TWI230200B - Metal band and manufacturing method of the same - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 67
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 7
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims description 3
- 229910000943 NiAl Inorganic materials 0.000 claims description 2
- NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N Raney nickel Chemical compound [Al].[Ni] NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001005 Ni3Al Inorganic materials 0.000 claims 1
- 241000849798 Nita Species 0.000 claims 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 claims 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims 1
- 238000003490 calendering Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 4
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 3
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 3
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 238000003303 reheating Methods 0.000 description 2
- 229910017518 Cu Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017752 Cu-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017943 Cu—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N copper zinc Chemical compound [Cu].[Zn] TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/01—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/01—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic
- B32B15/017—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic one layer being formed of aluminium or an aluminium alloy, another layer being formed of an alloy based on a non ferrous metal other than aluminium
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/225—Complex oxides based on rare earth copper oxides, e.g. high T-superconductors
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
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- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0576—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers characterised by the substrate
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
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Description
1230200 玖、發明說明 (發明說明應敘明 :發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明) 【發^明所廣技棚"領域】 發明領域 本發明係關於一種供用於外延的被覆層之由一疊層結 5構所組成的金屬帶材及其製造方法。此種金屬帶材可以相 當有利地被應用於例如,做為由Yba2CU3〇x一高溫-超導 材料所構成之雙軸向結構層的沈積用之承載帶材。此種高 溫一超導體特別適合應用於能源科技中。 I:先前技術3 10 發明背景 以Ni,Cu和Ag為基底的金屬帶材已屬習知’其可與一 雙軸向結構層一同適用於外延的被覆層(US 5 739 086; US 5 741 377; US 5 964 966; US 5 968 877)。該等金屬帶材係 透過一變形度超過95%的冷軋,及一後續的再結晶退火而 15 製造,藉以形成一線條分明的{〇〇1}<1〇〇〉結構(立方體結 構)。 尤其以Ni和Ag為基礎之基底材料的發展已世界性地密 集開發(J.E. Mathis et al·,Jap. J. Appl. Phys· 37,1998; T. A. Gladstone et al·,Inst. Phys. Conf. Ser. No 167,1999) ° 20 已知在提昇材料強度的努力上,或者利用混合晶淬火處理 ,藉以將一典型的具有超過5%之一種或多種合金元素之 Ni-合金予以壓延並再結晶(US 5 964 966; G. Celentano et al·,Int_ Journal of Modern Physics B,13,1999,S. 1029; R· Nekkanti et al·,Presentation at the Applied Supercond. 1230200 玖、發明說明
Conf.? Virginia Beach, Virginia, Sept. 17-22,2000),或者 透過將一具有一種抗拉強度高的材料之由N i構成的疊層結 構予以壓延及再結晶(T. Watanabe et al.,Presentation at the Applied Sutercond. Conf.9 Virginia Beach, Virginia, Sept. 5 17-22, 2000)來進行。 在混合晶淬火處理中有一個臨界合金度,超過該合金 度即無法形成立方體結構。此種現象在黃銅合金(具有增 高的Zn—含量之Cu - Zn-合金)中被密集地研究,而且顯示 具有普遍的適用性(H· Hu et al·,Trans. AIME,227, 1963, S· 10 627; G. Wassermann, J. Grewen: Texturen metallischer
Werkstoffe,Springer-Verlag Berlin/GSttingen/Heidelberg) o 由於強度隨著合金濃度上昇,因此也關連到一最適強度。 第二個限制是材料在冷軋成型時已經具有的高強度。因此 ,在所需要的高成型度下會出現很大的壓延力,從而在執 15 行對於形成所需的高度立方體結構為必需之非常均勻的壓 延變形時,一方面必需對延壓機具設定一提高的需求,另 一方面則在技術上變得更困難。 在利用疊層結構的壓延以提高強度的情形中,同樣有 一非常強固的材料之劇烈變形時會產生高壓延力的問題。 20 由於二者之機械特性的差異,構成疊層結構的材料在壓延 時,會在變形微構造上出現不均勻性,造成再結晶過程中 可以獲致之立方體結構品質的降低。 一明顯較高的強度係出現於混合金淬火具有金屬間相 時。惟其於一般情況下是脆的,故無法被加工成具有明顯 1230200 玖、發明說明 依據本發明之另一目的的配置,當雙軸向結構底層係 由Cu或Cu-合金構成時,該等個別的他種金屬層係由Zn的 金屬間相及該Cu或該Cu-合金構成。 當雙軸向結構底層係由Cu或Cu-合金構成時,該等個 5 別的他種金屬層可以由Zn及其中所含之Cu的金屬間相,或 該Cu-合金與該Zn組成。
Cu或Cu-合金的金屬間相及Zn為β-及/或γ-黃銅。 依據本發明之又一目的的配置,當雙軸向結構底層係 由Ag或Ag-合金構成時,該等個別的他種金屬層係由Nd的 10 金屬間相及該Ag或該Ag-合金構成。 當雙軸向結構底層係由Ag或Ag-合金構成時,該等個 別的他種金屬層可以由Nd及其中所含之Ag的金屬間相, 或該Ag-合金與該Nd組成。
Ag或Ag-合金的金屬間相及Nd係由Ag52Nd14, Ag2Nd及 15 /或AgNd組成。 依據本發明之一有利的配置,該疊層結構係由兩層雙 軸向結構底層及一他種金屬層所構成,其中該他種金屬層 被配置於該等雙軸向結構層之間。 本發明包含一方法供製造此種金屬帶材,其係先製造 20 一疊層結構,該疊層結構由至少一適合於形成一雙向結構 之Ni,Cu,Ag或其等之合金的層,及至少一他種金屬的層 所組成。在該他種金屬的層中必需至少含有一種元素,其 可與適合形成雙軸向結構之層的該等元素形成金屬間相。 然後,將該疊層結構以至少90%的變形度壓延成一帶 1230200 玖、發明說明 材。接著透過該帶材在300。〇:及11〇〇1:之間的熱處理,所 欲之結構在該適合於形成雙軸向結構之層和該另一層中, 藉著相互擴散超過該等互相連結的界面而形成金屬間曰相。 