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TWI296120B - - Google Patents

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TWI296120B
TWI296120B TW94118659A TW94118659A TWI296120B TW I296120 B TWI296120 B TW I296120B TW 94118659 A TW94118659 A TW 94118659A TW 94118659 A TW94118659 A TW 94118659A TW I296120 B TWI296120 B TW I296120B
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TW
Taiwan
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alloy
resistance
alloy plate
copper
resistor
Prior art date
Application number
TW94118659A
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English (en)
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TW200643993A (en
Inventor
Qing-Lin Ji
song-hong Xu
yong-fa Zhang
Yao-Zhen Ceng
Original Assignee
Prosperity Dielectrics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Prosperity Dielectrics Co Ltd filed Critical Prosperity Dielectrics Co Ltd
Priority to TW094118659A priority Critical patent/TW200643993A/zh
Publication of TW200643993A publication Critical patent/TW200643993A/zh
Application granted granted Critical
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  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Description

1296120 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本考X明係關於一種銅端極合金晶片電阻器之製造方 法’特別是關於-種包括有在選定之合金板頂面及底面分 別結合-銅箱層、沖模、形成一防鍍層、蝕刻、去除防鍍 層、進行阻值修整、塑脂注模、沖模分離而形成複數個合 金電阻單體等序列步驟之合金晶片電阻器製造方法。 【先前技術】 查傳統表面黏著型晶片電阻器一般是以厚膜印刷製程 予以製造,其主要係在選定之陶瓷基板上經過一序列之印 刷,雷射修整,銅端極,電鍍製程在該陶瓷基板上形成所 需之電阻器。 【發明内容】 然而,以傳統厚膜印刷製程技術製造電阻器時,在較 大功率之電阻器及超低電阻值時,很難做到如合金材料的 穩定特性,尤其在高精度的電流檢知器之應用,這也是目 前技術趨勢。 因此,本發明之主要目的即是提供一種合金晶片電阻 器之製造方法,以使合金晶片電阻器不論在產品電功率、 良率、製程簡便性等各方面,皆能符合產業之需求。 本發明之另一目的是提供一種具有高精確阻值之合金 晶片電阻器製造方法,在本發明之製程中,可在適當程序 中,依據所需阻值精度,對該合金板進行阻值修整微調之 1296120 步驟。 本發明為解決習知技術之問題所採用之技術手段係依 據所需阻值,選用一合金板材料,並在該選定之合金板頂 面及底面分別結合一銅箔層,以形成一具有雙面銅箔層之 合金板,然後依據所需阻值,將該具有雙面銅箔層之合金 板依預定形狀進行沖模,以在該合金板形成複數個連續之 合金電阻區段。在每一個合金電阻區段之兩側端面形成一 Φ 防鍍層,再進行蝕刻程序。然後在該合金電阻區段之合金 板進行塑脂注模,最後將各個合金電阻區段予以沖模分 離,而形成複數個合金電阻單體。 本發明較佳實施例中,在前述之去除防鍍層步驟之 後,更包括依所需阻值精度,對該合金板進行阻值修整微 調之步驟。在經過阻值修整微調之步驟之後,可將每一個 電阻器之阻值誤差調整到所需的預定範圍以内。 相較於現有技術,本發明之合金晶片電阻器可將選定 Φ 之合金材料依據本發明之製程簡易地製作出符合所需阻值 精度之合金晶片電阻器,而在產品良率方面,本發明之製 程因有導電良好之銅端極可準確掌握其整個製程,故其產 品良率可以提昇。而在本發明之合金晶片電阻器產品之阻 值精確度方面,本發明合金晶片電阻器可簡易地在適當程 序中,依據所需阻值精度,對該合金板進行阻值修整微調 之步驟。經過阻值修整微調之步驟之後,可將每一個電阻 器之阻值誤差調整到所需的預定要求以内。本發明在沖模 時,係可一次一組複數個晶片電阻器一起加工,可有效提 1296120 高生產效率,降低成本。 本發明所採用的具體實施例,將藉由以下之實施例及 附呈圖式作進一步之說明。 【實施方式】 參閱第一圖所示,其係顯示本發明在一合金板丨之頂 面及底面分別結合一上銅箔層2、及一下鋼箔層3以形成一 ^ 具雙面銅猪層合金板1⑻之立體圖,而第二圖係顯示第一 圖中2-2斷面之剖視圖。該合金板i之材料選用係依據所 需之電阻而定,例如該合金板之材料可為鎳、鉻合金板。 參閱第三圖所示,依據所需阻值,將該具雙面銅箔層 合金板100依預定形狀進行沖模,以在該具雙面銅羯層合 金板100形成複數個連續之合金電阻區段H。在此實施例 中,係以沖模方式將該具雙面銅箔層合金板1〇〇兩側邊部 份21予以沖除。 • 完成沖模之後,在每一個合金電阻區段Η之兩側端面 心成防鑛層22(參閱第四圖所示),如可在該合金電阻區 段Η中定義出一蝕刻區域H1。該防鍍層22可以習用印刷 機之方式進行印刷而形成。而該防鍍層22之印刷係依不同 電阻值而印有不同寬度之防鍍層。 接著,進行蝕刻程序,以將未被防鍍層22蓋覆之銅箔 層2予以蝕刻,使該蝕刻區域之合金板丨表面曝露出(如第 五圖所示)。然後,即可將該防鍍層22予以去除(如第六圖 所不),以利進行下一個製程。 1296120 在完成防鍍層22之去除之後,可進行阻值修整微調之 步驟。參閱第七圖所示,其係在該合金電阻區段Η之適當 阻值修整位置23處,依所需阻值精度,以雷射修整設備對 該合金板1進行阻值修整微調之步驟。經過阻值修整微調 之步驟之後,可將每一個電阻器之阻值誤差調整到所需的 1 %以内。 經過上述步驟完成之產品,即可以塑模注模之技術進 行合金電阻區段之塑脂注模4,參閱第八圖所示,以保護電 阻體並達到絕緣之目的。 完成塑脂注模之步驟之後,即可將各個合金電阻區段 Η予以沖模分離,而形成複數個合金電阻單體5,並在該合 金電阻單體5之兩側端形成銅端極51、52(如第九圖所 示)。 在該合金電阻單體5之銅端極51、52表面可以再形成 銅端極材料6(如第十圖所示),例如可以電鍍之技術將鎳層 及錫層順序地電鍍形成該合金電阻單體5之兩銅端極51、 52表面,以利曰後實際應用時之銲鍚作業。 在實際產品化時,可在各個合金電阻單體5之塑脂注 模4表面,印上電阻值,然後以包裝機包裝成帶狀,並捲 為成捲之型態。 藉由上述之本發明實施例可知,本發明確具產業上之 利用價值。惟以上之實施例說明,僅為本發明之較佳實施 例說明,凡習於此項技術者當可依據本發明之上述實施例 說明而作其它種種之改良及變化。然而這些依據本發明實 8 1296120 施例所作的種種改良及變化,當仍屬於本發明之發明精神 及界定之專利範圍内。 【圖式簡單說明】 第一圖係顯示本發明在一合金板之頂面及底面分別結合一 上銅箔層、及一下銅箔層以形成一具雙面銅箔層合 金板之立體圖。 第二圖係顯示第一圖中2-2斷面之剖視圖。 第三圖係顯示本發明中,依據所需阻值將該具雙面銅箔層 合金板進行沖模後之示意圖。 第四圖係顯示本發明中,在每一個合金電阻區段之兩側端 面形成一防鍍層之示意圖。 第五圖係顯示本發明在進行蝕刻程序時之示意圖。 第六圖係顯示本發明將該防鍍層予以去除之示意圖。 第七圖係顯示本發明在進行阻值修整微調時之示意圖。 第八圖係顯示本發明在進行塑脂注模時之示意圖。 第九圖係顯示本發明將各個合金電阻區段予以沖模分離, 而形成複數個合金電阻單體之示意圖。 第十圖係顯示本發明在合金電阻單體之銅端極表面形成銅 端極材料之示意圖。 【主要元件符號說明】 100 具雙面銅羯層合金板 1 合金板 1296120 2 銅箔層 3 銅箔層 21 側邊部份 22 防鍍層 23 阻值修整位置 4 塑脂注模 5 合金電阻單體 51 > 52 銅端極 6 銅端極材料 Η 合金電阻區段 HI 名虫刻區域

