TWI230445B - Circuit board and its manufacturing method, transfer chip, transfer source substrate, optoelectronic apparatus, and electronic machine - Google Patents

Description

1230445 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於電路的基板間轉印技術的改良及使用此

技術的顯示裝置（光電裝置）及其製造方法。 【先前技術】

將薄膜電晶體使用於畫素驅動的顯示裝置（光電裝置 )’例如在薄膜電晶體驅動液晶顯示裝置、薄膜電晶體驅 動有機電激發光顯不裝置、薄§吴電晶體驅動發光二極體顯 不裝置、薄膜電晶體驅動電泳動顯不裝置等之中，薄膜電 晶體構成裝置全體的一部分，除此以外的大部分，大多是 由配線或支持基板等所構成。將如此的顯示裝置（薄膜電 晶體驅動顯示裝置），經過使薄膜電晶體和配線或支持基 板等，成爲一體化的相同製造過程，進行製造的情況，由 於需要用來製作薄膜電晶體之高度複雜的製造過程，一般 而言，製造成本變高。然而，若僅是製造配線或支持基板 ，則不需要高度複雜的製造過程，製造成本也變低。若能 夠將薄膜電晶體和配線或支持基板個別地作成，僅在必要 的部分，配置薄膜電晶體的話，則可以降低薄膜電晶體驅 動顯示裝置的製造成本。 對於如此的期望，正在開發一種在轉印來源基材上， 經由剝離層，形成由薄膜電晶體等的元件所構成的被轉印 層，接著整體地接合在轉印來源基材上，然後對剝離層照 射光而產生剝離，藉由使轉印來源基材從剝離層脫離，而 -4- (2) 1230445 在轉印對象基材上的規定位置形成元件的轉印方法。例如 在日本特開平1 0- 1 2 5 93 1號公報中所揭示者（專利文獻1 )。藉由使用上述轉印方法，由於能夠僅在必要的部分， 配置薄膜電晶體，所以全體平均而言，可以降低此薄膜電 日日體驅動顯不裝置的製造成本。 〔專利文獻1〕 曰本日本特開平1 0- 1 25 93 1號公報 【發明內容】 (發明所欲解決之課題） 使用上述轉印方法，在將由含有薄膜電晶體等的電路 所構成的被轉印體（轉印晶片），轉印到所希望的轉印對 象基材（例如構成顯示裝置的基板等）上的情況，經常藉 由使被轉印體和轉印對象基材的各個焊墊電極（擔任電連 接的連接端子），預先互相對應地形成，來進行被包含在 被轉印體中的元件和被包含在轉印對象基材中的配線等之 間的電連接。此情況，確實地進行被設置在被轉印體中的 焊墊電極與被設置在轉印對象基材中的焊墊電極之間的導 通’在謀求由包含轉印對象基板所構成的顯示裝置等的最 終產品的良率的高、成本削減、及耐久性等的性能的提高 方面，係重要的課題。 因此，本發明的目的在於提供一種技術，當在被轉印 體和轉印對象基材之間設置焊墊電極，而將兩者電連接時 ，可以確保良好的導通狀態。 -5- 1230445 (3) (解決課題所用的手段） 爲了達成上述目的，本發明的電路基板之製造方法， 係包含： 轉印晶片形成製程，用於在第1基板上形成轉印晶片 ，該轉印晶片包含：以積層膜形成之薄膜電路，及作爲連 接該薄膜電路與其他電路用之連接端子的多數個第1焊墊 電極； 轉印對象基板形成製程，用於形成包含電路配線及多 數個第2焊墊電極的第2基板，該第2焊墊電極，係連接 於該電路配線之同時，與形成於上述轉印晶片上之上述多 數個第1焊墊電極之各個對應配置於轉印對象區域；及 轉印製程，用於將上述第1基板上之上述轉印晶片轉 印於上述第2基板上之上述轉印對象區域使上述薄膜電路 連接於上述電路配線而形成電路基板； 上述多數個第1焊墊電極，係涵蓋上述轉印晶片之一 面全體被配置，各第1焊墊電極係形成爲覆蓋構成其下側 存在之上述薄膜電路之薄膜元件或薄膜配線，依此而使表 ®產生之凹凸部分之最高部分之高度於各焊墊電極形成爲 大略相同。 在此，本發明中所稱的「轉印晶片」，係在使用上述 般的轉印技術，具體而言，預先在最初成爲轉印來源的基 板上’形成被轉印體，然後將被轉印體轉印至與轉印來源 基板相異的轉印對象基板（例如構成最終產品的基板）之 剝離轉印技術的情況中，成爲作爲被轉印體的最小單位之 -6- 1230445 (4) 狀態者；例如由包含各種元件或這些元件的組合所構成的 電路而構成，並擔任規定的功能者。 經由擔任電連接的焊墊電極，在作爲如此的被轉印體 之轉印晶片及成爲轉印對象的基板（第2基板）之間，進 行電路形成的情況，根據轉印時的定位精度的程度等’希 望能確保焊墊電極的尺寸（接觸面積）大到一定程度。因 此，焊墊電極大多涵蓋轉印晶片之一面（轉印面）全體’ 佔用大面積地被配置。此情況，轉印晶片側的焊墊電極（ 第1焊墊電極）係跨過薄膜電路的各部分而形成，所以表 面產生的凹凸之情況，變成難以避免。如此的焊墊電極之 表面的凹凸，容易成爲招致轉印時的接觸不良的原因。 因此，在本發明中，形成焊墊電極，使得各焊墊電極 中的焊墊電極表面所產生的凹凸部分之最高部分亦即最高 部分的高度，大略相同。依此，由於能夠使要將轉印晶片 轉印至轉印對象基板上的轉印對象區域時的接觸面，其高 度大略相同，所以可以確保良好的導通狀態。 理想爲：上述多數個第1焊墊電極，係於形成上述薄 膜元件或上述薄膜配線時被附加高度調整膜據以調整上述 凹凸部分之最高部分之高度。依此，容易調整凹凸部分之 最高部分的高度。如此的高度調整膜，例如可以利用形成 上述薄膜元件等的時候所使用的半導體膜、導電膜或是設 在這些膜之間的絕緣膜等，來加以形成。於此情況，由於 能夠在形成薄膜元件等的時候，一起形成高度調整膜，所 以不會招致製程的增加或複雜化等，情況佳。再者，也可 1230445 (5) 以與形成薄膜元件等的薄膜分開，而個別地形成高度調整 膜。 理想爲.於上述轉印對象基板形成製程中，上述多數 個第2焊墊電極，係形成爲覆蓋構成其下側存在之上述電 路配線，依此而使表面產生之凹凸部分之最高部分之高度 於各第2焊墊電極形成爲大略相同。依此，即使在轉印對 象基板（第2基板）上的轉印對象區域不是平坦，而在此 所形成的第2焊墊電極的表面產生凹凸之情況，由於在轉 印對象基板上之轉印對象區域中的與轉印晶片的接觸面， 能夠形成一致地形成大略相同的高度，所以成爲可以確保 良好的導通狀態。 理想爲：上述多數個第2焊墊電極，係於形成上述電 路配線時被附加高度調整膜據以調整上述凹凸部分之最高 部分之高度。依此，容易調整凹凸部分之最高部分的高度 。如此的高度調整膜，例如可以利用形成上述電路配線時 所使用的導電膜、絕緣膜等，來加以形成。於此情況，由 於能夠在形成電路配線時，一起形成高度調整膜，所以不 會招致製程的增加或複雜化等，情況佳。再者，也可以與 形成電路配線的薄膜分開，而個別地形成高度調整膜。 理想爲：上述多數個第1焊墊電極之各個，其於上述 最高部分對應區域中之上述積層膜之膜構成爲相同。