該疊層結構係依據目的而以包覆金屬的方式製成,並 5以至少95%之變形度實施壓延將該疊層結構製成一帶材。 該帶材之熱處理尤以介於500乞及9〇(rc間的溫度為合適。 依據本發明之方法的一種變化係先利用壓延及再結晶 製成-由Ni,Cu,Ag或其等之合金所組成的雙軸向結構帶曰 材。此帶材接著要以至少另一種金屬相加以被冑,而該金 10屬相中至少含有-種金屬,其可與該等元素在雙轴向結構 的帶材中形成金屬間相。被覆方法可舉例如電解、化學或 從氣相沈積等方法。而後續之一熱加工處理則從邊界層開 始形成強化的金屬間相。 只要該雙軸向結構帶材的熔點明顯高於另一金屬相, 15則形成被覆層之其他途徑亦可採取以流體形式之另一種金 屬相/需濕w亥雙軸向結構帶材的一自,然後從該相進行擴散 進入違雙軸向結構帶材,藉而從該雙轴向結構帶材的表面 開始形成金屬間相。 依據本發明之方法可以利用相當簡單的方式製造高強 20度之雙軸向結構金屬帶材。其特殊的優點在於 ,該帶材在 成型階段中仍然表現一有利的低硬度及高延展性,因為高 強度的金屬間相要到最後的退火處理時才會在帶材中形成 。由於各製程之不同的動力學,再結晶與擴散並不會妨礙 立方體結構的形成。 1230200 玖、發明說明 依據本發明所製成之帶材特別適合於做為供Yba2Cu3-〇x —高溫一超導材料所構成之雙軸向結構層的沈積用之承 載帶材。此種超導體可以相當有利地被應用於能源科技中。 【實施方式3 5 較佳實施例之詳細說明 以下將依據實施例更詳細地闡明本發明。 實施例1 利用壓延包覆金屬的方式,製造一由犯和A1等金屬以 Ni / A1 / Ni之疊層順序所形成的由三個層所組成之疊層結 10 構。Ni—層具有1.5 mm的厚度,A1一層則具有〇·5 mm的厚 度。將該疊層結構壓延成厚度8〇μιη的帶材。接著將該帶 材在600°C的溫度下,於減壓環境中放置數小時。該帶材 在該熱加工處理的最初數分鐘内進行再結晶。隨著該熱加 工處理的持績進行’不同化學計量的NiAl —相在邊界層產 15 生並成長。 完成的帶材在表面上具有一高度立方體結構,並因而 適合與一雙軸向結構層一起供做一種雙面的外延被覆層。 該帶材在室溫下之屈服極限為1 〇〇 MPa ,而且一直到 600 C的溫度為止都不會改變。因此,和習知相比,尤其 20是和經過混合晶淬火的帶材相比,此材料具有一大幅增高 的強度。 實施例2 利用壓延包覆金屬的方式,製造一由別和Nb等金屬以 Ni/Nb/Ni之疊層順序所形成的由三個層所組成之疊層結 1230200 玖、發明說明 構。州―層具有h5 mm的厚度,Nb —層貝丨】具有〇.5 _的 厚度。將該疊層結構壓延成厚度40μ_帶材;接著將該 帶材在900。。的溫度下’於減壓環境中放 置1小時。該帶材 在該再加熱處理的最初數分鐘内進行再結晶。隨著該再加 5熱處理的持續進行,不同化學計量的NiNb-相在邊界層蓋 生並成長。 完成的帶材在表面上具有一高度立方體結構,並因而 亦適合與-雙軸向結構層_起供做一種雙面的外延被覆層。 β亥帶材在至/jnL下之屈服極限為85 ,而且一直到 10 600°C的溫度為止都不會改變。因此,和習知相比,尤其 是和經過混合晶淬火的帶材相比,此材料具有一大幅增高 的強度。 實施例3 將利用延魔與再結晶所製成之厚度40μηι,由純Ni 15構成的雙軸向帶材,加熱至800°C的溫度,並於未被覆的 一面覆上厚度1〇μπΐ2Α1—箔。該A1一箔因熱效應而熔融 ,A1擴散進入州中,使得不同化學計量的金屬間⑷八丨—相 經由互相擴散而從該Ni—帶材的表面起開始形成。 該帶材在室溫下之屈服極限為90 MPa,而且一直到 20 6〇(TC的溫度為止都不會改變。因此,和習知相比,尤其 是和經過混合晶淬火的帶材相比,此材料具有一大幅增高 的強度。 實施例4 利用壓延包覆金屬的方式,製造一由(:11和211等金屬以 12 1230200 玖、發明說明
Cu / Zn / Cu之疊層順序所形成的由三個層所組成之疊層 結構。Cu—層具有h5 _的厚度,Zn—層則具有〇 7 _ 的厚度。將该疊層結構壓延成厚度5〇_的帶材。接著將 该帶材以30 K/min加熱至8〇代的溫度並繼續維持於該溫 5度6〇分鐘。在該再加熱期間,該帶材先是形成一線條分明 的立方體結構,接著則從Cu—Zn一界面開始,形成不同化 學計量之黃銅相。 完成的帶材在表面上具有一高度立方體結構,並因而 適合與一雙軸向結構層一起供做一種雙面的外延被覆層。 1〇该帶材在室溫下之屈服極限為80 MPa,並隨著溫度上昇而 下降,至750°C時至30 MPa。因此,和其他具有一可相比 之線條鮮明的雙軸向結構之Cu一合金帶材比起來,此帶材 顯然強度較高。 【圖式簡單說明】 無 【圖式之主要元件代表符號表】 無 13