Claims (1)

1296120 十、申請專利範圍: 1. 一種銅端極合金晶片電阻器之製造方法,包括下列步驟: (a) 依據所需阻值,選用一合金板材料; (b) 在該合金板之頂面及底面分別結合一銅箔層,以形成 一具有雙面銅箔層之合金板; (c) 依據所需阻值,將該具有雙面銅箔層之合金板依預定 形狀進行沖模,以在該合金板形成複數個連續之合金 電阻區段; (d) 在每一個合金電阻區段之兩側端面形成一防鍍層; (e) 進行蝕刻程序,將未被防鍍層蓋覆之銅箔層予以蝕 刻,使該蝕刻區域之合金板表面曝露出; (f) 將該防鍍層予以去除; (g) 在該合金電阻區段之合金板進行塑脂注模; (h) 將各個合金電阻區段予以沖模分離,而形成複數個合 金電阻單體。 2. 如申請專利範圍第1項之銅端極合金晶片電阻器之製造方 法,其中沖模係一次一組複數個晶片電阻器一起加工。 3. 如申請專利範圍第1項之銅端極合金晶片電阻器之製造方 法,其中步驟(f)之後,在去除防鍍層之後,更包括依所 需阻值精度,對該合金板進行阻值修整微調之步驟。 11 1296120 4·如申明專㈣圍第丨項之鋼端極合金晶片電阻器之製造方 法’其中步驟⑻之後,更包括在該合金f阻單體之兩個 銅端極形成銅端極材料之步驟。 5·如申睛專利範圍第4項之銅端極合金晶片電阻器之製造方 去,其中該合金電阻單體之銅端極材料係包括有一鎳層及 一錫層。
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