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TWI232021B - Programmable current-sensing circuit providing discrete step temperature compensation for DC-DC converter - Google Patents

Programmable current-sensing circuit providing discrete step temperature compensation for DC-DC converter Download PDF

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TWI232021B
TWI232021B TW91135548A TW91135548A TWI232021B TW I232021 B TWI232021 B TW I232021B TW 91135548 A TW91135548 A TW 91135548A TW 91135548 A TW91135548 A TW 91135548A TW I232021 B TWI232021 B TW I232021B
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coupled
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Application number
TW91135548A
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English (en)
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TW200301611A (en
Inventor
Robert Isham
Paul Sferrazza
Original Assignee
Intersil Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Publication of TWI232021B publication Critical patent/TWI232021B/zh

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Description

Ο) 1232021 玖、發明說明 (發明說明應敘明:發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明)技術 本申請案主張於2001年12月10日由R· Isham等人申請,標題為rDiscrete step
Temperatrue Compensated Current Sensing Technique for DC to DC」的第 60/338,953號美國臨時專利申請案之利益,在此指派為本申請案的代理申請案 並在此併入當成參考。 #明領域 本發明係關於電子電路以及其上的組件,尤其是直接關 於全新並且改良過的控制切換電路鏡射式、電流感應與修 jE電路’為跳躍模式DC-DC轉換器的輸出切換MOSFET之溫 度變化提供可程式、離散等級補償。 !前技術 積體電路(1C)的電源通常由一或多個直流(DC)電源所供 應,像是跳躍式 '脈衝寬度調變(PWM)式、圖1内圖解顯示 的DC-DC轉換器。如圖内所示,控制器1〇將pwM信號供應給 (MOSFET閘)驅動器20,用於打開和關閉一對有耦合負載的 電源切換裝置。