TWI224891B - Filter device of balanced structure thin-film bulk acoustic resonators (FBAR) and duplexer using this device - Google Patents

Description

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五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域 本發明係關於一種無線.通信裝置中之濾 士 是一種平衡式架構之薄膜體聲波共振子濾波壯^ ’特別 【先前技術】 目箣；慮波( f i 11 e r )在無線通信中被廣、、乏 每年約需上百億個。主要可分為LC濾波器、、1 + 預估 表面聲波濾波器及薄膜體聲波濾波器等數稽— 4里’而薄膜辦声史 波濾波器因具有體積小、易達高頻、及低插入損失^ :耳 性，且具有與I C整合之能力，故最被看好。 、寻斗寸 目前以薄膜體聲波共振子來製作濾波养， ° 3文異^零^ 加 構來區分有平衡式（Balanced type )與非平衡气 木 (unbalanced type)兩種濾波器，平衡式架椹 所示，係由第-薄膜體聲波共振子A與第二；；體=』 振子B組成格型（Lattice Type)架構，非平衡共 『第2圖』所示，係由第一薄膜體聲波共振子A與第^二^^ 脰聋波共振子B組成階梯式（Ladder type)架構。兩者Y 1 要差異為『第1圖』中的電路架構為上下左右均呈對的主 且無須透過外加的非平衡轉平衡架構的轉換電路，如苒 balun等元件，來與其他平衡式架構元件連接，以ϋ 抗匹配與訊號轉換。非平衡式架構的濾波器最大 、阻 要額外的轉換電路，且由於接地的原因，容 、冰，需 訊的干擾。 勿又到外在雜 例如’美國第6 2 7 8 34 2號提出一種平衡式的電路加 來設計濾波器，其透過面積的控制，來調整帶通濾波木哭 1224891 五、發明說明（2) 頻寬轉降（rol 1-of f)，然而其架構仍需許多薄膜體聲波 共振子個數與不同厚度，除了造成整個濾波器的面積過大 之外，對於製造上的複雜度及製程的穩定度是一大考驗。 若針對雙工器中的濾波器規格而言，依照不同系統需求， 其所要求傳送信號與接收信號之間的警戒頻帶（guard band)通常小於載波頻率的2%頻寬，且傳送信號與接收信 號的頻寬通常為載波頻率的3 %頻寬，這也就是說傳送端的 濾波器與接收端的濾波器都需要有相當陡峭的頻寬轉降 (rolhof f)。另外，為了確保傳送信號與接收信號不會 相互干擾，則兩個帶通濾波器彼此的斥帶（s t 〇 p b a n d )在另 一帶通濾波器的通帶（passband)的衰減量（attenuation) 需要符合規格。另一方面為了確保自傳送端送出的信號不 會反饋至接收端而能夠直接送至天線端將信號送出，要讓 接收濾波器輸入端的輸入阻抗為高阻抗。 目前薄膜體聲波共振子平衡式濾波器或雙工器中，所 需的薄膜體聲波共振子個數過多使得面積縮小不易外，且 與非平衡式濾波器或雙工器一樣都需要多種不同的薄膜體 聲波共振子厚度，因而造成了製程上的複雜性與不穩定 度。另外，利用薄膜體聲波共振子來設計雙工器中的傳送 端濾波器與接收端濾波器時，當傳送端濾波器及接收端濾 波器的輸入端與天線端連接後，傳送信號與接收信號的區 隔主要是根據信號本身的頻率來決定，因此要確保從傳送 端送出的信號能夠直接送至天線，且要避免由此信號反潰 至接收端，而將接收端的低雜訊放大器（L N A )貫穿而損

