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TWI224785B - Magneto-optical recording medium and its manufacturing method - Google Patents

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TWI224785B
TWI224785B TW092107420A TW92107420A TWI224785B TW I224785 B TWI224785 B TW I224785B TW 092107420 A TW092107420 A TW 092107420A TW 92107420 A TW92107420 A TW 92107420A TW I224785 B TWI224785 B TW I224785B
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Mineo Moribe
Takahiro Umada
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Fujitsu Ltd
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10582Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
    • G11B11/10586Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
    • G11B11/10589Details

Description

1224785 玖、發明說明 (發明說明應敘明:發明所屬之技術領$、㈣技術、内容、實施方式及圖式簡單說明) 【發明所屬之技術領城】 技術領域 本發明係有關於可改寫資訊之光磁記錄媒體及其製造 5 方法。 L· Jl 背景技術 對於光磁記錄媒體之資訊的記錄方式之一例為磁場調 變方式。依該磁場調變方式進行資訊記錄時,係將雷射光 10照射在光磁記錄媒體之記錄對象部份,並施加對應於寫入 資訊之磁場。在該方式中,光磁記錄媒體應具有可有效利 用磁場之構造為宜。 π、,不祖丹,取 15 20 磁性層者。如此之光磁記錄媒體曾記載於,例如,特開平 03-137837號公報上。前述公報所記載之光磁記錄媒體係 具有在iS製基板上依序積層軟磁性層、凹㈣成層、光磁 記錄層及保護層之構造。前述光磁記錄層係使磁化方向垂 直於該層之層,而資訊之記錄係藉由雷射光之照射以及磁 場之施加而控财述光磁㈣層之磁化方向來進行。前述 軟磁性層為,例如Ni_Fe合金製成,且與前述光磁記錄層 相異’磁化方向係平行於該軟磁性層。該軟 射法形成在前述基板上。 _ 二在於前述習知之光磁記錄媒體中,例如,由對向配置 在前述保護層之磁頭所產生的错 生的磁场係透過前述保護層、前 6 玖、發明說明 迷光磁兄錄層以及前述光硬化性樹脂層之後,朝與該層平 仃之方向進行而通過前述軟磁性層中度透過前述光 硬化1±樹脂層、前述光磁記錄層以及前述保護層而回到前 述磁頭。如此,藉由磁場形成閉環路,前述磁場乃有效作 5用於⑽對象部份,並適於進行資訊之記錄。 但是,在前述習知技術中,由於欲提高前述基板與前 述軟磁性層之密著性等的理由,前述基板是銘製的。另一 方面,1呂為較高價之材才斗,故使前述光磁記錄媒體之製造 成本變高。又,前述軟磁性層之形成係藉濺射法進行,因 10此,其設備之運轉或維護管理成本較高,並且前述軟磁性 層之材料對於前述基板之附著率也並不好,故其效率亦不 佳。 