在說明的DC-DC轉換器内,這些電源切換裝 置分成上(或高側)電源NMOSFET (或NFET)裝置30,以及下 (或低側)電源NFET裝置40,其汲極-源極電流路徑串聯於一 對電源供應軌之間(例如VIN和接地(GND))。 上NFET裝置30利用從驅動器2〇供應至其閘極的上閘極切 換信號UGATE來開啟和關閉,並且下NFET裝置40利用來自 驅動器20的下閘極切換信號LGATE來開啟和關閉。上和下 NFET之間的共用節點35會耦合過電感器50 (通常包含一變 壓線圈)到達負載保留電容器60 (耦合至參考電壓端子 發明說明續頁 1232021 (2) (GND))。電感器50和電容器60之間的連接55當成一輸出節 點,所要的(調節)DC輸出電壓VOUT由此供應至負載65 (耦 合至GND)。 輸出節點連線55也反饋至控制器内的錯誤放大器電路 (未顯示),該錯誤放大器用於調節相關於參考電壓的轉換 器輸出DC電壓。此外,共用節點35也耦合至控制器10内的 電流感應電路15,以回應控制器必要時調整PWM信號來將 轉換器的DC輸出維持在規定的參數集内。 為此,控制器可併入於2001年6月12日由R. Isham等人申 請,標題為「Synchronous-Rectified DC to DC Converter with Improved Current Sensing」的第6,246,220號美國臨時專利申請 案内說明之電流感應電路,該申請案在此指派為本申請案 的代理申請案並且在此併入當成參考。如其中所說明,控 制器利用互連在節點35和電流感應電路15之間的電流感應 或比例電阻器37,來監控流過下NFET 40的源極-汲極電流。 電流感應電路可操作來監控流過比例電阻器37的電流 Isense,此電流是從共用節點35流向電感器50的輸出電流Ιουτ 乘上下NFET 40的ON電阻RDS4〇ON與比例電阻器37的電阻R37比 例的乘積,因此和輸出電流Ι〇υτ的代表成比例。負載電流1l (就是流過電感器50的電流I5G)大體上等於輸出電流Ιουτ減掉 流過比例電阻益37的電流Isense。 對於RDS4G〇N至R37的比例通常相當低而言,電流〖SENSE 大體 上小於輸出電流Ι〇υτ’如此輸出電流Ι〇υτ和負載電流具有大 體上類似的大小,讓IsENSE代表負載電流。比例電阻器37的 發明說明續頁 1232021 (3) 電阻經過選擇,以將規定的電流值提供給負載電流II值以及 /或下NFET 40的ON階段電阻RDS4G〇1^|l。如此,利用選擇和下 NFET 40的ON階段電阻RDS4()0N值有關之比例電阻器37,可有 效「調整」併入DC/DC轉換器的壓降、電流限制或跳脫以及 電流平衡之敏感度或大小。通過下NFET 40的啟動階段電阻 RDS40ON (通常為負)會累積在無供應負電壓的轉換器内。此 外,對於下NFET 40的啟動電阻rDS4G〇n會隨溫度變化而言, 則可用包含正溫度係數節溫器(其溫度係數不同於NFET 40 的行為)的網路來取代比例電阻器37。 如圖2内更詳細顯示,控制器的電流感應電路15包含一感 應放大器200,該放大器具有一耦合至一控制器SENSE-連接 埠11的第一、非反向(+ )輸入201,以及一耦合至控制器 SENSE+連接埠12的第二、反向㈠輸入202。SENSE-連接埠11 耦合至NFET 40的接地端,而SENSE+連接埠12則透過比例電 阻器37耦合至共用節點35。感應放大器200其輸出203耦合至 NFET 210的閘極213 (而其汲極-源極路徑則耦合於SENSE+連 接璋12和電流鏡射220的輸入端221之間)^電流叙射220包含 一連接二極體的輸入PFET 230,其具有共同連接至輸入端 221的汲極和閘極,並且其源極耦合至電壓供應軌VCC。PFET 230的閘極共同耦合至電流鏡射PFET 240的閘極,而前者的 源極耦合至供應軌VCC並且汲極則耦合至輸出端222。 