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1230200 拾、申請專利範圍 第91136296號專利申請案申請專利範圍修正本今11##正 1· 一種供用於外延的被覆層之金屬帶材,U由一曇 構所組成’特徵在於,該疊層結構至少由一 Ni,Cu, Ag等金屬或其等之合金的雙軸向結構底層,及至少一 5 他種金屬層所構成,其中該個別的他種金屬層係由一 或夕個金屬間相’或者由一種金屬組成,於其中則含 有一或多個金屬間相。 2.如申請專利範圍第1項之金屬帶材,其中當雙軸向結 構的底層係由Ni或Ni —合金構成時,該個別的他種金 10 屬層係由該底層金屬的金屬間相與Al、Ta、Nb、Ti等 金屬之至少一種或其等之合金所組成。 3·如申請專利範圍第1項之金屬帶材,其中當雙軸向結 構的底層係由Ni或Ni —合金構成時,該個別的他種金 屬層係由A卜Ta、Nb、Ti等金屬之至少一種或其等之 15 合金與含於其中之Al、Ta、Nb、Ti等金屬的金屬間相 或其等之合金與該底層金屬所組成。 4.如申請專利範圍第2項或第3項之金屬帶材,其中該金 屬間相係由 NiAl、Ni3Al、Al3Ni2、Al3Ni、NiTa、 NiTa2、Ni3Ta、Ni3Nb,及 / 或Ni6Nb7所組成。 20 5·如申請專利範圍第1項之金屬帶材,其中當雙軸向結 構的底層係由Cu或Cu —合金構成時,該個別的他種 金屬層係由Zn的金屬間相及該Cu或該Cu —合金所組 成。 6·如申請專利範圍第1項之金屬帶材,其中當雙軸向結 14 1230200 拾、申請專利範圍 構的底層係由Cu或Cu —合金構成時,該個別的他種 金屬層係由Zn與含於其中之該Cu或該Cu—合金的金 屬間相與該Zn所組成。 如申請專利範圍第5項或第6項之金屬帶材,其中該Cu 或該Cu —合金的金屬間相與該Zn係由β_及/或γ —黃 銅所組成。 8. 如申請專利範圍第1項之金屬帶材,其中當雙軸向結 構的底層係由Ag或Ag —合金構成時,該個別的他種 金屬層係由Nd的金屬間相及該Ag或該Ag —合金所組 10 成。 9·如申請專利範圍第1項之金屬帶材,其中當雙軸向結 構的底層係由Ag或Ag —合金構成時,該個別的他種 金屬層係由Nd與含於其中之該Ag或該Ag一合金的金 屬間相與該Nd所組成。 15 1〇·如申請專利範圍第8項或第9項之金屬帶材,其中該八8 或該Ag —合金的金屬間相與該Nd係由Ag52Nd^、 AgzNd及/或AgNd所組成。 11·如申請專利範圍第丨項之金屬帶材,其中該疊層結構 係由兩個雙軸向結構底層與一個他種金屬層所組成, 2〇 其中該他種金屬層係配置於該等雙軸向結構層之間。 12. —種製造方法,係用以製造如申請專利範圍第1項至 第11項之任一項的金屬帶材,特徵在於先製成一疊層 結構,其至少由一以Ni,Cu,Ag等金屬或其等之合金 所構成的適合做為雙軸向結構之層,及至少一他種金 15 !23〇2〇〇 拾、申請專利範圍 屬層所組成,其中該等個別的他種金屬層至少含有一 _素其可與該等適合做為雙軸向結構之層形成金 屬間相,接著將該疊層結構以至少90%之變形度壓延 成一帶材·’最後將該帶材在300X:及1100°C之間施以 Aj. | . …、σ工处理,藉以於該等適合做為雙軸向結構的層中 形成所而結構,並且在其他各層間利用擴散通過各該 登層間之界面而形成金屬間相。 10 ★申明專利範HI第12項之方法,其中該疊層結構係以 金屬包層的方式製成。 14·如申請專利範圍第12項之方法,其中該疊層結構之壓 延係以至少95%的變形度實施者。 15 20 15. 16. 一種製造方法,係用以製造如申請專利範圍第1項至 第11項之任_項的金屬帶材’特徵在於先以壓延和再 結晶處理製造-由Ni,Cu,Ag或其等之合金所構成之 雙轴向結構帶材;接著將該帶材^少—其他金 屬相’其巾至少包含-種可與該雙轴向結構帶材中的 元素形成金屬間相之金屬;接著在—後續的熱加工處 理期間’從邊界層形成強化的金屬間相。 17. 如申請專利範圍第1 5項之方法装由 免万泰其中被覆操作係應用 電解、化學或者從氣相沈積的方法。 如申請專利範圍第12項或第15項之方法1中該敎加 工處理係於5001到9001之間的溫度進行。 如申請專利範圍第15項之方法,其中 構帶材的熔點顯著高於另一金屬相, 只要該雙轴向結 則以流體形式 之 16 18. 1230200 拾、申請專利範圍 另一種金屬相將該雙軸向結構帶材的一面予加濡濕。 19.如申請專利範圍第1項之金屬帶材,係用於做為由 Yba2Cu3Ox—高溫一超導材料所構成之雙軸向結構^ 的沈積用之承載帶材,藉以製造帶狀的高溫一超導體 17
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10200445A DE10200445B4 (de) | 2002-01-02 | 2002-01-02 | Metallband für epitaktische Beschichtungen und Verfahren zu dessen Herstellung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200301783A TW200301783A (en) | 2003-07-16 |
| TWI230200B true TWI230200B (en) | 2005-04-01 |
Family