第7頁 1224891 五、發明說明（3) 害。 一般為了解決此問題，是在接收端濾波器與天線之間 加一段四分之一波長傳輸線作為相位偏移形成高阻抗以反 射傳送端的信號。此種方式最大的缺點在於此傳輸線會增 加整個雙工器的面積，而且會產生不必要的寄生效應。 平技 薄之 衡 種知 之術 平 一習 構技 之 供決 架知 露 提解 式習 揭 於以 衡決 所 在藉 平解 明 的， 用以 發 目置 使藉 本 要裝。種， ’ 主波點一器 的 的滤缺供工 目 明子及提雙。要 發振題於之點主 本共問在置缺的 ，波的的裝及明 題聲在目波題發 問體存一濾問本 的膜所另子的據 1上薄置的振在根 容以之裝明共存， 内於構波發波所此 明鑒架濾本聲器因 發 式之 體工 t 衡術 膜雙 第.....體元·，調 一有間間膜抗量以 有括之之薄電減， 具包端端且一衰間 一置二四，第的之 有裝第第同一帶端 括該與與相；斥三 包，端端度率整第 ，端一三厚頻調與 置四第第之振以端 裝第於於子共，二 波一接接振同間第 濾與耦耦共相之於 子端，，波之端接 振三子子聲上四耦 共第振振體以第， 波一共共膜個與件 聲、波波薄一端元 體端聲聲二有一抗 膜二體體第具第電 薄第膜膜、子於二 之一薄薄一振接第 構、一二第共搞一 架端第第中波，及 式一 一一其聲件以

構 第8頁 1224891 五、發明說明（4) 端 一第三端與一第四端，該裝置包括有 第一薄膜體 聲波共振子，耦接於第一端與第四端之間；一第二薄膜體 聲波共振子，耦接於第二端與第三端之間，其中第一、第 薄膜體聲波共振子之厚度相同，且薄膜體聲波共振子具 有一個以上之相同共振頻率；一第一電抗元件，||接於第 一端與第二端之間，以調整斥帶的衰減量；以及一第二電 抗元件，耦接於第三端與第四端之間，以調整斥帶的衰減 量。 根據本發明的另一目的，本發明所揭露之使用平衡式 架構之薄膜體聲波共振子濾波裝置之雙工器，具有一第一 埠、一第二埠以及一第三埠，包括有：一傳送濾波器，耦 接於第 膜體聲 耦接於 薄膜體 構之薄 波共振 構之薄 的中之 根 波裝置 即共振 組成的 穩定度 一埠與 波共振 第一埠 聲波共 膜體聲 子具有 膜體聲 濾波裝 據本發 及使用 頻率都 平衡式 ，另一 第二埠之間，係由一個以上平衡式架構之薄 子串聯組成濾波裝置；以及一接收濾波器， 與第三埠之間，係由一個以上平衡式架構之 振子串聯組成濾波裝置；其中該等平衡式架 波共振子濾波裝置之厚度相同，且薄膜體聲 一個以上之相同共振頻率。該等等平衡式架 波共振子濾波裝置係為根據本發明之主要目 置。 明所揭露平衡式架構之薄膜體聲波共振子濾 該裝置之雙工器，本發明利用單一厚度（亦 一樣）的薄膜體聲波共振子搭配電感或電容 電路架構，一方面降低製程上的複雜性與不 方面則減少濾波器所需的薄膜體聲波共振子

第9頁 1224891 五、發明說明（5) 個數來達到縮小面積的需求。另外透過外加電感或電容與 薄膜體聲波共振子不同串並聯的架構，使得雙工器中的兩 個帶通濾波器其通帶頻寬符合規格、斥帶頻帶的衰減量達 定值，且控制從天線端往接收端濾波器看進去的輸入阻 抗，確保其維持高阻抗。 根據本發明所揭露平衡式架構之薄膜體聲波共振子濾 波裝置及使用該裝置之雙工器，使得自傳送端送出的信號 直接透過天線傳送出去而不會傳入接收端，免除多加一傳 輸線的需要，因而減小雙工器的面積與避免不必要的寄生 效應。同時在輸出端亦免去了外加的轉換電路或元件，與 雜訊干擾的問題。 有關本發明的特徵與實作，茲配合圖示作最佳實施例 詳細說明如下。 【實施方式】 首先，請參考『第3圖』，為本發明所揭露之薄膜體 聲波共振子濾波裝置之電路拓樸之第一實施例，係以單一 厚度（亦即共振頻率都相同）之薄膜體聲波共振子搭配電抗 元件（電容或電感）交叉連接構成平衡式架構濾波器的拓 lik 樸。 如『第3圖』所示，包括有一第一薄膜體聲波共振子A 耦接於第一端1與第二端2之間，第二薄膜體聲波共振子B 耦接於第3端與第4端之間，第一電抗元件Cp 1耦接於第一 端1與第四端4，第二電抗元件Cp2耦接於第二端2與第3端3 之間。在此實施例中，第一電抗元件係為第一電容，第二

第10頁 1224891 五、發明說明（6) 電抗元件係為第二電容。 關於本發明的第二實施例請參考『第4圖』，係以電 感作為電抗元件。如『第4圖』所示，包括有一第一薄膜 體聲波共振子A編接於第一端1與第二端2之間，第二薄膜 體聲波共振子B搞接於第三端3與第四端4之間，第一電抗 元件Lpl耦接於第一端1與第四端4之間，第二電抗元件Lp2 耦接於第二端2與第3端3之間。在此實施例中，第一電抗 元件Lpl係為第一電感，第二電抗元件Lp2係為第二電感。 關於本發明的第三實施例請參考『第5圖』，如圖所示， 包括有一第一薄膜體聲波共振子馬接於第一端1與第四端 4之間，第二薄膜體聲波共振子B輕接於第二端2與第三端3 之間，第一電抗元件Csl耦接於第一端1與第二端2，第二 電抗元件C s 2耦接於第三端3與第四端4之間。在此實施例 中，第一電抗元件Csl係為第一電容，第二電抗元件Cs2係 為第二電容。 關於本發明的第四實施例請參考『第6圖』，係將第 三實施例中的電容以電感取代，如圖所示，第一薄膜體聲 波共振子A耦接於第一端1與第四端4之間，第二薄膜體聲 波共振子B躺接於第二端2與第三端3之間，第一電抗元件 Lsi耦接於第一端1與第二端2，第二電抗元件Ls2耦接於第 三端3與第四端4之間。在此實施例中，第一電抗元件L s 1 係為第一電感’第二電抗元件L s 2係為第二電感。 在上述第一至第四實施例中之濾波裝置，第一薄膜體 聲波共振子A與第二薄膜體聲波共振子B與第一電抗元件與

第11頁 1224891 五、發明說明（7) 第二電抗元件組成平衡式架構，其中所有的薄膜體聲波共 !振子的共振頻率都一樣（單一厚度），並且薄膜體聲波共 i振子至少具有一種或兩種以上的共振頻率。而電抗元件係 用來調整斥帶的衰減量。 由於薄膜體聲波共振子本身的特性，使得濾波器的頻 率響應在通帶的高頻側或低頻側會有很深的彎曲點 notch)，也造成很陡a肖的頻寬轉降（roll-off)。透過 第一至第四實施例中的電抗元件（電感或電容），可以控 |制這些彎曲點的位置，如『第7圖』與『第8圖』所示，彎 曲點的位置隨著不同的電容而改變。 關於本發明所揭露的第五實施例，其電路架構圖請參 |考『第9圖』，係將第一實施例中的薄膜體聲波共振子分 I別並聯一第三電感Lp3以及第四電感Lp4，或如『第1 0圖』 所示之第六實施例，將第一實施例中的薄膜體聲波共振子 分別串聯一第三電感L s 3以及第四電感L s 4。 第五與第六實施例的結構係利用外加的調整元件（如 電感或電容）與薄膜體聲波共振子串聯或並聯以使得濾波 器的頻寬更能符合所要求的規格。這是因為受限於薄膜體 聲波共振子本身的△ f (並聯共振頻率f a與串聯共振頻率f r的 差，由材料決定）限制，整個濾波器的頻寬可能不合要 求，因此第五與第六實施例的結構可克服上述的問題而增 |加其等效△ f。 經由串聯或並聯外加電感於薄膜體聲波共振子的方式 (如『第8圖』），可以增加其等效A f。而當薄膜體聲波共振

