6 Η結構之汉 SiC結晶之頻率766〜768 cm —1附近出現峰値。可知Ν〇 7 爲A - SiC結晶與6Η的從- SiC結晶共存。此外如圖7所示，成膜溫度爲1500 °C的N 〇 · 8上，雖然在對應/? S i C結晶之頻率795 cm -1附近出現峰値，但是並未發現對應於a - S i C結晶的峰値。其次’爲了掌握這些試樣的耐腐餘性，首先求出實際的 CVD成膜及爾後藉由C1F3氣體進行丨!! - situ清洗後的蚀刻率。此時使用在前述Νο·1〜10基板上所形成的CVD-Sic 試樣，在其上承載矽基板，設定溫度575 t，處理室内壓力0.7Torr，在基板上形成4" m的WSi膜後，切換成ciF3 氣體’將承受器溫度設定爲200°C，進行5分鐘的in_sitll清洗。以此爲1個週期，實施40個週期（合計2〇()分鐘），求出此時的蚀刻率。此時的R値與蝕刻率的關係如圖8所示。

No. 1〜4, 9 10的R値比〇·15小，ν〇· 1，9的蝕刻率分別顯示爲0.0021 "m/min及0.00105 "m/min，屬於較差的値，不過R値在0.15以上的Νο·2, 3, 4, 10中，R値爲〇 16^的 Νο·2及0.178的No.10其蝕刻率則分別爲〇〇〇〇15"m/min及 0.000081 " m /min。其他則幾乎未被蝕刻。 -18 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------^ —t (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1232891 五、發明說明（） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外，在Νο·5〜8方面，具有々-we結晶與2H之泛·Sic 結晶共存結構的No. 5，6，由於R値小，因而蝕刻率大，顯示耐腐蝕性差。另外，具有卢_Sic結晶與6H之從_Sic結晶共存結構的Νο·7，其R値爲〇 17，蝕刻率爲〇〇〇〇13 "m/min，顯示具有良好的蚀刻性。如此，儘管其成膜溫度與Νο·6相同，在Νο·7中的卢-SiC結晶與6H的以_SiC結晶的共存結構，由於其底層燒結sic係在高溫下燒結而成，因此爲6 Η結構的q - §丨c結晶，推測是受其影響，所生長的S i C變成6 Η結構的從_ S i c結晶。此外，可知卢_ SiC結晶與6H之or_SiC結晶的共存與R質無關，具有良好的耐蝕刻性。0 -SiC單相的No.8，其R値較大，爲 0.286，蝕刻率幾乎爲〇。因此在本發明的範圍内，可以確認以實際的c1Fs氣體進行1 η - situ清洗時，顯示出極爲良好的耐腐蝕性。其次，將上述試樣中的Ν〇·1〜8，在800°C的C1F3氣體環境中放置6 0分鐘，求出此時的蝕刻率。此時的R値與蝕刻率的關係如圖9所示。如該圖所示，餘刻率的絕對値雖然與圖8不同，但是所得到的結果相同。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製亦即，在Ν ο · 1〜4中，R値比〇· 15小的N 〇 . 1，蝕刻率約爲 0.007 ’屬於較差的値。r値在015以上的N〇·2〜4的蝕刻率則分別爲 0.0020 " m/min、0.0010 " m/min 及 0.0010 "m/min，顯示均屬於0 002以下的低値。此外，在>^〇.5〜8方面，具有0-81(：結晶與211之沒-81(：：結晶共存結構的Ν 〇 · 5，6，由於R値小，因而蚀刻率大，顯 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1232891