又’ 理想爲：上述多數個第2焊墊電極之各個，其於上述最高 部分對應區域中之下側之上述積層膜之膜構成爲相同。在 此，在本發明中稱爲「膜構成爲相同」’係指膜厚、膜材 -8- 1230445 (6) 料、製膜方法等的任一個或全部相同而言。如此，藉由使 最高部分的膜構成作成相同，由於能夠使各焊墊電極的最 高部分的各種特性（例如導電率或機械強度等），更加地 均質化，所以能夠更進一步地提昇導通狀態和提高可靠度 等。 又，本發明的電路基板之製造方法，係包含： 轉印晶片形成製程，用於在第1基板上形成轉印晶片 ，該轉印晶片包含：以積層膜形成之薄膜電路，及作爲連 接該薄膜電路與其他電路用之連接端子的多數個第1焊墊 電極； 轉印對象基板形成製程，用於形成包含電路配線及多 數個第2焊墊電極的第2基板，該第2焊墊電極，係連接 於該電路配線之同時，與形成於上述轉印晶片上之上述多 數個第1焊墊電極之各個對應配置於轉印對象區域；及 轉印製程，用於將上述第1基板上之上述轉印晶片轉 印於上述第2基板上之上述轉印對象區域使上述薄膜電路 連接於上述電路配線而形成電路基板； 上述多數個第1焊墊電極，係涵蓋上述轉印晶片之一 面全體被配置，各第1焊墊電極係形成爲覆蓋構成其下側 存在之上述薄膜電路之薄膜元件或薄膜配線， 上述多數個第2焊墊電極，係和上述多數個第1焊墊 電極之配置對應地涵蓋上述轉印對象區域全體被配置，各 第2焊墊電極係形成爲覆蓋構成其下側存在之上述電路配 線， -9- (7) 1230445 上述第1焊墊電極與第2焊墊電極之各個係形成於， 可使呈對向配置而構成對之一組第1及第2焊墊電極之各 個之表面產生之凹凸部分之最局部分之局度合S十成爲大略 一定。 如上述般，分別被形成在轉印晶片和轉印對象基板（ 第2基板）中的焊墊電極，由於希望確保其尺寸（接觸面 積）大到一定程度，因此係跨過薄膜電路或電路配線的各 部分而形成，所以表面產生的凹凸之情況，變成難以避免 。如此的焊墊電極之表面的凹凸，容易成爲招致轉印時的 接觸不良的原因。 因此，在本發明中，關於被對向配置而成對的一組第 1焊墊電極和第2焊墊電極，係分別形成第1焊墊電極和 第2焊墊電極，使得各焊墊電極表面所產生的凹凸部分之 最局部的局度的合δ十’大略成爲一'定。依此，由於能夠使 對向配置的各個第1焊墊電極和第2焊墊電極確實地接觸 ，所以可以確保良好的導通狀態。 再者，在本發明中，關於各個第1焊墊電極和第2焊 墊電極，理想爲使用上述的高度調整膜來調整最高部分的 高度。進而，關於各個第1焊墊電極和第2焊墊電極，理 想爲使最局部分的膜構成作成相同。藉由此用此種構成所 產生的效果，如上所述。 又，在上述各個本發明中，轉印製程理想爲包含：在 上述轉印晶片上形成之上述第1焊墊電極與上述第2基板 上形成之上述第2焊墊電極之間形成接著層的製程。依此 -10- 1230445 (8) ’能夠作成使得第1焊墊電極和第2焊墊電極間的連接， 更爲強固且確實。再者，接著層，例如使用具有導電性的 接著劑或含有導電性粒子而構成的異方性導電膜等，來加 以形成。 又’轉印晶片形成製程，理想爲包含形成剝離層之製 程，該剝離層爲介於上述第1基板與上述轉印晶片之間， 且具有藉由被賦與能量產生狀態變化以弱化其與上述轉印 晶片間之固接狀況的性質。依此，在轉印時，容易將轉印 晶片從第2基板剝離。再者，能量的施加方法，特別理想 爲藉由使用雷射光等的光照射之方法。若藉由使用光照射 的方法，能夠對任意的區域施加能量，同時可以正確地定 位。 又，本發明的轉印晶片，係作爲至少包含：以積層膜 形成之薄膜電路，及作爲連接該薄膜電路與其他電路用之 多數個焊墊電極，的轉印單位被形成於第1基板，由該第 1基板被轉印至形成有配線之第2基板的轉印晶片； 上述多數個焊墊電極，係涵蓋上述轉印晶片之一面全 體被配置’各焊塾電極係形成爲覆盖構成其下側存在之上 述薄膜電路之薄膜元件或薄膜配線’依此而使表面產生之 凹凸部分之最高部分之高度於各焊墊電極形成爲大略相同 〇 藉由採用此種構成，由於能夠將轉印晶片被轉印至轉 印對象基板（第2基板）上的轉印對象區域時的接觸面’ 成爲大略相同的高度，所以能夠確保良好的導通狀態。 -11 - 1230445 ⑼ 又，本發明係將關於本發明的轉印晶片多數地形成在 基板上而構成的轉印來源基板。又，該轉印來源基板，理 想爲另具有剝離層，該剝離層爲介於上述基板與上述轉印 晶片之間，且具有藉由被賦與能量產生狀態變化以弱化其 與上述轉印晶片間之固接狀況的性質。

又，本發明係使用藉由本發明的製造方法所製造的電 路基板，而被製造的光電裝置。更具體而言，本發明係關 於將上述電路基板和藉由該電路基板而被控制動作之光電 元件加以組合所構成的光電裝置。或者，本發明係使用上 述轉印晶片或上述轉印來源基板而製造的光電裝置。依此 ，可以提高光電裝置的良率、降低成本、及提高耐久性等 的性能。再者，本發明中的「光電裝置」包含由電激發光 (E L )元件、電發光元件、電漿發光元件、電泳動元件 、液晶元件等的各種光電元件所構成的顯示裝置。

又，本發明係將上述關於本發明的光電裝置，作爲顯 示部加以使用的電子機器。在此，電子機器包含：攝影機 、手機、個人電腦、攜帶型資訊端末裝置（亦即P D A )或 是其他各種電子機器。藉由使用關於本發明的光電裝置， 可以提高電子機器的良率、降低成本、及提高耐久性等的 性能。 【實施方式】 (本發明之實施形態） 以下，說明關於應用本發明的一實施形態的薄膜電晶 -12- (10) 1230445 體驅動型顯示裝置。在本實施形態中，作爲薄膜電晶體驅 動型顯示裝置的一例，說明關於由包含光電元件的一種類 亦即有機EL元件所構成的有機EL顯示裝置。 第1圖係槪略地表不本實施形態的有機E L顯示裝置 的構成之圖。如該圖所示的有機E L顯示裝置1 〇 〇，係將 由包含3個顏色畫素1、2、3所構成的畫素（基本畫素） 1 0 1，矩陣狀地排列多數個而構成。各顏色畫素，例如顏 色畫素1爲紅色、顏色畫素2爲綠色、顏色畫素3爲藍色 。使用內裝有由包含複數個薄膜電晶體（TFT )所構成的 驅動電路（薄膜電路）之晶片，來驅動各畫素1 〇、1。 第2圖係說明關於畫素1 01的構造之圖。第2圖（a )係表不畫素1〇1的平面圖、第2圖（b)係表示第2圖 (a)中的 A—A /剖面圖。再者，在第2圖（a)中，爲 了說明的方便，省略構成要件的一部份地加以表示。 如第2圖所示，畫素1 01，係在由玻璃等的絕緣材料 所組成的基板1 〇上’由下層側開始，依序地積層第1配 線層1 2、第2配線層1 4、及發光元件層1 6而形成。再者 ，在第2圖（a )中，爲了說明第1和第2配線層的構造 ，省略第2配線層1 4的一部份和發光元件層1 6地加以袠 ° 第1配線層1 2，係被構成：包含被形成在基板1 〇 '上 的配線20、及用來將該配線20和被包含在第2配線層1 4 中的配線（詳後述）之間加以電連接而設置的開口部22 。