ID=7711679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW091136296A TWI230200B (en) | 2002-01-02 | 2002-12-16 | Metal band and manufacturing method of the same |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20050026788A1 (zh) |
| EP (1) | EP1485523B1 (zh) |
| JP (1) | JP4394452B2 (zh) |
| KR (1) | KR20040081104A (zh) |
| CN (1) | CN1309880C (zh) |
| AT (1) | ATE326562T1 (zh) |
| AU (1) | AU2002364374A1 (zh) |
| CA (1) | CA2472185A1 (zh) |
| DE (2) | DE10200445B4 (zh) |
| ES (1) | ES2265065T3 (zh) |
| TW (1) | TWI230200B (zh) |
| WO (1) | WO2003060203A1 (zh) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7226893B2 (en) * | 2005-02-23 | 2007-06-05 | Superpower, Inc. | Superconductive articles having density characteristics |
| JP5074083B2 (ja) | 2007-04-17 | 2012-11-14 | 中部電力株式会社 | エピタキシャル薄膜形成用のクラッド配向金属基板及びその製造方法 |
| DE102008016222B4 (de) | 2007-04-17 | 2010-12-30 | Leibniz-Institut für Festkörper und Werkstoffforschung e.V. | Metallfolie |
| JP5113430B2 (ja) * | 2007-06-05 | 2013-01-09 | 九州電力株式会社 | 金属めっき複合基材 |
| CN104553132A (zh) * | 2013-10-15 | 2015-04-29 | 谢振华 | 一种金属复合带及其生产方法 |
| CN105081500B (zh) * | 2015-09-02 | 2017-02-22 | 哈尔滨工业大学 | 一种使用激光前向转印具有特定晶粒取向和数量薄膜诱发金属间化合物生长的方法 |
| CN105562430A (zh) * | 2015-12-28 | 2016-05-11 | 河南师范大学 | 一种提高无磁性织构铜镍合金复合基带机械强度的方法 |
| CN105643215B (zh) * | 2016-03-29 | 2018-10-23 | 上海大学 | 金属基多层/梯度复合板材的直接成形制造方法及其工艺装置 |
| CN106739266A (zh) * | 2016-11-24 | 2017-05-31 | 苏州华意铭铄激光科技有限公司 | 一种抗老化防护复合金属制品 |
| CN106739265A (zh) * | 2016-11-24 | 2017-05-31 | 苏州华意铭铄激光科技有限公司 | 一种耐高温防护复合金属制品 |
| CN109530438B (zh) * | 2018-11-07 | 2020-09-04 | 湖北第二师范学院 | 一种光辐射空间用Zn-Ag复合镀层纯钛极薄带及其生产方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5741377A (en) * | 1995-04-10 | 1998-04-21 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Structures having enhanced biaxial texture and method of fabricating same |
| US5964966A (en) * | 1997-09-19 | 1999-10-12 | Lockheed Martin Energy Research Corporation | Method of forming biaxially textured alloy substrates and devices thereon |
| US6458223B1 (en) * | 1997-10-01 | 2002-10-01 | American Superconductor Corporation | Alloy materials |
| EP1019920A4 (en) * | 1997-10-01 | 2001-02-28 | American Superconductor Corp | SUBSTRATES WITH INCREASED OXIDATION RESISTANCE |