五、發明說明（經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 =耐腐蝕性差。另外，具有AdiC結晶與6H之泛-Sic結 TO V、存結構的N 0 · 7，其R値爲0.17，餘刻率爲〇 0018 "m/min，顯示具有良好的蝕刻性。卢-SiC單相的No.8， R値大至0.286 ’蝕刻率也顯示屬於良好値的〇〇〇13 β m/min ° 其次，將對應承受器之340mm沴x 8mmt之各向同性石墨基礎材料没置在CVD裝置内，使用siCl4及(：3118作爲原料氣體，在基礎溫度爲140(rC條件下，在基礎表面上形成 S 1C膜’來掌握膜的均勻性。爲了掌握結晶性的均勻性，對承受器的兩邊緣及中心部的Sic膜進行χ線繞射。結果如圖10所示。X線峰値幾乎均一致，R値分別爲〇 17、〇 16、〇·20，差距不大，可以確認結晶性均勻。此外，在邊緣與中心位置的膜厚也幾乎沒有差異，顯示膜厚均勻性也極優異。如以上的説明，本發明提供一種利用C1F 3等含鹵素氣體’形成不易蝕刻，表面狀態均勻且耐腐蝕性優異的 CVD_SiC。並藉由在基礎材料上被覆此種cvD-SiC，以獲得對含_素氣體耐腐蝕性優異的耐腐蝕性組件。第二種實施例以下，參照圖1 1至圖1 5，説明本發明的第二種實施例。圖11至圖15所示的實施例，係將第一種實施例所示之基礎材料91與設在基礎材料上，利用CVD所獲得之Sic材料 92所構成的内部組件9〇配置在各種半導體製造裝置内部。亦即’不僅限於第一種實施例中敘述的CVD成膜裝置， -20- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------^----------訂--------- Γ睛先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 1232891 ^___ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 18 發明說明（）

也可以使用其他結構的CVD成膜裝置，例如在等離子CVD 成膜裝置上使用由基礎材料91與Sic材料92所構成的内部組件90。此外也不限於使用含自素氣體構成清洗氣體的CVD成膜裝置’使用含鹵素氣體之乾蝕裝置等構成之基礎材料91及

SiC材料92所構成之内邵組件9〇，當然也適用於處理氣體。本發明之CVD-SiC適用在蚀刻裝置的説明如下：圖" 爲顯示由本發明之CVD_Sic所被覆之組件適用於等離子蝕刻裝置的剖面圖。該蝕刻處理裝置5 〇的電極板上下平行相對’構成一端連接等離子形成用電源的容量型平行平板蝕刻裝置。該等離子蝕刻裝置50具有表面由經過耐酸鋁處理（陽極氧化處理）的銘構成’形成圓筒狀的處理室（處理容器）52，该處理室52内的底部設有用於承載晶圓胃的圓柱狀承受器 5 3。承爻器5 3内設有圖上未顯示的冷媒體流路，藉由流經其中的液體氮等冷媒來冷卻經由承受器53的晶圓w。該承受器53具有下方電極功能。承受器5 3的中央部形成凸狀的圓板狀，其上設有與晶圓 w概略同形狀的靜電夹盤（chuck)54。靜電夾盤54在絕緣材料之間設置電極55，電極55藉由直流電源56所外加的直仏u私壓（如1.5 kV) ’利用庫侖力，靜電吸附晶圓w。在前述承受器53上端周圍配置環狀的聚焦環（F〇cus Ring) 5 7，園住承載於靜電夾盤54上的晶圓w。藉由該聚 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------I------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 1232891 B7______ 19 ' ' " 五、發明說明（） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 焦環5 7可以提高蚀刻的均勻性。承受器5 3可以利用升降機構實施升降58，承受器53下方中央的驅動部分透空，該部分以眞空膜盒（Bellows)59覆蓋，將眞空部分與空氣部分隔離。在承受器53上方設有上方電極60，與該承受器53平行相對。該上方電極6 0係由利用絕緣材料6 5支撑在處理室5 2 的上方’與承受器5 3相對配置，並設有許多氣體排放孔6 2 的電極板61 ’及支撑該電極板61，表面經過耐酸無處理之銘所構成的電極支撑體63所構成。在電極板61下方外園設有覆膜70。前述電極支撑板63上設有氣體導入口 66，該氣體導入口 66連接氣體導入管67。該氣體導入管67連接用於導入CF4氣體等含鹵素氣體作爲蝕刻氣體的處理氣體源68 ’及用於導入〇2氣體等其他氣體作爲蝕刻氣體的處理氣體源69，這些處理氣體經過氣體導入管67、氣體導入口 66 ’到達電極支撑體63的内部，再從電極板61上的氣體排放孔6 2排放至處理室5 2内。在處理室5 2的底部附近設置排氣口 7 1 ’利用圖上未顯示的眞空泵，經由排氣口〖5將處理室内52的氣體排出，使處理室内保持指定的眞空狀態。另外在處理室5 2的内壁設置可拆裝的沉積膜（〇6?〇- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 shield) 7 2 ’防止蝕刻時產生的副生成物附著在處理室5 2的内壁。另外在處理室52的側壁設置閘型閥（Gate