經由此開口部22，被包含在第2配線層1 4中的配線， •13- 1230445 (11) 各 線 元 、 34 焊 配 ) 省 層 體 各 10 基 厂 線 40 42 護 形 邰份地與配線20抵接，來謀求兩者的電連接。又，在 配線2 0之間，形成絕緣構件（例如氧化矽等）◦再者 在第2圖（a )中，省略表示該絕緣構件。 第2配線層1 4，係被構成包含：被形成在第1配 層1 2上的配線3 〇、用來將此配線3 0和被包含在發光 件層1 6中的電極（詳後述）之間加以電連接的插塞3 2 用來驅動發光元件層1 6的晶片3 4、及由用來將此晶片 和配線3 0間加以電連接的複數個焊墊電極3 6所構成的 墊群38。又，在第2圖（a)中雖然省略其圖示，在各 線3 0或插塞3 2等之間，形成絕緣構件（例如氧化矽等 。再者’在第2圖（a )中，關於晶片3 4，雖然也加以 略表示，但是該晶片3 4係被形成在上述焊墊群3 8上。 在本實施形態中，藉由第1配線層1 2和第2配線 1 4來形成電路配線。又，晶片3 4係包含複數薄膜電晶 而構成；具備分別獨立地控制包含在1個畫素1 〇〗內的 顏色畫素1、2、3之功能。此晶片3 4被形成在與基板 相異的別的基板（轉印來源基板）上，然後從轉印來源 板剝離而被轉印到基板1 0上。再者，該晶片3 4係對應 轉印晶片」。該轉印方法詳如後述。 發光元件層16，係被構成包含：被形成在第2配 層1 4上的3個畫素電極40、被配置成面對此畫素電極 之共通電極42、被配置在各畫素電極4〇和共通電極 之間的3個發光層44、及被形成在共通電極42上的保 層46。又，在各畫素電極4〇或各發光層44等之間， -14 - 1230445 (12) 成絕緣構件（例如氧化砂等）。藉由各畫素電 層在其上的各發光層44、及共通電極42，形 元件（光電元件）；藉由各發光元件，分別構 素1、2、3。根據上述晶片3 4，經由各畫素I 成爲能夠對各發光層44，分別獨立地供給電 顏色畫素1、2、3分別獨立地被開關。 接著，關於本實施形態的晶片3 4的構造 例來加以詳細地說明。 第3圖係表示晶片3 4的內部構造的平面 圖中，爲了能夠容易瞭解包含在晶片3 4內的 (TFT )或薄膜配線等的構造，省略表示設置 電晶體等的頂面上的構成要件。關於圖示中所 要件，將於以後說明。 如弟3圖所不，晶片3 4係被構成包含： 被形成在右側區域之3個開關薄膜電晶體S T 1 ;以及左右排列地被形成在左側區域之3個驅 體 DTI、DT2、DT3。 在本實施形態中，關於一個顏色畫素，係 開關薄膜電晶體和一個驅動薄膜電晶體加以組 畫素電路，來加以驅動。具體而言，第3圖所 膜電晶體S T 1，係對應輸入信號（掃描信號） 電晶體D T 1動作。驅動薄膜電晶體D T 1，控 色畫素1的發光層44中流動的電流。同樣的 關薄膜電晶體ST2和驅動薄膜電晶體DT2加 極4 0和積 成3個發光 成各顏色畫 1極 4 0，而 源，使得各 ，表示具體 圖。在第3 薄膜電晶體 在這些薄膜 省略的構成 上下排列，地 、ST2 、 ST3 動薄膜電晶 藉由將一個 合所構成的 示的開關薄 使驅動薄膜 制在構成顏 ，藉由將開 以組合而成 -15- (13) 1230445 的畫素電路，來控制在構成顏色畫素2的發光層4 4中流-動的電流。藉由將開關薄膜電晶體S T 3和驅動薄膜電晶體 DT3加以組合而成的畫素電路，來控制在構成顏色畫素3 的發光層4 4中流動的電流。 上述各開關薄膜電晶體和各驅動薄膜電晶體’包含用 來形成第1薄膜配線層、及薄膜電晶體的活性區域等的半 導體膜；構成包含：被形成在第1薄膜配線層上的半導體 層、及被形成在該半導體層上的第2薄膜配線層。在第3 圖中，爲了明確地表示出各層的區別，分別藉由將第1薄 膜配線層反白、將半導體層以往右下的粗陰影線、將第2 薄膜配線層以往右上的細陰影線，來加以表示。又，在各 層的層間，形成由S i Ο 2等所構成的絕緣層。 接著，一邊參照第3圖，一邊分別詳細地說明第1薄 膜配線層、半導體層、及第2薄膜配線層的構造。 第1薄膜配線層係被構成包含：薄膜配線50 a〜50 d 。薄膜配線50a，兼作爲各開關薄膜電晶體ST1、ST2、 ST3的閘極電極，同時與被包含在第2薄膜配線層中的薄 膜配線54a電連接。對於此薄膜配線50a，藉由經由薄膜 配線54a供給掃描信號，能夠控制各開關薄膜電晶體ST1 、ST2、ST3的動作。 又，在第3圖中雖然省略薄膜配線54a的圖示，但是 實際上係與被設置在第2薄膜配線層上側的焊墊電極（擔 任電連接的連接端子）電連接；經由此焊墊電極，掃描信 號從晶片3 4的外邰被傳達至薄膜配線5 4 a。關於焊墊電 -16- 1230445 (14) 極的詳細，容後說明。在本實施形態中’如此地對 將掃描信號供給至各開關薄膜電晶體S T 1、S T2、 配線，加以共通化，藉由作成一個共通配線’來減 薄膜配線層的形成所需要的面積’同時減少焊墊電 量，達成晶片3 4尺寸的縮小。進而’藉由焊墊電 (也就是連接處）變少’轉印時發生接觸不良的機 少。 薄膜配線5 0 b，與半導體膜5 2 a電連接；係擔 開關薄膜電晶體s τ 1供給的電流’傳達至驅動薄膜 DT1的功能，同時兼作爲驅動薄膜電晶體DT1的 極。 薄膜配線5 0 c，經由被包含在第2薄膜配線層 膜配線54d，與半導體膜52b電連接；係擔任將從 膜電晶體ST2供給的電流，傳達至驅動薄膜電晶 的功能，同時兼作爲驅動薄膜電晶體DT2的閘極電 薄膜配線50d，與半導體膜52c電連接；係擔 開關薄膜電晶體S T3供給的電流，傳達至驅動薄膜 DT3的功能，同時兼作爲驅動薄膜電晶體DT3的 極。 半導體層係被構成包含半導體膜52a〜52k。 膜5 2a，其一端側與薄膜配線54b連接，另一端則 配線50b連接，而擔任開關薄膜電晶體ST1的活性 半導體膜5 2 b ’其一端側與薄膜配線5 4 c連接，另 與薄膜配線54d連接，而擔任開關薄膜電晶體ST2 於用來 ST3 之 少第1 極的數 極數量 率也變 任將從 電晶體 閘極電 中的薄 開關薄 體 DT2 極。 任將從 電晶體 閘極電 半導體 與薄膜 區域。 一端則 的活性 -17- 1230445 (15) 區域。半導體膜52c，其一端側與薄膜配線54e連接，另 一端則與薄膜配線50d連接，而擔任開關薄膜電晶體ST3 的活性區域。 半導體膜52d，分別與薄膜配線54g、54f連接，同 時也與後述的焊墊電極（在此未圖示）連接，且擔任驅動 薄膜電晶體DT1的活性區域。半導體膜52e，分別與薄膜 配線54h、54i連接，同時也與後述的焊墊電極（在此未 圖示）連接，且擔任驅動薄膜電晶體DT2的活性區域。 半導體膜52f，分別與薄膜配線54j、54k連接，同時也與 後述的焊墊電極（在此未圖示）連接，且擔任驅動薄膜電 晶體DT3的活性區域。 