第12頁 1224891 五、發明說明（8) 子與電容串聯或並聯，則會減少等效A f，也因此會縮小濾 波器通帶的頻寬。 第七貫施例為透過此並聯電感的方式所設計之滤波 架構，請參考『第11圖』，為一種帶通濾波器，其頻率響 應圖請蒼考『第12圖』。 應用上述所揭露的實施例，可製作雙工器，包括有一 接收濾波器與傳送濾波器。在設計雙工器中的接收濾波器 Rx尚須注意到由傳送端所送出的信號是否會反潰回接收 端，而將低雜訊放大器給貫穿。要確保接收濾波器從傳送 端看進去的阻抗於傳送濾波器的通帶頻帶内為高阻抗。至 於在設計傳送濾波器時，只需考慮頻寬與衰減量的問題。 根據以上的觀察，將兩個帶通濾波器連接成薄膜體聲波共 振子雙工器，如『第1 3圖』所示，係由一接收渡波器Rx與 傳送濾波器Tx組成，在此實施例中，接收濾波器Rx與傳送 濾波器Tx均由兩個本發明所揭露之第一實施例之薄膜體聲 波共振子濾波器組成，其中，傳送濾波器係耦接於第一埠 1 〇與第二埠2 0之間，接收濾波器係耦接於第一埠1 0與第三 埠3 0之間。 另一雙工器實施例請參考『第1 4圖』，其中傳送端濾 波器係由兩個第七實施例之薄膜體聲波共振子濾波器組 成。其插入損耗與反射損耗便有如『第1 5圖』所示的特 性。 本發明利用電感或電容與薄膜體聲波共振子組成平衡 式的濾波器及雙工器電路架構，不但僅使用單一厚度的薄

第13頁 1224891 五、發明說明（9) 膜體聲波共振子以降低製程上的複雜性與不穩定度，同時 搭配電感或電容以減少所需的薄膜體聲波共振子個數來達 到縮小面積的需求。透過這些電感或電容除了可以控制濾 波器在斥帶的衰減量，並在接收濾波器輸入端，讓天線端 往接收端濾波器看進去為高阻抗，使得自傳送端送出的信 號不會反潰至接收端，而能夠直接送至天線端將信號送 出。如此就不需在天線端與接收端之間增加額外的傳輸 線，可縮小雙工器的面積與避免因外加傳輸線所產生的寄 生效應。 雖然本發明以前述之較佳實施例揭露如上，然其並非 用以限定本發明，任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明 之精神和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明 之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定 者為準。

第14頁 1224891 圖式簡單說明 第1圖係為先前技術所揭露之平衡式架構之薄膜體聲波共 振子濾波器； 第2圖係為先前技術所揭露之非平衡式架構之薄膜體聲波 共振子濾波器； 第3圖係為本發明所揭露之平衡式架構之薄膜體聲波共振 子濾波器之第一實施例； ~ 第4圖係為本發明所揭露之平衡式架構之薄膜體聲波共振 子濾波器之第二實施例； ~ 第5圖係為本發明所揭露之平衡式架構之薄膜體聲波共振 子濾波器之第三實施例； · 第6圖係為本發明所揭露之平衡式架構之薄膜體聲波共振 子濾波器之第四實施例； 第7圖係為濾波器的頻率響應； 第8圖係為濾波器的頻率響應； 第9圖係為本發明所揭露之平衡式架構之薄膜體聲波共振 子濾波器之第五實施例； 第1 0圖係為本發明所揭露之平衡式架構之薄膜體聲波共振 子濾波器之第六實施例； 第1 1圖係為本發明所揭露之平衡式架構之薄膜體聲波共振 子濾波器之第七實施例； ¥ 第1 2圖係為本發明所揭露之平衡式架構之薄膜體聲波共振 子濾波器之頻率響應圖； 第1 3圖係為本發明所揭露之使用平衡式架構之薄膜體聲波 共振子濾波器之雙工器；

第15頁 1224891 圖式簡單說明 第1 4圖係為本發明所揭露之使用平衡式架構之薄膜體聲波 共振子濾波器之雙工器；以及 第1 5圖係為第1 4圖之雙工器之插入損耗與反射損耗。 【圖式符號說明】 A 第一薄膜體聲波共振子 B 第二薄膜體聲波共振子

Cpl 第一電抗元件

Cp2 第二電抗元件

Csl 第一電抗元件

Cs2 第二電抗元件 L p 1 第一電抗元件

Lp2 第二電抗元件 LSI 第一電抗元件

Ls2 第二電抗元件

Lp3 第三電感 L p 4 弟四電感

Ls3 第三電感

Ls4 第四電感

Tx 傳送濾波器

Rx 接收濾波器 1 第一端 2 第二端 3 第三端 4 第四端

第16頁 1224891 圖式簡單說明 10 第一埠 2 0 第二埠 30 第三埠

Claims (1)

