TWI298355B - Thin film deposition method and thin film deposition apparatus - Google Patents

Description

1298355 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於適用於製造光學薄膜、光學元件、光電 疋件、及半導體元件用的薄膜之薄膜形成方法及薄膜形成 表置特別是關於可提昇能與薄膜進行化學反應之活性種 密度而面效率實施電漿處理之薄膜形成方法及薄膜形成事 置。 & L先刖技術】 已知的技術，係在真空容器内用電漿化的反應性氣體 在基板上形成薄膜，將所形成的薄膜予以改質，並進行蝕 刻等的電聚處理。例如，使用濺鍍技術在基板上形成金屬 之不疋全反應物構成之薄膜，使電漿化之反應性氣體與該 不完全反應物構成之薄膜接觸，藉此來形成金屬化合物構 成的薄膜（例如日本特開2001_234338號公報）。 該技術之薄膜形成裝置係設有：用來對基板進行濺鍍 成膜處理之成職縣，及對形成的薄膜進行電漿處理: 反應處理區。在該成膜處理區，設有用來導人非活性氣體 之氣體導入機構1用所導入的非活性氣體，來濺蝕成膜 處理區内之乾’藉此在基板表面形成薄膜。 在成膜處理區形成薄膜後之基板，係搬送至反應處理 :槿在=處理區設有：用來導入反應性氣體之氣體導入 導聚之電漿產生機構，藉由電製產生機構 化等的處理。 電纽，而對基板上的薄膜進行氧 1298355 體係包含：離子、自由基 的電子、離子，可能會造 之反應性氣體的自由基， 以電漿產生機構電漿化之氣 等的活性種。電漿化氣體中所含 成薄膜之損傷，相反地，呈電中性 則大多有助於薄膜之形成。 -般而言，在薄膜形成裝置，若電衆產生機構所產生 之自由基密度越高’由於更多的自由基和基板上的薄膜接 觸’故能更高效率地進行雷婿余田 、 卞l适仃电水處理。然而，習知之薄膜形 成虞置’所產生之自由基密声兀古 w. w签在沒不同，並無法高效率地進行 電漿處理。 本發明之目的係、提供形成方法及薄膜形成裝 置，其藉由提高電聚中反應氣體之自由基密度，而能對薄 膜進行高效率的電漿處理。 【發明内容】 本發明人發現到，藉由對反應處理區積極地導入非活 性氣體，即可提昇反應處理區所產生之電漿密度。 亦即’用以解決上述課題之本發明之薄膜形成方法， 係使用薄膜形成裝置（將該真空容器内的面向電漿產生區 域的壁面用絕緣體被覆）對基體進行薄膜形成；其特徵在 於進行··將真空容器内部維持真空之製程，在配設於該真 空容器之基體搬送機構上保持基體之基體保持製程，對成 膜處理區導入非活性氣體以將靶濺蝕，藉此對該基體進行 成膜處理之成膜處理製程，將該成膜處理後之該基體搬送 至反應處理區之基體搬送製程，對該反應處理區内導入反 應性氣體及非活性氣體以產生電漿，藉此對該成膜處理後 1298355 之該基體進行電漿處理之電漿處理製程；藉由反覆進行該 成膜處理製程及該電漿處理製程來在該基體上形成薄膜。 如此般，依據本發明之薄膜形成方法，不僅對成膜處 理區’亦對反應處理區積極地導入非活性氣體。因此，可 提昇電衆中反應性氣體的自由基密度，而能進行高效率的 電漿處理。 又，由於將該真空容器内的面向電襞產生區域的壁面 用絕緣體被覆，故藉電漿產生機構而產生於電聚中之自由 基或激勵狀態之自由基等活性種，因其與真空容以的t 漿產生區域的壁面反應而消滅的情形可被抑制住。 這時，該非活性氣體較佳為擇自氯、氨、氛、氮 所構成群中之氣體。 山 又，較佳為將該真空容器内的壁面用絕緣體被覆。 =採用這種構成，電聚產生機構所產生之電聚中的 之電Γ產t勵狀態之自由基等的活性種，因與真空容器内 制。生區域之壁面反應而消滅的情形，將可獲得抑 所構：群Γ絕緣體’以擇自熱解氮化删、氧化銘及氧切 所構成群巾之絕緣體為佳。 夕 性氣:之導入該反應處理區之全氣體流量’該非* “机里比較佳為〇·15~0.45的範圍。 密度，能使電漿中反應性氣體的自由基 特θ回。因此能獲得衰減係數較低之良好薄膜。 疋，這時前述流量比以〇. 27為佳。 、1298355 精由抓用這種流量比’能使電漿中反應性氣體的自由 基密度變得特別I因此能獲得衰減係數較低之良 膜。 又，用以解決上述課題之本發明之薄膜形成裝置，係 具備’内部可維持真空之真空容器’配設於該真空容器内、 用來搬送基體之基體搬送機構，形成於該真空容器二、用 來對》亥基體進仃成膜處理之成膜處理區，形成於該真空容 器内、用來對該基體進行電襞處理之反應處理區，藉此來 在該基體上形成薄膜；其特徵在於具備：肖來對該^應處 理區導入反應性氣體之反應性氣體導入機構，用來個別對 該成膜處理區及該反應處理區導人非活性氣體之非活性氣 體導入機構’配設於該成膜處理區、用來藉由該非活性氣 體將乾濺钕以對該基體進行成膜處理之成膜處理機構，配 設於該反應處理區1來在該反應處理區内產生反應性氣 體及非活性氣體之雷锻，驻m > 电水猎此對該成膜處理後的基體進行 電漿處理之電漿產生機肖；將該真空容器内的面向電浆產 生區域的壁面用絕緣體被覆。 如此般，依據本發明之薄膜形成裝置，不僅對成膜處 理區，亦對反應處理區導入非活性氣體。因此，可提昇電 襞中反應性氣體的自由基密度’而能進行高效率的電裝處 理。 又’由於將該真空容器内的面向電漿產生區域的壁面 用絕緣體被覆，故藉電漿產生機構而產生於電漿中之自由 基或激勵狀態之自由基等活性種，因其與真空容器内的電 1298355 漿產生區域& 這時=反應：消減的情形可被抑制住。 存非活性氣俨夕霞 &、 彳土為具備··用以貯 虱體之早一非活性氣體貯存機槿, 該非活性氣俨纩在她姓 械構，用來將貯存於 之第一配管，及導入則述成膜處理區 活性氣體導入：反:：該非活性氣體貯存機構之非 導入别述反應處理區之第二配管。 或者，前述非活性氣體導入機構較佳 存非活性氣俨夕笙.. 為，、備.用以貯 :體之第-非活性氣體貯存機構，用來將貯存於 "ϋ輕氣體貯存機構 、 理區之帛-配以料人料成膜處 吕用以貝丁存非活性氣體之 貯存機構（其盥嗜第一-苍从a —非活f生乳體 ^ ^ ^苐非性軋體貯存機構分開設置），及 用來將射存於該第二非活性氣 巩體貞了存機構之非活性氣體導 入刖述反應處理區之第二配管。 又較佳為，前述反應性氣體導入機構係具備反應性氣 體流量調整機構，其可調整導 斤 登導入則述反應處理區之反應性 乳體流量；且該反應性氣體流量調整機構係具備非活性氣 體流量調整機構’其可調整導入前述反應處理區之非活性 氣體流量。 又，該非活性氣體較佳為擇自氬、氦、氖、氪、氙所 構成群中之氣體。 又，用絕緣體被覆之該真空容器内的壁面，較佳為該 真空容器之内壁面。 又，前述絕緣體，以擇自熱解氮㈣、氧化減氧化石夕所 構成群中之絕緣體為佳。 10 1298355 如此般，藉由在成膜處理區及反應處理區雙方均導入 非活性氣體，將可提昇電漿中反應性氣體的自由基密度， 而能進行高效率的電漿處理。 又，由於將該真空容器内的面向電漿產生區域的壁面 用絕緣體被覆，故藉電漿產生機構而產生於電漿中之自由 基或激勵狀態之自由基等活性種，因其與真空容器内的電 漿產生區域的壁面反應而消滅的情形可被抑制住。 以下將說明本發明之其他特點。 【實施方式】 以下根據圖式來說明本發明之一實施例。以下所說明 之構件、配置等，並非用來限定本發明者，在本發明主旨 之範圍内當然能作各種適當的改變。 圖卜圖2係濺鍍裝置i之說明圖。i係為便於理 解而取局部截面之俯視說明圖，圖2係沿圖i之線 取局部截面之側視說明圖。濺鑛裝置1係本發明的薄膜形