在運作中,可運作感應放大器200和NFET 210 (當成受控制 的阻抗)來連績驅動控制器的SENSE+連接埠11朝向接地電 位。這樣會強迫連接至控制器SENSE+連接埠12的電流反饋 1232021 (4) 發明說明續頁 電阻器3 7的末端成為接地電位,並且連接至共用節點3 5的 末端具有負電壓。共用輸入節點35上的負電壓會等於輸出 電流Ι〇υτ和下NFET 40的沒極和源極之間的開啟電阻RDS4〇〇n 之產物。 來自電流鏡射220的電流會流入NFET 210的汲極,並從源 極流出進入SENSE+連接埠12。同時從反方向流入SENSE+連 接埠12的是電流ISENSE,如上述,該電流為負載電流IL的樣 本。為了將SENSE+連接埠12維持在接地電位,感應放大器 200將流過NFET 210並流入SENSE+連接埠12的電流調整成大 致上等於ISENSE。因為ISENSE為負載電流IL的樣本,則由感應 放大器200所控制,流過NFET 210並流入SENSE+連接埠12的 電流也是負載電流IL的樣本。電流鏡射220將流過NFET 210 的感應電流鏡射,並且透過輸出連接埠222將此電流耦合至 監控輸出節點55的控制器錯誤放大器電路。 NFET 40的啟動階段電阻RDS4〇〇n最多可增加至百分之四 十,如同在傳統應用中溫度的增加。若比例電阻器37 (將共 用節點35耦合至SENSE+連接埠12)並未以和RDS4〇〇n相同的 比率增加,則反饋電流為錯誤。為修正此問題,可由包含 正溫度係數節溫器的網路來取代電阻器37,不過這可能很 複雜並且耗費成本。 發明内容 依照本發明,利用新式並且改良的電流感應和修正電路 可成功解決上述溫度變化問題,其提供可程式、階梯狀溫 度補償,並且可設定成迅速併入DC-DC轉換器,像是但不受 發明說明續頁 1232021 (5) 限於圖1和2内顯示的跳躍模式轉換器架構。本發明的前端 部分包含圖2的感應放大器、NFET和電流鏡射電路。 為了提供本發明的階梯狀可程式溫度補償電流調整功 能,圖2的電流鏡射電路可增加複數個可控制切換、輔助電 流鏡射輸出級,其數量可為任意數量。辅助電流鏡射輸出 級可和前端級的電流鏡射之電流鏡射輸出PFET並聯耦合, 每個輔助電流鏡射級包含電流鏡射輸出PFET,其源級-汲極 路徑和隨附的可控制切換式PFET (位於電壓供應軌和總合 電流輸出端之間)串聯耦合。輔助電流鏡射PFET的閘極和前 端級的電流鏡射PFET共同轉合。 當利用程式解碼器選擇性開啟個別切換的PFET,其隨附 的電流鏡射輸出PFET會和前端級的電流鏡射之電流鏡射輸 出PFET並聯耦合,導致並聯耦合的PFET將額外鏡射的「比 例」電流供應至電流輸出端,並且和前端級的電流鏡射輸 出PFE丁所生產的輸出電流加總。如此將所要的電流比例功 能(利用一或多個輔助電流鏡射輸出PFET所鏡射的電流線 性組合形式)提供給本發明的溫度補償電路。對於不受限制 的範例而言,「有比例的」輸出電流可用於「下降」補償 以及過電流偵測。個別輔助電流鏡射PFET所提供的電流大 小取決於其和前端級的電流鏡射輸入電晶體之幾何比例。 為了控制提供額外電流的輔助電流鏡射PFET,其隨附的 切換式PFET之閘極會耗合至mxn解碼器的已解碼輸出線。該 解碼器具有m個耦合至程式源極的可程式輸入,以及η個耦 合至切換裝置控制源極單元(溫度感應器)的程式輸入。如 發明說明續頁 1232021 ⑹ 此該解碼器可有效當成索引表格,並且可操作將其m和η輸 入映射進入Ρ位元輸入碼,這會套用至輔助電流鏡射級的可 控制切換式PFET。 為了提供跳躍模式DC-DC轉換器的下側MOSFET之汲極-源 極電阻内變化的溫度式電流補償,可依照先前已知的 MOSFET熱行為特性以及/或利用熱感應器來定義儲存在解 碼器内的映射表。使用至解碼器的程式輸入提供設計者放 置用於監控下側MOSFET的熱偵測組件之彈性。