Valve)73，打開該閘型閥73時，可以實施晶圓w的搬入搬出0 上方電極60經由整合器74，連接等離子形成用的第一個 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1232891 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 五、發明說明（）鬲頻電源7 5。藉由從該第一個高頻電源7 5外加高頻電流 (如60 MHz)至上方電極60，在處理室52内形成等離子。作爲下方電極的承受器5 3則連接吸引離子用的高頻電源 77 ’並在其供電線上設置整合器76。藉由該第二個高頻電源7 7外加高頻電流（如2 MHz )至承受器5 3，在進行蝕刻時，將離子吸引至晶圓W上。該等離子蝕刻裝置5 0爲配置在處理室5 2内的組件，係由基礎材料上之承受器53、聚焦環57、上方電極6〇的電極板61、覆膜70及沉積膜72，被覆本發明的CVD-Sic所構成。此種等離子蝕刻裝置50，雖然是將晶圓w搬入處理室52 内’保持處理室52指定的眞空度，晶圓w被靜電夾盤54吸附的狀態下，導入用於蝕刻的處理氣體，並在上方電極6〇上外加高頻電流，在處理室5 2内形成電漿，對晶圓w上指定的膜進行蝕刻處理，不過由於配置在處理室52内的上述组件被覆了本發明的CVD-SiC，因此在進行蝕刻時，對含鹵素氣體之處理氣體的耐腐蝕性高。如上所述，由於本發明的CVD-SiC對含鹵素氣體的耐腐蚀性特優，因此可以廣泛利用在含自素氣體的環境下，此外，本發明的CVD-SiC，在本質上也具有優異的熱傳導性、耐熱撞擊性及表面平滑性，因此，在其他情況下也能夠發揮奇特長，有效加以利用。此種實施例説明如下：圖12爲被覆本發明之CVD-SiC 組件適用在RTP(Rapid Thermal Process)裝置實例的剖面 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------;----：----------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1232891 A7 B7 五、發明說明（）圖。RTP裝置是用於對半導體掺雜雜質後的退火處理。圖中，RTP裝置8〇具有處理室81，該處理室81可以分隔成上部處理室8 la及下部處理室81b。上部處理室8 la及下部處理室81b之間設置石英窗82。處理室81的上方設置可以拆裝的發熱部83。發熱部83具有水冷襯套84及配置在其下面的數個鶴絲燈泡8 5。處理室8 i的下方設置可以拆裝，用於固定半導體晶圓w的水冷壓板86。在該壓板86上面没置晶圓支撑銷87，將晶圓w支撑在支撑銷87上。在發熱部83的襯套84與上部處理室81a之間、上部處理室與石英窗2之間、石英窗82與下部處理室8几之間、下部處理室81b與壓板86之間放置密封材料s，使處理室81處於氣密狀態。處理室81内可以藉由圖上未顯示的排氣裝置實施減壓。此種熱處理裝置是將晶圓W設置在處理室81内，於其中形成氣密更間，並藉由排氣裝置實施排氣，使其中成爲眞 2狀態。其次，開啓發熱部8 3的鎢絲燈泡8 5時，鎢絲燈泡 8 5所產生的熱通過石英窗8 2到達晶圓w上，使晶圓w急速加熱。加熱芫成後，處理室8丨内恢復大氣壓力，隔開發熱部83，同時下降壓板86，使晶圓…急速冷卻。如此達成所望的急速加熱處理。此處的壓板86内壁被覆本發明的cvD-SiC。本發明之 CVD-SiC如上所述，不但對含鹵素氣體具有良好的耐腐蝕性’並可均勻的在表面形成良好的膜，因此，即使實施此種急熱急冷處理，仍然能夠保持完整的狀態。 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -I i hi 訂---- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 !232891 22 五、發明說明（）圖13爲被覆本發明之CvD-SiC組件適用在RTP裝置其他實例的剖面圖。圖13中，RTP裝置1〇5具有處理室1〇ι。處理室101上設置自動開啓與關閉的蓋體1〇2。蓋體1〇2關閉時，藉由密封材料S將處理室101與蓋體102之間密閉，處理室101内藉由圖上未顯示的排氣裝置實施減壓。在處理室1〇1内’以支撑組件95支撑電阻加熱型的承受器93，邊承受器93上承載晶圓w。承受器93内埋設PG( Pyrolytic graphite)加熱器94。因此升降銷96是埋置在承受器93内，可以將晶圓W舉起至承受器93的上方。此種熱處理裝置是將晶圓W設置在處理室1〇1内，於其中形成氣密空間，並藉由排氣裝置實施排氣，使其中成爲眞立狀慼。其次，對加熱器9 4供電時，加熱器9 4發熱，該熱傳導至承受器9 3，將其上的晶圓w加熱。此處的承受器93表面被覆本發明的cvD-SiC。本發明 <CVD-SiC如上所述，可均勻的在表面形成良好的膜，因此，即使實施此種急熱急冷處理，仍然能夠保持完整的狀悲。由於形成此種完整狀態的膜，而且s i C在本質上，熱傳導性南’因此由加熱器9 4供應給承受器9 3的熱能夠快速的傳導至晶圓W上，進行急速加熱處理。