1224891 六、申請專利範圍 1. 一種平衡式架構之薄膜體聲波共振子濾波裝置，具有一 第一端、一第二端、一第三端與一第四端，該裝置包括 有·· 一第一薄膜體聲波共振子，耦接於該第一端與該第 二端之間； 一第二薄膜體聲波共振子，耦接於該第三端與該第 四端之間，其中該第一、第二薄膜體聲波共振子之厚度 相同，該等薄膜體聲波共振子具有一個以上之相同共振 頻率； 一第一電抗元件，耦接於該第一端與該第四端之 間，以調整斥帶的衰減量；以及 / 一第二電抗元件，耦接於該第二端與該第三端之 間，以調整斥帶的衰減量。 2 .如申請專利範圍第1項所述之平衡式架構之薄膜體聲波 共振子濾波裝置，其中該第一電抗元件與該第二電抗元 件係為一電容。 3 .如申請專利範圍第1項所述之平衡式架構之薄膜體聲波 共振子濾波裝置，其中該第一電抗元件與該第二電抗元 件係為一電感。 4.如申請專利範圍第1項所述之平衡式架構之薄膜體聲波 共振子濾波裝置，其中該第一、第二薄膜體聲波共振子 更分別地並聯有一電感，以調整濾波器通帶的頻寬。 5 .如申請專利範圍第1項所述之平衡式架構之薄膜體聲波 共振子濾波裝置，其中該第一、第二薄膜體聲波共振子

第18頁 1224891 六、申請專利範圍 更分別地並聯有一電容，以調整濾波器通帶的頻寬。 6 .如申請專利範圍第1項所述之平衡式架構之薄膜體聲波 共振子濾波裝置，其中該第一、第二薄膜體聲波共振子 更分別地串聯有一電感，以調整濾波器通帶的頻寬。 7 .如申請專利範圍第1項所述之平衡式架構之薄膜體聲波 共振子濾波裝置，其中該第一、第二薄膜體聲波共振子 更分別地串聯有一電容，以調整濾波器通帶的頻寬。 8. —種濾波裝置，係由一個以上如申請專利範圍第1項所 述之平衡式架構之薄膜體聲波共振子串聯組成濾波裝 置。 9. 一種平衡式架構之薄膜體聲波共振子濾波裝置，具有一 第一端、一第二端、一第三端與一第四端，該裝置包括 有·· 一第一薄膜體聲波共振子，耦接於該第一端與該第 四端之間； 一第二薄膜體聲波共振子，耦接於該第二端與該第 三端之間，其中該第一、第二薄膜體聲波共振子之厚度 相同，該等薄膜體聲波共振子具有一個以上之相同共振 頻率； 一第一電抗元件，耦接於該第一端與該第二端之 間，以調整斥帶的衰減量；以及 一第二電抗元件，耦接於該第三端與該第四端之 間，以調整斥帶的衰減量。 1 0 .如申請專利範圍第9項所述之平衡式架構之薄膜體聲波

第19頁 1224891 六、申請專利範圍 共振子濾波裝置，其中該第一電抗元件與該第二電抗 元件係為一電容。 11.如申請專利範圍第9項所述之平衡式架構之薄膜體聲波 共振子濾波裝置，其中該第一電抗元件與該第二電抗 元件係為一電感。 1 2 .如申請專利範圍第9項所述之平衡式架構之薄膜體聲波 共振子濾波裝置，其中該第一、第二薄膜體聲波共振 子更分別地並聯有一電感，以調整濾波器通帶的頻 寬。 1 3 .如申請專利範圍第9項所述之平衡式架構之薄膜體聲波 共振子濾波裝置，其中該第一、第二薄膜體聲波共振 子更分別地並聯有一電容，以調整濾波器通帶的頻 寬。 1 4 .如申請專利範圍第9項所述之平衡式架構之薄膜體聲波 共振子濾波裝置，其中該第一.、第二薄膜體聲波共振 子更分別地串聯有一電感，以調整濾波器通帶的頻 寬。 1 5 .如申請專利範圍第9項所述之平衡式架構之薄膜體聲波 共振子濾波裝置，其中該第一、第二薄膜體聲波共振 子更分別地串聯有一電容，以調整濾波器通帶的頻 寬。 1 6 . —種濾波裝置，係由一個以上如申請專利範圍第9項所 述之平衡式架構之薄膜體聲波共振子串聯組成濾波裝 置。