半導體膜52g，被形成在薄膜配線54c的下層，係用 來調整被形成在該薄膜配線54c的上層之焊墊電極的高度 。同樣的，半導體膜52h，被形成在薄膜配線54e的下層 ，係用來調整被形成在該薄膜配線54e的上層之焊墊電極 的高度。又，關於半導體膜5 2 i、5 2 j、5 2 k也是同樣的， 係用來調整被形成在薄膜配線5 4 b、5 4 a、5 4 k的上層之焊 墊電極的高度。再者，焊墊電極的詳細（特別是焊墊電極 的「高度」之規定方法等），容後說明。 如此，在本實施形態中，在形成擔任薄膜電晶體的活 性區域之半導體膜的時候，一倂形成用來調整焊墊電極的 高度之半導體膜，亦即形成「高度調整膜」。依此，不會 導致製程的增加或複雜化等的情況發生，並能夠適當地調 整焊墊電極的高度。再者，除了使用半導體膜的情況以外 -18- 1230445 (16) ’也可以利用薄膜配線或絕緣膜等，來形成高度調整膜。 第2薄膜配線層，係被構成包含薄膜配線54a〜54k 。在此，關於被形成在第2薄膜配線層的上側，而擔任晶 片3 4的內部電路和外部之間的電連接之焊墊電極，說明 與薄膜配線54a〜54k之間的連接關係。 第4圖係說明關於焊墊電極的圖。如該圖所示，在晶 片3 4之第2薄膜配線層的上側，設置1 〇個焊墊電極5 6 a 〜5 6j。這些焊墊電極56a〜5 6j，係被構成與被包含在上 述畫素1 〇 1中的各焊墊電極3 6 (參照第2圖）一對一地 對應。將第4圖所示的晶片3 4反轉，藉由使各焊墊電極 5 6a等，相對於被包含在上述第2圖所述之畫素101中之 焊墊群3 8的各焊墊電極3 6，面對面地貼合，進行晶片3 4 的轉印。關於晶片3 4的轉印方法詳如後述。 焊墊電極5 6a，經由被形成在第2薄膜配線上的絕緣 膜中的開口部55a，與薄膜配線54a電連接。掃描信號經 由此焊墊電極56a從外部被供應至薄膜配線54a，來驅動 開關薄膜電晶體ST1〜ST3。焊墊電極56b，經由被形成 在薄膜配線54b上的絕緣膜中的開口部55b，與薄膜配線 5 4b電連接。電流經由此焊墊電極5 6b從外部被供應至薄 膜配線54b，來將電流供應至開關薄膜電晶體ST 1的活性 區域。焊墊電極5 6 c，經由被形成在薄膜配線5 4 c上的絕 緣膜中的開口部5 5 c，與薄膜配線5 4 c電連接。電流經由 此焊墊電極56c從外部被供應至薄膜配線54c，來將電流 供給至開關薄膜電晶體ST2的活性區域。焊墊電極56d， -19- 1230445 (17) 經由被形成在薄膜配線54e上的絕緣膜中的開口部55d， 與薄膜配線54e電連接。電流經由此焊墊電極56d從外部 被供應至薄膜配線54e，來將電流供應至開關薄膜電晶體 S T 3的活性區域。 焊墊電極5 6 e，經由被形成在薄膜配線5 4 f上的絕緣 膜中的開口部5 5 e，與薄膜配線5 4 f電連接。電流經由此 焊墊電極56e從外部被供應至薄膜配線54f，來將電流供 應至驅動薄膜電晶體DT1的活性區域。焊墊電極56f，經 由被形成在薄膜配線54g上的絕緣膜中的開口部55f，與 薄膜配線54g電連接。此焊墊電極56e與上述焊墊電極 3 6的其中一個電連接。而且，從驅動薄膜電晶體DT1輸 出的電流，經由薄膜配線54g、焊墊電極56f及與該焊墊 電極5 6f電連結之焊墊電極3 6，被供應至顏色畫素1。 焊墊電極56g，經由被形成在薄膜配線54h上的絕緣 膜中的開口部5 5 g，與薄膜配線5 4 h電連接。電流經由此 焊墊電極56g從外部被供應至薄膜配線54h，來將電流供 應至驅動薄膜電晶體DT2的活性區域。焊墊電極56h，經 由被形成在薄膜配線54i上的絕緣膜中的開口部55h，與 薄膜配線54i電連接。此焊墊電極56h與上述焊墊電極36 的其中一個電連接。而且，從驅動薄膜電晶體DT2輸出 的電流，經由薄膜配線54i、焊墊電極56h及與該焊墊電 極5 6h電連結之焊墊電極3 6，被供應至顏色畫素2。 焊墊電極56i，經由被形成在薄膜配線54j上的絕緣 膜中的開口部5 5 i，與薄膜配線5 4 j電連接。電流經由此 -20- 1230445 (18) 焊墊電極5 6 i從外部被供應至薄膜配線5 4 j，來將電流供 應至驅動薄膜電晶體DT3的活性區域。焊墊電極5 6j，經 由被形成在薄膜配線54k上的絕緣膜中的開口部5 5j，與 薄膜配線54k電連接。此焊墊電極56j與上述焊墊電極36 的其中一個電連接。而且，從驅動薄膜電晶體DT3輸出 的電流，經由薄膜配線5 4k '焊墊電極5 6i及與該焊墊電 極5 6 i電連結之焊墊電極3 6，被供應至顏色畫素3。 接著，說明關於被設置在晶片3 4上的各焊墊電極 56a〜5 6j的高度。 第5圖係說明關於焊墊電極的高度之圖。具體而言， 第5圖（a)係表示從第3圖和第4圖所示的B— β /方向 來看焊墊電極5 6d所得到的剖面圖；第5圖（b )係表示 從第3圖和第4圖所示的C 一 C /方向來看焊墊電極56f 所得到的剖面圖。 如第5圖（a )所示，焊墊電極5 6 d具有2處從晶片 3 4的底面算起的高度（離開距離）最高的部分亦即「最 高部分」。而且，這2處最高部分56d— 1、56d— 2，其 從晶片34的底面算起的局度，分別爲L1。又，如第5圖 (b )所示，焊墊電極5 6 f具有1處最高部分5 6 f - 1 ;該 最高部分56f— 1之從晶片34的底面算起的高度爲L1。 進而，關於未圖示的其他焊墊電極5 6 a等，分別具有至少 1處之從晶片34的底面算起的高度爲li之最高部分。 亦即，複數個焊墊電極5 6 a〜5 6 j，由於被形成在將薄 膜配線層或半導體層等加以積層所形成的薄膜電路的頂面 -21 - (19) 1230445 ，所以與外部（具體而言，對向配置的各焊墊電極36) 之間的接觸面爲非平坦。因此，在本實施形態中’各焊墊 電極分別具有至少1處的最高部分，且這些焊墊電極係形 成使得其最高部分的高度大略爲相同的L 1 °如此’爲了 使最高部分的高部調整成大約爲相同的L 1 ’將對於薄膜 電路的構成沒有直接關係的半導體膜（或絕緣膜等）’作 爲高度調整膜，加以適當地形成。又，複數個焊墊電極 5 6a〜5 6j，其各個對應最高部分之區域中的積層膜的膜構 成，係相同的。 再者，在第5圖所示的例中，係以晶片3 4的底面作 爲「基準面」來規定各最高部分的高度L1;但是基準面 也不被限定於此，只要將可以作爲共通的基準之其他的平 面（例如薄膜配線5 0 a等的形成面或半導體膜5 2 e等的形 成面等），作爲基準面便可以。 接著，詳細地說明關於被形成在上述晶片3 4內的各 焊墊電極5 6 a〜5 6 j、及以一對一地對應而被形成在各晝素 1 0 1內的複數個焊墊電極3 6。 6圖和弟7圖係|兌明關於被形成在畫素1 〇 1內的焊 墊電極36之圖。第6圖係將包含第2圖所示的畫素1〇1 內的焊墊電極3 6之區域加以擴大表示的圖。在此，考量 說明的方便’爲了使各焊墊電極3 6的區別變容易，以符 號置換焊墊電極3 6 a〜3 6 j來加以表示。各焊墊電極3 6 a〜 3 6 j，分別對應晶片3 4上的各焊墊電極5 6 a〜5 6 j。又，第 7圖（a)係表τκ從第6圖所示的D— 方向來看焊墊電 -22- 1230445 (20) 極3 6d所得到的剖面圖；第7圖（b )係表示從第 示的E — E >方向來看焊墊電極3 6 f所得到的剖面圖 如第7圖（a)所示，焊墊電極36d具有2處 有畫素101的基板10之底面算起的高度爲最高的 即「最局邰分」。而且，這2處最高部分36d— 1 2，其從基板1 0的底面算起的高度，分別爲L2。 第7圖（b)所示，焊墊電極36f具有2處最高部5 1、36f — 2，垣些取局部分36f — 1、36f — 2的局度 進而，關於未圖示的其他焊墊電極3 6 a等，分別具 1處之從基板1 〇的底面算起的高度爲L2之最高部: 亦即，複數個焊墊電極36a〜3 6j，由於被形成 線層或絕緣層等加以積層所形成的電路配線的頂面 與外部（具體而言，對向配置的各焊墊電極5 6 a等 的接觸面爲非平坦。因此，在本實施形態中，各焊 分別具有至少1處的最高部分，且這些焊墊電極係 得其最高部分的高度大略爲相同的L2。又，複數 電極3 6a〜3 6j，其各個對應最高部分之區域中的積 膜構成，係相同的。 再者，在第7圖所示的例中，雖然沒有特別地 度調整膜，但是根據焊墊電極的形成位置，也有需 況。在此種情形下，爲了調整最高部分的高度，使 與L2相同，也可以將對於電路配線的構成沒有直 的絕緣膜等，作爲高度調整膜，加以適當地形成。 方法，與上述焊墊電極56a等的情況（參照第5圖 6圖所 I ° 從形成 部份亦 、36d — 又，如 > 36f-爲L2。 有至少 分。 在將配 ，所以 )之間 墊電極 形成使 個焊墊 層膜的 設置局 要的情 一 其大略 接關係 具體的 )是同 -23- 1230445 (21) 樣的。 本實施形態的晶片3 4具有上述般的構成；接著說明 關於本實施形態的有機EL顯示裝置的製造方法。在本實 施形態中，係使用：預先將上述晶片3 4複數地形成在轉 印來源基板上，然後將該晶片3 4從第1基板剝離，而轉 印在構成有機EL顯示裝置之基板上的轉印技術。 第8圖和第9圖係說明關於本實施形態的製造方法的 圖。該轉印方法，包含以下說明的第1製程〜第5製程。 <第1製程> 第1製程，如第8圖（a )所示，在轉印來源基板60 上，形成剝離層（光吸收層）62。 轉印來源基板60，理想爲具有可以使光透過的透過 性者。依此，能夠經由轉印來源基板將光照射在剝離層上 ，而藉由光照射，能夠正確且迅速地將剝離層剝離。此情 況，光的透過率理想爲1 〇 %以上，更理想爲5 0 %以上。這 是因爲光透過率越高則光的減衰（損失）越少，只要以更 小的光量便可以將剝離層62剝離。 又，轉印來源基板60，理想爲以可靠度高的材料來 構成；特別理想是以耐熱性優異的材料來構成。其理由爲 :例如在形成作爲被轉印體的晶片3 4時，根據其種類或 形成方法，製程溫度會變高（例如3 5 0〜1 0 0 0 °C左右）， 即使在此種情況，若轉印來源基板6 0的耐熱性優異，當 將晶片3 4形成在轉印來源基板6 0上的時候，其溫度條件 -24- 1230445 (22) 等的成膜條件的設定範圍寬。依 製造多數個晶片的時候，可以進 夠可靠度高地製造出高性能的元 因此，轉印來源基板60，當 溫度爲Tm ax時，理想爲以應變 構成。具體而言，轉印來源基板 點理想爲3 5 0 °C以上，更理想爲 料，例如石英玻璃、康寧7 〇 5 9、 的耐熱玻璃。 又，轉印來源基板6 0的厚 通常理想爲〇 . 1〜5 · 0 m m，更理充 源基板60的厚度越厚則強度提 基板60的透過率低的情況，則 況。再者，當轉印來源基板60 厚度也可以超過前述上限値。再 光，轉印來源基板60的厚度，理 轉印來源基板雖然有如此的 基板與成爲最終製品的轉印對象 地利用，所以即使是使用較高價 ，故可以減少製造成本的上升。 剝離層62係具有：吸收照 界面產生剝離（以下成爲「層內 的性質；理想爲：藉由光照射， 原子間或分子間的結合力消失或 此，當在轉印來源基板上 行所希望的高溫處理，能 件或電路寺。 以形成晶片3 4時的最高 點爲T m a X以上的材料來 60的構成材料，其應變 5 0CTC以上。此種構成材 曰本電氣玻璃OA - 2等 度雖然沒有特別的限定， I爲 0 · 5〜1 · 5 m m。轉印來 昇，若越薄則當轉印來源 較不易發生光的減衰之情 的光透過率高的情況，其 者，爲了能夠均勻地照射 丨想爲均勻的。 各種條件，但是轉印來源 基板相異，由於可以重複 的材料，由於重複地使用 射光，而在其層內及/或 剝離」、「界面剝離」） 構成剝離層6 2的物質之 減少，亦即產生脫離而達 -25- 1230445 (23) 成層內剝離及/或界面剝離。 進而，也有藉由光照射，而從剝離層6 2放出氣體’ 而被發現分離效果的情況。亦即，一旦包含在剝離層6 2 內的成分成爲氣體而被放出，剝離層62吸收光而在瞬 間成爲氣體，該蒸氣被放出而對分離有貢獻。如此的剝離 層6 2的組成，例如有以下A〜F所記載的。 (A)非晶質5夕（a-Si) 在此非晶質砂中，也可以含有氫（Η ) ◦此情況’ Η 的含 量理想爲2原子％以上的程度，更理想爲2〜2 0原子 %程度。 (Β )氧化矽或矽化合物、氧化鈦或鈦酸化合物、氧 化鉻或鍩酸化合物、氧化鑭或鑭酸化合物等的各種氧化物 陶瓷、電介質（強電介質）或半導體。 (C ) PZT、PLZT、PLLT、ΡΒΖΤ等的陶瓷或電介質 (強電.介質）。 (D )氮化矽、氮化鋁、氮化鈦等的氮化物陶瓷。 (Ε )有機高分子材料 作爲有機高分子材料，只要是具有—CH-、一 CO-(酮）、—CONH—(醯胺基）、一 ΝΗ -（亞氨基）、 —C〇〇—(酯）、—Ν = Ν—(偶氮基）、—CH = N—(席 夫）等的結合（藉由光照射，這些結合被切斷）者，特別 是具有多數這些結合者，不論爲何者皆可。又，有機高分 子材料，也可以爲在其構造式中，具有芳香族碳化氫（1 -26- (24) 1230445 或2以上的苯環或其縮合環）者。 作爲如此的有機高分子材料的具體例，例如有：聚乙 嫌、聚丙烯之類的聚烯、聚醯亞胺、聚醯胺、聚酯、聚甲 基丙烯酸甲酯（PMMA )、聚伸苯基硫（PPS )、聚醚硕 、環氧樹脂等。 (F )金屬。 作爲金屬，例如有：Al、Li、Ti、Mn、In、Sll、γ、

La、

Ce、Nd、Pr、Gd、Sm或至少含有這些金屬的至少一 種以上的合金。其他，也能夠利用含有氫的合金來構成剝 離層。剝離層使用含有氫的合金之情況，伴隨著光的照射 ，氫被釋放出來，依此可以促進剝離層中的剝離。 又，也可以利用含有氮的合金來構成。離層使用含有 氮的合金之情況，伴隨著光的照射，氮被釋放出來，依此 可以促進剝離層中的剝離。進而，也可以將剝離層作成多 層膜。多層膜例如可以做成由非晶質矽膜和被形成在其上 的金屬膜所構成。作爲多層膜的材料，也能夠由上述陶瓷 、金屬、有機局分子材料的至少一種來構成。 剝離層6 2的形成方法，並沒有特別地限制，可以根 據膜的組成或膜厚等的條件，加以適當地形成。例如有： CVD、濺鍍等的各種氣相成膜法、各種電鍍法、旋轉塗佈 等的塗佈法、各種印刷法、轉印法、噴墨塗覆法、粉末噴 射法等，也可以組合2種以上這些方法來形成。 再者’雖然在第8圖（a )沒有圖示出來，根據轉印 -27- (25) 1230445 來源基板60和剝離層62的性質’也可以在轉印來源基板 6 〇和剝離層6 2之間’設置以提局兩者的密者性爲目的之 中間層。此中間層’例如在製造時或使用時’係用來發揮 :對被轉印層加以物理的或化學的保護之保護層' 絕緣層 、阻止往被轉印層或從被轉印層開始之成分的移動（遷移 )之障壁層、及反射層之至少一種機能。 <第2製程> 接著，說明第2製程。第2製程如第8圖（b )所示 ，在剝離層6 2上，形成複數個晶片3 4。將由複數個晶片 3 4所構成的層，稱爲被轉印層6 4。 在薄膜電晶體等的製造中，要求一定程度的高溫製程 ，因而形成薄膜電晶體等的基材，需要如轉印來源基板般 地滿足各種條件。在本實施形態的製造方法中，由於利用 滿足各種製造條件的轉印來源基板來製造薄膜電晶體等， 所以可以將薄膜電晶體等，轉印至沒有滿足此製造條件之 最終基板上。亦即，在本實施形態的製造方法中，作爲最 終基板’具有：能夠使用由較廉價的材料所構成的基板， 而擁有可以降低製造成本之優點；或是可以使用具可撓性 之撓性基板等’而具有使得最終基板的選擇範圍變廣等的 優點。 在此，說明關於被轉印層6 4中的各晶片3 4之分離。 作爲各晶片3 4的分離方法，可以考慮：藉由蝕刻等將各 個晶片3 4分離的方法；僅使剝離層分離的方法；以及藉 -28- 1230445 (26) ώ將特定的構造形成在轉印來源基板上，使各個被轉印體 容易分離等的方法◦在此，說明將各個晶片3 4完全地分 離之方法。 如第8圖（c )所示，爲了將各晶片3 4各自地分離， 在相當於晶片3 4區域的外周，藉由濕式蝕刻或乾式鈾刻 等’形成成爲凹部構造的溝62c，使各晶片34殘留成島 狀。此溝62c，在基板的厚度方向，係將被轉印層64的 全部及剝離層62的全部（參照第8圖（c ))或一部份（ 參照第8圖（d ))加以切除。此切除也可以比被轉印層 64爲淺。此溝62c，除了如第8圖（d )所示地鈾刻至剝 離層62的一部份而形成以外；也可以如第8圖（c )所示 地將剝離層62完全地蝕刻而將各晶片3 4和位於其正下方 的剝離層62，以相同的形狀之狀態，殘留成島狀。藉由 形成相同的晶片3 4，然後以相等的節距進行蝕刻來將被 轉印體並排地配置在轉印來源基板6 0上，在剝離製程（ 後述的第4和第5製程）中，可以容易地僅轉印所希望的 晶片3 4。 藉由預先切除被轉印層64，可以將剝離體的一部份 ，延著其區域的形狀，完全地剝離；在該區域剝離時，可 以防止被破壞。又，伴隨著剝離之被轉印層6 4的破壞， 可以做成不會及於鄰接區域。又，藉由往膜厚方向預先地 切除，即便用來將特定的晶片3 4接合在轉印對象基材上 的接著層的接合力弱的情況，也可以做成將晶片3 4剝離 。又，由於成爲轉印對象的區域之外觀明確，基板間的轉 -29- 1230445 (27) 印時的定位變容易。 再者，如第8圖（e )所示，也可以進行過蝕，使得 剝離層62與晶片3 4之接著面積’比被轉印體的剝離層接 合面的全部面積小。藉由如此地將剝離層6 2過触刻，由 於剝離層的面積變小，所以將光照射在剝離層6 2上來進 行剝離時，除了以較少的力便能夠確實地剝離以外，藉由 縮小剝離層62，能夠減少剝離塒所需要的光能量。 進而，如第8圖（d )所示，也可以僅蝕刻被轉印層 > 6 4而預先形成溝6 2 c，而使剝離層，6 2以連續的狀態殘留 。由於若能夠對形成有晶片3 4之區域沒有遺漏地賦予能 量，則能夠在此區域的剝離層62確實地產生剝離，所以 即使剝離層62本身沒有設置裂縫，也可以僅使所希望的 被轉印體剝離。 <第3製程> 接著，如第9圖（a )所示，藉由將轉印來源基板6 0 之晶片3 4的形成側的面、及轉印對象基板6 6之轉印晶片 3 4側的面，一邊對準一邊重合，並根據需要施加按壓力 ，僅使應該轉印的晶片3 4，經由具有導電性的接著層6 8 ，選擇地接合在轉印對象基板66側。 在此，在本實施形態中，將第i配線層！ 2形成在上 述基板1 0上，在該第1配線層丨2上形成有配線3 0和焊 墊電極3 6的狀態者（參照第2圖），相當於第9圖（a ) 所不的轉印對象基板66。而且，使被包含在此轉印對象 -30- 1230445 (28) 基板6 6中的各焊墊電極3 6、及被設置在成爲轉印對象的 晶片34中之各焊墊電極56a等，互相抵接來進行晶片34 的貼合。 作爲構成上述接著層6 8的接著劑之適當例，例如有 :反應硬化型接著劑、熱硬化型接著劑、紫外線硬化型接 著劑等的光硬化型接著劑、嫌氣硬化型接著劑等的各種硬 化型接著劑。接著劑的組成’例如可以爲··環氧系、丙烯 酸酯系、聚矽氧烷系等。又’使用一般市面所販賣的接著 劑時，也可以藉由將適當的溶劑添加在要使用的接著劑中 ，調出適宜塗佈的黏度。 在本實施形態中，接著層6 8僅形成在應該轉印的晶 片3 4上、或是僅形成在對應應該轉印的晶片3 4之轉印對 象基板66上。如此的接著層6 8的局部形成，能夠應用各 種印刷法或液體吐出法來實施。液體吐出法中，有利用壓 電體的變形來吐出液體之壓電噴射法、或是利用熱來產生 氣泡來使液體吐出的方法。在本實施形態中，例示使用噴 墨塗覆（液體吐出）法之接著層6 8的形成。 再者，如第1 〇圖所示，也可以使用由包含導電性粒 子所構成的異方性導電膜，來形成接著層6 9。此情況， 由於不需要對各個焊墊電極設置個別的接著層，所以定位 精度沒有如此地要求，具有接著層的形成變容易的優點。 <第4製程> 接著，如第9圖（b )所示，從轉印來源基板6 0和轉 -31 - 1230445 (29) 印對象基板66兩者的接合體之轉印來源基板60側 僅對應該轉印的晶片3 4的剝離層6 2，選擇地照射 僅在支持著晶片34之剝離層62，產生剝離（層內 /或界面剝離）。 剝離層6 2的層內剝離及/或界面剝離之產生 有在剝離層62的構成材料中產生脫離；或是被包 離層62中的氣體的放出；進而有藉由在照射之後 的熔融、蒸散等的相變化等的原理。 在此，所謂的脫離，係指：吸收照射光的固定 剝離層6 2的構成材料），激發出光化學或熱反應 其表面或內部的原子或分子的結合被切斷而放出者 係出現剝離層6 2的構成材料的全部或一部份發生 蒸故（氣化）等的相變化之現象。又，也有根據前 化，變成微小的氣泡，使結合力變小者。 剝離層6 2發生層內剝離、界面剝離或是發生 種剝離’係受到剝離層62的組成或其他各種原因 ;作爲其原因之一，舉例而言，有照射光的種類、 強度、到達深度等的條件。 作爲照射光L，只要能夠在剝離層62中產生 離及/或界面剝離便可以；例如X光、紫外線、 、紅外線、雷射光等。 其中，根據使剝離層62的剝離（脫離）容易 可以高精度地局部照射方面來考量，雷射光係理想 種雷射光，理想爲具有波長100nm〜35〇nm的雷射 ，藉由 光L， 剝離及 原理， 含在剝 所產生 材料（ ，而在 ;主要 熔融、 述相變 前述兩 所影響 波長、 層內剝 可見光 產生且 的。此 光。藉 -32- 1230445 (30) 由使用如此的短波長雷射光，可以提高光照射精度，同時 能夠有效地進行剝離層62的剝離。 作爲產生如此的雷射光的雷射裝置，使用準分子雷射 是適當的◦準分子雷射，由於在短波長區域，輸出高能量 ，所以能夠在極短的時間內，於剝離層62中產生脫離； 因此，相鄰的轉印對象基板66或第1基板60等，溫度幾 乎不會上升，晶片3 4等不會發生劣化、損傷，便能夠使 剝離層62剝離。 或者，例如使剝離層62發生氣體放出、氣化、昇華 等的相變化，而賦予分離特性時，所照射的雷射光的波長 ，理想爲3 5 0nm〜1 200nm程度。如此波長的雷射光，能 夠使用在YAG、氣體雷射等的一般加工領域中被廣泛使 用的雷射光源或照射裝置等；能夠價廉且簡單地進行光照 射。又，藉由使用如此的可見光區域的波長之雷射光，轉 印來源基板6 0只要具有可見光透光性即可，能夠使轉印 來源基板60的選擇之自由度變廣。 又，所照射的雷射光之能量密度、特別是準分子雷射 的情況之能量密度，理想爲10〜5 000mJ/cm2程度，更理 想爲 1 00〜5 00 mJ/ cm2程度。又，照射時間理想爲1〜 lOOOnsec程度，更理想爲10〜lOOnsec。能量密度越高或 照射時間越長，容易產生脫離％;另一*方面’能量密度越 低或照射時間越短，則可以降低由於透過剝離層62的照 射光，對晶片3 4等所造成的不良影響之可能性。 -33- 60 1230445 (31) <第5製程> 接著，如第9圖（c )所示’藉由對轉印來源基板 和轉印對象基板6 6，施加使兩者分開的力’將轉印來 基板6 0從轉印對象基板6 6卸下。藉由前述第4製程而 該轉印至轉印對象基板6 6上的晶片3 4之剝離層6 2 ’ 於從晶片3 4剝離，所以這些應該轉印的晶片3 4 ’與第 基板6 0側切斷。又，應該轉印的晶片3 4，藉由接著層 而與轉印對象基板66接合。 再者，在前述第4製程中，雖然希望剝離層62發 完全地剝離，但是應該轉印之晶片3 4的接著層6 8的接 強度，比將要殘留的剝離層6 2所產生的接合力強’結 在使轉印來源基板6 0和轉印對象基板6 6分離時’若應 轉印的晶片3 4確實地轉印至轉印對象基板6 6側的話， 即使僅剝離層6 2的一部份剝離也可以。 如此的被轉印體的轉印，係根據利用剝離層的剝離 弱化的剝離層的結合力、及應用於被轉印體之接著層的 合力之相對的力關係來決定。若剝離層所產生的剝離充 ，則接著層的結合力即使弱，被轉印體的轉印也是可能 ;相反的，剝離層所產生的剝離即使不充分，若接著層 結合力高，則可以將被轉印體加以轉印。 如第9圖（c )所示，藉由將轉印來源基板6 0從轉 對象基板66分開，晶片34被轉印至轉印對象基板66 的規定位置。然後’藉由形成覆蓋晶片3 4等的絕緣膜 ，形成第2圖所示的第2配線層1 4而完成電路基板； 源 應 由 1 68 生 著 果 該 則 而 結 分 的 的 印 上 等 進 -34- 1230445 (32) 而，藉由在第2配線層1 4上形成發光元件層1 6，形成有 機EL顯示裝置1〇〇。 再者，被轉印至轉印對象基板6 6上的晶片3 4，會有 附著剝離層62的殘留部份之情況，希望將其完全地除去 。用來除去殘留的剝離層6 2的方法，例如洗淨、蝕刻、 灰化、硏磨等的方法；或是從將這些加以組合的方法中， 適當地加以選擇來採用。 同樣的，在完成晶片3 4的轉印之轉印來源基板6 〇的 表面，附著有剝離層62的剝離殘留時，能夠以與前述轉 印對象基板6 6相同的方法，加以除去。依此，能夠將轉 印來源基板60再利用（再循環）。藉由如此地再利用轉 印來源基板60，能夠節省製造成本。這對於使用由石英 玻璃般的高價材料、稀少材料所構成的轉印來源基板60 之情況，特別有用。 如此，在本實施形態中，關於分別設置在晶片3 4側 的焊墊電極、及設置在轉印對象基板6 6 (形成有畫素1 〇 ! 之基板1 〇 )的焊墊電極，形成各焊墊電極，使得其表面 的凹凸部份的最高部分亦即最高部分的高度，大略相同。 依此，由於晶片3 4能夠使被轉印至基板1 0上的轉印對象 區域時的接觸面，成爲大致相等，所以可以確保良好的導 通狀態。 接著，說明關於包含本實施形態的有機EL顯示裝置 1 0 0而構成的各種電子機器。第1 1圖係表示可以應用關 於本實施形態的有機E L顯示裝置之電子機器的具體例之 -35- (33) 1230445 圖。 第1 1圖（a )係應用於手機的例子；該手機2 3 0，具 備·天線2 3 1、聲苜輸出部2 3 2、聲音輸入部2 3 3、操作 部2 3 4 '及本實施形態的有機E L顯示裝置1 〇 〇。如此， 可以將本發明的顯示裝置作爲顯示部來使用。 第1 1圖（b )係應用於攝影機的例子；該攝影機2 4 0 ，具備：顯像部241、操作部242、聲音輸入部243、及 本實施形態的有機EL顯示裝置1 00。如此，關於本發明 的顯示裝置，可以作爲檢景器或顯示部來加以利用。 第1 1圖（c )係應用於攜帶型個人電腦的例子；該電 腦2 5 0 ’具備：照相部2 5 1、操作部2 5 2、及本實施形態 的有機E L顯示裝置1 〇 〇。如此，關於本發明的顯示裝置 ’可以作爲顯示部來加以利用。 第1 1圖（d )係應用於頭罩式顯示器的例子；該頭罩 式顯示器260，具備：束帶261、光學系統收容部262、 及本實施形態的有機EL顯示裝置1 00。如此，關於本發 明的顯示裝置，可以作爲影像顯示來源來加以利用。 又，關於本發明的顯示裝置1 〇 〇，並不限定於上述例 子，例如也可以應用於：附有顯示功能的傳真裝置、數位 照相機的檢景器、攜帶型TV、個人數位助理等的各種機 器。 再者，本發明並不被限定於上述實施形態的內容，在 本發明要旨的範圍內，可以進行各種變化實施。例如，在 上述實施形態中，係將分別被包含於各焊墊電極56a〜5 6j -36- 1230445 (34) 的「最高部分」的高度，全部形成爲L1 ;同 包含於各焊墊電極36a〜3 6j的「最高部分」& 部形成爲L2 ;但是關於各個被對向配置而成費 _電極，即使形成各焊墊電極，使得其表面所I 部分的最高部分的高度之合計，大略爲一定，貝 與上述實施形態同樣的效果。 第1 2圖係說明關於被對向配置而成對的名 的最高部分的高度之合計，作成大略成爲一定& 。於第12圖中’焊塾電極136a和焊塾電極1 電極1 3 6 b和焊墊電極1 5 6 b，係分別被對向配S 形成。又，在第12圖中，省略表示被形成在名 下側的積層膜。 被形成在轉印晶片1 3 4側的各焊墊電極，舅 15 6a的最高部分的高度爲LI 1、焊墊電極156b 分的高度爲L12，兩者的高度相異。又，被形成 側的各焊墊電極，其焊墊電極1 3 6 a的最高部分 L21、焊墊電極136b的最高部分的高度爲L22， 度相異。但是，若著眼於成對的焊墊電極的最请 度，則各焊墊電極係被形成使得焊墊電極1 3 6a 極1 5 6 a的最高部分的高度的合計，與焊墊電極 墊電極1 5 6 b的最高部分的高度的合計，大略相p 如此，在第12圖所示的實施形態中，關於 的一組焊墊電極，各焊墊電極係被形成使得其；i 高度的合計大略成爲一定。即使如此地形成各烤 F使分別被 ]高度，全 f的一組焊 【生的凹凸 J仍可得到 r焊墊電極 J情況之圖 5 6 a、焊墊 [而成對地 〃焊墊電極 ;焊墊電極 的最高部 在基板1 〇 、的高度爲 兩者的高 ί部分的高 和焊墊電 1 3 6 b和焊 司。 卜各個成對 ^高部分的 1墊電極， -37- 1230445 (36) 第10圖係說明關於使用骞方性導電膜來形成接著層 之情況的圖。 第1 1 ( a )至（d )圖係表示可以應用有機el顯示裝 置之電子機器的具體例之圖。 第1 2圖係說明關於被對向配置而成對的各焊墊電極 的最高部分的高度之合計，作成大略成爲一定的情況之圖

〔符號說明〕 2 0、30:配線 34 :晶片（轉印晶片） 36、36&〜36』、56&〜56〗、：焊墊電極（連接端子） 36d-l、36d_2、36f-l、36f-2、56d-l、56d-2、56f-l :最高部分

40 :畫素電極 42 :共通電極 44 :發光層 100 :有機EL (電激發光）顯示裝置 1 0 1 :畫素 39-

Claims (1)

1230445 (1) 拾、申請專利範圍 1 · 一種電路基板之製造方法，係包含： 轉印晶片形成製程，用於在第1基板上形成轉印晶片 ’該轉印晶片包含：以積層膜形成之薄膜電路，及作爲連 接該薄膜電路與其他電路用之連接端子的多數個第1焊墊 電極； 轉印對象基板形成製程，用於形成包含電路配線及多 數個第2焊墊電極的第2基板，該第2焊墊電極，係連接 於該電路配線之同時，與形成於上述轉印晶片上之上述多 數個第1焊墊電極之各個對應配置於轉印對象區域；及 轉印製程，用於將上述第1基板上之上述轉印晶片轉 印於上述第2基板上之上述轉印對象區域使上述薄膜電路 連接於上述電路配線而形成電路基板； 上述多數個第1焊墊電極，係涵蓋上述轉印晶片之一 面全體被配置，各第1焊墊電極係形成爲覆蓋構成其下側 存在之上述薄膜電路之薄膜元件或薄膜配線，依此而使表 面產生之凹凸部分之最高部分之高度於各焊墊電極形成爲 大略相同。 2. 如申請專利範圍第1項之電路基板之製造方法， 其中 上述多數個第1焊墊電極，係於形成上述薄膜元件或 上述薄膜配線時被附加高度調整膜據以調整上述凹凸部分 之最高部分之高度。 3. 如申請專利範圍第1或2項之電路基板之製造方 -40- (2) 1230445 法，其中 於上述轉印對象基板形成製程中，上述多數個第2焊 墊電極’係形成爲覆蓋構成其下側存在之上述電路配線， 依此而使表面產生之凹凸部分之最高部分之高度於各第2 焊墊電極形成爲大略相同。 4 ·如申請專利範圍第3項之電路基板之製造方法， 其中 上述多數個第2焊墊電極，係於形成上述電路配線時 被附加高度調整膜據以調整上述凹凸部分之最高部分之高 度。 5 .如申請專利範圍第1或2項之電路基板之製造方 法，其中 上述多數個第1焊墊電極之各個，其於上述最高部分 對應區域中之上述積層膜之膜構成爲相同。 6.如申請專利範圍第1或2項之電路基板之製造方 法，其中 上述多數個第2焊墊電極之各個，其於上述最高部分 對應區域中之下側之上述積層膜之膜構成爲相同。 7 · —種電路基板之製造方法，係包含： 轉印晶片形成製程，用於在第1基板上形成轉印晶片 ’該轉印晶片包含··以積層膜形成之薄膜電路’及作爲連 接該薄膜電路與其他電路用之連接端子的多數個第1焊墊 電極； 轉印對象基板形成製程，用於形成包含電路配線及多 -41 - 1230445 (3) 數個第2焊墊電極的第2基板，該第2焊墊電極，係連接 於該電路配線之同時，與形成於上述轉印晶片上之上述多 數個第1焊墊電極之各個對應配置於轉印對象區域·，及 轉印製程，用於將上述第1基板上之上述轉印晶片轉 印於上述第2基板上之上述轉印對象區域使上述薄膜電路 連接於上述電路配線而形成電路基板； 上述多數個第1焊墊電極，係涵蓋上述轉印晶片之一 面全體被配置，各第1焊墊電極係形成爲覆蓋構成其下側 存在之上述薄0吴電路之薄0吴兀件或薄膜配線， 上述多數個第2焊墊電極，係和上述多數個第1焊墊 電極之配置對應地涵蓋上述轉印對象區域全體被配置，各 第2焊墊電極係形成爲覆蓋構成其下側存在之上述電路配 線’ 上述第1焊墊電極與第2焊墊電極之各個係形成於， 可使呈對向配置而構成對之一組第1及第2焊墊電極之各 個之表面產生之凹凸部分之最高部分之高度合計成爲大略 一定。 8.如申請專利範圍第1、2或7項之電路基板之製造 方法，其中 上述轉印製程包含：在上述轉印晶片上形成之上述第 1焊墊電極與上述第2基板上形成之上述第2焊墊電極之 間形成接著層的製程。 9 ·如申請專利範圍第1、2或7項之電路基板之製造 方法，其中 -42- (4) 1230445 上述轉印晶片形成製程包含形成剝離層之製程，該剝 離層爲介於上述第1基板與上述轉印晶片之間，且具有藉 由被賦與能量產生狀態變化以弱化其與上述轉印晶片間之 固接狀況的性質。 10. 一種轉印晶片，係作爲至少包含：以積層膜形成 之薄膜電路，及作爲連接該薄膜電路與其他電路用之多數 個焊墊電極，的轉印單位被形成於第1基板，由該第1基 板被轉印至形成有配線之第2基板的轉印晶片； 上述多數個焊墊電極，係涵蓋上述轉印晶片之一面全 體被配置，各焊墊電極係形成爲覆蓋構成其下側存在之上 述薄膜電路之薄膜元件或薄膜配線，依此而使表面產生之 凹凸部分之最高部分之高度於各焊墊電極形成爲大略相同 〇 1 1 · 一種轉印來源基板，係將多數個個申請專利範圍 第1 0項之轉印晶片形成於基板上而構成者。 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項之轉印來源基板，其中 上述轉印來源基板另具有剝離層，該剝離層爲介於上 述基板與上述轉印晶片之間，且具有藉由被賦與能量產生 狀態變化以弱化其與上述轉印晶片間之固接狀況的性質。 1 3 . —種光電裝置，係使用申請專利範圍第〗至9項 中任一項之製造方法製造之電路基板而製造者。 1 4 · 一種電子機器，係使用申請專利範圍第1 3項之光 電裝置作爲顯示部者。 -43-