此外，本發明的C V D - S i C使用在抗蝕膜塗敷、顯像處理用的加熱處理裝置上，仍然能夠發揮良好的特性。圖1 4爲被覆本發明之C V D · S i C組件適用在加熱處理裝置1〇〇的剖面圖。加熱處理裝置1〇〇具有筐體（Casing)11〇，其内部下方配置圓盤狀的加熱板1 Π。加熱板丨丨丨的表面設置鄰近销 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------^"—訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1232891 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製心 23 五、發明說明（） (Proximity Pin) 112。在該鄰近銷112上，於接近加熱板ηι 的狀態下承载晶圓w。加熱板111内埋設PG(Pyr〇lytie graphite)加熱器U3。加熱板111支撑支撑組件114，支撑組件114内中空。加熱板111的中央構成三個貫穿孔i 15 (圖上僅顯示兩個），這些貫穿孔丨15中設置三支自動升降的升降銷116，用於使晶圓w升降。加熱板111與支撑組件U4 的底板114a之間的貫穿孔115上設置連續筒狀的導引組件 117。藉由這些導引組件117可以使升降銷U6移動時不致妨礙加熱板111下方加熱器的配線。這些升降銷丨丨6支撑在支撑板118上，經由該支撑板118，設置在支撑組件114侧方的卿筒119執行升降。在加熱板111及支撑組件114的周圍設置包圍支撑其之支撑環121 ’該支撑環121上設置可以自動上下移動的蓋體 122。該蓋體122下降至支撑環121的上面時，形成晶圓w 的加熱處理空間P。蓋體122形成從外侧向中心部逐漸隆起的圓錐狀，中央頂邵具有連接排氣管124的排氣口 123，經由這些排氣口 123 及排氣管124來實施排氣。如此構成的加熱處理裝置100是將晶圓W搬入筐體i 1〇内’晶圓W承載於突出狀態下待命的升降銷1丨6上，使升降銷116下降’將晶圓w承載於鄰近銷112上，蓋體122下降，經由排氣口 123及排氣管124排出溶媒蒸汽，於加熱處理空間P在指定溫度下對晶圓W實施加熱處理。此處的加熱板111表面被覆本發明的CVD-Sic。本發明 -26- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------^----- ----------訂--------- (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁} A7 1232891 24 五、發明說明（）之CVD-SiC如上所述，可均勻的在表面形成良好的膜，因此，即使加熱板1 i i的溫度急遽變化，仍然能夠保持完整的狀態。由於形成此種完整狀態的膜，而且s i C在本質上’熱傳導性高，因此由加熱器113供應給加熱板i丨1的熱月匕夠快速的傳導至晶圓W上，可以使晶圓W在短時間達到所望的溫度。此外’如圖1 5所示，具有比圖1 4更薄之加熱板表面被覆 C V D - S 1 C的加熱板111 ’，在支撑組件丨14的底部設置加熱燈125，藉由加熱燈125透過加熱板lu所釋放的熱，使晶圓W加熱。本發明之cVD-SiC如上所述，會形成均一目表面狀態良好之膜，故本實施例中，即使加熱溫度急遽變化，加熱板111，仍然能夠保持完整的狀態，並且形成完整的膜，又因S 1 C在本質上，熱傳導性高，因此加熱燈125的熱能夠迅速傳導至晶圓w上，可以使晶圓w在短時間達到所望的溫度。此外，本發明並不限於上述的實施例，還可以適用於各種其他形態。例如，本發明之CVD_SiC不僅適用於上述的各種實施例，還可以適用於其他各種裝置及組件。此外，上述的適用實例中，是顯示適用本發明iCVD_sic的各種處理裝置之處理容器内的數個組件，但是處理容器内只要有一個組件適用本發明的CVD_Sic，就可以發揮本發明的效果。而且本發明不僅限於半導體晶圓，也適用在其他基板處理的組件上。其次介紹等離子蝕刻裝置之R値與蝕刻量的關係： -27- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------^----： ----------1T---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1232891 A7 B7 25 五、發明說明（首先準備本發明的内部組件（試樣No· 1-8)，並準销 2 〇3陶究材料作爲比較例。實驗方法及蝕刻量的測量方法如下·· (1) 實驗方法裝置：TE8500S ESC 8，，時間·· 2 0小時 η = 1 〇 r 2 處理條件：POWER : 1300W，PRESS : lOOOmT， CF4/Ar/02 ： 95/950/10sccm 試樣尺寸：[]2〇xt2 or03〇xt2 試樣材質：CVD-SiC(R値= 0.0004〜0.561)