本例中，關於賤鍍的例子，係使用進行磁控錢 鑛裝置i，但並不限於此，也能採用非磁控放電而 極濺鍍等其他公知的濺鍍之濺鍍裝置。 丁 依據本例之濺鍍裝£ i，係藉由錢鑛形成比目的 :很夕的薄膜，接著進行電聚處理’ #由反覆此、 基板上形成目的膜厚之薄膜。本例中，藉由反覆在 鍍及電襞處理來形成膜厚〇.〇1〜l 5nm薄膜之步驟，二乂歲 成目的膜厚之數〜數百nm的薄膜。 可形 1298355 本例之雜裝置i之主要構成要素包含：真空容器u， 將待形成薄膜之基板保持於真空容器n内之基板保持具 13,用來驅動基板保持具13之馬達17，賴壁i2,i6，磁 控㈣電極仏川，中頻交流電源、23,用來產生電聚之 電t產生裝置61。間隔板16相當於本發明之電㈣聚壁， 電聚產生裝置6i相當於本發明之電聚產生機構，基板保 持具13及馬達17相當於本發明之基體搬送機構，磁控滅 鍵電極2U，21b相當於本發明之成臈處理機構。 真空容器"’係公知濺鍍裝置一般所採用之不鏽鋼 製’呈大致長方體形之中空體。真空容器"接地。又直 空容器11的形狀採中空圓柱狀亦可。 〃 基板保持具13係配置於真空容H 11内之大致中央。 基板保持具13形狀呈圓筒壯 t w尚狀，在其外周面保持複數個基 反（圖不）。基板保持具13除圓筒狀外，也能採中空多角 柱狀、圓錐狀。基板保持具13 g 而形成電位浮接狀態。在直空容匕二呈電氣絕緣， 隹八工谷益11内將基板保持具13 之=二圓筒筒方向之中心軸線（參照圖2)朝真空容器η 於直*容二在真空容器11内維持真空狀態下，藉由設 心軸線“中心旋轉。 而使基板保持具η能以中 心軸具13之外周面，在順沿基板保持具η中 軸線ζ的方向(上下方向），以保持既定 數基板（未圖示）整齊排列。本 、…夕 下稱「膜m 不J Τ以基板之溥膜形成面(以 成面」）朝向與基板保持具U的中心轴線2垂 12 1298355 直的方向之方式’用基板保持具13來保持基板。 間隔壁I2,16，係從真空容考 …設。本例之間隔壁…=面朝基板保持 大致長方體，且為不鏽鋼製的構件:、間:== 11之内壁與基板保持具η之間，’且彳… 奋器π之側壁朝基板保持且 、二 12,16被固定成，使間隔壁12 土 夕向辟/丨口 ’之開側面向真空容器1 1 内土側，另一側面向基板保 ^ # α y ^ 乐符具13。又，間隔壁12，16 之基板保持具13側的端部，係 形狀之形狀。 係柄沿基板保持具丨3外周 用來進行賤鍍之成膜處理區2〇，係圍繞真空 的内壁面、間隔壁12、基柘 扳保持具1 3的外周面而形成。 又’用來產生電浆而對基板上薄膜進行電聚處理之反應處 理區60，係圍繞直处交哭、 八工谷态11的内壁面、後述之電漿處理 装置61、間隔壁16、| μ 土板保持具13的外周面而形成。本 例中’相對於直空交哭1 Λ y 八合斋11上之間隔壁12固定位置，間隔 係口定於繞基板保持具丄3中心轴線z旋轉約川度 、置因此成膜處理區20與反應處理區60，係以基 呆持^ 13中心軸線Z為中心形成於偏離90度的位置。 因此#馬達17來轉動驅動基板保持具13時，基板保持 /、13外周面所保持之基板，會在面向成膜處理區之位 置與面向反應處理區6〇的位置間進行搬送。 在真空谷為11之成膜處理區20與反應處理區60之 間連接有排氣用配管，該配管上連接著真空纟i 5，以進 13 1298355 行真空容器11内之排氣。利用該真空泵15及未圖示之控 制器，來調整真空容器11内之真空度。 間隔壁16之面向反應處理區6〇的壁面上，被覆著絕 緣體構成之保護層Pm器U内壁面之面向反應處理 區60的部分’亦被覆著絕緣體構成之保護層p。構成保護 層P之絕緣體，例如可使用熱解氮化删（PBN : pyr〇丨沖c Boron Nitride)、氧化銘（Al2〇3)、氧化石夕（si〇2)、氮化爛（bn) 等。保護層p，可藉由化學氣相成長法（Chemicai

Deposition)、蒸鍍法、熱熔喷鍍法等來被覆在間隔壁i6或 真空容器11之内壁面。採用熱解氮化硼的情形，能以利 用化學氣相成長法而之熱分解法來被覆在間隔壁16或真 空容器11之内壁面。 透過配管將質量流量控制器25、26連接於成膜處理區 20。質量流量控制器25,係連接於濺鍍氣體高壓容器27(用 來貯留非活性氣體之非活性氣體貯存機構）；質量流量控 制器26,係連接於反應性氣體高壓容器28(用來貯留反應 性氣體之反應性氣體貯存機構）。非活性氣體與反應性氣 體，係在質量流量控制器25、26的控制下導入成膜處理 區20。可導入成膜處理區2〇之非活性氣體，例如包含氬、 氦、氖、氪、氙等。可導入成膜處理區之反應性氣體， 例如包含氧氣、氮氣、氟、臭氧氣體等等。 在成膜處理區2 0 ’以對向於基板保持具1 3外周面之 方式，於真空容器u壁面上配置有磁控濺鍍電極21a、21b。 該磁控濺鍍電極21 a、21 b，係透過未圖示的絕緣構件固定 1298355 在處於接地電位之真空容器11上。磁控㈣電極21a、21b， 5過文壓S 24連接於中頻交流電源、23，如此即可施加 交場。本例之中頻交流電源23,係用來施加lk~100kHz 之交/μ·電場在磁控濺鍍電極21心上設置靶29心2此。 乾29a、29b的形狀為平板狀，輕心、29b之與基板保持 具13外周面相對向的面，係朝與基板保持具13中心軸線 Z垂直的方向。 又，進行濺鍍之成膜處理區可設置一處，亦可設置複 數處。如® 1之虛線所示，可在真空容器、i i i設置與成 膜處理區20相同的成膜處理區40。例如，可在真空容器 11上設置間隔壁14，在隔著基板保持具13而與成膜處理 區20相對向的位置形成成膜處理區40。在成膜處理區4〇 上，與成膜處理區20同樣地，配置有磁控濺鍍電極41&、 41b。磁控濺鍍電極41a、41b，係透過變壓器44連接於中 頻交流電源43，如此即可施加交流電場。磁控濺鍍電極 41a、41b上設有靶49a、49b。透過配管將質量流量控制 器（流量調整機構）45、46連結於成膜處理區40。質量流 量控制器45，係連接於濺鍍氣體高壓容器47(用來貯留非 活性氣體之非活性氣體貯存機構）；質量流量控制器46， 係連接於反應性氣體高壓容器4吖用來貯留反應性氣體之 反應性氣體貯存機構）。在真空容器11之成膜處理區 與反應處理區60之間，連接有排氣用配管，該配管連接 於真空泵（用來進行真空容器11内的排氣）15，。真空泵15, 可與真空泵15共用。 15 1298355 在對應於反應處理區60之真空容器11内壁面上，形 成有開口。在開口連結電漿產生裝置（電漿產生機構）61。 在反應處理區60 ’係透過質量流量控制器75而連接有配 管（用來將非活性氣體導入非活性氣體貯存機構之非活性 氣體高壓容器77内）。又，質量流量控制器75、非活性氣 體高壓容器77及配管，係構成本發明之非活性氣體導入 機構。而質量流量控制器75，係構成本發明之非活性氣體 流量調節機構。 • 在本實施形態’係將濺鍍氣體高壓容器27(用來將非 活性氣體導入成膜處理區20)與非活性氣體高壓容器77(用 來將非活性氣體導入反應處理區6 〇)分開設置，以對成膜 處理區20及反應處理區6〇分別導入非活性氣體。但並不 限定於這種個別導入機構，例如可在成膜處理區2()及反 應處理區60設置共通非活性氣體貯存機構之單一非活性 氣體高壓容器’而從該非活性氣體高壓容器對成膜處理區 φ 20及反應處理區60分別導入非活性氣體。 又’透過氣量流量控制器76連接有配管（用來將反應 性氣體導入反應性氣體貯存機構之反應性氣體高壓容器78 内）。又，質量流量控制器76、反應性氣體高壓容器78及 配官’係構成本發明之反應性氣體導入機構。而質量流量 控制器76 ’係構成本發明之反應性氣體流量調節機構。 了導入反應處理區6 〇之非活性氣體，例如包含氬、氦、 巩、氪、氙等。可導入反應處理區6〇之反應性氣體，例 如包含氧氣、氮氣、氟、臭氧氣體等等。 1298355 圖3係電漿產生裝置61之說明圖，係電漿產生裝置61 之前視說明圖。圖3同時顯示匹配箱67及高頻電源69。 電漿產生裝置61係具備··板狀之電介質壁63，於同 一平面上形成渦狀之天線65a、65b，用來將天線65a、65b 連接於高頻電源69之導線66，用來將天線65a、65b固定 於電介電壁63之固定具68。天線65a相當於本發明之第 1天線，天線65b相當於本發明之第2天線，固定具68相 當於本發明之天線固定機構。 本例之電介質壁63係石英所形成。電介質壁63除石 英外也能用Αΐβ3等其他陶瓷材料來形成。電介質壁63係 被真空谷器11之突緣11 a和矩形框狀之蓋體1丨b所挾持， 且設置成可封閉真空容器u内壁上的開口（對應於反應處 理區60所形成者）。天線65a與天線65b，係在真空容器 11外側之電介質壁63對應位置，藉固定具68固定工成（參 照圖2、® 3)，以渦形成面朝真空容器丨i内侧的方式彼 此上下(與中心軸線z平行的方向)相鄰。亦即，如圖2、3 所示般’將天、線65a與天、線65b固定成，天線…:天線 65b之渴形成面（電介質壁63)之垂線間保有既定間隔卜 因此’當馬達17使基板保持具13繞中心轴線z旋轉， 基板保持具13外周之基板，將以 ， 心、㈣之渦形成面相對向的方式i行搬送=面與天線 中’由於天…天物固定成鄰亦：，本例 線65a與天、線65b係固定成，在與基板搬送方此、天 向（中心軸線Z之平行方向，本例為上下方向）相鄰父叉的方 17 1298355 本例之固定具68係具備：固定板68a、68b、螺栓68c、 68d。用固定板68a及電介質壁63來挾持天線65a，用固 定板68b及電介質壁63來挾持天線65b，用螺栓68c、68d 將固定板68a、68b鎖緊於蓋體1 lb，藉此來固定住天線65a 與天線65b。 天線6 5 a與天線6 5 b ’係在從局頻電源連到天線6 5 a、 天線65b之導線66 —端，相對高頻電源69形成並聯。天 線65a、65b，係透過匹配箱67(收容有匹配電路）來連接 於高頻電源6 9。如圖3所示，在匹配箱6 7内設有可變電 容器67a、67b。本例中，由於天線65a與天線65b並聯， 以往之匹配電路中匹配用線圈1 67c所達成的作用之全部 或一部分，能用天線65a來取代。因此，匹配箱内之電力 損耗會減少，天線65a與天線65b，能將高頻電源69所供 給的電力有效活用於電漿的產生。同時容易獲得阻抗匹 西己c 在與導線66 —端連接的部分，亦即天線65a與天線65b 之結合部位，係設有伸縮部66a、66b，俾調整天線65a與 天線65b的間隔D。伸縮部66a、66b相當於本發明之位置 調整機構。本例之濺鍍裝置1，當用固定具68來固定天線 65a、65b時，藉由使伸縮部66a、66b進行伸縮，即可調 整天線65a與天線65b在上下方向的間隔D。亦即，將用 固定板68a、68b與電介質壁63來挾持天線65a與天線 之位置加以改變，即可調整間隔D。 圖4係天線65a之截面圖。本例之天線係具備· 18 1298355

鋼製之圓管狀本體咅"5ai、被覆本體部表面之銀製的被覆 層㈣。為了降低天線65a之阻抗，天線65a之材質以低 電阻材料為佳。於是’ #用高頻電流會集中於天線表面的 特性，而用低成本、加工容易且低電阻之銅來形成圓管狀 的本體部65ai’並用電阻比銅低之銀被覆於本體部—I的 外側表面而構成被覆層65心。藉由採用此構成，可將天線 65a與天、線65b的高頻阻抗減少，而使電流高效率地流過 天線65a，藉此提高電聚產生效率。天線祝的構成，係 和天線65a同樣地具備銅製本體部65比及銀製被覆層 65b2。當然，也能改變天線65a與天線65b之截面大小（二 ㈤。本例中，伸縮部66a、66b的構成，也能用銅來形成 圓管狀，並在表面被覆銀而構成。 本例之電漿產生裝置61，係調整天線6“與天線6讣 在上下方向的間隔D、天線65a的直徑以、天線的直 徑Rb等後，將天線65a與天線65b固定住，再將反應性 氣體高壓容器78内之反應性氣體，透過f量流量控制器^ 而導入反應處理區60(保持（K1Pa〜1〇Pa左右的真空度）。 然後，從高頻電源69對天線65a與天線65b施加^^6MHz 的電壓，使反應性氣體的電漿在反應處理區6 〇產生既定 的分布，而可以對基板保持具13上之基板進行電滎處理。 本例中，藉由具備並聯的2個天線65a、65b及伸縮部 66a 66b相&於加大1個天線的情形，除能減低匹配箱 67内之匹配電路的電力損耗外，㈣容易獲得阻抗匹配， 而能廣範圍地進行高效率的電漿處理。 19 1298355 又，由於天線65a、65b之本體部㈣、65b】是用低 成本、加工容易、低電阻的銅來形成圓管狀，且被覆層65〜、 6 5b2是用電阻比銅更低的銀爽） 一 尺臥J跟术形成，因此能降低天線65a、 6 5 b之局頻阻抗，可減少雷六p 成電力扣耗而進行高效率的電漿處

” i八咏wa興天線65b在上 :方向的間隔I)，以調整基板保持具13上的基板之電浆分 2由於天線65a之直徑Ra、天線65b之直㈣、天線⑽、 之粗細等也能分別獨立改變，藉由調整天、線-的直 0直仅Rb或粗細等，也能調整電漿分布。 本例中，如圖3所示，壬綠β c： t 、a〜天線65b之整體形狀係 由大小不同的半圓所組成，但天線…與天線 形狀:也能改變成矩形等形狀’藉此來調整電聚的分布。 m’由於將天、線65a與天線65b沿基板搬送方向 ::方向(與中心軸線z平行的方向)排列，且兩者的間 隔此做調整，當必須在美柄、， 、 紅治7 板搬运方向之交又方向（盥中心 平行的方向）進行廣範圍的電漿處理時，㈣㈣ r;“度的分布。例如，像本例般使用旋轉型(car_el 板的配置、濺鍍條件等，基 與位於其中間之薄膜“板保持具13上方之薄膜、 口要採用者膜厚可能會產生偏差。這時， :二=Γ漿產生…1，即可對應於不同膜二 適當_整電漿的密度分布。 个丨j膘；而 本例中，如上述般，係將間隔壁16之面向反 20 1298355 應處理區60的壁面、真空容器u内壁面之面向反應處理 區60的部分’用熱解氮化硼來被覆，藉此使反應處理區6〇 的自由基維持在高密度，使更多自由基和基板上的薄膜接 觸以謀求電漿處理的效率化。亦即，藉由將間隔壁Μ盘 真空容器U的㈣面用化學安定性佳的熱解氮化硼被覆:、 措電漿產生裝置61而產生於反應處理區6〇内之自由基或 激勵狀態之自由基’因其與間隔壁16或真空容器u内壁 面反應而消滅的情形會被抑制住。又，藉由間隔壁Μ，二 將反應處理區60產生之自由基控制成朝向基板保持具^ 的方向。 以下例示出使用上述滅鍍裝置i來進行電聚處理的方 法，亦即’對基板上經濺鍍形成之不完全氧化矽 (SiOJxlU))薄膜進行電漿處理，使該不完全氧化石夕進一 步氧化而形成氧切（Si〇x2(xl<山2))。又，所稱不完全氧 指氧…〇2構成元素的氧有短缺之不 化 石夕 SiOx(x<2) 〇 被美=持=板絲29a、29b配置於賤鑛裝置卜基板 被土板保持具13所保持。分別在磁控 上設置把―。㈣a、29b的材料是採_广 接著，將真空容器u内減壓成既定壓力， 使基板保持具13旋轉4後，/動馬達17 定後，將$膊忐 Α為11内的壓力穩 二成膜處理區20内的壓力調整成。.m 28’_f量流量控制器25、26調整流量

21 1298355 鑛用非活性氣體（氬氣）與反應性氣體（氧氣）導入成膜h 區20内’而將成膜處理區2〇内調整成可進行濺鍍的琿:理 接著，由中頻交流電源23，透過變壓器24而對^ 賤鍍電極2la、21b施加頻率η咖z的交流電壓: 在靶29a、29b產生交流電場。因此，在某時點，靶^ 成為陰極（負極）而靶29b成為陽極（正極）。在另一時點a 當交流方向改變時，靶29b變成陰極(負極)，靶Μ”:變 成陽極（正極）。如此般，藉由使一對靶29&、2此交、' 變成陽極與陰極，即產生電漿，而對陰極上的靶進行濺鍍。 當濺鍍進行中，陽極上可能會附著有非導電性或低導 電性的氧化秒（SW2)，當該陽極因交流電場而轉變成 陰極時，t將這些氧切（Si〇x(M2m兹，而使乾表面恢 復原來的清淨狀態。 人 藉由使一對靶29a、29b交替地變成陽極與陰極，可持 績獲得穩定的陽極電位狀態，可防止電漿電位（通常大致等 於陽極電位）的改變，而在基板的膜形成面安定地形成矽或 不元全氧化石夕（SiOxl(xl<2))構成之薄膜。 又，成膜處理區20所形成之薄膜組成，藉由調整導入 成膜處理區20之氧氣流量、或控制基板保持具13之旋轉 速度，可調整成矽（Si)、氧化矽（Si〇2)、或不完全氧化矽 (SiOxl(xl<2))。 在成膜處理區20内，當基板之膜形成面上形成矽或不 疋全氧化矽（SiOxl(xl〈2))構成的薄膜後，藉由旋轉基板保 持具13,將基板從面向成膜處理區2〇的位置搬送至面向 22 1298355 反應處理區6 0的位置。 在反應處理區60内，除從反應性氣體高壓容器78導 入反應性氣體（氧氣）外，也從非活性氣體高壓容器77導 入非活性氣體（例如氬氣）。接著，對天線65a、65b施加 13.56MHz之高頻電壓，藉由電漿產生裝置61使反應處^ 區6〇内產生電漿。反應處理區60之壓力維持於ο,。〗 然後，旋轉基板保持具丨3，當形成有薄膜（由矽或不 完全氧化矽（SiOxl(xl<2))構成）的基板搬送至面向反應處 理區60的位置時，在反應處理區6〇内，係藉由電漿處理 而使矽或不完全氧化矽（Si〇xi(xl<2))構成的薄膜進行氧化 反應。亦即，藉由因電漿處理裝χ 61而在反應處理區 内產生的氧氣電聚，使矽或不完全氧化矽（Si〇xi(xl<2))進 行氧化反應，而轉換成所要組成之不完全氧化矽 (SiOx2(xl<x2<2))或氧化石夕。 經由以上過程，而製作出所要組成之氧化矽（si〇x(x<2)) 薄膜。藉由重複以上過程’可將薄膜予以積層而製;乍出所 要膜厚的薄膜。 . 〃特別是，在本例中，除了反應性氣體外，亦將非活性 氣體導入反應處理@ 60。反應處理區6〇内導入之非活性 氣體比例，可依反應處理區60的形狀、反應處理區6〇的 壓力、天線65a、65b之放電條件、非活性氣體及反應性氣 體的種類等’來決定其最適當的比例。例^相對於反應 性軋體與非活性氣體的合計流量，係卩27%左右的流量來 導入非活性氣體。 23 1298355 如此般，除了反應性氣體外，亦將非活性氣體導入反 應處理區60，因此可提高電漿中反應性氣體的自由基相對 密度。其效果顯示於圖5〜7。圖5〜7所說明的實驗結果， 係針對將反應性氣體之氧氣、非活性氣體之氬氣導入後進 行實驗的情形。 圖5係顯示反應處理區60所產生之電漿中氧原子與氧 離子的比例，其中，係將對反應處理區6〇僅導入氧氣的 情形、與混合氧氣及氬氣來導入的情形兩者作比較。圖5 之橫軸代表高頻電源69所施加的電力，縱軸代表發光強 度比。又，發光強度比，係以發光分光法（〇ptiealEmissiQn

Spectroscopy)測定電漿中激勵狀態的氧自由基，而測定氧 離子的發光強度。從圖5可看出，相較於對反應處理區6〇 僅導入15〇SCCm氧氣的情形，將氧氣與氬氣混合導入的情 形（導入llOsccm氧氣、4〇SCCm氬氣的情形，亦即，相對 於氧氣與氬氣之合計流量，以27%左右的流量導入氮氣的 情形），後者激勵狀態的氧自由基密度較高。又，流量單位 之seem ’係代表0°C、latm下每1分鐘的流量，其等於 cm3/min ° 圖6之實驗結果，係針對在反應處理區6〇混合導入氧 氣與氬氣（導入llOsccm氧氣、40sccm氬氣）的情形，以發 光分光法測定電漿中激勵狀態的氧自由基與氧離子的發光 強度結果。圖7係顯示相對於圖6結果之比較例，係針對 在反應處理區60未導入鼠氣而僅導入氧氣（導入 氧氣）的情形，以發光分光法測定電漿中激勵狀態的氧自由 24 1298355 基與氧離子的發光強度結果。 圖6、7之橫軸代表高頻電源69所施加的電力，縱車由 代表發光強度比。將圖6、7的結果做比較可知，相較於 未導入氬氣僅導入氧氣的情形，當混合導入氧氣與氯氣 時’後者氧自由基之發光強度較強，故其氧自由基的密度 較高。 如此般，藉由對反應處理區同時導入氧氣及氬氣，會 赉生氧自由基密度變高的現象，其理由可能是因為氬氣有 容易活性化的傾向。 亦即，氬氣與氧氣容易發生衝撞，透過該衝撞，活性 化的氬會對氧賦予激勵能量，而容易產生氧自由基或激勵 狀態的氧自由基。 因此，相較於對反應處理區僅導入氧氣的情形，藉由 混合適當比例的氬氣，可使所產生之氧自由 而進行更高效率的電漿處理。 ^ 一其次，針對導入反應處理區之氧氣流量比對氧原子與 氧離子的比例、衰減係數的影響進行實驗。實驗條件，係 ::頻電源軛力口 4.0Kw的電力，並以成膜速度〇·4請/似 進仃虱化鈮（Nb2〇5)的成膜，形成最終膜厚為50〇nm的薄 膜。 漿中I 12 :不出’導入反應處理區6〇之氧氣流量比對電 。3有之氧原子與氧離子的比例、衰減係婁文k的影響。 二曰^之也、軸代表著，相對於導入反應處理區60之全氣體 "置（氧氣及氬氣之合計流量），氧氣的流量比（02/Ar+〇2)及 25 1298355 氬氣的流量比（Ar/Ar+〇2)。圖12左側的縱軸代表氧原子與 氧離子的發光強度比，右側縱軸代表衰減係數。發光強度 比係依前述發光分光法來測定。關於衰減係數让，當光學 常數（複折射率）為N、折射率為„時，係依N=n+ik的關係 所代表的數值。 根據圖12的結果可知，在氬氣流量比約0.15〜0.45的 範圍，衰減係數會急劇減少至約2〇χ1〇_4以下。因此，在 此範圍内’能製作低衰減係數之良好薄膜。特別是，當氬 氣流量比在約0.20〜〇.35的範圍，衰減係數k進一步降低 至約0.8x10-4以下’故更佳。當氬氣流量比為ο.”時， 由於衰減係數最小故更佳。 本例中，由於將絕緣體如前述般被覆於間隔壁16、真 空容器11内壁面之面向反應處理區60的部分，因此能使 反應處理區60之電漿中的氧自由基密度維持於高水準。 *圖8之實驗結果，係針對改變保護層p(用來被覆真空 :盗11内壁面之面向反應處理區6〇的部分)構成成分的 情形，以發光分光法測定存在於電漿中之激勵狀態氧自由 基的發光強度之結果。目8之橫軸代表高頻電源69所施 加的電力’縱軸代表發光強度比。 如圖8所示，相較於未設置保護層p的情形（圖8中「不 鏽鋼」之實驗結果），以熱解氮化侧（觸）、氧化銘⑴也）、 虱化矽（si〇2)構成的保護層p來被覆間隔壁16時，後者氧 自由基之發光強度強，可知其氧自由基密度較高。特別是， 以熱解氮化_N)構成的保護層p來被覆間隔壁Μ的情 26 1298355 形’其氧自由基的發光強度最強。 圖9顯示反應處理區所產生之電漿中之氧自由基的 流量密度’其中’係對以熱解氮化硼（PBN)被覆間隔壁16 與真空容器11的情形、與未被覆的情形兩者做比較。本 實驗例中，作為以熱解氮化硼（PBN)被覆間隔壁16與真空 容器11的情形，係在間隔壁16之面向反應處理區6〇側、 及真空容器11内壁面之被間隔壁16包圍之面向反應處理 區60的部分，被覆熱解氮化硼。

圖9之橫軸代表導入反應處理區6〇之氧氣流量，縱軸 代表反應處理區60所產生之電漿中之氧自由基流量密度。 又，圖9縱軸所示之氧自由基流量密度值，係代表絕對流 量密度值。絕對流量密度值由銀薄膜的氧化程度而求得。 亦即，以基板保持具13來保持形成有銀薄膜之基板，根 據反應處理區60中之電漿處理前後薄膜的重量改變來測 量銀的氧化程度，根據該氧化程度來計算絕對流量密度 值。從圖9可看出，當用熱解氮化硼被覆間隔壁16與真 空容器11的情形，氧自由基的流量密度較高。 以上是針對製作所要組成的氧化矽（Si〇x(M2)薄膜做 說明，但不僅設置_個而設置複數個濺鍍用成膜處理區來 進行濺鍍處理時，可反覆積層不同組成的薄^_目^ 薄膜。例如’像上述般，在麟裳置U置成膜處理區40, 使用銳_作為乾49a、49b。以相同於製作氧切薄膜時 的方法’纟氧化矽薄膜上形成所要組成之氧化鈮 ⑽0把2·5))薄膜。接著，進行成膜處㈣20之濺鐘、 27 1298355 反應處理區60之電漿處理造成的氧化、成膜處理區40之 滅鍍、反應處理區6G《電漿處理造成的氧化，反覆進行 前述步驟’即可反覆積層所要組成的氧化石夕（叫㈣）薄 膜與氧化鈮（Nb0y(成.5))薄膜而形成目的薄膜。 特別是，在本例中，藉由使用具備電漿產生裝置61之 濺鍍裝置1，T製作出緻密且品質良好的高性能薄膜。其 效果顯示於圖1 0、圖11。 圖圖11係顯示形成氧化石夕（以〇2)與氧化銳⑽也） 多層薄膜時之薄膜透過率。目1〇的實驗結果，係取代濺 鍵裝置1之電漿產生裝置61而使用習知電漿產生裝置161 來形成氧化石卜氧化銳多層薄膜的情形；目11的實驗結果， 係使用本例之電漿產生裝置6丨來形成氧化秒—氧化銳多層 薄膜的h形。目i 〇、圖i i之橫軸代表測定波長，縱轴代 表透過率。 ^用‘知電漿產生裝置1 61的情形，係以高頻電源1 6 9 她加、5:5KW 電壓，並以 SiO2 = 0.3nm/s、Nb2〇5 = 〇.2nra/S 的 速度成膜。然後，依Si02層、Nb2〇5層的順序反覆積 層 人，製作出總物理膜厚94 0nra的薄膜。結果可製作 出，於測定波長65〇nm下衰減係數k=1〇〇xl〇—5之薄膜（圖 10)。 '

Xp 方面’使用本例的具備電漿產生裝置6丨之濺鐘裝 置 的^开^ ’係以高頻電源69施加4· OKw電壓，並以 2 5nm/s、Nb205 = 〇. 4nm/s的速度進行成膜。並依si〇2 層、ΝΜ5層的順序反覆積㉟38次，製作出總物理膜厚

28 1298355 3242nra的薄膜。結果可萝作φ 禾J I作出，於測定波長65〇nm下衰減 係數k = 5xl0 — 5之薄膜（圖u)。 . 如此般，從結果(使用本例的具備電聚產生裝置61之 ' 錢裝置1來形成氧切-氧化銳多層薄膜的情形）可明顯 •看出’只要使用本例的濺鑛裝置1進行電漿處理來製作薄 媒，即可製作出低衰減係數（吸收係數）之良好薄膜。 又，關於衰減係數k，當光學常數（複折射率）為N、折 射率為n時，係依N=n+ik的關係所代表的數值。 以上所說明的實施形態，例如能做下述⑷〜⑴般的變 化。又將（a)〜⑴予以適當地組合亦可。 (a) 在上述實施形態，作為電漿產生機構，如圖1〜圖3 所示，係採用將天線65a、65b固定於板狀電介質壁63而 成之感應耦合型（平板型）電漿產生機構，但本發明也適用 於採用其他型式的電漿產生機構之薄膜形成裝置。亦即， 就异採用具備感應耦合型（平板型）以外的電漿產生機構而 φ 成的薄膜形成裝置時，藉由將絕緣體被覆於真空容器工工 内壁面之面向反應處理區60的部分、及電漿會聚壁，即 可和上述實施形態同樣地，藉電漿產生機構而產生於電漿 中之自由基或激勵狀態之自由基，因其與真空容器内壁面 戈電桌會5^壁的壁面反應而消滅的情形會被抑制住。作為 感應耦合型（平板型）以外的電漿產生機構，例如可列舉平 行平板型（二極放電型）、ECR(電子迴旋加速器共振）型、磁 控型、螺旋波型、感應耦合型（圓筒型）等等。 (b) 上述實施形態中，作為薄膜形成裝置的例子，係針 29 1298355 對,锻製置作說明，但本發明也適用於其他型式的薄膜形 成裝置。作為薄膜形成裝置’例如也可以是使用電漿進行 蝕2之蝕刻裝置、使用電漿進行CVD之CVD裝置等等。又， 也月b適用於使用電聚進行塑膠表面處理之表面處理裝置。 、（C)在上述實施形態，係採用所謂旋轉型濺鍍裝置，但 並不限於此。本發明也能適用於使基板面向電漿產生區域 來搬送之其他丨賤链裝置。 口 (d)在上述實施形態，係在間隔壁16之面向反應處理 品 的土面上、及真空容器11内壁面之面向反應處理區 60的部分，形成絕緣體構成的保護層p，但在其他部分也 月匕I成、、δ緣體構成的保護層p。例如，除間隔壁1 6之面向 反應處理區6G的壁面，也能在間隔壁16之其他部分被覆 絕緣體。藉此，能儘量避免自由基與間隔Μ 16反應所造 成之自由基減少。又，除在真空容器u内壁面之面向反 應處理區60的部分，也能在真空容器11内壁面之其他部 分、例如内壁面全體上被覆絕緣體。藉此，能儘量避免自 由基與真空容器U内壁面反應所造成之自由基減少。又 在間隔壁12上被覆絕緣體亦可。 (e)上述實施形態中，係用固定板68a、68b與電介質 壁63來挟持天線65a、65b，並用螺栓68〇、㈣來將固定 板_、6813固定於蓋體111}，藉此來固定天線6^、6^， 但只要將天線65a、65b固定成能調整間@ D，#然也能採 用其他做法。例如，事先將天線65a固定在固定板6。， 將天線65b固定在固定板68b，並在蓋體nb設置能使螺 30 1298355 栓68c、68d上下滑動的長孔。然後 又，口上下方向滑動固定 板68a、68b來選定間隔並以所要的p卩 所要的間隔°將螺栓68c、 68d鎖緊，而將固定板68a、68b定位在

甘盈® lib上下方向 之固定位置。 U (f)在上述實施形態，天線65a本體部65〜係由銅構成， 被覆層65a2係由銀構成，但只要本體部叫係由低成本加 工容易且低電阻的材料構成、電流集中之被覆層叫係由 電阻比本體部65ai低的材料構成即可，當然亦可採用其他 組合。例如’本體部65ai可由紹或銘銅合金構成，被覆層 65心係由銅、金構成。天線65b之本體部65\、被覆層 也能做同樣的改變。又，天線65a、65b也能分別由:同材2 料構成。 (g) 在上述實施形態，對反應處理區6〇導入的反應性 氣體是使用氧氣’但也能導入臭氧、一氧化二氮（N2〇)等的 氧化性氣體、氮等的氮化性氣體、甲烷等的碳化性氣體、 氧、四氟化碳（CFO等的氟化性氣體等等，而可將本發明運 用於氧化處理以外之電漿處理。 (h) 在上述實施形態，靶29a、29b的材料是採用石夕， 乾49a、49b的材料是採用銳，但並不限於此，也能採用其 等的氧化物。也能採用鋁（A1)、鈦（Ti)、鍅（Zr)、錫（sn)、 鉻（Cr)、鈕（Ta)、碲（Te)、鐵（Fe)、鎂（Mg)、铪（Hf)、鎳鉻 (Ni_Cr)、銦錫（In-Sn)等的金屬。也能採用這些金屬的化合 物，例如 A1203、Ti02、Zr02、Ta205、ΗίΌ2 等。當然，把 29a、29b、49a、49b的材料完全相同也可以。 31 1298355 使用廷些靶時，藉由反應處理區60之電漿處理，可製 作出· Al2〇3、Ti〇2、Zr〇2、Ta2〇5、si〇2、Nb2〇5、、 琴2等的光學膜或絕緣膜，lT〇等的導電膜，Fe2〇3等的 磁性膜，TiN、CrN、丁iC 等的超硬膜。Ti02、Zr〇2、Ta2〇5、 2 Nb2〇5等的絕緣性金屬化合物，由於濺鍍速度比金 屬（Ti、Zr、Si)慢报多而生產性不佳，因此使用本發明之薄 膜形成裂置來進行電漿處理特別有效。 (1)在上述實施形態，靶29a、29b的材料相同，靶49a、 49b的材料相同，但 、 一妹用不冋材料也可以。使用同一金屬 構成的革巴時，如上诫私 _ 叙’猎由濺鍍可在基板上形成單一金 屬的不完全反應物，者你 田使用不同的金屬靶時，可在基板上 形成合金的不完全反應物。 、、、示上所述，依本發明 ^ Θ之溥膜形成方法及薄膜形成裝置， 可咼效率地進行電漿處理。 【圖式簡單說明】 圖1係本發明的薄艇 明圖 寻勝形成裝置之取局部截面之俯視說 圖 明圖 係本毛月的薄m形成裝置之取局部截面之側視說 圖3係電漿產生機槿 %攝之說明圖。 圖4係天線的截面圖。 圖5係顯示電聚中 例 乳原子與氧離子比例之實驗結果 圖 係”、、員不電|中激勵狀態的氧自由基、與氧離子的 κ 32 1298355 發光強度之實驗結果例。 圖7係顯示電漿中激勵狀態的氧自由基、與氧離子 發光強度之實驗結果例。 、 勵狀態的氧自由基發光強度之實 圖8係顯示電漿中激 驗結果例。 例 圖9係顯示電漿中氧自由基的流量密度之實 驗結果

圖1〇顯不的實驗結果例，係針對 ^ ^ „ 了 4木用習知電漿產生機 構來开y成虱化矽、氧化鈮組成的多 日潯臈之透過率測定結 果。 圖11顯示的實驗結果例，係針對 τ *木用本發明雷％吝& 機構來形成氧切、氧化隸成的 水產生 於果。 ㈢溥膜之透過率測定 固 i不蔣士 -広 υυ之氧氣流量比，： 對電水中乳原子與氧離子之比例、衰 r Μ 成係數k產生的影響 【主要70件代表符號】 11…真空容器 1 la…突緣 lib…蓋體 12、14、16···間隔壁 13…基板保持具 15、15’…真空泵 1 7…馬達 20、40…成膜處理區 21a、21b、41a、41b…磁控濺錢電極 33 1298355 23、 43···中頻交流電源 24、 44···變壓器 25、 26、45、46、75、76···質量流量控制器 27、 47…濺鍍氣體高壓容器 28、 48、78…反應性氣體高壓容器 29a、29b、49a、49b…革巴 60…反應處理區 61、161…電漿產生裝置 63…電介質壁 6 5 a、6 5 b…天線 65ai、65b:…本體部 65a2、65b2…被覆層 66…導線 6 6 a、6 6 b…伸縮部 6 7…匹配箱 67a、67b…可變電容器 68…固定具 68a、68b…固定板 68c、68d…螺栓 69、169…高頻電源 77…非活性氣體高壓容器 1 6 7 c…匹配用線圈 D···天線彼此之間隔 P…保護層

Ra···天線65a的直徑 34 1298355

Rb…天線65b的直徑 Z…基板保持具之中心軸線

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Claims (1)

1298355 2006年7月 專利申請案第94117842號申請專利範圍替換本 十、申請專利範圍： 1、一種薄膜形成方法，係使用薄膜形成裝置（將該真 空容器内的面向電漿產生區域的壁面用絕緣體被覆）對基 體進行薄膜形成；其特徵在於進行： 將真空容器内部維持真空之製程， 在配設於該真空容器之基體搬送機構上保持基體之基 體保持製程， 對成膜處理區導入非活性氣體以將靶 基體進行成膜處理之錢處理製程， 稭此❹ 將該成膜處理後之該基體搬送至反應處理區之基體搬 入反應性氣體及非活性氣體以產 理後之該基體進行電漿處理之電 對該反應處理區内導 生電漿，藉此對該成膜處 漿處理製程， 令A = 仃5亥成膜處理製程及該電漿處理製程來在 巧基體上形成薄膜。 ％ 2 '如中請專利範圍第 db ^ ^ 币1貝之/專膜幵》成方法，其中，該 非活性氣體為擇自氩、氦、^ ^忒 " 夙、虱、氙所構成群中之氣體。 3、如申請專利範 絕緣體1擇自 項之薄膜形成方法，其中，該 遐係擇自熱解氮化爛 之絕緣體。 〜u %汉虱化矽所構成群中 如申睛專利蔚圖哲 對於導入w各項之薄膜形成方法，其中，和 量比為0.15〜〇.45的範圍，該非活性氣體之法 36 1298355 5、 如申請專利範圍第4項之薄膜形成方法，其中，节 流量比為〇· 27。 μ 6、 一種薄膜形成裝置，係具備：内部可維持真空之真 空容器，配設於該真空容器内、用來搬送基體之基=搬送 機構，形成於該真空容器内、用來對該基體進行成膜處理 之成膜處理區，形成於該真空容器内、用來對該基體進行 電漿處理之反應處理區，藉此來在基體上形成薄膜； 其特徵在於具備： 用來對該反應處理區導入反應性氣體之反應性氣體導 入機構， 用來個別對該成膜處理區及該反應處理區導入非活性 氣體之非活性氣體導入機構， 配設於該成膜處理區、用來藉由該非活性氣體將粗錢 蝕以對該基體進行成膜處理之成膜處理機構， 配設於該反應處理區、用來在該反應處理區内產生反 應性氣體及非活性氣體之電漿，藉此對該成膜處理後的基 體進行電漿處理之電漿產生機構； 將该真空谷器内的面向電浆產生區域的壁面用絕緣體被 覆。 7、如申請專利範圍第6項之薄膜形成裝置，其中， 該非活性氣體導入機構具備： 用以貯存非活性氣體之單一的非活性氣體貯存機構， 用來將貯存於該非活性氣體貯存機構之非活性氣體導 入該成膜處理區之第一配管，及 37 .1298355 用來將貯存於該非活性氣體貯存機構之非活性氣體導 入#亥反應處理區之第二配管。 8、如申請專利範圍第6項之薄膜形成裝置，其中，該 非活性氣體導入機構具備： 用以貯存非活性氣體之第一非活性氣體貯存機構； 用來將貯存於該第一非活性氣體貯存機構之非活性氣 體導入該成膜處理區之第一配管；

用以貯存非活性氣體之第二非活性氣體貯存機構，其 與該第一非活性氣體貯存機構分開設置；及 用來將貯存於該第二非活性氣體貯存機構之非活性氣 體導入該反應處理區之第二配管。 如曱清專利範圍第 反應性氣體導入機構係具備反應性氣體流量調整機構，其 可調整導入該反應處理區之反應性氣體流量； 且該反應性氣體流量調整機構係具備 ^ 两非活性氣體流量 調整機構，其可調整導入該反應處理區 曰 L•之非活性氣體流 〇 任—項之薄膜形成 氦、氖、氪、氙所 1 0、如申請專利範圍第6至9項中 裝置’其中’該非活性氣體為擇自氬、 構成群中之氣體。 11、如申請專利範圍第6項之薄膜形成裝置，其中， 用該絕緣體被覆之該真空容器内的壁面， 1系該真空容器之 12、如申請專利範圍第6項之薄膜形成裝置，其中 38 1298355 該絕緣體，係擇自熱解氮化硼、氧化鋁及氧化矽所構成群 中之絕緣體。 十一、圖式： 如次頁

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