【發明内容】 發明概要 15 本务明之目的係提供能解決或減輕前述之課題的光磁 記錄媒體以及其製造方法。 依據本發明之第丨方面所提供之光磁記錄媒體之特徵 ’係在基板上依序積層有軟磁性層、凹執形成層及光磁記 錄層之光磁記錄媒體,而前述基板係由樹脂製成且至少在 20該基板之表面中與前述軟磁性層相接觸之部份的表面粗度 為4nm以上。 前述軟磁性層、前述凹軌形成層以及前述光磁記錄層 ’係分別設置在前述基板之兩面為宜。 珂述基板之表面整體係被前述軟磁性層被覆為宜。 7 玖、發明說明 前述軟磁性層之面積為記錄面之面積以上,並且在前 述基板之表面積的85%以下之範圍内為宜。 依據本發明之第2方面所提供的光磁記錄媒體之特徵 ’係係在基板上依序積層有軟磁性層、凹軌形成層及光磁 記錄層之光磁記錄媒體,而前述基板係由樹脂製成且至少 在該基板之表面中與前述軟磁性層相接觸之部份上形成多 數凹軌’且該部份之表面粗度為2ηηι以上。 前述多數凹執係形成在前述基板之兩面,並且前述軟 磁性層及前述光磁記錄層分別設置在前述基板之兩面為宜 〇 依據本發明之第3方面所提供之光磁記錄媒體之製造 方法,係在基板上依序積層有軟磁性層、凹執形成層,及 光磁記錄層之光磁記錄媒體的製造方法,該製造方法之特 徵在於包含有將前述基板以樹脂成形,並使其表面粗度成 為4nm以上之第丨程序,及藉無電解電鍍法形成前述軟磁性 層之第2程序。 則述第1程序係使用將其表面粗度調整成4nm以上之壓 模來進行為宜。 依據本發明之第4方面所提供之光磁記錄媒體的製造 方法係在基板上依序積層有軟磁性層與光磁記錄層,且 至少在前述基板之表面中與前述軟磁性層相接觸之部份形 成多數凹軌的光磁記錄媒體之製造方法,其特徵在於包含 切前述基板以樹脂成形,並使其表面粗度成為2細以上 之第1¾序’及藉無電解電鐘法形成前述軟磁性層之第2程 1224785 玖、發明說明 序0 w述第1程序係使用將其表面粗度調整成2nm以上之壓 模來進行為宜。 本發明之特徵以及優點可由下述之本發明實施態樣的 5 說明來了解。 圖式簡單說明 第1圖係顯示本發明之光磁記錄媒體一側之截面圖。 第2 A圖、第2B圖係說明第1圖所示之光磁記錄媒體之 製造方法之程序的截面圖。 10 第3A圖、第3B圖係說明第1圖所示之光磁記錄媒體之 製造方法之程序的截面圖。 第4圖係顯示本發明之光磁記錄媒體另一例之截面圖 〇 【實施方式 15 較佳實施例之詳細說明 以下,將參照圖式具體地說明本發明之較佳實施態樣 〇 第1圖係顯示本發明之光磁記錄媒體之一實施例。本 實施例之光磁碟片D1,具有在基板丨之上面la及下面113依 20序積層有軟磁性層2、凹執形成層3、光磁記錄層4及保護 層5之構造。該光磁碟片D1係使基板丨之上面la侧之構造與 基板1之下面1 b側夾住基板1而相互對稱。 基板1為,例如聚碳酸酯製成且具有中空環形圓板形 狀。該基板1之上下面la,lb之表面粗度為,例如5nm。於 9 1224785 玖、發明說明 本說明書中所謂之「表面粗度」係指於2〇〇1年之日本工業 規袼(JIS)預定義之「算術平均高度」。 軟磁性層2係由在較弱磁場磁化會有較大變化之高透 磁率材料所成,例如為Fe_Co_Ni合金製成者。軟磁性層2 5之磁化方向乃平行於該層,而軟磁性層2係可使由磁頭等 所產生之磁場,發揮有效作用於光磁記錄層4之記錄對象 部份的功效。於本實施例中,軟磁性層2覆蓋基板丨之表面 整體,且除了於基板丨之上下面1&,lb之外,亦形成在基 板1之外周面上及内周面上。 1〇 凹軌形成層3係由,例如,紫外線硬化樹脂所形成。 且在該凹執形成層3之上面及下面,於半徑方向上交互棑 列形成為延伸於圓周方向之多數凹執31及多數凸執32。在 本申請書所謂之「凹軌」及「凸執」係均不含光磁記錄層 4之概心。凹執3 1之寬度為,例如〇 · 5 ,而凸軌μ之寬度 15為,例如0·25叫1,而凸軌32之寬度為,例如〇·25μπι。又, 凹軌3 1之冰度為’例如4〇ηπι。 光磁记錄層4係具有強保磁力而成為資訊之記錄對象 之層。該光磁記錄層4,係具有在磁化方向相對於層為垂 直之垂直磁化層上組合介電體層及反射層等的構造,例如 20 ,由 AgpdCuSi 層、SiN 層、AgPdCuSi 層、GdFeCo 層、 TbFeCo層,以及siN層而成之多層構造。如此之多層構造 對於適▲進行資訊之記錄與再生十分適合。在本實施例中 ,光磁記錄層4係形成在基板丨之上下面la,lb,同時可讓 資訊記錄在凹執31上及凸軌32上之光磁記錄層4,且可謀 10 玖、發明說明 求資訊之大容量化。 保護層5為,例如透明之紫外線硬化樹脂製成。該保 護層5係可發揮防止光磁記錄層4之磨損或錢之功用者。 前述基板1及各層2〜5之厚度,例如,基板Wi2_ 、軟磁性層2為0.8μηι、凹執形成3為1〇叫、光磁記錄層μ 為125nm、保護層5為15,。而光磁記錄層4之厚度的内容 ,例如,AgPdCuSi層為 l〇nm、SiN層為 5nm、AgpdCuSw 為 3〇nm、GdFeCo層為 5nm、TbFeC〇層為 25nm,以及 層為50nm。 其次將說明光磁碟片D1之製造方法的一例。 首先,將基板1藉射出成型法進行樹脂成形。於該程 序中,如第2A圖所示,係使用例如,鎳製的一對壓模6。 壓模6於例如,氣體壓力15pa、RF電力lkw之條件下,施 行使氬氣離子衝擊表面之蝕刻處理約1〇分鐘,藉此使其表 面粗度形成為5nm。將一對壓模6裝設在模具7上,並在該 等一對壓模6之間填充已溶融之聚碳酸酯,然後,使其硬 化就能使基板1成形。 其-人,在基板1之表面整體形成軟磁性層2。該程序係 藉由無電解電鍍法來進行。例如,將基板丨依序予以浸潰 在氯化錫水溶液及氣化鈀水溶液之後,如第2B圖所示,在 含有Fe鹽、Ni鹽、Co鹽,及還原劑之無電解電鍍液L中, 浸潰約20分鐘,就能使軟磁性層2形成前述之厚度。 然後,在積層於基板丨之上下面“,lb的軟磁性層2上 ,形成凹執形成槽3。如第3 A圖所示,於該程序中係使用 玖、發明說明 例如,由石英玻璃構成之一對透明壓模8。在透明壓模8形 成有對應於多數凹執31及多數凸執32的預定凹凸圖案。於 形成凹執形成層3時,^ Η吏軟磁性層2之表面具有黏著性 ,乃在軟磁性層3塗布矽烷耦合劑,並在該軟磁性層2上配 5置未硬化之紫外線硬化樹脂。之後,與軟磁性層2隔著預 之間隔而將對透明壓模8被覆在前述紫外線硬化樹脂 上。接著從透明壓模8側照射紫外線而使前述紫外線硬化 樹脂硬化。其後,如第3Β圖所示,卸下透明壓模8。依如 此步驟就能形成凹執形成層3。 1〇 接著,將光磁記錄層4形成在凹執形成層3上。藉由以 例如,濺射法依序積層構成光磁記錄層4的多數層,就能 形成光磁σ己錄層4。之後,在該光磁記錄層4上形成保護層 5。將未硬化之紫外線線硬化樹脂藉,例如,旋塗法塗布 在光磁記錄層4上,然後,照射紫外線而使前述紫外線硬 15化樹脂硬化,就能形成保護層5。依前述一連串之作業程 序,就能獲得光磁碟片D1。 由於基板1為樹脂製成,其與軟磁性層2之密著性本來 就不是良好。但是,由於基板!之表面粗度為5nm,因此, 軟磁性層2之一部份就變成進入於基板丨之微小的凹部之狀 20態,乃使基板1與軟磁性層2之密著性變成良好。本發明人 製作表面粗度為種種粗度之多數聚碳酸醋製基板,並進行 檢測基板與軟磁性層之密著程度實驗的結果是,確認基板 之表面粗度若為4nm以上,則基板與軟磁性層可適當地密 著。 12 玖、發明說明 相較於習知技術所使 可使基板1之材料費較 因為基板1為樹脂製成,因此 用之例如,玻璃製或鋁製之基板, 低廉,且可降低製造成本。 丨王層2係以無電解電鍍法形成,因此,將 軟磁性層2 ’相較於以例如,濺射法形成之情形,係可使 製造設備簡易化且亦能使週轉資金減少。而且,並盔軟磁 性層2之材料對㈣板之㈣性不良的情形。這對於欲降 低製造成本方面是有用的。 另方面,本發明人對於如前述之兩面構造之光磁碟 片確認下述事項。 即’本發明人將變更對於聚碳酸醋製之基板的軟磁性 層之被覆率的後述之第丨至第5樣品,放置在8代、85· 之高溫高濕環境下1_小時以進行耐久性檢查。於該檢查 中發現由於基板吸收水分㈣基板與透水性低之軟磁性層 之間有水分滯留,使軟磁性層之表面祕且形成略呈半球 狀之凸部的缺陷。 本發明人所進行之檢查結果,如第1表所示。 第1表 樣品種類 對於基板之 軟磁性層的被覆率(〇/〇) 凸部之產生數/cm2 弟1樣品 100 0 第2樣品 95 34 第3樣品 90 7 弟4樣品 85 0 第5樣品 80 0 於此,第1樣品係與光磁碟片D1同樣將基板之表面整 IJ24785 玖、發明說明 肢以I人磁性層覆盍,並令前述被覆率為1〇〇%。第2及第3 木八π 口係例如’除去基板之外周面及内周面而僅在基板之上 下面積層軟磁性層者’並令前述被覆率分別為95%及 。第4及第5樣品係僅在除去基板之上下面的外周側緣部份 5及内周側緣部份之其他部份積層軟磁性層,並令前述被覆 率分別為85%及80%。如第!表所示,在第!、第4及第5樣 口口中,並未發現前述凸部。相對於此,在第3及第4樣品中 ,則到處可見前述凸部。由該檢查結果可了解,為防止前 述之缺陷,應將基板之表面整體被覆軟磁性層,或者,使 1〇軟磁性層之面積(基板與軟磁性層之接觸面積)為基板表面 積的85%以下較為適宜。即使使軟磁性層之面積為基板表 面積的85%以下,由於軟磁性層係具有可有效進行資訊之 。己錄的作用者’因此,亦應使軟磁性層之面積為光磁記錄 層之記錄對象部份的面積以上為宜。 15 其次’將參照第4圖說明對本發明有關之光磁記錄媒 體的另一實施例。在第4圖中,對於與前述實施例為同樣 或類似之要素,附予與前述實施例相同之符號。本實施例 之光磁碟片D2,其基板1之形狀與前述實施例相異。 在基板1之上面la及下面ib,於半徑方向上交互排列 20形成為延伸於圓周方向之多數凹軌11及多數凸軌。因此 ,在光磁碟片D2中,未設置相當於前述實施例之凹軌形成 層3。凹執11之底面U1&側壁面112之表面粗度為,例如 2nm。構成凸執12之平坦面121之表面粗度為,例如2nm。 以下將說明光磁碟片D2之製造方法之一例。 14 1224785 玖、發明說明 基板1,係藉使用鎳製的一對壓模之射出成型法成形 。在刖述一對壓模中,形成對應於多數凹執丨丨及多數凸軌 12的預定之凹凸圖案。該等一對壓模,乃於氣壓i 5pa、 RF電力lkW之條件下,施行使將氬氣離子衝擊於表面之餘 5刻處理、力5刀麵,藉此使其表面粗度成為2nm而形成者。表 面粗度係藉由前述餘刻處理時間予以調整,若將前述餘刻 處理日寸間lig短就月匕使表面粗度變小。冑前述一對壓模裝言史 於模具,並在該等一對壓模之間填充已溶融的聚碳酸醋, 之後,將其硬化就能成形基板1。在基板1上依序積層之軟 10磁性層2、%磁記錄層4,w及保護層5,係藉由與前述實 施例同樣之作業程序形成。如此,可獲得光磁碟片D2。 於光磁碟片D2中,基板丨之表面粗度為,例如2nm。 本發明人在與前述相同樣之實驗中,以光磁碟片〇2之構造 ,亦確認基板1之表面粗度若為2nm以上,則基板丨與軟磁 15性層2可適當地密著,因此,對於光磁碟片〇2而言,雖然 基板1亦為樹脂製成里,基板丨與軟磁性層2之密著性仍高 。與光磁碟片D1之情形作比較,雖基板丨之表面粗度較小 但基板1與軟磁性層2亦可適當地密著的原因可能是在基板 1之表面形成凹執U及凸執12 ’因此’不但使基板i與軟磁 20性層2之接觸面積變大,亦能獲得所謂之錨著效應之故。 本發明並不限定於前述實施例之内容。