基礎材料：多孔質Sic、石墨、cVD_SiC 試樣評鑑位置：以各試樣中央的口 1〇mm部分作爲照射面，其他部分用Kapton膜Μ覆蓋（圖16)。以矽膠兩: 將其固定在8吋晶圓的同心圓上。 ^ 評鑑項目：i，表面粗度 (2) 蝕刻量的測量方法如上所述的照射試樣的中央部分，並與覆蓋面比較度。表面粗度計從試樣覆蓋面向中央照射面移動，貝量，兩點定爲A、B。最後獲得如圖丨7的結果。實隊施測等離子是集中在覆蓋面及照射面之間。A 门’、上，準。馬同〜個標實驗結果如下表及圖i 8所示： 28· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------^----: ----------iT.---------. (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1232891 A7 B7 26 五、發明說明（）表試樣編3虎 1 2 3 4 5 6 7 8 R値 0.004 0.005 0.02 0.168 0.17 0.286 0.349 0.561 蚀刻量〇 m/Hr) 0.6 0.6 0.6 0.25 0.23 0.13 0.1 0.1

Al2〇3 = 〇 45// m/Hr 可知使用本發明之内部組件時，即使與通常使用的 Al2〇3陶瓷相比，其等離子性亦極爲良好。清先閲讀背 & 之意事項再填寫本頁 t 訂. -29- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims

公告本 1232别89115639 財_請案 A8 中文申請專利範圍替換本_ g 申請專利ϋ Κ種SlC材科，其特徵為··含有/5_SiC結晶，為以CVD 所獲得之耐腐蝕性優異的s i C材料， /5 - S 1C結晶之X線繞射的（2 2 〇)面及（3 i丨）面的峰值強度之和，對（111)面、（200)面、（220)面、（311)面、 (22 2)面之各個峰值強度總和的比率，在〇15以上。 2·如申請專利範圍第丨項之Sic材料，其中還具有6H結構的a - S i C結晶。如申請專利範圍第丨項之Sic材料’其中耐腐蝕性優異之 CVD-SiC材料係在包含Sic或陶瓷中之一者的基礎材料上形成。

如申μ專利範圍第3項之SiC材料，其中前述sic基礎材料係在包含燒結SiC、/3-SiC、α-SiC或CVR-SiC中之一者的基礎材料上形成。如申請專利範圍第2項之Sic材料，其中耐腐蝕性優異之 CVD-SiC材料係在與該Sic材料之間的熱膨脹係數差在 ±2.5 X 1〇·6广C範圍内的陶瓷基礎材料上形成。如申請專利範圍第4項之SiC材料，其中前述α -SiC基礎材料係包含具有6H結構之α-SiC結晶。一種CVD-SiC材料，其特徵為係以cVD所獲得之耐腐蝕性優異之CVD-SiC材料，其包含具有6H結構之α· s i C結晶及/5 - s i C結晶。 8· —種半導體製造用處理裝置，其係具有容納基板之處理容器、設置於處理容器内用於載置基板之載置台與導入氣體於處理容器内並在基板上實施指定處理之氣體導入本紙張尺度適用中目目家辟(CNS) Μ規格(則/挪公着)- -:---- A8 B8 C8 D8