第20頁 1224891 六、申請專利範圍 1 7. —種雙工器，係使用平衡式架構之薄膜體聲波共振子 濾、波裝置組成，具有一第一璋、一第二埠以及一第三 埠，包括有： 一傳送濾波器，耦接於該第一埠與該第二埠之 間，係由一個以上平衡式架構之薄膜體聲波共振子串 聯組成濾波裝置；以及 一接收濾波器，耦接於該第一埠與該第三埠之 間，係由一個以上平衡式架構之薄膜體聲波共振子串 聯組成濾、波裝置， 其中該等平衡式架構之薄膜體聲波共振子濾波裝 置之厚度相同，該等薄膜體聲波共振子具有一個以上 之相同共振頻率。 1 8 .如申請專利範圍第1 7項所述之雙工器，其中每一該等 平衡式架構之薄膜體聲波共振子濾波裝置具有一第一 端、一第二端、一第三端與一第四端，並包括有： 一第一薄膜體聲波共振子，耦接於該第一端與該 第二端之間； 一第二薄膜體聲波共振子，耦接於該第三端與該 第四端之間，其中該第一、第二薄膜體聲波共振子之 厚度相同，該等薄膜體聲波共振子具有一個以上之相 同共振頻率； 一第一電抗元件，耦接於該第一端與該第四端之 間，以調整斥帶的衰減量；以及 一第二電抗元件，耦接於該第二端與該第三端之

第21頁 1224891 六、申請專利範圍 間，以調整斥 1 9 .如申請專利範 抗元件與該第 2 0 .如申請專利範 抗元件與該第 2 1.如申請專利範 第二薄膜體聲 整濾波器通帶 2 2 .如申請專利範 第二薄膜體聲 整濾波器通帶 2 3 .如申請專利範 第二薄膜體聲 整濾波器通帶 2 4 .如申請專利範 第二薄膜體聲 整濾波器通帶 2 5 .如申請專利範 平衡式架構之 帶的衰減 圍第18項 二電抗元 圍第18項 二電抗元 圍第18項 波共振子 的頻寬。 圍第18項 波共振子 的頻寬。 圍第18項 波共振子 的頻寬。 圍第18項 波共振子 的頻寬。 圍第17項 薄膜體聲 量 。 所述之雙工器，其中該第一電 件係為一電容。 所述之雙工器，其中該第一電 件係為 所述之 更分別 電感 雙工器 地並聯 所述之 更分別 所述之 更分別 所述之 更分別 雙工器 地並聯 雙工器 地串聯 雙工器 地串聯 ，其中該第 有一電感，以調 —— 、 ，其中該第一、 有一電容，以調 ，其中該第 有一電感，以調 ，其中該第一、 有一電容，以調 ——* 、 端 、 一丨一 第二端 ，其中每一該等 裝置具有一第一 ，並包括有： 一第一薄膜體聲波共振子 所述之雙工器 波共振子濾波 第三端與一第四端 耦接於該第一端與該 第四端之間； 一第二薄 第三端之間， 膜體聲波共振子，耦接 其中該第一、第二薄膜 於該第二端與該 體聲波共振子之

第22頁 1224891 六、申請專利範圍 厚度相同，且具有一個一上之相同共振頻率； 一第一電抗元件，耦接於該第一端與該第二端之 間，以調整斥帶的衰減量；以及 一第二電抗元件，耦接於該第三端與該第四端之 間，以調整斥帶的衰減量。 2 6 .如申請專利範圍第2 5項所述之雙工器，其中該第一電 抗元件與該第二電抗元件係為一電容。 2 7 .如申請專利範圍第2 5項所述之雙工器，其中該第一電 抗元件與該第二電抗元件係為一電感。 2 8 .如申請專利範圍第2 5項所述之雙工器，其中該第一、 第二薄膜體聲波共振子更分別地並聯有一電感，以調 整濾波器通帶的頻寬。 2 9 .如申請專利範圍第2 5項所述之雙工器，其中該第一、 第二薄膜體聲波共振子更分別地並聯有一電容，以調 整濾波器通帶的頻寬。 3 0 .如申請專利範圍第2 5項所述之雙工器，其中該第一、 第二薄膜體聲波共振子更分別地串聯有一電感，以調 整濾波器通帶的頻寬。 3 1.如申請專利範圍第2 5項所述之雙工器，其中該第一、 第二薄膜體聲波共振子更分別地串聯有一電容，以調 整濾波器通帶的頻寬。

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