對於本發明有 關之光磁記錄媒體各部之具體性構成,可自由作種種之設 。十、欠更。同樣,對次本發明有關之光磁記錄媒體之製造方 法上的各作業程序之具體性構成亦可自由作種種之變更。 15 I?24785 玖、發明說明 例如,於前述兩種之光磁碟 ^ ^ ^ , 任種中,並不限定 ;土板之上下面將各層分別積 積層之兩面構造,亦可以是僅 在基板之單面積層各層之單面 在如此之構造的情形 ,則僅調整基板之單面的表面粗度即可。對於後者之光 磁碟片,凹軌或凸軌亦可以僅形成在基板之單面。基板可 μ是以聚碳㈣所形成者’亦可以環氧樹脂等其他樹脂 形成者。X ’資訊之記錄並㈣定料凹軌上及凸軌上之 光磁記錄層進行,亦可以僅對於其中一方進行。 【圖式簡孕^說^明】 第1圖係顯示本發明有關之光磁記錄媒體的一側之截 面圖。 第2Α圖、第2Β圖,係說明在第1圖所示之光磁記錄媒 體的製造方法之程序的截面圖。 第3 A圖、第3B圖,係說明在第i圖所示之光磁記錄媒 15體的製造方法之程序的截面圖。 第4圖係顯示本發明有關之光磁記錄媒體的他例之截 面圖。 16 1224785 玖、發明說明 【圖式之主要元件代表符號表】 1…基板 1 a…基板之上面 1 b…基板之下面 2···軟磁性層 3…凹執形成層 4…光磁記錄層 5…保護層 6…壓模 7…模具 8…透明壓模 11,31…凹軌 12,32···凸執 111…凹執底面 112…凹執側壁面 121…凸執平坦面 D1,D2···光磁碟片 17

Claims (1)

1224785 Μ欠 — 隨.替換叫 請專利範圍 第921〇?42〇號專利申請案+文申請專利範園修正本%年9月则 L 一種光磁記錄媒體,係在基板上依序積層有軟磁性層 、凹軌形成層及光磁記錄層者, 而前述基板係由樹脂製成且至少在該基板之表面 5 中與則述軟磁性層相接觸之部份的表面粗度為4nm以上 〇 2·如申凊專利範圍第丨項之光磁記錄媒體,其中前述軟磁 f生層、础述凹執形成層以及前述光磁記錄層,係分別 设置在前述基板之兩面。 10 3.如中請專利範圍第丨項之光磁記錄媒體,其中前述基板 之表面整體係被前述軟磁性層被覆。 4·如申請專利範圍第i項之光磁記錄媒體,其中前述軟磁 性層之面積為記錄面之面積以上,並且在前述基板之 表面積的85%以下之範圍内。 15 5·種光磁記錄媒體,係在基板上依序積層有軟磁性層 、凹執形成層及光磁記錄層者, 而前述基板係由樹脂製成且至少在該基板之表面 中與前述軟磁性層相接觸之部份上形成多數凹軌,且 該部份之表面粗度為2nm以上。 6·如申請專利範圍第5項之光磁記錄媒體,其中前述多數 凹執係形成在前述基板之兩面,並且前述軟磁性層及 荊述光磁圮錄層分別設置在前述基板之兩面。 7.種光磁記錄媒體之製造方法,該光磁記錄媒體係在 基板上依序積層有軟磁性層、凹執形成層及光磁記錄 18 id#-】 μΐ 一…w、?楚貝 _請專利範圍 層者,該製造方法包含有·· 第1程序,係將前述基板以樹脂成形,並使其表面 粗度成為4nm以上;及 苐2私序’係藉無電解電鏡法形成前述軟磁性層。 8·如申請專利範圍第7項之光磁記錄媒體之製造方法,其 中前述第1程序係使用將其表面粗度調整成4nm以上之 壓模來進行。 9· 一種光磁記錄媒體之製造方法,料磁記錄媒體係在 基板上依序積層軟磁性層及光磁記錄層,且至少在前 4基板之表面巾與w述軟磁性層相接觸之部份形成多 數凹軌者,該製造方法包含有: 弟1程序,係將前述基板以樹脂成开》,並使其表面 粗度成為2nm以上;及 第2料’储無電解電·形成前述軟磁性層。 b 1〇·如:請專利範圍第9項之光磁記錄媒體之製造方法,其 中前述第1程序係使用將其表面 衣®祖度调整成2nm以上之 壓模來進行。 19
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