1232891 六、申請專利範園機構者，其中處理容器内部的組件包括基礎材料，及設置在基礎材料上，含石-SiC結晶，利用CVD所獲得耐腐蝕性優異的 Sic材料；且其/3 - S i C結晶之X線繞射的（2 2 〇)面及（3 i丨）面的峰值強度，對（1U)面、（200)面、（22〇)面、（311)面、 (2 2 2 )面之各個峰值強度總和的比率，在〇 ·丨5以上。 9· 一種半導體製造用處理裝置，其係具有容納基板之處理容器、設置於處理容器内用於載置基板之載置台與導入氣體於處理容器内並在基板上實施指定處理之氣體導入機構者，其中處理容器内部的組件包括基礎材料，及包含/5 · S i c結晶與具有6H結構之α _siC結晶，利用CVD所獲得之耐腐蝕性優異的S i C材料。 1〇·如申請專利範圍第8項之處理裝置，其中s i c材料還包含具有6 Η結構的a - S i C結晶。 11·如申請專利範圍第8項之處理裝置，其中基礎材料係包含S i C或陶瓷中之一者。 12·如申请專利範圍第1 1項之處理裝置，其中前述s i c基礎材料係包含燒結S i C、冷-S i C、a - S i C或C V R - S i C中之一者。 13·如申請專利範圍第8項之處理裝置，其中基礎材料為與 S 1 C材料之間的熱膨脹係數差在± 2 · 5 X 1 〇 -6 /。〇範圍内的陶瓷基礎材料。 -2 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1232891 A8 B8 C8 ________ D8__ 六、申請專利範圍 14·如申請專利範圍第1 1項之處理裝置，其中前述SiC基礎材料係包含具有6 η結構之a - S i C結晶。 15.如申請專利範圍第12項之處理裝置，其中前述α -SiC基礎材料係包含具有6 Η結構之a - S i C結晶。 16·如申請專利範圍第8或第9項之處理裝置，其中該氣體導入機構係將含_素氣體導入前述處理容器内。 17·如申請專利範圍第8或第9項之處理裝置，其中氣體導入機構係將用於在基板上進行CVD成膜的成膜氣體，與用於進行成膜後清洗，由包含自素氣體的清洗氣體，導入前述處理容器内。 18·如申請專利範圍第16項之處理裝置，其中氣體導入機構係將用於對基板進行蝕刻的蝕刻氣體導入前述處理容器内。 19.如申請專利範圍第丨7項之處理裝置，其中處理機構還具有在處理容器内形成電漿的電漿形成機構。 20·如申请專利範圍第1 8項之處理裝置，其中處理機構還具有在處理容器内形成電漿的電漿形成機構。 21·如申請專利範圍第8或第9項之處理裝置，其中處理裝置’係指LPCVD裝置、RTPCVD裝置、磊晶生長用 CVD裝置、蝕刻器裝置、塗敷裝置、RTp裝置或裝置的任何一種裝置。 22. —種SiC材料之製造方法，其在基礎材料上形成“。材料，其特徵為包括準備基礎材料步驟，及s i c材料形成步騾，其係在減壓狀態下，對基礎材料供應原料氣體， -3 -

1232891 A8 B8 C8 ____D8 六、申請專利範圍該原料氣體係含Si氣體與含C氣體的混合氣體，同時將基礎材料加熱，利用CVD在基礎材料上形成含/3-Sic結晶之耐腐蝕性優異的S i C材料；且其石-S丨c結晶之X線繞射的（2 2 0 )面及（3 1 1)面的峰值強度之和，對（丨i i) 面、（200)面、（220)面、（311)面、（222)面之各個峰值強度總和的比率，在〇 . 1 5以上。 23·如申請專利範圍第2 2項之S i C材料的製造方法，其中在形成S 1C材料步驟中，係對基礎材料供應含s丨之s丨c 14氣體與含C之C 3 Η 8氣體的混合氣體。 24·如申請專利範圍第22項之sic材料的製造方法，其中在形成S 1C材料步騾中，係將基礎材料加熱至丨4 〇〇以上。 -4 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 x 297公釐)