如此,若電 路板區域不允許將熱偵測器放置在相當接近轉換器下側 MOSFET之處,則可利用適當用於解碼器的程式和映射法 則,來調整組件實際溫度和相對約略監控位置之間的溫度 偏差。 實施方式 在說明本發明的電流感應電路(其提供跳躍模式DC-DC轉 換器的下側MOSFET之汲極-源極電阻内變化的溫度式電流 補償)之前,吾人可觀察到本發明主要還是在傳統DC電源 供應電路及其控制組件的配置内,並且其整合在一起以實 現上面總結内簡要說明的溫度補償電源供應架構。 吾人可了解到本發明可具體實施於其他許多實例中,並 且不受限於此處所顯示和說明的架構。例如,雖然圖式的 無限制電路實例顯示使用MOSFET裝置,吾人可了解到本發 明並不受限於此,也可為其他相同電路裝置的設定,像是 雙極電晶體。屬於本發明的這些規定只用於所說明的實施 範例,並不會將公佈内容和已知道本發明利益的精通此技 1232021 ⑺ 發明說明續頁 # 的 同 相 内 式 圖 和 字 文 中 其 〇 淆 混 相 情 。 事分 之部 瞭的 明同 已相 士 示 人表 術碼 應顯 感内 流! 電 的 圖 明述 發上 本入 照併 依計 明設 說含 解包 , 其 例 3 、利 圖實 意體 注具 接之 直路 請電 時正 此修 和 和 示的跳躍模式DC-DC轉換器之階梯狀可程式溫度補償電 路。圖3電路的前端部分(顯示於破折線300内)包含圖2的感 應放大器200、NFET 210和電流鏡射220。在此,除了適合幫 助了解本發明架構和操作以外,這些組件不會重新解釋。 此外,為了達成本發明所要的階梯狀可程式電流調整(溫 度補償)功能性,圖3的電流感應電路會運用複數個(P)可控 制切換式、輔助電流鏡射輸出級(其中四個顯示於3 10-1、 310-2、310-3、310-P,當成無限制範例)。輔助電流鏡射級的 數量可為任意數量。這些輔助電流鏡射輸出級可和前端級 的電流鏡射220之電流鏡射輸出PFET 240並聯耦合,如圖4内 稍微放大的圖内所示,個別輔助電流鏡射級3 ΙΟ-i包含電流 鏡射輸出PFET 320和隨附可控制切換式裝置,在此為PFET 330 〇 電流鏡射輸出PFET 320的源級-汲極路徑會和供應軌VCC 與PFET 330的汲極-源極路徑串聯耦合。電流鏡射輸出PFET 320的閘極321會與前端級的電流鏡射PFET 240之閘極共同耦 合,而切換式PFET 330的汲極-源極路徑則耦合至「有比例 的」電流輸出端332。輸出端332共同耦合至電流鏡射220的 輸出端222。如此,當個別可控制切換式PFET 330開啟時, 其隨附的電流鏡射輸出PFET 320會變成和前端級的電流鏡 1232021 ⑻ 發明說明續頁 射240之電流鏡射輸出PFET 240並聯耦合。這可讓並聯耦合 的PFET將額外的鏡射「比例」電流組件供應給輸出端322。
「有比例的」電流輸出端322會共同耦合至前端級的電流 鏡射220之輸出端222,如此輔助電流鏡射級所產生的額外鏡 射電流會和電流鏡射輸出PFET 240所產生的輸出電流加總 在一起。如此將所要的電流比例功能(利用一或多個輔助電 流鏡射輸出電晶體320所鏡射的電流線性組合形式)提供給 本發明的補償電路。個別輔助電流鏡射電晶體320所提供的 電流大小取決於其和前端級的電流鏡射輸入電晶體230之 幾何比例。對於無限制範例來說,此幾何比例可為1: 1。
為了控制一或多個輔助電流鏡射PFET將額外電流提供給 電流鏡射電晶體240所供應的輸出電流,個別切換式PFET 330的閘極331會耦合至mxn解碼器340的個別解碼輸出線 343-i。mxn解碼器340具有第一複數m個可程式輸入341-1、…、 343-M,耦合至可程式來源(未顯示),以及第二複數個η個可 程式輸入342-1、…、343Ν,耦合至來自切換裝置控制來源的 η位元連結 35 1。依照本發明,此控制來源包含一溫度感應 單元350。
對於上面指出的要點而言,在輸出端332上產生的「有比 例的」輸出電流可用於「下降」補償以及過電流偵測。mxn 解碼器340可有效當成索引表格,並且可操作將其兩組m和η 輸入映射進入Ρ位元輸入碼,這可透過輸出線343-:1、…、343-Ρ 套用至輔助電流鏡射級310-;1、…、310-P的可控制切換式PFET -13- 330。 發明說明續頁 1232021 (9) 對於無限制範例而言,溫度感應單元350可實施當成數位 N位元計數器和隨附的半導體溫控式電流感應元件,當超過 第一預定(程式規劃的)溫度臨界時遞增計數器,並且當監 控的溫度下降低於第二預定(程式規劃的)溫度磷屆時遞減 技數器。計數器的(N位元)内容會透過N位元連結351耦合至 解碼器340。 使用任何傳統可程式元件(例如但不受限於可程式電阻 器、電容器、EEPROM、EPROM等等)可獲得Μ位元程式輸入 至解碼器340。在使用電阻器當成可程式元件之處,其可和 等量電流來源和A-D轉換器糕合,可根據應用情況定義一組 可程式碼。對於提供跳躍模式DC-DC轉換器的下側MOSFET 之汲極-源極電阻内變化的溫度式電流補償之本發明範例 應用而言,可依照先前已知的MOSFET熱行為特性以及/或利 用熱感應器來定義儲存在解碼器内的映射表。 如先前提及的,使用至解碼器的程式輸入提供設計者放 置監控元件(例如下側MOSFET)的熱偵測組件之彈性。換言 之,若印刷電路板面上無法容納將内部熱偵測器放置在相 當接近其行為要追蹤的組件(例如DC-DC轉換器的下側 MOSFET)附近,則可利用適當用於解碼器的程式和映射法 則,來調整組件實際溫度和相對約略監控位置之間的溫度 偏差。 雖然在此已經顯示並說明了依照本發明的具體實施例, 吾人可了解到在此並未設限並且精通此技術的人士還是可 以進行許多改變與修改,吾人並不希望受限在此處所顯示 1232021 (10) 發明說明續頁 與說明的細節中,但是希望涵蓋精通此技術人士所明瞭的 所有類似改變與修正。 圖式簡單說明 圖1圖解說明傳統跳躍模式、脈衝寬度調變(PWM)式DC-DC 轉換器; 圖2圖解說明用於圖1 DC-DC轉換器的控制器200之電流感 應電路; 圖3圖解顯示依照本發明的電流感應和離散等即可程式 溫度補償電路;以及 圖4為圖3的電流感應和溫度補償電路的個別輔助電流鏡 射級之放大細部圖。 圖式代表符號說明 10 控制器 20 驅動器 30 上電源NFET裝置 40 下電源NFET裝置 35 共用節點 50 電感器 60 負載保留電容器 55 輸出節點連接 65 負載 15 電流感應電路 37 電流感應或比例電阻器 200 感應放大器 (11) 發明說明續頁 第一、非反向(+)輸入 弟二、反向㈠輸入 控制器SENSE-連接埠 控制器SENSE+連接埠 輸出
NFET 閘極 輸入端 電流鏡射 連接二極體的輸入PFET 電流鏡射輸出PFET 輸出端 輔助電流鏡射輸出級 輔助電流鏡射輸出級 輔助電流鏡射輸出級 輔助電流鏡射輸出級 電流鏡射輸出PFET PFET 閘極 「有比例的」電流輸出端 輸出端 電流鏡射輸入電晶體 閘極 mxn解碼器 -16· 1232021 發明說明續頁 (12) 343-i 解碼輸出線 351 η位元連結 350 溫度感應單元
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Claims (1)

1232021 拾、申請專利範圍 1. 一種用於產生一已調節的直流(DC)輸出電壓之裝置,包 含: 一 DC-DC轉換器,其耦合至一供應電壓,並且可操作 來產生一得自該供應電壓的已調節之輸出電壓,該 DC-DC轉換器具有一脈衝寬度調變產生器,其產生可切 換控制一切換式電路運作的PWM切換信號,其中該電路 包含耦合在個別第一和第二電源供應端之間的第一和第 二電源切換裝置,而其一共用節點會透過一電感器耦合 至一輸出電壓端;以及 一控制器,用於控制該PWM產生器的運作,該控制器 包含 一感應放大器單元,該單元具有一耦合至該第一電源 供應端的第一輸入、一第二輸入以及一輸出, 一電流反饋電阻器,其電性耦合於該共用輸出節點與 該感應放大器單元的該第二輸入之間, 一可變阻抗,耦合至該感應放大器單元的該輸出以及 該感應放大器單元的該第二輸入,該可變阻抗設計成改 變阻抗來回應該感應放大器的該輸出,以及 一電流感應和修正電路,其運作來感應流過該可變阻 抗的電流當成一感應電流,並且供應給該控制器一修正 電流,該電流具有和該感應電流有關係的一階梯狀溫度 補償關係。 2. 如申請專利範圍第1項之裝置,其中該電流感應和修正電 路包含一電流鏡射電路,該電路具有一該感應電流所耦 1232021 申請專利範圍續頁 口的電流> 鏡射級’以及複數個可控制切換式電流鏡射 級’其操作來產生該修正電流的個別輸出電流成份。 孓如申请專利範圍第丨項之裝置,其中該第一電源切換裝置 包含一 MOSFET ’並且該電流感應和修正電路可程式規 劃’導致該修正電流補償該M0SFET的汲極-源極電阻隨 溫度之變化。 如申μ專利範圍第3項之裝置,其中一個別可控制切換的 電流> 鏡射級包含一電流鏡射,可操作來產生該修正電流 的一個別輸出電流成份,並且提供一耦合於該可控制切 換的電流鏡射級和來自該修正電流的一電流連接埠之控 制切換裝置。 5·如申請專利範圍第4項之裝置,其中該電流感應和修正電 路包含一解碼器,該解碼器具有複數供應可程式資訊的 輸入’以及複數耦合至該複數可控制切換電流鏡射級的 控制輸入之輸出。 6. 如申請專利範圍第4項之裝置,其中該電流感應和修正電 路包含一解碼器’該解碼器具有一第一複數耦合來接收 溫度補償樣本代碼資訊的輸入,以及複數耦合至該複數 可控制切換電流鏡射級的控制輸入之輸出。 7. 如申請專利範圍第6項之裝置,其中該解碼器具有一第 一複數搞合來接收來自溫度感應器(與該第一電源切換 裝置熱搞合)的溫度樣本資訊之輸入,以及一第二複數辖 合來接收預定可程式資訊的輸入,並且其中該解碼器可 操作將該溫度樣本資訊的内容和該可程式資訊的内容映 申請專利範圍續頁 1232021 射到一輸出碼内,該解碼器透過該輸出耦合至該複數個 可控制切換的電流鏡射級之控制輸入。 8. —種電源供應裝置,包含: 一跳躍模式脈衝寬度調變(PWM) DC-DC轉換器電路, 其具有一輸入、一高側輸出以及一低側輸出; 一高側開關,其耦合於一第一電壓供應端與共用輸出 節點之間,並且可操作來控制流經此處的電流以回應該 南側輸出; 一低側開關,其耦合於該共用輸出節點與一第二電壓 供應端之間,並且可操作來控制流經此處的電流以回應 該低側輸出; 一感應放大器單元,其具有一第一輸入、一第二輸入 和一輸出,該第二輸入耦合至該第二電壓供應端; 一電流反饋電阻器,其電性耦合於該共用輸出節點與 該感應放大器單元的該第一輸入之間; 一可變阻抗組件,其電性耦合至該感應放大器單元的 該輸出以及該感應放大器單元的該第一輸入·該可變阻 抗組件設計成改變阻抗來回應該感應放大器單元的該輸 出; 一電流感應和修正電路,耦合來感應流過該可變阻抗 組件的電流當成一感應電流,並且將該具有和該感應電 流有關係的一階梯狀溫度補償關係之修正電流供應給該 跳躍模式PWM DC-DC轉換器的該輸入。 9.如申請專利範圍第8項之電源供應裝置,其中該電流感應 申請專利範圍續頁 1232021 和修正電路包含一該感應電流所耦合的電流鏡射級,以 及複數個可控制切換的電流鏡射級,其操作來產生該修 正電流的個別輸出電流成份。 10·如申請專利範圍第9項之電源供應裝置,其中該第一電 源切換裝置包含一 MOSFET ’並且該電流感應和修正電路 可程式規劃,導致該修正電流補償該MOSFET的汲極-源 極電阻隨溫度之變化。 11·如申請專利範圍第9項之電源供應裝置,其中一個別可控 制切換的電流鏡射級包含一輸出電流鏡射,可操作來產 生該修正電流的一個別輸出電流成份,並且提供一搞合 於該可控制切換的電流鏡射級和來自該修正電流的一電 流連接埠之控制切換裝置。 12·如申請專利範圍第11項之電源供應裝置,其中該電流感 應和修正電路包含一解碼器,該解碼器具有複數供應可 程式資訊的輸入,以及複數耦合至該複數可控制切換電 流鏡射級的控制輸入之輸出。 13·如申請專利範圍第11項之電源供應裝置,其中該電流感 應和修正電路包含一解碼器,該解碼器具有一第一複數 搞合來接收溫度補償樣本代碼資訊的輸入,以及複數搞 合至該複數可控制切換電流鏡射級的控制輸入之輸出。 14·如申請專利範圍第13項之電源供應裝置,其中該解碼器 具有一第一複數耦合來接收來自溫度感應器(與該第一 電源切換裝置耦合)的溫度樣本資訊之輸入,以及一第二 複數搞合來接收預定可程式資訊的輸入,並且其中該解 申請專利範圍續頁 1232021 碼器可操作將該溫度樣本資訊的内容和該可程式資訊的 内容映射到一輸出碼内,該解碼器透過該輸出耦合至該 複數個可控制切換的電流鏡射級之控制輸入。 15. —種控制一 DC-DC轉換器運作的方法,該DC-DC轉換器耦 合至一供應電壓,並且操作來產生一得自該供應電壓的 已調節輸出電壓,該DC-DC轉換器包含 一脈衝寬度調變產生器,其產生可切換控制一切換式 電路運作的PWM切換信號,其中該電路包含耦合在個別 第一和第二電源供應端之間的第一和第二電源切換裝 置,而其一共用節點會透過一電感器元件耦合至一輸出 電壓端,以及 一控制器,用於控制該PWM產生器的運作,該控制器 包含一感應放大器單元(具有一耦合至該第一電源供應 端的第一輸入、一第二輸入以及一輸出)、一電流反饋電 阻器(耦合於該共用輸出節點與該感應放大器單元的該 第二輸入之間)、一可變阻抗(耦合至該感應放大器單元 的該輸出、,該可變阻抗設計來改變阻抗以回應該感應放 大器單元的該輸出)以及一電流感應電路(耦合至該可變 阻抗,並且操作來感應流過該可變阻抗的電流當成一感 應電流)* 該方法包含步驟: (a) 產生一修正電流,其與該感應電流具有指定的階 梯狀溫度補償關係;以及 (b) 將該修正電流耦合至該控制器,如此該控制器會 1232021 _ 申請專利範圍續頁 依照該修正電流控制該PWM產生器的運作。 16. 如申請專利範圍第15項之方法,其中步驟(a)包含將該電 机感應耦合至該一電流鏡射的一級,該電流鏡射具有複 數可控制切換式電流鏡射級,其操作來產生該修正電流 的個別輸出電流成份。 17. 如申請專利範圍第16項之方法,其中該第一電源切換裝 置包含一 MOSFET,並且其中該步驟(a)包含可程式規劃導 致該修正電流補償該MOSFET的沒極-源極電阻隨溫度之 變化。 18. 如申凊專利範圍第16項之方法,其中一個別可控制切換 的電流鏡射級包含一輸出電流鏡射,可操作來產生該修 正电"ΐϋ的一個別輸出電流成份’並且提供一韓合於該可 控制切換的電流鏡射級和來自該修正電流的一輸出電流 連接埠之控制切換裝置。 19·如申凊專利範圍第μ項之方法,其中步驟(a)將可程式資 訊解碼’並且依照該可程式資訊控制該複數可控制切換 的電流鏡射級。 20·如申凊專利範圍第18項之方法,其中該步驟(a)包含提供 一具有一第一複數耦合來接收溫度補償樣本代碼資訊的 輸入’以及一複數耦合來控制該複數個可控制切換的電 流鏡射級的輸出之解碼器,該解碼器具有一第一複數隸 合來接收來自溫度感應器(與該第一電源切換裝置熱轉 合)的溫度樣本資訊之輸入,以及一第二複數耦合來接收 預定可程式資訊的輸入,並且其中該解碼器可操作將該 申請專利範圍續頁 1232021 溫度樣本資訊的内容和該可程式資訊的内容映射到一輸 出碼内,該解碼器透過該輸出耦合至該複數可控制切換 的電流鏡射級之控制輸入。
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