| US6180570B1 (en) * | 1998-07-09 | 2001-01-30 | Ut-Battelle, Llc | Biaxially textured articles formed by plastic deformation |
| US6537689B2 (en) * | 1999-11-18 | 2003-03-25 | American Superconductor Corporation | Multi-layer superconductor having buffer layer with oriented termination plane |
| GB0010494D0 (en) * | 2000-04-28 | 2000-06-14 | Isis Innovation | Textured metal article |
-
2002
- 2002-01-02 DE DE10200445A patent/DE10200445B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-15 EP EP02799711A patent/EP1485523B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-15 DE DE50206848T patent/DE50206848D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-15 CN CNB028266536A patent/CN1309880C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-15 CA CA002472185A patent/CA2472185A1/en not_active Abandoned
- 2002-12-15 AT AT02799711T patent/ATE326562T1/de active
- 2002-12-15 WO PCT/DE2002/004663 patent/WO2003060203A1/de not_active Ceased
- 2002-12-15 ES ES02799711T patent/ES2265065T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-15 AU AU2002364374A patent/AU2002364374A1/en not_active Abandoned
- 2002-12-15 JP JP2003560279A patent/JP4394452B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-15 US US10/498,435 patent/US20050026788A1/en not_active Abandoned
- 2002-12-15 KR KR10-2004-7010343A patent/KR20040081104A/ko not_active Abandoned
- 2002-12-16 TW TW091136296A patent/TWI230200B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE50206848D1 (de) | 2006-06-22 |
| EP1485523B1 (de) | 2006-05-17 |
| KR20040081104A (ko) | 2004-09-20 |
| JP2005515088A (ja) | 2005-05-26 |
| US20050026788A1 (en) | 2005-02-03 |
| TW200301783A (en) | 2003-07-16 |
| CA2472185A1 (en) | 2003-07-24 |
| AU2002364374A1 (en) | 2003-07-30 |
| EP1485523A1 (de) | 2004-12-15 |
| CN1309880C (zh) | 2007-04-11 |
| JP4394452B2 (ja) | 2010-01-06 |
| CN1612957A (zh) | 2005-05-04 |
| ATE326562T1 (de) | 2006-06-15 |
| ES2265065T3 (es) | 2007-02-01 |
| WO2003060203A1 (de) | 2003-07-24 |
| DE10200445B4 (de) | 2005-12-08 |
| HK1075071A1 (zh) | 2005-12-02 |
| DE10200445A1 (de) | 2003-07-10 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |